JPH0957389A - 真空チャンバー製造方法 - Google Patents
真空チャンバー製造方法Info
- Publication number
- JPH0957389A JPH0957389A JP21482595A JP21482595A JPH0957389A JP H0957389 A JPH0957389 A JP H0957389A JP 21482595 A JP21482595 A JP 21482595A JP 21482595 A JP21482595 A JP 21482595A JP H0957389 A JPH0957389 A JP H0957389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- manufacturing
- gas molecules
- forging
- metal
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の真空チャンバーにおいて発生する溶接
部でのリークをなくし、製造上のコストを低下させる真
空チャンバー製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、半導体製造装置の真空チャンバー
を製造するための真空チャンバー製造方法であって、鍛
造加工により所定の形状の真空チャンバー２を製造する
ことを特徴としている。これにより、真空チャンバー２
は１個の金属塊から形成されるとともに、強靱な構造と
なる。また、本発明は、真空チャンバー２の内面にさら
に表面処理を施すことが好ましい。これにより、真空チ
ャンバー２へのガス分子の吸着量が減少するとともに、
真空チャンバー２の表面からのガス分子の脱離が短時間
で円滑に行われるようになる。
部でのリークをなくし、製造上のコストを低下させる真
空チャンバー製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、半導体製造装置の真空チャンバー
を製造するための真空チャンバー製造方法であって、鍛
造加工により所定の形状の真空チャンバー２を製造する
ことを特徴としている。これにより、真空チャンバー２
は１個の金属塊から形成されるとともに、強靱な構造と
なる。また、本発明は、真空チャンバー２の内面にさら
に表面処理を施すことが好ましい。これにより、真空チ
ャンバー２へのガス分子の吸着量が減少するとともに、
真空チャンバー２の表面からのガス分子の脱離が短時間
で円滑に行われるようになる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
真空チャンバーを製造するための真空チャンバー製造方
法に関する。
真空チャンバーを製造するための真空チャンバー製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空チャンバーの製造方法として従来か
ら種々の方法が知られているが、例えば、ステンレス板
を曲げたり、いくつかの板状の金属部品を溶接して繋ぎ
合わせたり、また、アルミなどの金属の塊から金属部分
を切削したりすることによって真空チャンバーを製造す
る方法がある。
ら種々の方法が知られているが、例えば、ステンレス板
を曲げたり、いくつかの板状の金属部品を溶接して繋ぎ
合わせたり、また、アルミなどの金属の塊から金属部分
を切削したりすることによって真空チャンバーを製造す
る方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな製造方法では、溶接部でのリークや量産する場合に
コストが高いといった問題があった。本発明は、このよ
うな問題点に鑑みてなされたものである。
うな製造方法では、溶接部でのリークや量産する場合に
コストが高いといった問題があった。本発明は、このよ
うな問題点に鑑みてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体製造装
置の真空チャンバーを製造するための真空チャンバー製
造方法であって、鍛造加工により所定の形状の真空チャ
ンバーを製造することを特徴としている。これにより、
真空チャンバーは１個の金属塊から形成されるととも
に、緻密な金属組織が得られ、強靱な構造となる。
置の真空チャンバーを製造するための真空チャンバー製
造方法であって、鍛造加工により所定の形状の真空チャ
ンバーを製造することを特徴としている。これにより、
真空チャンバーは１個の金属塊から形成されるととも
に、緻密な金属組織が得られ、強靱な構造となる。
【０００５】また、本発明は、真空チャンバーの内面に
さらに表面処理を施すことが好ましい。これにより、真
空チャンバー表面へのガス分子の吸着量が減少するとと
もに、真空チャンバー表面からのガス分子の脱離が短時
間で円滑に行われるようになる。
さらに表面処理を施すことが好ましい。これにより、真
空チャンバー表面へのガス分子の吸着量が減少するとと
もに、真空チャンバー表面からのガス分子の脱離が短時
間で円滑に行われるようになる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【０００７】真空チャンバーは、半導体製造装置、例え
ば、スパッタ装置において用いられる。
ば、スパッタ装置において用いられる。
【０００８】図１は、スパッタ装置の概略を示す断面図
である。スパッタ装置は、図示のように、真空チャンバ
ー２と、この真空チャンバー２の上部開口を塞ぐための
蓋４と、この蓋４に取り付けられたターゲット６と、真
空チャンバー２に軸を介して取り付けられ且つ電極の働
きをするサセプター８と、ターゲット６及びサセプター
８の間に電圧を印加するための電源１０と、真空チャン
バー２及び蓋４により形成される空間にアルゴンを供給
するためのアルゴン供給源１２と、この空間を真空に引
くための真空ポンプ１４とを含んでいる。
である。スパッタ装置は、図示のように、真空チャンバ
ー２と、この真空チャンバー２の上部開口を塞ぐための
蓋４と、この蓋４に取り付けられたターゲット６と、真
空チャンバー２に軸を介して取り付けられ且つ電極の働
きをするサセプター８と、ターゲット６及びサセプター
８の間に電圧を印加するための電源１０と、真空チャン
バー２及び蓋４により形成される空間にアルゴンを供給
するためのアルゴン供給源１２と、この空間を真空に引
くための真空ポンプ１４とを含んでいる。
【０００９】上記構成のもとで、真空ポンプ２により真
空に引くとともにアルゴンを導入し電圧を印加すると、
アルゴンはイオン化され、ターゲット６に衝突される。
このとき、ターゲット６を構成する原子が叩き出され、
この原子は、サセプター８上に載置されているウェハー
１６上に散布される。
空に引くとともにアルゴンを導入し電圧を印加すると、
アルゴンはイオン化され、ターゲット６に衝突される。
このとき、ターゲット６を構成する原子が叩き出され、
この原子は、サセプター８上に載置されているウェハー
１６上に散布される。
【００１０】このような真空チャンバー２の製造に際
し、本発明では鍛造加工を利用することとした。
し、本発明では鍛造加工を利用することとした。
【００１１】鍛造加工は一般に、金属を一定の温度に熱
し圧力を加えて成形する技術のことであり、素材を型の
中に押し込んで所望の形状を作る加工方法である。具体
的には、最適にデザインされた真空チャンバー２の上下
一対の型を用い、この上下の型の間に加熱された金属を
はさみ、強圧して素材を型に従わせることにより、所定
の形状の真空チャンバー２を得ている。
し圧力を加えて成形する技術のことであり、素材を型の
中に押し込んで所望の形状を作る加工方法である。具体
的には、最適にデザインされた真空チャンバー２の上下
一対の型を用い、この上下の型の間に加熱された金属を
はさみ、強圧して素材を型に従わせることにより、所定
の形状の真空チャンバー２を得ている。
【００１２】この鍛造加工によれば、より均等な金属組
織が得られ、真空チャンバー２の機械的強度は向上す
る。
織が得られ、真空チャンバー２の機械的強度は向上す
る。
【００１３】さらに、鍛造加工では、強い圧力により金
属組織を緻密とするため、真空チャンバー２の表面上も
しくは表面に近い金属層からのアウトガスがかなり少な
くなる。一方、真空チャンバー２を製造するのに鋳造加
工を利用することも可能であるが、鋳造加工は単に、素
材を加熱溶融して鋳型に流し込み、凝固させることによ
り所望の形状の部品を成形する技術であるという性質
上、金属組織は鍛造加工の場合と比較して緻密とはなら
ない。従って、鋳造加工で真空チャンバー２を製造した
場合、真空チャンバー２の表面上もしくは表面に近い金
属層からのアウトガスは多くなってしまい、真空チャン
バー２としての性能が低下する。このことから、真空チ
ャンバー２を製造する場合には鍛造加工を利用すること
がより好適である。
属組織を緻密とするため、真空チャンバー２の表面上も
しくは表面に近い金属層からのアウトガスがかなり少な
くなる。一方、真空チャンバー２を製造するのに鋳造加
工を利用することも可能であるが、鋳造加工は単に、素
材を加熱溶融して鋳型に流し込み、凝固させることによ
り所望の形状の部品を成形する技術であるという性質
上、金属組織は鍛造加工の場合と比較して緻密とはなら
ない。従って、鋳造加工で真空チャンバー２を製造した
場合、真空チャンバー２の表面上もしくは表面に近い金
属層からのアウトガスは多くなってしまい、真空チャン
バー２としての性能が低下する。このことから、真空チ
ャンバー２を製造する場合には鍛造加工を利用すること
がより好適である。
【００１４】また、鍛造加工は１つの金属塊から所定の
形状の部品を成形するものであるため、真空チャンバー
２を一体物とすることが可能となる。
形状の部品を成形するものであるため、真空チャンバー
２を一体物とすることが可能となる。
【００１５】さらに、真空チャンバー２の内面に、表面
を滑らかにする、すなわち表面の凸凹をなくすような表
面処理を施すことが好ましい。これにより、真空チャン
バー２の表面の金属組織を緻密にしたことと相まって、
真空チャンバー２の表面へのガス分子の吸着量が減少
し、真空チャンバー２の表面からのガス分子の脱離が短
時間で円滑に行われるようになる。
を滑らかにする、すなわち表面の凸凹をなくすような表
面処理を施すことが好ましい。これにより、真空チャン
バー２の表面の金属組織を緻密にしたことと相まって、
真空チャンバー２の表面へのガス分子の吸着量が減少
し、真空チャンバー２の表面からのガス分子の脱離が短
時間で円滑に行われるようになる。
【００１６】また、上記実施形態では、金属塊を加熱し
て成形する熱間加工が用いられているが、常温の状態で
金属塊を成形する冷間加工を用いることもできる。
て成形する熱間加工が用いられているが、常温の状態で
金属塊を成形する冷間加工を用いることもできる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空チャンバーは鍛造加工により形成されるため、その機
