JPH0964274A - Method of replacing and relieving electronic equipment and faulty cob type semiconductor device mounted onit - Google Patents

Method of replacing and relieving electronic equipment and faulty cob type semiconductor device mounted onit

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JPH0964274A
JPH0964274A JP7217349A JP21734995A JPH0964274A JP H0964274 A JPH0964274 A JP H0964274A JP 7217349 A JP7217349 A JP 7217349A JP 21734995 A JP21734995 A JP 21734995A JP H0964274 A JPH0964274 A JP H0964274A
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JP
Japan
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semiconductor device
type semiconductor
cob type
wiring
wiring board
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JP7217349A
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Toshiyuki Takahashi
敏幸 高橋
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225Correcting or repairing of printed circuits

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To replace and relieve a faulty COB type semiconductor device connected to a wiring board, by providing a spare electrode pad for mounting a second semiconductor device, in the specified position on the wiring electrically connected to the COB type semiconductor device of the wiring board. SOLUTION: For an SIMM board, 10, nine pieces of COB type semiconductor devices 1 are mounted on one sheet of wiring board 2. As a method of replacing it with other semiconductor device thereby relieving it in case that trouble occurs in the COB type semiconductor device 1 mounted on the SIMM board 10, the wiring 3 between the wiring board bonding pad and the land in the faulty COB type semiconductor device to be replaced is cut. Then, other packaged semiconductor device is put on the faulty COB type semiconductor device 1, and the lead is soldered to the land. Hereby, it follows that the packaged semiconductor device operates in place of the faulty COB type semiconductor device 1, and that the operation of the SIMM board can be performed normally.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、単数または複数の半導
体装置が搭載された配線基板を有する電子機器に関し、
特に、COB(Chip On Board)型半導体装置が搭載さ
れた配線基板を有する電子機器に適用して有効な技術に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device having a wiring board on which one or more semiconductor devices are mounted,
In particular, the present invention relates to a technique effectively applied to an electronic device having a wiring board on which a COB (Chip On Board) type semiconductor device is mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の配線基板に搭載されるCOB
型半導体装置は、抵抗器、コンデンサ等の各種素子を搭
載した一枚の配線基板に複数個の半導体チップを直接貼
り付け、それぞれの半導体チップをワイヤボンディング
でその配線基板の配線と接続し、樹脂で封止したもので
ある。
COB mounted on a wiring board of an electronic device
Type semiconductor device, a plurality of semiconductor chips are directly attached to one wiring board on which various elements such as resistors and capacitors are mounted, and each semiconductor chip is connected to the wiring of the wiring board by wire bonding. It is sealed with.

【0003】また、ワイヤボンディングを用いず、バン
プを使用して半導体チップを配線基板の配線に接続する
ワイヤレスボンディングしたものもある。
There is also a wireless bonding method in which a semiconductor chip is connected to the wiring of a wiring board by using bumps without using wire bonding.

【0004】このCOB型半導体装置を用いることによ
り、パッケ−ジングした半導体装置をプリント配線基板
に取り付けて製造する電子機器より製造工程数を少なく
することができ、安価な電子機器が作れる。
By using this COB type semiconductor device, the number of manufacturing steps can be reduced as compared with an electronic device which is manufactured by mounting the packaged semiconductor device on a printed wiring board, and an inexpensive electronic device can be manufactured.

【0005】主に、安価を必要とする電子機器には、こ
のCOB型半導体装置が使われていた。
This COB type semiconductor device has been mainly used for electronic equipment which requires low cost.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記従来
技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
SUMMARY OF THE INVENTION As a result of studying the above prior art, the present inventor has found the following problems.

【0007】従来のCOB型の半導体装置が搭載された
配線基板を有する電子器機では、単数または複数個の半
導体チップを直接プリント配線基板に貼り付けて樹脂封
止することから、そのプリント配線基板と半導体装置が
一体構造になる。
In an electronic device having a wiring board on which a conventional COB type semiconductor device is mounted, one or a plurality of semiconductor chips are directly attached to the printed wiring board and resin-sealed. The semiconductor device has an integrated structure.

【0008】このため、複数個のメモリ用の半導体装置
を有する電子機器、例えば、SIMM(Single In-Line
Memory Module)基板において、COB型半導体装置を
搭載すると、その基板のCOB型半導体装置の内1個で
も不良が発生した場合、その不良COB型半導体装置を
基板から取り外して交換するといった救済処置ができな
いため、抵抗器、コンデンサ等の各種素子及び不良でな
い他の半導体装置共々プリント配線基板全部が不良とし
て処理されるという問題点があった。
Therefore, an electronic device having a plurality of semiconductor devices for memories, such as SIMM (Single In-Line), is used.
When a COB type semiconductor device is mounted on a (Memory Module) substrate, if even one of the COB type semiconductor devices on the substrate has a defect, the defective COB type semiconductor device cannot be removed from the substrate and replaced. Therefore, there is a problem in that all elements such as resistors and capacitors and other semiconductor devices that are not defective are treated as defective.

【0009】これにより、COB型半導体装置を多数搭
載すればするほど、不良率が高くなって歩留まりが悪く
なることから、複数個の半導体装置を一枚の配線基板に
必要とするメモリモジュール等の電子機器には、あまり
用いられなかった。
As a result, the more COB type semiconductor devices are mounted, the higher the defect rate and the lower the yield, so that a memory module or the like which requires a plurality of semiconductor devices on one wiring board. It was rarely used in electronic devices.

【0010】また、COB型半導体装置上にパッケ−ジ
ングされた別のメモリやプロセッサ等の半導体装置を積
層搭載することにより、小スペースでメモリの容量また
は、処理能力を増加することができることから、高密度
実装化が可能になることを見いだした。
Further, by stacking another semiconductor device such as a memory or a processor packaged on the COB type semiconductor device, the capacity of the memory or the processing capacity can be increased in a small space. We have found that high-density mounting is possible.

【0011】本発明の目的は、配線基板に接続された不
良COB型半導体装置を代替救済することが可能な技術
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of replacing and repairing a defective COB type semiconductor device connected to a wiring board.

【0012】本発明の他の目的は、電子機器の高密度実
装化が可能な技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of high-density mounting of electronic equipment.

【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0015】単数個または複数個のCOB型の半導体装
置が搭載された配線基板を備える電子機器に、前記配線
基板は、前記COB型半導体装置と電気的に接続する配
線上の所定位置にパッケージングされた第二の半導体装
置搭載用の予備電極パッドを備える。
In an electronic device having a wiring board on which one or more COB type semiconductor devices are mounted, the wiring board is packaged at a predetermined position on a wiring electrically connected to the COB type semiconductor device. And a spare electrode pad for mounting the second semiconductor device.

【0016】また、単数個または複数個のCOB型半導
体装置が搭載された配線基板を備えた電子機器に、前記
配線基板は、COB型半導体装置と電気的に接続される
第一配線と、前記第二半導体装置と電気的に接続される
第二配線と、前記第二配線上の所定位置に前記第二半導
体装置搭載用の予備電極パッドとを備える。
In addition, in an electronic device having a wiring board on which one or more COB type semiconductor devices are mounted, the wiring board includes a first wiring electrically connected to the COB type semiconductor device, and A second wiring electrically connected to the second semiconductor device and a spare electrode pad for mounting the second semiconductor device are provided at predetermined positions on the second wiring.

【0017】[0017]

【作用】上述した手段によれば、単数個または複数個の
COB型の半導体装置が搭載された配線基板を備える電
子機器において、前記配線基板は、前記COB型半導体
装置と電気的に接続する配線上の所定位置にパッケージ
ングされた第二の半導体装置搭載用の予備電極パッドを
備えることにより、配線基板内の半導体装置に不良が生
じた場合、その不良半導体装置の替わりに、パッケ−ジ
ングされた正常動作をする半導体装置をその予備の電極
パッドと接続することで搭載することができるので、配
線基板に接続された不良COB型半導体装置を代替救済
することが可能となる。
According to the above-mentioned means, in an electronic apparatus including a wiring board on which one or a plurality of COB type semiconductor devices are mounted, the wiring board is a wiring electrically connected to the COB type semiconductor device. By providing the second semiconductor device mounting auxiliary electrode pad packaged in a predetermined position above, when a semiconductor device in the wiring board has a defect, it is packaged instead of the defective semiconductor device. Since a normally operating semiconductor device can be mounted by connecting it to the spare electrode pad, a defective COB type semiconductor device connected to the wiring board can be replaced and repaired.

【0018】また、単数個または複数個のCOB型半導
体装置が搭載された配線基板を備えた電子機器に、前記
配線基板は、COB型半導体装置と電気的に接続される
第一配線と、前記第二半導体装置と電気的に接続される
第二配線と、前記第二配線上の所定位置(第二半導体装
置のリードと接続可能となる位置)に前記第二半導体装
置搭載用の予備電極パッドとを備えることにより、小ス
ペースでCOB型半導体装置上にメモリまたは、プロセ
ッサ等の半導体装置を搭載することができるので、電子
機器の高密度実装化が可能となる。
In addition, in an electronic device including a wiring board on which one or more COB type semiconductor devices are mounted, the wiring board includes a first wiring electrically connected to the COB type semiconductor device, and A second wiring electrically connected to the second semiconductor device, and a spare electrode pad for mounting the second semiconductor device at a predetermined position on the second wiring (a position where it can be connected to a lead of the second semiconductor device). Since the semiconductor device such as the memory or the processor can be mounted on the COB type semiconductor device in a small space by including the above, the electronic device can be mounted at high density.

【0019】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。
The structure of the present invention will be described below together with embodiments.

【0020】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having identical functions are given same symbols and their repeated explanation is omitted.

【0021】[0021]

【実施例】本発明の一実施例の電子機器として、SIM
M基板を取り挙げて以下に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an electronic device of an embodiment of the present invention, a SIM
The M substrate will be described below.

【0022】(実施例1)図1は、本発明の一実施例で
あるSIMM基板を上から見た平面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view of a SIMM substrate, which is an embodiment of the present invention, as seen from above.

【0023】図2は、図1に示した配線基板に搭載され
たCOB型半導体装置一個とその周辺配線を示した図で
あり、図2(a)は平面図を示し、図2(b)は図2
(a)のX方向から見た側面図を示す。なお、配線基板
2の配線パターン、抵抗器等の各種素子は図示していな
い。
FIG. 2 is a view showing one COB type semiconductor device mounted on the wiring board shown in FIG. 1 and its peripheral wiring. FIG. 2 (a) is a plan view and FIG. 2 (b). Is Figure 2
The side view seen from the X direction of (a) is shown. The wiring pattern of the wiring board 2 and various elements such as resistors are not shown.

【0024】図3は、樹脂封止する前のCOB半導体装
置とその周辺の配線3を示したものである。
FIG. 3 shows the COB semiconductor device before resin sealing and the wiring 3 around it.

【0025】図1〜図3において、1はCOB型半導体
装置、1aは半導体チップ、2は配線基板、3は配線、
3aは半導体チップと接続される電極パッド、4はラン
ド(予備の電極パッド)、10はSIMM基板をそれぞ
れ示す。
1 to 3, 1 is a COB type semiconductor device, 1a is a semiconductor chip, 2 is a wiring substrate, 3 is wiring,
3a is an electrode pad connected to a semiconductor chip, 4 is a land (spare electrode pad), and 10 is a SIMM substrate.

【0026】本実施例のSIMM基板10には、図1に
示すように、一枚の配線基板2に9個のCOB型半導体
装置1が搭載され、図2(a)、図2(b)に示すよう
に、COB型半導体装置1の周辺の各配線3上には、パ
ッケ−ジングされた半導体装置搭載用ランド4(半田付
き)が設けられている。
As shown in FIG. 1, the SIMM substrate 10 of this embodiment has nine COB type semiconductor devices 1 mounted on a single wiring substrate 2, and FIGS. 2 (a) and 2 (b). As shown in FIG. 3, on each wiring 3 around the COB type semiconductor device 1, a packaged semiconductor device mounting land 4 (with solder) is provided.

【0027】このランド4は、後述するパッケ−ジング
された半導体装置のリードと接続可能になる位置に設け
られる。
The land 4 is provided at a position where it can be connected to a lead of a packaged semiconductor device described later.

【0028】本実施例におけるSIMM基板10は、図
3に示すように、半導体チップ1a(メモリ用)を接着
剤等で固定した後、ワイヤーでボンディングし、半導体
チップ1aの電極パットと配線基板ボンディングパット
3a間の電気的接続を行なう。その後、図2のように樹
脂等を封止を行ない図1に示す製品とする。
As shown in FIG. 3, the SIMM substrate 10 in this embodiment has the semiconductor chip 1a (for memory) fixed with an adhesive or the like, and then bonded with a wire to bond the electrode pad of the semiconductor chip 1a to the wiring board. The pads 3a are electrically connected. After that, resin or the like is sealed as shown in FIG. 2 to obtain the product shown in FIG.

【0029】次に、上述した本実施例のSIMM基板1
0に搭載されたCOB型半導体装置1に不良が発生した
場合に、それを他の半導体装置(COB型半導体装置1
と同等の回路で設計された半導体装置)に代替し、救済
する方法について図4を用いて説明する。
Next, the SIMM substrate 1 of this embodiment described above
When a defect occurs in the COB type semiconductor device 1 mounted on the 0, the other semiconductor device (COB type semiconductor device 1
A method of substituting a semiconductor device designed with a circuit equivalent to the above) and repairing will be described with reference to FIG.

【0030】この代替救済方法は、まず、代替不良のC
OB型半導体装置1における配線基板ボンディングパッ
ト3aとランド4間の配線を断つ工程を行う。
In this alternative repairing method, first, a defective C
A step of disconnecting the wiring between the wiring board bonding pad 3 a and the land 4 in the OB type semiconductor device 1 is performed.

【0031】これは、例えば、図4(a)に示すよう
に、配線切断箇所7で刃物やレーザー等を使用してカッ
トする。
For example, as shown in FIG. 4 (a), this is cut at the wiring cutting location 7 by using a blade or a laser.

【0032】なお、この工程では、COB型半導体装置
1内の半導体チップ1aを動作できないようにするのが
目的であるため、半導体チップ1aの動作を完全に停止
できれば他の方法でも良い。
Since the purpose of this step is to make the semiconductor chip 1a in the COB type semiconductor device 1 inoperable, another method may be used as long as the operation of the semiconductor chip 1a can be completely stopped.

【0033】その後、図4(b)に示すように、不良の
COB型半導体装置1の上にパッケ−ジングされた他の
半導体装置20を載せ、そののリードをランド4に半田
付けする工程を行う。
After that, as shown in FIG. 4B, a step of mounting another packaged semiconductor device 20 on the defective COB type semiconductor device 1 and soldering its lead to the land 4 is performed. To do.

【0034】これによって、パッケ−ジングされた半導
体装置20が不良のCOB型半導体装置1の代りに動作
することになり、SIMM基板の動作は、正常に行なわ
れるようになる。
As a result, the packaged semiconductor device 20 operates in place of the defective COB type semiconductor device 1, and the SIMM substrate operates normally.

【0035】したがって、単数個または複数個のCOB
型の半導体装置が搭載された配線基板を備える電子機器
において、前記配線基板は、前記COB型半導体装置と
電気的に接続する配線上の所定位置にパッケージングさ
れた第二の半導体装置搭載用の予備電極パッドを備える
ことにより、配線基板内の半導体装置に不良が生じた場
合、その不良半導体装置の替わりに、パッケ−ジングさ
れた正常動作をする半導体装置をその予備の電極パッド
と接続することで搭載することができるので、配線基板
に接続された不良COB型半導体装置を代替救済するこ
とが可能となる。
Therefore, one or more COBs
In an electronic device including a wiring board on which a semiconductor device of the type is mounted, the wiring board is packaged at a predetermined position on a wiring electrically connected to the COB type semiconductor device for mounting a second semiconductor device. By providing a spare electrode pad, when a semiconductor device in the wiring board becomes defective, a normally operating semiconductor device that is packaged is connected to the spare electrode pad instead of the defective semiconductor device. The defective COB type semiconductor device connected to the wiring board can be replaced and repaired.

【0036】(実施例2)次に、本実施例のSIMM基
板10において、COB型半導体装置1と同等の回路で
設計され、パッケ−ジングされた半導体装置をCOB型
半導体装置1上に積層実装する場合について説明する。
(Embodiment 2) Next, in the SIMM substrate 10 of this embodiment, a packaged semiconductor device designed with a circuit equivalent to the COB semiconductor device 1 and packaged is mounted on the COB semiconductor device 1 in a stacked manner. The case will be described.

【0037】図5は、COB型半導体装置1上にパッケ
−ジングされた半導体装置を積層実装したSIMM基板
10を説明するための図であり、図5(a)はSIMM
基板10に搭載されたCOB型半導体装置1一個とその
周辺配線を示した平面図を示し、図5(b)は図2
(a)のX方向から見た側面図を示す。
FIG. 5 is a view for explaining the SIMM substrate 10 in which the packaged semiconductor devices are stacked and mounted on the COB type semiconductor device 1, and FIG.
FIG. 5B is a plan view showing one COB type semiconductor device mounted on the substrate 10 and its peripheral wiring, and FIG.
The side view seen from the X direction of (a) is shown.

【0038】図6は、COB型半導体装置1及びパッケ
−ジングされた半導体装置(いわゆる樹脂封止型半導体
装置)に接続される信号配線を説明するための図であ
る。
FIG. 6 is a diagram for explaining the signal wirings connected to the COB type semiconductor device 1 and the packaged semiconductor device (so-called resin-sealed semiconductor device).

【0039】図5、図6において、20はパッケ−ジン
グされた半導体装置、A〜Vは信号線を示す。
In FIGS. 5 and 6, 20 is a packaged semiconductor device, and A to V are signal lines.

【0040】本実施例のSIMM基板10は、図5
(a)、図5(b)に示すように、COB型半導体装置
1を動作させたまま(接続を断たない)、その上にパッ
ケ−ジングされた半導体装置20を搭載しており、か
つ、図6に示すように、後述する制御切替の信号線であ
るRAS(Row AAddress Strob)信号配線とCAS(Col
umnAddress Strob)信号配線をそれぞれ2系統もつ。
The SIMM substrate 10 of this embodiment is shown in FIG.
(A), as shown in FIG. 5 (b), the packaged semiconductor device 20 is mounted on the COB type semiconductor device 1 while the COB type semiconductor device 1 is operating (without disconnection), and As shown in FIG. 6, a RAS (Row A Address Strob) signal wiring and a CAS (Col
umnAddress Strob) Each has two lines of signal wiring.

【0041】ここで、COB型半導体装置1及びパッケ
−ジングされた半導体装置20を日立のD−RAM,H
M514100Bを用いた場合を例に挙げると、図6に
示す本実施例のCOB型半導体装置1における信号配線
A〜Vのうち、DはCOB型半導体装置1のRAS信号
配線であり、Eはパッケ−ジングされた半導体装置20
のRAS信号配線であり、このEはCOB型半導体装置
1とは電気的に接続されない。
Here, the COB type semiconductor device 1 and the packaged semiconductor device 20 are replaced by Hitachi D-RAM, H.
Taking the case of using M514100B as an example, among the signal wirings A to V in the COB type semiconductor device 1 of the present embodiment shown in FIG. 6, D is the RAS signal wiring of the COB type semiconductor device 1 and E is the package. -Fused semiconductor device 20
RAS signal wiring, and this E is not electrically connected to the COB type semiconductor device 1.

【0042】また、SはCOB型半導体装置1のCAS
信号配線であり、Rはパッケ−ジングされた半導体装置
20のCAS信号配線であり、このRもCOB型半導体
装置1とは電気的に接続されない。
Further, S is the CAS of the COB type semiconductor device 1.
A signal wiring, R is a CAS signal wiring of the packaged semiconductor device 20, and this R is also not electrically connected to the COB type semiconductor device 1.

【0043】このため、COB型半導体装置1上にパッ
ケ−ジングされた半導体装置20を積層実装するときに
は、上述したD,S信号配線に接続されたランド4に対
応するリード、及び対応するランド4がないリードにお
いては、空ボンディング(接続しない)にしておき、他
の両半導体装置の信号配線をボンディングしてを共用す
る。
Therefore, when the packaged semiconductor device 20 is stacked and mounted on the COB type semiconductor device 1, the leads corresponding to the lands 4 connected to the D and S signal wirings and the corresponding lands 4 are mounted. The leads that do not have the same are left empty (not connected), and the signal wirings of the other two semiconductor devices are bonded and shared.

【0044】これによって、動作させたい方の半導体装
置のRAS信号配線(D,E)、CAS信号配線(S,
R)を選択して信号を入力することで、それぞれを別々
に動作させることができ、小スペースでメモリ容量を倍
増でき、SIMM基板の高密度実装化が可能になる。
As a result, the RAS signal wiring (D, E) and the CAS signal wiring (S, S,
By selecting R) and inputting a signal, each can be operated separately, the memory capacity can be doubled in a small space, and high-density mounting of the SIMM board can be realized.

【0045】なお、本実施例ではD−RAMを例に挙げ
たが、S−RAMにおいてもCS(Chip Select)信号線
を2系統設けることで同様にできる。
Although the D-RAM is taken as an example in this embodiment, the same can be applied to the S-RAM by providing two CS (Chip Select) signal lines.

【0046】また、電子機器に上下各半導体装置専用の
配線(第一配線、第二配線)を設けることにより、つな
がりのない別々の半導体装置(例えば、二つのプロセッ
サ)の搭載も可能になり、小スペースで処理能力を倍増
できるので、電子機器の高密度実装化が可能になる。
Further, by providing wirings (first wirings, second wirings) dedicated to the upper and lower semiconductor devices in the electronic equipment, separate semiconductor devices (for example, two processors) which are not connected can be mounted. Since the processing capacity can be doubled in a small space, high density mounting of electronic devices becomes possible.

【0047】さらに、上下に動作のつながりがある別々
の半導体装置(例えば、メモリとプロセッサ)も上述同
様に搭載することができ、同様に、電子機器の高密度実
装化が可能になり、よりコンパクトな電子機器が設計で
きる。
Further, separate semiconductor devices (for example, a memory and a processor) having upper and lower operations can be mounted in the same manner as described above, and likewise, high density mounting of electronic equipment can be achieved, which is more compact. Various electronic devices can be designed.

【0048】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に示したSIMM基板(メモリモジュール)に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々変更可能であることは勿論である。
As described above, the invention made by the present inventor is
Although the specific description has been given based on the embodiment, the present invention is not limited to the SIMM board (memory module) shown in the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.

【0049】[0049]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0050】配線基板に接続された不良COB型半導体
装置を代替救済することが可能となる。
The defective COB type semiconductor device connected to the wiring board can be replaced and repaired.

【0051】また、電子機器の高密度実装化が可能とな
る。
Further, high density mounting of electronic equipment becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるSIMM基板を上から
見た平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a SIMM board, which is an embodiment of the present invention, viewed from above.

【図2】本実施例の図1に示した配線基板に搭載された
COB型半導体装置一個とその周辺配線を示した図であ
る。
2 is a diagram showing one COB type semiconductor device mounted on the wiring substrate shown in FIG. 1 of the present embodiment and its peripheral wiring.

【図3】本実施例の樹脂封止する前のCOB半導体装置
とその周辺の配線3を示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing a COB semiconductor device and a wiring 3 around the COB semiconductor device before resin sealing according to the present embodiment.

【図4】本実施例における不良COB型半導体装置の代
替救済方法を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining an alternative repairing method for a defective COB type semiconductor device in the present embodiment.

【図5】本実施例のCOB型半導体装置上にパッケ−ジ
ングされた半導体装置を積層実装したSIMM基板を説
明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a SIMM substrate in which a packaged semiconductor device is stacked and mounted on the COB type semiconductor device of this embodiment.

