JPH0955623A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH0955623A JPH0955623A JP20794095A JP20794095A JPH0955623A JP H0955623 A JPH0955623 A JP H0955623A JP 20794095 A JP20794095 A JP 20794095A JP 20794095 A JP20794095 A JP 20794095A JP H0955623 A JPH0955623 A JP H0955623A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】広帯域でしかも制御電圧対発振周波数の直線性
がよい発振信号を生成できる電圧制御発振器を提供す
る。 【解決手段】コルピッツ型の電圧制御発振器は誘導性回
路部１のインダクタンス素子である共振器１２とバリキ
ャップダイオードＸ１の並列回路を備えている。誘導性
回路部１は、上記並列回路に付加容量Ｃａを付加するた
めに、スタブ回路１１〜１４をさらに備えている。制御
端子Ｐ１ないしＰ４からの制御電圧Ｖｖを適切に印加す
ると、スタブ回路１１ないし１４の容量性スタブＳ１〜
Ｓ４が上記並列回路に順次縦続接続され、付加容量Ｃａ
が順次増加する。従って、この電圧制御発振器は、付加
容量Ｃａを４段階に変化できるので、ダイオードＸ１に
同一電圧範囲の制御電圧Ｖｖを印加する条件で発振周波
数Ｆの変化を約４倍に拡大できる。
がよい発振信号を生成できる電圧制御発振器を提供す
る。 【解決手段】コルピッツ型の電圧制御発振器は誘導性回
路部１のインダクタンス素子である共振器１２とバリキ
ャップダイオードＸ１の並列回路を備えている。誘導性
回路部１は、上記並列回路に付加容量Ｃａを付加するた
めに、スタブ回路１１〜１４をさらに備えている。制御
端子Ｐ１ないしＰ４からの制御電圧Ｖｖを適切に印加す
ると、スタブ回路１１ないし１４の容量性スタブＳ１〜
Ｓ４が上記並列回路に順次縦続接続され、付加容量Ｃａ
が順次増加する。従って、この電圧制御発振器は、付加
容量Ｃａを４段階に変化できるので、ダイオードＸ１に
同一電圧範囲の制御電圧Ｖｖを印加する条件で発振周波
数Ｆの変化を約４倍に拡大できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は広帯域な発振周波数
帯域を必要とする無線装置用の電圧制御発振器に関し、
特に一端を接地電位とするインダクタンス素子と印加逆
バイアス電圧の変化によって容量値を変化させるバリキ
ャップダイオードとの並列回路を含む誘導性回路部を備
えるコルピッツ型発振器等の電圧制御発振器に関する。
帯域を必要とする無線装置用の電圧制御発振器に関し、
特に一端を接地電位とするインダクタンス素子と印加逆
バイアス電圧の変化によって容量値を変化させるバリキ
ャップダイオードとの並列回路を含む誘導性回路部を備
えるコルピッツ型発振器等の電圧制御発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の電圧制御発振器では、発
振周波数の広帯域化を図るためにバリキャップダイオー
ドとして逆バイアス電圧の変化に対する容量値が大きく
変化できる超階段接合型を用いることが多い。しかし、
この方法ではＡＰＣ感度（電圧対発振周波数変化比）が
大きくなるため、発振信号のＳ／ＮまたはＣ／Ｎが悪化
するという欠点がある。また、バリキャップダイオード
に印加する逆バイアス電圧の変化幅を大きくする方法も
ある。しかし、この方法では、バリキャップダイオード
の高逆バイアス電圧領域では電圧対容量変化の非線形領
域に入るため発振周波数の可変幅が極端に小さくなるこ
とから、この電圧制御発振器をシンセサイザ（あるいは
フェーズロックループ）に組み込んだ場合に、シンセサ
イザループ（あるいはフェーズロックループ）のループ
ゲインが低下するという不具合があった。
振周波数の広帯域化を図るためにバリキャップダイオー
ドとして逆バイアス電圧の変化に対する容量値が大きく
変化できる超階段接合型を用いることが多い。しかし、
この方法ではＡＰＣ感度（電圧対発振周波数変化比）が
大きくなるため、発振信号のＳ／ＮまたはＣ／Ｎが悪化
するという欠点がある。また、バリキャップダイオード
に印加する逆バイアス電圧の変化幅を大きくする方法も
ある。しかし、この方法では、バリキャップダイオード
の高逆バイアス電圧領域では電圧対容量変化の非線形領
域に入るため発振周波数の可変幅が極端に小さくなるこ
とから、この電圧制御発振器をシンセサイザ（あるいは
フェーズロックループ）に組み込んだ場合に、シンセサ
イザループ（あるいはフェーズロックループ）のループ
ゲインが低下するという不具合があった。
【０００３】上述の問題を解決するため電圧制御発振器
として特開平３−１６０８０１号公報に開示された技術
がある。この電圧制御発振器では、バリキャップダイオ
ード（開示例では可変容量ダイオード，以下バリキャッ
プともいう）を複数個交流的に接続し、その各々に対し
個別に逆バイアス電圧を印加している。
として特開平３−１６０８０１号公報に開示された技術
がある。この電圧制御発振器では、バリキャップダイオ
ード（開示例では可変容量ダイオード，以下バリキャッ
プともいう）を複数個交流的に接続し、その各々に対し
個別に逆バイアス電圧を印加している。
【０００４】また、電圧制御発振器の発振中心周波数を
調整するために、トリマコンデンサを上記バリキャップ
ダイオードに並列に接続したり、特開平４−１１７８０
５号公報に開示されているように，マイクロストリップ
線路をトリミングスタブとして上記バリキャップダイオ
ードに付加している例がある。
調整するために、トリマコンデンサを上記バリキャップ
ダイオードに並列に接続したり、特開平４−１１７８０
５号公報に開示されているように，マイクロストリップ
線路をトリミングスタブとして上記バリキャップダイオ
ードに付加している例がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】開示された電圧制御発
振器の第１の例では、第１のバリキャップに印加してい
る逆バイアス電圧が低く，この第１のバリキャップの容
量値が大きい場合には、第２のバリキャップへの印加逆
バイアス電圧を変化させてこの第２のバリキャップの容
量値を変化させても、可変キャパシタンス部の容量値は
第１のバリキャップの容量値と第２のバリキャップの容
量値との和であるため、この第２のバリキャップへの印
加逆バイアス電圧の変化による発振周波数の変化が少な
いという欠点があった。
振器の第１の例では、第１のバリキャップに印加してい
る逆バイアス電圧が低く，この第１のバリキャップの容
量値が大きい場合には、第２のバリキャップへの印加逆
バイアス電圧を変化させてこの第２のバリキャップの容
量値を変化させても、可変キャパシタンス部の容量値は
第１のバリキャップの容量値と第２のバリキャップの容
量値との和であるため、この第２のバリキャップへの印
加逆バイアス電圧の変化による発振周波数の変化が少な
いという欠点があった。
【０００６】また、第１のバリキャップに印加している
逆バイアス電圧が高く，この第１のバリキャップの容量
値が小さい場合には、発振周波数の変化は第２のバリキ
ャップの容量値変化によるものが支配的となるので、発
振周波数を広帯域に変化させるための第１および第２の
バリキャップへの逆バイアス電圧の設定方法が複雑とな
るという欠点があった。
逆バイアス電圧が高く，この第１のバリキャップの容量
値が小さい場合には、発振周波数の変化は第２のバリキ
ャップの容量値変化によるものが支配的となるので、発
振周波数を広帯域に変化させるための第１および第２の
バリキャップへの逆バイアス電圧の設定方法が複雑とな
るという欠点があった。
【０００７】また、第２の例では広帯域発振をさせるこ
とができないという欠点がある。
とができないという欠点がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、上述した従来技
術の欠点を解消することにあり、発振信号の高Ｓ／Ｎあ
るいは高Ｃ／Ｎを確保しつつ，発振周波数を広帯域にし
かも容易に制御できる電圧制御発振器を提供することに
ある。
術の欠点を解消することにあり、発振信号の高Ｓ／Ｎあ
るいは高Ｃ／Ｎを確保しつつ，発振周波数を広帯域にし
かも容易に制御できる電圧制御発振器を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧制御発振器
の一つは、一端を接地電位とするインダクタンス素子と
印加逆バイアス電圧の変化によって容量値を変化させる
バリキャップダイオードとの並列回路を含む誘導性回路
部を備える電圧制御発振器において、一端を前記誘導性
回路部の他端に接続した第１の容量性スタブと、少くと
も一つの第ｎ（ｎは２以上の整数）の容量性スタブと、
他端を開放端とする第（ｎ＋１）の容量性スタブと、供
給されるスタブ長制御信号に従って前記第１から第（ｎ
＋１）までの容量性スタブをこれら各容量性スタブの先
端同士において順次一つずつ縦続接続できるダイオード
スイッチ回路とをさらに備える。
の一つは、一端を接地電位とするインダクタンス素子と
印加逆バイアス電圧の変化によって容量値を変化させる
バリキャップダイオードとの並列回路を含む誘導性回路
部を備える電圧制御発振器において、一端を前記誘導性
回路部の他端に接続した第１の容量性スタブと、少くと
も一つの第ｎ（ｎは２以上の整数）の容量性スタブと、
他端を開放端とする第（ｎ＋１）の容量性スタブと、供
給されるスタブ長制御信号に従って前記第１から第（ｎ
＋１）までの容量性スタブをこれら各容量性スタブの先
端同士において順次一つずつ縦続接続できるダイオード
スイッチ回路とをさらに備える。
【００１０】前記電圧制御発振器の一つは、トランジス
タを発振素子とするともにこのトランジスタのベースを
高周波接地したコルピッツ型発振器であり、前記インダ
クタンス素子が、他端を前記トランジスタのコレクタに
高周波的に接続するとともにこの電圧制御発振器の発振
周波数より高い共振周波数を持つ共振器である構成をと
ることができる。
タを発振素子とするともにこのトランジスタのベースを
高周波接地したコルピッツ型発振器であり、前記インダ
クタンス素子が、他端を前記トランジスタのコレクタに
高周波的に接続するとともにこの電圧制御発振器の発振
周波数より高い共振周波数を持つ共振器である構成をと
ることができる。
【００１１】また、前記電圧制御発振器の一つは、前記
第１ないし第ｎの容量性スタブの前記インダクタンス素
子から遠い方の先端部には１／４波長スタブの一端をそ
れぞれ接続し、前記１／４波長スタブの各各の他端には
一端を接地したダイオードの他端をそれぞれ接続してい
る構成をとることができる。
第１ないし第ｎの容量性スタブの前記インダクタンス素
子から遠い方の先端部には１／４波長スタブの一端をそ
れぞれ接続し、前記１／４波長スタブの各各の他端には
一端を接地したダイオードの他端をそれぞれ接続してい
る構成をとることができる。
【００１２】該電圧制御発振器は、前記ダイオードスイ
ッチ回路が、ｎ以上の序数詞を有する前記容量性スタブ
を前記インダクタンス素子に接続する場合には、前記ｎ
より少い序数詞を有する前記容量性スタブ接続の前記１
／４波長スタブに接続した前記ダイオードをＯＮにする
構成をとることができる。
ッチ回路が、ｎ以上の序数詞を有する前記容量性スタブ
を前記インダクタンス素子に接続する場合には、前記ｎ
より少い序数詞を有する前記容量性スタブ接続の前記１
／４波長スタブに接続した前記ダイオードをＯＮにする
構成をとることができる。
【００１３】本発明の電圧制御発振器の別の一つは、一
端を接地電位とするインダクタンス素子と印加逆バイア
ス電圧の変化によって容量値を変化させるバリキャップ
ダイオードとの並列回路を含む誘導性回路部を備える電
圧制御発振器において、一端を前記誘導性回路部の他端
に接続した第１の容量性スタブと、前記第１の容量性ス
タブ回路の他端に一端を接続した１／４波長スタブと、
前記１／４波長スタブの他端に一端を接続するとともに
他端を接地した第１のダイオードと、他端を開放端とす
る第２の容量性スタブと、前記第１の容量性スタブの他
端と前記第２の容量性スタブの一端とを接続する第２の
ダイオードと、前記第１のダイオードをＯＮにするとと
もに前記第２のダイオードをＯＦＦにする第１のスタブ
長制御モードと前記第１および第２ダイオードをともに
ＯＮにする第２のスタブ長制御モードを有するスタブ長
制御回路とを備える。
端を接地電位とするインダクタンス素子と印加逆バイア
ス電圧の変化によって容量値を変化させるバリキャップ
ダイオードとの並列回路を含む誘導性回路部を備える電
圧制御発振器において、一端を前記誘導性回路部の他端
に接続した第１の容量性スタブと、前記第１の容量性ス
タブ回路の他端に一端を接続した１／４波長スタブと、
前記１／４波長スタブの他端に一端を接続するとともに
他端を接地した第１のダイオードと、他端を開放端とす
る第２の容量性スタブと、前記第１の容量性スタブの他
端と前記第２の容量性スタブの一端とを接続する第２の
ダイオードと、前記第１のダイオードをＯＮにするとと
もに前記第２のダイオードをＯＦＦにする第１のスタブ
長制御モードと前記第１および第２ダイオードをともに
ＯＮにする第２のスタブ長制御モードを有するスタブ長
制御回路とを備える。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１５】図１は本発明による電圧制御発振器の一実
施の形態を示す回路図である。
施の形態を示す回路図である。
【００１６】この電圧制御発振器は、トランジスタＴＲ
１を発振素子とし、トランジスタＴＲ１のベースをコン
デンサＣ６で高周波的に接地したコルピッツ型の発振器
である。トランジスタＴＲ１のコレクタ・エミッタ間に
は容量性インピーダンスを示すコンデンサＣ５を、エミ
ッタ・ベース間には容量性インピーダンスを示すコンデ
ンサＣ７を、コレクタ・ベース間には誘導性インピーダ
ンスを示す誘導性回路部１をそれぞれ接続している。ト
ランジスタＴＲ１のコレクタには発振信号リーク防止用
のコイルＬ２を介して電源端子Ｐｐから電源電圧Ｖｃｃ
が供給され、ベースには電源電圧Ｖｃｃを抵抗器Ｒ２と
Ｒ３とで分圧した電圧が供給され、エミッタはオートバ
イアス用の抵抗器Ｒ４を介して接地されている。この電
圧制御発振器の出力信号はトランジスタＴＲ１のエミッ
タからコンデンサＣ８を通して出力端子Ｐｏに出力され
る。
１を発振素子とし、トランジスタＴＲ１のベースをコン
デンサＣ６で高周波的に接地したコルピッツ型の発振器
である。トランジスタＴＲ１のコレクタ・エミッタ間に
は容量性インピーダンスを示すコンデンサＣ５を、エミ
ッタ・ベース間には容量性インピーダンスを示すコンデ
ンサＣ７を、コレクタ・ベース間には誘導性インピーダ
ンスを示す誘導性回路部１をそれぞれ接続している。ト
ランジスタＴＲ１のコレクタには発振信号リーク防止用
のコイルＬ２を介して電源端子Ｐｐから電源電圧Ｖｃｃ
が供給され、ベースには電源電圧Ｖｃｃを抵抗器Ｒ２と
Ｒ３とで分圧した電圧が供給され、エミッタはオートバ
イアス用の抵抗器Ｒ４を介して接地されている。この電
圧制御発振器の出力信号はトランジスタＴＲ１のエミッ
タからコンデンサＣ８を通して出力端子Ｐｏに出力され
る。
【００１７】誘導性回路部１は、この電圧制御発振器の
発振周波数において誘導性インピーダンスを示すインダ
クタンス素子である共振器Ｚ１と、この共振器Ｚ１に高
周波的に並列に接続されたアノード接地のバリキャップ
ダイオードＸ１とを備える。ダイオードＸ１は制御端子
Ｐｖに印加される逆バイアス電圧である可変の制御電圧
Ｖｖに応答して容量値が変化し、この容量値変化に対応
して電圧制御発振器の発振周波数が変化する。例えばダ
イオードＸ１の容量値はこの電圧制御発振器の発振周波
数を共振器Ｚ１の共振周波数より低下させるが、このダ
イオードＸ１の容量値増大は、発振周波数をさらに低下
させることになる。なお、制御端子ＰｖとダイオードＸ
１のカソードとの間には、ダイオードＸ１保護用の抵抗
器Ｒ１とコイルＬ１およびコンデンサＣ１で構成される
フィルタとを直列に接続している。このフィルタは誘導
性回路部１とダイオードＸ１との間の高周波数信号の通
過を阻止する。また、コンデンサＣ２およびＣ３はダイ
オードＸ１と共振器１２との間，コンデンサＣ４は共振
器Ｚ１とトランジスタＴＲ１のコレクタとの間の直流阻
止を行うとともに発振信号成分を通過させる結合コンデ
ンサであり、発振周波数に対してはほぼ０インピーダン
スを呈する。共振器Ｚ１は、一般に水晶振動子や誘電体
共振器等のＱが高い共振器を用いるが、ストリップライ
ン共振器等，Ｑが比較的低い共振器を用いることもあ
る。この実施の形態による電圧制御発振器は、トランジ
スタＴＲ１に２ＳＣ４２６６型トランジスタ（ＮＥＣ社
製），共振器Ｚ１に共振周波数約２ＧＨｚの誘電体共振
器を用い、ダイオードＸ１の容量値を１０数ｐＦにする
と、発振周波数９００ＭＨｚ程度の発振信号を生じる。
発振周波数において誘導性インピーダンスを示すインダ
クタンス素子である共振器Ｚ１と、この共振器Ｚ１に高
周波的に並列に接続されたアノード接地のバリキャップ
ダイオードＸ１とを備える。ダイオードＸ１は制御端子
Ｐｖに印加される逆バイアス電圧である可変の制御電圧
Ｖｖに応答して容量値が変化し、この容量値変化に対応
して電圧制御発振器の発振周波数が変化する。例えばダ
イオードＸ１の容量値はこの電圧制御発振器の発振周波
数を共振器Ｚ１の共振周波数より低下させるが、このダ
イオードＸ１の容量値増大は、発振周波数をさらに低下
させることになる。なお、制御端子ＰｖとダイオードＸ
１のカソードとの間には、ダイオードＸ１保護用の抵抗
器Ｒ１とコイルＬ１およびコンデンサＣ１で構成される
フィルタとを直列に接続している。このフィルタは誘導
性回路部１とダイオードＸ１との間の高周波数信号の通
過を阻止する。また、コンデンサＣ２およびＣ３はダイ
オードＸ１と共振器１２との間，コンデンサＣ４は共振
器Ｚ１とトランジスタＴＲ１のコレクタとの間の直流阻
止を行うとともに発振信号成分を通過させる結合コンデ
ンサであり、発振周波数に対してはほぼ０インピーダン
スを呈する。共振器Ｚ１は、一般に水晶振動子や誘電体
共振器等のＱが高い共振器を用いるが、ストリップライ
ン共振器等，Ｑが比較的低い共振器を用いることもあ
る。この実施の形態による電圧制御発振器は、トランジ
スタＴＲ１に２ＳＣ４２６６型トランジスタ（ＮＥＣ社
製），共振器Ｚ１に共振周波数約２ＧＨｚの誘電体共振
器を用い、ダイオードＸ１の容量値を１０数ｐＦにする
と、発振周波数９００ＭＨｚ程度の発振信号を生じる。
【００１８】さて、本実施の形態による電圧制御発振器
は、誘導性回路部１に付加容量Ｃａを付加するスタブ回
路１１，１２，１３および１４をさらに備える。スタブ
回路１１〜１４はマイクロストリップ線路上に構成され
ている。
は、誘導性回路部１に付加容量Ｃａを付加するスタブ回
路１１，１２，１３および１４をさらに備える。スタブ
回路１１〜１４はマイクロストリップ線路上に構成され
ている。
【００１９】スタブ回路１１は、一端をコンデンサＣ２
とＣ３の間に接続した容量性スタブＳ１と、一端を容量
性スタブＳ１の他端近傍に接続した１／４波長スタブＳ
５と、アノードを１／４波長スタブＳ５の他端に接続し
たカソード接地のＰＩＮダイオードＸ５とを備えてい
る。容量性スタブＳ１は、ストリップ導体の幅が広く
（特性インピーダンスが高く）長さの短かいストリップ
線路で構成され、この電圧制御発振器の発振周波数付近
で容量性を示す。１／４波長スタブＳ５は発振周波数付
近で長さ１／４波長程度の比較的特性インピーダンスの
高いストリップ線路で構成される。ＰＩＮダイオード
は、導通（ＯＮ）時の高周波抵抗値が低く，非導通（Ｏ
ＦＦ）には高周波抵抗値が高くて端子間容量も小さいの
で、高周波スイッチとして用いるダイオードＸ５として
好適である。上述のＯＮ／ＯＦＦ特性を有する高周波用
バラクタ等もＰＩＮダイオードＸ５の代替に使用でき
る。
とＣ３の間に接続した容量性スタブＳ１と、一端を容量
性スタブＳ１の他端近傍に接続した１／４波長スタブＳ
５と、アノードを１／４波長スタブＳ５の他端に接続し
たカソード接地のＰＩＮダイオードＸ５とを備えてい
る。容量性スタブＳ１は、ストリップ導体の幅が広く
（特性インピーダンスが高く）長さの短かいストリップ
線路で構成され、この電圧制御発振器の発振周波数付近
で容量性を示す。１／４波長スタブＳ５は発振周波数付
近で長さ１／４波長程度の比較的特性インピーダンスの
高いストリップ線路で構成される。ＰＩＮダイオード
は、導通（ＯＮ）時の高周波抵抗値が低く，非導通（Ｏ
ＦＦ）には高周波抵抗値が高くて端子間容量も小さいの
で、高周波スイッチとして用いるダイオードＸ５として
好適である。上述のＯＮ／ＯＦＦ特性を有する高周波用
バラクタ等もＰＩＮダイオードＸ５の代替に使用でき
る。
【００２０】ここで、スタブ回路１１の容量性スタブＳ
１には、コイルＬ１１およびコンデンサＣ１１からなる
低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ１から制御電圧Ｖ
１を受けている。いま、制御端子Ｐ１に正電圧Ｖ１を印
加すると、ＰＩＮダイオードＸ５がＯＮとなって１／４
波長スタブＳ５の他端は短絡点となり、１／４波長スタ
ブＳ５の一端は開放点となる。従って、このときの１／
４波長スタブＳ５およびＰＩＮダイオードＸ５は、容量
性スタブＳ１の呈するサセプタンスに何の影響も与え
ず，ないものとして扱ってよい。
１には、コイルＬ１１およびコンデンサＣ１１からなる
低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ１から制御電圧Ｖ
１を受けている。いま、制御端子Ｐ１に正電圧Ｖ１を印
加すると、ＰＩＮダイオードＸ５がＯＮとなって１／４
波長スタブＳ５の他端は短絡点となり、１／４波長スタ
ブＳ５の一端は開放点となる。従って、このときの１／
４波長スタブＳ５およびＰＩＮダイオードＸ５は、容量
性スタブＳ１の呈するサセプタンスに何の影響も与え
ず，ないものとして扱ってよい。
【００２１】スタブ回路１２は、カソードを容量性スタ
ブＳ１の他端に接続したＰＩＮダイオードＸ２と、一端
をＰＩＮダイオードＸ２のアノードに接続した容量性ス
タブＳ２と、一端を容量性スタブＳ２の他端近傍に接続
した１／４波長スタブＳ６と、アノードを１／４波長ス
タブＳ６の他端に接続したカソード接地のＰＩＮダイオ
ードＸ６とを備えている。また、スタブ回路１２の容量
性スタブＳ２には、コイルＬ１２およびコンデンサＣ１
２からなる低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ２から
制御電圧Ｖ２を受けている。
ブＳ１の他端に接続したＰＩＮダイオードＸ２と、一端
をＰＩＮダイオードＸ２のアノードに接続した容量性ス
タブＳ２と、一端を容量性スタブＳ２の他端近傍に接続
した１／４波長スタブＳ６と、アノードを１／４波長ス
タブＳ６の他端に接続したカソード接地のＰＩＮダイオ
ードＸ６とを備えている。また、スタブ回路１２の容量
性スタブＳ２には、コイルＬ１２およびコンデンサＣ１
２からなる低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ２から
制御電圧Ｖ２を受けている。
【００２２】スタブ回路１３は、カソードを容量性スタ
ブＳ２の他端に接続したＰＩＮダイオードＸ３と、一端
をＰＩＮダイオードＸ３のアノードに接続した容量性ス
タブＳ３と、一端を容量性スタブＳ３の他端近傍に接続
した１／４波長スタブＳ７と、アノードを１／４波長ス
タブＳ７の他端に接続したカソード接地のＰＩＮダイオ
ードＸ７とを備えている。また、スタブ回路１３の容量
性スタブＳ３には、コイルＬ１３およびコンデンサＣ１
３からなる低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ３から
制御電圧Ｖ３を受けている。
ブＳ２の他端に接続したＰＩＮダイオードＸ３と、一端
をＰＩＮダイオードＸ３のアノードに接続した容量性ス
タブＳ３と、一端を容量性スタブＳ３の他端近傍に接続
した１／４波長スタブＳ７と、アノードを１／４波長ス
タブＳ７の他端に接続したカソード接地のＰＩＮダイオ
ードＸ７とを備えている。また、スタブ回路１３の容量
性スタブＳ３には、コイルＬ１３およびコンデンサＣ１
３からなる低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ３から
制御電圧Ｖ３を受けている。
【００２３】スタブ回路１４は、カソードを容量性スタ
ブＳ３の他端に接続したＰＩＮダイオードＸ４と、一端
をＰＩＮダイオードＸ４のアノードに接続した容量性ス
タブＳ３とを備えている。また、スタブ回路１４の容量
性スタブＳ４には、コイルＬ１４およびコンデンサＣ１
４からなる低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ４から
制御電圧Ｖ４を受けている。
ブＳ３の他端に接続したＰＩＮダイオードＸ４と、一端
をＰＩＮダイオードＸ４のアノードに接続した容量性ス
タブＳ３とを備えている。また、スタブ回路１４の容量
性スタブＳ４には、コイルＬ１４およびコンデンサＣ１
４からなる低域通過フィルタを介して制御端子Ｐ４から
制御電圧Ｖ４を受けている。
【００２４】スタブ回路１２，１３およ１４における容
量性スタブＳ２，Ｓ３およびＳ４は、スタブ回路１１の
容量性スタブＳ１とほぼ同じ機能を有する。同様に、１
／４波長スタブＳ６およびＳ７は容量性スタブＳ１とほ
ぼ同じ機能を有し、ＰＩＮダイオードＸ６およびＸ７は
ＰＩＮダイオードＸ５とほぼ同じ機能を有するので、ス
タブ回路１２，１３および１４の各各の機能に関する説
明は省略する。
量性スタブＳ２，Ｓ３およびＳ４は、スタブ回路１１の
容量性スタブＳ１とほぼ同じ機能を有する。同様に、１
／４波長スタブＳ６およびＳ７は容量性スタブＳ１とほ
ぼ同じ機能を有し、ＰＩＮダイオードＸ６およびＸ７は
ＰＩＮダイオードＸ５とほぼ同じ機能を有するので、ス
タブ回路１２，１３および１４の各各の機能に関する説
明は省略する。
【００２５】誘導性回路部１は、制御端子Ｐ１ないしＰ
４に供給する制御電圧Ｖ１ないしＶ４の値を適切に選択
することにより、付加容量Ｃａを段階的に変化し、この
電圧制御発振器の発振周波数を広帯域に変化できる。付
加容量Ｃａの段階的変化は、共振器Ｚ１とバリキャップ
ダイオードＸ１との並列回路に、容量性スタブＳ１，Ｓ
２，Ｓ３およびＳ４をこれら容量性スタブの先端同士に
おいて順次一つずつ縦続接続することによって達成され
る。
４に供給する制御電圧Ｖ１ないしＶ４の値を適切に選択
することにより、付加容量Ｃａを段階的に変化し、この
電圧制御発振器の発振周波数を広帯域に変化できる。付
加容量Ｃａの段階的変化は、共振器Ｚ１とバリキャップ
ダイオードＸ１との並列回路に、容量性スタブＳ１，Ｓ
２，Ｓ３およびＳ４をこれら容量性スタブの先端同士に
おいて順次一つずつ縦続接続することによって達成され
る。
【００２６】図２は本実施の形態における容量性スタブ
長の制御動作を要約して示す図である。
長の制御動作を要約して示す図である。
【００２７】図１および図２を併せ参照すると、上記並
列回路に容量性スタブＳ１のみを接続した状態にするに
は、ＰＩＮダイオードＸ５をＯＮ，ＰＩＮダイオードＸ
２をＯＦＦにする必要がある。ダイオードＸ２がＯＦＦ
であると、ダイオードＸ２より上記並列回路から遠い回
路素子の影響はなくなるので、ＰＩＮダイオードＸ３，
Ｘ４，Ｘ６およびＸ７のＯＮ／ＯＦＦは任意である。こ
のダイオードＯＮ／ＯＦＦ状態を実現するには、制御電
圧Ｖ１を正電圧，制御電圧Ｖ２を０Ｖまたは負電圧にす
る。なお、制御電圧Ｖ３およびＶ４は任意であるが、容
量性スタブＳ２，Ｓ３およびＳ４の影響をさらに少くす
るためには、制御電圧Ｖ３およびＶ４を０Ｖまたは負電
圧とするのがよい。また、０Ｖよりは負電圧の方が各Ｐ
ＩＮダイオードのＯＮ／ＯＦＦ比が良くなる。
列回路に容量性スタブＳ１のみを接続した状態にするに
は、ＰＩＮダイオードＸ５をＯＮ，ＰＩＮダイオードＸ
２をＯＦＦにする必要がある。ダイオードＸ２がＯＦＦ
であると、ダイオードＸ２より上記並列回路から遠い回
路素子の影響はなくなるので、ＰＩＮダイオードＸ３，
Ｘ４，Ｘ６およびＸ７のＯＮ／ＯＦＦは任意である。こ
のダイオードＯＮ／ＯＦＦ状態を実現するには、制御電
圧Ｖ１を正電圧，制御電圧Ｖ２を０Ｖまたは負電圧にす
る。なお、制御電圧Ｖ３およびＶ４は任意であるが、容
量性スタブＳ２，Ｓ３およびＳ４の影響をさらに少くす
