JPH0974041A - Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法Info
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- JPH0974041A JPH0974041A JP22881795A JP22881795A JPH0974041A JP H0974041 A JPH0974041 A JP H0974041A JP 22881795 A JP22881795 A JP 22881795A JP 22881795 A JP22881795 A JP 22881795A JP H0974041 A JPH0974041 A JP H0974041A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧＭＲ効果を有するグラニュラ膜を簡便に形
成し得るウエットプロセスが現在までに開発されていな
い。 【解決手段】 Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜を製造する際、め
っき浴中のＣｏイオン濃度に対するＣｕイオン濃度の比
（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０×１０-4〜１．０
×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ／ｃｍ2 の条件で
電析を行う。
成し得るウエットプロセスが現在までに開発されていな
い。 【解決手段】 Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜を製造する際、め
っき浴中のＣｏイオン濃度に対するＣｕイオン濃度の比
（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０×１０-4〜１．０
×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ／ｃｍ2 の条件で
電析を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣｏ−Ｃｕ合金磁性
膜の製造方法に関し、より詳細には磁気ヘッド等の磁気
センサに用いられるＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法に
関する。
膜の製造方法に関し、より詳細には磁気ヘッド等の磁気
センサに用いられるＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、新しい磁性材料として巨大磁気抵
抗（ＧＭＲ）効果膜が注目されている。磁気抵抗効果膜
とは、合金等からなる膜に磁場を作用させた際、磁場の
強さにより前記膜の抵抗が変化する膜のことをいう。ま
た、この磁気抵抗の大きさは、下記の数１式で示した
「磁気抵抗比（ｒ）」、すなわち磁場０のときの抵抗値
Ｒ0 から特定の強さの磁場での抵抗値Ｒs を差し引いた
値（Ｒ0 −Ｒs ）をさらにＲ0 で除し、これを百分率で
表した値で示される。
抗（ＧＭＲ）効果膜が注目されている。磁気抵抗効果膜
とは、合金等からなる膜に磁場を作用させた際、磁場の
強さにより前記膜の抵抗が変化する膜のことをいう。ま
た、この磁気抵抗の大きさは、下記の数１式で示した
「磁気抵抗比（ｒ）」、すなわち磁場０のときの抵抗値
Ｒ0 から特定の強さの磁場での抵抗値Ｒs を差し引いた
値（Ｒ0 −Ｒs ）をさらにＲ0 で除し、これを百分率で
表した値で示される。
【０００３】
【数１】 磁気抵抗比（ｒ）［％］＝（Ｒ0 −Ｒs ）×１００／Ｒ0 ＧＭＲ効果膜は前記磁気抵抗比（ｒ）が数百Ｏｅ〜数テ
スラ程度の磁場で数％程度以上の値を有するものをいう
が、このＧＭＲ効果膜として、例えば特開平５−８２３
４２号公報にはＣｏからなる磁性金属膜とＣｕからなる
非磁性金属膜とを交互にエピタキシャル成長させること
により形成された多層構造の人工格子膜が開示されてお
り、またPhysical Review Letters,vol.68,No.25(199
2),pp3745-3748 には、スパッタリングにより形成され
た面心立方構造のＣｏ−Ｃｕ合金マトリックス中にＣｏ
クラスタを含有するＣｏ−Ｃｕグラニュラ薄膜が開示さ
れている。
スラ程度の磁場で数％程度以上の値を有するものをいう
が、このＧＭＲ効果膜として、例えば特開平５−８２３
４２号公報にはＣｏからなる磁性金属膜とＣｕからなる
非磁性金属膜とを交互にエピタキシャル成長させること
により形成された多層構造の人工格子膜が開示されてお
り、またPhysical Review Letters,vol.68,No.25(199
2),pp3745-3748 には、スパッタリングにより形成され
た面心立方構造のＣｏ−Ｃｕ合金マトリックス中にＣｏ
クラスタを含有するＣｏ−Ｃｕグラニュラ薄膜が開示さ
れている。
【０００４】磁気抵抗効果を有する前記のような磁性膜
は外部磁場の変化を電圧に変換できるため、前記磁性膜
