JPH0961838A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0961838A JPH0961838A JP22087295A JP22087295A JPH0961838A JP H0961838 A JPH0961838 A JP H0961838A JP 22087295 A JP22087295 A JP 22087295A JP 22087295 A JP22087295 A JP 22087295A JP H0961838 A JPH0961838 A JP H0961838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- resin
- wiring board
- pixel area
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素エリア内の樹脂の盛り上がり部分を解消
し、取り出し電極の導通性を確保してアライメントマー
クを樹脂から保護し画素エリア内において平坦な配線基
板を得ることのできる製造方法の提供にある。 【解決手段】 メタル配線502からなる電極パターン
が形成された配線基板501の配線間に、型基板507
を用いて紫外線硬化樹脂508をプレス成型により充填
し平坦化するに際して、メタル配線502の側方にダミ
ー配線503を形成して、プレスによって生じる樹脂の
盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動させ、かつ
配線基板の画素エリアのみに紫外線511を照射して、
未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するようにし
た。
し、取り出し電極の導通性を確保してアライメントマー
クを樹脂から保護し画素エリア内において平坦な配線基
板を得ることのできる製造方法の提供にある。 【解決手段】 メタル配線502からなる電極パターン
が形成された配線基板501の配線間に、型基板507
を用いて紫外線硬化樹脂508をプレス成型により充填
し平坦化するに際して、メタル配線502の側方にダミ
ー配線503を形成して、プレスによって生じる樹脂の
盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動させ、かつ
配線基板の画素エリアのみに紫外線511を照射して、
未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するようにし
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示パネルのため
の光学変調素子として用いる配線基板の製造方法に関
し、詳しくは走査電極群と信号電極群をマトリックス状
に構成し、その間に形成された画素部を選択的に変調さ
せることによって表示を行う表示素子の配線基板の製造
方法に関するものである。
の光学変調素子として用いる配線基板の製造方法に関
し、詳しくは走査電極群と信号電極群をマトリックス状
に構成し、その間に形成された画素部を選択的に変調さ
せることによって表示を行う表示素子の配線基板の製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来用いられていた液晶表示素子用の電
極基板はガラス基板上にITOなどの透明電極を形成し
ていた。しかしながら、上記の透明電極では抵抗率が高
いため、表示面積の大型化、高精細化にともない素子パ
ネル内における電圧波形の遅延が問題となっていた。
極基板はガラス基板上にITOなどの透明電極を形成し
ていた。しかしながら、上記の透明電極では抵抗率が高
いため、表示面積の大型化、高精細化にともない素子パ
ネル内における電圧波形の遅延が問題となっていた。
【0003】また、透明電極を厚く形成することも考え
られるが、成膜に時間・コストがかかり、かつ透明性が
悪くなる等の欠点があった。
られるが、成膜に時間・コストがかかり、かつ透明性が
悪くなる等の欠点があった。
【0004】このような問題を解決するために、膜厚の
薄い透明電極に併設して金属からなる電極を形成するこ
とが行われていた(特開平2−63019号)。
薄い透明電極に併設して金属からなる電極を形成するこ
とが行われていた(特開平2−63019号)。
【0005】これは、金属配線を透明な絶縁物で埋め込
み表面に金属パターンを露出した配線基板上に、ITO
膜等の透明電極を形成したものである。
み表面に金属パターンを露出した配線基板上に、ITO
膜等の透明電極を形成したものである。
【0006】上記のような構成の基板を作製する時に、
金属配線間を埋める絶縁物として透明な樹脂を用いた発
明(特願平5−158182号)があった。
金属配線間を埋める絶縁物として透明な樹脂を用いた発
明(特願平5−158182号)があった。
【0007】この製造方法を図8に示す。先ず、図8
(a)に示すように、平滑な型基板201の表面に紫外
線(UV)硬化型樹脂等のモノマー液202を所定量滴
下する。次に、図8(b),(c)に示すように、あら
かじめ金属配線パターン203が施された基板204
を、配線面が型基板201に向けて樹脂液202を挟む
ように接触させる。
(a)に示すように、平滑な型基板201の表面に紫外
線(UV)硬化型樹脂等のモノマー液202を所定量滴
下する。次に、図8(b),(c)に示すように、あら
かじめ金属配線パターン203が施された基板204
を、配線面が型基板201に向けて樹脂液202を挟む
ように接触させる。
【0008】さらに、図8(d)、図9(a)に示すよ
うに、型基板201と配線基板204をプレス機205
等で上下から圧力を加え全面にわたって密着させ、その
後、図9(b)に示すように、UV光206をあてて硬
化させ、図9(c)に示すように、型基板を離型して、
図9(d)に示す金属配線埋め込み基板207を形成す
る。
うに、型基板201と配線基板204をプレス機205
等で上下から圧力を加え全面にわたって密着させ、その
後、図9(b)に示すように、UV光206をあてて硬
化させ、図9(c)に示すように、型基板を離型して、
図9(d)に示す金属配線埋め込み基板207を形成す
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のような製造方法
において、型基板と配線基板を加圧密着する工程で配線
端のところで樹脂が盛り上がるという問題が起こる場合
があった。
において、型基板と配線基板を加圧密着する工程で配線
端のところで樹脂が盛り上がるという問題が起こる場合
があった。
【0010】このことを図を使って説明する。樹脂30
2を挟んで型基板301と配線基板303を合わせる
と、図10(a)に示すように、配線の厚さより高い所
まで樹脂が存在する。
2を挟んで型基板301と配線基板303を合わせる
と、図10(a)に示すように、配線の厚さより高い所
まで樹脂が存在する。
【0011】これに上下から圧力を加えると、図10
(b)に示すように、配線が広い範囲に渡って存在して
いるところでは、樹脂層の厚さと配線高さが同一になる
が、配線列に平行な端部で配線が途切れる付近では、配
線のない部分の型基板301がたわんで、樹脂が完全に
プレスされず配線端部にだけ樹脂の高さが配線より高く
なる部分304が生じることがあった。
(b)に示すように、配線が広い範囲に渡って存在して
いるところでは、樹脂層の厚さと配線高さが同一になる
が、配線列に平行な端部で配線が途切れる付近では、配
線のない部分の型基板301がたわんで、樹脂が完全に
プレスされず配線端部にだけ樹脂の高さが配線より高く
なる部分304が生じることがあった。
【0012】また、配線に垂直な終端部では、図11に
示すように、取り出し電極305によって急激に配線が
太くなるためにプレスによって流動してきた樹脂が逃げ
場を失って、配線上に盛り上がり306を生じることも
あった。このような基板を用いて液晶セルを構成した場
合、画素エリア内にセルギャップむらが発生し、均一な
表示が行えないという問題があった。
示すように、取り出し電極305によって急激に配線が
太くなるためにプレスによって流動してきた樹脂が逃げ
場を失って、配線上に盛り上がり306を生じることも
あった。このような基板を用いて液晶セルを構成した場
合、画素エリア内にセルギャップむらが発生し、均一な
表示が行えないという問題があった。
【0013】また、画素エリア周囲にある配線取り出し
電極やマスクアライメントマークにUV樹脂が覆い被さ
り、導通不良を起こしたりアライメントが精密に行えな
い等の問題が起こることもあった。
電極やマスクアライメントマークにUV樹脂が覆い被さ
り、導通不良を起こしたりアライメントが精密に行えな
い等の問題が起こることもあった。
【0014】本発明の目的は、画素エリア内の樹脂の盛
り上がり部分を解消し、取り出し電極の導通性を確保
し、アライメントマークを樹脂から保護し画素エリア内
において平坦な配線基板を得ることのできる製造方法の
提供にある。
り上がり部分を解消し、取り出し電極の導通性を確保
し、アライメントマークを樹脂から保護し画素エリア内
において平坦な配線基板を得ることのできる製造方法の
提供にある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係る配線基板の製造方法は、メタル配線か
らなる電極パターンが形成された配線基板の配線間に、
型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレス成型により充填
し平坦化し、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を
照射して、画素エリア外の未硬化の紫外線硬化樹脂を洗
浄除去するようにしたことを特徴としている。
め、本発明に係る配線基板の製造方法は、メタル配線か
らなる電極パターンが形成された配線基板の配線間に、
型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレス成型により充填
し平坦化し、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を
照射して、画素エリア外の未硬化の紫外線硬化樹脂を洗
浄除去するようにしたことを特徴としている。
【0016】また、本発明に係る配線基板の製造方法
は、メタル配線からなる電極パターンが形成された配線
基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレ
ス成型により充填し平坦化する際に、プレスによって生
じる樹脂の盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動
させ、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を照射し
て、未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するように
したことを特徴としている。
は、メタル配線からなる電極パターンが形成された配線
基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化樹脂をプレ
ス成型により充填し平坦化する際に、プレスによって生
じる樹脂の盛り上がり部を画素エリアから周辺部に移動
させ、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外線を照射し
て、未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去するように
したことを特徴としている。
【0017】本発明では、配線基板は、特に表示素子に
適用されるもので画素エリアとは例えば表示パネルの自
動光学変調を行う表示領域に担当する。
適用されるもので画素エリアとは例えば表示パネルの自
動光学変調を行う表示領域に担当する。
【0018】〔作用〕本発明は、上述のように構成され
ているので、UV樹脂を用いたプレス成型の際に画素エ
リアの部分に生じるメタル配線上の樹脂の盛り上がり部
には、配線列に平行な配線終端部の基板のたわみによる
ものと、配線に垂直な終端部で取り出し電極によって急
激に配線が太くなるためにプレスにより流動してきた樹
脂が逃げ場を失って厚くなってしまうものがある。
ているので、UV樹脂を用いたプレス成型の際に画素エ
リアの部分に生じるメタル配線上の樹脂の盛り上がり部
には、配線列に平行な配線終端部の基板のたわみによる
ものと、配線に垂直な終端部で取り出し電極によって急
激に配線が太くなるためにプレスにより流動してきた樹
脂が逃げ場を失って厚くなってしまうものがある。
【0019】本発明では、これらの部分を画素エリアか
ら周辺部へ移動させ未露光のまま洗浄除去するものであ
る。
ら周辺部へ移動させ未露光のまま洗浄除去するものであ
る。
【0020】以下に図を用いて説明する。図12は、液
晶表示装置に用いられる配線基板の平面図を模式的に示
したものである。このような形状に厚膜メタルを配線電
極としてパターニングした基板を、前述したようにUV
硬化樹脂を使って配線段差を平坦化するために型基板と
配線基板を加圧密着すると、図12(a)のB−B′線
による端面図である図12(b)に示すように、配線電
極に平行な方向では、基板のたわみによって配線電極の
列の端403の部分に、樹脂の盛り上がり405が発生
する。特に403の部分は表示画素領域内404で、液
晶のセルギャップが盛り上がり樹脂によって狭くなり表
示品質が低下する。
晶表示装置に用いられる配線基板の平面図を模式的に示
したものである。このような形状に厚膜メタルを配線電
極としてパターニングした基板を、前述したようにUV
硬化樹脂を使って配線段差を平坦化するために型基板と
配線基板を加圧密着すると、図12(a)のB−B′線
による端面図である図12(b)に示すように、配線電
極に平行な方向では、基板のたわみによって配線電極の
列の端403の部分に、樹脂の盛り上がり405が発生
する。特に403の部分は表示画素領域内404で、液
晶のセルギャップが盛り上がり樹脂によって狭くなり表
示品質が低下する。
【0021】そこで、図12(c)に示すように、配線
電極列終端部に配線と同程度高さのダミー配線406を
配置して、樹脂の盛り上がり領域を406の部分へ移
し、画素領域内404の平坦性を確保する。そして、マ
スク408で画素エリア以外を遮光し画素領域内のみに
UV光409を照射し、画素周辺の樹脂は未硬化のまま
洗浄除去し、図12(d)に示すような画素領域のみに
UV硬化樹脂が充填された配線基板が得られる。
電極列終端部に配線と同程度高さのダミー配線406を
配置して、樹脂の盛り上がり領域を406の部分へ移
し、画素領域内404の平坦性を確保する。そして、マ
スク408で画素エリア以外を遮光し画素領域内のみに
UV光409を照射し、画素周辺の樹脂は未硬化のまま
洗浄除去し、図12(d)に示すような画素領域のみに
UV硬化樹脂が充填された配線基板が得られる。
【0022】また、配線に垂直な終端部では、図13に
示すように、取り出し電極によって急激に配線が太くな
るためにプレスにより流動してきた樹脂が逃げ場を失っ
て配線上に盛り上がり410が生じる。そこで、図14
に示すように、取り出し電極の画素エリアに近い部分を
411のように補足して配線から引き延ばし盛り上がり
部412を画素エリアから外へ移動し、前述したのと同
様にマスクで遮光し未硬化のまま洗浄除去する。
示すように、取り出し電極によって急激に配線が太くな
るためにプレスにより流動してきた樹脂が逃げ場を失っ
て配線上に盛り上がり410が生じる。そこで、図14
に示すように、取り出し電極の画素エリアに近い部分を
411のように補足して配線から引き延ばし盛り上がり
部412を画素エリアから外へ移動し、前述したのと同
様にマスクで遮光し未硬化のまま洗浄除去する。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図4を使って説明する。
〜図4を使って説明する。
【0024】図1(a)に示すように、基板501上に
画素電極用の配線502と、それに平行な方向に隣接す
る部分に配線とほぼ同じ高さ(厚さ)のダミー配線50
3を配置する。なお、図1(b)は(a)のA−A′線
による端面図である。
画素電極用の配線502と、それに平行な方向に隣接す
る部分に配線とほぼ同じ高さ(厚さ)のダミー配線50
3を配置する。なお、図1(b)は(a)のA−A′線
による端面図である。
【0025】このダミー配線503は画素電極502と
同一のプロセスで形成することが望ましいが、レジスト
等の物質で配線と別個に形成してもかまわない。
同一のプロセスで形成することが望ましいが、レジスト
等の物質で配線と別個に形成してもかまわない。
【0026】ダミー配線503の形状は、図3に示す5
05のような島状等でもかまわないが、埋め込み樹脂の
流動性を考慮すると配線と同様な帯状が望ましい。ダミ
ー配線の厚みは画素電極と同一であることが望ましい
が、ガラス基板の盃が生じない程度の差ならばかまわな
い。
05のような島状等でもかまわないが、埋め込み樹脂の
流動性を考慮すると配線と同様な帯状が望ましい。ダミ
ー配線の厚みは画素電極と同一であることが望ましい
が、ガラス基板の盃が生じない程度の差ならばかまわな
い。
【0027】ダミー配線は画素電極に隣接して、一般に
は1〜20mm程度、望ましくは5〜10mmの幅に配
置する。配置の幅が20mmを越えてもかまわないが、
それ以下の場合と画素電極上の樹脂を平坦化するという
効果の点では特に差はない。
は1〜20mm程度、望ましくは5〜10mmの幅に配
置する。配置の幅が20mmを越えてもかまわないが、
それ以下の場合と画素電極上の樹脂を平坦化するという
効果の点では特に差はない。
【0028】また、配置の幅が1mm以下では、圧力を
加えて樹脂を平坦化する際に起きる基板のたわみを吸収
できず、画素電極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしま
う可能性もある。
加えて樹脂を平坦化する際に起きる基板のたわみを吸収
できず、画素電極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしま
う可能性もある。
【0029】一方、配線に垂直な終端部の取り出し電極
504付近では、図2に示すように、取り出し電極の画
素エリアに近い部分を506のように細くして配線から
引き延ばし、流動してきた樹脂を逃がす部分を設ける。
この画素電極からの細いひきだし配線部は、一般には1
〜20mm程度、望ましくは5〜15mm、最適には7
〜12mmの長さに配置する。長さは20mmを越えて
もかまわないが、それ以下の場合と画素電極上の樹脂を
平坦化するという効果の点では特に差はない。
504付近では、図2に示すように、取り出し電極の画
素エリアに近い部分を506のように細くして配線から
引き延ばし、流動してきた樹脂を逃がす部分を設ける。
この画素電極からの細いひきだし配線部は、一般には1
〜20mm程度、望ましくは5〜15mm、最適には7
〜12mmの長さに配置する。長さは20mmを越えて
もかまわないが、それ以下の場合と画素電極上の樹脂を
平坦化するという効果の点では特に差はない。
【0030】また、長さが1mm以下では、流動してき
た樹脂を細い引出し部にため込むことができず、画素電
極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしまう。
た樹脂を細い引出し部にため込むことができず、画素電
極領域に樹脂の盛り上がりを生じてしまう。
【0031】そしてまず、図4(a)に示すように、基
板501に樹脂の密着を良くするためにシランカップリ
ング剤で表面処理を行う。次に、この基板501を、配
線面が型基板507に向けて平坦化用の埋め込み樹脂の
液508を挟むように接触させる。この際、型基板50
7としては金属、ガラス、セラミック、合成樹脂等を用
いることが可能で、基板501としてはガラス、セラミ
ック、樹脂等の透明性のものを用いることができる。
板501に樹脂の密着を良くするためにシランカップリ
ング剤で表面処理を行う。次に、この基板501を、配
線面が型基板507に向けて平坦化用の埋め込み樹脂の
液508を挟むように接触させる。この際、型基板50
7としては金属、ガラス、セラミック、合成樹脂等を用
いることが可能で、基板501としてはガラス、セラミ
ック、樹脂等の透明性のものを用いることができる。
【0032】また、埋め込み樹脂508としてはエポキ
シ系、アクリル系等の紫外線(UV)硬化型樹脂のモノ
マーを用いることができる。樹脂液508は、型基板5
07、配線基板501のどちらの上に先に滴下してあっ
ても良い。
シ系、アクリル系等の紫外線(UV)硬化型樹脂のモノ
マーを用いることができる。樹脂液508は、型基板5
07、配線基板501のどちらの上に先に滴下してあっ
ても良い。
【0033】次に、図4(b)に示すように、型基板5
07と配線基板501をプレス機509等で上下から圧
力を加え全面にわたって密着させる。
07と配線基板501をプレス機509等で上下から圧
力を加え全面にわたって密着させる。
【0034】その後、図4(c)に示すように、マスク
510で画素領域以外の部分を遮光してUV光511を
当てて硬化させ、型基板を離型して画素部以外の未硬化
の樹脂を洗浄除去して、図4(d)に示すような金属配
線埋め込み基板512を形成する。なお、画素領域以外
の部分のシランカップリング剤を除去しておくと、マス
クの隙間からの漏れ光で半硬化した樹脂も容易に洗浄で
きる。
510で画素領域以外の部分を遮光してUV光511を
当てて硬化させ、型基板を離型して画素部以外の未硬化
の樹脂を洗浄除去して、図4(d)に示すような金属配
線埋め込み基板512を形成する。なお、画素領域以外
の部分のシランカップリング剤を除去しておくと、マス
クの隙間からの漏れ光で半硬化した樹脂も容易に洗浄で
きる。
【0035】本発明による表面平坦化基板は、特に液晶
表示装置において有効であるが、用途はこれに限られる
ものではなく、マトリックス駆動を用いた表示装置全般
に応用可能であることは言うまでもない。
表示装置において有効であるが、用途はこれに限られる
ものではなく、マトリックス駆動を用いた表示装置全般
に応用可能であることは言うまでもない。
【0036】
(実施例1)図5(a)〜(f)は、本発明による実施
例のプロセスを模式的に示したものである。100mm
□のガラス基板601上に、10μm幅で厚み2μmの
Crパターンを100μmピッチで画素配線602とし
て形成し、その配線に平行な両端に100μm離して、
10μm幅で厚み2μmのダミー配線603を100μ
mピッチで100本、同一のプロセスで形成した。ま
た、取り出し配線部は画素電極から8mmを配線電極と
同じ太さにした。
例のプロセスを模式的に示したものである。100mm
□のガラス基板601上に、10μm幅で厚み2μmの
Crパターンを100μmピッチで画素配線602とし
て形成し、その配線に平行な両端に100μm離して、
10μm幅で厚み2μmのダミー配線603を100μ
mピッチで100本、同一のプロセスで形成した。ま
た、取り出し配線部は画素電極から8mmを配線電極と
同じ太さにした。
【0037】この基板にUV照射オゾン処理を5分間行
った後、シランカップリング剤としてA−174(日本
ユニカー(株))とエチルアルコールを1:4に混合し
たもの(図示せず)をスピンコートし100℃、20分
熱処理を行い密着処理を施した。
った後、シランカップリング剤としてA−174(日本
ユニカー(株))とエチルアルコールを1:4に混合し
たもの(図示せず)をスピンコートし100℃、20分
熱処理を行い密着処理を施した。
【0038】基板601上にディスペンサー604を使
って、アクリル系UV硬化樹脂(ペンタエリストールト
リアクリレート:ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト:1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン=5
0:50:2)605を滴下した。
って、アクリル系UV硬化樹脂(ペンタエリストールト
リアクリレート:ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト:1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン=5
0:50:2)605を滴下した。
【0039】ガラスを型基板606として、UV硬化樹
脂605を挟んで配線基板601と密着させ、プレス機
607によって20kg/cm2 の圧力を3分間加え
た。
脂605を挟んで配線基板601と密着させ、プレス機
607によって20kg/cm2 の圧力を3分間加え
た。
【0040】プレス機から取り出した後、画素エリア以
外はマスク608で遮光した後、中心波長365nmの
UV光(光強度200mJ/cm2 )を照射し、UV硬
化樹脂605を光硬化した。
外はマスク608で遮光した後、中心波長365nmの
UV光(光強度200mJ/cm2 )を照射し、UV硬
化樹脂605を光硬化した。
【0041】離型治具を用いて配線基板601から型基
板606を離型し、イソプロパノール溶液中で超音波洗
浄し未硬化のUV硬化樹脂を除去し、金属配線埋め込み
基板609を作製した。この基板はアライメントマーク
の視認性が良く、ITO膜のパターンニングやセル組時
の合わせは非常に容易であった。
板606を離型し、イソプロパノール溶液中で超音波洗
浄し未硬化のUV硬化樹脂を除去し、金属配線埋め込み
基板609を作製した。この基板はアライメントマーク
の視認性が良く、ITO膜のパターンニングやセル組時
の合わせは非常に容易であった。
【0042】この基板609上にITO膜、配向膜等を
形成した後、2枚を対向してギャップ材を挟んでセル組
し液晶を注入し、1.5μmのギャップを持った液晶表
示装置を作製したところ、画素エリアの全域にわたって
均一なセルギャップが得られていた。また、取り出し電
極にIC実装を行ったが、導通不良は0.5%であっ
た。
形成した後、2枚を対向してギャップ材を挟んでセル組
し液晶を注入し、1.5μmのギャップを持った液晶表
示装置を作製したところ、画素エリアの全域にわたって
均一なセルギャップが得られていた。また、取り出し電
極にIC実装を行ったが、導通不良は0.5%であっ
た。
【0043】(比較例)本発明の比較例を図6を用いて
示す。ガラス基板701上に、10μm幅で厚み2μm
のCrパターン100μmピッチで画素配線702とし
て形成し、実施例1とは異なってダミー配線は設けず、
シランカップリング処理以下ではUV照射時の遮光以外
は実施例1と同様の工程を経てセルギャップ1.5μm
のギャップを持った液晶表示装置を作製したところ、図
6(b)のように画素表示エリアの周囲5mm幅の領域
703が、セルギャップが狭くなった為に黄色に着色し
てしまった。また、ICの実装時に8%の導通不良が発
生した。
示す。ガラス基板701上に、10μm幅で厚み2μm
のCrパターン100μmピッチで画素配線702とし
て形成し、実施例1とは異なってダミー配線は設けず、
シランカップリング処理以下ではUV照射時の遮光以外
は実施例1と同様の工程を経てセルギャップ1.5μm
のギャップを持った液晶表示装置を作製したところ、図
6(b)のように画素表示エリアの周囲5mm幅の領域
703が、セルギャップが狭くなった為に黄色に着色し
てしまった。また、ICの実装時に8%の導通不良が発
生した。
【0044】(実施例2)100mm□のガラス基板上
に、10μm幅で厚み2μmのCrパターンを100μ
mピッチで画素配線として形成し、その際に配線に平行
な両端に500μm離して、15μm幅で厚み2μmの
ダミー配線を300μmピッチで20本、同一のプロセ
スで形成した。また、取り出し配線部は画素電極から1
0mmを配線電極と同じ太さにした。
に、10μm幅で厚み2μmのCrパターンを100μ
mピッチで画素配線として形成し、その際に配線に平行
な両端に500μm離して、15μm幅で厚み2μmの
ダミー配線を300μmピッチで20本、同一のプロセ
スで形成した。また、取り出し配線部は画素電極から1
0mmを配線電極と同じ太さにした。
【0045】この基板にUV照射オゾン処理を5分間行
った後、シランカップリング剤としてA−174(ユニ
カー(株))とイソプロピルアルコールを1:10に混
合したものをスピンコートした。そして、熱処理を施す
前に画素領域以外についたシランカップリング剤を拭き
取った。この後、100℃、20分間熱処理を行い密着
処理を施した。
った後、シランカップリング剤としてA−174(ユニ
カー(株))とイソプロピルアルコールを1:10に混
合したものをスピンコートした。そして、熱処理を施す
前に画素領域以外についたシランカップリング剤を拭き
取った。この後、100℃、20分間熱処理を行い密着
処理を施した。
【0046】シランカップリング剤の熱処理以下は実施
例1と同様の工程を経てセルギャップ1.5μmのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。また、取り出し電極にIC実装を行ったが、導通不
良は0%であった。
例1と同様の工程を経てセルギャップ1.5μmのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。また、取り出し電極にIC実装を行ったが、導通不
良は0%であった。
【0047】(実施例3)図7に示すように、100m
m□のガラス基板801上に、10μm幅で厚み2μm
のMoパターンを100μmピッチで画素配線802と
して形成し、その際に配線に平行な両端に300μm離
して、200μm幅で長さ10mm、厚み2μmの島状
のダミー配線803を画素配線に平行な方向に300μ
m間隔で8コ、垂直な方向に2コ並べた配置に同一のプ
ロセスで形成した。また、取り出し配線部は画素電極か
ら5mmを配線電極と同じ太さにした。
m□のガラス基板801上に、10μm幅で厚み2μm
のMoパターンを100μmピッチで画素配線802と
して形成し、その際に配線に平行な両端に300μm離
して、200μm幅で長さ10mm、厚み2μmの島状
のダミー配線803を画素配線に平行な方向に300μ
m間隔で8コ、垂直な方向に2コ並べた配置に同一のプ
ロセスで形成した。また、取り出し配線部は画素電極か
ら5mmを配線電極と同じ太さにした。
【0048】シランカップリング処理以下は実施例1と
同様の工程を経てセルギャップ2.1μmのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
同様の工程を経てセルギャップ2.1μmのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
【0049】(実施例4)100mm□のガラス基板上
に、10μm幅で厚み2μmのCrパターンを100μ
mピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に300μm離して、20μm幅で厚み1μmの
ダミー配線を300μmピッチで10本、フォトレジス
トを用いて形成した。また、取り出し配線部は画素電極
から15mmを配線電極と同じ太さにしたシランカップ
リング処理以下は実施例1と同様の工程を経てセルギャ
ップ2.1μmのギャップを持った液晶表示装置を作製
したところ、画素エリアの全域にわたって均一なセルギ
ャップが得られていた。
に、10μm幅で厚み2μmのCrパターンを100μ
mピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に300μm離して、20μm幅で厚み1μmの
ダミー配線を300μmピッチで10本、フォトレジス
トを用いて形成した。また、取り出し配線部は画素電極
から15mmを配線電極と同じ太さにしたシランカップ
リング処理以下は実施例1と同様の工程を経てセルギャ
ップ2.1μmのギャップを持った液晶表示装置を作製
したところ、画素エリアの全域にわたって均一なセルギ
ャップが得られていた。
【0050】(実施例5)100mm□のガラス基板上
に、10μm幅で厚み4μmのCrパターンを100μ
mピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に1mm離して、4mm幅で長さ20mm、厚み
4.3μmのAuの箔でできた島状のダミー配線を配線
に平行な方向に10mm間隔で3コ、垂直な方向に1コ
並べた配置に転写法で形成した。また、取り出し配線部
は画素電極から10mmを配線電極と同じ太さにした。
に、10μm幅で厚み4μmのCrパターンを100μ
mピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に1mm離して、4mm幅で長さ20mm、厚み
4.3μmのAuの箔でできた島状のダミー配線を配線
に平行な方向に10mm間隔で3コ、垂直な方向に1コ
並べた配置に転写法で形成した。また、取り出し配線部
は画素電極から10mmを配線電極と同じ太さにした。
【0051】シランカップリング処理以下は実施例1と
同様の工程を経てセルギャップ2.1マイクロmのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。
同様の工程を経てセルギャップ2.1マイクロmのギャ
ップを持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリ
アの全域にわたって均一なセルギャップが得られてい
た。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂を用いて埋め込み
配線を平坦化する際に表示画素領域で均一な表面がで
き、特に液晶表示装置に適用するとセルギャップむらの
ない高品位な画像を得ることが出来る。
配線を平坦化する際に表示画素領域で均一な表面がで
き、特に液晶表示装置に適用するとセルギャップむらの
ない高品位な画像を得ることが出来る。
【0053】また、取り出し電極等にに樹脂が付着せ
ず、IC実装時に良好な導通性が得られるとともに、ア
ライメントマークの視認性も良く、精密なマスク合わせ
が可能となる。
ず、IC実装時に良好な導通性が得られるとともに、ア
ライメントマークの視認性も良く、精密なマスク合わせ
が可能となる。
【0054】
【0055】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示した図で、
(a)は平面図、(b)は(a)のA−A′線による端
面図である。
(a)は平面図、(b)は(a)のA−A′線による端
面図である。
【0056】
【図2】図1(a)のC−C′線による端面図である。
【0057】
【図3】他の実施の形態を示した図である。
【0058】
【図4】本配線基板の製造工程を説明する図である。
【0059】
【図5】配線基板の製造工程の実施例を示す図である。
【0060】
【図6】比較例による配線基板の図である。
【0061】
【図7】他の実施例の配線基板の平面図である。
【0062】
【図8】配線基板の製造工程を示す図である。
【0063】
【図9】同じく図8の続きである。
【0064】
【図10】従来の配線基板の問題点を説明するための図
である。
である。
【0065】
【図11】取り出し電極側の問題点を説明する図であ
る。
る。
【0066】
【図12】従来の配線基板の課題を解決するための解決
原理を示す図である。
原理を示す図である。
【0067】
【図13】図12(a)のD−D′線による端面図で、
取り出し電極近傍の問題点を説明する図である。
取り出し電極近傍の問題点を説明する図である。
【0068】
【図14】図13で示す問題点の解決方法を説明する図
である。
である。
【0069】
501 配線基板 502 メタル配線 503 ダミー配線 504 ダミー配線 505 型基板 506 紫外線硬化樹脂 507 プレス機
Claims (2)
- 【請求項1】 メタル配線からなる電極パターンが形成
された配線基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化
樹脂をプレス成型により充填し平坦化し、かつ配線基板
の画素エリアのみに紫外線を照射して、画素エリア外の
未硬化の紫外線硬化樹脂を洗浄除去するようにしたこと
を特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項2】 メタル配線からなる電極パターンが形成
された配線基板の配線間に、型基板を用いて紫外線硬化
樹脂をプレス成型により充填し平坦化する際に、プレス
によって生じる樹脂の盛り上がり部を画素エリアから周
辺部に移動させ、かつ配線基板の画素エリアのみに紫外
線を照射して、未硬化の樹脂の盛り上がり部を洗浄除去
するようにしたことを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22087295A JP3279460B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
US08/704,140 US5905558A (en) | 1995-08-29 | 1996-08-28 | Circuit plate, process for producing same and liquid crystal device including same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22087295A JP3279460B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0961838A true JPH0961838A (ja) | 1997-03-07 |
JP3279460B2 JP3279460B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16757867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22087295A Expired - Fee Related JP3279460B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3279460B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
US6603528B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
KR100760540B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-09-20 | 주식회사 나래나노텍 | 자외선을 이용한 패턴 전극 본딩 장치 |
JP2009128917A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 保護プレートで覆われる電子ディスプレイ装置を製造するための方法 |
US7633588B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-12-15 | Au Optronics Corp. | Fringe field switching LCD having smectic liquid crystal and utilizing alternate current squared wave driving voltage |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP22087295A patent/JP3279460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6603528B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
US6756087B2 (en) | 1998-12-25 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor |
US7633588B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-12-15 | Au Optronics Corp. | Fringe field switching LCD having smectic liquid crystal and utilizing alternate current squared wave driving voltage |
KR100760540B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-09-20 | 주식회사 나래나노텍 | 자외선을 이용한 패턴 전극 본딩 장치 |
JP2009128917A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 保護プレートで覆われる電子ディスプレイ装置を製造するための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3279460B2 (ja) | 2002-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101063816B (zh) | 抗蚀剂成分、形成抗蚀剂图案的方法、基板及其制造方法 | |
US6023318A (en) | Electrode plate, process for producing the plate, liquid crystal device including the plate and process for producing the device | |
US7858014B2 (en) | Apparatus for fabricating flat panel display device method of fabricating the same and method of fabricating flat panel display device using the same | |
KR20020081562A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US5905558A (en) | Circuit plate, process for producing same and liquid crystal device including same | |
US5909266A (en) | Process and apparatus for producing electrode plate and process for producing liquid crystal device including the plate | |
KR101152142B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
JP3279460B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
CN105058771B (zh) | 制造液晶显示器件的方法 | |
JP3423495B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP3187742B2 (ja) | 配線基板の製造方法、液晶素子の製造方法、及び配線基板の製造装置 | |
KR101026085B1 (ko) | 액정표시장치용 액정패널 및 그 제조 방법 | |
JP3689529B2 (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
KR101009748B1 (ko) | 배향막 인쇄용 스템퍼 및 이의 제조 방법 | |
US6388728B1 (en) | Electrode plate, process for producing the plate, liquid crystal device including same and process for producing the device | |
JP2882376B2 (ja) | 液晶パネルの封孔方法 | |
JPH1049080A (ja) | 配線基板、配線基板の製造方法、該配線基板を用いた液晶素子及び該液晶素子の製造方法 | |
JP3242017B2 (ja) | 電極基板、その製造方法、該電極基板を用いた液晶素子、及びその製造方法 | |
KR101384625B1 (ko) | 액정표시장치용 기판 및 그 제조 방법 | |
JPH08334755A (ja) | 液晶表示装置用電極基板の製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 | |
JPH03123320A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH05265012A (ja) | 液晶電気光学装置の製造方法 | |
KR100870001B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
JPH06338541A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
KR20050034900A (ko) | 액정표시장치용 액정패널 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |