JPH095764A - Liquid crystal display substrate - Google Patents
Liquid crystal display substrateInfo
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- JPH095764A JPH095764A JP15284995A JP15284995A JPH095764A JP H095764 A JPH095764 A JP H095764A JP 15284995 A JP15284995 A JP 15284995A JP 15284995 A JP15284995 A JP 15284995A JP H095764 A JPH095764 A JP H095764A
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板に係り、
いわゆる横電界方式と称される液晶表示基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display substrate,
The present invention relates to a so-called lateral electric field type liquid crystal display substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】いわゆる横電界方式と称される液晶表示
基板は、液晶層を介して互いに対向して配置される透明
基板のうち、その一方の液晶層側の面に表示用電極と基
準電極とが備えられ、これら表示用電極と基準電極の間
に透明基板面と平行に発生させる電界によって前記液晶
層の光透過率を変化させる液晶表示基板をいう。2. Description of the Related Art A so-called lateral electric field type liquid crystal display substrate is a transparent substrate arranged to face each other with a liquid crystal layer in between, and a display electrode and a reference electrode are provided on one liquid crystal layer side of the transparent substrate. And a liquid crystal display substrate in which the light transmittance of the liquid crystal layer is changed by an electric field generated between the display electrode and the reference electrode in parallel with the transparent substrate surface.
【0003】このような構成からなる液晶表示基板は、
その表示面に対して斜めの方向から該表示面を観察して
も階調反転や色変化が起こらず、画質が殆ど劣化するこ
とのない、いわゆる広視野角特性を有するものとなって
いる。A liquid crystal display substrate having such a structure is
Even if the display surface is observed from a direction oblique to the display surface, gradation reversal or color change does not occur, and the image quality is hardly deteriorated, so-called wide viewing angle characteristics are provided.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示基板は、たとえば、液晶層にそ
の厚み方向に電界を発生させて該液晶層の光透過率を変
化させるものと比較して、大幅な広視野角特性の向上を
達成できるものとなっているが、いまだに一定の視野角
内に制限されるものであった。However, the liquid crystal display substrate having such a structure is compared with, for example, one in which an electric field is generated in the thickness direction of the liquid crystal layer to change the light transmittance of the liquid crystal layer. As a result, a large improvement in wide viewing angle characteristics can be achieved, but it is still limited to a certain viewing angle.
【0005】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、広視野角特性のさらなる
向上を図った液晶表示基板を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display substrate with further improved wide viewing angle characteristics.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【0007】すなわち、液晶層を介して互いに対向して
配置される透明基板のうち、その一方の液晶層側の面に
表示用電極と基準電極とが備えられ、これら表示用電極
と基準電極の間に透明基板面と平行に発生させる電界に
よって前記液晶層の光透過率を変化させる液晶表示基板
において、前記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透
明基板に対して平行な同一面内に形成されていることを
特徴とするものである。That is, of the transparent substrates arranged to face each other with the liquid crystal layer in between, a display electrode and a reference electrode are provided on one of the surfaces on the liquid crystal layer side. In the liquid crystal display substrate in which the light transmittance of the liquid crystal layer is changed by an electric field generated in parallel with the transparent substrate surface, the display electrode and the reference electrode are formed in the same plane parallel to the transparent substrate. It is characterized by that.
【0008】[0008]
【作用】このように構成された液晶表示基板において、
表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対して
平行な同一面内に形成されており、それらの間には透明
基板に対する高低差のないものとなっている。In the liquid crystal display substrate having the above structure,
The display electrode and the reference electrode are formed in the same plane parallel to the transparent substrate, and there is no difference in height between them relative to the transparent substrate.
【0009】このため、画素電極と基準電極との間に発
生させる電界は、透明基板に対して平行に、すなわち液
晶に対しその厚み方向と完全に直交する方向に印加され
ることになる。Therefore, the electric field generated between the pixel electrode and the reference electrode is applied parallel to the transparent substrate, that is, in the direction completely orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal.
【0010】このことは、電界が印加されることによっ
て並設される液晶分子は、透明基板に対して平行な面内
で並設され、該面に対して傾斜して存在するようなこと
はなくなる。This means that the liquid crystal molecules arranged in parallel by applying an electric field are arranged in parallel in a plane parallel to the transparent substrate and are inclined with respect to the plane. Disappear.
【0011】したがって、表示面に対して斜めの方向か
ら該表示面を観察した場合に、その観察する方向に長軸
が一致づけられる液晶分子が全く存在しなくなる。Therefore, when the display surface is observed from a direction oblique to the display surface, there is no liquid crystal molecule whose major axis coincides with the observation direction.
【0012】そして、このような状態は観察する方向を
かなり傾けても同様であって全く変わることはないこと
から、広視野角特性の大幅な向上を図ることができるよ
うになる。Since such a state is the same even if the direction of observation is tilted to a large extent and does not change at all, the wide viewing angle characteristic can be greatly improved.
【0013】[0013]
【実施例】以下、本発明による液晶表示基板の実施例に
ついて説明する。EXAMPLES Examples of the liquid crystal display substrate according to the present invention will be described below.
【0014】〔実施例I〕基板構成 まず、図11は、本発明による液晶表示基板が組み込ま
れた液晶表示装置の一実施例を示す概略構成図である。Example I Substrate Configuration First, FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing an example of a liquid crystal display device in which a liquid crystal display substrate according to the present invention is incorporated.
【0015】同図において、液晶表示基板100があ
る。この液晶表示基板100は液晶を介して互いに対向
配置された2枚の透明基板を備え、その一方の透明基板
SUBの液晶側の面には図中y方向に延在しかつx方向
に並設された映像信号線DLが形成され、また、この映
像信号線DLに絶縁されてx方向に延在しかつy方向に
並設された走査信号線GLが形成されている。In FIG. 1, there is a liquid crystal display substrate 100. The liquid crystal display substrate 100 includes two transparent substrates which are arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and one of the transparent substrates SUB extends on the liquid crystal side surface in the y direction in the drawing and is arranged in parallel in the x direction. Image signal lines DL are formed, and scanning signal lines GL that are insulated from the image signal lines DL and extend in the x direction and are arranged in parallel in the y direction are formed.
【0016】これら映像信号線DLおよび走査信号線G
Lに囲まれた各矩形の領域が画素領域を構成するように
なるが、この液晶表示基板は上述したようにいわゆる横
電界方式のものであることから、上述した各信号線の他
に基準信号線CMも形成されている。These video signal lines DL and scanning signal lines G
Each rectangular region surrounded by L constitutes a pixel region, but since this liquid crystal display substrate is of the so-called lateral electric field system as described above, in addition to the above-mentioned signal lines, a reference signal is provided. A line CM is also formed.
【0017】すなわち、この基準信号線CMは図中x方
向に延在しかつy方向に並設されて形成され、各画素領
域においてはその画素を間にして対応する走査信号線G
Lと平行に形成されるようになっている。That is, the reference signal line CM is formed so as to extend in the x-direction and juxtaposed in the y-direction in the figure, and in each pixel area, the corresponding scanning signal line G is provided with the pixel interposed therebetween.
It is formed in parallel with L.
【0018】この各画素領域の詳細な構成は後に図2等
を用いて説明する。The detailed structure of each pixel area will be described later with reference to FIG.
【0019】そして、この液晶表示基板100の周囲に
は、走査信号線GLに接続されて配置される垂直走査回
路101、および映像信号線DLに接続されて配置され
る映像信号駆動回路102が配置されている。これら垂
直走査回路100および映像信号駆動回路102はたと
えばテープキャリア方式で形成された半導体装置等から
なっているものである。Around the liquid crystal display substrate 100, a vertical scanning circuit 101 arranged to be connected to the scanning signal line GL and a video signal driving circuit 102 arranged to be connected to the video signal line DL are arranged. Has been done. The vertical scanning circuit 100 and the video signal driving circuit 102 are composed of, for example, a semiconductor device formed by a tape carrier method.
【0020】前記垂直走査回路101は、各走査信号線
GLに走査信号を印加することによって該信号線をy方
向にたとえば順次選択し、その選択のタイミングに合わ
せて前記映像信号駆動回路102は各映像信号線DLに
映像信号を供給している。The vertical scanning circuit 101 applies a scanning signal to each scanning signal line GL to sequentially select the signal lines in the y direction, for example, and the video signal driving circuit 102 selects each signal line in accordance with the timing of the selection. A video signal is supplied to the video signal line DL.
【0021】それぞれの信号の供給は表示情報処理回路
103によって制御されるようになっており、この表示
信号処理回路103は、クロック回路14を介して垂直
走査回路101を駆動させるとともに、映像信号駆動回
路103を駆動させるようになっている。The supply of each signal is controlled by the display information processing circuit 103. The display signal processing circuit 103 drives the vertical scanning circuit 101 via the clock circuit 14 and also drives the video signal. It is adapted to drive the circuit 103.
【0022】また、表示信号処理回路103は、液晶表
示基板100の前記基準信号線CMのそれぞれに基準電
圧を直接印加するようになっている。Further, the display signal processing circuit 103 is adapted to directly apply a reference voltage to each of the reference signal lines CM of the liquid crystal display substrate 100.
【0023】図2は、前記液晶表示基板100の各画素
領域のうちの一つの画素領域を示した平面図である。FIG. 2 is a plan view showing one of the pixel regions of the liquid crystal display substrate 100.
【0024】同図において、画素領域は、図中x方向に
延在する走査信号線AO/GLおよび基準信号線AO/
CMと、y方向に延在しかつx方向に並設する各映像信
号線DLとで囲まれて形成されている。In the figure, the pixel region has a scanning signal line AO / GL and a reference signal line AO / GL extending in the x direction in the figure.
It is formed so as to be surrounded by CM and the video signal lines DL extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction.
【0025】ここで、走査信号線AO/GLおよび基準
信号線AO/CMは、その材料としてそれぞれアルミニ
ュウム(Al)が用いられているとともに、その露出す
る表面全域(側面を含む)にいわゆる陽極化成による酸
化アルミニュウムAOが形成されたものとなっている。
また、映像信号線DLは、クロム(Cr)層で形成され
ている。Here, the scanning signal line AO / GL and the reference signal line AO / CM are made of aluminum (Al), respectively, and the so-called anodization is performed on the entire exposed surface (including the side surface). Aluminum oxide AO is formed.
The video signal line DL is formed of a chrome (Cr) layer.
【0026】映像信号線DLは、その下層の走査信号線
AO/GLおよび基準信号線AO/CMに対して、その
交差部において形成されたシリコン窒化膜SiNXとア
モルファスシリコンa−Siとの積層体AS/SNから
なる層間絶縁膜を介して絶縁されるようになっている。The video signal line DL is formed by stacking a silicon nitride film SiN x and amorphous silicon a-Si formed at the intersection of the scanning signal line AO / GL and the reference signal line AO / CM below the video signal line DL. The body AS / SN is insulated via an interlayer insulating film.
【0027】そして、これら各層間絶縁膜のうちの一つ
(図中、左上の層間絶縁膜)は、走査信号線AO/GL
上を画素領域側に及んで延在され、この延在領域は薄膜
トランジスタTFTの形成領域を構成している。Then, one of these interlayer insulating films (the upper left interlayer insulating film in the figure) is formed by the scanning signal line AO / GL.
It extends above the pixel region side, and this extending region constitutes a forming region of the thin film transistor TFT.
【0028】すなわち、この薄膜トランジスタTFTの
形成領域において、映像信号線DLから前記積層体AS
/SN上を延在して形成されたドレイン電極DTとこの
ドレイン電極DTに若干離間されて形成されたソース電
極STを備えることによって、前記走査信号線AO/G
Lの一部をゲート電極とした薄膜トランジスタTFTが
形成されている。That is, in the formation region of the thin film transistor TFT, the laminated body AS from the video signal line DL.
/ SN, the drain electrode DT is formed to extend over the / SN, and the source electrode ST is formed to be slightly separated from the drain electrode DT.
A thin film transistor TFT having a part of L as a gate electrode is formed.
【0029】これにより、走査信号線AO/GLに走査
信号(電圧)が供給された場合、積層体AS/SNの下
層にあるシリコン窒化膜(ゲート絶縁膜として機能す
る)を介してその上層のアモルファスシリコンa−Si
層内にチャネル層が形成され、映像信号線DLからの映
像信号は前記ドレイン電極DTを介してソース電極ST
に供給されるようになる。As a result, when the scanning signal (voltage) is supplied to the scanning signal line AO / GL, the silicon nitride film (functioning as a gate insulating film) in the lower layer of the stacked body AS / SN is interposed between the scanning signal line AO / GL and the upper layer. Amorphous silicon a-Si
A channel layer is formed in the layer, and a video signal from the video signal line DL receives the source electrode ST via the drain electrode DT.
Will be supplied to.
【0030】そして、ソース電極STは表示電極SLと
一体に形成されており、この表示電極SLは、画素領域
を略2分するようにして図中y方向に延在して配置され
ている。なお、この実施例において、前記表示電極SL
は映像信号線DLと同一の材料、すなわちクロム(C
r)によって構成されている。The source electrode ST is formed integrally with the display electrode SL, and the display electrode SL is arranged so as to extend in the y direction in the drawing so as to divide the pixel region into approximately two parts. In this embodiment, the display electrode SL
Is the same material as the video signal line DL, that is, chromium (C
r).
【0031】また、基準信号線AO/CMはその一部を
図中y方向に延在させて形成された基準電極CTを2個
備え、それぞれの基準電極は前記表示電極SLを間にし
かつこの表示電極SLと比較的大きな距離を隔てて配置
されているとともに、映像信号線DLとはかなり近接さ
れた状態で配置されている。Further, the reference signal line AO / CM is provided with two reference electrodes CT formed by extending a part of them in the y direction in the drawing, and each reference electrode has the display electrode SL in between. The display electrodes SL are arranged with a relatively large distance therebetween, and are arranged in a state of being considerably close to the video signal lines DL.
【0032】この場合、基準電極CTは、上述したよう
にその表面において酸化アルミニュウムからなる絶縁膜
が形成されていることから、電気的短絡を生ぜしめるこ
となく映像信号線DLに近接させることができ、いわゆ
る開口率を向上させることができるようになる。In this case, since the insulating film made of aluminum oxide is formed on the surface of the reference electrode CT as described above, it can be brought close to the video signal line DL without causing an electrical short circuit. That is, the so-called aperture ratio can be improved.
【0033】そして、このように構成された表示電極S
Lと基準電極CTとの間に透明基板100Aの主表面と
ほぼ平行な電界が発生する構成となる。すなわち、この
電界によって液晶の紙面と垂直方向における光透過率を
変化させることができるようになり、この方式が横電界
方式と称される所以となっている。The display electrode S having the above structure
An electric field that is substantially parallel to the main surface of the transparent substrate 100A is generated between L and the reference electrode CT. That is, it becomes possible to change the light transmittance of the liquid crystal in the direction perpendicular to the paper surface by this electric field, which is the reason why this method is called the lateral electric field method.
【0034】本実施例では、1画素は表示電極SLを1
個、基準電極を2個により構成したが、各々2,3個、
さらには3,4個にしても良い。In this embodiment, one pixel has one display electrode SL.
, And the reference electrode was composed of 2 pieces, but 2 and 3 pieces each,
Furthermore, the number may be three or four.
【0035】ここで、表示電極と基準電極CTは、それ
らの間に絶縁膜を介在しておらず、透明基板SUBの主
表面上に直接形成され、透明基板SUBの表面と平行な
同一面に形成されている。Here, the display electrode and the reference electrode CT are formed directly on the main surface of the transparent substrate SUB without an insulating film interposed therebetween, and are formed on the same plane parallel to the surface of the transparent substrate SUB. Has been formed.
【0036】このため、画素電極と基準電極との間に発
生させる電界は、透明基板に対して完全に平行に、すな
わち液晶に対しその厚み方向と完全に直交する方向に印
加されることになる。Therefore, the electric field generated between the pixel electrode and the reference electrode is applied completely parallel to the transparent substrate, that is, in the direction perpendicular to the thickness direction of the liquid crystal. .
【0037】このことは、電界が印加されることによっ
て並設される液晶分子は、透明基板に対して平行な面内
で並設され、該面に対して傾斜して存在するようなこと
はなくなる。This means that liquid crystal molecules arranged in parallel by applying an electric field are arranged in parallel in a plane parallel to the transparent substrate and are inclined with respect to the plane. Disappear.
【0038】したがって、表示面に対して斜めの方向か
ら該表示面を観察した場合に、その観察する方向に長軸
が一致づけられる液晶分子が全く存在しなくなる。Therefore, when the display surface is observed from a direction oblique to the display surface, there are no liquid crystal molecules whose major axis coincides with the observation direction.
【0039】そして、このような状態は観察する方向を
かなり傾けても同様であって全く変わることはないこと
から、広視野角特性の大幅な向上を図ることができるよ
うになる。Since such a state is the same even if the direction of observation is tilted to a large extent and does not change at all, the wide viewing angle characteristic can be greatly improved.
【0040】なお、表示電極SLのソース電極SLとは
反対側における端部は基準信号線AO/CMと重畳され
て形成され、この重畳部において積極的に付加容量C
STgを構成するようになっている。この場合の誘電体膜
は基準信号線AO/CMの表面に形成されている酸化ア
ルミニュウムAOである。The end portion of the display electrode SL on the side opposite to the source electrode SL is formed so as to overlap the reference signal line AO / CM, and the additional capacitance C is positively formed at this overlap portion.
It is designed to compose STg . The dielectric film in this case is aluminum oxide AO formed on the surface of the reference signal line AO / CM.
【0041】このように、付加容量CSTgの誘電体は比
較的膜厚の小さな酸化アルミニュウムAOで構成される
ことから、その面積を大きくしなくても大きな容量を確
保できるという効果を奏するようになる。As described above, since the dielectric of the additional capacitance C STg is made of aluminum oxide AO having a relatively small film thickness, it is possible to secure a large capacitance without increasing its area. Become.
【0042】なお、この付加容量は、たとえば薄膜トラ
ンジスタTFTがオフした後の映像情報を次の選択時間
まで保持させる等の目的で形成されているものである。The additional capacitance is formed for the purpose of, for example, retaining the image information after the thin film transistor TFT is turned off until the next selection time.
【0043】そして、図示していないが、このように構
成された透明基板の主表面には前記映像信号線DL等を
全て覆ってシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜
PSが形成されている。Although not shown, a passivation film PS made of a silicon nitride film is formed on the main surface of the transparent substrate thus configured so as to cover the video signal lines DL and the like.
【0044】図1は、図2のA−A’線における断面図
を示した構成図である。同図から明らかとなるように、
映像信号線DL、表示電極SL、および基準電極CM
は、それぞれ透明基板SUBの主表面に直接形成された
ものとなっている。FIG. 1 is a block diagram showing a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG. As is clear from the figure,
Video signal line DL, display electrode SL, and reference electrode CM
Are directly formed on the main surface of the transparent substrate SUB.
【0045】図6は、透明基板SUBの周辺にまで延在
される走査信号線GLが、前記垂直走査回路101の端
子と接続されるべく個所となる電極端子10の部分の構
成を示した断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a structure of a portion of the electrode terminal 10 where the scanning signal line GL extending to the periphery of the transparent substrate SUB is to be connected to the terminal of the vertical scanning circuit 101. It is a figure.
【0046】同図において、走査信号線GLの末端部に
おいては、その表面に酸化アルミニュウムAOが形成さ
れておらず、これにより露呈されているアルミニュウム
層の一部に前記電極端子10となるITO(Indium-Tin
-Oxide)膜が形成されている。In the figure, at the end portion of the scanning signal line GL, aluminum oxide AO is not formed on the surface thereof, and ITO (which becomes the electrode terminal 10 is formed on a part of the aluminum layer exposed by this). Indium-Tin
-Oxide) film is formed.
【0047】そして、いまだ露呈されているアルミニュ
ウム層および前記ITO膜の一部を覆って映像信号線D
Lと同材料からなる導電層20が形成されている。Then, the video signal line D is covered so as to cover the aluminum layer and the ITO film which are still exposed.
A conductive layer 20 made of the same material as L is formed.
【0048】この導電層20は、映像信号線DLとは電
気的には全く独立して形成されるものであり、走査信号
線GLとITO膜からなる電極端子10とのコンタクト
に信頼性をもたせる機能を有するようになっている。す
なわち、アルミニュウムからなる走査信号線GLとIT
O膜との接触のみでは、ITO膜とアルミニュウムとの
界面に絶縁性の酸化アルミニュウム膜を形成してしまい
抵抗値のバラツキを生じさせるのを防止するようにして
いる。The conductive layer 20 is formed completely electrically independent of the video signal line DL, and makes the contact between the scanning signal line GL and the electrode terminal 10 made of an ITO film reliable. It has a function. That is, the scanning signal lines GL and IT made of aluminum
Only by contacting with the O film, it is possible to prevent the insulating aluminum oxide film from being formed at the interface between the ITO film and the aluminum and causing the variation in the resistance value.
【0049】図7は、透明基板SUBの周辺ににまで延
在される映像信号線DLが、前記映像信号駆動回路10
2の端子と接続されるべく個所となる電極端子10の部
分の構成を示した断面図である。In FIG. 7, the video signal line DL extending up to the periphery of the transparent substrate SUB is the video signal driving circuit 10.
It is sectional drawing which showed the structure of the part of the electrode terminal 10 used as the location connected with the terminal of FIG.
【0050】この場合、映像信号線DLの末端部におい
て電極端子10となるITO膜の一部が重畳されて形成
されているのみとなっている。映像信号線DLが酸化し
難い材料で構成されていることから、特に、図6に示す
ような工夫を要することのない構成となっている。In this case, a part of the ITO film to be the electrode terminal 10 is formed to be superposed at the end of the video signal line DL. Since the video signal line DL is made of a material that is difficult to oxidize, the structure shown in FIG. 6 does not require any special measures.
【0051】図3は、上述のように構成された透明基板
が組み込まれた液晶表示基板の断面を示した構成図であ
る。FIG. 3 is a configuration diagram showing a cross section of a liquid crystal display substrate incorporating the transparent substrate configured as described above.
【0052】同図において、上述した透明基板SUBと
は別個の透明基板SUB’がそれぞれ液晶LCを介して
対向配置されて構成されている。In the figure, transparent substrates SUB 'different from the above-mentioned transparent substrate SUB are arranged opposite to each other with the liquid crystal LC interposed therebetween.
【0053】透明基板SUB’の液晶側の面には、各画
素領域を縁取るようにして形成されたブラックマトリッ
スク層BMが形成され、さらに、これらブラックマトリ
ックス層BMに囲まれた画素領域にはカラーフィルタ層
CFがその周辺を該ブラックマトリックス層BMに重畳
させて形成されている。On the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB ', a black matrix layer BM is formed so as to surround each pixel area, and further, in a pixel area surrounded by these black matrix layers BM. Is formed by overlapping the periphery of the color filter layer CF with the black matrix layer BM.
【0054】そして、このようなブラックマトリッスク
層BMおよびカラーフィルタ層CFが形成された透明基
板SUB’の主表面には、これら各層を覆ってシリコン
窒化膜からなるパッシベーション膜PS’が形成されて
いる。このパッシベーション膜PS’は主としてカラー
フィルタ層CFを保護するためにある。Then, on the main surface of the transparent substrate SUB 'on which the black matrix layer BM and the color filter layer CF are formed, a passivation film PS' made of a silicon nitride film is formed so as to cover these layers. There is. This passivation film PS 'is mainly for protecting the color filter layer CF.
【0055】なお、同図には、表示用電極SLと基準電
極CTとの間に発生した電界Eによる液晶(分子)LC
の配列状態を示している。In the figure, the liquid crystal (molecule) LC by the electric field E generated between the display electrode SL and the reference electrode CT.
Shows the arrangement state of.
【0056】このような実施例による液晶表示基板によ
れば、表示用電極SLと基準電極CTはそれぞれ前記透
明基板SUBに対して平行な同一面内に形成されてお
り、それらの間には透明基板SUBに対する高低差のな
いものとなっている。According to the liquid crystal display substrate of this embodiment, the display electrode SL and the reference electrode CT are formed in the same plane parallel to the transparent substrate SUB, and the transparent electrode is provided between them. There is no difference in height with respect to the substrate SUB.
【0057】このため、表示用電極SLと基準電極CT
との間に発生させる電界Eは、透明基板SUBに対して
平行に、すなわち液晶層に対しその厚み方向と完全に直
交する方向に印加されることになる。Therefore, the display electrode SL and the reference electrode CT are
The electric field E generated between and is applied to the transparent substrate SUB in parallel, that is, in the direction completely orthogonal to the thickness direction of the liquid crystal layer.
【0058】このことは、電界Eが印加されることによ
って並設される液晶(分子)LCは、透明基板SUBに
対して平行な面内で並設され、該面に対して傾斜して存
在するようなことはなくなる。This means that the liquid crystals (molecules) LC arranged in parallel by the application of the electric field E are arranged in a plane parallel to the transparent substrate SUB and are inclined with respect to the plane. There is nothing to do.
【0059】したがって、表示面に対して斜めの方向か
ら該表示面を観察した場合に、その観察する方向に長軸
が一致づけられる液晶分子が全く存在しなくなる。Therefore, when the display surface is observed from a direction oblique to the display surface, there are no liquid crystal molecules whose major axis is aligned with the observation direction.
【0060】そして、このような状態は観察する方向を
かなり傾けても同様であって全く変わることはないこと
から、広視野角特性の大幅な向上を図ることができるよ
うになる。Since such a state is the same even if the direction of observation is tilted to a large extent and does not change at all, the wide viewing angle characteristic can be greatly improved.
【0061】なお、上述した実施例では、基準電極AO
/CMの断面は図1に示したように、ほぼ矩形状をなし
ているものであるが、図10に示すように、その長手方
向に沿った辺をいわゆるテーパ加工された台形をなす形
状としてもよいことはいうまでもない。In the above embodiment, the reference electrode AO
The cross section of / CM has a substantially rectangular shape as shown in FIG. 1. However, as shown in FIG. 10, the side along the longitudinal direction has a so-called tapered trapezoidal shape. It goes without saying that it is good.
【0062】このようにした場合、パッシベーション膜
PSの形成に当たって、その表面に急激な段差部がなく
なり、該パッシベーション膜PSの表面に形成する配向
膜OR1のラビング処理を行い易いという効果を奏す
る。In this case, when the passivation film PS is formed, there is no sharp step on the surface, and the rubbing process of the alignment film OR1 formed on the surface of the passivation film PS can be easily performed.
【0063】また、基準電極AO/CMと同材料からな
る走査信号線AO/GLを同様の処理がなされることに
よって、その後に交差して形成される映像信号線DLの
段切れによる断線の発生を抑制できるという効果をも奏
する。Further, the scan signal line AO / GL made of the same material as that of the reference electrode AO / CM is subjected to the same processing, so that the disconnection occurs due to the step break of the video signal line DL formed after that. It also has the effect of suppressing
【0064】製造方法 工程1.透明基板SUBの主表面に、その全域にわたっ
てアルミニュウム(Al)膜を形成する。その後、周知
のフォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法
を用いて選択エッチングし、図4に示すパターンからな
るアルミニュウ膜を残存させるとともに、それ以外の領
域のアルミニュウム膜を全て除去する。 Manufacturing Method Step 1. An aluminum (Al) film is formed on the entire main surface of the transparent substrate SUB. After that, selective etching is performed using a known selective etching method using photolithography to leave the aluminum film having the pattern shown in FIG. 4 and remove all the aluminum film in the other regions.
【0065】その後、陽極化成により、残存されたアル
ミニュウム膜の露呈された表面の全域(側面を含む)に
酸化アルミニュウムを形成する。After that, aluminum oxide is formed on the entire exposed surface (including the side surface) of the remaining aluminum film by anodization.
【0066】この場合の陽極化成においては、その化成
対象となるアルミニュウム膜に電力を供給する必要があ
るが、その供給端子としては図6に示したようにITO
膜10および導電膜20に接続されるべく個所を選択す
ることができる。In the anodization in this case, it is necessary to supply electric power to the aluminum film which is the subject of the anodization, and the supply terminal thereof is ITO as shown in FIG.
The location can be selected to be connected to the film 10 and the conductive film 20.
【0067】これにより、透明基板SUBの主表面に、
走査信号線AO/GLおよび基準信号線AO/CMが形
成される。As a result, on the main surface of the transparent substrate SUB,
Scan signal lines AO / GL and reference signal lines AO / CM are formed.
【0068】工程2.透明基板SUBの主表面の全域
に、前記走査信号線AO/GLおよび基準信号線AO/
CMをも覆って、シリコン窒化膜(SiNX)、アモル
ファスシリコン膜(a−Si)、さらには高濃度不純物
層n型Si層を順次形成することによって積層体を形成
する。この場合の成膜方法としてはいわゆるプラズマC
VD法を用いた連続成膜を行なうのが好適となる。Step 2. The scanning signal line AO / GL and the reference signal line AO / are formed over the entire main surface of the transparent substrate SUB.
Also covers the CM, silicon nitride film (SiN X), an amorphous silicon film (a-Si), further to form a laminate by sequentially forming a high concentration impurity layer n-type Si layer. A so-called plasma C is used as a film forming method in this case.
It is suitable to carry out continuous film formation using the VD method.
【0069】これにより形成された積層体を周知のフォ
トリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を用い
て選択エッチングし、図5に示すパターンからなる積層
体を残存させるとともに、それ以外の領域にある積層体
を全て除去する。この場合の選択エッチングとしては、
SF6を用いたドライエッチング方法を適用させること
によって迅速な加工を行なうことができるようになる。The laminated body thus formed is selectively etched by a known selective etching method using a photolithography technique to leave the laminated body having the pattern shown in FIG. 5 and the laminated layers in the other regions. Remove all body. As the selective etching in this case,
By applying the dry etching method using SF 6 , it becomes possible to carry out a rapid processing.
