JPH0955997A - 超音波プローブ - Google Patents
超音波プローブInfo
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- JPH0955997A JPH0955997A JP20553095A JP20553095A JPH0955997A JP H0955997 A JPH0955997 A JP H0955997A JP 20553095 A JP20553095 A JP 20553095A JP 20553095 A JP20553095 A JP 20553095A JP H0955997 A JPH0955997 A JP H0955997A
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- JP
- Japan
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- base
- piezoelectric film
- outer peripheral
- peripheral surface
- pedestal
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外気や防水のため保護する保護膜として樹脂
を塗布すると、均一の厚さに作成することは手間がかか
るとともに、個体差ができ、必要以上に厚く形成される
と超音波の受振に影響がでる。 【解決手段】 基台８と、基台８上面に配置された圧電
膜４と、圧電膜４を覆い基台８外周面８ａに回り込む保
護膜５と、保護膜５の基台８外周面８ａに回り込んだ部
分を押さえるリング７と、を有することによって、圧電
膜４に均一に保護層を形成することができる。
を塗布すると、均一の厚さに作成することは手間がかか
るとともに、個体差ができ、必要以上に厚く形成される
と超音波の受振に影響がでる。 【解決手段】 基台８と、基台８上面に配置された圧電
膜４と、圧電膜４を覆い基台８外周面８ａに回り込む保
護膜５と、保護膜５の基台８外周面８ａに回り込んだ部
分を押さえるリング７と、を有することによって、圧電
膜４に均一に保護層を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電膜を利用して
超音波を検出する超音波プローブに関する。
超音波を検出する超音波プローブに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】近年、超音波を検出す
る素子の利用が進み、検査対象の内部の状態が非破壊的
に検出できるようになっている。医療の分野において
は、人体内部の状態や腫瘍の大きさ等を検出することが
できる。
る素子の利用が進み、検査対象の内部の状態が非破壊的
に検出できるようになっている。医療の分野において
は、人体内部の状態や腫瘍の大きさ等を検出することが
できる。
【０００３】従来の超音波プローブは、超音波を検出す
る素子である圧電膜を先端部分に配置するため、例えば
図３に示すように構成されている。この超音波プローブ
は、後述する圧電膜が内部に配置されているケースのヘ
ッド１１と、そのヘッド１１を先端にする握部２１とか
ら形成されている。この握部２１として図面上ヘッド１
１への接続状態を示しているが、実際には棒状あるいは
球形の把手部分が形成されるものである。
る素子である圧電膜を先端部分に配置するため、例えば
図３に示すように構成されている。この超音波プローブ
は、後述する圧電膜が内部に配置されているケースのヘ
ッド１１と、そのヘッド１１を先端にする握部２１とか
ら形成されている。この握部２１として図面上ヘッド１
１への接続状態を示しているが、実際には棒状あるいは
球形の把手部分が形成されるものである。
【０００４】ヘッド１１の当接面には、最外周にエポキ
シ樹脂等の塗布による保護膜５１と、その内部に表電極
を兼ねる押さえリング９１と、その押さえリング９１に
押さえられた高分子圧電材料としてのＰＶＤＦ（ポリフ
ッ化ビニリデン）を主材とした上下面に図示されない金
等による電極層が形成された圧電膜４１とが配置され、
圧電膜４１は裏電極を兼ねた銅等の金属板である裏電極
兼反射板６１に当接されている。この押さえリング９１
と裏電極兼反射板６１とには、裏電極が＋、表電極が−
となるように信号線が電気的に接続されている。裏電極
兼反射板６１の背面には、フェノール樹脂等によるバッ
キング材としての円筒状の基台８１が設けられている。
これらの各部材が基台８１に順次接着等により積層され
て超音波素子として構成される。なお、圧電膜４１にＰ
ＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等のセラミック材料を使
用するときには超音波を受ける機能としての反射板は不
要である。 上記のように超音波素子として構成された
基台８１は、円筒状に形成されたヘッド１１の中央開口
１１ａに螺合され、さらにその中央開口１１ａに握部２
１の接合部２１ａを螺合することにより、超音波プロー
ブが形成される。
シ樹脂等の塗布による保護膜５１と、その内部に表電極
を兼ねる押さえリング９１と、その押さえリング９１に
押さえられた高分子圧電材料としてのＰＶＤＦ（ポリフ
ッ化ビニリデン）を主材とした上下面に図示されない金
等による電極層が形成された圧電膜４１とが配置され、
圧電膜４１は裏電極を兼ねた銅等の金属板である裏電極
兼反射板６１に当接されている。この押さえリング９１
と裏電極兼反射板６１とには、裏電極が＋、表電極が−
となるように信号線が電気的に接続されている。裏電極
兼反射板６１の背面には、フェノール樹脂等によるバッ
キング材としての円筒状の基台８１が設けられている。
これらの各部材が基台８１に順次接着等により積層され
て超音波素子として構成される。なお、圧電膜４１にＰ
ＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等のセラミック材料を使
用するときには超音波を受ける機能としての反射板は不
要である。 上記のように超音波素子として構成された
基台８１は、円筒状に形成されたヘッド１１の中央開口
１１ａに螺合され、さらにその中央開口１１ａに握部２
１の接合部２１ａを螺合することにより、超音波プロー
ブが形成される。
【０００５】上記の超音波プローブでは、ヘッド１１の
当接面において中央開口１１ａ内を外気や防水のため保
護する保護膜として樹脂を塗布することになる。この樹
脂の塗布は、圧電膜４１の全面に均一の厚さに作成する
ことは手間がかかるとともに、個体差ができ、必要以上
に厚く形成されると超音波の受振に影響がでる。そし
て、押さえリング９１による表電極では、圧電膜４１と
の接する面積が大きいと超音波の受振の妨げとなり、小
さすぎると局所的に高電圧が印加されてパンクすること
があり、その設定が難しい。また、樹脂の塗布による保
護膜であると、プローブの形成後に行う必要があり、剥
離や弛みが生じたときには、使用不可能になる。
当接面において中央開口１１ａ内を外気や防水のため保
護する保護膜として樹脂を塗布することになる。この樹
脂の塗布は、圧電膜４１の全面に均一の厚さに作成する
ことは手間がかかるとともに、個体差ができ、必要以上
に厚く形成されると超音波の受振に影響がでる。そし
て、押さえリング９１による表電極では、圧電膜４１と
の接する面積が大きいと超音波の受振の妨げとなり、小
さすぎると局所的に高電圧が印加されてパンクすること
があり、その設定が難しい。また、樹脂の塗布による保
護膜であると、プローブの形成後に行う必要があり、剥
離や弛みが生じたときには、使用不可能になる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基台と、基台
上面に配置された圧電膜と、圧電膜を覆い基台外周面に
回り込む保護膜と、保護膜の基台外周面に回り込んだ部
分を押さえるリングと、を有することを特徴とするもの
であり、さらに圧電膜と基台上面との間に配置された裏
電極と、保護膜の圧電膜側の面に積層された電極層と、
リングに押さえられる電極層が当接する基台外周面に積
層された表電極層とからなるものである。また、圧電膜
と基台上面との間に配置された裏電極と、保護膜の圧電
膜側の面に積層された電極層と、を有し、リングが電極
層の裏返し部を押さえ表電極となるものである。
上面に配置された圧電膜と、圧電膜を覆い基台外周面に
回り込む保護膜と、保護膜の基台外周面に回り込んだ部
分を押さえるリングと、を有することを特徴とするもの
であり、さらに圧電膜と基台上面との間に配置された裏
電極と、保護膜の圧電膜側の面に積層された電極層と、
リングに押さえられる電極層が当接する基台外周面に積
層された表電極層とからなるものである。また、圧電膜
と基台上面との間に配置された裏電極と、保護膜の圧電
膜側の面に積層された電極層と、を有し、リングが電極
層の裏返し部を押さえ表電極となるものである。
【０００７】また、基台と、基台上面に配置された圧電
膜と、圧電膜を覆い前記基台外周面に回り込む保護膜
と、基台が挿入される開口部が形成されたヘッドと、を
有し、基台外周面が傾斜状に形成されているとともに、
開口部内面が保護膜を介して基台の外周面に当接する傾
斜状に形成されていることを特徴とするものであり、基
台は、開口部に挿入されるときに、その後方から接続さ
れる握部によって押圧されているものである。
膜と、圧電膜を覆い前記基台外周面に回り込む保護膜
と、基台が挿入される開口部が形成されたヘッドと、を
有し、基台外周面が傾斜状に形成されているとともに、
開口部内面が保護膜を介して基台の外周面に当接する傾
斜状に形成されていることを特徴とするものであり、基
台は、開口部に挿入されるときに、その後方から接続さ
れる握部によって押圧されているものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について、図
１を用いて説明する。
１を用いて説明する。
【０００９】本発明の超音波プローブは、外形がポリカ
ーボネートを材質として形成され、圧電膜４が内部に配
置されているヘッド１と、そのヘッド１を先端にする握
部２とから形成されている。この握部２として図面上ヘ
ッド１への接続状態を示しているが、実際には棒状ある
いは球形の把手部分が形成されるものである。
ーボネートを材質として形成され、圧電膜４が内部に配
置されているヘッド１と、そのヘッド１を先端にする握
部２とから形成されている。この握部２として図面上ヘ
ッド１への接続状態を示しているが、実際には棒状ある
いは球形の把手部分が形成されるものである。
【００１０】ヘッド１の当接面には、最外周にＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタラート）等による保護膜５とそ
の内部に高分子圧電材料としてのＰＶＤＦ（ポリフッ化
ビニリデン）を主材として上下面に図示されない金等に
よる電極層が形成された圧電膜４が配置され、圧電膜４
は裏電極を兼ねた銅等の金属板である裏電極兼反射板６
に当接されている。裏電極兼反射板６は、フェノール樹
脂等によるバッキング材として外周面８ａが傾斜状に形
成された断面台形状の円錐形状の基台８上に設けられて
いる。これらの各部材が基台８に順次接着等で積層され
て超音波素子として構成される。なお、圧電膜４にＰＺ
Ｔ（チタン酸ジルコン酸鉛）等のセラミック材料を使用
するときには反射板は不要である。
（ポリエチレンテレフタラート）等による保護膜５とそ
の内部に高分子圧電材料としてのＰＶＤＦ（ポリフッ化
ビニリデン）を主材として上下面に図示されない金等に
よる電極層が形成された圧電膜４が配置され、圧電膜４
は裏電極を兼ねた銅等の金属板である裏電極兼反射板６
に当接されている。裏電極兼反射板６は、フェノール樹
脂等によるバッキング材として外周面８ａが傾斜状に形
成された断面台形状の円錐形状の基台８上に設けられて
いる。これらの各部材が基台８に順次接着等で積層され
て超音波素子として構成される。なお、圧電膜４にＰＺ
Ｔ（チタン酸ジルコン酸鉛）等のセラミック材料を使用
するときには反射板は不要である。
【００１１】保護膜５は、圧電膜４側の背面には表電極
となる図示されない電極層が形成されていて、基台８上
面において圧電膜４を覆い、かつ、基台８外周面８ａに
おいてその外周縁をバンド状のリング７に押さえられて
いる。基台８外周面８ａには、この保護膜５がリング７
によって接する部分にニッケルの無電解めっき等により
電極端子として利用される表電極層８ｂが形成されてい
て、この表電極層８ｂは裏電極兼反射板６とともに裏電
極が＋、表電極が−となるように図示されない信号線が
電気的に接続されている。
となる図示されない電極層が形成されていて、基台８上
面において圧電膜４を覆い、かつ、基台８外周面８ａに
おいてその外周縁をバンド状のリング７に押さえられて
いる。基台８外周面８ａには、この保護膜５がリング７
によって接する部分にニッケルの無電解めっき等により
電極端子として利用される表電極層８ｂが形成されてい
て、この表電極層８ｂは裏電極兼反射板６とともに裏電
極が＋、表電極が−となるように図示されない信号線が
電気的に接続されている。
【００１２】上記のように超音波素子として構成された
基台８は、内面１ｂが傾斜状に形成されたヘッド１の中
央開口１ａに嵌装され、その基台８を固定するようにヘ
ッド１の中央開口１ａへ握部２の接合部２ａを螺合する
ことにより、超音波プローブが形成される。このとき
に、円錐状の開口１ａに断面台形状の基台８を挿入する
ことによって基台８外周面８ａまで回り込んだ保護膜５
には握部２によって一様に自然のテンションがかかり、
たるみを防止できる。そして、図示のように中央開口１
ａによって保護膜５を表電極層８ｂに当接させれば、リ
ング７を省くことができる。ただ、基台８を円筒状とす
るときには、自然のテンションが期待できないので、リ
ング７によって均一なテンションを保護膜５にかけるこ
とが好ましい。
基台８は、内面１ｂが傾斜状に形成されたヘッド１の中
央開口１ａに嵌装され、その基台８を固定するようにヘ
ッド１の中央開口１ａへ握部２の接合部２ａを螺合する
ことにより、超音波プローブが形成される。このとき
に、円錐状の開口１ａに断面台形状の基台８を挿入する
ことによって基台８外周面８ａまで回り込んだ保護膜５
には握部２によって一様に自然のテンションがかかり、
たるみを防止できる。そして、図示のように中央開口１
ａによって保護膜５を表電極層８ｂに当接させれば、リ
ング７を省くことができる。ただ、基台８を円筒状とす
るときには、自然のテンションが期待できないので、リ
ング７によって均一なテンションを保護膜５にかけるこ
とが好ましい。
【００１３】また、本発明の他の実施形態について、図
２を用いて説明する。
２を用いて説明する。
【００１４】本発明の超音波プローブは、図１と同様
に、外形がポリカーボネートを材質として形成され、圧
電膜４が内部に配置されているヘッド１と、そのヘッド
１を先端にする握部２とから形成されている。この握部
２として図面上ヘッド１への接続状態を示しているが、
実際には棒状あるいは球形の把手部分が形成されるもの
である。
に、外形がポリカーボネートを材質として形成され、圧
電膜４が内部に配置されているヘッド１と、そのヘッド
１を先端にする握部２とから形成されている。この握部
２として図面上ヘッド１への接続状態を示しているが、
実際には棒状あるいは球形の把手部分が形成されるもの
である。
【００１５】ヘッド１の当接面には、図１と同様、最外
周に保護膜５とその内部に圧電膜４が配置され、圧電膜
４は裏電極兼反射板６に当接されている。保護膜５の背
面には表電極となる図示されない金属層が形成されてい
て、裏電極が＋、表電極が−となるように信号線が電気
的に接続されている。裏電極兼反射板６は、バッキング
材として外周面８ａが傾斜状に形成された断面台形状の
基台８上に設けられている。これらの各部材が基台８に
順次接着等で積層されて超音波素子として構成される。
なお、圧電膜４にセラミック材料を使用するときには反
射板は不要である。
周に保護膜５とその内部に圧電膜４が配置され、圧電膜
４は裏電極兼反射板６に当接されている。保護膜５の背
面には表電極となる図示されない金属層が形成されてい
て、裏電極が＋、表電極が−となるように信号線が電気
的に接続されている。裏電極兼反射板６は、バッキング
材として外周面８ａが傾斜状に形成された断面台形状の
基台８上に設けられている。これらの各部材が基台８に
順次接着等で積層されて超音波素子として構成される。
なお、圧電膜４にセラミック材料を使用するときには反
射板は不要である。
【００１６】保護膜５は、図１と同様、その背面には表
電極となる図示されない電極層が形成されていて、基台
８上面において圧電膜４を覆い、かつ、外周縁に形成さ
れた裏返し部５ａがバンド状のリング７によって基台８
外周面８ａに押さえられている。このリング７は裏電極
兼反射板６とともに裏電極が＋、表電極が−となるよう
に図示されない信号線が電気的に接続されている。
電極となる図示されない電極層が形成されていて、基台
８上面において圧電膜４を覆い、かつ、外周縁に形成さ
れた裏返し部５ａがバンド状のリング７によって基台８
外周面８ａに押さえられている。このリング７は裏電極
兼反射板６とともに裏電極が＋、表電極が−となるよう
に図示されない信号線が電気的に接続されている。
【００１７】上記のように超音波素子として構成された
基台８は、図１と同様、内面１ｂが傾斜状に形成された
ヘッド１の中央開口１ａに嵌装され、その基台８を固定
するようにヘッド１の中央開口１ａへ握部２の接合部２
ａを螺合することにより、超音波プローブが形成され
る。このときに、逆円錐状の開口１ａに台形状の基台８
を挿入することによって基台８外周面８ａまで回り込ん
だ保護膜５に自然のテンションがかかり、たるみを防止
できる。
基台８は、図１と同様、内面１ｂが傾斜状に形成された
ヘッド１の中央開口１ａに嵌装され、その基台８を固定
するようにヘッド１の中央開口１ａへ握部２の接合部２
ａを螺合することにより、超音波プローブが形成され
る。このときに、逆円錐状の開口１ａに台形状の基台８
を挿入することによって基台８外周面８ａまで回り込ん
だ保護膜５に自然のテンションがかかり、たるみを防止
できる。
【００１８】しかし、図２の実施形態では、信号線がリ
ング７に接続されるので、リング７を省略することはで
きない。また、基台８は、図１と同様、円筒状であって
もよい。
ング７に接続されるので、リング７を省略することはで
きない。また、基台８は、図１と同様、円筒状であって
もよい。
【００１９】上記各実施形態において、基台８と、基台
８上面に配置された圧電膜４と、圧電膜４を覆い基台８
外周面８ａに回り込む保護膜５と、保護膜５の基台８外
周面８ａに回り込んだ部分を押さえるリング７と、を有
することによって、圧電膜４に均一に保護層を形成する
ことができ、その製造工程も面倒ではない。
８上面に配置された圧電膜４と、圧電膜４を覆い基台８
外周面８ａに回り込む保護膜５と、保護膜５の基台８外
周面８ａに回り込んだ部分を押さえるリング７と、を有
することによって、圧電膜４に均一に保護層を形成する
ことができ、その製造工程も面倒ではない。
【００２０】さらに圧電膜４と基台８上面との間に配置
された裏電極６と、保護膜５の圧電膜４側の面に積層さ
れた図示されない電極層と、リング７に押さえられるそ
の電極層が当接する基台８外周面８ａに積層された表電
極層８ｂとからなり、また、圧電膜４と基台８上面との
間に配置された裏電極６と、保護膜５の圧電膜４側の面
に積層された図示されない電極層と、を有し、リング７
が電極層の裏返し部５ａを押さえ表電極となるものであ
り、圧電膜４の表側全面に電極層を当接することができ
る。
された裏電極６と、保護膜５の圧電膜４側の面に積層さ
れた図示されない電極層と、リング７に押さえられるそ
の電極層が当接する基台８外周面８ａに積層された表電
極層８ｂとからなり、また、圧電膜４と基台８上面との
間に配置された裏電極６と、保護膜５の圧電膜４側の面
に積層された図示されない電極層と、を有し、リング７
が電極層の裏返し部５ａを押さえ表電極となるものであ
り、圧電膜４の表側全面に電極層を当接することができ
る。
【００２１】また、基台８と、基台８上面に配置された
圧電膜４と、圧電膜４を覆い基台８外周面８ａに回り込
む保護膜５と、基台８が挿入される開口１ａが形成され
たヘッド１と、を有し、基台８外周面８ａが傾斜状に形
成されているとともに、開口部１ａ内面が保護膜５を介
して基台８の外周面８ａに当接する傾斜状に形成されて
いるものであり、逆円錐状の開口１ａに台形状の基台８
を挿入することによって基台８外周面８ａまで回り込ん
だ保護膜５に自然のテンションがかかり、たるみを防止
できる。そして、基台８は、開口１ａに挿入されるとき
に、その後方から接続される握部２によって押圧されて
いるものであるが、それに限定することなく、基台８の
固定時に開口１ａが拡がるように押圧しておけばよい。
圧電膜４と、圧電膜４を覆い基台８外周面８ａに回り込
む保護膜５と、基台８が挿入される開口１ａが形成され
たヘッド１と、を有し、基台８外周面８ａが傾斜状に形
成されているとともに、開口部１ａ内面が保護膜５を介
して基台８の外周面８ａに当接する傾斜状に形成されて
いるものであり、逆円錐状の開口１ａに台形状の基台８
を挿入することによって基台８外周面８ａまで回り込ん
だ保護膜５に自然のテンションがかかり、たるみを防止
できる。そして、基台８は、開口１ａに挿入されるとき
に、その後方から接続される握部２によって押圧されて
いるものであるが、それに限定することなく、基台８の
固定時に開口１ａが拡がるように押圧しておけばよい。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、基台と、基台上面に配置
された圧電膜と、圧電膜を覆い基台外周面に回り込む保
護膜と、保護膜の基台外周面に回り込んだ部分を押さえ
るリングと、を有することによって、圧電膜に均一に保
護層を形成することができ、その製造工程も簡略化でき
るという効果がある。
された圧電膜と、圧電膜を覆い基台外周面に回り込む保
護膜と、保護膜の基台外周面に回り込んだ部分を押さえ
るリングと、を有することによって、圧電膜に均一に保
護層を形成することができ、その製造工程も簡略化でき
るという効果がある。
【００２３】さらに圧電膜と基台上面との間に配置され
た裏電極と、保護膜の圧電膜側の面に積層された電極層
と、リングに押さえられるその電極層が当接する基台外
周面に積層された表電極層とからなり、また、圧電膜と
基台上面との間に配置された裏電極と、保護膜の圧電膜
側の面に積層された電極層と、を有し、リングが電極層
の裏返し部を押さえ表電極となるものであり、圧電膜の
表側全面に電極層を当接して安定した信号を得られると
いう効果がある。
た裏電極と、保護膜の圧電膜側の面に積層された電極層
と、リングに押さえられるその電極層が当接する基台外
周面に積層された表電極層とからなり、また、圧電膜と
基台上面との間に配置された裏電極と、保護膜の圧電膜
側の面に積層された電極層と、を有し、リングが電極層
の裏返し部を押さえ表電極となるものであり、圧電膜の
表側全面に電極層を当接して安定した信号を得られると
いう効果がある。
【００２４】また、基台と、基台上面に配置された圧電
膜と、圧電膜を覆い前記基台外周面に回り込む保護膜
と、基台が挿入される開口部が形成されたヘッドと、を
有し、基台外周面が傾斜状に形成されているとともに、
開口部内面が保護膜を介して基台の外周面に当接する傾
斜状に形成されているものであり、逆円錐状の開口部に
台形状の基台を挿入することによって基台外周面まで回
り込んだ保護膜に自然のテンションがかかり、たるみを
防止できるという効果がある。
膜と、圧電膜を覆い前記基台外周面に回り込む保護膜
と、基台が挿入される開口部が形成されたヘッドと、を
有し、基台外周面が傾斜状に形成されているとともに、
開口部内面が保護膜を介して基台の外周面に当接する傾
斜状に形成されているものであり、逆円錐状の開口部に
台形状の基台を挿入することによって基台外周面まで回
り込んだ保護膜に自然のテンションがかかり、たるみを
防止できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施形態を示す断面図。
【図２】本発明の他の実施形態を示す断面図。
【図３】従来の形態を示す正面図。
１ ヘッド ２ 握部 ４ 圧電膜 ５ 保護膜 ７ リング ８ 基台
Claims (5)
- 【請求項１】 基台と、 該基台上面に配置された圧電膜と、 該圧電膜を覆い前記基台外周面に回り込む保護膜と、 該保護膜の前記基台外周面に回り込んだ部分を押さえる
リングと、 を有することを特徴とする超音波プローブ。 - 【請求項２】 前記圧電膜と前記基台上面との間に配置
された裏電極と、 前記保護膜の前記圧電膜側の面に積層された電極層と、 前記リングに押さえられる該電極層が当接する前記基台
外周面に積層された表電極層と、 を有する請求項１の超音波プローブ。 - 【請求項３】 前記圧電膜と前記基台上面との間に配置
された裏電極と、 前記保護膜の前記圧電膜側の面に積層された電極層と、 を有し、 前記リングが該電極層の裏返し部を押さえ表電極となる
請求項１の超音波プローブ。 - 【請求項４】 基台と、 該基台上面に配置された圧電膜と、 該圧電膜を覆い前記基台外周面に回り込む保護膜と、 前記基台が挿入される開口部が形成されたヘッドと、 を有し、 前記基台外周面が傾斜状に形成されているとともに、前
記開口部内面が前記保護膜を介して前記基台の外周面に
当接する傾斜状に形成されていることを特徴とする超音
波プローブ。 - 【請求項５】 前記基台は、前記開口部に挿入されると
きに、その後方から接続される握部によって押圧されて
いる請求項４の超音波プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20553095A JPH0955997A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 超音波プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20553095A JPH0955997A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 超音波プローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955997A true JPH0955997A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16508419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20553095A Pending JPH0955997A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 超音波プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955997A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192649A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | ３次元超音波検査装置 |
| JP6097988B1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-03-22 | 本多電子株式会社 | 超音波センサユニット及びその製造方法、超音波計測装置 |
| JP2017056030A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立製作所 | 超音波プローブ |
| WO2017146364A1 (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 삼성메디슨 주식회사 | 초음파 프로브 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP20553095A patent/JPH0955997A/ja active Pending
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| JP6097988B1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-03-22 | 本多電子株式会社 | 超音波センサユニット及びその製造方法、超音波計測装置 |
| WO2017221340A1 (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 本多電子株式会社 | 超音波センサユニット及びその製造方法、超音波計測装置 |
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