はコンピュ−タ用ハードディスクの磁気ヘッド等の磁気
センサーとして利用されており、現在、磁気記録ヘッド
用の磁性膜としてパーマロイが広範囲に用いられてい
る。しかし、近年の磁気記録の高密度化に伴い大きな磁
気抵抗効果を示す材料が求められおり、前記したＧＭＲ
効果膜は大きな磁気抵抗効果を有するため、これらの高
密度磁気記録に最適であり、既に一部で薄膜磁気ヘッド
への応用がなされている。
は外部磁場の変化を電圧に変換できるため、前記磁性膜
はコンピュ−タ用ハードディスクの磁気ヘッド等の磁気
センサーとして利用されており、現在、磁気記録ヘッド
用の磁性膜としてパーマロイが広範囲に用いられてい
る。しかし、近年の磁気記録の高密度化に伴い大きな磁
気抵抗効果を示す材料が求められおり、前記したＧＭＲ
効果膜は大きな磁気抵抗効果を有するため、これらの高
密度磁気記録に最適であり、既に一部で薄膜磁気ヘッド
への応用がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記したＧＭＲ効果膜
を形成する場合、従来より最も一般的に用いられている
方法は、真空蒸着法、スパッタリング法等のドライプロ
セスである（日本金属学会秋季学会講演予稿集 １９９
４年 １９４頁）。これらドライプロセスによる成膜法
は、膜を形成し得る材料が多岐にわたる点で有利である
が、真空装置を使用しなければならないため、製造プロ
セス自体が複雑になり、また高価な真空装置を使用する
点からも経済的にみて不利である。
を形成する場合、従来より最も一般的に用いられている
方法は、真空蒸着法、スパッタリング法等のドライプロ
セスである（日本金属学会秋季学会講演予稿集 １９９
４年 １９４頁）。これらドライプロセスによる成膜法
は、膜を形成し得る材料が多岐にわたる点で有利である
が、真空装置を使用しなければならないため、製造プロ
セス自体が複雑になり、また高価な真空装置を使用する
点からも経済的にみて不利である。
【０００６】一方で電気めっき、すなわち電析により磁
性薄膜を形成する方法が磁気抵抗薄膜ヘッドへの応用等
から検討されており、特に電析により形成したパーマロ
イからなる磁性膜が磁気抵抗素子として使用されている
(IEEE Transaction of Magne-tism, MAG-6,597(1970))
。しかしながら、磁気抵抗素子として使用が可能なＧ
ＭＲ効果を示す前記グラニュラ膜を簡便に形成し得るウ
エットプロセスは現在のところ開発されていないという
課題があった。
性薄膜を形成する方法が磁気抵抗薄膜ヘッドへの応用等
から検討されており、特に電析により形成したパーマロ
イからなる磁性膜が磁気抵抗素子として使用されている
(IEEE Transaction of Magne-tism, MAG-6,597(1970))
。しかしながら、磁気抵抗素子として使用が可能なＧ
ＭＲ効果を示す前記グラニュラ膜を簡便に形成し得るウ
エットプロセスは現在のところ開発されていないという
課題があった。
【０００７】本発明者はこのような課題に鑑み、ＧＭＲ
効果を有するグラニュラ膜をより経済的に形成すること
を目的として検討を行ったところ、所定濃度比を有する
Ｃｏイオン及びＣｕイオンを用いた電析法を採用するこ
とによりＧＭＲ効果を有するＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜を経
済的、かつ容易に製造できることを見い出し本発明を完
成するに至った。
効果を有するグラニュラ膜をより経済的に形成すること
を目的として検討を行ったところ、所定濃度比を有する
Ｃｏイオン及びＣｕイオンを用いた電析法を採用するこ
とによりＧＭＲ効果を有するＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜を経
済的、かつ容易に製造できることを見い出し本発明を完
成するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段及びその効果】すなわち本
発明に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法は、めっき
浴中のＣｏイオン濃度に対するＣｕイオン濃度の比
（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０×１０-4〜１．０
×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ／ｃｍ2 の条件で
電析することを特徴としている。
発明に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法は、めっき
浴中のＣｏイオン濃度に対するＣｕイオン濃度の比
（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０×１０-4〜１．０
×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ／ｃｍ2 の条件で
電析することを特徴としている。
【０００９】上記Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法によ
れば、ドライプロセスと比較して簡便な装置で経済的、
かつ容易に行い得る電析法というウエットプロセスによ
り、ＧＭＲ効果を有するＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜を形成す
ることができる。
れば、ドライプロセスと比較して簡便な装置で経済的、
かつ容易に行い得る電析法というウエットプロセスによ
り、ＧＭＲ効果を有するＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜を形成す
ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性
膜の製造方法における、電析（以下、電気めっきとも記
す）方法は、通常の電気めっき法と特別に異なるところ
はなく、Ｃｏ及びＣｕの塩を含む溶液を電解して、陰極
（以下、基板と記す）上に前記Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜を
形成する。前記基板は導電性を有するものを用いるが、
これは電気めっきを行う際の通電を容易にするためであ
り、従って前記基板は導電性を有する基板であれば特に
その材質は限定されない。前記基板としては、例えば金
属、合金等からなる板状体が挙げられるが、その他にも
絶縁性の板状体に金属等の蒸着等を行うことにより導電
性を付与したものや半導体からなる板状体も挙げられ
る。
膜の製造方法における、電析（以下、電気めっきとも記
す）方法は、通常の電気めっき法と特別に異なるところ
はなく、Ｃｏ及びＣｕの塩を含む溶液を電解して、陰極
（以下、基板と記す）上に前記Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜を
形成する。前記基板は導電性を有するものを用いるが、
これは電気めっきを行う際の通電を容易にするためであ
り、従って前記基板は導電性を有する基板であれば特に
その材質は限定されない。前記基板としては、例えば金
属、合金等からなる板状体が挙げられるが、その他にも
絶縁性の板状体に金属等の蒸着等を行うことにより導電
性を付与したものや半導体からなる板状体も挙げられ
る。
【００１１】前記Ｃｏの塩としては、例えば硫酸コバル
ト、塩化コバルト、硝酸コバルト等が挙げられ、前記Ｃ
ｕの塩としては、例えば硫酸銅、塩化銅、硝酸銅等が挙
げられる。めっき浴中のコバルトイオン濃度［Ｃｏ2+］
に対する銅イオン濃度［Ｃｕ2+］の比（［Ｃｕ2+］／
［Ｃｏ2+］）は１．０×１０-4〜１．０×１０-1の範囲
が好ましい。前記コバルトイオン濃度［Ｃｏ2+］に対す
る銅イオン濃度［Ｃｕ２＋］の比（以下、［Ｃｕ２＋］
／［Ｃｏ2+］と記す）を１．０×１０-4〜１．０×１０
-1としたのは、前記［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］が１．０×
１０-4未満であると、ほとんどＣｕの析出が起こらず電
析膜中に磁性相と非磁性相との変調構造が形成されない
傾向が現われ、他方前記［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］が１．
０×１０-1を超えるとほとんどＣｕからなる非磁性相の
みの電析膜になり、所望のＧＭＲ効果を有する磁性膜が
形成されない傾向が現われるからである。
ト、塩化コバルト、硝酸コバルト等が挙げられ、前記Ｃ
ｕの塩としては、例えば硫酸銅、塩化銅、硝酸銅等が挙
げられる。めっき浴中のコバルトイオン濃度［Ｃｏ2+］
に対する銅イオン濃度［Ｃｕ2+］の比（［Ｃｕ2+］／
［Ｃｏ2+］）は１．０×１０-4〜１．０×１０-1の範囲
が好ましい。前記コバルトイオン濃度［Ｃｏ2+］に対す
る銅イオン濃度［Ｃｕ２＋］の比（以下、［Ｃｕ２＋］
／［Ｃｏ2+］と記す）を１．０×１０-4〜１．０×１０
-1としたのは、前記［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］が１．０×
１０-4未満であると、ほとんどＣｕの析出が起こらず電
析膜中に磁性相と非磁性相との変調構造が形成されない
傾向が現われ、他方前記［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］が１．
０×１０-1を超えるとほとんどＣｕからなる非磁性相の
みの電析膜になり、所望のＧＭＲ効果を有する磁性膜が
形成されない傾向が現われるからである。
【００１２】めっき浴には前記めっき浴の電気抵抗を抑
え、活性イオン種の電気泳動を抑制するために、例えば
硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム等の支持電解質を添
加してもよく、また電析膜の外観を平滑化するため等の
目的で、例えばチオ尿素、デキストリン等の光沢剤、塩
化物等の平滑化剤、ラウリル硫酸ナトリウム等の界面活
性剤等を用いたピット防止材等の添加剤を必要に応じて
添加してもよい。
え、活性イオン種の電気泳動を抑制するために、例えば
硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム等の支持電解質を添
加してもよく、また電析膜の外観を平滑化するため等の
目的で、例えばチオ尿素、デキストリン等の光沢剤、塩
化物等の平滑化剤、ラウリル硫酸ナトリウム等の界面活
性剤等を用いたピット防止材等の添加剤を必要に応じて
添加してもよい。
【００１３】電気めっきを行う際の電流密度は１〜１０
０ｍＡ／ｃｍ2 の範囲が好ましい。このように電気めっ
きを行う際の電流密度を１〜１００ｍＡ／ｃｍ2 とした
のは、前記電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 未満であると殆ど
Ｃｕのみが電析するためにＧＭＲ効果を有する磁性膜が
形成されず、成膜速度が極めて小さくなる傾向が表わ
れ、他方前記電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ2 を超えると
逆にＣｕが電析しにくくなり、ＧＭＲ効果を有する磁性
膜が形成されにくい傾向が表われるためである。
０ｍＡ／ｃｍ2 の範囲が好ましい。このように電気めっ
きを行う際の電流密度を１〜１００ｍＡ／ｃｍ2 とした
のは、前記電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2 未満であると殆ど
Ｃｕのみが電析するためにＧＭＲ効果を有する磁性膜が
形成されず、成膜速度が極めて小さくなる傾向が表わ
れ、他方前記電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ2 を超えると
逆にＣｕが電析しにくくなり、ＧＭＲ効果を有する磁性
膜が形成されにくい傾向が表われるためである。
【００１４】電気めっきを行う装置も特に限定されるも
のではなく、通常の電気めっきを行う装置を使用し得
る。
のではなく、通常の電気めっきを行う装置を使用し得
る。
【００１５】前記条件による電気めっきにより形成され
たＣｏ−Ｃｕ合金は、連続膜であって、Ｃｏ及びＣｕの
微結晶の集合体である。
たＣｏ−Ｃｕ合金は、連続膜であって、Ｃｏ及びＣｕの
微結晶の集合体である。
【００１６】このように、所定のイオン濃度比（［Ｃｕ
2+］／［Ｃｏ2+］）及び電流密度で電気めっきを行うこ
とにより比較的容易にＧＭＲ効果を有する磁性膜が得ら
れるのは、Ｃｕマトリックス中にＣｏ微結晶が適度に分
散した組織が形成され、実質的に非磁性マトリックス中
に強磁性粒子が分散した膜が形成されるためと推定され
る。
2+］／［Ｃｏ2+］）及び電流密度で電気めっきを行うこ
とにより比較的容易にＧＭＲ効果を有する磁性膜が得ら
れるのは、Ｃｕマトリックス中にＣｏ微結晶が適度に分
散した組織が形成され、実質的に非磁性マトリックス中
に強磁性粒子が分散した膜が形成されるためと推定され
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の
製造方法の実施例を図面に基づいて説明する。図１は実
施例に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法に用いる電
析装置を模式的に示した概念図である。
製造方法の実施例を図面に基づいて説明する。図１は実
施例に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法に用いる電
析装置を模式的に示した概念図である。
【００１８】容量が約１リットルの角型の水槽１８中に
コバルトイオン源である硫酸コバルトと銅イオン源であ
る硫酸銅とを含有するめっき浴１１が張られており、こ
の水槽１８は磁気攪拌機兼ヒータ１７の上に載置されて
いる。また、この水槽１８の中には磁気撹拌子１６が入
れられており、磁気攪拌機兼ヒータ１７を作動させるこ
とにより水槽１８内のめっき浴１１の温度と撹拌状態を
制御することができるようになっている。
コバルトイオン源である硫酸コバルトと銅イオン源であ
る硫酸銅とを含有するめっき浴１１が張られており、こ
の水槽１８は磁気攪拌機兼ヒータ１７の上に載置されて
いる。また、この水槽１８の中には磁気撹拌子１６が入
れられており、磁気攪拌機兼ヒータ１７を作動させるこ
とにより水槽１８内のめっき浴１１の温度と撹拌状態を
制御することができるようになっている。
【００１９】一方、このめっき浴１１には陽極である白
金板１３と陰極で電析を行う際に基板となる銅製基板１
２とがお互いに平行になるような状態で浸漬されてお
り、白金板１３及び銅製基板１２はそれぞれ配線１５を
介して定電流電源１４に接続されている。
金板１３と陰極で電析を行う際に基板となる銅製基板１
２とがお互いに平行になるような状態で浸漬されてお
り、白金板１３及び銅製基板１２はそれぞれ配線１５を
介して定電流電源１４に接続されている。
【００２０】従って、磁気攪拌機兼ヒータ１７を用いて
めっき浴１１を所定の温度に加熱し、磁気撹拌子１６を
用いて所定の回転速度でめっき浴を撹拌した状態を保ち
ながら、定電流電源１４より一定の電流を流すことによ
り、銅製基板１２表面にＧＭＲ効果を有するＣｏ−Ｃｕ
合金磁性膜（図示せず）が形成されることになる。
めっき浴１１を所定の温度に加熱し、磁気撹拌子１６を
用いて所定の回転速度でめっき浴を撹拌した状態を保ち
ながら、定電流電源１４より一定の電流を流すことによ
り、銅製基板１２表面にＧＭＲ効果を有するＣｏ−Ｃｕ
合金磁性膜（図示せず）が形成されることになる。
【００２１】次に、この電析装置１０を用いたＣｏ−Ｃ
ｕ合金磁性膜の製造方法を具体的に説明する。
ｕ合金磁性膜の製造方法を具体的に説明する。
【００２２】まず、磁気攪拌機兼ヒータ１７上に載置し
た水槽１８に純水を１リットル入れ、この純水に硫酸コ
バルトと硫酸銅とを表１に示した濃度になるように添加
し、さらに支持電解質として硫酸ナトリウムを０．５ｍ
ｏｌ／リットルの濃度になるように添加してめっき浴を
調製した。
た水槽１８に純水を１リットル入れ、この純水に硫酸コ
バルトと硫酸銅とを表１に示した濃度になるように添加
し、さらに支持電解質として硫酸ナトリウムを０．５ｍ
ｏｌ／リットルの濃度になるように添加してめっき浴を
調製した。
【００２３】次に電析のための基板として、縦が１６０
ｍｍ、横が４０ｍｍ、及び厚さが０．４ｍｍの純銅から
なる銅製基板１２を用意し、Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜を形
成させる部分となる銅製基板１２下部の４０ｍｍ×４０
ｍｍの領域、及び通電用の端子取付け部分となる上部の
１０ｍｍ×４０ｍｍの領域を残してその他の部分を絶縁
テープで被覆し、これを陰極とした。また同じように作
製した純白金製の白金板１３を陽極とした。次に、銅製
基板１２及び白金板１３を、お互いが平行になるように
アクリル製の板１９に１ｃｍの間隔で固定し、つりさげ
型の平行対電極とした。
ｍｍ、横が４０ｍｍ、及び厚さが０．４ｍｍの純銅から
なる銅製基板１２を用意し、Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜を形
成させる部分となる銅製基板１２下部の４０ｍｍ×４０
ｍｍの領域、及び通電用の端子取付け部分となる上部の
１０ｍｍ×４０ｍｍの領域を残してその他の部分を絶縁
テープで被覆し、これを陰極とした。また同じように作
製した純白金製の白金板１３を陽極とした。次に、銅製
基板１２及び白金板１３を、お互いが平行になるように
アクリル製の板１９に１ｃｍの間隔で固定し、つりさげ
型の平行対電極とした。
【００２４】次に、めっき浴１１の中に磁気撹拌子１６
を入れ、毎分５００回転で撹拌しながら定電流電源１４
を用いて表１に記載した電流密度で定電流直流電解（電
気めっき）を行った。前記電気めっきの時間は総通電量
が５Ｃ／ｃｍ2 になるまでの時間とし、最終的な膜厚が
１．０μｍとなるようにした。このようにして銅製基板
１２上に形成されたＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜についての評
価を行った。
を入れ、毎分５００回転で撹拌しながら定電流電源１４
を用いて表１に記載した電流密度で定電流直流電解（電
気めっき）を行った。前記電気めっきの時間は総通電量
が５Ｃ／ｃｍ2 になるまでの時間とし、最終的な膜厚が
１．０μｍとなるようにした。このようにして銅製基板
１２上に形成されたＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜についての評
価を行った。
【００２５】また比較例として、ＧＭＲ効果を示す磁性
膜が得られない製造条件、すなわちイオン濃度比（［Ｃ
ｕ2+］／［Ｃｏ2+］）及び電流密度についても上記実施
例の場合と同様に電解（電気めっき）を行い、銅製基板
１２上に形成された膜についての評価を行った。
膜が得られない製造条件、すなわちイオン濃度比（［Ｃ
ｕ2+］／［Ｃｏ2+］）及び電流密度についても上記実施
例の場合と同様に電解（電気めっき）を行い、銅製基板
１２上に形成された膜についての評価を行った。
【００２６】前記実施例及び比較例につき、Ｃｏイオン
濃度、Ｃｕイオン濃度、イオン濃度比（［Ｃｕ2+］／
［Ｃｏ2+］）、電流密度、磁気抵抗比及びＧＭＲ効果に
ついての評価結果を下記の表１に示している。
濃度、Ｃｕイオン濃度、イオン濃度比（［Ｃｕ2+］／
［Ｃｏ2+］）、電流密度、磁気抵抗比及びＧＭＲ効果に
ついての評価結果を下記の表１に示している。
【００２７】なお、得られたＣｏ−Ｃｕ合金膜のＧＭＲ
効果については、前記実施例及び比較例の場合に得られ
た銅製基板１２を、所定の外部磁場を印加することがで
きる励磁コイルにセットし、所定の磁場を印加した後、
銅製基板１２上に形成されたＣｏ−Ｃｕ合金膜の抵抗率
を４端子法で測定した。
効果については、前記実施例及び比較例の場合に得られ
た銅製基板１２を、所定の外部磁場を印加することがで
きる励磁コイルにセットし、所定の磁場を印加した後、
銅製基板１２上に形成されたＣｏ−Ｃｕ合金膜の抵抗率
を４端子法で測定した。
【００２８】そして、外部磁場２ｋＯｅを印加したとき
の抵抗率Ｒと、外部磁場が０のときの抵抗率Ｒｏとから
数１式で示した磁気抵抗比を求め、この磁気抵抗比が２
％以上のものをＧＭＲ効果を示すＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜
が得られたものとして〇とし、他方Ｃｏ−Ｃｕ合金膜の
磁気抵抗比が２％未満のものをＧＭＲ効果を示すＣｏ−
Ｃｕ合金磁性膜が得られなかったものとして×とした。
の抵抗率Ｒと、外部磁場が０のときの抵抗率Ｒｏとから
数１式で示した磁気抵抗比を求め、この磁気抵抗比が２
％以上のものをＧＭＲ効果を示すＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜
が得られたものとして〇とし、他方Ｃｏ−Ｃｕ合金膜の
磁気抵抗比が２％未満のものをＧＭＲ効果を示すＣｏ−
Ｃｕ合金磁性膜が得られなかったものとして×とした。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】上記表１及び表２に示した結果より明らか
なように、めっき浴中のＣｏイオン濃度に対するＣｕイ
オン濃度の比（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０×１
０-4〜１．０×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 の条件で電析した実施例の場合（表１）では、ＧＭ
Ｒ効果を示すＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜が得られたのに対
し、前記条件の範囲をはずれた比較例の場合（表２）で
は、ＧＭＲ効果を示すＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜が得られな
かった。
なように、めっき浴中のＣｏイオン濃度に対するＣｕイ
オン濃度の比（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０×１
０-4〜１．０×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 の条件で電析した実施例の場合（表１）では、ＧＭ
Ｒ効果を示すＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜が得られたのに対
し、前記条件の範囲をはずれた比較例の場合（表２）で
は、ＧＭＲ効果を示すＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜が得られな
かった。
【００３２】以上のように本発明にあっては、前記のよ
うな条件で、Ｃｕイオン及びＣｏイオンを含有するめっ
き浴を使用してウエットプロセスである電析を行うの
で、簡便な方法により経済的にＧＭＲ効果を示すＣｏ−
Ｃｕ合金磁性膜を製造することができる。
うな条件で、Ｃｕイオン及びＣｏイオンを含有するめっ
き浴を使用してウエットプロセスである電析を行うの
で、簡便な方法により経済的にＧＭＲ効果を示すＣｏ−
Ｃｕ合金磁性膜を製造することができる。
【図１】本発明の実施例に係るＣｏ−Ｃｕ合金磁性膜の
製造方法に用いる電析装置を模式的に示した概念図であ
る。
製造方法に用いる電析装置を模式的に示した概念図であ
る。
１１ めっき浴 １２ 銅製基板
Claims (1)
- 【請求項１】 めっき浴中のＣｏイオン濃度に対するＣ
ｕイオン濃度の比（［Ｃｕ2+］／［Ｃｏ2+］）が１．０
×１０-4〜１．０×１０-1、電流密度が１〜１００ｍＡ
／ｃｍ2 の条件で電析することを特徴とするＣｏ−Ｃｕ
合金磁性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22881795A JPH0974041A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22881795A JPH0974041A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974041A true JPH0974041A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16882330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22881795A Pending JPH0974041A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | Ｃｏ−Ｃｕ合金磁性膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974041A (ja) |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP22881795A patent/JPH0974041A/ja active Pending
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