【0070】これにより、前記走査信号線AO/GLお
よび基準信号線AO/CMと次の工程で形成される映像
信号線DLとの層間絶縁を図る層間絶縁膜と、これら層
間絶縁膜のうちの一つの層間絶縁膜が延在されて一体的
に形成された薄膜トランジスタ形成領域とが形成され
る。As a result, an interlayer insulating film for interlayer insulation between the scanning signal line AO / GL and the reference signal line AO / CM and the video signal line DL formed in the next step, and among these interlayer insulating films, A thin film transistor forming region is formed by extending one interlayer insulating film and integrally forming it.
【0071】この場合、前記積層体はそれらを構成する
各層のパターンに相違がなく全く同一のパターンとなっ
ていることから、工程数の低減を図る効果を奏する。In this case, since the laminated body has the same pattern without any difference in the pattern of each layer constituting them, the effect of reducing the number of steps is achieved.
【0072】工程3.このように加工された透明基板S
UBの主表面に、その全域にわたってITO膜を形成す
る。これにより形成されたITO膜を周知のフォトリソ
グラフィ技術を用いた選択エッチング方法を用いて選択
エッチングし、図6および図7に示す電極端子10を残
存させるとともに、それ以外の領域にあるITO膜を全
て除去する。Step 3. The transparent substrate S processed in this way
An ITO film is formed over the entire main surface of the UB. The ITO film thus formed is selectively etched by a known selective etching method using a photolithography technique to leave the electrode terminals 10 shown in FIGS. 6 and 7 and to remove the ITO film in other regions. Remove all.
【0073】工程4.このように加工された透明基板S
UBの主表面に、その全域にわたってクロム(Cr)膜
を形成する。これにより形成されたクロム膜を周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を用
いて選択エッチングし、図2に示すパターンからなるク
ロム膜を残存させるとともに、それ以外の領域にあるク
ロム膜を全て除去する。Step 4. The transparent substrate S processed in this way
A chromium (Cr) film is formed on the entire main surface of the UB. The chrome film thus formed is selectively etched by a known selective etching method using a photolithography technique to leave the chrome film having the pattern shown in FIG. 2 and to remove all the chrome film in other regions. Remove.
【0074】これにより、映像信号線DLおよび表示電
極SLが形成さるととともに、薄膜トランジスタTFT
の形成領域において該映像信号線DLと一体的に形成さ
れたドレイン電極DTおよび表示電極SLと一体的に形
成されたソース電極STが同時に形成される。As a result, the video signal line DL and the display electrode SL are formed and the thin film transistor TFT is formed.
In the formation region of, the drain electrode DT integrally formed with the video signal line DL and the source electrode ST integrally formed with the display electrode SL are simultaneously formed.
【0075】そして、この場合、図6に示した導電層2
0が、やはり同じ工程で形成されるようになっている。In this case, the conductive layer 2 shown in FIG.
0 is also formed in the same process.
【0076】工程5.このように加工された透明基板S
UBの主表面に、その全域にわたってシリコン窒化膜を
たとえばCVD法を用いて形成する。これにより形成さ
れたシリコン窒化膜を周知のフォトリソグラフィ技術を
用いた選択エッチング方法により選択エッチングし、電
極端子10のみを露呈させる。Step 5. The transparent substrate S processed in this way
A silicon nitride film is formed over the entire main surface of the UB by using, for example, the CVD method. The silicon nitride film thus formed is selectively etched by a known selective etching method using a photolithography technique to expose only the electrode terminals 10.
【0077】これにより、電極端子10の部分が露呈さ
れたパッシベーション膜PSが形成されることになる。As a result, the passivation film PS in which the portion of the electrode terminal 10 is exposed is formed.
【0078】その後は、このパッシベーション膜PSの
主表面の全域に樹脂膜を形成し、その表面をラビングす
ることにより配向膜OR1を形成する。After that, a resin film is formed on the entire main surface of the passivation film PS, and the surface is rubbed to form an alignment film OR1.
【0079】以上説明した製造方法によれば、フォトリ
ソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法による選択
エッチングの工程をわずか5工程で済ませることから、
製造工程を低減できるとともに、それによって微細加工
を達成することができる効果を奏する。According to the manufacturing method described above, the selective etching step by the selective etching method using the photolithography technique can be completed in only 5 steps.
There is an effect that the number of manufacturing steps can be reduced and fine processing can be achieved thereby.
【0080】〔実施例II〕図13は、図2に対応した図
で、画素領域におけるパターンの他の実施例を示してい
る。[Embodiment II] FIG. 13 is a view corresponding to FIG. 2 and shows another embodiment of the pattern in the pixel region.
【0081】同図から明らかになるように、画素電極S
Lは2個に枝分かれして形成され、これにともない、基
準電極CTは各画素電極SLをそれぞれ間に位置づける
ようにして3個設けられている。As is clear from the figure, the pixel electrode S
L is formed to be branched into two pieces, and accordingly, three reference electrodes CT are provided so that each pixel electrode SL is positioned between them.
【0082】このようにした場合、画素のいわゆる開口
領域は小さくなるが、画素電極SLと基準電極CTとを
近接して配置できることから、それらの間に発生する電
界の量を大きくでき、液晶の駆動を行い易くできる。In this case, the so-called opening area of the pixel becomes small, but since the pixel electrode SL and the reference electrode CT can be arranged close to each other, the amount of electric field generated between them can be increased, and the liquid crystal of the liquid crystal can be increased. Driving can be facilitated.
【0083】図12は、図13のB−B’線における断
面図を示しており、実施例Iに示した構成と異なるの
は、基準電極CTにある(この場合、走査信号線AO/
GLの断面も同様である)。FIG. 12 is a sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 13. The difference from the structure shown in the embodiment I lies in the reference electrode CT (in this case, the scanning signal line AO /
The same applies to the cross section of GL).
【0084】すなわち、基準電極CTは、下層導電膜C
MDを内在させて積層させたアルミニュウム層からなる
上層導電膜CMUの表面に陽極化成で形成されたアルミ
ニュウム酸化膜が被着された構成となっている。この場
合、下層導電膜とアルミニュウム層は、それぞれフォト
リソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を適用さ
せて形成されるものとなっている。That is, the reference electrode CT is the lower conductive film C.
The structure is such that an aluminum oxide film formed by anodization is deposited on the surface of an upper conductive film CMU made of an aluminum layer laminated with MD contained therein. In this case, the lower conductive film and the aluminum layer are each formed by applying a selective etching method using a photolithography technique.
【0085】このように構成した理由は、基準電極CT
を形成する場合における断線予防対策とするものであ
る。すなわち、前記下層導電膜あるいはアルミニュウム
層のいずれかにおいてその製造工程中に断線が生じた状
態で形成されても、その断線個所が全く同じ部分となる
確率は少なく、結果として基準電極CTそれ自体として
断線が生じないものを得ることができるようになる。The reason for the above configuration is that the reference electrode CT
This is a preventive measure against disconnection when forming a gap. That is, even if any of the lower conductive film or the aluminum layer is formed in the state where the disconnection occurs during the manufacturing process, the probability that the disconnection point is the same portion is small, and as a result, the reference electrode CT itself is formed. It will be possible to obtain a product that does not cause disconnection.
【0086】本実施例は、たとえば陽極化成された走査
信号線AO/GLおよび基準電極CTの絶縁耐圧性の優
れていることに着目し、映像信号線DLとの間に介在さ
れていた絶縁膜を不要とすることによって、該基準電極
CTと表示用電極SLとを同一の平面内に配置できるよ
うにしたものである。In the present embodiment, for example, noting that the anodized scanning signal line AO / GL and the reference electrode CT have excellent withstand voltage, the insulating film interposed between the anodized scanning signal line AO / GL and the video signal line DL is used. By eliminating the requirement, the reference electrode CT and the display electrode SL can be arranged in the same plane.
【0087】ここで、図8を用いて、アルミニュウム層
を陽極化成することによって得られる酸化アルミニュウ
ムの絶縁耐圧性を説明する。同図は、液晶表示基板に組
み込まれた走査信号線AO/GLにおける絶縁耐圧性に
伴う故障結果について、いわゆるワイブル分布を示すグ
ラフである。このグラフの各プロットの傾きが大きいほ
どその信頼性があることが知られている。Here, the dielectric strength of aluminum oxide obtained by anodizing the aluminum layer will be described with reference to FIG. The same figure is a graph showing a so-called Weibull distribution regarding the failure result due to the dielectric strength of the scanning signal line AO / GL incorporated in the liquid crystal display substrate. It is known that the larger the slope of each plot of this graph, the more reliable it is.
【0088】このことから、酸化アルミニュウムの絶縁
耐圧性が良好なことが判る。From this, it can be seen that the dielectric strength of aluminum oxide is good.
【0089】上述した各実施例では、基準電極CTおよ
び走査信号線AO/GLの材料としてアルミニュウムを
用いたものであるが、これに限定されることはなく、た
とえばタンタルあるいはその合金であってもよいことは
いうまでもない。この場合においても、陽極化成によっ
て酸化膜を形成することができる。Although aluminum is used as the material of the reference electrode CT and the scanning signal line AO / GL in each of the above-mentioned embodiments, the material is not limited to this, and for example, tantalum or its alloy may be used. It goes without saying that it is good. Even in this case, the oxide film can be formed by anodizing.
【0090】その絶縁耐圧性については、図8に対応さ
せたグラフである図9に示すように、極めて良好である
ことが判る。It can be seen that the dielectric strength is extremely good as shown in FIG. 9 which is a graph corresponding to FIG.
【0091】さらに、上述した実施例では、陽極化成に
よって走査信号線AO/GLおよび基準電極CTの表面
に絶縁膜を形成したものであるが、これに限定されるこ
とはなく、たとえば、プラズマ酸化法を用いても同様の
効果を奏する。Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the insulating film is formed on the surface of the scanning signal line AO / GL and the reference electrode CT by anodization, but the present invention is not limited to this, and for example, plasma oxidation may be performed. The same effect can be obtained by using the method.
【0092】[0092]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板によれば、その広視野角特性
のさらなる向上を図ることができるようになる。As is apparent from the above description,
According to the liquid crystal display substrate of the present invention, the wide viewing angle characteristics can be further improved.
【図1】本発明による液晶表示基板を構成する一方の透
明基板の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of one transparent substrate constituting a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図2】本発明による液晶表示基板における画素領域パ
ターンの一実施例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of a pixel area pattern on a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図3】本発明による液晶表示基板の一実施例を示す断
面図である。FIG. 3 is a sectional view showing an embodiment of a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図4】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す一工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing an embodiment of the method of manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図5】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す一工程図である。FIG. 5 is a process chart showing an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図6】本発明による液晶表示基板の走査信号線に接続
される端子電極の一実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a terminal electrode connected to a scanning signal line of a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図7】本発明による液晶表示基板の映像信号線に接続
される端子電極の一実施例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a terminal electrode connected to a video signal line of a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図8】本発明による液晶表示基板の基準電極として陽
極化成されたアルミニュウムを用いた場合の効果を示す
グラフである。FIG. 8 is a graph showing an effect when anodized aluminum is used as a reference electrode of a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図9】本発明による液晶表示基板の基準電極として陽
極化成されたタンタルを用いた場合の効果を示すグラフ
である。FIG. 9 is a graph showing an effect of using anodized tantalum as a reference electrode of a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図10】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図11】本発明による液晶表示基板を組み込んだ液晶
表示装置の一実施例を示したブロック構成図である。FIG. 11 is a block diagram showing an embodiment of a liquid crystal display device incorporating a liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図12】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す断面図である。FIG. 12 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display substrate according to the present invention.
【図13】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display substrate according to the present invention.
100……液晶表示基板、AO/GL……走査信号線、
SL……表示用電極、CT……基準電極。100: liquid crystal display substrate, AO / GL: scanning signal line,
SL: display electrode, CT: reference electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦沢 啓一郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Keiichiro Ashizawa, 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba, Hitachi, Ltd. Electronic Device Division (72) Inventor Masahiro Yanai, 3300, Hayano, Mobara, Chiba Hitachi, Ltd. Electronic Device Business Department
Claims (13)
る透明基板のうち、その一方の液晶層側の面に表示用電
極と基準電極とが備えられ、これら表示用電極と基準電
極の間に透明基板面と平行に発生させる電界によって前
記液晶層の光透過率を変化させる液晶表示基板におい
て、 前記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対
して平行な同一面内に形成されていることを特徴とする
液晶表示基板。1. A display substrate and a reference electrode are provided on a surface of one of the transparent substrates facing each other with a liquid crystal layer in between, and a display electrode and a reference electrode are provided. In the liquid crystal display substrate in which the light transmittance of the liquid crystal layer is changed by an electric field generated in parallel with the transparent substrate surface, the display electrode and the reference electrode are formed in the same plane parallel to the transparent substrate. A liquid crystal display substrate characterized in that
板に対して他の材料層を介在させることなく直接に形成
されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示基
板。2. The liquid crystal display substrate according to claim 1, wherein the display electrode and the reference electrode are directly formed on the transparent substrate without interposing another material layer.
材料の酸化によって形成された絶縁膜によって被覆され
ていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示基板。3. The liquid crystal display substrate according to claim 1, wherein the reference electrode formed on the transparent substrate is covered with an insulating film formed by oxidizing the material.
表面において陽極化成によって酸化された絶縁膜が形成
されていることを特徴とする請求項3記載の液晶表示基
板。4. The liquid crystal display substrate according to claim 3, wherein the reference electrode formed on the transparent substrate has an insulating film oxidized by anodization formed on the surface thereof.
はその合金からなる請求項4記載の液晶表示基板。5. The liquid crystal display substrate according to claim 4, wherein the material of the reference electrode is aluminum or its alloy.
合金からなる請求項4記載の液晶表示基板。6. The liquid crystal display substrate according to claim 4, wherein the material of the reference electrode is tantalum or an alloy thereof.
る透明基板のうち、その一方の液晶層側の面にx方向に
延在しかつy方向に並設される走査信号線および基準信
号線と、y方向に延在しかつx方向に並設される映像信
号線と、前記走査信号線からの走査信号の供給によって
オンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜ト
ランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供
給される表示用電極と、この表示用電極と対向しかつ前
記基準信号線と接続されて形成される基準電極とが備え
られ、これら表示用電極と基準電極の間に透明基板面と
平行に発生させる電界によって前記液晶層の光透過率を
変化させる液晶表示装置において、 前記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対
して平行な同一面内に形成されていることを特徴とする
液晶表示基板。7. A scanning signal line and a reference extending in the x direction and juxtaposed in the y direction on one liquid crystal layer side surface of transparent substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A signal line, a video signal line extending in the y direction and juxtaposed in the x direction, a thin film transistor which is turned on by the supply of the scanning signal from the scanning signal line, and the image through the thin film transistor which is turned on. A display electrode to which a video signal from the signal line is supplied, and a reference electrode formed facing the display electrode and connected to the reference signal line are provided, and between the display electrode and the reference electrode. In the liquid crystal display device in which the light transmittance of the liquid crystal layer is changed by the electric field generated in parallel with the transparent substrate surface, the display electrode and the reference electrode are formed in the same plane parallel to the transparent substrate. Are The liquid crystal display substrate, wherein the door.
極はそれぞれ透明基板に対して他の材料層を介在させる
ことなく直接に形成されていることを特徴とする請求項
7記載の液晶表示基板。8. The liquid crystal display according to claim 7, wherein the scanning signal line, the display electrode, and the reference electrode are directly formed on the transparent substrate without interposing another material layer. substrate.
び基準電極はその材料の酸化によって形成された絶縁膜
によって被覆されていることを特徴とする請求項7記載
の液晶表示基板。9. The liquid crystal display substrate according to claim 7, wherein the scanning signal line and the reference electrode formed on the transparent substrate are covered with an insulating film formed by oxidizing the material.
び基準電極はその表面において陽極化成によって酸化さ
れた絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項9
記載の液晶表示基板。10. The scanning signal line and the reference electrode formed on the transparent substrate are formed with an insulating film oxidized by anodization on the surface thereof.
The liquid crystal display substrate described.
ルミニュウムあるいはその合金からなる請求項10記載
の液晶表示基板。11. The liquid crystal display substrate according to claim 10, wherein the material of the scanning signal line and the reference electrode is aluminum or its alloy.
ンタルあるいはその合金からなる請求項10記載の液晶
表示基板。12. The liquid crystal display substrate according to claim 10, wherein the material of the scanning signal line and the reference electrode is tantalum or an alloy thereof.
映像信号線の層間絶縁およびこの層間絶縁膜の延在部と
して形成され薄膜トランジスタの形成領域となる部分を
構成する絶縁層および半導体層の順次積層体は同一パタ
ーンの順次積層体からなっていることを特徴とする請求
項9記載の液晶表示基板。13. A sequential laminate of an insulating layer and a semiconductor layer, which constitutes an interlayer insulation of a video signal line with respect to a scanning signal line and a reference signal line and a portion which is formed as an extension of this interlayer insulation film and serves as a formation region of a thin film transistor. 10. The liquid crystal display substrate according to claim 9, wherein the liquid crystal display substrate is formed of a sequentially laminated body having the same pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15284995A JPH095764A (en) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | Liquid crystal display substrate |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP15284995A JPH095764A (en) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | Liquid crystal display substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH095764A true JPH095764A (en) | 1997-01-10 |
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Family Applications (1)
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JP15284995A Pending JPH095764A (en) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | Liquid crystal display substrate |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH095764A (en) |
Cited By (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100257369B1 (en) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | In plane switching mode liquid crystal display device |
KR100257370B1 (en) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | In plane switching mode liquid crystal display device |
US6184961B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
US6259502B1 (en) | 1997-07-12 | 2001-07-10 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a common electrode on the passivation layer |
US6297866B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-10-02 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6396556B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Liquid crystal display |
US6400435B2 (en) | 1998-08-26 | 2002-06-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device capable of shielding against interferences |
US6445435B1 (en) | 1998-01-23 | 2002-09-03 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid cystal display device having common electrode on passivation layer |
US6459465B1 (en) | 2000-12-15 | 2002-10-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal panel for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US6509939B1 (en) | 1998-07-07 | 2003-01-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
US6549258B1 (en) | 1997-09-04 | 2003-04-15 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Hybrid switching mode liquid crystal display device |
US6661492B2 (en) | 2000-05-23 | 2003-12-09 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching LCD device |
US6697140B2 (en) | 1997-07-29 | 2004-02-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode |
US6710836B2 (en) | 2001-02-26 | 2004-03-23 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US6724454B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-04-20 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Ips lcd device having a light shielding layer under at least one common or data electrodes so that light transmittance areas of the common and data electrodes are the same and a method of manufacturing the same |
US6738110B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-05-18 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6741313B2 (en) | 2001-12-24 | 2004-05-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US6784965B2 (en) | 2000-11-14 | 2004-08-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US6791651B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-09-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and fabricating method for the same |
US6791653B2 (en) | 1999-12-15 | 2004-09-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display |
US6791652B2 (en) | 2001-12-24 | 2004-09-14 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US6812985B1 (en) | 1996-09-23 | 2004-11-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US6829022B2 (en) | 2001-12-31 | 2004-12-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Chuck for exposure apparatus |
US6833896B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-12-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of forming an array substrate for an in-plane switching liquid crystal display device having an alignment film formed directly on a thin film transistor |
US6839116B2 (en) | 2002-10-11 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US6839111B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6839114B2 (en) | 2000-12-29 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device with capacitors connected by extending lines and method for fabricating the same |
US6839115B2 (en) | 2002-10-04 | 2005-01-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US6876420B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-04-05 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6879353B2 (en) | 2000-12-29 | 2005-04-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6885424B2 (en) | 2001-07-27 | 2005-04-26 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device having multi-domain |
US6894756B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-05-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US6894744B2 (en) | 2002-12-23 | 2005-05-17 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US6900867B2 (en) | 1999-12-14 | 2005-05-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of manufacturing a color filter substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device |
US6900872B2 (en) | 2002-10-28 | 2005-05-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6900862B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6906770B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-06-14 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US6911668B2 (en) * | 2001-12-11 | 2005-06-28 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device |
JP2005181984A (en) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Quanta Display Japan Inc | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
KR100471393B1 (en) * | 1997-12-22 | 2005-07-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
US6924864B2 (en) | 2001-12-31 | 2005-08-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
KR100488923B1 (en) * | 1997-06-25 | 2005-09-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Liquid crystal display |
US6950164B2 (en) | 2000-12-20 | 2005-09-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US6970223B2 (en) | 2002-08-17 | 2005-11-29 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode LCD device and method for fabricating the same |
US6972818B1 (en) | 1997-05-19 | 2005-12-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US7006186B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7006187B2 (en) | 2002-12-30 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7015999B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-03-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating an array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US7029372B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-04-18 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of forming an electrode equipped in an apparatus for manufacturing an array substrate of a liquid crystal display device |
US7050136B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-05-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for use in in-plane switching mode liquid crystal display device |
US7050131B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-05-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device having black seal pattern and external resin pattern, and method of fabricating the same |
US7061566B2 (en) | 2002-08-27 | 2006-06-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7116393B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-10-03 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7161997B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-01-09 | Intel Corporation | Programmable baseband module |
US7180563B2 (en) | 2001-05-21 | 2007-02-20 | Lg.Philips Co., Ltd. | Array substrate and fabrication method for in-plane switching mode liquid crystal display device having pixel electrode overlapping common line and adjacent gate line |
US7196748B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-03-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US7196761B2 (en) | 2002-10-21 | 2007-03-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | LCD array substrate and fabrication method thereof |
US7221426B2 (en) | 2002-09-26 | 2007-05-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Discharging method of in-plane switching mode liquid crystal display device |
US7256851B2 (en) | 2001-09-05 | 2007-08-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and manufacturing method of the same |
US7336333B2 (en) | 2002-08-21 | 2008-02-26 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US7362399B2 (en) | 1997-08-14 | 2008-04-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US7365819B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-04-29 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7576821B2 (en) | 2000-07-10 | 2009-08-18 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching liquid crystal display device and method for fabricating the same |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP15284995A patent/JPH095764A/en active Pending
Cited By (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6812985B1 (en) | 1996-09-23 | 2004-11-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US6281957B1 (en) * | 1997-05-19 | 2001-08-28 | Lg Electronics, Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
KR100257369B1 (en) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | In plane switching mode liquid crystal display device |
US6529256B1 (en) | 1997-05-19 | 2003-03-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6665036B2 (en) | 1997-05-19 | 2003-12-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having particular common electrodes |
US6972818B1 (en) | 1997-05-19 | 2005-12-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
KR100257370B1 (en) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | In plane switching mode liquid crystal display device |
US7551256B1 (en) | 1997-05-19 | 2009-06-23 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
KR100488923B1 (en) * | 1997-06-25 | 2005-09-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Liquid crystal display |
US6853429B2 (en) | 1997-07-07 | 2005-02-08 | Lg Electronics, Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having multiple domains |
US6184961B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
US6466291B2 (en) | 1997-07-07 | 2002-10-15 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having plurality of pixel regions |
US6384888B2 (en) | 1997-07-12 | 2002-05-07 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6259502B1 (en) | 1997-07-12 | 2001-07-10 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a common electrode on the passivation layer |
US6741312B2 (en) | 1997-07-12 | 2004-05-25 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6697140B2 (en) | 1997-07-29 | 2004-02-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode |
US7362399B2 (en) | 1997-08-14 | 2008-04-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6549258B1 (en) | 1997-09-04 | 2003-04-15 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Hybrid switching mode liquid crystal display device |
US6297866B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-10-02 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
KR100471393B1 (en) * | 1997-12-22 | 2005-07-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
US6628362B2 (en) | 1998-01-23 | 2003-09-30 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a high aperture ratio |
US6445435B1 (en) | 1998-01-23 | 2002-09-03 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid cystal display device having common electrode on passivation layer |
US6833881B2 (en) | 1998-07-07 | 2004-12-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
US7145627B2 (en) | 1998-07-07 | 2006-12-05 | Lg.Philips Lcd. Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
US6509939B1 (en) | 1998-07-07 | 2003-01-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
US6396556B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Liquid crystal display |
US6400435B2 (en) | 1998-08-26 | 2002-06-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device capable of shielding against interferences |
US6900867B2 (en) | 1999-12-14 | 2005-05-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of manufacturing a color filter substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device |
US6791653B2 (en) | 1999-12-15 | 2004-09-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display |
US6661492B2 (en) | 2000-05-23 | 2003-12-09 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching LCD device |
US7259821B2 (en) | 2000-05-23 | 2007-08-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching LCD device |
US7576821B2 (en) | 2000-07-10 | 2009-08-18 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7522245B2 (en) | 2000-10-20 | 2009-04-21 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6724454B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-04-20 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Ips lcd device having a light shielding layer under at least one common or data electrodes so that light transmittance areas of the common and data electrodes are the same and a method of manufacturing the same |
US8446553B2 (en) | 2000-10-20 | 2013-05-21 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
US8212984B2 (en) | 2000-10-20 | 2012-07-03 | Lg Display Co., Ltd. | Method of manufacturing an IPS LCD device having a light shielding layer under at least one common or data electrodes so that light transmittance areas of the common and data electrodes are the same |
US7173682B2 (en) | 2000-10-20 | 2007-02-06 | L.G.Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
US6784965B2 (en) | 2000-11-14 | 2004-08-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US7006189B2 (en) | 2000-11-14 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US6459465B1 (en) | 2000-12-15 | 2002-10-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal panel for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US6950164B2 (en) | 2000-12-20 | 2005-09-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7196748B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-03-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US7161997B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-01-09 | Intel Corporation | Programmable baseband module |
US6879353B2 (en) | 2000-12-29 | 2005-04-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6839114B2 (en) | 2000-12-29 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device with capacitors connected by extending lines and method for fabricating the same |
US7405794B2 (en) | 2000-12-29 | 2008-07-29 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device with particular common electrodes on two layer levels and method for fabricating the same |
US6833896B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-12-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of forming an array substrate for an in-plane switching liquid crystal display device having an alignment film formed directly on a thin film transistor |
US7567326B2 (en) | 2001-02-12 | 2009-07-28 | Lg Display Co., Ltd. | IPS mode liquid crystal display device having an alignment layer on a plurality of pixel electrodes |
US6795151B2 (en) | 2001-02-26 | 2004-09-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US6710836B2 (en) | 2001-02-26 | 2004-03-23 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US7180563B2 (en) | 2001-05-21 | 2007-02-20 | Lg.Philips Co., Ltd. | Array substrate and fabrication method for in-plane switching mode liquid crystal display device having pixel electrode overlapping common line and adjacent gate line |
US7029372B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-04-18 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of forming an electrode equipped in an apparatus for manufacturing an array substrate of a liquid crystal display device |
US6885424B2 (en) | 2001-07-27 | 2005-04-26 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device having multi-domain |
US7092060B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-15 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating an array substrate for in-plane switching liquid crystal display device having multi-domain |
US7256851B2 (en) | 2001-09-05 | 2007-08-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and manufacturing method of the same |
US6911668B2 (en) * | 2001-12-11 | 2005-06-28 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device |
US7132305B2 (en) | 2001-12-11 | 2006-11-07 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating an in-plane switching liquid crystal display device |
US6791652B2 (en) | 2001-12-24 | 2004-09-14 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US6741313B2 (en) | 2001-12-24 | 2004-05-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7023515B2 (en) | 2001-12-24 | 2006-04-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7480024B2 (en) | 2001-12-24 | 2009-01-20 | Lg Display Co., Ltd. | Method for fabricating an array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6839111B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6791651B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-09-14 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and fabricating method for the same |
US7015999B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-03-21 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating an array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6738110B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-05-18 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US6829022B2 (en) | 2001-12-31 | 2004-12-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Chuck for exposure apparatus |
US6924864B2 (en) | 2001-12-31 | 2005-08-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US6876420B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-04-05 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US7782434B2 (en) | 2002-06-25 | 2010-08-24 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US7639336B2 (en) | 2002-06-25 | 2009-12-29 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6970223B2 (en) | 2002-08-17 | 2005-11-29 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode LCD device and method for fabricating the same |
US7336333B2 (en) | 2002-08-21 | 2008-02-26 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US7061566B2 (en) | 2002-08-27 | 2006-06-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7221426B2 (en) | 2002-09-26 | 2007-05-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Discharging method of in-plane switching mode liquid crystal display device |
US7301600B1 (en) | 2002-09-26 | 2007-11-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Discharging method of in plane switching mode liquid crystal display device |
US7206052B2 (en) | 2002-10-04 | 2007-04-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Method of fabricating an in-plane switching mode liquid crystal display device forming a second common electrode over the first common electrode and pixel electrode adjacent to the data line |
US6839115B2 (en) | 2002-10-04 | 2005-01-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US7180565B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-02-20 | Lg. Philips Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a storage electrode connected to the pixel electrode and under the color filter |
US6839116B2 (en) | 2002-10-11 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
US7050131B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-05-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device having black seal pattern and external resin pattern, and method of fabricating the same |
US7196761B2 (en) | 2002-10-21 | 2007-03-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | LCD array substrate and fabrication method thereof |
US7649584B2 (en) | 2002-10-21 | 2010-01-19 | Lg Display Co., Ltd. | LCD array substrate and fabrication method thereof |
US6900872B2 (en) | 2002-10-28 | 2005-05-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device |
US7365819B2 (en) | 2002-12-10 | 2008-04-29 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7605887B2 (en) | 2002-12-11 | 2009-10-20 | Lg Display Co., Ltd. | Method of fabricating in-plane switching mode liquid crystal display device |
US6900862B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
US6894744B2 (en) | 2002-12-23 | 2005-05-17 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7456927B2 (en) | 2002-12-23 | 2008-11-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7006187B2 (en) | 2002-12-30 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7116393B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-10-03 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7050136B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-05-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for use in in-plane switching mode liquid crystal display device |
US7580022B2 (en) | 2002-12-31 | 2009-08-25 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US6894756B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-05-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US6906770B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-06-14 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7379145B2 (en) | 2002-12-31 | 2008-05-27 | Lg Display Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US7006186B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
JP2005181984A (en) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Quanta Display Japan Inc | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
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