JPH0961838A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JPH0961838A JPH0961838A JP22087295A JP22087295A JPH0961838A JP H0961838 A JPH0961838 A JP H0961838A JP 22087295 A JP22087295 A JP 22087295A JP 22087295 A JP22087295 A JP 22087295A JP H0961838 A JPH0961838 A JP H0961838A
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- wiring board
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素エリア内の樹脂の盛り上がり部分を解消
し、取り出し電極の導通性を確保してアライメントマー
クを樹脂から保護し画素エリア内において平坦な配線基
板を得ることのできる製造方法の提供にある。 【解決手段】 メタル配線５０２からなる電極パターン
が形成された配線基板５０１の配線間に、型基板５０７
を用いて紫外線硬化樹脂５０８をプレス成型により充填
し平坦化するに際して、メタル配線５０２の側方にダミ
ー配線５０３を形成して、プレスによって生じる樹脂の
盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動させ、かつ
配線基板の画素エリアのみに紫外線５１１を照射して、
未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するようにし
た。
し、取り出し電極の導通性を確保してアライメントマー
クを樹脂から保護し画素エリア内において平坦な配線基
板を得ることのできる製造方法の提供にある。 【解決手段】 メタル配線５０２からなる電極パターン
が形成された配線基板５０１の配線間に、型基板５０７
を用いて紫外線硬化樹脂５０８をプレス成型により充填
し平坦化するに際して、メタル配線５０２の側方にダミ
ー配線５０３を形成して、プレスによって生じる樹脂の
盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動させ、かつ
配線基板の画素エリアのみに紫外線５１１を照射して、
未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するようにし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示パネルのため
の光学変調素子として用いる配線基板の製造方法に関
し、詳しくは走査電極群と信号電極群をマトリックス状
に構成し、その間に形成された画素部を選択的に変調さ
せることによって表示を行う表示素子の配線基板の製造
方法に関するものである。
の光学変調素子として用いる配線基板の製造方法に関
し、詳しくは走査電極群と信号電極群をマトリックス状
に構成し、その間に形成された画素部を選択的に変調さ
せることによって表示を行う表示素子の配線基板の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来用いられていた液晶表示素子用の電
極基板はガラス基板上にＩＴＯなどの透明電極を形成し
ていた。しかしながら、上記の透明電極では抵抗率が高
いため、表示面積の大型化、高精細化にともない素子パ
ネル内における電圧波形の遅延が問題となっていた。
極基板はガラス基板上にＩＴＯなどの透明電極を形成し
ていた。しかしながら、上記の透明電極では抵抗率が高
いため、表示面積の大型化、高精細化にともない素子パ
ネル内における電圧波形の遅延が問題となっていた。
【０００３】また、透明電極を厚く形成することも考え
られるが、成膜に時間・コストがかかり、かつ透明性が
悪くなる等の欠点があった。
られるが、成膜に時間・コストがかかり、かつ透明性が
悪くなる等の欠点があった。
【０００４】このような問題を解決するために、膜厚の
薄い透明電極に併設して金属からなる電極を形成するこ
とが行われていた（特開平２−６３０１９号）。
薄い透明電極に併設して金属からなる電極を形成するこ
とが行われていた（特開平２−６３０１９号）。
【０００５】これは、金属配線を透明な絶縁物で埋め込
み表面に金属パターンを露出した配線基板上に、ＩＴＯ
膜等の透明電極を形成したものである。
み表面に金属パターンを露出した配線基板上に、ＩＴＯ
膜等の透明電極を形成したものである。
【０００６】上記のような構成の基板を作製する時に、
金属配線間を埋める絶縁物として透明な樹脂を用いた発
明（特願平５−１５８１８２号）があった。
金属配線間を埋める絶縁物として透明な樹脂を用いた発
明（特願平５−１５８１８２号）があった。
【０００７】この製造方法を図８に示す。先ず、図８
（ａ）に示すように、平滑な型基板２０１の表面に紫外
線（ＵＶ）硬化型樹脂等のモノマー液２０２を所定量滴
下する。次に、図８（ｂ），（ｃ）に示すように、あら
かじめ金属配線パターン２０３が施された基板２０４
を、配線面が型基板２０１に向けて樹脂液２０２を挟む
ように接触させる。
（ａ）に示すように、平滑な型基板２０１の表面に紫外
線（ＵＶ）硬化型樹脂等のモノマー液２０２を所定量滴
