JPH0972714A - 焦点調整装置 - Google Patents

焦点調整装置

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JPH0972714A
JPH0972714A JP22650795A JP22650795A JPH0972714A JP H0972714 A JPH0972714 A JP H0972714A JP 22650795 A JP22650795 A JP 22650795A JP 22650795 A JP22650795 A JP 22650795A JP H0972714 A JPH0972714 A JP H0972714A
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JP
Japan
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focus
image
inclination
pattern
edge portion
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JP22650795A
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English (en)
Inventor
Kentaro Okuda
健太郎 奥田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 L/Sパターンなど特別な部品を要すること
なく、被読取物そのものを利用して容易にしかも精度よ
く撮像手段の焦点を合わせることができる焦点調整装置
を提供する。 【解決手段】 CCDセンサ4を走査の方向に沿ってか
つ同CCDセンサ4の各々の光電変換素子4a間の1/
Nの距離ずつ相対的に(N−1)回位置変化させ、その
移動ごとにフォトマスク3上のパターンのエッジ部の画
像を読取ってN枚分の画像を得、そのN枚分の画像を合
成し、その合成画像の濃度変化からパターンのエッジ部
の傾きを検出する。一方、CCDセンサ4の焦点の調整
を繰返し、その調整の実行ごとに上記読取り、合成、お
よび検出を行ない、調整の実行ごとに得られる検出結果
(傾き)を相互に比較することで、CCDセンサ4の合
焦点位置を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば半導体
製造用のフォトマスクの画像を光学的に読取る装置に用
いる焦点検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造用(フォトエッチング用)の
フォトマスクに正しくパターンが形成されているかどう
か検査する場合、フォトマスク上の画像を光学的に読取
り、その読取り画像からパターンの欠陥の有無を識別す
ることが行なわれる。
【0003】画像の読取りは、複数の光電変換素子を配
列してなる撮像手段、たとえばライン走査型の一次元の
CCD(電荷結合素子)センサを用いて行なわれる。と
くに、上記パターンの検査に当たっては鮮明な画像が要
求されることから、CCDセンサとフォトマスクとの間
に設けられている光学系の移動により、CCDセンサの
焦点が調整される。
【0004】CCDセンサの焦点を調整するための部品
としては、光学系およびその駆動系のほかに、図5に示
すライン・アンド・スペースのパターン(以下、L/S
パターンと称する)が用いられる。このL/Sパターン
は、白地に黒色の多数本のラインを等間隔で細かく配列
したもので、試料であるところのフォトマスクの所定箇
所にあらかじめ印刷され、CCDセンサによって各ライ
ンと直交する方向に読取り走査される。この読取りによ
り、図6および図7に示すように振幅変動する電圧波形
の信号がCCDセンサから出力される。電圧レベルの高
いところが白地に対応し、電圧レベルの低いところが黒
色ラインに対応する。
【0005】CCDセンサの焦点がずれている場合は、
図6に示すように電圧レベルの振幅があまり大きくない
信号が出力される。焦点が合うと、図7に示すように電
圧レベルの振幅が十分に大きい信号が出力される。ここ
で合焦したときの信号の電圧レベルの振幅値はあらかじ
め設定しておく。この出力信号の電圧レベルの振幅を監
視することでCCDセンサの焦点が最適なところに調整
され、その調整後に実際の画像読取が実行される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】L/Sパターンを用い
た焦点調整では、L/Sパターンを全ての試料に付けて
おく必要があり、手間と時間がかかるという不具合があ
る。しかも、焦点調整の精度を高めようとすると、L/
Sパターンの形状そのものについて高い精度のものを用
意しなければならず、コストの上昇を招いてしまう。
【0007】この発明は上記の事情を考慮したもので、
その目的とするところは、L/Sパターンなど特別な部
品を要することなく、被読取物そのものを利用して容易
にしかも精度よく撮像手段の焦点を合わせることができ
る焦点調整装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】第1の発明の焦点調整装
置は、複数の光電変換素子を配列してなる撮像手段を備
え、所定のパターンを有する被読取物上の画像を上記撮
像手段で光学的に走査して読取る装置において、上記撮
像手段を上記走査の方向に沿ってかつ同撮像手段におけ
る各々の光電変換素子間の光電検出単位長の1/N(N
は自然数)の距離ずつ相対的に(N−1)回位置変化さ
せ、その移動ごとに上記パターンのエッジ部の画像を読
取らせる読取手段と、この読取手段で読取られるN枚分
の画像を合成する合成手段と、この合成手段で合成され
る画像の濃度変化から上記パターンのエッジ部の傾きを
検出する検出手段と、上記撮像手段の焦点を理論上の合
焦点位置に調整した後、この位置の近傍を所定の移動単
位で調整を繰返し実行しながら、その実行ごとに上記読
取手段、上記合成手段、および上記検出手段を作動せし
める制御手段と、上記調整の実行ごとに得られる上記検
出手段の検出結果を相互に比較し、その比較結果のうち
上記エッジ部の傾きが最大となる位置を上記撮像手段の
合焦点位置と判定し、上記制御手段により、この合焦点
位置への上記撮像手段の焦点の調整を実行する判定・実
行手段と、を備える。
【0009】第2の発明の焦点調整装置は、第1の発明
において、制御手段による焦点位置の調整は、判定・実
行手段による合焦点位置の判定とともに繰り返して行わ
れ、この判定を経る毎に、調整量を減少させる。
【0010】第3の発明の焦点調整装置は、第1の発明
において、判定・実行手段による判定は、制御手段によ
る焦点位置の調整の際に検出したエッジ部の傾きが変化
しなくなった場合に打ち切り、この時点での焦点位置を
合焦点位置の決定位置として採用する。
【0011】第4の発明の焦点調整装置は、第1の発明
において、判定・実行手段による判定は、制御手段によ
る焦点位置の調整の際に検出したエッジ部の傾きが理論
的に求められたエッジ部の傾きと等しくなったときに、
この時点での焦点位置を合焦点の決定位置として採用す
る。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例につい
て図面を参照して説明する。図1において、1はX−Y
テーブルで、X−Y駆動部2の駆動により二次元方向の
移動が可能となっている。このX−Yテーブル1に、被
読取物であるところの試料3が載置される。試料3は、
たとえば半導体の製造に用いるフォトマスクであり、図
1には示していないが、フォトエッチングを行なうため
のパターンを有する。以下、試料のことをフォトマスク
と称する。
【0013】X−Yテーブル1(およびフォトマスク
2)の上方に、撮像手段として、複数の光電変換素子4
aを一列に配列してなるライン走査型の一次元のCCD
(電荷結合素子)センサ4が設けられる。このCCDセ
ンサ4にピエゾ素子5が連結される。ピエゾ素子5は、
CCDセンサ4をその走査方向に沿って微小移動させる
ためのものである。
【0014】X−Yテーブル1とCCDセンサ4との間
に、フォトマスク3からの光をCCDセンサ4に投影す
るための光学系6が設けられる。この光学系6は、光学
系駆動部7の作動により、フォトマスク3とCCDセン
サ4との間で図示太線矢印で示すように上下動する。こ
の上下動により、CCDセンサ4の焦点を調整すること
が可能となっている。
【0015】CCDセンサ4の出力は、画像メモリ11
に送られる。この画像メモリ11は、複数枚分の画像デ
ータに対応する記憶容量を有する。画像メモリ11内の
複数枚分の画像データはデータ合成部12に送られ、そ
こで合成される。この合成画像は傾き検出部13に送ら
れる。
【0016】傾き検出部13は、合成画像の濃度変化か
らフォトマスク3におけるパターンのエッジ部の傾きを
検出する。この検出結果は制御部14に送られる。制御
部14は、操作部15を付属して備え、上記X−Y駆動
部2、ピエゾ素子5、光学系駆動部7、画像メモリ1
1、データ合成部12、および傾き検出部13をそれぞ
れ制御する。
【0017】そして、制御部14は、主要な機能手段と
して次の[1]ないし[4]を有する。 [1]ピエゾ素子5の作動によりCCDセンサ4を走査
の方向に沿ってかつ同CCDセンサ4の光電変換素子4
aの大きさの1/Nの距離ずつ順次に動かし、その移動
ごとにフォトマスク3におけるパターンのエッジ部の画
像を読取らせる読取手段。
【0018】[2]この読出手段で読取られるN枚分の
画像を画像メモリ11に記憶させる記憶手段。 [3]光学系駆動部7の作動によりCCDセンサ4の焦
点の調整を繰返し実行しながら、その実行ごとに上記読
取手段、データ合成部12、および傾き検出部13を作
動せしめる制御手段。
【0019】[4]この制御手段による調整の実行ごと
に得られる傾き検出部13の検出結果を相互に比較し、
その比較結果のうちのエッジ部の傾きが最大となるCC
Dセンサ4の合焦点位置を判定し、この合焦点位置へ光
学系6の焦点を合わせることを制御手段にて実行する判
定・実行手段。
【0020】つぎに、上記の構成の作用を説明する。X
−Yテーブル1にフォトマスク3を載置し、操作部15
で読取り動作の開始を指示する。
【0021】読取り動作の開始が指示されると、光学系
6が駆動されてCCDセンサ4の焦点の位置が理論上求
められる合焦点の位置に調整される。そして、CCDセ
ンサ4が走査の方向に沿ってかつCCDセンサ4の光電
変換素子4aの大きさの1/Nの距離ずつ、順次に(N
−1)回微小移動される。この移動ごとに、フォトマス
ク3上のパターンのエッジ部の画像が読取られ、N枚分
の画像が画像メモリ11に記憶される。
【0022】すなわち、図2に示すように、CCDセン
サ4が先ず第1センサ位置にセットされ、その状態でパ
ターンのエッジ部の画像が読取られる。エッジ部が低い
ところでは高濃度の画像データが得られ、エッジ部が高
いほど濃度の低い画像データとなる。この後、すぐにC
CDセンサ4がたとえば光電変換素子4aの大きさの1
/2の距離だけ微小移動され、第2センサ位置にセット
される。この状態でパターンのエッジ部の画像が再び読
取られる。
【0023】この場合、CCDセンサ4の微小移動が光
電変換素子4aの大きさの1/2の距離であることによ
り、互いに1/2画素分ずれた形の2枚分の画像データ
が得られ、それが画像メモリ11に記憶される。
【0024】なお、CCDセンサ4の微小移動を光電変
換素子4aの大きさの1/3の距離とすれば、互いに1
/3画素分ずれた形の3枚分の画像データが得られる。
1/4の距離とすれば、互いに1/4画素分ずれた形の
4枚分の画像データが得られることになる。
【0025】画像メモリ11に記憶された2枚分の画像
は、データ合成部12に送られてそこで合成される。こ
の合成により、CCDセンサ4を動かさないときの通常
の画素数の2倍に相当する、高分解能の画像データが得
られる。
【0026】合成画像データは傾き検出部13に送られ
る。ここでは、合成画像の濃度変化からフォトマスク3
におけるパターンのエッジ部の傾きが検出される。エッ
ジ部の傾きの違いを図3と図4に示しており、傾きが小
さければ合成画像の濃度変化が密になり、傾きが大きけ
れば合成画像の濃度変化は粗になる。この濃度変化から
エッジ部の傾きを検出するようにしている。
【0027】検出結果(傾き)は、制御部14の内部メ
モリに記憶される。この後、光学系6が再び駆動されて
CCDセンサ4への焦点が理論上の合焦点位置近傍を所
定の移動単位(数μm)で微調整され、上記の読取り、
合成、および検出が繰返される。
【0028】こうして、光学系6の焦点位置の調整が何
回か繰返し実行され、その実行ごとに得られる複数の検
出結果(傾き)が相互に比較される。この比較により、
もっとも大きい傾きを持つような光学系6の焦点位置の
調整位置が捜し出される。
【0029】もっとも大きい傾きを持つ光学系6の焦点
位置の調整位置が、すなわちCCDセンサ4の合焦点位
置として判定される。そして、この判定された合焦点位
置に光学系6が再セットされ、実際の画像読取が行なわ
れる。そして、このときこのフォトマスク3の固体を測
定している間は、求めた、この合焦点位置を記憶してお
く。
【0030】また、光学系6の焦点位置の調整の過程に
おいては、判定・実行手段による判定前の調整量よりも
判定後の微調整量を少ないものとして、この判定の度に
調整量を少なくしていくことによって、最適な合焦点位
置に収束させることができる。
【0031】加えて、判定・実行手段による判定は、制
御手段による光学系6の焦点位置の調整の際に検出した
フォトマスク3上のパターンのエッジ部の傾きが変化し
なくなった場合で打ち切っても差し支えない。なぜなら
ば、光学系6による光の絞り込まれたところには、ビー
ムウェストが存在し、この範囲においては、フォトマス
ク3上のパターンのエッジ部の傾きが一定となるからで
ある。判定と調整を繰り返していき、このエッジ部の傾
きが最大値を保ったところが、真の合焦点位置と考えら
れる。
【0032】さらに、フォトマスク3上のパターンをエ
ッチング等により作成するときのパターンのエッジ部の
理論上の傾きの大きさを求めておき、この大きさと実際
の測定値とを比較し、ほぼ傾きが等しくなったときに、
判定を打ち切るとしてもよい。この場合にも合焦点位置
を決定することができると考えられるからである。
【0033】このように、被読取物であるフォトマスク
3そのものを利用して容易にしかも精度よくCCDセン
サ4の焦点を合わせることができ、従来のようなL/S
パターンが不要となる。
【0034】L/Sパターンは試料にあらかじめ付けて
おかねばならず、手間と時間がかかっていたが、そのよ
うな手間と時間が解消されることになる。また、L/S
パターンを用いる場合、焦点調整の精度を高めようとす
ると、L/Sパターンの形状そのものについて高い精度
のものを用意しなければならず、コストの上昇を招いて
しまうという問題があったが、そのような問題も解消さ
れることになる。
【0035】なお、上記実例では、CCDセンサ4の微
小移動の距離を光電変換素子4aの大きさの1/2の距
離としたが、その距離に限定はなく、要求される分解能
に応じて適宜に設定可能である。すなわち、CCDセン
サ4の光電検出単位長の1/Nだけ動かせばよい。ここ
で、光電検出単位長とは、モノクロCCDにおいては隣
接する画像形成装置の間隔をいい、カラーCCDにおい
ては赤と赤、青と青、黄と黄のように同一色のサンプリ
ングを行う隣接する画素間隔をいうものである。
【0036】また、CCDセンサ4と被読取物とは相対
的に移動できればよいので、被読取物を載置したX−Y
テーブルを動かしてもよいし、また、光学的な位置の変
更は被読取物とCCDセンサとの間に透明な平行平板を
挿入し、傾きを変えることで光学像を移動させることに
よっても達成される。
【0037】CCDセンサ4を微小移動させる手段とし
てピエゾ素子5を用いたが、同様の機能を有するもので
あれば、他の機器を用いてもよい。更に、ここまでの説
明においては、CCDセンサ4はライン状の一次元であ
ったが、もちろん2次元の配列を持っていてもよい。こ
の場合には、X,Y方向双方に位置を変更することで、
更に精密な焦点合せが可能となる。
【0038】被読取物としてフォトマスクを例に説明し
たが、他の被読取物に対しても同様の焦点調整が可能な
ことはもちろんである。その他、この発明は上記実例に
限定されるものではなく、要旨を変えない範囲で種々変
形実施可能である。
【0039】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、撮
像手段を走査の方向に沿ってかつ同撮像手段における各
々の光電変換素子間の光電検出単位長の1/N(Nは自
然数)の距離ずつ相対的に(N−1)回位置変化させ、
その移動ごとに被読取物上のパターンのエッジ部の画像
を読取ってN枚分の画像を得、そのN枚分の画像を合成
し、その合成画像の濃度変化からパターンのエッジ部の
傾きを検出するとともに、撮像手段の焦点を理論上の合
焦点位置に調整した後、この位置の近傍を所定の移動単
位で調整を繰返し実行しながら、その実行ごとに上記読
取り、合成、および検出を行ない、調整の実行ごとに得
られる検出結果を相互に比較し、その比較結果のうちエ
ッジ部の傾きが最大となる位置を撮像手段の合焦点位置
を判定し、この合焦点位置へ撮像手段の焦点を調整する
構成としたので、L/Sパターンなど特別な部品を要す
ることなく、被読取物そのものを利用して容易にしかも
精度よく撮像手段の焦点を合わせることができる焦点調
整装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の構成を示す図。
【図2】同実施例におけるCCDセンサの移動位置とそ
れによって得られる画像データとの対応、および合成画
像データを示す図。
【図3】同実施例におけるフォトマスクのパターンの傾
きが小さいときの濃度変化を示す図。
【図4】同実施例におけるフォトマスクのパターンの傾
きが大きいときの濃度変化を示す図。
【図5】従来のL/Sパターンを示す図。
【図6】焦点がずれた状態で図5のL/Sパターンを読
取ったときのCCDセンサの出力を示す図。
【図7】焦点が合った状態で図5のL/Sパターンを読
取ったときのCCDセンサの出力を示す図。
【符号の説明】
1…X−Yテーブル、2…X−Y駆動部、3…被読取物
(フォトマスク)、4…CCDセンサ、5…ピエゾ素
子、6…光学系、7…光学系駆動部、11…画像メモ
リ、12…データ合成部、13…傾き検出部、14…制
御部、15…操作部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の光電変換素子を配列してなる撮像
    手段を備え、所定のパターンを有する被読取物上の画像
    を前記撮像手段で光学的に走査して読取る装置におい
    て、 前記撮像手段を前記走査の方向に沿ってかつ同撮像手段
    における各々の光電変換素子間の光電検出単位長の1/
    N(Nは自然数)の距離ずつ相対的に(N−1)回位置
    変化させ、その移動ごとに前記パターンのエッジ部の画
    像を読取らせる読取手段と、 この読取手段で読取られるN枚分の画像を合成する合成
    手段と、 この合成手段で合成される画像の濃度変化から前記パタ
    ーンのエッジ部の傾きを検出する検出手段と、 前記撮像手段の焦点を理論上の合焦点位置に調整した
    後、この位置の近傍を所定の移動単位で調整を繰返し実
    行しながら、その実行ごとに前記読取手段、前記合成手
    段、および前記検出手段を作動せしめる制御手段と、 前記調整の実行ごとに得られる前記検出手段の検出結果
    を相互に比較し、その比較結果のうち前記エッジ部の傾
    きが最大となる位置を前記撮像手段の合焦点位置と判定
    し、前記制御手段により、この合焦点位置への前記撮像
    手段の焦点の調整を実行する判定・実行手段と、 を具備したことを特徴とする焦点調整装置。
  2. 【請求項2】 制御手段による焦点位置の調整は、判定
    ・実行手段による合焦点位置の判定とともに繰り返して
    行われ、この判定を経る毎に、調整量を減少させること
    を特徴とする請求項1に記載の焦点調整装置。
  3. 【請求項3】 判定・実行手段による判定は、制御手段
    による焦点位置の調整の際に検出したエッジ部の傾きが
    変化しなくなった場合に打ち切り、この時点での焦点位
    置を合焦点位置の決定位置として採用することを特徴と
    する請求項1に記載の焦点調整装置。
  4. 【請求項4】 判定・実行手段による判定は、制御手段
    による焦点位置の調整の際に検出したエッジ部の傾きが
    理論的に求められたエッジ部の傾きと等しくなったとき
    に、この時点での焦点位置を合焦点の決定位置として採
    用することを特徴とする請求項1に記載の焦点調整装
    置。
JP22650795A 1995-09-04 1995-09-04 焦点調整装置 Pending JPH0972714A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017154895A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 浜松ホトニクス株式会社 測定装置、観察装置および測定方法

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