るためには、制御電圧Ｖ３およびＶ４を０Ｖまたは負電
圧とするのがよい。また、０Ｖよりは負電圧の方が各Ｐ
ＩＮダイオードのＯＮ／ＯＦＦ比が良くなる。
【００２８】上述と同様の検討を行って、容量性スタブ
Ｓ１とＳ２とを上記並列回路に縦続接続するには、制御
電圧Ｖ１およびＶ３を０Ｖ（または負電圧，以下同様）
とし，制御電圧Ｖ２を正電圧として、ＰＩＮダイオード
Ｘ２，Ｘ５およびＸ６をＯＮとし、ＰＩＮダイオードＸ
３をＯＦＦとする。また、容量性スタブＳ１とＳ２とＳ
３とを上記並列回路に縦続接続するには、制御電圧Ｖ
１，Ｖ２およびＶ４を０Ｖとし，制御電圧Ｖ３を正電圧
として、ＰＩＮダイオードＸ２，Ｘ３，Ｘ５〜Ｘ７をＯ
Ｎとし、ＰＩＮダイオードＸ４をＯＦＦとする。さら
に、全ての容量性スタブＳ１〜Ｓ４を上記並列回路に縦
続接続するには、制御電圧Ｖ１〜Ｖ３を０Ｖとし，制御
電圧Ｖ４を正電圧として、全てのＰＩＮダイオードＸ２
〜Ｘ７をＯＮとする。
Ｓ１とＳ２とを上記並列回路に縦続接続するには、制御
電圧Ｖ１およびＶ３を０Ｖ（または負電圧，以下同様）
とし，制御電圧Ｖ２を正電圧として、ＰＩＮダイオード
Ｘ２，Ｘ５およびＸ６をＯＮとし、ＰＩＮダイオードＸ
３をＯＦＦとする。また、容量性スタブＳ１とＳ２とＳ
３とを上記並列回路に縦続接続するには、制御電圧Ｖ
１，Ｖ２およびＶ４を０Ｖとし，制御電圧Ｖ３を正電圧
として、ＰＩＮダイオードＸ２，Ｘ３，Ｘ５〜Ｘ７をＯ
Ｎとし、ＰＩＮダイオードＸ４をＯＦＦとする。さら
に、全ての容量性スタブＳ１〜Ｓ４を上記並列回路に縦
続接続するには、制御電圧Ｖ１〜Ｖ３を０Ｖとし，制御
電圧Ｖ４を正電圧として、全てのＰＩＮダイオードＸ２
〜Ｘ７をＯＮとする。
【００２９】なお、本実施の形態におけるＰＩＮダイオ
ードＸ２〜Ｘ７の接続方向は、揃って逆方向にすること
ができる。この場合には、制御電圧Ｖ１〜Ｖ４を図２と
は逆にする必要がある。
ードＸ２〜Ｘ７の接続方向は、揃って逆方向にすること
ができる。この場合には、制御電圧Ｖ１〜Ｖ４を図２と
は逆にする必要がある。
【００３０】図３は本実施の形態の電圧制御発振器にお
ける容量性スタブ長に対する付加容量Ｃａおよび発振周
波数Ｆの関係を示す図である。ここで、容量性スタブＳ
１ないしＳ４の長さは構成要素の符号でそれぞれ表わ
し、上記容量性スタブの各各が生じる容量は全て同じと
している。また、発振周波数Ｆは付加容量値Ｃａの増加
に対して直線的に低下するものとしている。
ける容量性スタブ長に対する付加容量Ｃａおよび発振周
波数Ｆの関係を示す図である。ここで、容量性スタブＳ
１ないしＳ４の長さは構成要素の符号でそれぞれ表わ
し、上記容量性スタブの各各が生じる容量は全て同じと
している。また、発振周波数Ｆは付加容量値Ｃａの増加
に対して直線的に低下するものとしている。
【００３１】容量性スタブＳ１ないしＳ１がバリキャッ
プダイオードＸ１と共振器Ｚ１の並列回路に順次縦続に
接続されると、これら容量性スタブの合計長さが１／８
波長以下程度の場合には，付加容量Ｃａはこの合計長に
ほぼ比例して増加する。従って、ダイオードＸ１の逆バ
イアス電圧Ｖｖが固定値であると、発振周波数Ｆは段階
的に減少する。上記並列回路に接続される容量性スタブ
がＳ１だけであると、ダイオードＸ１の逆バイアス電圧
が最大値のとき発振周波数Ｆは最高の周波数Ｆ１ａであ
り．ダイオードＸ１の逆バイアス電圧が最小値のとき発
振周波数Ｆは最低の周波数Ｆ１ｂとなる。周波数Ｆ１ａ
とＦ１ｂとの間の帯域を帯域Ａとする。同様に、接続容
量性スタブがＳ１とＳ２だと、発振周波数Ｆは最高の周
波数Ｆ２ａと最低の周波数Ｆ２ｂの間の帯域Ｂの範囲と
なる。以下、同様に、容量性スタブＳ１とＳ２とＳ３と
の接続では発振周波数Ｆは最高の周波数Ｆ３ａと最低の
周波数Ｆ３ｂの間の帯域Ｃの範囲となり、容量性スタブ
Ｓ１とＳ２とＳ３とＳ４との接続では発振周波数Ｆは最
高の周波数Ｆ４ａと最低の周波数Ｆ４ｂの間の帯域Ｄの
範囲となる。
プダイオードＸ１と共振器Ｚ１の並列回路に順次縦続に
接続されると、これら容量性スタブの合計長さが１／８
波長以下程度の場合には，付加容量Ｃａはこの合計長に
ほぼ比例して増加する。従って、ダイオードＸ１の逆バ
イアス電圧Ｖｖが固定値であると、発振周波数Ｆは段階
的に減少する。上記並列回路に接続される容量性スタブ
がＳ１だけであると、ダイオードＸ１の逆バイアス電圧
が最大値のとき発振周波数Ｆは最高の周波数Ｆ１ａであ
り．ダイオードＸ１の逆バイアス電圧が最小値のとき発
振周波数Ｆは最低の周波数Ｆ１ｂとなる。周波数Ｆ１ａ
とＦ１ｂとの間の帯域を帯域Ａとする。同様に、接続容
量性スタブがＳ１とＳ２だと、発振周波数Ｆは最高の周
波数Ｆ２ａと最低の周波数Ｆ２ｂの間の帯域Ｂの範囲と
なる。以下、同様に、容量性スタブＳ１とＳ２とＳ３と
の接続では発振周波数Ｆは最高の周波数Ｆ３ａと最低の
周波数Ｆ３ｂの間の帯域Ｃの範囲となり、容量性スタブ
Ｓ１とＳ２とＳ３とＳ４との接続では発振周波数Ｆは最
高の周波数Ｆ４ａと最低の周波数Ｆ４ｂの間の帯域Ｄの
範囲となる。
【００３２】ここで、本実施の形態における容量性スタ
ブＳ１ないしＳ４の呈する容量値Ｃａについて詳しく検
討する。スタブＳ１ないしＳ４は比誘電率４．８のガラ
スエポキシ樹脂を基板とするマイクロストリップ線路で
ある。このストリップ線路は、基板の厚さが０．２ｍ
ｍ，ストリップ導体の幅が０．４ｍｍ，ストリップ導体
の導体厚さが１８μｍであり、周波数９００ＭＨｚにお
いて特性インピーダンスＺ０が５０Ω，波長短縮率αが
０．５２４，従って１波長（λ）が１７４ｍｍである。
ブＳ１ないしＳ４の呈する容量値Ｃａについて詳しく検
討する。スタブＳ１ないしＳ４は比誘電率４．８のガラ
スエポキシ樹脂を基板とするマイクロストリップ線路で
ある。このストリップ線路は、基板の厚さが０．２ｍ
ｍ，ストリップ導体の幅が０．４ｍｍ，ストリップ導体
の導体厚さが１８μｍであり、周波数９００ＭＨｚにお
いて特性インピーダンスＺ０が５０Ω，波長短縮率αが
０．５２４，従って１波長（λ）が１７４ｍｍである。
【００３３】このストリップ線路のスタブ長ｌと容量値
Ｃａとの関係を（１）式に示す。但し、ωは角周波数
（＝２πＦ）である。なお、ＰＩＮダイオードＸ２ない
しＸ４の長さは無視している。
Ｃａとの関係を（１）式に示す。但し、ωは角周波数
（＝２πＦ）である。なお、ＰＩＮダイオードＸ２ない
しＸ４の長さは無視している。
【００３４】 Ｃａ＝｛１／（ωＺ０）｝ｔａｎ（２πｌ／λ） …（１） （１）式によると、容量性スタブＳ１ないしＳ４の合計
長が２１．８ｍｍ（λ／８）のとき容量Ｃａは３．５ｐ
Ｆとなり、３８．１ｍｍ（７λ／３２）のとき容量Ｃａ
は１７．８ｐＦとなる。図１の電圧制御発振器は、付加
容量Ｃａの１ｐＦから１５ｐＦの変化で５０ＭＨｚ程度
の発振帯域を得ることができる。なお、スタブＳ１ない
しＳ４の特性インピーダンスＺ０が上述のとおり５０Ω
であると、スタブ長λ／４付近で容量値Ｃａが急激に変
化するので、スタブＳ１ないしＳ４の線路幅を広くして
特性インピーダンスＺ０を５０Ωより低くし、線路長ｌ
に対する容量値Ｃａの直線性を良くするのがさらに適切
な設計となる。
長が２１．８ｍｍ（λ／８）のとき容量Ｃａは３．５ｐ
Ｆとなり、３８．１ｍｍ（７λ／３２）のとき容量Ｃａ
は１７．８ｐＦとなる。図１の電圧制御発振器は、付加
容量Ｃａの１ｐＦから１５ｐＦの変化で５０ＭＨｚ程度
の発振帯域を得ることができる。なお、スタブＳ１ない
しＳ４の特性インピーダンスＺ０が上述のとおり５０Ω
であると、スタブ長λ／４付近で容量値Ｃａが急激に変
化するので、スタブＳ１ないしＳ４の線路幅を広くして
特性インピーダンスＺ０を５０Ωより低くし、線路長ｌ
に対する容量値Ｃａの直線性を良くするのがさらに適切
な設計となる。
【００３５】上述のとおり、本実施の形態による電圧制
御発振器は、制御端子Ｐ１ないしＰ４に供給する制御電
圧Ｖ１ないしＶ４の値を適切に選択することにより、発
振周波数を４段階に分けて広帯域に変化できる。従っ
て、バリキャップダイオードＸ１に印加する制御電圧Ｖ
ｖの範囲を発振周波数Ｆが直線的に変化するとともに電
圧対容量変化比の大きい範囲に限定することが容易とな
るので、高いＳ／Ｎ比を維持することができる。
御発振器は、制御端子Ｐ１ないしＰ４に供給する制御電
圧Ｖ１ないしＶ４の値を適切に選択することにより、発
振周波数を４段階に分けて広帯域に変化できる。従っ
て、バリキャップダイオードＸ１に印加する制御電圧Ｖ
ｖの範囲を発振周波数Ｆが直線的に変化するとともに電
圧対容量変化比の大きい範囲に限定することが容易とな
るので、高いＳ／Ｎ比を維持することができる。
【００３６】なお、図１に示した電圧制御発振器は、ス
タブ回路１１〜１４という４つのスタブ回路を備えてい
るが、スタブ回路１２と１３とを省き、スタブ回路１１
と１４とを直結することもできる。この場合には、制御
電圧Ｖ１を正電圧，制御電圧Ｖ４を０ＶにしてＰＩＮダ
イオードＸ５をＯＮ，ＰＩＮダイオードＸ４をＯＦＦに
すると、容量性スタブＳ１のみがバリキャップダイオー
ドＸ１と共振器Ｚ１との並列回路に接続される。また、
容量性スタブＳ１とＳ４とを上記並列回路に縦続接続す
るには、制御電圧Ｖ１を０Ｖとし，制御電圧Ｖ４を正電
圧とする。
タブ回路１１〜１４という４つのスタブ回路を備えてい
るが、スタブ回路１２と１３とを省き、スタブ回路１１
と１４とを直結することもできる。この場合には、制御
電圧Ｖ１を正電圧，制御電圧Ｖ４を０ＶにしてＰＩＮダ
イオードＸ５をＯＮ，ＰＩＮダイオードＸ４をＯＦＦに
すると、容量性スタブＳ１のみがバリキャップダイオー
ドＸ１と共振器Ｚ１との並列回路に接続される。また、
容量性スタブＳ１とＳ４とを上記並列回路に縦続接続す
るには、制御電圧Ｖ１を０Ｖとし，制御電圧Ｖ４を正電
圧とする。
【００３７】また、スタブ回路１１および１２と等価な
回路をスタブ回路１１と１４との間に任意の数だけ縦続
に接続してよいことは勿論である。
回路をスタブ回路１１と１４との間に任意の数だけ縦続
に接続してよいことは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一端を誘
導性回路部の他端に接続した第１の容量性スタブと、第
ｎ（ｎは２以上の整数）の容量性スタブと、他端を開放
端とする第（ｎ＋１）の容量性スタブと、供給されるス
タブ長制御信号に従って前記第１から第（ｎ＋１）まで
の容量性スタブをこれら各容量性スタブの先端同士にお
いて順次一つずつ縦続接続できるダイオードスイッチ回
路とを備えるので、広帯域でしかも制御電圧対発振周波
数の直線性がよい発振信号を高いＳ／Ｎ比を維持した状
態で容易に生成できるという効果がある。
導性回路部の他端に接続した第１の容量性スタブと、第
ｎ（ｎは２以上の整数）の容量性スタブと、他端を開放
端とする第（ｎ＋１）の容量性スタブと、供給されるス
タブ長制御信号に従って前記第１から第（ｎ＋１）まで
の容量性スタブをこれら各容量性スタブの先端同士にお
いて順次一つずつ縦続接続できるダイオードスイッチ回
路とを備えるので、広帯域でしかも制御電圧対発振周波
数の直線性がよい発振信号を高いＳ／Ｎ比を維持した状
態で容易に生成できるという効果がある。
【００３９】また、本発明は低い制御電圧で発振周波数
を広帯域に変化できるという効果がある。
を広帯域に変化できるという効果がある。
【図１】本発明による電圧制御発振器の一実施の形態を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図２】本実施の形態における容量性スタブ長の制御動
作を要約して示す図である。
作を要約して示す図である。
【図３】本実施の形態の電圧制御発振器における容量性
スタブ長に対する付加容量Ｃａおよび発振周波数Ｆの関
係を示す図である。
スタブ長に対する付加容量Ｃａおよび発振周波数Ｆの関
係を示す図である。
【符号の説明】 １ 誘導性回路部 １１〜１４ スタブ回路 Ｃ１〜Ｃ８，Ｃ１１〜Ｃ１４ コンデンサ Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１〜Ｌ１４ コイル Ｐ１〜Ｐ４ スタブ長制御端子 Ｐｖ キャパシタンス制御端子 Ｐｐ 電源端子 Ｐｏ 出力端子 Ｒ１〜Ｒ４ 抵抗器 Ｓ１〜Ｓ４ 容量性スタブ Ｓ５〜Ｓ７ １／４波長スタブ ＴＲ１ トランジスタ Ｘ１ バリキャップダイオード Ｘ２〜Ｘ７ ＰＩＮダイオード Ｚ１ 共振器
Claims (5)
- 【請求項１】 一端を接地電位とするインダクタンス素
子と印加逆バイアス電圧の変化によって容量値を変化さ
せるバリキャップダイオードとの並列回路を含む誘導性
回路部を備える電圧制御発振器において、 一端を前記誘導性回路部の他端に接続した第１の容量性
スタブと、少くとも一つの第ｎ（ｎは２以上の整数）の
容量性スタブと、他端を開放端とする第（ｎ＋１）の容
量性スタブと、供給されるスタブ長制御信号に従って前
記第１から第（ｎ＋１）までの容量性スタブをこれら各
容量性スタブの先端同士において順次一つずつ縦続接続
できるダイオードスイッチ回路とをさらに備えることを
特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項２】 この電圧制御発振器が、トランジスタを
発振素子とするともにこのトランジスタのベースを高周
波接地したコルピッツ型発振器であり、 前記インダクタンス素子が、他端を前記トランジスタの
コレクタに高周波的に接続するとともにこの電圧制御発
振器の発振周波数より高い共振周波数を持つ共振器であ
ることを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項３】 前記第１ないし第ｎの容量性スタブの前
記インダクタンス素子から遠い方の先端部には１／４波
長スタブの一端をそれぞれ接続し、前記１／４波長スタ
ブの各各の他端には一端を接地したダイオードの他端を
それぞれ接続していることを特徴とする請求項１記載の
電圧制御発振器。 - 【請求項４】 前記ダイオードスイッチ回路が、ｎ以上
の序数詞を有する前記容量性スタブを前記インダクタン
ス素子に接続する場合には、前記ｎより少い序数詞を有
する前記容量性スタブ接続の前記１／４波長スタブに接
続した前記ダイオードをＯＮにすることを特徴とする請
求項３記載の電圧制御発振器。 - 【請求項５】 一端を接地電位とするインダクタンス素
子と印加逆バイアス電圧の変化によって容量値を変化さ
せるバリキャップダイオードとの並列回路を含む誘導性
回路部を備える電圧制御発振器において、 一端を前記誘導性回路部の他端に接続した第１の容量性
スタブと、前記第１の容量性スタブ回路の他端に一端を
接続した１／４波長スタブと、前記１／４波長スタブの
他端に一端を接続するとともに他端を接地した第１のダ
イオードと、他端を開放端とする第２の容量性スタブ
と、前記第１の容量性スタブの他端と前記第２の容量性
スタブの一端とを接続する第２のダイオードと、前記第
１のダイオードをＯＮにするとともに前記第２のダイオ
ードをＯＦＦにする第１のスタブ長制御モードと前記第
１および第２ダイオードをともにＯＮにする第２のスタ
ブ長制御モードを有するスタブ長制御回路とを備えるこ
とを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20794095A JP2912203B2 (ja) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20794095A JP2912203B2 (ja) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955623A true JPH0955623A (ja) | 1997-02-25 |
| JP2912203B2 JP2912203B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=16548063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20794095A Expired - Lifetime JP2912203B2 (ja) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912203B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072543A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 増幅装置、及び基本波処理回路 |
-
1995
- 1995-08-15 JP JP20794095A patent/JP2912203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072543A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 増幅装置、及び基本波処理回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2912203B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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