JPH0969669A - 半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法Info
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- JPH0969669A JPH0969669A JP22508495A JP22508495A JPH0969669A JP H0969669 A JPH0969669 A JP H0969669A JP 22508495 A JP22508495 A JP 22508495A JP 22508495 A JP22508495 A JP 22508495A JP H0969669 A JPH0969669 A JP H0969669A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発振波長の変化幅が大きく、かつ発振波長の
スイッチング速度が早い新規な構造の半導体レーザ素
子、さらにその素子の発振波長のスイッチング方法を提
供すること。 【解決手段】 第１クラッド層１２上に活性層１４およ
び受動導波路層１６が隣接して設けられている。また、
活性層１４および受動導波路層１６上に、第２クラッド
層１８が設けられている。また、第１クラッド１２層の
下側には下側電極２０が設けられ、第２クラッド層１８
の上側には上側電極２２が設けられている。半導体レー
ザ素子１０は、活性領域１００内の、受動領域２００と
接する側の領域に発振波長を切り換える波長スイッチン
グ領域１００ａを具えている。波長スイッチング領域１
００ａには、光導波方向にブラック波長λ1 が、例えば
１．５５μｍである第１の回折格子２４が設けられ、受
動領域２００には光導波方向にブラック波長λ2 が、例
えば１．５７μｍである第２の回折格子２６が設けられ
ている。
スイッチング速度が早い新規な構造の半導体レーザ素
子、さらにその素子の発振波長のスイッチング方法を提
供すること。 【解決手段】 第１クラッド層１２上に活性層１４およ
び受動導波路層１６が隣接して設けられている。また、
活性層１４および受動導波路層１６上に、第２クラッド
層１８が設けられている。また、第１クラッド１２層の
下側には下側電極２０が設けられ、第２クラッド層１８
の上側には上側電極２２が設けられている。半導体レー
ザ素子１０は、活性領域１００内の、受動領域２００と
接する側の領域に発振波長を切り換える波長スイッチン
グ領域１００ａを具えている。波長スイッチング領域１
００ａには、光導波方向にブラック波長λ1 が、例えば
１．５５μｍである第１の回折格子２４が設けられ、受
動領域２００には光導波方向にブラック波長λ2 が、例
えば１．５７μｍである第２の回折格子２６が設けられ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ素
子、特に２つの発振波長のスイッチングが可能な半導体
レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法に関
する。
子、特に２つの発振波長のスイッチングが可能な半導体
レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザ素子とし
て、文献１：「S.Murata et al., "Over720GHz (5.8nm)
Frequency Tuning by a 1.5 μm DBR Laser with Phas
e and Bragg Wavelength Control Regions", Electroni
cs Letters, vol.23, no.8, 403(1987) 」、および文献
２：「T.Kameda et al., "A DBR Laser Employing Pass
ive-Section Heaters, vol.5, no.6, 608(1993) 」に開
示されるものがある。文献１に開示の半導体レーザ素子
では、受動導波路層への電流注入量を制御することによ
り、また文献２に開示の半導体レーザ素子では、受動導
波路層の温度を制御することにより、レーザ光の発振波
長を変化させている。これは、受動導波路層への電流注
入量や受動導波路層の温度が変化すると、受動導波路層
を含む側の領域（以下、この領域を受動領域と称する場
合がある。）の屈折率が変化し、その結果、受動領域に
設けられている回折格子のブラック波長が変化するため
である。
て、文献１：「S.Murata et al., "Over720GHz (5.8nm)
Frequency Tuning by a 1.5 μm DBR Laser with Phas
e and Bragg Wavelength Control Regions", Electroni
cs Letters, vol.23, no.8, 403(1987) 」、および文献
２：「T.Kameda et al., "A DBR Laser Employing Pass
ive-Section Heaters, vol.5, no.6, 608(1993) 」に開
示されるものがある。文献１に開示の半導体レーザ素子
では、受動導波路層への電流注入量を制御することによ
り、また文献２に開示の半導体レーザ素子では、受動導
波路層の温度を制御することにより、レーザ光の発振波
長を変化させている。これは、受動導波路層への電流注
入量や受動導波路層の温度が変化すると、受動導波路層
を含む側の領域（以下、この領域を受動領域と称する場
合がある。）の屈折率が変化し、その結果、受動領域に
設けられている回折格子のブラック波長が変化するため
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、文献１
の半導体レーザ素子では、発振波長の変化幅は約７ｎｍ
であり十分な波長変化幅が得られなかった。これは、受
動導波路層へ電流を注入することによる受動領域の屈折
率変化が制限されるためである。また、波長スイッチン
グスピードは数ｎｓｅｃより遅く、十分な波長スイッチ
ング速度が得られなかった。
の半導体レーザ素子では、発振波長の変化幅は約７ｎｍ
であり十分な波長変化幅が得られなかった。これは、受
動導波路層へ電流を注入することによる受動領域の屈折
率変化が制限されるためである。また、波長スイッチン
グスピードは数ｎｓｅｃより遅く、十分な波長スイッチ
ング速度が得られなかった。
【０００４】これに対し、文献２の半導体レーザ素子で
は、発振波長の変化幅は１０ｎｍ以上であり十分大きい
ものの、波長スイッチング速度は数ｍｓｅｃ以下とさら
に遅く、実用上問題があった。
は、発振波長の変化幅は１０ｎｍ以上であり十分大きい
ものの、波長スイッチング速度は数ｍｓｅｃ以下とさら
に遅く、実用上問題があった。
【０００５】従って、発振波長の変化幅が大きく、かつ
発振波長のスイッチング速度が早い新規な構造の半導体
レーザ素子の出現、さらにその素子の発振波長のスイッ
チング方法の出現が望まれていた。
発振波長のスイッチング速度が早い新規な構造の半導体
レーザ素子の出現、さらにその素子の発振波長のスイッ
チング方法の出現が望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体レーザ素子によれば、第１クラッド層と、第１クラ
ッド層上にそれぞれ設けられ光が導波する方向に互いに
隣接した活性層および受動導波路層と、これら活性層お
よび受動導波路層上に設けられた第２クラッド層と、第
１クラッド層の下側に設けられた下側電極と、第２クラ
ッド層の上側に設けられた上側電極とを具えており、当
該半導体レーザ素子の領域であって活性層を含む側の領
域を活性領域とし、および受動導波路層を含む側の領域
を受動領域としたとき、活性領域の、受動領域と接する
側の領域に発振波長を切り換える波長スイッチング領域
を具えることを特徴とする。
導体レーザ素子によれば、第１クラッド層と、第１クラ
ッド層上にそれぞれ設けられ光が導波する方向に互いに
隣接した活性層および受動導波路層と、これら活性層お
よび受動導波路層上に設けられた第２クラッド層と、第
１クラッド層の下側に設けられた下側電極と、第２クラ
ッド層の上側に設けられた上側電極とを具えており、当
該半導体レーザ素子の領域であって活性層を含む側の領
域を活性領域とし、および受動導波路層を含む側の領域
を受動領域としたとき、活性領域の、受動領域と接する
側の領域に発振波長を切り換える波長スイッチング領域
を具えることを特徴とする。
【０００７】このような半導体レーザ素子の一つとし
て、波長スイッチング領域には光が導波する方向に、ブ
ラック波長がλ1 である第１の回折格子が設けられ、受
動領域には光が導波する方向に、ブラック波長がλ1 と
異なるλ2 である第２の回折格子が設けられていること
を特徴とするものがある。
て、波長スイッチング領域には光が導波する方向に、ブ
ラック波長がλ1 である第１の回折格子が設けられ、受
動領域には光が導波する方向に、ブラック波長がλ1 と
異なるλ2 である第２の回折格子が設けられていること
を特徴とするものがある。
【０００８】その際、波長スイッチング領域の活性層の
部分に電流を注入したとき、しきい値利得が波長λ1 の
光より波長λ2 の光で小さくなるように、活性層のバン
ドギャップ波長は、受動導波路層のバンドギャップ波長
より大きく、かつ第１の回折格子の光が導波する方向に
おける長さをＬ1 とし、第２の回折格子の光が導波する
方向における長さをＬ2 とし、第１の回折格子の結合定
数をＫ1 とし、第２の回折格子の結合定数をＫ2 とした
とき、Ｋ1 Ｌ1 ＜Ｋ2 Ｌ2 であるのが良い。
部分に電流を注入したとき、しきい値利得が波長λ1 の
光より波長λ2 の光で小さくなるように、活性層のバン
ドギャップ波長は、受動導波路層のバンドギャップ波長
より大きく、かつ第１の回折格子の光が導波する方向に
おける長さをＬ1 とし、第２の回折格子の光が導波する
方向における長さをＬ2 とし、第１の回折格子の結合定
数をＫ1 とし、第２の回折格子の結合定数をＫ2 とした
とき、Ｋ1 Ｌ1 ＜Ｋ2 Ｌ2 であるのが良い。
【０００９】また、波長λ1 は波長λ2 より大きい方が
良い。
良い。
【００１０】この発明の半導体レーザ素子の発振波長ス
イッチング方法によれば、活性領域であって波長スイッ
チング領域以外の領域の活性層の部分に電流を注入する
ことによりレーザ発振している半導体レーザ素子に対し
て、波長スイッチング領域の活性層の部分への電流注入
量を制御することにより発振波長を選択することを特徴
とする。
イッチング方法によれば、活性領域であって波長スイッ
チング領域以外の領域の活性層の部分に電流を注入する
ことによりレーザ発振している半導体レーザ素子に対し
て、波長スイッチング領域の活性層の部分への電流注入
量を制御することにより発振波長を選択することを特徴
とする。
【００１１】すなわち、半導体レーザ素子は、活性層で
発光した光のうち、第１の回折格子または第２の回折格
子のブラック波長λ1 、λ2 と同じ波長の光でレーザ発
振する。その際、発振波長の選択は波長スイッチング領
域の活性層の部分への電流注入量を制御することにより
行う。電流を注入しないときは、波長スイッチング領域
の活性層の部分のロスが大きく、活性層で発光した光が
受動領域まで到達しないため、波長λ1 の光でレーザ発
振する。電流注入量が大きくなると、波長スイッチング
領域の活性層の部分のロスが徐々に減少し、活性層で発
光した光が受動領域まで達する。その結果、活性層で発
光した光は第１および第２の回折格子によって反射を受
ける。この場合、波長λ2 の光の第２の回折格子での反
射率は、波長λ1 の光の第１の回折格子での反射率より
十分大きい。従って、しきい値利得は、波長λ2 の光の
方が小さくなり、その波長の光でレーザ発振し始める。
さらに、その後、電流注入量を小さくしていくと、波長
λ1 の光でレーザ発振する。
発光した光のうち、第１の回折格子または第２の回折格
子のブラック波長λ1 、λ2 と同じ波長の光でレーザ発
振する。その際、発振波長の選択は波長スイッチング領
域の活性層の部分への電流注入量を制御することにより
行う。電流を注入しないときは、波長スイッチング領域
の活性層の部分のロスが大きく、活性層で発光した光が
受動領域まで到達しないため、波長λ1 の光でレーザ発
振する。電流注入量が大きくなると、波長スイッチング
領域の活性層の部分のロスが徐々に減少し、活性層で発
光した光が受動領域まで達する。その結果、活性層で発
光した光は第１および第２の回折格子によって反射を受
ける。この場合、波長λ2 の光の第２の回折格子での反
射率は、波長λ1 の光の第１の回折格子での反射率より
十分大きい。従って、しきい値利得は、波長λ2 の光の
方が小さくなり、その波長の光でレーザ発振し始める。
さらに、その後、電流注入量を小さくしていくと、波長
λ1 の光でレーザ発振する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を説明する。これらの図面において、各構
成成分は、この発明が理解出来る程度に各構成成分の形
状、大きさ、および配置関係を概略的に示してあるにす
ぎない。また、説明に用いる各図において、同様な構成
成分については同一の番号を付して示してある。また、
以下の説明で述べる、使用材料、形成方法および膜厚等
の数値的条件はこの発明の実施の形態の好適例にすぎな
い。従って、この発明がこれらの条件にのみ限定される
ものではないことは理解されたい。
の実施の形態を説明する。これらの図面において、各構
成成分は、この発明が理解出来る程度に各構成成分の形
状、大きさ、および配置関係を概略的に示してあるにす
ぎない。また、説明に用いる各図において、同様な構成
成分については同一の番号を付して示してある。また、
以下の説明で述べる、使用材料、形成方法および膜厚等
の数値的条件はこの発明の実施の形態の好適例にすぎな
い。従って、この発明がこれらの条件にのみ限定される
ものではないことは理解されたい。
【００１３】先ず、実施の形態の半導体レーザ素子の構
成について説明する。図１は、この実施の形態の半導体
レーザ素子の、光が導波する方向（以下、光導波方向と
称する場合がある。）に沿って切って取った断面図であ
る。
成について説明する。図１は、この実施の形態の半導体
レーザ素子の、光が導波する方向（以下、光導波方向と
称する場合がある。）に沿って切って取った断面図であ
る。
【００１４】図１に示す様に、この実施の形態の半導体
レーザ素子１０では、基板である第１クラッド層１２上
に活性層１４および受動導波路層１６が隣接して設けら
れている。この場合、活性層１４および受動導波路層１
６が隣接する方向が光導波方向である。この実施の形態
では、第１クラッド層１２はｎ−ＩｎＰ層からなり、活
性層１４はバンドギャップ波長（ホトルミネッセンスピ
ーク波長ともいう。）が１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ
層からなり、受動導波路層１６はバンドギャップ波長が
１．２０μｍのＩｎＧａＡｓＰ層からなる。第１のクラ
ッド層１２の厚さは、例えば１００μｍであり、活性層
１４および受動導波路層１６の厚さは例えば０．１５μ
ｍ〜０．２５μｍである。なお、バンドギャップ波長は
ＩｎＧａＡｓＰ層を構成する各元素の比率を変えること
により変化する。
レーザ素子１０では、基板である第１クラッド層１２上
に活性層１４および受動導波路層１６が隣接して設けら
れている。この場合、活性層１４および受動導波路層１
６が隣接する方向が光導波方向である。この実施の形態
では、第１クラッド層１２はｎ−ＩｎＰ層からなり、活
性層１４はバンドギャップ波長（ホトルミネッセンスピ
ーク波長ともいう。）が１．５５μｍのＩｎＧａＡｓＰ
層からなり、受動導波路層１６はバンドギャップ波長が
１．２０μｍのＩｎＧａＡｓＰ層からなる。第１のクラ
ッド層１２の厚さは、例えば１００μｍであり、活性層
１４および受動導波路層１６の厚さは例えば０．１５μ
ｍ〜０．２５μｍである。なお、バンドギャップ波長は
ＩｎＧａＡｓＰ層を構成する各元素の比率を変えること
により変化する。
【００１５】また、活性層１４および受動導波路層１６
（以下、これら二つの層をまとめて導波路層と称する場
合がある。）上に、第２クラッド層１８が設けられてい
る。この実施の形態では、第２クラッド層１８はｐ−Ｉ
ｎＰ層からなる。第２のクラッド層１８の厚さは、例え
ば２．０μｍである。
（以下、これら二つの層をまとめて導波路層と称する場
合がある。）上に、第２クラッド層１８が設けられてい
る。この実施の形態では、第２クラッド層１８はｐ−Ｉ
ｎＰ層からなる。第２のクラッド層１８の厚さは、例え
ば２．０μｍである。
【００１６】また、第１クラッド層１２の下側には下側
電極２０が設けられ、第２クラッド層１８の上側には上
側電極２２が設けられている。この実施の形態では、上
側電極２２は第１から第３の上側電極２２ａ〜２２ｃか
ら構成され、第２クラッド層１８と第１から第３の上側
電極２２ａ〜２２ｃとの間には、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
からなるキャップ層２３が設けられている。第１から第
３の上側電極２２ａ〜２２ｃの配置の詳細については後
述する。
電極２０が設けられ、第２クラッド層１８の上側には上
側電極２２が設けられている。この実施の形態では、上
側電極２２は第１から第３の上側電極２２ａ〜２２ｃか
ら構成され、第２クラッド層１８と第１から第３の上側
電極２２ａ〜２２ｃとの間には、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
からなるキャップ層２３が設けられている。第１から第
３の上側電極２２ａ〜２２ｃの配置の詳細については後
述する。
【００１７】なお、半導体レーザ素子１０には、第１ク
ラッド層１２、活性層１４、受動導波路層１６、および
第２クラッド層１８の両側（図１中、紙面の手前側およ
び奥側）に電流ブロック層（図示せず）が設けられてい
る。
ラッド層１２、活性層１４、受動導波路層１６、および
第２クラッド層１８の両側（図１中、紙面の手前側およ
び奥側）に電流ブロック層（図示せず）が設けられてい
る。
【００１８】ここで、半導体レーザ素子１０の領域であ
って活性層１４を含む側の領域を活性領域１００とし、
受動導波路１６を含む側の領域を受動領域２００とす
る。このとき、半導体レーザ素子１０は、活性領域１０
０内の、受動領域２００と接する側の領域に発振波長を
切り換える波長スイッチング領域１００ａを具えてい
る。
って活性層１４を含む側の領域を活性領域１００とし、
受動導波路１６を含む側の領域を受動領域２００とす
る。このとき、半導体レーザ素子１０は、活性領域１０
０内の、受動領域２００と接する側の領域に発振波長を
切り換える波長スイッチング領域１００ａを具えてい
る。
【００１９】また、波長スイッチング領域１００ａに
は、光導波方向にブラック波長λ1 が、例えば１．５５
μｍである第１の回折格子（グレーティングともい
う。）２４が設けられ、受動領域２００には光導波方向
にブラック波長λ2 が、例えば１．５７μｍである第２
の回折格子２６が設けられている。これら第１および第
２の回折格子２４、２６は、後述する半導体レーザ素子
の製造方法で示すように、第１クラッド層１２の表面
の、波長スイッチング領域１００ａおよび受動領域２０
０に対応する領域に形成される。第２の回折格子２６の
ブラック波長λ2 は、第１の回折格子２４のブラック波
長λ1 より大きい方が良いが、その詳細については後述
する半導体レーザ素子の発振波長のスイッチング方法に
おいて説明する。
は、光導波方向にブラック波長λ1 が、例えば１．５５
μｍである第１の回折格子（グレーティングともい
う。）２４が設けられ、受動領域２００には光導波方向
にブラック波長λ2 が、例えば１．５７μｍである第２
の回折格子２６が設けられている。これら第１および第
２の回折格子２４、２６は、後述する半導体レーザ素子
の製造方法で示すように、第１クラッド層１２の表面
の、波長スイッチング領域１００ａおよび受動領域２０
０に対応する領域に形成される。第２の回折格子２６の
ブラック波長λ2 は、第１の回折格子２４のブラック波
長λ1 より大きい方が良いが、その詳細については後述
する半導体レーザ素子の発振波長のスイッチング方法に
おいて説明する。
【００２０】また、第１の回折格子２４の光導波方向に
おける長さ、すなわち波長スイッチング領域１００ａの
長さをＬ1 とし、第２の回折格子２６の光導波方向にお
ける長さ、すなわち受動領域２００の長さをＬ2 とし、
第１の回折格子２４の結合定数をＫ1 とし、第２の回折
格子２６の結合定数をＫ2 とすると、Ｋ1 Ｌ1 ＜Ｋ2Ｌ2
となるように第１の回折格子２４および第２の回折格
子２６が形成されている。例えば、この実施の形態で
は、Ｌ1 は５０μｍ、Ｌ2 は５００μｍ、Ｋ1 およびＫ
2 は５０ｃｍ-1である。
おける長さ、すなわち波長スイッチング領域１００ａの
長さをＬ1 とし、第２の回折格子２６の光導波方向にお
ける長さ、すなわち受動領域２００の長さをＬ2 とし、
第１の回折格子２４の結合定数をＫ1 とし、第２の回折
格子２６の結合定数をＫ2 とすると、Ｋ1 Ｌ1 ＜Ｋ2Ｌ2
となるように第１の回折格子２４および第２の回折格
子２６が形成されている。例えば、この実施の形態で
は、Ｌ1 は５０μｍ、Ｌ2 は５００μｍ、Ｋ1 およびＫ
2 は５０ｃｍ-1である。
【００２１】また、第１の上側電極２２ａは、波長スイ
ッチング領域１００ａの第２クラッド層１８の部分の上
側に活性層１４と対向して設けられており、第２の上側
電極２２ｂは、活性領域１００内の波長スイッチング領
域１００ａ以外の領域（非波長スイッチング領域と称す
る場合がある。）１００ｂの第２クラッド層１８の部分
の上側に、活性層１４と対向して設けられており、第３
の上側電極２２ｃは受動領域２００の第２クラッド層１
８の部分の上側に受動導波路層１６と対向して設けられ
ている。第３の上側電極２２ｃは必ずしも必要ではな
い。
ッチング領域１００ａの第２クラッド層１８の部分の上
側に活性層１４と対向して設けられており、第２の上側
電極２２ｂは、活性領域１００内の波長スイッチング領
域１００ａ以外の領域（非波長スイッチング領域と称す
る場合がある。）１００ｂの第２クラッド層１８の部分
の上側に、活性層１４と対向して設けられており、第３
の上側電極２２ｃは受動領域２００の第２クラッド層１
８の部分の上側に受動導波路層１６と対向して設けられ
ている。第３の上側電極２２ｃは必ずしも必要ではな
い。
【００２２】次に、この実施の形態の半導体レーザ素子
の製造方法について説明する。図２（Ａ）〜（Ｃ）、お
よび図３（Ａ）〜（Ｃ）は半導体レーザ素子の製造工程
を、光導波方向に沿って切って取った断面で示した概略
図である。
の製造方法について説明する。図２（Ａ）〜（Ｃ）、お
よび図３（Ａ）〜（Ｃ）は半導体レーザ素子の製造工程
を、光導波方向に沿って切って取った断面で示した概略
図である。
【００２３】先ず、基板であるｎ−ＩｎＰ層の表面の、
波長スイッチング領域１００ａおよび受動領域２００に
対応する領域に第１および第２の回折格子２４、２６を
形成する（図２（Ａ））。第１および第２の回折格子２
４、２６を形成した後のｎ−ＩｎＰ層が第１クラッド層
１２である。
波長スイッチング領域１００ａおよび受動領域２００に
対応する領域に第１および第２の回折格子２４、２６を
形成する（図２（Ａ））。第１および第２の回折格子２
４、２６を形成した後のｎ−ＩｎＰ層が第１クラッド層
１２である。
【００２４】その後、第１クラッド層１２の全表面を覆
う、バンドギャップ波長が１．５５μｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１４ａを形成し、さらにＩｎＧａＡｓＰ層１４ａ上
にｐ−ＩｎＰ層１８ａを形成する（図２（Ｂ））。Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層１４ａおよびｐ−ＩｎＰ層１８ａの形成に
は公知の結晶成長方法を用いる。
う、バンドギャップ波長が１．５５μｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１４ａを形成し、さらにＩｎＧａＡｓＰ層１４ａ上
にｐ−ＩｎＰ層１８ａを形成する（図２（Ｂ））。Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層１４ａおよびｐ−ＩｎＰ層１８ａの形成に
は公知の結晶成長方法を用いる。
【００２５】その後、ＳｉＯ2 膜２８をエッチングマス
クとして、活性領域に対応する部分を残し、ＩｎＧａＡ
ｓＰ層１４ａおよびｐ−ＩｎＰ層１８ａをエッチングす
る（図２（Ｃ））。残存したＩｎＧａＡｓＰ層が活性層
１４である。また、残存したｐ−ＩｎＰ層１８ａｘは後
工程で形成されるｐ−ＩｎＰ層１８ｂ、１８ｃと共に最
終的に第２クラッド層１８を形成する。
クとして、活性領域に対応する部分を残し、ＩｎＧａＡ
ｓＰ層１４ａおよびｐ−ＩｎＰ層１８ａをエッチングす
る（図２（Ｃ））。残存したＩｎＧａＡｓＰ層が活性層
１４である。また、残存したｐ−ＩｎＰ層１８ａｘは後
工程で形成されるｐ−ＩｎＰ層１８ｂ、１８ｃと共に最
終的に第２クラッド層１８を形成する。
【００２６】その後、ＩｎＧａＡｓＰ層１４ａおよびｐ
−ＩｎＰ層１８ａのエッチング後に露出する第１クラッ
ド層１２の表面を覆う、バンドギャップ波長が１．２０
μｍのＩｎＧａＡｓＰ層を形成し、さらにその上にｐ−
ＩｎＰ層１８ｂを形成する（図３（Ａ））。このＩｎＧ
ａＡｓＰ層が受動導波路層１６である。受動導波路層１
６およびｐ−ＩｎＰ層１８ｂの形成には公知の結晶成長
方法を用い、活性層１４の表面と受動導波路層１６の表
面の高さが等しくなるようにする。また、ｐ−ＩｎＰ層
１８ｂは、前工程で形成されたｐ−ＩｎＰ層１８ａｘお
よび後工程で形成されるｐ−ＩｎＰ層１８ｃと共に最終
的に第２クラッド層１８を形成する。
−ＩｎＰ層１８ａのエッチング後に露出する第１クラッ
ド層１２の表面を覆う、バンドギャップ波長が１．２０
μｍのＩｎＧａＡｓＰ層を形成し、さらにその上にｐ−
ＩｎＰ層１８ｂを形成する（図３（Ａ））。このＩｎＧ
ａＡｓＰ層が受動導波路層１６である。受動導波路層１
６およびｐ−ＩｎＰ層１８ｂの形成には公知の結晶成長
方法を用い、活性層１４の表面と受動導波路層１６の表
面の高さが等しくなるようにする。また、ｐ−ＩｎＰ層
１８ｂは、前工程で形成されたｐ−ＩｎＰ層１８ａｘお
よび後工程で形成されるｐ−ＩｎＰ層１８ｃと共に最終
的に第２クラッド層１８を形成する。
【００２７】その後、ＳｉＯ2 膜２８を除去した後、導
波路層の幅（紙面に垂直な方向の長さ）が２μｍ程度の
導波路構造を形成する。さらに、電流ブロック層（図示
せず）を形成する。
波路層の幅（紙面に垂直な方向の長さ）が２μｍ程度の
導波路構造を形成する。さらに、電流ブロック層（図示
せず）を形成する。
【００２８】その後、上側表面、すなわちｐ−ＩｎＰ層
１８ａｘ、ｐ−ＩｎＰ層１８ｂおよび電流ブロック層
（図示せず）の表面を覆うｐ−ＩｎＰ層１８ｃを形成
し、さらにその上にｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層からなるキャ
ップ層２３を形成する（図３（Ｂ））。ｐ−ＩｎＰ層１
８ｃおよびキャップ層２３の形成には公知の結晶成長方
法を用いる。また、ｐ−ＩｎＰ層１８ｃは前工程で形成
されたｐ−ＩｎＰ層１８ａｘ、１８ｂと共に第２クラッ
ド層１８を形成する。
１８ａｘ、ｐ−ＩｎＰ層１８ｂおよび電流ブロック層
（図示せず）の表面を覆うｐ−ＩｎＰ層１８ｃを形成
し、さらにその上にｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層からなるキャ
ップ層２３を形成する（図３（Ｂ））。ｐ−ＩｎＰ層１
８ｃおよびキャップ層２３の形成には公知の結晶成長方
法を用いる。また、ｐ−ＩｎＰ層１８ｃは前工程で形成
されたｐ−ＩｎＰ層１８ａｘ、１８ｂと共に第２クラッ
ド層１８を形成する。
【００２９】最後に、第２クラッド層１８上に上側電極
２２を形成し、第１クラッド層１２の下に下側電極２０
を形成する（図３（Ｃ））。上側電極２２および下側電
極２０の形成には公知の電極形成技術を用いる。この場
合、波長スイッチング領域１００ａには第１の上側電極
２２ａ、非波長スイッチング領域１００ｂには第２の上
側電極２２ｂ、受動領域２００には第３の上側電極２２
ｃがそれぞれ形成される。以上のようにして半導体レー
ザ素子１０を製造する。
２２を形成し、第１クラッド層１２の下に下側電極２０
を形成する（図３（Ｃ））。上側電極２２および下側電
極２０の形成には公知の電極形成技術を用いる。この場
合、波長スイッチング領域１００ａには第１の上側電極
２２ａ、非波長スイッチング領域１００ｂには第２の上
側電極２２ｂ、受動領域２００には第３の上側電極２２
ｃがそれぞれ形成される。以上のようにして半導体レー
ザ素子１０を製造する。
【００３０】次に、この実施の形態の半導体レーザ素子
の発振波長のスイッチング方法について説明する。半導
体レーザ素子１０は、活性層１４で発光した光のうち、
第１の回折格子２４または第２の回折格子２６のブラッ
ク波長λ1 、λ2 と同じ波長の光でレーザ発振する。そ
の際、発振波長のスイッチングは波長スイッチング領域
１００ａの活性層１４の部分への電流注入量を制御する
ことにより行う。電流を注入しないときは、波長スイッ
チング領域１００ａの活性層１４の部分のロスが大き
く、活性層１４で発光した光が受動領域２００まで到達
しないため、波長λ1 の光でレーザ発振する。電流注入
量が大きくなると、波長スイッチング領域１００ａの活
性層１４の部分のロスが徐々に減少し、活性層１４で発
光した光が受動領域２００まで達する。その結果、活性
層１４で発光した光は第１および第２の回折格子２４、
２６によって反射を受ける。この場合、波長λ2 の光の
第２の回折格子２６での反射率は、波長λ1 の光の第１
の回折格子２４での反射率より十分大きい。従って、し
きい値利得は、波長λ2 の光の方が小さくなり、その波
長の光でレーザ発振し始める。さらに、その後、電流注
入量を小さくしていくと、波長λ1 の光でレーザ発振す
る。
の発振波長のスイッチング方法について説明する。半導
体レーザ素子１０は、活性層１４で発光した光のうち、
第１の回折格子２４または第２の回折格子２６のブラッ
ク波長λ1 、λ2 と同じ波長の光でレーザ発振する。そ
の際、発振波長のスイッチングは波長スイッチング領域
１００ａの活性層１４の部分への電流注入量を制御する
ことにより行う。電流を注入しないときは、波長スイッ
チング領域１００ａの活性層１４の部分のロスが大き
く、活性層１４で発光した光が受動領域２００まで到達
しないため、波長λ1 の光でレーザ発振する。電流注入
量が大きくなると、波長スイッチング領域１００ａの活
性層１４の部分のロスが徐々に減少し、活性層１４で発
光した光が受動領域２００まで達する。その結果、活性
層１４で発光した光は第１および第２の回折格子２４、
２６によって反射を受ける。この場合、波長λ2 の光の
第２の回折格子２６での反射率は、波長λ1 の光の第１
の回折格子２４での反射率より十分大きい。従って、し
きい値利得は、波長λ2 の光の方が小さくなり、その波
長の光でレーザ発振し始める。さらに、その後、電流注
入量を小さくしていくと、波長λ1 の光でレーザ発振す
る。
【００３１】以下、その理由について説明する。以後の
説明中、波長スイッチング領域１００ａの活性層１４の
部分を第１活性層１４ｘと称し、非スイッチング領域１
００ｂの活性層１４の部分を第２活性層１４ｙと称す
る。
説明中、波長スイッチング領域１００ａの活性層１４の
部分を第１活性層１４ｘと称し、非スイッチング領域１
００ｂの活性層１４の部分を第２活性層１４ｙと称す
る。
【００３２】図４は第２活性層１４ｙにレーザ発振に十
分な電流を注入し、かつ第１活性層１４ｘに電流を注入
しないときの第１の回折格子２４の反射特性を縦軸に反
射率Ｒを取り、横軸に回折格子に入射する波長λを取っ
て示した特性図である。また、図５は第２活性層１４ｙ
にレーザ発振に十分な電流を注入し、かつ第１活性層１
４ｘにも電流を注入したときの第１および第２の回折格
子２４、２６の反射特性を縦軸に反射率Ｒを取り、横軸
に回折格子に入射する波長λを取って示した特性図であ
る。図５中、曲線ａは第１の回折格子２４の反射特性で
あり、曲線ｂは第２の回折格子２６の反射特性である。
反射率の計算には、下記の（１）で表される文献３：
「半導体レーザと光集積回路、末松安晴編著、オーム社
刊、１９８４年」の３２７頁に示す（１１・４７）式を
用いた。ただし、（１）式中、αはロス、Ｋは結合定
数、ＬB は回折格子の光導波方向における長さであり、
γおよびδは（２）式および（３）式から求められる。
（３）式中、ｎeff は実効屈折率、λB は回折格子のブ
ラック波長である。
分な電流を注入し、かつ第１活性層１４ｘに電流を注入
しないときの第１の回折格子２４の反射特性を縦軸に反
射率Ｒを取り、横軸に回折格子に入射する波長λを取っ
て示した特性図である。また、図５は第２活性層１４ｙ
にレーザ発振に十分な電流を注入し、かつ第１活性層１
４ｘにも電流を注入したときの第１および第２の回折格
子２４、２６の反射特性を縦軸に反射率Ｒを取り、横軸
に回折格子に入射する波長λを取って示した特性図であ
る。図５中、曲線ａは第１の回折格子２４の反射特性で
あり、曲線ｂは第２の回折格子２６の反射特性である。
反射率の計算には、下記の（１）で表される文献３：
「半導体レーザと光集積回路、末松安晴編著、オーム社
刊、１９８４年」の３２７頁に示す（１１・４７）式を
用いた。ただし、（１）式中、αはロス、Ｋは結合定
数、ＬB は回折格子の光導波方向における長さであり、
γおよびδは（２）式および（３）式から求められる。
（３）式中、ｎeff は実効屈折率、λB は回折格子のブ
ラック波長である。
【００３３】
【数１】
【００３４】この実施の形態では、第１の回折格子２４
の結合定数Ｋ1 は５０ｃｍ-1、長さＬ1 は５０μｍ、ブ
ラック波長λ1 は１．５５μｍであることから、Ｋを５
０ｃｍ-1、ＬB を５０μｍ、λB を１．５５μｍとして
図４および図５に示す反射特性を求めた。また、第２の
回折格子２４の結合定数Ｋ2 は５０ｃｍ-1、長さＬ2は
５００μｍ、ブラック波長λ2 は１．５７μｍであるこ
とから、Ｋを５０ｃｍ-1、ＬB を５００μｍ、λB を
１．５７μｍとして図５に示す反射特性を求めた。ま
た、活性層１４のバンドギャップ波長は１．５５μｍで
あり、第１の回折格子２４のブラック波長λ1 と同じで
あることから、第１活性層１４ｘへの電流注入前のロス
αを２００ｃｍ-1として図４に示す反射特性を求め、電
流注入後のロスαを２０ｃｍ-1として図５に示す反射特
性を求めた。また、受動導波路層１６のバンドギャップ
波長は１．２０μｍであり、第２の回折格子２６のブラ
ック波長λ2 より小さいことから、ロスαを５ｃｍ-1と
して図５に示す反射特性を求めた。なお、実効屈折率ｎ
eff はいずれの場合も３．２とした。
の結合定数Ｋ1 は５０ｃｍ-1、長さＬ1 は５０μｍ、ブ
ラック波長λ1 は１．５５μｍであることから、Ｋを５
０ｃｍ-1、ＬB を５０μｍ、λB を１．５５μｍとして
図４および図５に示す反射特性を求めた。また、第２の
回折格子２４の結合定数Ｋ2 は５０ｃｍ-1、長さＬ2は
５００μｍ、ブラック波長λ2 は１．５７μｍであるこ
とから、Ｋを５０ｃｍ-1、ＬB を５００μｍ、λB を
１．５７μｍとして図５に示す反射特性を求めた。ま
た、活性層１４のバンドギャップ波長は１．５５μｍで
あり、第１の回折格子２４のブラック波長λ1 と同じで
あることから、第１活性層１４ｘへの電流注入前のロス
αを２００ｃｍ-1として図４に示す反射特性を求め、電
流注入後のロスαを２０ｃｍ-1として図５に示す反射特
性を求めた。また、受動導波路層１６のバンドギャップ
波長は１．２０μｍであり、第２の回折格子２６のブラ
ック波長λ2 より小さいことから、ロスαを５ｃｍ-1と
して図５に示す反射特性を求めた。なお、実効屈折率ｎ
eff はいずれの場合も３．２とした。
【００３５】図４から理解出来るように、第１活性層１
４ｘに電流を注入しないとき、波長λ1 （１．５５μ
ｍ）の光の反射率が最も大きい。従って、しきい値利得
は、波長λ1 の光で最も小さくなり、波長λ1 の光でレ
ーザ発振が起こる。
４ｘに電流を注入しないとき、波長λ1 （１．５５μ
ｍ）の光の反射率が最も大きい。従って、しきい値利得
は、波長λ1 の光で最も小さくなり、波長λ1 の光でレ
ーザ発振が起こる。
【００３６】また、図５から理解出来るように、第１活
性層１４ｘへの電流注入量が大きいとき、波長λ2 の光
の第２の回折格子２６での反射率は、波長λ1 の光の第
１の回折格子２４での反射率より十分大きい。従って、
しきい値利得は、波長λ2 の光の方が小さくなり、波長
λ2 で光でレーザ発振が起こる。
性層１４ｘへの電流注入量が大きいとき、波長λ2 の光
の第２の回折格子２６での反射率は、波長λ1 の光の第
１の回折格子２４での反射率より十分大きい。従って、
しきい値利得は、波長λ2 の光の方が小さくなり、波長
λ2 で光でレーザ発振が起こる。
【００３７】以上の様に、波長λ1 から波長λ2 への発
振波長のスイッチングは第１活性層１４ｘへの電流注入
量を制御することにより行われる。そして、その際のス
イッチング速度は第１活性層１４ｘでのキャリア寿命に
より決まる。活性層でのキャリア寿命は１ｎｓｅｃ以下
であるため、発振波長のスイッチング速度も１ｎｓｅｃ
以下となり、従来のものに比べて高速で発振波長のスイ
ッチングが可能となる。
振波長のスイッチングは第１活性層１４ｘへの電流注入
量を制御することにより行われる。そして、その際のス
イッチング速度は第１活性層１４ｘでのキャリア寿命に
より決まる。活性層でのキャリア寿命は１ｎｓｅｃ以下
であるため、発振波長のスイッチング速度も１ｎｓｅｃ
以下となり、従来のものに比べて高速で発振波長のスイ
ッチングが可能となる。
【００３８】また、発振波長のスイッチングは、第１の
回折格子２４のブラック波長λ1 と第２の回折格子２６
のブラック波長λ2 との間で起こる。この場合、活性層
１４で発光する光の波長域で第１の回折格子２４のブラ
ック波長λ1 および第２の回折格子２６のブラック波長
λ2 を設定すればよい。通常、活性層１４で発光する光
には１００ｎｍ程度の幅があるため、最大１００ｎｍ程
度の波長間での発振波長のスイッチングが可能になる。
回折格子２４のブラック波長λ1 と第２の回折格子２６
のブラック波長λ2 との間で起こる。この場合、活性層
１４で発光する光の波長域で第１の回折格子２４のブラ
ック波長λ1 および第２の回折格子２６のブラック波長
λ2 を設定すればよい。通常、活性層１４で発光する光
には１００ｎｍ程度の幅があるため、最大１００ｎｍ程
度の波長間での発振波長のスイッチングが可能になる。
【００３９】なお、第１活性層１４ｘに電流を注入して
いくと、しきい値利得の最も小さい光の波長が長波長側
にシフトする。従って、第２の回折格子のブラック波長
λ2は、第１の回折格子のブラック波長λ1 より大きい
方が効率よくレーザ発振を行うことが可能となる。
いくと、しきい値利得の最も小さい光の波長が長波長側
にシフトする。従って、第２の回折格子のブラック波長
λ2は、第１の回折格子のブラック波長λ1 より大きい
方が効率よくレーザ発振を行うことが可能となる。
【００４０】この発明は、上述した実施の形態に限定さ
れるものではないことは明らかである。例えば、上述の
実施の形態における導電型を入れ換えても良い。
れるものではないことは明らかである。例えば、上述の
実施の形態における導電型を入れ換えても良い。
【００４１】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の半導体レーザ素子によれば、活性層で発光した
光のうち、第１の回折格子または第２の回折格子のブラ
ック波長λ1 、λ2 と同じ波長の光でレーザ発振する。
その際、発振波長のスイッチングは波長スイッチング領
域の活性層の部分への電流注入量を制御することにより
行う。電流を注入しないときは、波長スイッチング領域
の活性層の部分のロスが大きく、活性層で発光した光が
受動領域まで到達しないため、波長λ1 の光でレーザ発
振する。電流注入量が大きくなると、波長スイッチング
領域の活性層の部分のロスが徐々に減少し、活性層で発
光した光が受動領域まで達する。その結果、活性層で発
光した光は第１および第２の回折格子によって反射を受
ける。この場合、波長λ2 の光の第２の回折格子での反
射率は、波長λ1 の光の第１の回折格子での反射率より
十分大きい。従って、しきい値利得は、波長λ2 の光の
方が小さくなり、その波長の光でレーザ発振し始める。
さらに、その後、電流注入量を小さくしていくと、波長
λ1 の光でレーザ発振する。
の発明の半導体レーザ素子によれば、活性層で発光した
光のうち、第１の回折格子または第２の回折格子のブラ
ック波長λ1 、λ2 と同じ波長の光でレーザ発振する。
その際、発振波長のスイッチングは波長スイッチング領
域の活性層の部分への電流注入量を制御することにより
行う。電流を注入しないときは、波長スイッチング領域
の活性層の部分のロスが大きく、活性層で発光した光が
受動領域まで到達しないため、波長λ1 の光でレーザ発
振する。電流注入量が大きくなると、波長スイッチング
領域の活性層の部分のロスが徐々に減少し、活性層で発
光した光が受動領域まで達する。その結果、活性層で発
光した光は第１および第２の回折格子によって反射を受
ける。この場合、波長λ2 の光の第２の回折格子での反
射率は、波長λ1 の光の第１の回折格子での反射率より
十分大きい。従って、しきい値利得は、波長λ2 の光の
方が小さくなり、その波長の光でレーザ発振し始める。
さらに、その後、電流注入量を小さくしていくと、波長
λ1 の光でレーザ発振する。
【００４２】以上の様に、波長λ1 から波長λ2 への発
振波長のスイッチングは第１活性層への電流注入量を制
御することにより行われる。そして、その際のスイッチ
ング速度は第１活性層でのキャリア寿命により決まる。
活性層でのキャリア寿命は１ｎｓｅｃ以下であるため、
発振波長のスイッチング速度も１ｎｓｅｃ以下となり、
従来のものに比べて高速で発振波長のスイッチングが可
能となる。
振波長のスイッチングは第１活性層への電流注入量を制
御することにより行われる。そして、その際のスイッチ
ング速度は第１活性層でのキャリア寿命により決まる。
活性層でのキャリア寿命は１ｎｓｅｃ以下であるため、
発振波長のスイッチング速度も１ｎｓｅｃ以下となり、
従来のものに比べて高速で発振波長のスイッチングが可
能となる。
【００４３】また、発振波長のスイッチングは、第１の
回折格子のブラック波長λ1 と第２の回折格子のブラッ
ク波長λ2 との間で起こる。この場合、活性層で発光す
る光の波長域で第１の回折格子のブラック波長λ1 およ
び第２の回折格子のブラック波長λ2 を設定すればよ
い。通常、活性層で発光する光には１００ｎｍ程度の幅
があるため、最大１００ｎｍ程度の波長間での発振波長
のスイッチングが可能になる。
回折格子のブラック波長λ1 と第２の回折格子のブラッ
ク波長λ2 との間で起こる。この場合、活性層で発光す
る光の波長域で第１の回折格子のブラック波長λ1 およ
び第２の回折格子のブラック波長λ2 を設定すればよ
い。通常、活性層で発光する光には１００ｎｍ程度の幅
があるため、最大１００ｎｍ程度の波長間での発振波長
のスイッチングが可能になる。
【００４４】また、波長スイッチング領域の活性層の部
分に電流を注入していくと、しきい値利得の最も小さい
光の波長が長波長側にシフトするため、第２の回折格子
のブラック波長λ2 は、第１の回折格子のブラック波長
λ1 より大きい方が効率よくレーザ発振を行うことが可
能となる。
分に電流を注入していくと、しきい値利得の最も小さい
光の波長が長波長側にシフトするため、第２の回折格子
のブラック波長λ2 は、第１の回折格子のブラック波長
λ1 より大きい方が効率よくレーザ発振を行うことが可
能となる。
【図１】実施の形態の半導体レーザ素子の断面図であ
る。
る。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は実施の形態の半導体レーザ素
子の製造工程図である。
子の製造工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図２につづく実施の形態の半
導体レーザ素子の製造工程図である。
導体レーザ素子の製造工程図である。
【図４】波長スイッチング領域への活性層の部分への電
流注入前の第１の回折格子の反射特性図である。
流注入前の第１の回折格子の反射特性図である。
【図５】波長スイッチング領域への活性層の部分への電
流注入後の第１および第２の回折格子の反射特性図であ
る。
流注入後の第１および第２の回折格子の反射特性図であ
る。
１０：半導体レーザ素子 １２：第１クラッド層 １４：活性層 １６：受動導波路層 １８：第２クラッド層 ２０：下側電極 ２２：上側電極 ２４：第１の回折格子 ２６：第２の回折格子 １００：活性領域 １００ａ：波長スイッチング領域 ２００：受動領域
Claims (5)
- 【請求項１】 第１クラッド層と、該第１クラッド層上
にそれぞれ設けられ光が導波する方向に互いに隣接した
活性層および受動導波路層と、これら活性層および受動
導波路層上に設けられた第２クラッド層と、前記第１ク
ラッド層の下側に設けられた下側電極と、前記第２クラ
ッド層の上側に設けられた上側電極とを具えた半導体レ
ーザ素子において、 当該半導体レーザ素子の領域であって前記活性層を含む
側の領域を活性領域とし、および前記受動導波路層を含
む側の領域を受動領域としたとき、前記活性領域の、前
記受動領域と接する側の領域に発振波長を切り換える波
長スイッチング領域を具えることを特徴とする半導体レ
ーザ素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ素子にお
いて、 前記波長スイッチング領域には光が導波する方向に、ブ
ラック波長がλ1 である第１の回折格子が設けられ、前
記受動領域には光が導波する方向に、ブラック波長がλ
1 と異なるλ2 である第２の回折格子が設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ素子にお
いて、 前記活性層のバンドギャップ波長は、前記受動導波路層
のバンドギャップ波長より大きく、 前記第１の回折格子の光が導波する方向における長さを
Ｌ1 とし、前記第２の回折格子の光が導波する方向にお
ける長さをＬ2 とし、前記第１の回折格子の結合定数を
Ｋ1 とし、前記第２の回折格子の結合定数をＫ2 とした
とき、 Ｋ1 Ｌ1 ＜Ｋ2 Ｌ2 であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 請求項２に記載の半導体レーザ素子にお
いて、前記λ1 が前記λ2 より大きいことを特徴とする
半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記活性領域であって前記波長スイッチ
ング領域以外の領域の前記活性層の部分に電流を注入す
ることによりレーザ発振している請求項１に記載の半導
体レーザ素子に対して、前記波長スイッチング領域の前
記活性層の部分への電流注入量を制御することにより発
振波長を選択することを特徴とする半導体レーザ素子の
発振波長のスイッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22508495A JPH0969669A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22508495A JPH0969669A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969669A true JPH0969669A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16823766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22508495A Withdrawn JPH0969669A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体レーザ素子およびその発振波長のスイッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245473A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22508495A patent/JPH0969669A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245473A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置 |
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