械的強度は向上される。従って、長期にわたって使用す
る場合に、真空に引いたとき外圧により押しつぶされな
いようにすることができる。
空チャンバーは鍛造加工により形成されるため、その機
械的強度は向上される。従って、長期にわたって使用す
る場合に、真空に引いたとき外圧により押しつぶされな
いようにすることができる。
【００１８】また、真空チャンバーは１つの金属塊から
形成されるため、真空チャンバーの内部を真空ないしは
低圧に保つために外部からの気体の侵入を防ぐ、すなわ
ちリークを防ぐことができる。一方、真空チャンバー
は、鍛造加工により緻密な金属組織を有するようになる
ため、真空チャンバーの表面上もしくは表面に近い金属
層からのアウトガスをかなり少なくすることができる。
形成されるため、真空チャンバーの内部を真空ないしは
低圧に保つために外部からの気体の侵入を防ぐ、すなわ
ちリークを防ぐことができる。一方、真空チャンバー
は、鍛造加工により緻密な金属組織を有するようになる
ため、真空チャンバーの表面上もしくは表面に近い金属
層からのアウトガスをかなり少なくすることができる。
【００１９】さらに、真空チャンバーの内面に表面処理
を施した場合には、真空チャンバー表面へのガス分子の
吸着量が減少するとともに真空チャンバーからのガス分
子の脱離が短時間で円滑に行われるようになる。
を施した場合には、真空チャンバー表面へのガス分子の
吸着量が減少するとともに真空チャンバーからのガス分
子の脱離が短時間で円滑に行われるようになる。
【００２０】また、本発明によれば、量産時に、真空チ
ャンバーの品質を維持するとともにコストの低下を図る
ことができる。
ャンバーの品質を維持するとともにコストの低下を図る
ことができる。
【図１】スパッタ装置の概略図を示す断面図である。
２…真空チャンバー、４…蓋、６…ターゲット、８…サ
セプター、１０…電源、１２…アルゴン供給源、１４…
真空ポンプ、１６…ウェハー。
セプター、１０…電源、１２…アルゴン供給源、１４…
真空ポンプ、１６…ウェハー。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置の真空チャンバーを製造
するための真空チャンバー製造方法において、鍛造加工
により所定の形状の真空チャンバーを製造することを特
徴とする真空チャンバー製造方法。 - 【請求項２】 真空チャンバーの内面にさらに表面処理
を施すことを特徴とする請求項１記載の真空チャンバー
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21482595A JPH0957389A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 真空チャンバー製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21482595A JPH0957389A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 真空チャンバー製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0957389A true JPH0957389A (ja) | 1997-03-04 |
Family
ID=16662162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21482595A Withdrawn JPH0957389A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 真空チャンバー製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0957389A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887128A3 (en) * | 1997-06-26 | 2001-04-04 | The Japan Steel Works, Ltd. | Method for manufacturing vacuum chamber |
| CN110625205A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-12-31 | 南方科技大学 | 一种晶圆减薄工艺和装置 |
-
1995
- 1995-08-23 JP JP21482595A patent/JPH0957389A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887128A3 (en) * | 1997-06-26 | 2001-04-04 | The Japan Steel Works, Ltd. | Method for manufacturing vacuum chamber |
| CN110625205A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-12-31 | 南方科技大学 | 一种晶圆减薄工艺和装置 |
| CN110625205B (zh) * | 2019-07-12 | 2024-06-11 | 南方科技大学 | 一种晶圆减薄工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |