JPH0963979A - 注入イオン量計数装置 - Google Patents
注入イオン量計数装置Info
- Publication number
- JPH0963979A JPH0963979A JP21712495A JP21712495A JPH0963979A JP H0963979 A JPH0963979 A JP H0963979A JP 21712495 A JP21712495 A JP 21712495A JP 21712495 A JP21712495 A JP 21712495A JP H0963979 A JPH0963979 A JP H0963979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- counter
- faraday cup
- amount
- implanted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 2次イオンが発生しても設定注入量と実注入
量の値に誤差を生じない注入イオン量計数装置を提供す
る。 【解決手段】 2次電子漏れ防止用電極4に2次イオン
カウンタ9を設け、2次イオンカウンタ9からイオン注
入量カウンタ5にフイードバックパス10を設けて、2
次電子7と2次イオン8の計数値をキャンセルし、イオ
ンビーム2のみの量が計数される。
量の値に誤差を生じない注入イオン量計数装置を提供す
る。 【解決手段】 2次電子漏れ防止用電極4に2次イオン
カウンタ9を設け、2次イオンカウンタ9からイオン注
入量カウンタ5にフイードバックパス10を設けて、2
次電子7と2次イオン8の計数値をキャンセルし、イオ
ンビーム2のみの量が計数される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は注入イオン量計数装
置に関し、詳しくは、半導体の製造過程において行なわ
れるイオン注入工程で用いられる注入イオン量計数装置
に関するものである。
置に関し、詳しくは、半導体の製造過程において行なわ
れるイオン注入工程で用いられる注入イオン量計数装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体の製造過程において、
真空中で半導体ウエハにイオンビームを照射してイオン
を注入する処理が行なわれており、このイオン注入処理
においては、ウエハに予定された数のイオンを正確に注
入する必要がある。そこで、イオン注入装置と並行して
注入イオン量を計数する、注入イオン量計数装置が一般
的に用いられている。この従来の注入イオン量計数装置
を一例として、図2に示し以下に構成と動作を説明す
る。
真空中で半導体ウエハにイオンビームを照射してイオン
を注入する処理が行なわれており、このイオン注入処理
においては、ウエハに予定された数のイオンを正確に注
入する必要がある。そこで、イオン注入装置と並行して
注入イオン量を計数する、注入イオン量計数装置が一般
的に用いられている。この従来の注入イオン量計数装置
を一例として、図2に示し以下に構成と動作を説明す
る。
【0003】図2において、ファラデーカップ3は円筒
カップ状で、そのカップ中央部でイオン源から照射され
るイオンビーム2を受けるイオン受容部3aを備え、フ
ァラデーカップ3の開口の周辺には、リング状の2次電
子漏れ防止用電極4が配置されている。そして、2次電
子漏れ防止用電極4は負バイアス電源6を介して、アー
スに接続されている。そして、ファラデーカップ3と接
地間には、イオン注入量カウンタ5が配置されている。
カップ状で、そのカップ中央部でイオン源から照射され
るイオンビーム2を受けるイオン受容部3aを備え、フ
ァラデーカップ3の開口の周辺には、リング状の2次電
子漏れ防止用電極4が配置されている。そして、2次電
子漏れ防止用電極4は負バイアス電源6を介して、アー
スに接続されている。そして、ファラデーカップ3と接
地間には、イオン注入量カウンタ5が配置されている。
【0004】この従来の注入イオン量計数装置において
は、イオン注入時に、スパッタ効果によって、2次電子
7(負電荷)、と2次イオン8(正電荷)が発生する。
そこで、2次電子7が外へ漏れない様にバイアス電源6
で2次電子漏れ防止用電極4を負電位にバイアスしてい
る。この効果で、ファラデーカップ3内で発生した2次
電子7は、ファラデーカップ3で捕捉される。
は、イオン注入時に、スパッタ効果によって、2次電子
7(負電荷)、と2次イオン8(正電荷)が発生する。
そこで、2次電子7が外へ漏れない様にバイアス電源6
で2次電子漏れ防止用電極4を負電位にバイアスしてい
る。この効果で、ファラデーカップ3内で発生した2次
電子7は、ファラデーカップ3で捕捉される。
【0005】一方、2次イオン8は正電荷であるので、
2次電子漏れ防止用電極4に捕捉されアースへ流出す
る。この結果、2次イオン8がイオン注入量カウンター
5の値を減算し、注入する予定のイオンビーム量である
設定値より小さい値の注入量を表示してしまうと云う欠
点があった。特にイオン種の違いにより、スパッタ率が
異なる為、2次イオンの発生量が異なり設定値と実際の
注入量の間の誤差を大きくする要因となっていた。
2次電子漏れ防止用電極4に捕捉されアースへ流出す
る。この結果、2次イオン8がイオン注入量カウンター
5の値を減算し、注入する予定のイオンビーム量である
設定値より小さい値の注入量を表示してしまうと云う欠
点があった。特にイオン種の違いにより、スパッタ率が
異なる為、2次イオンの発生量が異なり設定値と実際の
注入量の間の誤差を大きくする要因となっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、係る注入イオン量の計数装置の構造を改良して、設
定値と実際のイオン注入量の誤差を生じない注入イオン
量計数装置を提供することである。
は、係る注入イオン量の計数装置の構造を改良して、設
定値と実際のイオン注入量の誤差を生じない注入イオン
量計数装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに請求項1の発明に係る注入イオン量計数装置は、フ
ァラデーカップにイオン源から照射されるイオンビーム
を受けるイオン受容部を設け、ファラデーカップの開口
の周辺に2次電子漏れ防止用電極を配置し、2次電子漏
れ防止用電極を負バイアス電源、2次イオンカウンタを
介して、アースに接続し、ファラデーカップと接地間に
イオン注入量カウンタを配置し、2次イオンカウンタの
出力をイオン注入量カウンタにフィードバックするフィ
ードバックパスを設けて成る構成とし、ファラデーカッ
プ内で発生した2次電子は、2次電子漏れ防止用電極に
よってファラデーカップに戻される為、注入量に影響を
与えないが、一方2次イオンは、2次電子漏れ防止用電
極で捕捉され、注入量カウンタの計算値を減算してしま
うが、これは2次イオンカウンタで計数され、この計数
値はフィードバックパスを介してイオン注入量カウンタ
に加えられ、加算される。その結果、イオンビームのみ
の計数値をイオン注入量カウンタで計数させる。
めに請求項1の発明に係る注入イオン量計数装置は、フ
ァラデーカップにイオン源から照射されるイオンビーム
を受けるイオン受容部を設け、ファラデーカップの開口
の周辺に2次電子漏れ防止用電極を配置し、2次電子漏
れ防止用電極を負バイアス電源、2次イオンカウンタを
介して、アースに接続し、ファラデーカップと接地間に
イオン注入量カウンタを配置し、2次イオンカウンタの
出力をイオン注入量カウンタにフィードバックするフィ
ードバックパスを設けて成る構成とし、ファラデーカッ
プ内で発生した2次電子は、2次電子漏れ防止用電極に
よってファラデーカップに戻される為、注入量に影響を
与えないが、一方2次イオンは、2次電子漏れ防止用電
極で捕捉され、注入量カウンタの計算値を減算してしま
うが、これは2次イオンカウンタで計数され、この計数
値はフィードバックパスを介してイオン注入量カウンタ
に加えられ、加算される。その結果、イオンビームのみ
の計数値をイオン注入量カウンタで計数させる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図1を参照して、本発明の
注入イオン量計数装置の構造とその作用について説明す
る。
注入イオン量計数装置の構造とその作用について説明す
る。
【0009】図1は本発明に係る注入計数量計数装置の
概ね原理図である。本発明の注入イオン量計数装置1
は、ファラデーカップ3が円筒カップ状で、そのカップ
中央部でイオン源から照射されるイオンビーム2を受け
るイオン受容部3aを備え、ファラデーカップ3の開口
の周辺には、リング状の2次電子漏れ防止用電極4が配
置されている。そして、2次電子漏れ防止用電極4は負
バイアス電源6、2次イオンカウンタ9を介して、アー
スに接続されている。そして、ファラデーカップ3と接
地間には、イオン注入量カウンタ5が配置されている。
概ね原理図である。本発明の注入イオン量計数装置1
は、ファラデーカップ3が円筒カップ状で、そのカップ
中央部でイオン源から照射されるイオンビーム2を受け
るイオン受容部3aを備え、ファラデーカップ3の開口
の周辺には、リング状の2次電子漏れ防止用電極4が配
置されている。そして、2次電子漏れ防止用電極4は負
バイアス電源6、2次イオンカウンタ9を介して、アー
スに接続されている。そして、ファラデーカップ3と接
地間には、イオン注入量カウンタ5が配置されている。
【0010】そして、2次イオンカウンタ9の出力をフ
ィードバックパス10を通じて、イオン注入量カウンタ
5にフィードバックする様に構成している。
ィードバックパス10を通じて、イオン注入量カウンタ
5にフィードバックする様に構成している。
【0011】この構成により、ファラデーカップ3内で
発生した2次電子7は、ファラデーカップ3に戻され、
負電荷であるのでイオン注入量カウンタ5の計数値を減
算する。一方2次イオン8は、2次電子漏れ防止用電極
4で捕捉され、2次イオンカウンタ9で計数され、この
計数値はフィードバックパス10を介してイオン注入量
カウンタ5に加えられ加算される。その結果、イオンビ
ーム2のみの計数値をイオン注入量カウンタ5で計数す
ることができる。
発生した2次電子7は、ファラデーカップ3に戻され、
負電荷であるのでイオン注入量カウンタ5の計数値を減
算する。一方2次イオン8は、2次電子漏れ防止用電極
4で捕捉され、2次イオンカウンタ9で計数され、この
計数値はフィードバックパス10を介してイオン注入量
カウンタ5に加えられ加算される。その結果、イオンビ
ーム2のみの計数値をイオン注入量カウンタ5で計数す
ることができる。
【0012】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に注入イオン量計数装置によれば、2次電子、2次イオ
ンの影響を受けることなく、設定値通りのイオン量を正
確に計数することができる。
に注入イオン量計数装置によれば、2次電子、2次イオ
ンの影響を受けることなく、設定値通りのイオン量を正
確に計数することができる。
【図1】本発明の注入イオン量計数装置の原理図。
【図2】従来の注入イオン量計数装置の原理図。
1 本発明の注入イオン量計数装置 2 イオンビーム 3 ファラデーカップ 4 2次電子漏れ防止用電極 5 イオン注入量カウンタ 6 負バイアス電源 7 2次電子 8 2次イオン 9 2次イオンカウンタ 10 フィードバックパス 101 従来の注入イオン量計数装置
Claims (1)
- 【請求項1】 ファラデーカップにイオン源から照射さ
れるイオンビームを受けるイオン受容部を設け、 前記ファラデーカップの開口の周辺に2次電子漏れ防止
用電極を配置し、 前記2次電子漏れ防止用電極を負バイアス電源、2次イ
オンカウンタを介して、アースに接続し、 前記ファラデーカップと接地間にイオン注入量カウンタ
を配置し、 前記2次イオンカウンタの出力をイオン注入量カウンタ
にフィードバックするフィードバックパスを設けて成る
注入イオン量計数装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21712495A JPH0963979A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 注入イオン量計数装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21712495A JPH0963979A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 注入イオン量計数装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0963979A true JPH0963979A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16699235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21712495A Pending JPH0963979A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 注入イオン量計数装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0963979A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4817574B2 (ja) * | 1999-10-27 | 2011-11-16 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマ処理装置内の電流測定値から変位電流を除去するための方法及び装置 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21712495A patent/JPH0963979A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4817574B2 (ja) * | 1999-10-27 | 2011-11-16 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | プラズマ処理装置内の電流測定値から変位電流を除去するための方法及び装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0393141A (ja) | イオン注入装置 | |
US20050178981A1 (en) | Ion beam neutral detection | |
Friedrich et al. | The Rossendorf 3 MV tandetron: a new generation of high-energy implanters | |
JPH0963979A (ja) | 注入イオン量計数装置 | |
JP3414380B2 (ja) | イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置 | |
GB2343991A (en) | Method of monitoring Faraday cup operation in ion implantation apparatus for use in manufacturing semiconductors | |
TW527618B (en) | Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline | |
JPS62154544A (ja) | イオン処理装置 | |
JPH0740476B2 (ja) | 荷電ビ−ム電流測定機構 | |
JP2978191B2 (ja) | イオンビームの照射方法 | |
JP2616423B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP3399230B2 (ja) | イオン照射装置 | |
KR20070075932A (ko) | 이온주입기의 패러데이장치 및 그 패러데이 바이어스전압공급방법 | |
JPS61203553A (ja) | イオン注入装置 | |
KR0114868Y1 (ko) | 이온주입 장비 | |
KR100219401B1 (ko) | 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리 | |
JPH11307038A (ja) | 不純物遮断装置を備えるイオン注入装置 | |
JPH0773844A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH0754918Y2 (ja) | エレクトロンシャワー装置 | |
KR970008344B1 (ko) | 반도체 제조장비의 이온주입장치 | |
JPH03233849A (ja) | イオン注入機 | |
JPH01279560A (ja) | イオン処理装置 | |
KR100725094B1 (ko) | 이온주입시스템의 웨이퍼 이차전자 발생억제장치 | |
JPS63184256A (ja) | イオン注入装置 | |
JPS61288364A (ja) | イオン打ち込み方法 |