【図6】本実施例のCOB型半導体装置及びパッケ−ジ
ングされた半導体装置に接続される信号配線を説明する
ための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining the signal wirings connected to the COB type semiconductor device and the packaged semiconductor device of the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…COB型半導体装置、1a…半導体チップ、2…配
線基板、3…配線、3a…半導体チップと接続される電
極パッド、4…ランド(予備の電極パッド)、7…配線
切断箇所、10…SIMM基板、20…パッケ−ジング
された他の半導体装置、A〜V…信号線。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... COB type semiconductor device, 1a ... Semiconductor chip, 2 ... Wiring board, 3 ... Wiring, 3a ... Electrode pad connected to a semiconductor chip, 4 ... Land (spare electrode pad), 7 ... Wiring cut place, 10 ... SIMM substrate, 20 ... Other semiconductor devices packaged, AV, signal lines.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 単数個または複数個のCOB型の半導体
装置が搭載された配線基板を備える電子機器において、 前記配線基板は、前記COB型半導体装置と電気的に接
続する配線上の所定位置に、第二の半導体装置搭載用の
予備電極パッドを備えたことを特徴とする電子機器。
1. An electronic device comprising a wiring board on which one or a plurality of COB type semiconductor devices are mounted, wherein the wiring board is provided at a predetermined position on a wiring electrically connected to the COB type semiconductor device. An electronic device comprising a second semiconductor device mounting auxiliary electrode pad.
【請求項2】 単数個または複数個のCOB型半導体装
置上に第二半導体装置を積層搭載した配線基板を備えた
電子機器であって、 前記配線基板は、COB型半導体装置と電気的に接続さ
れる第一配線と、 前記第二半導体装置と電気的に接続される第二配線と、 前記第二配線上の所定位置に前記第二半導体装置搭載用
の予備電極パッドとを備えることを特徴とする電子機
器。
2. An electronic device comprising a wiring board in which a second semiconductor device is stacked and mounted on one or a plurality of COB type semiconductor devices, wherein the wiring board is electrically connected to the COB type semiconductor device. And a second wiring electrically connected to the second semiconductor device, and a spare electrode pad for mounting the second semiconductor device at a predetermined position on the second wiring. And electronic equipment.
【請求項3】 前記請求項2に記載の電子機器におい
て、 前記配線基板に同等の回路で設計されている前記両半導
体装置を搭載する場合は、前記配線基板は、前記両半導
体装置の2系統の制御切替配線と、 前記制御切替配線を除いた前記第一配線及び前記第二配
線を共用した共用配線とを備えることを特徴とする電子
機器。
3. The electronic device according to claim 2, wherein when both the semiconductor devices designed with the same circuit are mounted on the wiring board, the wiring board has two systems of the both semiconductor devices. 2. An electronic device, comprising: the control switching wiring, and a shared wiring that shares the first wiring and the second wiring excluding the control switching wiring.
【請求項4】 前記請求項1に記載の電子機器に搭載さ
れた不良COB型半導体装置の代替救済方法であって、 前記電子機器に搭載されたCOB型半導体装置に不良が
生じた場合に、前記不良COB型半導体装置に接続され
る配線基板の電極パッドと前記予備用電極パッド間の配
線を断ち、その不良半導体装置上に正常動作をする第二
半導体装置を積層搭載し、その第二半導体装置と前記予
備用の電極パッドとを接続することを特徴とする電子機
器に搭載された不良COB型半導体装置の代替救済方
法。
4. A method for substituting a defective COB type semiconductor device mounted on the electronic device according to claim 1, wherein a defect occurs in the COB type semiconductor device mounted on the electronic device. The wiring between the electrode pad of the wiring board connected to the defective COB type semiconductor device and the spare electrode pad is cut off, and a second semiconductor device that operates normally is stacked and mounted on the defective semiconductor device. A method for substituting a defective COB type semiconductor device mounted on an electronic device, the device being connected to a spare electrode pad.
JP7217349A 1995-08-25 1995-08-25 Method of replacing and relieving electronic equipment and faulty cob type semiconductor device mounted onit Pending JPH0964274A (en)

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