下する。次に、図８（ｂ），（ｃ）に示すように、あら
かじめ金属配線パターン２０３が施された基板２０４
を、配線面が型基板２０１に向けて樹脂液２０２を挟む
ように接触させる。
【０００８】さらに、図８（ｄ）、図９（ａ）に示すよ
うに、型基板２０１と配線基板２０４をプレス機２０５
等で上下から圧力を加え全面にわたって密着させ、その
後、図９（ｂ）に示すように、ＵＶ光２０６をあてて硬
化させ、図９（ｃ）に示すように、型基板を離型して、
図９（ｄ）に示す金属配線埋め込み基板２０７を形成す
る。
うに、型基板２０１と配線基板２０４をプレス機２０５
等で上下から圧力を加え全面にわたって密着させ、その
後、図９（ｂ）に示すように、ＵＶ光２０６をあてて硬
化させ、図９（ｃ）に示すように、型基板を離型して、
図９（ｄ）に示す金属配線埋め込み基板２０７を形成す
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような製造方法
において、型基板と配線基板を加圧密着する工程で配線
端のところで樹脂が盛り上がるという問題が起こる場合
があった。
において、型基板と配線基板を加圧密着する工程で配線
端のところで樹脂が盛り上がるという問題が起こる場合
があった。
【００１０】このことを図を使って説明する。樹脂３０
２を挟んで型基板３０１と配線基板３０３を合わせる
と、図１０（ａ）に示すように、配線の厚さより高い所
まで樹脂が存在する。
２を挟んで型基板３０１と配線基板３０３を合わせる
と、図１０（ａ）に示すように、配線の厚さより高い所
まで樹脂が存在する。
【００１１】これに上下から圧力を加えると、図１０
（ｂ）に示すように、配線が広い範囲に渡って存在して
いるところでは、樹脂層の厚さと配線高さが同一になる
が、配線列に平行な端部で配線が途切れる付近では、配
線のない部分の型基板３０１がたわんで、樹脂が完全に
プレスされず配線端部にだけ樹脂の高さが配線より高く
なる部分３０４が生じることがあった。
（ｂ）に示すように、配線が広い範囲に渡って存在して
いるところでは、樹脂層の厚さと配線高さが同一になる
が、配線列に平行な端部で配線が途切れる付近では、配
線のない部分の型基板３０１がたわんで、樹脂が完全に
プレスされず配線端部にだけ樹脂の高さが配線より高く
なる部分３０４が生じることがあった。
【００１２】また、配線に垂直な終端部では、図１１に
示すように、取り出し電極３０５によって急激に配線が
太くなるためにプレスによって流動してきた樹脂が逃げ
場を失って、配線上に盛り上がり３０６を生じることも
あった。このような基板を用いて液晶セルを構成した場
合、画素エリア内にセルギャップむらが発生し、均一な
表示が行えないという問題があった。
示すように、取り出し電極３０５によって急激に配線が
太くなるためにプレスによって流動してきた樹脂が逃げ
場を失って、配線上に盛り上がり３０６を生じることも
あった。このような基板を用いて液晶セルを構成した場
合、画素エリア内にセルギャップむらが発生し、均一な
表示が行えないという問題があった。
【００１３】また、画素エリア周囲にある配線取り出し
電極やマスクアライメントマークにＵＶ樹脂が覆い被さ
り、導通不良を起こしたりアライメントが精密に行えな
い等の問題が起こることもあった。
電極やマスクアライメントマークにＵＶ樹脂が覆い被さ
り、導通不良を起こしたりアライメントが精密に行えな
い等の問題が起こることもあった。
【００１４】本発明の目的は、画素エリア内の樹脂の盛
り上がり部分を解消し、取り出し電極の導通性を確保
し、アライメントマークを樹脂から保護し画素エリア内
において平坦な配線基板を得ることのできる製造方法の
提供にある。
り上がり部分を解消し、取り出し電極の導通性を確保
し、アライメントマークを樹脂から保護し画素エリア内
において平坦な配線基板を得ることのできる製造方法の
提供にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係る配線基板の製造方法は、メタル配線か
らなる電極パターンが形成された配線基板の配線間に、
型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレス成型により充填
し平坦化し、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を
照射して、画素エリア外の未硬化の紫外線硬化樹脂を洗
浄除去するようにしたことを特徴としている。
め、本発明に係る配線基板の製造方法は、メタル配線か
らなる電極パターンが形成された配線基板の配線間に、
型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレス成型により充填
し平坦化し、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を
照射して、画素エリア外の未硬化の紫外線硬化樹脂を洗
浄除去するようにしたことを特徴としている。
【００１６】また、本発明に係る配線基板の製造方法
は、メタル配線からなる電極パターンが形成された配線
基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレ
ス成型により充填し平坦化する際に、プレスによって生
じる樹脂の盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動
させ、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を照射し
て、未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するように
したことを特徴としている。
は、メタル配線からなる電極パターンが形成された配線
基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレ
ス成型により充填し平坦化する際に、プレスによって生
じる樹脂の盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動
させ、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を照射し
て、未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するように
したことを特徴としている。
【００１７】本発明では、配線基板は、特に表示素子に
適用されるもので画素エリアとは例えば表示パネルの自
動光学変調を行う表示領域に担当する。
適用されるもので画素エリアとは例えば表示パネルの自
動光学変調を行う表示領域に担当する。
【００１８】〔作用〕本発明は、上述のように構成され
ているので、ＵＶ樹脂を用いたプレス成型の際に画素エ
リアの部分に生じるメタル配線上の樹脂の盛り上がり部
には、配線列に平行な配線終端部の基板のたわみによる
ものと、配線に垂直な終端部で取り出し電極によって急
激に配線が太くなるためにプレスにより流動してきた樹
脂が逃げ場を失って厚くなってしまうものがある。
ているので、ＵＶ樹脂を用いたプレス成型の際に画素エ
リアの部分に生じるメタル配線上の樹脂の盛り上がり部
には、配線列に平行な配線終端部の基板のたわみによる
ものと、配線に垂直な終端部で取り出し電極によって急
激に配線が太くなるためにプレスにより流動してきた樹
脂が逃げ場を失って厚くなってしまうものがある。
【００１９】本発明では、これらの部分を画素エリアか
ら周辺部へ移動させ未露光のまま洗浄除去するものであ
る。
ら周辺部へ移動させ未露光のまま洗浄除去するものであ
る。
【００２０】以下に図を用いて説明する。図１２は、液
晶表示装置に用いられる配線基板の平面図を模式的に示
したものである。このような形状に厚膜メタルを配線電
極としてパターニングした基板を、前述したようにＵＶ
硬化樹脂を使って配線段差を平坦化するために型基板と
配線基板を加圧密着すると、図１２（ａ）のＢ−Ｂ′線
による端面図である図１２（ｂ）に示すように、配線電
極に平行な方向では、基板のたわみによって配線電極の
列の端４０３の部分に、樹脂の盛り上がり４０５が発生
する。特に４０３の部分は表示画素領域内４０４で、液
晶のセルギャップが盛り上がり樹脂によって狭くなり表
示品質が低下する。
晶表示装置に用いられる配線基板の平面図を模式的に示
したものである。このような形状に厚膜メタルを配線電
極としてパターニングした基板を、前述したようにＵＶ
硬化樹脂を使って配線段差を平坦化するために型基板と
配線基板を加圧密着すると、図１２（ａ）のＢ−Ｂ′線
による端面図である図１２（ｂ）に示すように、配線電
極に平行な方向では、基板のたわみによって配線電極の
列の端４０３の部分に、樹脂の盛り上がり４０５が発生
する。特に４０３の部分は表示画素領域内４０４で、液
晶のセルギャップが盛り上がり樹脂によって狭くなり表
示品質が低下する。
【００２１】そこで、図１２（ｃ）に示すように、配線
電極列終端部に配線と同程度高さのダミー配線４０６を
配置して、樹脂の盛り上がり領域を４０６の部分へ移
し、画素領域内４０４の平坦性を確保する。そして、マ
スク４０８で画素エリア以外を遮光し画素領域内のみに
ＵＶ光４０９を照射し、画素周辺の樹脂は未硬化のまま
洗浄除去し、図１２（ｄ）に示すような画素領域のみに
ＵＶ硬化樹脂が充填された配線基板が得られる。
電極列終端部に配線と同程度高さのダミー配線４０６を
配置して、樹脂の盛り上がり領域を４０６の部分へ移
し、画素領域内４０４の平坦性を確保する。そして、マ
スク４０８で画素エリア以外を遮光し画素領域内のみに
ＵＶ光４０９を照射し、画素周辺の樹脂は未硬化のまま
洗浄除去し、図１２（ｄ）に示すような画素領域のみに
ＵＶ硬化樹脂が充填された配線基板が得られる。
【００２２】また、配線に垂直な終端部では、図１３に
示すように、取り出し電極によって急激に配線が太くな
るためにプレスにより流動してきた樹脂が逃げ場を失っ
て配線上に盛り上がり４１０が生じる。そこで、図１４
に示すように、取り出し電極の画素エリアに近い部分を
４１１のように補足して配線から引き延ばし盛り上がり
部４１２を画素エリアから外へ移動し、前述したのと同
様にマスクで遮光し未硬化のまま洗浄除去する。
示すように、取り出し電極によって急激に配線が太くな
るためにプレスにより流動してきた樹脂が逃げ場を失っ
て配線上に盛り上がり４１０が生じる。そこで、図１４
に示すように、取り出し電極の画素エリアに近い部分を
４１１のように補足して配線から引き延ばし盛り上がり
部４１２を画素エリアから外へ移動し、前述したのと同
様にマスクで遮光し未硬化のまま洗浄除去する。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図４を使って説明する。
〜図４を使って説明する。
【００２４】図１（ａ）に示すように、基板５０１上に
画素電極用の配線５０２と、それに平行な方向に隣接す
る部分に配線とほぼ同じ高さ（厚さ）のダミー配線５０
３を配置する。なお、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
による端面図である。
画素電極用の配線５０２と、それに平行な方向に隣接す
る部分に配線とほぼ同じ高さ（厚さ）のダミー配線５０
３を配置する。なお、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
による端面図である。
【００２５】このダミー配線５０３は画素電極５０２と
同一のプロセスで形成することが望ましいが、レジスト
等の物質で配線と別個に形成してもかまわない。
同一のプロセスで形成することが望ましいが、レジスト
等の物質で配線と別個に形成してもかまわない。
【００２６】ダミー配線５０３の形状は、図３に示す５
０５のような島状等でもかまわないが、埋め込み樹脂の
流動性を考慮すると配線と同様な帯状が望ましい。ダミ
ー配線の厚みは画素電極と同一であることが望ましい
が、ガラス基板の盃が生じない程度の差ならばかまわな
い。
０５のような島状等でもかまわないが、埋め込み樹脂の
流動性を考慮すると配線と同様な帯状が望ましい。ダミ
ー配線の厚みは画素電極と同一であることが望ましい
が、ガラス基板の盃が生じない程度の差ならばかまわな
い。
【００２７】ダミー配線は画素電極に隣接して、一般に
は１〜２０ｍｍ程度、望ましくは５〜１０ｍｍの幅に配
置する。配置の幅が２０ｍｍを越えてもかまわないが、
それ以下の場合と画素電極上の樹脂を平坦化するという
効果の点では特に差はない。
は１〜２０ｍｍ程度、望ましくは５〜１０ｍｍの幅に配
置する。配置の幅が２０ｍｍを越えてもかまわないが、
それ以下の場合と画素電極上の樹脂を平坦化するという
効果の点では特に差はない。
【００２８】また、配置の幅が１ｍｍ以下では、圧力を
加えて樹脂を平坦化する際に起きる基板のたわみを吸収
できず、画素電極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしま
う可能性もある。
加えて樹脂を平坦化する際に起きる基板のたわみを吸収
できず、画素電極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしま
う可能性もある。
【００２９】一方、配線に垂直な終端部の取り出し電極
５０４付近では、図２に示すように、取り出し電極の画
素エリアに近い部分を５０６のように細くして配線から
引き延ばし、流動してきた樹脂を逃がす部分を設ける。
この画素電極からの細いひきだし配線部は、一般には１
〜２０ｍｍ程度、望ましくは５〜１５ｍｍ、最適には７
〜１２ｍｍの長さに配置する。長さは２０ｍｍを越えて
もかまわないが、それ以下の場合と画素電極上の樹脂を
平坦化するという効果の点では特に差はない。
５０４付近では、図２に示すように、取り出し電極の画
素エリアに近い部分を５０６のように細くして配線から
引き延ばし、流動してきた樹脂を逃がす部分を設ける。
この画素電極からの細いひきだし配線部は、一般には１
〜２０ｍｍ程度、望ましくは５〜１５ｍｍ、最適には７
〜１２ｍｍの長さに配置する。長さは２０ｍｍを越えて
もかまわないが、それ以下の場合と画素電極上の樹脂を
平坦化するという効果の点では特に差はない。
【００３０】また、長さが１ｍｍ以下では、流動してき
た樹脂を細い引出し部にため込むことができず、画素電
極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしまう。
た樹脂を細い引出し部にため込むことができず、画素電
極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしまう。
【００３１】そしてまず、図４（ａ）に示すように、基
板５０１に樹脂の密着を良くするためにシランカップリ
ング剤で表面処理を行う。次に、この基板５０１を、配
線面が型基板５０７に向けて平坦化用の埋め込み樹脂の
液５０８を挟むように接触させる。この際、型基板５０
７としては金属、ガラス、セラミック、合成樹脂等を用
いることが可能で、基板５０１としてはガラス、セラミ
ック、樹脂等の透明性のものを用いることができる。
板５０１に樹脂の密着を良くするためにシランカップリ
ング剤で表面処理を行う。次に、この基板５０１を、配
線面が型基板５０７に向けて平坦化用の埋め込み樹脂の
液５０８を挟むように接触させる。この際、型基板５０
７としては金属、ガラス、セラミック、合成樹脂等を用
いることが可能で、基板５０１としてはガラス、セラミ
ック、樹脂等の透明性のものを用いることができる。
【００３２】また、埋め込み樹脂５０８としてはエポキ
シ系、アクリル系等の紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂のモノ
マーを用いることができる。樹脂液５０８は、型基板５
０７、配線基板５０１のどちらの上に先に滴下してあっ
ても良い。
シ系、アクリル系等の紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂のモノ
マーを用いることができる。樹脂液５０８は、型基板５
０７、配線基板５０１のどちらの上に先に滴下してあっ
ても良い。
【００３３】次に、図４（ｂ）に示すように、型基板５
０７と配線基板５０１をプレス機５０９等で上下から圧
力を加え全面にわたって密着させる。
０７と配線基板５０１をプレス機５０９等で上下から圧
力を加え全面にわたって密着させる。
【００３４】その後、図４（ｃ）に示すように、マスク
５１０で画素領域以外の部分を遮光してＵＶ光５１１を
当てて硬化させ、型基板を離型して画素部以外の未硬化
の樹脂を洗浄除去して、図４（ｄ）に示すような金属配
線埋め込み基板５１２を形成する。なお、画素領域以外
の部分のシランカップリング剤を除去しておくと、マス
クの隙間からの漏れ光で半硬化した樹脂も容易に洗浄で
きる。
５１０で画素領域以外の部分を遮光してＵＶ光５１１を
当てて硬化させ、型基板を離型して画素部以外の未硬化
の樹脂を洗浄除去して、図４（ｄ）に示すような金属配
線埋め込み基板５１２を形成する。なお、画素領域以外
の部分のシランカップリング剤を除去しておくと、マス
クの隙間からの漏れ光で半硬化した樹脂も容易に洗浄で
きる。
【００３５】本発明による表面平坦化基板は、特に液晶
表示装置において有効であるが、用途はこれに限られる
ものではなく、マトリックス駆動を用いた表示装置全般
に応用可能であることは言うまでもない。
表示装置において有効であるが、用途はこれに限られる
ものではなく、マトリックス駆動を用いた表示装置全般
に応用可能であることは言うまでもない。
【００３６】
（実施例１）図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明による実施
例のプロセスを模式的に示したものである。１００ｍｍ
□のガラス基板６０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍの
Ｃｒパターンを１００μｍピッチで画素配線６０２とし
て形成し、その配線に平行な両端に１００μｍ離して、
１０μｍ幅で厚み２μｍのダミー配線６０３を１００μ
ｍピッチで１００本、同一のプロセスで形成した。ま
た、取り出し配線部は画素電極から８ｍｍを配線電極と
同じ太さにした。
例のプロセスを模式的に示したものである。１００ｍｍ
□のガラス基板６０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍの
Ｃｒパターンを１００μｍピッチで画素配線６０２とし
て形成し、その配線に平行な両端に１００μｍ離して、
１０μｍ幅で厚み２μｍのダミー配線６０３を１００μ
ｍピッチで１００本、同一のプロセスで形成した。ま
た、取り出し配線部は画素電極から８ｍｍを配線電極と
同じ太さにした。
【００３７】この基板にＵＶ照射オゾン処理を５分間行
った後、シランカップリング剤としてＡ−１７４（日本
ユニカー（株））とエチルアルコールを１：４に混合し
たもの（図示せず）をスピンコートし１００℃、２０分
熱処理を行い密着処理を施した。
った後、シランカップリング剤としてＡ−１７４（日本
ユニカー（株））とエチルアルコールを１：４に混合し
たもの（図示せず）をスピンコートし１００℃、２０分
熱処理を行い密着処理を施した。
【００３８】基板６０１上にディスペンサー６０４を使
って、アクリル系ＵＶ硬化樹脂（ペンタエリストールト
リアクリレート：ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン＝５
０：５０：２）６０５を滴下した。
って、アクリル系ＵＶ硬化樹脂（ペンタエリストールト
リアクリレート：ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン＝５
０：５０：２）６０５を滴下した。
【００３９】ガラスを型基板６０６として、ＵＶ硬化樹
脂６０５を挟んで配線基板６０１と密着させ、プレス機
６０７によって２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を３分間加え
た。
脂６０５を挟んで配線基板６０１と密着させ、プレス機
６０７によって２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を３分間加え
た。
【００４０】プレス機から取り出した後、画素エリア以
外はマスク６０８で遮光した後、中心波長３６５ｎｍの
ＵＶ光（光強度２００ｍＪ／ｃｍ2 ）を照射し、ＵＶ硬
化樹脂６０５を光硬化した。
外はマスク６０８で遮光した後、中心波長３６５ｎｍの
ＵＶ光（光強度２００ｍＪ／ｃｍ2 ）を照射し、ＵＶ硬
化樹脂６０５を光硬化した。
【００４１】離型治具を用いて配線基板６０１から型基
板６０６を離型し、イソプロパノール溶液中で超音波洗
浄し未硬化のＵＶ硬化樹脂を除去し、金属配線埋め込み
基板６０９を作製した。この基板はアライメントマーク
の視認性が良く、ＩＴＯ膜のパターンニングやセル組時
の合わせは非常に容易であった。
板６０６を離型し、イソプロパノール溶液中で超音波洗
浄し未硬化のＵＶ硬化樹脂を除去し、金属配線埋め込み
基板６０９を作製した。この基板はアライメントマーク
の視認性が良く、ＩＴＯ膜のパターンニングやセル組時
の合わせは非常に容易であった。
【００４２】この基板６０９上にＩＴＯ膜、配向膜等を
形成した後、２枚を対向してギャップ材を挟んでセル組
し液晶を注入し、１．５μｍのギャップを持った液晶表
示装置を作製したところ、画素エリアの全域にわたって
均一なセルギャップが得られていた。また、取り出し電
極にＩＣ実装を行ったが、導通不良は０．５％であっ
た。
形成した後、２枚を対向してギャップ材を挟んでセル組
し液晶を注入し、１．５μｍのギャップを持った液晶表
示装置を作製したところ、画素エリアの全域にわたって
均一なセルギャップが得られていた。また、取り出し電
極にＩＣ実装を行ったが、導通不良は０．５％であっ
た。
【００４３】（比較例）本発明の比較例を図６を用いて
示す。ガラス基板７０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＣｒパターン１００μｍピッチで画素配線７０２とし
て形成し、実施例１とは異なってダミー配線は設けず、
シランカップリング処理以下ではＵＶ照射時の遮光以外
は実施例１と同様の工程を経てセルギャップ１．５μｍ
のギャップを持った液晶表示装置を作製したところ、図
６（ｂ）のように画素表示エリアの周囲５ｍｍ幅の領域
７０３が、セルギャップが狭くなった為に黄色に着色し
てしまった。また、ＩＣの実装時に８％の導通不良が発
生した。
示す。ガラス基板７０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＣｒパターン１００μｍピッチで画素配線７０２とし
て形成し、実施例１とは異なってダミー配線は設けず、
シランカップリング処理以下ではＵＶ照射時の遮光以外
は実施例１と同様の工程を経てセルギャップ１．５μｍ
のギャップを持った液晶表示装置を作製したところ、図
６（ｂ）のように画素表示エリアの周囲５ｍｍ幅の領域
７０３が、セルギャップが狭くなった為に黄色に着色し
てしまった。また、ＩＣの実装時に８％の導通不良が発
生した。
【００４４】（実施例２）１００ｍｍ□のガラス基板上
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成し、その際に配線に平行
な両端に５００μｍ離して、１５μｍ幅で厚み２μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで２０本、同一のプロセ
スで形成した。また、取り出し配線部は画素電極から１
０ｍｍを配線電極と同じ太さにした。
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成し、その際に配線に平行
な両端に５００μｍ離して、１５μｍ幅で厚み２μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで２０本、同一のプロセ
スで形成した。また、取り出し配線部は画素電極から１
０ｍｍを配線電極と同じ太さにした。
【００４５】この基板にＵＶ照射オゾン処理を５分間行
った後、シランカップリング剤としてＡ−１７４（ユニ
カー（株））とイソプロピルアルコールを１：１０に混
合したものをスピンコートした。そして、熱処理を施す
前に画素領域以外についたシランカップリング剤を拭き
取った。この後、１００℃、２０分間熱処理を行い密着
処理を施した。
った後、シランカップリング剤としてＡ−１７４（ユニ
カー（株））とイソプロピルアルコールを１：１０に混
合したものをスピンコートした。そして、熱処理を施す
前に画素領域以外についたシランカップリング剤を拭き
取った。この後、１００℃、２０分間熱処理を行い密着
処理を施した。
【００４６】シランカップリング剤の熱処理以下は実施
例１と同様の工程を経てセルギャップ１．５μｍのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。また、取り出し電極にＩＣ実装を行ったが、導通不
良は０％であった。
例１と同様の工程を経てセルギャップ１．５μｍのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。また、取り出し電極にＩＣ実装を行ったが、導通不
良は０％であった。
【００４７】（実施例３）図７に示すように、１００ｍ
ｍ□のガラス基板８０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＭｏパターンを１００μｍピッチで画素配線８０２と
して形成し、その際に配線に平行な両端に３００μｍ離
して、２００μｍ幅で長さ１０ｍｍ、厚み２μｍの島状
のダミー配線８０３を画素配線に平行な方向に３００μ
ｍ間隔で８コ、垂直な方向に２コ並べた配置に同一のプ
ロセスで形成した。また、取り出し配線部は画素電極か
ら５ｍｍを配線電極と同じ太さにした。
ｍ□のガラス基板８０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＭｏパターンを１００μｍピッチで画素配線８０２と
して形成し、その際に配線に平行な両端に３００μｍ離
して、２００μｍ幅で長さ１０ｍｍ、厚み２μｍの島状
のダミー配線８０３を画素配線に平行な方向に３００μ
ｍ間隔で８コ、垂直な方向に２コ並べた配置に同一のプ
ロセスで形成した。また、取り出し配線部は画素電極か
ら５ｍｍを配線電極と同じ太さにした。
【００４８】シランカップリング処理以下は実施例１と
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
【００４９】（実施例４）１００ｍｍ□のガラス基板上
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に３００μｍ離して、２０μｍ幅で厚み１μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで１０本、フォトレジス
トを用いて形成した。また、取り出し配線部は画素電極
から１５ｍｍを配線電極と同じ太さにしたシランカップ
リング処理以下は実施例１と同様の工程を経てセルギャ
ップ２．１μｍのギャップを持った液晶表示装置を作製
したところ、画素エリアの全域にわたって均一なセルギ
ャップが得られていた。
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に３００μｍ離して、２０μｍ幅で厚み１μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで１０本、フォトレジス
トを用いて形成した。また、取り出し配線部は画素電極
から１５ｍｍを配線電極と同じ太さにしたシランカップ
リング処理以下は実施例１と同様の工程を経てセルギャ
ップ２．１μｍのギャップを持った液晶表示装置を作製
したところ、画素エリアの全域にわたって均一なセルギ
ャップが得られていた。
【００５０】（実施例５）１００ｍｍ□のガラス基板上
に、１０μｍ幅で厚み４μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に１ｍｍ離して、４ｍｍ幅で長さ２０ｍｍ、厚み
４．３μｍのＡｕの箔でできた島状のダミー配線を配線
に平行な方向に１０ｍｍ間隔で３コ、垂直な方向に１コ
並べた配置に転写法で形成した。また、取り出し配線部
は画素電極から１０ｍｍを配線電極と同じ太さにした。
に、１０μｍ幅で厚み４μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に１ｍｍ離して、４ｍｍ幅で長さ２０ｍｍ、厚み
４．３μｍのＡｕの箔でできた島状のダミー配線を配線
に平行な方向に１０ｍｍ間隔で３コ、垂直な方向に１コ
並べた配置に転写法で形成した。また、取り出し配線部
は画素電極から１０ｍｍを配線電極と同じ太さにした。
【００５１】シランカップリング処理以下は実施例１と
同様の工程を経てセルギャップ２．１マイクロｍのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。
同様の工程を経てセルギャップ２．１マイクロｍのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂を用いて埋め込み
配線を平坦化する際に表示画素領域で均一な表面がで
き、特に液晶表示装置に適用するとセルギャップむらの
ない高品位な画像を得ることが出来る。
配線を平坦化する際に表示画素領域で均一な表面がで
き、特に液晶表示装置に適用するとセルギャップむらの
ない高品位な画像を得ることが出来る。
【００５３】また、取り出し電極等にに樹脂が付着せ
ず、ＩＣ実装時に良好な導通性が得られるとともに、ア
ライメントマークの視認性も良く、精密なマスク合わせ
が可能となる。
ず、ＩＣ実装時に良好な導通性が得られるとともに、ア
ライメントマークの視認性も良く、精密なマスク合わせ
が可能となる。
【００５４】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示した図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線による端
面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線による端
面図である。
【００５６】
【図２】図１（ａ）のＣ−Ｃ′線による端面図である。
【００５７】
【図３】他の実施の形態を示した図である。
【００５８】
【図４】本配線基板の製造工程を説明する図である。
【００５９】
【図５】配線基板の製造工程の実施例を示す図である。
【００６０】
【図６】比較例による配線基板の図である。
【００６１】
【図７】他の実施例の配線基板の平面図である。
【００６２】
【図８】配線基板の製造工程を示す図である。
【００６３】
【図９】同じく図８の続きである。
【００６４】
【図１０】従来の配線基板の問題点を説明するための図
である。
である。
【００６５】
【図１１】取り出し電極側の問題点を説明する図であ
る。
る。
【００６６】
【図１２】従来の配線基板の課題を解決するための解決
原理を示す図である。
原理を示す図である。
【００６７】
【図１３】図１２（ａ）のＤ−Ｄ′線による端面図で、
取り出し電極近傍の問題点を説明する図である。
取り出し電極近傍の問題点を説明する図である。
【００６８】
【図１４】図１３で示す問題点の解決方法を説明する図
である。
である。
【００６９】
５０１ 配線基板 ５０２ メタル配線 ５０３ ダミー配線 ５０４ ダミー配線 ５０５ 型基板 ５０６ 紫外線硬化樹脂 ５０７ プレス機
Claims (2)
- 【請求項１】 メタル配線からなる電極パターンが形成
された配線基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化
樹脂をプレス成型により充填し平坦化し、かつ配線基板
の画素エリアのみに紫外線を照射して、画素エリア外の
未硬化の紫外線硬化樹脂を洗浄除去するようにしたこと
を特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 メタル配線からなる電極パターンが形成
された配線基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化
樹脂をプレス成型により充填し平坦化する際に、プレス
によって生じる樹脂の盛り上がり部を画素エリアから周
辺部に移動させ、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外
線を照射して、未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去
するようにしたことを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22087295A JP3279460B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
| US08/704,140 US5905558A (en) | 1995-08-29 | 1996-08-28 | Circuit plate, process for producing same and liquid crystal device including same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22087295A JP3279460B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961838A true JPH0961838A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3279460B2 JP3279460B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16757867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22087295A Expired - Fee Related JP3279460B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279460B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
| US6603528B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| KR100760540B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-09-20 | 주식회사 나래나노텍 | 자외선을 이용한 패턴 전극 본딩 장치 |
| JP2009128917A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 保護プレートで覆われる電子ディスプレイ装置を製造するための方法 |
| US7633588B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-12-15 | Au Optronics Corp. | Fringe field switching LCD having smectic liquid crystal and utilizing alternate current squared wave driving voltage |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP22087295A patent/JP3279460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603528B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
| US6756087B2 (en) | 1998-12-25 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor |
| US7633588B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-12-15 | Au Optronics Corp. | Fringe field switching LCD having smectic liquid crystal and utilizing alternate current squared wave driving voltage |
| KR100760540B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-09-20 | 주식회사 나래나노텍 | 자외선을 이용한 패턴 전극 본딩 장치 |
| JP2009128917A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 保護プレートで覆われる電子ディスプレイ装置を製造するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3279460B2 (ja) | 2002-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |