JPH0957970A - 液体噴射記録ヘッド用基体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 消費電力は少なくし発生エネルギーを効率よ
くインクに伝達し噴射させる。 【構成】 発熱抵抗体１４０の発熱部１５０の部分に設
けた開口部１７０以外の基体表面および電力供給膜１３
０上面に保護膜１２０を設け、この保護膜１２０の上面
および開口部１７０部分の発熱抵抗体１４０の表面に保
護膜１２１を設け、そして保護膜１２１の表面に最表面
保護膜１１０を設けた液体噴射記録ヘッド用基体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電気熱変換素子と記録用
機能素子を基板上に形成した液体噴射記録ヘッド用基
体、およびこの液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法に
関し、特に、複写機，ファクシミリ，ワードプロセッ
サ，ホストコンピュータの出力用プリンタ，ビデオ出力
用プリンタ等に用いられるインクジェット記録装置に採
用される記録ヘッドおよび記録ヘッドの製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】液体噴射記録法（インクジェット記録
法）は、記録時における騒音の発生が無視し得る程度に
極めて小さく、高速記録が可能であり、しかも所謂普通
紙に定着という特別な処理を必要とせずに記録の行える
点において関心を集めている。

【０００３】その中で、例えば特開昭５４−５１８３７
号公報，ドイツ公開（ＤＯＬＳ）第２８４３０６４号公
報に記載されている液体噴射記録法は、熱エネルギーを
液体に作用させて、液滴吐出の為の原動力を得るという
点において、他の液体噴射記録法とは、異なる特徴を有
している。

【０００４】即ち、上記の公報に開示されている記録法
は、熱エネルギーの作用を受けた液体が急峻な体積の増
大を伴う状態変化を起こし、該状態変化に基づく作用力
によって、記録ヘッド部先端のオリフィスより液体が吐
出され飛翔的液滴が形成され、該液滴が被記録部材に付
着し記録が行われるという特徴がある。

【０００５】特に、ＤＯＬＳ ２８４３０６４号公報に
開示されている液体噴射記録法は、所謂ｄｒｏｐ−ｏｎ
ｄｅｍａｎｄ記録法に極めて有効に適用されるばかり
ではなく、記録ヘッド部をｆｕｌｌ ｌｉｎｅタイプで
高密度マルチオリフィス化した記録ヘッドが容易に具現
化出来るので、高解像度，高品質の画像を高速で得られ
るという特徴を有している。

【０００６】上記の記録法が適用される記録装置の記録
ヘッド部は、液体を吐出するために設けられたオリフィ
スと、該オリフィスに連通し、液滴を吐出するための熱
エネルギーが液体に作用する部分である熱作用部を構成
の一部とする液流路とを有する液吐出部と、熱エネルギ
ーを発生する手段としての電気熱変換体とを具備してい
る。

【０００７】そして、この電気熱変換体は、一対の電極
と、これらの電極に接続し、これらの電極間に発熱する
領域（熱発生部）を有する発熱抵抗層とを具備してい
る。上記一対の電極は、一般に、選択電極と共通電極と
からなり、これら電極間に通電することにより上記した
オリフィスから液滴を吐出するための熱エネルギーが前
記熱発生部より発生される。

【０００８】これらの熱発生部上及び少なくとも記録ヘ
ッド内の液体が流れるもしくは滞留する領域下に設けら
れた電極上には、通常、保護層が設けられている。この
保護層は、電極及び熱発生部を形成している発熱抵抗層
を、それらの上部にある液体から化学的，物理的に保護
すると共に、その液体を通じて起こる前記電極間の短絡
及び同種電極、殊に選択電極間のリークを防止し、更に
液体と電極とが接触し、これに通電することによって起
こる電極の電触を防止するために設けられている。

【０００９】上記保護層は、設けられる場所によって要
求される特性が各々異なり、例えば熱発生部上において
は、耐熱性，耐液性，液浸透防止性，熱伝導
性，酸化防止性，絶縁性、及び耐破傷性に優れて
いることが要求され、熱発生部以外の領域においては熱
的条件では緩和されるが液浸透防止性，耐液性，絶縁性
及び耐破傷性には充分優れていることが要求される。

【００１０】しかしながら、上記の〜の特性の総て
を所望通りに満足する保護膜を一層のみで、しかも熱発
生部上及び電極上のすべてを覆うことができる単一の保
護層用材料は、今のところなく、実際の記録ヘッドにお
いては、その設けられる場所によって要求される特性を
互いに補い合う種々の材料を選択し、それらの材料から
なる複数の層で保護層を形成させている。この様な多層
からなる保護層では、新たに、積層された各重なり合う
層の間の接着力が十分に強く、記録ヘッドの製造過程及
び実際の使用期間にわたって、層間での剥離や浮き上が
りなどの接着力の低下による故障が生じないことが要求
される。

【００１１】他方、これらとは別に、マルチオリフィス
化タイプの液体噴射記録ヘッドの場合には、基板上に多
数の微細な電気熱変換体を同時に形成するために、製造
過程において、基板上では各層の形成と、形成された層
の一部除去の繰返しが行われ、保護層が形成される段階
では、保護層の形成されるその裏面はスラップウェッヂ
部（段差部）のある微細な凹凸状となっているので、こ
の段差部における保護層の被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅ
ｒａｇｅ性）が重要となっている。即ち、この段差部の
被覆性が悪いと、その部分で液体の浸透が起こり、電触
或は電気的絶縁破壊を起こす誘因となる。また、形成さ
れる保護層がその製造法上において欠陥部の生ずる確率
が少なくない場合には、その欠陥部を通じて、液体の浸
透が起こり、電気熱変換体の寿命を著しく低下させる要
因となっている。

【００１２】これらの理由から、保護層は、段差部にお
ける被覆性が良好であること、形成される層にピンホー
ル等の欠陥の発生する確率が低く、発生しても実用上無
視し得る程度、或はそれ以上に少ないことが更に要求さ
れる。

【００１３】特に熱作用面においては、一秒間に数千回
の高温と低温の間の激しい温度変化のサイクルが繰り返
される過酷な条件下にあると共に、熱作用面上の液体
は、高温時には気化し液体中に気泡を生じさせ液流路内
の圧力を高め、また温度の低下に伴って気化した液体が
凝縮して気泡が消滅するに従って液流路内の圧力が低下
するという圧力変化が繰り返され、これらによって生じ
る機械的ストレスが常に加えられている。このため、少
なくとも発熱部上面を覆う様に設けられる保護層は、特
に機械的ストレスに対する耐衝撃性と保護層を構成する
複数の層間の接着性が優れていることが要求される。

【００１４】図５は、従来の記録ヘッド用基板の発熱部
付近を示す模式断面図および平面図である。

【００１５】従来、保護層としては、先に記した保護層
として要求される諸特性を満たす組合わせとして、誘電
体膜とＴａ膜との積層膜が用いられてきた。図５には上
記した構成の保護膜５１０，５２０、発熱抵抗層５４０
及び配線層５３０により形成した電気熱変換体（発熱
部）５５０付近における積層構造が示してある。

【００１６】図５に示す構造は基板５６０上に発熱抵抗
層５４０，配線層５３０を連続して堆積した後、配線層
５３０，発熱抵抗層５４０を順次フォトリソグラフィー
法によりパターニングして発熱部５５０を形成した後、
保護層５１０，５２０を連続して堆積することによって
形成される。

【００１７】この時、保護層５１０にはＴａ膜が、保護
層５２０にはＳｉＯ，ＳｉＮ等の誘電体膜が用いられ
る。図５に示す構造では保護層５２０を介して導電性の
Ｔａからなる保護膜５１０と配線層５３０が接近するた
め、保護膜５１０と配線層５３０との間の短絡を防ぐ観
点から保護層５２０の膜厚は通常１μｍ程度が必要とさ
れる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、発熱部５５０
から発生する熱エネルギーを効率よく液体５００に伝え
るためには、発熱部５５０の直上にある保護膜５２０は
できる限り薄くすることが望ましい。従って発熱部５５
０の直上にある保護膜５２０のみを薄くしその他の部分
の保護膜５２０は厚くする構造とすれば、発熱部５５０
より発生する熱を液体５００を発泡させるエネルギーと
して用いる際の効率を高めることができる。

【００１９】しかし、上記構造を形成するために必要な
加工特性を備え、かつ記録ヘッドの材質として十分な性
質を持った保護膜及び発熱抵抗体の組み合わせ及びプロ
セスは見出されていなかった。

【００２０】本発明は上記した記録ヘッド用基体の構成
上の問題点を解消するために成されたもので、消費電力
は少なく、発生熱エネルギーを効率よく液体に伝達して
噴射させることができる液体噴射記録ヘッド用基体及び
その製造方法を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】このため、本発明に係る
液体噴射記録ヘッド用基体及びその製造方法は、 （１）複数の電気熱変換素子と該電気熱変換素子にそれ
ぞれ接続する複数の配線電極とを基体上に設けた液体噴
射記録ヘッド用基体において、基体表面の少なくとも前
記電気熱変換素子の発熱部の直上の領域に第一の保護膜
を設け、かつ該発熱部上の一部に開口部を有し該発熱部
以外の領域が前記開口部から露出しないように形成した
第二の保護膜をも設けたことを特徴とする液体噴射記録
ヘッド用基体。

【００２２】（２）第一の保護膜が窒化珪素，酸化珪
素，酸化窒化珪素又はリンガラスからなることを特徴と
する上記（１）記載の液体噴射記録ヘッド用基体。

【００２３】（３）第一の保護膜の膜厚が０．１μｍ以
上であることを特徴とする上記（１）記載の液体噴射記
録ヘッド用基板、 （４）第二の保護膜が酸化珪素，酸化窒化珪素又はリン
ガラスであることを特徴とする上記（１）記載の液体噴
射記録ヘッド用基体、 （５）電気熱変換素子の発熱部が窒化タンタルであるこ
とを特徴とする上記（１）記載の液体噴射記録ヘッド用
基体。

【００２４】（６）複数の電気熱変換素子と該電気熱変
換素子にそれぞれ接続する複数の配線電極とを基体上に
設けた記録ヘッド用基体において、基体表面の電気熱変
換素子の下層に絶縁膜を設け、少なくとも該電気熱変換
素子の発熱部の直上の領域に第一の保護膜を設け、かつ
該発熱部及び発熱部の周辺の前記絶縁膜の表面がそれぞ
れ露出するように形成した第二の保護膜を設けたことを
特徴とする液体噴射記録ヘッド用基体。

【００２５】（７）絶縁膜が窒化珪素からなることを特
徴とする上記（６）記載の液体噴射記録ヘッド用基体、 （８）第一の保護膜が窒化珪素，酸化珪素，酸化窒化珪
素又はリンガラスからなることを特徴とする上記（６）
記載の液体噴射記録ヘッド用基体、 （９）第一の保護膜の膜厚が０．１μｍ以上であること
を特徴とする上記（６）記載の液体噴射記録ヘッド用基
体、 （１０）第二の保護膜が酸化珪素，酸化窒化珪素又はリ
ンガラスであることを特徴とする上記（６）記載の液体
噴射記録ヘッド用基体、 （１１）電気熱変換素子の発熱部が窒化タンタルである
ことを特徴とする上記（６）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体、 （１２）第二の保護膜が前記配線電極上を少なくとも覆
っていることを特徴とする上記（６）記載の液体噴射記
録ヘッド用基体。

【００２６】（１３）基体表面に発熱抵抗体層と配線層
とを連続成膜する工程，フォトリソグラフィー法を用い
て前記配線層及び前記発熱抵抗体層をそれぞれ所望の形
状にパターニングすることにより発熱部を形成する工
程，基体全面に第一保護膜を形成しフォトリソグラフィ
ー法により前記発熱抵抗体層の前記発熱部直上に位置す
る前記第一の保護膜にのみ開口部を形成し前記発熱抵抗
体層を露出させる工程，基体表面全面に第二の保護膜を
形成する工程とを有することを特徴とする液体噴射記録
ヘッド用基体の製造方法。

【００２７】（１４）第一の保護膜が酸化珪素，酸化窒
化珪素又はリンガラスであることを特徴とする上記（１
３）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法、 （１５）発熱抵抗体層の発熱部が窒化タンタルであるこ
とを特徴とする上記（１３）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体の製造方法、 （１６）第一の保護膜に前記開口部を形成するために用
いるエッチング液がフッ化水素を含むことを特徴とする
上記（１３）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方
法、 （１７）第一の保護膜に前記開口部を形成するために用
いるエッチング液が緩衝フッ酸水溶液であることを特徴
とする上記（１３）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の
製造方法、 （１８）第二の保護膜が窒化珪素，酸化珪素，酸化窒化
珪素又はリンガラスであることを特徴とする上記（１
３）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法、 （１９）第二の保護膜の膜厚が０．１μｍ以上であるこ
とを特徴とする上記（１３）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体の製造方法。

【００２８】（２０）基体表面に絶縁膜を形成する工
程，基体表面の前記絶縁膜上に発熱抵抗体層と配線層と
を連続成膜する工程，フォトリソグラフィー法を用いて
前記配線層及び前記発熱抵抗体層をそれぞれ所望の形状
にパターニングすることにより発熱部を形成する工程，
基体全面に第一保護膜を形成しフォトリソグラフィー法
により前記発熱抵抗体層の前記発熱部直上に位置する前
記第一の保護膜にのみ開口部を形成し前記発熱抵抗体層
を露出させる工程，基体表面全面に第二の保護膜を形成
する工程とを有することを特徴とする液体噴射記録ヘッ
ド用基体の製造方法。

【００２９】（２１）絶縁膜が窒化珪素からなることを
特徴とする上記（２０）記載の液体噴射記録ヘッド用基
体の製造方法、 （２２）第一の保護膜が酸化珪素，酸化窒化珪素又はリ
ンガラスであることを特徴とする上記（２０）記載の液
体噴射記録ヘッド用基体の製造方法、 （２３）発熱抵抗体層の発熱部が窒化タンタルであるこ
とを特徴とする上記（２０）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体の製造方法、 （２４）第一の保護膜に前記開口部を形成するために用
いるエッチング液がフッ化水素を含むことを特徴とする
上記（２０）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方
法、 （２５）第一の保護膜に前記開口部を形成するために用
いるエッチング液が緩衝フッ酸水溶液であることを特徴
とする上記（２０）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の
製造方法、 （２６）第二の保護膜が窒化珪素，酸化珪素，酸化窒化
珪素又はリンガラスであることを特徴とする上記（２
０）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法、 （２７）第二の保護膜の膜厚が０．１μｍ以上であるこ
とを特徴とする上記（２０）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体の製造方法。

【００３０】（２８）基体表面に発熱抵抗体層と配線層
とを連続成膜する工程，フォトリソグラフィー法を用い
て前記配線層及び前記発熱抵抗体層をそれぞれ所望の形
状にパターニングすることにより発熱部を形成する工
程，基体全面に第一保護膜及び第二の保護膜とを連続成
膜する工程，フォトリソグラフィー法により前記発熱抵
抗体層の前記発熱部上に位置する前記第二の保護膜に開
口部を形成し前記第一の保護膜を露出させる工程とを有
することを特徴とする液体噴射記録ヘッド用基体の製造
方法。

【００３１】（２９）第一の保護膜が酸化珪素であるこ
とを特徴とする上記（２８）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体の製造方法、 （３０）第二の保護膜の開口部より露出した前記第一の
保護膜の膜厚が０．１μｍ以上であることを特徴とする
上記（２８）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方
法、 （３１）第二の保護膜が酸化珪素，酸化窒化珪素又はリ
ンガラスであることを特徴とする上記（２８）記載の液
体噴射記録ヘッド用基体の製造方法、 （３２）発熱抵抗体層の発熱部が窒化タンタルであるこ
とを特徴とする上記（２８）記載の液体噴射記録ヘッド
用基体の製造方法、 （３３）第二の保護膜に前記開口部を形成するために用
いるエッチング液がフッ化水素を含むことを特徴とする
上記（２８）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方
法、 （３４）第二の保護膜に前記開口部を形成するために用
いるエッチング液が緩衝フッ酸水溶液であることを特徴
とする上記（２８）記載の液体噴射記録ヘッド用基体の
製造方法。

【００３２】上記の各構成によって、前記目的を達成し
ようとするものである。

【００３３】

【作用】本発明によれば、発熱抵抗体の発熱部の直上に
発熱部の保護に必要にして十分な厚さの保護膜を良好な
膜厚均一性を保って形成することができる。従って従来
配線層の短絡防止のために必要以上に厚く形成していた
保護膜を用いた場合と比較して、発熱部から発生した熱
エネルギーを効率よく液体へと伝達させることができ
る。

【００３４】また、発熱部直上以外の部分には発熱体直
上に形成する保護膜に加えて任意の厚さの保護膜を形成
することができるため、配線層上の保護膜の短絡防止に
対しても大きな作用効果がある。

【００３５】

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例について
詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定さ
れることはなく、前記の構成により目的が達成され得る
ものであれば良い。

【００３６】（実施例１）本発明の実施例１について図
１の（ａ），（ｂ）及び図３を参照して説明する。図１
は本発明実施例の記録ヘッド用基体の電気熱変換素子の
発熱部付近の断面図および平面図である。

【００３７】図１において、１００は記録ヘッドを動作
させる際に気化させる液体を示す。１１０は記録ヘッド
基体の最表面の保護膜であるタンタル膜、１２１は電気
熱変換素子の発熱部１５０上の保護膜である窒化珪素
膜、１２０は発熱部１５０上の開口部１７０を除く基体
表面上を覆う保護膜であるリンガラス膜、１３０は電気
熱変換素子に電力を供給するアルミニウム配線膜、１４
０は電気熱変換素子の発熱抵抗体である窒化タンタル
膜、１６０は酸化珪素膜、１５０は電気熱変換素子の発
熱部、１７０は発熱抵抗体１４０上に窒化珪素膜１２１
とタンタル膜１１０のみが存在するリンガラス膜１２０
の開口部をそれぞれ示す。

【００３８】次に図１に示す本実施例の記録ヘッド用基
体の製造プロセスについて図３を参照して説明する。

【００３９】まず基体（図示せず）表面にＣＶＤ法によ
り絶縁膜である酸化珪素膜１６０を膜厚１μｍ堆積す
る。次いで窒化タンタル膜１４０を反応性スパッタリン
グ法により膜厚０．１μｍ堆積し、連続してアルミニウ
ム膜１３０をスパッタリング法により膜厚１．０μｍ堆
積する（図３（ａ））。つぎにフォトリソグラフィー法
によりアルミニウム膜１３０をパターニングしアルミニ
ウム配線１３１を形成した後、再びフォトリソグラフィ
ー法により窒化タンタル膜１４０をパターニングし発熱
抵抗体パタン１４１を形成する（図３（ｂ））。

【００４０】次に常圧ＣＶＤ法によりリンガラスからな
る保護膜１２０を膜厚０．７μｍ形成する。この時の成
膜条件は反応ガスとしてＳｉＨ₄ ，ＰＨ₃ ，Ｏ₂ ，Ｎ₂
の混合ガスを用い、基板温度は４００℃、リン濃度はＰ
₂ Ｏ₅ として１２ｗｔ％となるようにする（図３
（ｃ））。

【００４１】そして、フォトリソグラフィー法により発
熱抵抗体パタン１４１の発熱部１５０の上部に位置する
保護膜１２０に開口部１７０を形成する（図３
（ｄ））。保護膜１２０のエッチングにはウエットエッ
チング法を用い、エッチング液にはＮＨ₄ ＨＦ₂ として
１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％の緩衝フッ酸水溶液を用いた。
エッチング液の液温は２０．０℃であった。このときリ
ンガラスからなる保護膜１２０のエッチング速度は１４
０ｎｍ／ｍｉｎであったが、同一条件で窒化タンタル膜
１４１は全くエッチングされなかった。

【００４２】また、この時リンガラスのかわりに酸化珪
素からなる保護膜１２０についても形成を試みた。成膜
方法には常圧プラズマＣＶＤ法を用いた。成膜条件は反
応ガスとしてＳｉＨ₄ ，Ｏ₂ ，Ｎ₂ の混合ガスを用い基
板温度は４００℃とした。

【００４３】そして、フォトリソグラフィー法により発
熱抵抗体パタン１４１の発熱部１５０の上部に位置する
保護膜１２０に開口部１７０を形成した。保護膜１２０
のエッチングにはウエットエッチング法を用い、エッチ
ング液にはＮＨ₄ ＨＦ₂ として１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％
の緩衝フッ酸水溶液を用いた。エッチング液の液温は２
０．０℃であった。このとき酸化窒化珪素からなる保護
膜１２０のエッチング速度は５０ｎｍ／ｍｉｎであった
が、同一条件で窒化タンタル膜１４１は全くエッチング
されなかった。

【００４４】また、さらにこの時リンガラスのかわりに
酸化窒化珪素からなる保護膜１２０についても形成を試
みた。成膜方法にはプラズマＣＶＤ法を用いた。成膜条
件は、反応ガスとしてＳｉＨ₄ ２５０ｓｃｃｍ，Ｎ₂ Ｏ
５０００ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧力０．９
Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ＲＦ電力３．０ＫＷとし
た。

【００４５】そして、フォトリソグラフィー法により発
熱抵抗体パタン１４１の発熱部１５０の上部に位置する
保護膜１２０に開口部１７０を形成した。保護膜１２０
のエッチングにはウエットエッチング法を用い、エッチ
ング液にはＮＨ₄ ＨＦ₂ として１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％
の緩衝フッ酸水溶液を用いた。エッチング液の液温は２
０．０℃であった。このとき酸化窒化珪素からなる保護
膜１２０のエッチング速度は４４ｎｍ／ｍｉｎであって
が、同一条件で窒化タンタル膜１４１は全くエッチング
されなかった。

【００４６】つぎに、基板全面に窒化珪素膜１２１を膜
厚０．３μｍ形成した後、基板全面にタンタル膜１１０
を膜厚０．２μｍ形成する（図３（ｅ））。

【００４７】ついで、タンタル膜１１０および窒化珪素
膜１２１をフォトリソグラフィー法を用いて部分的に除
去しボンディングパッド（図示せず）を形成する。

【００４８】以上の工程により、発熱抵抗体パタン１４
１の発熱部１５０の上部に、それ以外の部分より薄い保
護膜層１１０および１２１を形成することができる。

【００４９】このとき、窒化珪素膜１２１の膜厚を０．
０５μｍ〜０．３０μｍの間で変化させたところ、膜厚
が０．１０μｍ未満の場合には発熱抵抗体パタン１４１
とタンタル膜１１０の間の短絡が多く良品率は２０％以
下であったが、膜厚が０．１５μｍ以上の場合には発熱
抵抗体パタン１４１とタンタル膜１１０の間の短絡はほ
とんど見られず、良品率は９０％以上であった。従って
窒化珪素膜１２１の膜厚は最低０．１０μｍ以上必要で
あり望ましくは０．１５μｍ以上であった方が良いこと
がわかる。

【００５０】また、本実施例では保護膜１２１として窒
化珪素膜を用いた例を示したが、他の膜すなわちリンガ
ラス膜，酸化珪素膜あるいは酸化窒化珪素膜等を用いた
場合でも窒化珪素膜を用いた場合とほぼ同様な結果を得
ることができた。

【００５１】本実施例の方法によれば、リンガラス膜，
酸化珪素膜あるいは酸化窒化珪素膜からなる保護膜１２
０のエッチングの際に窒化タンタル膜１４１が全くエッ
チングされないため発熱抵抗体としての性能を全く損な
うことなく窒化タンタル膜１４１上の保護膜１２０を除
去することができる。

【００５２】また、本実施例では、保護膜１２０のエッ
チング液として緩衝フッ酸水溶液を用いているが、エッ
チング液としてフッ化水素酸を用いた場合も窒化タンタ
ル膜１４１は全くエッチングを実現することができた。

【００５３】さらに、保護膜１２０の開口部１７０の表
面には任意の厚さの保護膜１２１を形成できるため、ア
ルミニウム配線１３１上に必要とされる保護膜膜厚と発
熱部１５０上の保護膜膜厚との双方を設定することがで
きる。

【００５４】また、発熱部１５０上の保護膜１２１は堆
積後上層に連続して積層されるタンタル膜１１０によっ
て保護されるため後の工程でダメージを受けることはな
い。したがって保護膜１２１に用いる材料の選択の際に
は加工特性上の制約は少なく、保護膜としての特性と成
膜特性を考慮して選択決定することができる。

【００５５】本実施例では、絶縁膜を形成した基体上に
電気熱変換素子を形成する場合について説明したが、基
体に該電気熱変換素子を駆動する駆動用機能素子と該電
気熱変換素子と該駆動用機能素子とをそれぞれ接続する
配線電極と該配線電極上に設けられる絶縁膜とを予め作
り込んでおき、その上層に電気熱変換素子を形成する場
合についても本実施例と同様な構造及び工程を採用する
ことができることは言うまでもない。

【００５６】（実施例２）本発明の実施例２について図
２（ａ），（ｂ）及び図４を参照して説明する。図２は
本発明実施例の記録ヘッド用基体の電気熱変換素子の発
熱部付近の断面図および平面図である。

【００５７】図２において、２００は記録ヘッドを動作
させる際に気化させる液体を示す。２１０は記録ヘッド
基体の最表面の保護膜であるタンタル膜、２２１は電気
熱変換素子の発熱部２５０上の保護膜である窒化珪素
膜、２２０は発熱部２５０上の開口部２７０を除く基体
表面上を覆う保護膜であるリンガラス膜、２３０は電気
熱変換素子に電力を供給するアルミニウム配線膜、２４
０は電気熱変換素子の発熱抵抗体である窒化タンタル
膜、２６０は酸化珪素膜、２５０は電気熱変換素子の発
熱部、２７０は発熱抵抗体２４０上に窒化珪素膜２２１
とタンタル膜２１０のみが存在するリンガラス膜２２０
の開口部をそれぞれ示す。

【００５８】次に図２に示す本実施例の記録ヘッド用基
体の製造プロセスについて図４を参照して説明する。

【００５９】まず基体（図示せず）表面にＣＶＤ法によ
り絶縁膜である酸化珪素膜２６０を膜厚１μｍ堆積す
る。

【００６０】次いで窒化タンタル膜２４０を反応性スパ
ッタリング法により膜厚０．１μｍ堆積し、連続してア
ルミニウム膜２３０をスパッタリング法により膜厚１．
０μｍ堆積する（図４（ａ））。つぎにフォトリソグラ
フィー法によりアルミニウム膜２３０をパターニングし
アルミニウム配線２３１を形成した後、再びフォトリソ
グラフィー法により窒化タンタル膜２４０をパターニン
グし発熱抵抗体パタン２４１を形成する（図４
（ｂ））。

【００６１】そして、プラマズＣＶＤ法により基板全面
に窒化珪素からなる保護膜２２１を膜厚０．３μｍ形成
する。この時の成膜条件は反応ガスとしてＳｉＨ₄ ８０
０ｓｃｃｍ，ＮＨ₃ ７２００ｓｃｃｍの混合ガスを用
い、ガス圧力２．０Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ＲＦ
電力３．０ＫＷとした。次に常圧ＣＶＤ法によりリンガ
ラスからなる保護膜２２０を膜厚０．７μｍ形成した。
この時の成膜条件は反応ガスとしてＳｉＨ₄ ，ＰＨ₃ ，
Ｏ₂ ，Ｎ₂ の混合ガスを用い基板温度は４００℃、リン
濃度はＰ₂ Ｏ₅ として１２ｗｔ％となるようにした。
（図４（ｃ））。

【００６２】次に、フォトリソグラフィー法により発熱
抵抗体パタン２４１の発熱部２５０の上部に位置するリ
ンガラス膜２２０に開口部２７０を発熱抵抗体２４０よ
りも幅広く形成する（図４（ｄ））。リンガラス膜のエ
ッチングにはウエットエッチング法を用い、エッチング
液にはＮＨ₄ ＨＦ₂ として１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％の緩
衝フッ酸水溶液を用いた。エッチング液の液温は２０．
０℃であった。このときリンガラス膜２２０のエッチン
グ速度は１４０ｎｍ／ｍｉｎであったが、同一条件で窒
化珪素膜２２１のエッチング速度は６．１ｎｍ／ｍｉｎ
であった。

【００６３】また、保護膜２２０としてリンガラス以外
に酸化珪素及び酸化窒化珪素の使用も試みた。この時の
成膜方法は、酸化珪素の場合、常圧プラズマＣＶＤ法を
用い、成膜条件は反応ガスとしてＳｉＨ₄ ，Ｏ₂ ，Ｎ₂
の混合ガスを用い基板温度は４００℃とした。また、酸
化窒化珪素の場合、成膜方法にはプラズマＣＶＤ法を用
い、成膜条件は、反応ガスとしてＳｉＨ₄ ２５０ｓｃｃ
ｍ，Ｎ₂ Ｏ ５０００ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス
圧力０．９Ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ＲＦ電力３．
０ＫＷとした。

【００６４】保護膜２２０として酸化珪素又は酸化窒化
珪素を使用した場合の上記緩衝フッ酸水溶液に対するエ
ッチング速度は５０ｎｍ／ｍｉｎ，４４ｎｍ／ｍｉｎで
あった。

【００６５】つぎに、基板全面にタンタル膜２１０を膜
厚０．２μｍ形成する（図４（ｅ））。

【００６６】ついで、タンタル膜２１０および窒化珪素
膜２２１をフォトリソグラフィー法を用いて部分的に除
去しボンディングパッド（図示せず）を形成する。

【００６７】以上の工程により、発熱抵抗体パタン２４
１の発熱部２５０の上部に、それ以外の部分より薄い保
護膜層２１０および２２１を形成することができる。

【００６８】本実施例の方法によれば、リンガラス膜と
窒化珪素膜とのエッチング速度比が前記のように２３倍
と大きいため、リンガラス膜のエッチングの際に下地の
窒化珪素膜のエッチング量を少なく抑えることができる
ため、発熱抵抗体上の窒化珪素膜厚はリンガラス膜のエ
ッチングの際に大きく変動することはない。従ってリン
ガラス膜２２０の開口部２７０には初めに堆積した窒化
珪素の膜厚に応じた任意の厚さの保護膜層２２１を残す
ことができるためアルミニウム配線２３１上に必要とさ
れる保護膜膜厚とは独立に発熱部２５０上の保護膜膜厚
を設定することができる。

【００６９】また、リンガラスのかわりに酸化珪素又は
酸化窒化珪素を使用した場合、窒化珪素とのエッチング
速度比はそれぞれ約８，約７となるためリンガラスを用
いた場合と比較すると下地の窒化珪素膜のエッチング量
は大きくなるが、保護膜２２１として機能する膜を形成
することは可能であった。

【００７０】また、本実施例では、保護膜２２０のエッ
チング液として緩衝フッ酸水溶液を用いているが、エッ
チング液としてフッ化水素酸を用いた場合も緩衝フッ酸
水溶液を用いた場合とほぼ同等の結果が得られた。

【００７１】しかし、リンガラス，酸化珪素又は酸化窒
化珪素のいずれを使用するかによって上記ウエットエッ
チングの際のオーバーエッチング時間が変化するため、
下地の窒化珪素膜の堆積膜厚はオーバーエッチング量を
考慮して決定する必要がある。具体的には、最終的に保
護膜２２１として残す窒化珪素膜厚０．２μｍ，保護膜
２２０の膜厚を０．８μｍとし、オーバーエッチング時
間を標準的なジャストエッチング時間に対して５０％と
した場合のそれぞれの膜において必要とされる窒化珪素
膜の堆積膜厚は表１の通りであった。

【００７２】

【表１】

【００７３】このとき、窒化タンタル膜２４０上に最終
的に残存する窒化珪素膜２２１の膜厚を０．０５μｍ〜
０．３０μｍの間で変化させたところ、膜厚が０．１０
μｍ未満の場合には発熱抵抗体パタン２４１とタンタル
膜２１０の間の短絡が多く良品率は２０％以下であった
が、膜厚が０．１５μｍ以上の場合には発熱抵抗体パタ
ン２４１とタンタル膜２１０の間の短絡はほとんど見ら
れず、良品率は９０％以上であった。従って窒化珪素膜
２２１の膜厚は最低０．１０μｍ以上必要であり望まし
くは０．１５μｍ以上であった方が良いことがわかっ
た。

【００７４】さらに、本実施例では発熱抵抗体２４０の
幅よりも開口部２７０を広くしたため発熱部２５０から
上部に伝導する熱のほとんどが薄い保護膜層を経由して
液体２００に到達するため、発熱部２５０から液体２０
０への熱の伝達効率をより高めることができる。

【００７５】本実施例では、絶縁膜を形成した基体上に
電気熱変換素子を形成する場合について説明したが、基
体に該電気熱変換素子を駆動する駆動用機能素子と該電
気熱変換素子と該駆動用機能素子とをそれぞれ接続する
配線電極と該配線電極上に設けられる絶縁膜とを予め作
り込んでおき、その上層に電気熱変換素子を形成する場
合についても本実施例と同様な構造及び工程を採用する
ことができることは言うまでもない。

【００７６】（実施例３）本発明の実施例３について図
１の（ａ），（ｃ）及び図３を参照して説明する。

【００７７】図１の（ａ）及び（ｃ）は本発明実施例の
記録ヘッド用基体の電気熱変換素子の発熱部付近の断面
図及び平面図である。

【００７８】図１の（ａ），（ｃ）において、１００は
記録ヘッドを動作させる際に気化させる液体を示す。１
１０は記録ヘッド基体の最表面の保護膜であるタンタル
膜、１２１は電気熱変換素子の発熱部１５０上の保護膜
である窒化珪素膜、１２０は発熱部１５０上の開口部１
７０を除く基体表面上を覆う保護膜であるリンガラス
膜、１３０は電気熱変換素子に電力を供給するアルミニ
ウム配線膜、１４０は電気熱変換素子の発熱抵抗体であ
る窒化タンタル膜、１６０は酸化珪素膜からなる絶縁
膜、１５０は電気熱変換素子の発熱部、１７０は発熱抵
抗体１４０上に窒化珪素膜１２１とタンタル膜１１０の
みが存在するリンガラス膜１２０の開口部をそれぞれ示
す。

【００７９】次に図１に示す本実施例の記録ヘッド用基
体の製造プロセスについて図３を参照して説明する。

【００８０】まず基体（図示せず）表面にプラズマＣＶ
Ｄ法により酸化珪素膜からなる絶縁膜１６０を膜厚１μ
ｍ堆積する。この時の成膜条件は反応ガスとしてＳｉＨ
₄ ８００ｓｃｃｍ，ＮＨ₃ ７２００ｓｃｃｍの混合ガス
を用い、ガス圧力２．０Ｔｏｒｒ，基板温度３５０℃，
ＲＦ電力３．０ＫＷとする。

【００８１】次いで窒化タンタル膜１４０を反応性スパ
ッタリング法により膜厚０．１μｍ堆積し連続してアル
ミニウム膜１３０をスパッタリング法により膜厚１．０
μｍ堆積する（図３（ａ））。つぎにフォトリソグラフ
ィー法によりアルミニウム膜１３０をパターニングしア
ルミニウム配線１３１を形成した後、再びフォトリソグ
ラフィー法により窒化タンタル膜１４０をパターニング
し発熱抵抗体パタン１４１を形成する（図３（ｂ））。

【００８２】次に常圧ＣＶＤ法によりリンガラス膜１２
０を膜厚０．７μｍ形成する。この時の成膜条件は反応
ガスとしてＳｉＨ₄ ，ＰＨ₃ ，Ｏ₂ ，Ｎ₂ の混合ガスを
用い基板温度は４００℃、リン濃度はＰ₂ Ｏ₅ として１
２ｗｔ％となるようにする（図３（ｃ））。

【００８３】そして、フォトリソグラフィー法により発
熱抵抗体パタン１４１の発熱部１５０の上部に位置する
リンガラス膜１２０に開口部１７０を形成する（図３
（ｄ））。このとき開口部１７０の幅は発熱抵抗体１４
０の幅と同一またはより広くし、発熱抵抗体１４０を露
出するようにする。リンガラス膜１２０のエッチングに
はウエットエッチング法を用い、エッチング液にはＮＨ
₄ ＨＦ₂ として１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％の緩衝フッ酸水
溶液を用いた。エッチング液の液温は２０．０℃であっ
た。このときリンガラス膜１２０のエッチング速度は１
４０ｎｍ／ｍｉｎであったが、同一条件で窒化タンタル
膜１４１は全くエッチングされなかった。

【００８４】また、この時リンガラスのかわりに酸化珪
素からなる保護膜（１２０）についても形成を試みた。
成膜方法には常圧プラズマＣＶＤ法を用いた。成膜条件
は反応ガスとしてＳｉＨ₄ ，Ｏ₂ ，Ｎ₂ の混合ガスを用
い基板温度は４００℃とした。

【００８５】そして、フォトリソグラフィー法により発
熱抵抗体パタン１４１の発熱部１５０の上部に位置する
保護膜１２０に開口部１７０を形成した。保護膜１２０
のエッチングにはウエットエッチング法を用い、エッチ
ング液にはＮＨ₄ ＨＦ₂ として１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％
の緩衝フッ酸水溶液を用いた。エッチング液の液温は２
０．０℃であった。このとき酸化窒化珪素からなる保護
膜１２０のエッチング速度は５０ｎｍ／ｍｉｎであって
が、同一条件で窒化タンタル膜１４１は全くエッチング
されなかった。

【００８６】また、さらにこの時リンガラスのかわりに
酸化窒化珪素からなる保護膜（１２０）についても形成
を試みた。成膜方法にはプラズマＣＶＤ法を用いた。成
膜条件は、反応ガスとしてＳｉＨ₄ ２５０ｓｃｃｍ，Ｎ
₂ Ｏ ５０００ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧力
０．９Ｔｏｒｒ，基板温度３５０℃，ＲＦ電力３．０Ｋ
Ｗとした。

【００８７】そして、フォトリソグラフィー法により発
熱抵抗体パタン１４１の発熱部１５０の上部に位置する
保護膜１２０に開口部１７０を形成した。保護膜１２０
のエッチングにはウエットエッチング法を用い、エッチ
ング液にはＮＨ₄ ＨＦ₂ として１２．８ｗｔ／ｖｏｌ％
の緩衝フッ酸水溶液を用いた。エッチング液の液温は２
０．０℃であった。このとき酸化窒化珪素からなる保護
膜１２０のエッチング速度は４４ｎｍ／ｍｉｎであって
が、同一条件で窒化タンタル膜１４１は全くエッチング
されなかった。

【００８８】また、本実施例では、保護膜１２０のエッ
チング液として緩衝フッ酸水溶液を用いているが、エッ
チング液としてフッ化水素酸を用いた場合も窒化タンタ
ル膜１４１は全くエッチングを実現することができた。

【００８９】つぎに、基板全面に窒化珪素膜１２１を膜
厚０．３μｍ形成した後、基板全面にタンタル膜１１０
を膜厚０．２μｍ形成する（図３（ｅ））。

【００９０】ついで、タンタル膜１１０および窒化珪素
膜１２１をフォトリソグラフィー法を用いて部分的に除
去しボンディングパッド（図示せず）を形成する。

【００９１】以上の工程により、発熱抵抗体パタン１４
１の発熱部１５０の上部に、それ以外の部分より薄い保
護膜層１１０および１２１を形成することができる。

【００９２】このとき、窒化珪素膜１２１の膜厚を０．
０５μｍ〜０．３０μｍの間で変化させたところ、膜厚
が０．１０μｍ未満の場合には発熱抵抗体パタン１４１
とタンタル膜１１０の間の短絡が多く良品率は２０％以
下であったが、膜厚が０．１５μｍ以上の場合には発熱
抵抗体パタン１４１とタンタル膜１１０の間の短絡はほ
とんど見られず、良品率は９０％以上であった。従って
窒化珪素膜１２１の膜厚は最低０．１０μｍ以上必要で
あり望ましくは０．１５μｍ以上であった方が良いこと
がわかった。

【００９３】また、本実施例では保護膜１２１として窒
化珪素膜を用いた例を示したが、他の膜すなわちリンガ
ラス膜，酸化珪素膜あるいは酸化窒化珪素膜等を用いた
場合でも窒化珪素膜を用いた場合とほぼ同様な結果を得
ることができた。

【００９４】本実施例の方法によれば、リンガラス膜，
酸化珪素膜あるいは酸化窒化珪素膜からなる保護膜１２
０のエッチングの際に窒化タンタル膜１４１が全くエッ
チングされないため発熱抵抗体としての性能を全く損な
うことなく窒化タンタル膜１４１上の保護膜１２０を除
去することができる。

【００９５】さらに、保護膜１２０の開口部１７０の表
面には任意の厚さの保護膜１２１を形成できるためアル
ミニウム配線１３１上に必要とされる保護膜膜厚とは独
立に発熱部１５０上の保護膜膜厚を設定することができ
る。

【００９６】また、この場合開口部１７０は発熱抵抗体
１４０の幅より広いので発熱抵抗体１４０の下地の窒化
珪素からなる絶縁膜１６０が露出するが、窒化珪素膜の
緩衝フッ酸水溶液に対するエッチング速度は６．１ｎｍ
／ｍｉｎと非常に遅いためオーバーエッチングを行った
場合でも発熱抵抗体１４０のエッジ部分に発熱抵抗体１
４０の特性上問題となるようなオーバーハングが形成さ
れることはなかった。

【００９７】また、発熱部１５０上の保護膜１２１は堆
積後上層に連続して積層されるタンタル膜１１０によっ
て保護されるため後の工程でダメージを受けることはな
い。したがって保護膜１２１に用いる材料の選択の際に
は加工特性上の制約は少なく、保護膜としての特性と成
膜特性を考慮して選択決定することができる。

【００９８】さらに、本実施例では発熱抵抗体１４０の
幅よりも開口部１７０を広くしたため、発熱部１５０か
ら上部に伝導する熱のほとんどが薄い保護膜層を経由し
て液体１００に到達するため発熱部１５０から液体１０
０への熱の伝達効率をより高めることができる。

【００９９】本実施例では、絶縁膜を形成した基体上に
電気熱変換素子を形成する場合について説明したが、基
体に該電気熱変換素子を駆動する駆動用機能素子と該電
気熱変換素子と該駆動用機能素子とをそれぞれ接続する
配線電極と該配線電極上に設けられる絶縁膜とを予め作
り込んでおき、その上層に電気熱変換素子を形成する場
合についても本実施例と同様な構造及び工程を採用する
ことができることは言うまでもない。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成を採
用することにより、発熱抵抗体から発生する熱エネルギ
ーを高効率で保護膜層に接する液体に伝えることができ
るため、液体噴射記録ヘッドの省エネルギー化に大いに
寄与できる。

【０１０１】また、本発明による製造方法を用いれば、
液体噴射記録ヘッド用基体の発熱抵抗体の表面に膜厚の
薄い保護膜層を、その他の表面に膜厚の厚い保護膜層を
容易に形成できるため、配線層の短絡防止に対する効果
も大きい。

【０１０２】さらに、本発明による工程の増加は成膜、
フォトリソグラフィー各一工程のみであり製造コストの
増加はわずかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例である液体噴射記録ヘッド用
基体の発熱部付近の構成を示す説明図であり、断面およ
び平面を示す。

【図２】 本発明の実施例２である液体噴射記録ヘッド
用基体の発熱部付近の構成を示す説明図であり、断面お
よび平面を示す。

【図３】 本発明の実施例１および３である液体噴射記
録ヘッド用基体の製造プロセスの説明図であり、各工程
の断面を示す。

【図４】 本発明の実施例２である液体噴射記録ヘッド
用基体の製造プロセスの説明図であり、各工程の断面を
示す。

【図５】 従来の液体噴射記録ヘッド用基体の発熱部付
近の構成を示す説明図であり、断面および平面を示す。

【符号の説明】

１００，２００，５００ インクなどの液体 １１０，２１０，５１０ 最表面の保護膜であるタンタ
ル膜 １７０，２７０ 開口部 １２０，２２０，５２０ 開口部以外の基体表面の保護
膜 １２１，２２１ 発熱部上の保護膜である窒化珪素膜 １３０，２３０，５３０ 電力供給するためのアルミニ
ウム膜 １４０，２４０，５４０ 発熱抵抗体である窒化タンタ
ル膜 １５０，２５０，５５０ 発熱部 １６０，２６０，５６０ 絶縁膜

Claims (34)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の電気熱変換素子と該電気熱変換素
   子にそれぞれ接続する複数の配線電極とを基体上に設け
   た液体噴射記録ヘッド用基体において、 基体表面の少なくとも前記電気熱変換素子の発熱部の直
   上の領域に第一の保護膜を設け、かつ該発熱部上の一部
   に開口部を有し該発熱部以外の領域が前記開口部から露
   出しないように形成した第二の保護膜をも設けたことを
   特徴とする液体噴射記録ヘッド用基体。
2. 【請求項２】 前記第一の保護膜が窒化珪素，酸化珪
   素，酸化窒化珪素又はリンガラスからなることを特徴と
   する請求項１記載の液体噴射記録ヘッド用基体。
3. 【請求項３】 前記第一の保護膜の膜厚が０．１μｍ以
   上であることを特徴とする請求項１記載の液体噴射記録
   ヘッド用基板。
4. 【請求項４】 前記第二の保護膜が酸化珪素，酸化窒化
   珪素又はリンガラスであることを特徴とする請求項１記
   載の液体噴射記録ヘッド用基体。
5. 【請求項５】 前記電気熱変換素子の発熱部が窒化タン
   タルであることを特徴とする請求項１記載の液体噴射記
   録ヘッド用基体。
6. 【請求項６】 複数の電気熱変換素子と該電気熱変換素
   子にそれぞれ接続する複数の配線電極とを基体上に設け
   た記録ヘッド用基体において、 基体表面の電気熱変換素子の下層に絶縁膜を設け、少な
   くとも該電気熱変換素子の発熱部の直上の領域に第一の
   保護膜を設け、かつ該発熱部及び発熱部の周辺の前記絶
   縁膜の表面がそれぞれ露出するように形成した第二の保
   護膜を設けたことを特徴とする液体噴射記録ヘッド用基
   体。
7. 【請求項７】 前記絶縁膜が窒化珪素からなることを特
   徴とする請求項６記載の液体噴射記録ヘッド用基体。
8. 【請求項８】 前記第一の保護膜が窒化珪素，酸化珪
   素，酸化窒化珪素又はリンガラスからなることを特徴と
   する請求項６記載の液体噴射記録ヘッド用基体。
9. 【請求項９】 前記第一の保護膜の膜厚が０．１μｍ以
   上であることを特徴とする請求項６記載の液体噴射記録
   ヘッド用基体。
10. 【請求項１０】 前記第二の保護膜が酸化珪素，酸化窒
    化珪素又はリンガラスであることを特徴とする請求項６
    記載の液体噴射記録ヘッド用基体。
11. 【請求項１１】 前記電気熱変換素子の発熱部が窒化タ
    ンタルであることを特徴とする請求項６記載の液体噴射
    記録ヘッド用基体。
12. 【請求項１２】 前記第二の保護膜が前記配線電極上を
    少なくとも覆っていることを特徴とする請求項６記載の
    液体噴射記録ヘッド用基体。
13. 【請求項１３】 基体表面に発熱抵抗体層と配線層とを
    連続成膜する工程，フォトリソグラフィー法を用いて前
    記配線層及び前記発熱抵抗体層をそれぞれ所望の形状に
    パターニングすることにより発熱部を形成する工程，基
    体全面に第一保護膜を形成しフォトリソグラフィー法に
    より前記発熱抵抗体層の前記発熱部直上に位置する前記
    第一の保護膜にのみ開口部を形成し前記発熱抵抗体層を
    露出させる工程，基体表面全面に第二の保護膜を形成す
    る工程とを有することを特徴とする液体噴射記録ヘッド
    用基体の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記第一の保護膜が酸化珪素，酸化窒
    化珪素又はリンガラスであることを特徴とする請求項１
    ３記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記発熱抵抗体層の発熱部が窒化タン
    タルであることを特徴とする請求項１３記載の液体噴射
    記録ヘッド用基体の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記第一の保護膜に前記開口部を形成
    するために用いるエッチング液がフッ化水素を含むこと
    を特徴とする請求項１３記載の液体噴射記録ヘッド用基
    体の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記第一の保護膜に前記開口部を形成
    するために用いるエッチング液が緩衝フッ酸水溶液であ
    ることを特徴とする請求項１３記載の液体噴射記録ヘッ
    ド用基体の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記第二の保護膜が窒化珪素，酸化珪
    素，酸化窒化珪素又はリンガラスであることを特徴とす
    る請求項１３記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方
    法。
19. 【請求項１９】 前記第二の保護膜の膜厚が０．１μｍ
    以上であることを特徴とする請求項１３記載の液体噴射
    記録ヘッド用基体の製造方法。
20. 【請求項２０】 基体表面に絶縁膜を形成する工程，基
    体表面の前記絶縁膜上に発熱抵抗体層と配線層とを連続
    成膜する工程，フォトリソグラフィー法を用いて前記配
    線層及び前記発熱抵抗体層をそれぞれ所望の形状にパタ
    ーニングすることにより発熱部を形成する工程，基体全
    面に第一保護膜を形成しフォトリソグラフィー法により
    前記発熱抵抗体層の前記発熱部直上に位置する前記第一
    の保護膜にのみ開口部を形成し前記発熱抵抗体層を露出
    させる工程，基体表面全面に第二の保護膜を形成する工
    程とを有することを特徴とする液体噴射記録ヘッド用基
    体の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記絶縁膜が窒化珪素からなることを
    特徴とする請求項２０記載の液体噴射記録ヘッド用基体
    の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記第一の保護膜が酸化珪素，酸化窒
    化珪素又はリンガラスであることを特徴とする請求項２
    ０記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記発熱抵抗体層の発熱部が窒化タン
    タルであることを特徴とする請求項２０記載の液体噴射
    記録ヘッド用基体の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記第一の保護膜に前記開口部を形成
    するために用いるエッチング液がフッ化水素を含むこと
    を特徴とする請求項２０記載の液体噴射記録ヘッド用基
    体の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記第一の保護膜に前記開口部を形成
    するために用いるエッチング液が緩衝フッ酸水溶液であ
    ることを特徴とする請求項２０記載の液体噴射記録ヘッ
    ド用基体の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記第二の保護膜が窒化珪素，酸化珪
    素，酸化窒化珪素又はリンガラスであることを特徴とす
    る請求項２０記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方
    法。
27. 【請求項２７】 前記第二の保護膜の膜厚が０．１μｍ
    以上であることを特徴とする請求項２０記載の液体噴射
    記録ヘッド用基体の製造方法。
28. 【請求項２８】 基体表面に発熱抵抗体層と配線層とを
    連続成膜する工程，フォトリソグラフィー法を用いて前
    記配線層及び前記発熱抵抗体層をそれぞれ所望の形状に
    パターニングすることにより発熱部を形成する工程，基
    体全面に第一保護膜及び第二の保護膜とを連続成膜する
    工程，フォトリソグラフィー法により前記発熱抵抗体層
    の前記発熱部上に位置する前記第二の保護膜に開口部を
    形成し前記第一の保護膜を露出させる工程とを有するこ
    とを特徴とする液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記第一の保護膜が酸化珪素であるこ
    とを特徴とする請求項２８記載の液体噴射記録ヘッド用
    基体の製造方法。
30. 【請求項３０】 前記第二の保護膜の開口部より露出し
    た前記第一の保護膜の膜厚が０．１μｍ以上であること
    を特徴とする請求項２８記載の液体噴射記録ヘッド用基
    体の製造方法。
31. 【請求項３１】 前記第二の保護膜が酸化珪素，酸化窒
    化珪素又はリンガラスであることを特徴とする請求項２
    ８記載の液体噴射記録ヘッド用基体の製造方法。
32. 【請求項３２】 前記発熱抵抗体層の発熱部が窒化タン
    タルであることを特徴とする請求項２８記載の液体噴射
    記録ヘッド用基体の製造方法。
33. 【請求項３３】 前記第二の保護膜に前記開口部を形成
    するために用いるエッチング液がフッ化水素を含むこと
    を特徴とする請求項２８記載の液体噴射記録ヘッド用基
    体の製造方法。
34. 【請求項３４】 前記第二の保護膜に前記開口部を形成
    するために用いるエッチング液が緩衝フッ酸水溶液であ
    ることを特徴とする請求項２８記載の液体噴射記録ヘッ
    ド用基体の製造方法。