JPH0954553A

JPH0954553A - 平板型画像形成装置及びその製造方法

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Publication number: JPH0954553A
Application number: JP20710795A
Authority: JP
Inventors: Hisafumi Azuma; 尚史東
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-08-14
Filing date: 1995-08-14
Publication date: 1997-02-25
Anticipated expiration: 2015-08-14
Also published as: JP3264799B2

Abstract

(57)【要約】【課題】フラットで大型のディスプレイを安全且つス
ペース効率よく設置することが可能な設置手段を具備す
る平板型画像形成装置及びその製造方法の提供。【解決手段】電子放出素子群を搭載した背面板、該背
面板と対向して配置され且つ前記電子放出群から放出さ
れる電子線の照射により画像が形成される画像形成部材
を搭載した前面板、及び前記背面板と前面板間の側壁部
から成る表示パネルを少なくとも有する平板型画像形成
装置の、表示パネルの重量を支える支持手段、及び回転
モーメントを支える支持手段を各々別個に具備して成る
ことを特徴とする平板型画像形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子源を応用した
平板型の表示装置、記録装置等の平板型画像形成装置に
関し、また伸縮部材や設置部材等の設置手段を具備する
平板型画像形成装置及び該装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子としては、熱電子源
と冷陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源
には、電界放出型（以下、ＦＥと略記する）、金属／絶
縁層／金属型（以下、ＭＩＭと略記する）や表面伝導型
電子放出素子等がある。

【０００３】ＦＥ型の例としては、W.P.Dyke & W.W.Dol
an, “Field emission”, Advace in Electron Physici
s, 8, 89 (1956) 或いはC.A.Spindt, “Physical Prope
rties of thin-film field emission cathodes with mo
lybdenium ”, J.Appl.Phys., 47, 5248 (1976) 等が知
られている。また、ＭＩＭ型の例としては、C.A.Mead,
“The tunnel-emission amplifier, J. Appl. Phys., 3
2, 646 (1961) 等が知られている。更に、表面伝導型電
子放出素子の例としては、M.I.Elinson, Radio Eng. El
ectron Phys., 10, (1965)] 等がある。

【０００４】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。こ
の表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等
によるＳｎＯ₂ 薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜による［G.
Dittmer:“Thin Solis Films, 9, 317 (1972)]もの、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜による［M.Hartwell and C.G.F
onstad: “IEEE Trans. ED Conf.”,519 (1975)]もの、
カーボン薄膜による［荒木久他：真空、第２６巻、第
１号、２２頁（１９８３）］もの等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として、前述のＭ．ハートウェルの素子構成
を従来図１４に示す。同図において１８１は、基板であ
る。１８４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパ
ッターにて形成された金属酸化薄膜等から成り、後述の
通電のフォーミングと称される通電処理により電子放出
部１８５が形成される。尚、図中の素子電極間隔Ｌは、
０．５〜１．０ｍｍ、Ｗ’は、０．１ｍｍで設定されて
いる。尚、電子放出部１８５の位置及び形状について
は、不明であるので模式図として表わした。

【０００６】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜１８４を予め
フォーミングと称される通電処理によって電子放出部１
８５を形成するのが一般的であった。即ち、通電フォー
ミングとは、前記導電性薄膜１８４の両端に直流電圧或
いは非常に緩やかな昇電圧、例えば１Ｖ／分程度を印加
通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形若しくは変質
せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部１８５
を形成することである。尚、電子放出部１８５は導電性
薄膜１８４の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子
放出が行われる。前記通電フォーミング処理した表面伝
導型電子放出素子は、上述導電性薄膜１８４に電圧を印
加し、素子に電流を流すことにより、上述の電子放出部
１８５より電子を放出せしめるものである。

【０００７】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから大面積に亘り多数素子を配列
形成することができる利点がある。そこでこの特徴を生
かせるような種々の応用が研究されている。例えば、荷
電ビーム源、画像表示装置等の表示装置が挙げられる。

【０００８】図１５は従来の平板型画像形成装置の設置
方法を示す一例である。同図において、１１は電子放出
素子群を搭載した基板（不図示）と画像形成部材を搭載
したフェースプレート（不図示）、そして支持枠（不図
示）から成る表示パネルと駆動回路基板を内包したパネ
ル筐体である。パネル筐体１１背面にはパネル重量と回
転モーメントを同時に支えるため、壁面にネジ固定する
壁掛け金具１６が取り付けられている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】然しながら、上記の設
置方法を有する画像形成装置では表示パネルサイズの大
型化に伴い、パネル全体重量が増大するため、場合によ
っては壁面が重量に耐えられず、破損してしまう。更
に、壁面の破損により、パネルが落下、破壊するため、
非常に危険である。そのため、パネル重量の軽減と共
に、安定で且つ、スペース効率の良い設置手段を具備す
る平板型画像形成装置が待望されてきた。

【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的とするところは、フラットで且つ大型
のディスプレイを、安全で且つスペース効率よく設置可
能な設置手段を具備する平板型画像形成装置、並びにそ
の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び作用】上記の目的は、
以下に示す本発明によって達成される。即ち本発明は、
電子放出素子群を搭載した背面板、該背面板と対向して
配置され且つ前記電子放出群から放出される電子線の照
射により画像が形成される画像形成部材を搭載した前面
板、及び前記背面板と前面板間の側壁部から成る表示パ
ネルを少なくとも有する平板型画像形成装置において、
前記表示パネルの重量を支えるための支持手段、及び回
転モーメントを支えるための支持手段を各々別個に具備
して成ることを特徴とする平板型画像形成装置、並びに
該平板型画像形成装置の製造方法を開示するものであ
る。

【００１２】上記課題を解決するために、電子放出素子
群を搭載した背面板と、該背面板と対向して配置される
と共に前記電子放出群から放出される電子線の照射によ
り画像が形成される画像形成部材を搭載した前面板と、
前記背面板と前記前面板間の側壁部から成る表示パネル
を少なくとも有する平板型画像形成装置において、前記
表示パネルの重量を支えるための支持手段、及び回転モ
ーメントを支えるための支持手段が各々別個に設置され
て成ることを特徴とするものである。

【００１３】また、上記設置手段を具備する平板型画像
形成装置の製造方法において、前記重量支持手段に高さ
調節機能を設けていることを特徴とするもの、前記壁面
に設けたモーメント支持手段に上下方向の変位が自由な
機能を設けたことを特徴とするものも本発明に含むもの
である。更に、上記の何れの画像形成装置においても、
前記電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用い
ることを特徴としたものも本発明に含むものである。従
って本発明の構成を有する平板型画像形成装置の製造方
法により、安定で且つスペース効率の良い平板画像形成
装置を得ることが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に図面を参照して本発明の好ま
しい実施態様を示す。図１は本発明の一実施態様を示す
平板型画像形成装置の製造方法を示すものであり、同図
において１１はパネル筐体であり、フェースプレートと
電子源基板、及び支持枠から成る表示パネルを内包す
る。フェースプレート上には画像形成部材（不図示）が
搭載されており、電子放出素子群が電子源基板上に搭載
されている。

【００１５】パネル筐体１１下部には少なくとも１個以
上の重量を支えるための重量支持手段１２が設けられて
おり、この重量支持手段１２の先端が床面上等に突き当
たることによりパネル重量を支える構造となっている。
また、パネル筐体背面には回転モーメントを支えるため
に設けたモーメント支持手段１３が配設されている。該
モーメント支持手段１３はパネル筐体に取り付けられた
上下スライド用ガイド１４と、該上下スライド用ガイド
１４の溝部に挟まれる壁面上に設けられたモーメント支
持金具１５から構成される。

【００１６】本発明において用いる冷陰極電子源は、単
純な構成であり、製法が容易な表面伝導型電子放出素子
が好適である。本発明に用いることのできる表面伝導型
電子放出素子は基本的に平面型表面伝導型電子放出素子
及び垂直型表面伝導型電子放出素子の２種類が挙げられ
る。図３は基本的な表面伝導型電子放出素子の構成を示
す模式的平面図及び断面図である。

【００１７】図３において７１は基板、７２，７３は素
子電極、７４は導電性薄膜、７５は電子放出部である。
基板７１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量
の少ないガラス、青板ガラス、ＳｉＯ₂ を表面に形成し
たガラス基板及びアルミナ等のセラミックス基板が用い
られる。

【００１８】素子電極７２，７３の材料としては一般的
導電体が用いられ、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属或いは合金
及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂ ，Ｐｄ−Ａｇ等の金属
或いは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、
Ｉｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ 等の透明導電体及びポリシリコン
等の半導体材料等から適宜選択される。

【００１９】素子電極間隔Ｌは好ましくは数百オングス
トローム〜数百マイクロメートルの範囲である。また素
子電極間に印加する電圧は低い方が望ましく、再現よく
作成することが要求されるため好ましい素子電極間隔は
数マイクロメートル〜数十マイクロメートルの範囲であ
る。素子電極長さＷは電極の抵抗値、電子放出特性から
数マイクロメートル〜数百マイクロメートルの範囲であ
り、また素子電極７２，７３の膜厚は、数百オングスト
ローム〜数マイクロメートルの範囲が好ましい。尚、図
３の構成のみならず、基板７１上に導電性薄膜７４、素
子電極７２，７３の電極を順に形成させた構成にするこ
ともできる。

【００２０】導電性薄膜７４は良好な電子放出特性を得
るために微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましく、
その膜厚は素子電極７２，７３へのステップカバレー
ジ、該素子電極７２，７３間の抵抗値及び後述する通電
フォーミング条件等によって、適宜設定されるが、好ま
しくは数オングストローム〜数千オングストロームの範
囲であり、特に好ましくは１０〜５００オングストロー
ムの範囲である。そのシート抵抗値は１×１０³ 〜１×
１０⁷ オーム／□の範囲である。

【００２１】また導電性薄膜７４を構成する材料の例と
しては、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，
Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｄ等の金
属、ＰｄＯ，ＳｎＯ₂ ，Ｉｎ₂ Ｏ₃ ，ＰｄＯ，Ｓｂ₂ Ｏ
₃ 等の酸化物、ＨｆＢ₂ ，ＺｒＢ₂ ，ＬａＢ₆ ，ＣｅＢ
₆ ，ＹＢ₄ ，ＧｄＢ₄ 等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，Ｈ
ｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，Ｚｒ
Ｎ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、カーボ
ン等を挙げることができる。

【００２２】尚、ここに述べる微粒子膜とは複数の微粒
子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、或いは重なり合った状態（島状も含む）の膜を表し
ており、微粒子の粒径は数オングストローム〜数千オン
グストロームの範囲であり、好ましくは１０〜２００オ
ングソトロームの範囲である。

【００２３】電子放出部７５は導電性薄膜７４の一部に
形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等に
より形成される。また亀裂内には数オングストローム〜
数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を有するこ
ともある。この導電性微粒子は、導電性薄膜７４を構成
する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。また電
子放出部７５及びその近傍の導電性薄膜７４は炭素及び
炭素化合物を有することもある。

【００２４】図４は、基本的な垂直型表面伝導型電子放
出素子の構成を示す模式的図面である。図４において、
図３の同一の部材については同一符号を付与してある。
８０は段差形成部である。基板７１、素子電極７２と７
３、導電性薄膜７４、電子放出部７５は前述する平面型
表面伝導型電子放出素子と同様の材料で構成することが
でき、段差形成部８０は絶縁性材料で構成され、該段差
形成部８０の膜厚が先に述べた平面型表面伝導型電子放
出素子の素子電極間隔Ｌに相当する。

【００２５】その間隔は、数百オングストローム〜数十
マイクロメートルの範囲である。またその間隔は段差形
成部の製法及び素子電極間に印加する電圧により制御す
ることができるが、好ましくは数百オングストローム〜
数マイクロメートルの範囲である。導電性薄膜７４は、
素子電極７２，７３と段差形成部８０作成後に形成する
ため、素子電極７２，７３の上に積層される。尚、図４
において電子放出部７５は段差形成部８０に直線状に形
成されているように示されているが、作成条件、通電フ
ォーミング条件等に依存し、形状、位置ともこれに限る
ものではない。

【００２６】上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法
としては様々な方法が考えられるがその一例を図５に示
す。以下、図３及び図５に基づいて電子源基板の作製法
方について説明する。尚、図３と同一の部材については
同一の符号を付与してある。

【００２７】（１）先ず基板を洗剤、純水及び有機溶剤
により充分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により
素子電極材料を堆積する。その後フォトリソグラフィー
技術により該基板上に素子電極７２，７３を形成（図５
（ａ）参照）する。

【００２８】（２）次いで素子電極７２，７３を設けた
基板１に有機金属溶液を塗布し放置することにより有機
金属薄膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは前述
の導電性膜７４を形成する金属を主元素とする有機金属
化合物の溶液である。その後、有機金属薄膜を加熱焼成
処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニング
し、導電性薄膜７４を形成（図５（ｂ）参照）する。
尚、ここでは有機金属溶液の塗布法により説明したが、
これに限るものでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学的
気相堆積法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー
法等によって形成される場合もある。

【００２９】（３）続いて、通電フォーミングと称され
る通電処理を行う。通電フォーミングは素子電極７２，
７３間に不図示の電源により通電を行って、導電性薄膜
７４を局所的に破壊、変形若しくは変質せしめ、構造を
変化させた部位を形成させるものである。この局所的に
構造変化させた部位を電子放出部７５（図５（ｃ）参
照）と称する。

【００３０】通電フォーミングの電圧波形の一例を図６
に示す。電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パルス
波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合（図
６（ａ）参照）と、パルス波高値を増加させながら、電
圧パルスを印加する場合（図６（ｂ）参照）とがある。
先ずパルス波高値の一定電圧とした場合（図６（ａ）参
照）について説明する。図６（ａ）におけるＴ１及びＴ
２は、電圧波形のパルス幅とパルス間隔でありＴ１を１
マイクロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１０
０ミリ秒とし、三角波の波高値（通電フォーミング時の
ピーク電圧）は表面伝導型電子放出素子の形態に応じて
適宜選択し、適当な真空度、例えば、１×１０^-5ｔｏｒ
ｒ程度の真空雰囲気下で、数秒間〜数十分間印加する。
尚、素子の電極間に印加する波形は三角波に限定するこ
とはなく、矩形波等所望の波形を用いてもよい。

【００３１】図６（ｂ）におけるＴ１及びＴ２は図６
（ａ）と同様であり、三角波の波高値（通電フォーミン
グ時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度ず
つ増加させて適当な真空雰囲気下で印加する。尚、この
場合の通電フォーミング処理はパルス間隔Ｔ２中に、導
電性薄膜７４を局所的に破壊、変形しない程度の電圧、
例えば０．１Ｖ程度の電圧で、素子電流を測定し、抵抗
値を求め、例えば１Ｍオーム以上の抵抗を示したときに
通電フォーミング終了とする。

【００３２】（４）次に通電フォーミングが終了した素
子に活性化工程と称する処理を施すことが望ましい。活
性化加工とは、例えば１×１０^-4〜１×１０^-5ｔｏｒｒ
程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス波高値
が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のことであ
り、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及び炭素
化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流Ｉｆ、放出電流
Ｉｅを著しく変化させる処理である。

【００３３】活性化工程は、素子電流Ｉｆと放出電流Ｉ
ｅを測定しながら、例えば放出電流Ｉｅが飽和した時点
で終了する。また印加する電圧パルスは動作駆動電圧で
行うことが好ましい。尚、ここで炭素及び炭素化合物と
は、グラファイト（単、多結晶の双方）、非晶質カーボ
ン（非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合
物）であり、その膜厚は５００オングストローム以下が
好ましく、より好ましくは３００オングストローム以下
である。

【００３４】（５）このようにして作成した電子放出素
子を通電フォーミング工程、活性化工程における真空度
よりも高い真空度の雰囲気下において動作駆動させるの
がよい。また、更に高い真空度の雰囲気下で８０〜１５
０℃の加熱後動作駆動させることが望ましい。尚、通電
フォーミング工程、活性化処理した真空度より高い真空
度とは、例えば約１×１０^-6以上の真空度であり、より
好ましくは超高真空系であり、新たに炭素及び炭素化合
物が導電薄膜上に殆ど堆積しない真空度である。こうす
ることによって素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを安定化さ
せることが可能になる。

【００３５】図７は、図３にて示した構成を有する素子
の電子放出特性を測定するための測定評価装置の概略構
成図である。図７において、図３と同様の符号は、同一
のものを示す。また１１１は電子放出素子に素子電圧Ｖ
ｆを印加するための電源、１１０は素子電極２，３間の
導電性薄膜７４を流れる素子電流Ｉｆを測定するための
電流計、１１４は素子の電子放出部より放出される放出
電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極、１１３はアノ
ード電極１１４に電圧を印加するための高圧電源、１１
２は素子の電子放出部７５より放出される放出電流Ｉｅ
を測定するための電流計、１１５は真空装置、１１６は
排気ポンプである。

【００３６】次に、本発明の画像形成装置について述べ
る。画像形成装置に用いられる電子源基板は複数の表面
伝導型電子放出素子を基板上に配列することにより形成
される。表面伝導型放出素子の配列の方式の例として
は、表面伝導型電子放出素子を並列に配置し個々の素子
の両端を配線で接続する梯子型配置（以下、梯子型配置
電子源基板と称する）や、表面伝導型電子放出素子の一
対の素子電極にそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続
した単純マトリクス配置（以下マトリクス型配置電子源
基板と称する）が挙げられる。尚、梯子型配置電子源基
板を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子の
飛翔を制御する電極である制御電極（グリッド電極）を
必要とする。

【００３７】以下この原理に基づき構成した電源基板の
構成について、図８を用いて説明する。１２１は電子源
基板、１２２はＸ方向配線、１２３はＹ方向配線、１２
４は表面伝導型電子放出素子、１２５は結線である。
尚、表面伝導型電子放出素子１２４は前述した平面型或
いは垂直型の何れであってもよい。同図において、電子
源基板１２１に用いる基板は、前述したガラス基板等で
あって、用途に応じて形状が適宜設定される。ｍ本のＸ
方向配線１２２は、Ｄｘ１，Ｄｘ２，・・・・，Ｄｘｍ
から成り、Ｙ方向配線１２３は、Ｄｙ１，Ｄｙ２，・・
・，Ｄｙｎのｎ本の配線より成る。

【００３８】また、多数の表面伝導型素子にほぼ均等な
電圧が供給されるように、材料、膜厚、配線幅が適宜設
定される。これらｍ本のＸ方向配線１２２とｎ本のＹ方
向配線１２３間（ｍ，ｎは、共に正の整数）には、不図
示の層間絶縁層により電気的に分離されて、マトリック
配線を構成する。不図示の層間絶縁層は、Ｘ方向配線１
２２を形成した基板１２１の全面或いは一部に所望の領
域に形成される。Ｘ方向配線１２２とＹ方向配線１２３
は、それぞれ外部端子として引き出される。

【００３９】更に、表面伝導型放出素子１２４の素子電
極（不図示）が、ｍ本のＸ方向配線１２２とｎ本のＹ方
向配線１２３と、結線１２５によって電気的に接続され
ている。また、表面伝導型電子放出素子は基板或いは不
図示の層間絶縁層上の何れに形成してもよい。また詳し
くは後述する前記Ｘ方向配線１２２には、Ｘ方向に配列
する表面伝導型放出素子１２４の行を入力信号に応じて
走査するための走査信号を印加するための不図示の走査
信号発生手段と電気的に接続されている。

【００４０】一方、Ｙ方向配線１２３にはＹ方向に配列
する表面伝導型放出素子１２４の列の各列を入力信号に
応じて、変調するための変調信号を印加するための不図
示の変調信号発生手段と電気的に接続されている。更に
表面伝導型電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該
素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供
給されるものである。上記構成において、単純なマトリ
クス配線のみで個別の素子を選択して独立に駆動可能に
なる。

【００４１】次に、以上のようにして作成したマトリク
ス型配置電子源基板を用いた画像形成装置について、図
９〜図１１に基づいて説明する。図９は画像形成装置の
基本構成図であり、図１０は蛍光膜の例を、また図１１
はＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示をするための
駆動回路ブロック図を示し、その駆動回路を含む画像形
成装置を表わす。

【００４２】図９において１２１は電子放出素子を基板
上に作成した電子源基板、１３１は電子源基板１２１を
固定したリアプレート、１３６はガラス基板１３３の内
面の蛍光膜１３４とメタルバック１３５等が形成された
フェースプレート、１３２は支持枠、１３１はリアプレ
ートであり、これら部材によって外囲器１３８が構成さ
れる。図９において１２４は図３における電子放出部に
相当する。１２２，１２３は表面伝導型電子放出素子の
一対の素子電極と接続されたＸ方向配線及びＹ方向配線
である。

【００４３】外囲器１３８は、上述の如くフェースプレ
ート１３６、支持枠１３２、リアプレート１３１で外囲
器１３８を構成したが、リアプレート１３１は主に電子
源基板１２１の強度を補強する目的で設けられるため、
電子源基板１２１自体で十分な強度もつ場合は別体のリ
アプレート１３１は不要であり、電子源基板１２１に直
接支持枠１３２を設け、フェースプレート１３６、支持
枠１３２、電子源基板１２１にて外囲器１３８を構成し
てもよい。

【００４４】図１０において１４２は蛍光体である。蛍
光体１４２はモノクロームの場合は蛍光体のみから成る
が、カラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラッ
クストライプ或いはブラックマトリクス等と称される黒
色導電材１４１と蛍光体１４２とで構成される。ブラッ
クストライプ、ブラックマトリクスが設けられる目的
は、カラー表示の場合に必要となる三原色蛍光体の各蛍
光体１４２間の塗り分け部を黒くすることにより混色等
を目立たなくすることと、蛍光膜１３４における外光反
射によるコントラストの低下を抑制することである。ブ
ラックストライプの材料としては、通常よく用いられて
いる黒鉛を主成分とする材料のみならず、導電性があ
り、光の透過及び反射が少ない材料であればこれに限る
ものではない。

【００４５】ガラス基板１３３に蛍光体を塗布する方法
は、モノクロームか、カラーかによらず、沈澱法や印刷
法が用いられる。また、蛍光膜１３４（図９参照）の内
面側には通常メタルバック１３５が設けられる。メタル
バックの目的は、蛍光体の発光のうち内面側への光をフ
ェースプレート１３６側へ鏡面反射することにより輝度
を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加するための
電極として作用すること、外囲器内で発生した負イオン
の衝突によるダメージからの蛍光体を保護すること等で
ある。

【００４６】メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の
内面側表面の平滑化処理（通常フィルミングと称され
る）を行って、その後Ａｌを真空蒸着法等で堆積するこ
とにより作製することができる。フェースプレート１３
６には、更に蛍光膜１３４の導電性を高めるため蛍光膜
１３４の外面側に透明電極（不図示）を設けてもよい。

【００４７】外囲器１３８は、不図示の排気管を通じ１
×１０^-7ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止が行われ
る。また、外囲器１３８の封止後の真空度を維持するた
めにゲッター処理を行う場合もある。これは外囲器１３
８の封止を行う直前或いは封止後の抵抗加熱、或いは高
周波加熱等の加熱法により、外囲器１３８内の所定の位
置（不図示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を
形成する処理である。ゲッターは通常、Ｂａ等が主成分
であり、該蒸着膜の吸着作用により、例えば１×１０^-5
〜１×１０^-7ｔｏｒｒの真空度を維持するものである。
尚、表面伝導型電子放出素子のフォーミング以降の工程
は適宜設定される。

【００４８】次にマトリクス型配置電子源基板を用いて
構成した画像形成装置を、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に
基づきテレビジョン表示を行うための駆動回路の概略構
成図を図１１のブロック図を用いて説明する。１５１は
前記表示パネルであり、また１５２は走査回路、１５３
は制御回路、１５４はシフトレジスタ、１５５はライン
メモリ、１５６は同期信号分離回路、１５７は変調信号
発生器、Ｖｘ及びＶａは直流電圧源である。

【００４９】以下、各部の機能を説明するが、表示パネ
ル１５１は端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍ及び端子Ｄｏｙ１〜
Ｄｏｙｎ及び高圧端子Ｈｖを介して外部の電気回路と接
続している。このうち端子Ｄｏｘ〜Ｄｏｘｍには前記画
像形成装置に設けられている電子源、即ちＭ行Ｎ列の行
列状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群
を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動してゆくための走査信号
が印加される。

【００５０】一方、端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎには前記走査信
号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各
素子の出力電子ビームを制御するための変調信号が印加
される。また高圧端子Ｈｖには直流電圧源Ｖａより、例
えば１０［ｋＶ］の直流電圧が供給されるが、これは表
面伝導型電子放出素子より出力される電子ビームに蛍光
体を励起するのに十分なエネルギーを付与するための加
速電圧である。

【００５１】次に走査回路１５２について説明する。同
回路は内部にＭ個のスイッチング素子を備える（図中、
Ｓ１〜Ｓｍで模式的に示す）ものであり、各スイッチン
グ素子は直流電圧源Ｖｘの出力電圧若しくは０［Ｖ］
（グランドレベル）の何れか一方を選択し、表示パネル
１５１の端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍと電気的に接続するもので
ある。

【００５２】Ｓ１〜Ｓｍの各スイッチング素子は制御回
路１５３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動作
するものであるが、実際には例えばＦＥＴのようなスイ
ッチング素子を組み合わせることにより構成することが
可能である。尚、前記の直流電圧電源Ｖｘは、前記の表
面伝導型放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基
づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
ように設定されている。

【００５３】また制御回路１５３は、外部より入力する
画像信号に基づいて適切な表示が行われるように各部の
動作を整合させる働きをもつものである。次に説明する
同期信号分離回路１５６より送られる同期信号Ｔｓｙｎ
ｃに基づいて各部に対してＴｓｃａｎ，Ｔｓｆｔ及びＴ
ｍｒｙの各制御信号を発生する。

【００５４】同期信号分離回路１５６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で周波数分離（フィ
ルター）回路等を用いて構成することができるものであ
る。同期信号分離回路１５６により分離された同期信号
は、よく知られるように垂直同期信号と水平同期信号よ
り成るが、ここでは説明の便宜上、Ｔｓｙｎｃ信号とし
て図示する。一方、前記テレビ信号から分離された画像
の輝度信号成分を便宜上、ＤＡＴＡ信号と表わすが、同
信号はシフトレジスタ１５４に入力される。

【００５５】シフトレジスタ１５４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１５３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて
動作（即ち制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ１５４
のシフトクロックであると言い換えてもよい）する。シ
リアル／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出
素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、Ｉｄ１
〜ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフトレジスタ１
５４より出力される。

【００５６】ラインメモリ１５５は画像１ライン分のデ
ータを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であ
り、制御回路１５３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従
って、適宜Ｉｄ１〜Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶され
た内容は、Ｉｄ１〜Ｉｄｎとして出力され、変調信号発
生器１５７に入力される。変調信号発生器１５７は、前
記画像データＩｄ１〜Ｉｄｎのそれぞれに応じて表面伝
導型電子放出素子のそれぞれを適切に駆動変調するため
の信号源で、その出力信号は、端子Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎ
を通じて表示パネル１５１内の表面伝導型電子放出素子
に印加される。

【００５７】本発明に係わる電子放出素子は、放出電流
Ｉｅに対して以下の基本特性を有している。即ち、電子
放出には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上
の電圧を印加されたときのみ電子放出が生じる。また電
子放出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電
圧の変化に応じて放出電流も変化してゆく。尚、電子放
出素子の材料や構成、製造方法を変えることにより電子
放出しきい値電圧Ｖｔｈの値や印加電圧に対する放出電
流の変化の度合いが変わる場合もあるが、何れにしても
以下のようなことが言える。

【００５８】即ち、本素子にパネル状の電圧を印加する
場合、例えば電子放出しきい値以下下の電圧を印加して
も電子放出は生じないが、電子放出しきい値以上の電圧
を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、
第一にはパルスの波高値Ｖｍを変化させることにより出
力電子ビームの強度を制御することが可能である。第二
には、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力され
る電子ビームの電荷の総量を制御することが可能であ
る。

【００５９】従って、入力信号に応じて、電子放出素子
を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調
方式等が挙げられ、電圧変調方式を実施するには変調信
号発生器１５７としては一定長さの電圧パルスを発生す
るが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変
調するような電圧変調方式の回路を用いる。また、パル
ス幅変調方式を実施するには変調信号発生器１５７とし
て、一定の波高値の電圧パルスを発生するが入力される
データに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパ
ルス幅変調方式の回路を用いるものである。

【００６０】以上説明した一連の動作により本発明の画
造形形成装置は表示パネル１５１を用いてテレビジョン
の表示を行うことができる。尚、上記説明中特に記載し
なかったがシフトレレジスト１５４やラインメモリ１５
５はデジタル信号式のものでもアナログ信号式のもでも
差し支えなく、要は画像信号のシリアル／パラレル変換
や記憶が所定の速度で行われればよい。

【００６１】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１５６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには１５６の出力部にＡ／Ｄ変
換器を備えれば可能である。また、これと関連してライ
ンメモリ１５５の出力信号がデジタル信号かアナログ信
号かにより、変調信号発生器１５７に用いられる回路が
若干異なったものとなる。

【００６２】先ずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器１５７には、例
えばよく知られるＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて
増幅回路等を付け加えればよい。また、パルス幅変調方
式の場合、変調信号発生器１５７には、例えば高速の発
振器及び発振器の出力する波数を計数する計数器（カウ
ンタ）及び計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較
する比較器（コンパレータ）を組み合わせた回路を用い
ることにより構成することができる。必要に応じて、比
較器の出力するパルス幅変調された変調信号を表面伝導
型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増
幅器を付け加えてもよい。

【００６３】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては、変調信号発生器１５７には、
例えば、よく知られるオペアンプ等を用いた増幅回路を
用いればよく、必要に応じてレベルシフト回路等を付け
加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には、例え
ばよく知られた電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を用れば
よく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧
にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。

【００６４】以上のように完成した画像表示装置におい
て、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘ
ｍ、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じ、電圧を印加することに
より、電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じ、メタルバッ
ク１３５、或いは透明電極（不図示）に高圧を印加し、
電子ビームを加速し、蛍光膜１３４に衝突させ、励起・
発光させることにより画像を表示することができる。

【００６５】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限
られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう
適宜選択する。また、入力信号として、ＮＴＳＣ方式を
挙げたが、これに限られるものではなくＰＡＬ，ＳＥＣ
ＡＭ方式等の諸方式でもよく、また、これよりも、多数
の走査線から成るＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式を始
めとする高品位ＴＶ）方式でもよい。

【００６６】次に、前述の梯子型配置電子源基板及びそ
れを用いた画像形成装置について、図１２及び図１３を
用いて説明する。図１２において、１６０は電子源基
板、１６１は電子放出素子、また１６２のＤｘ１〜Ｄｘ
１０は、前記の電子放出素子に接続する共通配線であ
る。電子放出素子１６１は、基板１６０上に、Ｘ方向に
並列に複数個配置（これを素子行と称する）されてい
る。

【００６７】この素子行が複数個基板上に配置され、梯
子型電子源となる。各素子行の共通配線間に適宜駆動電
圧を印加することにより、各素子行を独立に駆動するこ
とが可能になる。即ち、電子ビームを放出させる素子行
には、電子放出しきい値以上の電圧を電子ビームを放出
させない素子行には、電子放出しきい値以下の電圧を印
加すればよい。また、各素子行間の共通配線Ｄｘ２〜Ｄ
ｘ９を、例えばＤｘ２，Ｄｘ３を同一配線とするように
してもよい。

【００６８】図１３は、梯子型配置の電子源を備えた画
像形成装置の構造を示すための図である。１７０はグリ
ッド電極、１７１は電子が通過するための空孔、１７２
はＤｏｘ１，Ｄｏｘ２，・・・，Ｄｏｘｍより成る容器
外端子である。１７３は、グリッド電極１７０と接続さ
れたＧ１，Ｇ２，・・・Ｇｎから成る容器外端子、１６
０は前述のように各素子行間の共通配線を同一配線とし
た電子源基板である。尚、図９及び図１２と同一符号は
同一部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成
装置（図９参照）との違いは、電子源基板１６０とフェ
ースプレート１３６の間に、グリッド電極１７０を備え
ていることである。

【００６９】基板１６０とフェースプレート１３６の中
間には、グリッド電極１７０が設けられている。グリッ
ド電極１７０は、表面伝導型放出素子から放出された電
子ビームを変調することができるもので、梯子型配置の
素子行と直交して設けられたストライプ状の電極に電子
ビームを通過させるため、各素子に対応して１個づつ円
形の空孔１７１が設けられている。グリッドの形状や設
置位置は図１３のようなものでなくともよく、開口とし
てメッシュ状に多数の通過口を設けることもあり、また
例えば表面伝導型放出素子の周囲や近傍に設けてもよ
い。容器外端子１７２及びグリッド容器外端子１７３
は、不図示の制御回路と電気的に接続されている。

【００７０】本画像形成装置では、素子行を１列ずつ順
次駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極列に
画像１ライン分の変調信号を同時に印加することによ
り、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を１
ラインずつ表示することができる。また、本発明によれ
ばテレビジョン放送の表示装置のみならず、テレビジョ
ン会議システム、コンピュータ等の表示装置に適した画
像形成装置を提供することができる。また電子放出素子
として表面伝導型電子放出素子ばかりでなく、ＭＩＭ型
電子放出素子、電界放出型電子放出素子等の冷陰極電子
源にも適用可能である。更には熱電子源による画像形成
装置にも適用することができる。

【００７１】

【実施例】以下本発明を、図面に基いて実施例により詳
細に説明するが、本発明がこれらによって何ら限定され
るものではない。

【００７２】［実施例１］前述のようにして得られた表
面伝導型電子放出素子を有するマトリクス型配置電子源
基板（図８参照）を用い、画像形成装置を作製した。図
１は実施例１にて作製した画像形成装置の構成を示す模
試記図である。同図において１１はパネル筐体であり、
フェースプレートと電子源基板、及び支持枠から成る表
示パネルと駆動用電気回路基板を内包する。パネル筐体
１１には重量を支えるため、アルミ製の重量支持手段１
２がネジ止め（本実施例では片側３本）固定されてお
り、この重量支持手段１２の先端のゴム部が床面上に突
き当たることによりパネル重量を支えている。

【００７３】前記重量支持手段１２は中空円筒を入れ子
状にしてあり、締め付けネジ（不図示）により高さを調
節することができるようにしている。高さの調整範囲
は、５０〜１２０ｃｍであり、３本のアルミ中空円筒を
組み合わせてある。

【００７４】上下高さ調節機構には送りネジ機構を使用
した。簡単にこの機構について説明する。先ず、重量支
持手段内とパネル筐体両サイド部に雄ネジ支柱が配置さ
れており、パネル両サイド下部にはナットが固定（不図
示）されている。前記雄ネジ支柱には該支柱を回転させ
るための小型モーター（不図示）が接続されており、こ
のモーターを制御することにより上下高さの調節を行っ
た。このような滑りネジ機構のみならず、ボールネジ、
静圧ネジ等によっても送り機構を実現することができ
る。

【００７５】また、パネル筐体背面には回転モーメント
を支えるために設けたモーメント支持手段１３が配設さ
れている。このモーメント支持手段１３はパネル筐体１
１に取り付けられたアルミ製の上下スライド用ガイド１
４と、該上下スライド用ガイド１４の溝部に挟まれる壁
面上に設けられたモーメント支持金具１５から構成され
る。上下スライド用ガイド１４の溝幅は２０ｍｍであ
り、ここをポリカーボネイド製のモーメント支持金具１
５がスライドして、高さ調節が可能となっている。

【００７６】以下にフェースプレート１３６、支持枠１
３２、そして電子源基板１２１から成る表示パネル（図
９参照）の作製方法を簡単に示す。詳細は実施態様に示
してある。先ず、予め前述の方法により画像形成部材を
搭載した前記フェースプレート１３６にフリットガラス
（不図示）をディスペンサーで塗布し、前記支持枠１３
２を所望の位置に合わせた後に仮焼成、本焼成を行っ
た。

【００７７】次に、前記電子源基板１２１に、ディスペ
ンサーでフリットガラス（不図示）を塗布し、先に作製
した支持枠１３２とフェースプレート１３６について、
所定の位置合わせを行い、仮焼成、本焼成を実施して表
示パネルを作製した。組立行程終了後、上記行程で作製
された表示パネル内を真空状態にするため、排気管（不
図示）を介して、表示パネル内を凡そ１×１０^-6ｔｏｒ
ｒまで真空排気し、排気管の封止を行った。表示パネル
と駆動回路をパネル筐体に固定し、上下スライド用ガイ
ド１４をネジによりパネル筐体下部に取り付け、固定し
た。

【００７８】また、予めパネル取り付け位置に対応する
壁面上にモーメント支持金具１５をネジ（本実施例では
８本）で固定し、取り付けた。前記モーメント支持金具
１５を前記上下スライド用ガイド１４の溝部に挟み込
み、前記重量支持手段１２の高さ調節を行って、パネル
を設置した。このように重量支持手段１２と回転モーメ
ント支持手段１３を各々別個に設けた画像形成装置にお
いては、パネル下部に従来例（図１５参照）と同等の空
間を確保した上、非常に安定して、しかもスペース効率
よくパネルを壁面上に設置することのできる平板型画像
形成装置及びその製造方法が可能となった。

【００７９】［実施例２］前述のようにして得られた表
面伝導型電子放出素子を有する梯子型配置電子源基板
（図１２参照）を用い、画像形成装置を製作した。

【００８０】図２は実施例２にて作製した画像形成装置
の構成を示す模試記図である。同図において１１はパネ
ル筐体であり、フェースプレートと電子源基板、及び支
持枠から成る表示パネルと駆動用電気回路基板を内包す
る。パネル筐体下部には重量を支えるため、アルミ製の
重量支持手段１７がパネル筐体側面に固定金具を介して
ネジ止め固定されている。尚、実施例１と同様に前記重
量支持手段１２をパネル筐体下部に固定しても何ら問題
ない。重量支持手段１７の先端には前記パネル筐体１１
が設置される壁面に平行で裏に滑り止めのゴム（不図
示）が付けられたな張り出し足１８を設け、これが床面
上に突き当たることによりパネル重量を支えている。

【００８１】前記の重量支持手段１７は中空円筒を入れ
子状にしてあり、締め付けネジ（不図示）により高さが
調節できるようにしている。高さの調整範囲は５０〜１
２０ｃｍであり、３本のアルミ中空円筒を組み合わせ
た。パネルが配設される前面下部の空間を損なうことな
くパネル重量が床面に面圧として作用するため、より安
定な支持が可能となる。

【００８２】上下高さ調節機構には送りネジ機構を使用
した。簡単にこの機構について説明する。先ず、重量支
持手段内とパネル筐体両サイド部に雄ネジ支柱が配置さ
れており、パネル両サイド下部にはナットが固定（不図
示）されている。前記雄ネジ支柱には該支柱を回転させ
るための小型モーター（不図示）が接続されており、こ
のモーターを制御することにより上下高さの調節を行っ
た。このような滑りネジ機構のみならず、ボールネジ、
静圧ネジ等によっても送り機構を実現することができ
る。

【００８３】また、パネル筐体背面には回転モーメント
を支えるために設けたモーメント支持手段１３が配設さ
れている。このモーメント支持手段１３は、パネル筐体
に取り付けられたアルミ製の上下スライド用ガイド１４
と、該上下スライド用ガイド１４の溝部に挟まれる壁面
上に設けられたモーメント支持金具１５から構成され
る。上下スライド用ガイド１４の溝幅は２０ｍｍであ
り、ここをポリカーボネイト製のモーメント支持金具１
５がスライドして、高さ調節が可能となっている。以下
にフェースプレート１３６、支持枠１３２、そして電子
源基板１２１から成る表示パネル（図９参照）の作製方
法を簡単に示す。詳細は実施態様に示してある。

【００８４】先ず、予め前述の方法により画像形成部材
を搭載した前記フェースプレート１３６にフリットガラ
ス（不図示）をディスペンサーで塗布し、前記支持枠１
３２を所望の位置に合わせた後に仮焼成、本焼成を行っ
た。次に、前記電子源基板１２１に、ディスペンサーで
フリットガラス（不図示）を塗布し、先に作製した支持
枠１３２とフェースプレート１３６について、所定の位
置合わせを行い、仮焼成、本焼成を実施して表示パネル
を作製した。

【００８５】組立行程終了後、上記行程で作製された表
示パネル内を真空状態にするため、排気管（不図示）を
介して、表示パネル内を凡そ１×１０^-6ｔｏｒｒまで真
空排気し、排気管の封止を行った。表示パネルと駆動回
路をパネル筐体に固定し、上下スライド用ガイド１４を
ネジによりパネル筐体下部に取り付け、固定した。

【００８６】また、予めパネル取り付け位置に対応する
壁面上にモーメント支持金具１５をネジ（本実施例では
８本）で固定し、取り付けた。前記モーメント支持金具
１５を前記上下スライド用ガイド１４の溝部に挟み込
み、前記重量支持手段１７の高さ調節を行って、パネル
を設置した。このように重量支持手段１７と回転モーメ
ント支持手段１３を各々別個に設けた画像形成装置にお
いては、パネル下部に従来例（図１５参照）と同等の空
間を確保した上、非常に安定して、しかもスペース効率
よくパネルを壁面上に設置することのできる平板型画像
形成装置及びその製造方法が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な実施態様（実施例１の装置構
成）を示す模式的斜示図。

【図２】本発明の他の実施態様（実施例２の装置構成）
を示す模式的斜示図。

【図３】本発明に用いる基本的な表面伝導型電子放出素
子の構成を示す模式図。（但し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。）

【図４】本発明に用いる基本的な垂直表面伝導型電子放
出素子の構成を示す模式的側面図。

【図５】本発明に用いる表面伝導型電子放出素子の製造
方法の一例を示す模式的工程説明図。

【図６】本発明の実施例における通電フォーミングの電
圧波形の一例を示すグラフ図。

【図７】電子放出特性を測定するための測定評価装置の
概要を示す模式構成図。

【図８】単純マトリクス配置の電子源の構成を示す説明
図。

【図９】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成
図。

【図１０】本発明の実施例における蛍光膜の構成を示す
模式説明図。

【図１１】ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行
うための駆動回路を組み込んだ画像形成装置の一例を示
すブロック図。

【図１２】本発明に用いる梯子型配置の電子源の構成の
一例を示す模式平面図。

【図１３】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成
斜視図。

【図１４】従来の表面伝導型電子放出素子の構成例を示
す模式説明図。

【図１５】従来の画像形成装置の設置方法の一例を示す
模式説明図。

【符号の説明】

１１パネル筐体１２，１７重量支持手段１３モーメント支持手段１４上下スライド用ガイド１５モーメント支持金具１６壁掛け金具１８張り出し足７１，１８１基板７２，７３素子電極７４導電性薄膜７５電子放出部８０段差形成部１１０素子電極７２，７３間の導電性薄膜７４を流
れる素子電流Ｉｆを測定するための電流計１１１電子放出素子に素子電圧Ｖｆを印加するため
の電源１１２素子の電子放出部７５より放出される放出電
流Ｉｅを測定するための電流計１１３アノード電極１１４に電圧を印加するための
高圧電源１１４素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉ
ｅを捕捉するためのアノード電極１１５真空装置１１６排気ポンプ１２１，１６０電子源基板１２２Ｘ方向配線１２３Ｙ方向配線１２４表面伝導型電子放出素子１２５結線１３１リアプレート１３２支持枠１３３ガラス基板１３４蛍光膜１３５メタルバック１３６フェースプレート１３７高圧端子１３８外囲器１４１黒色導電材１４２蛍光体１５１表示パネル１５２走査回路１５３制御回路１５４シフトレジスタ１５５ラインメモリ１５６同期信号分離回路１５７変調信号発生器１６１電子放出素子１６２電子放出素子を配線するための共通配線（Ｄ
ｘ１〜Ｄｘ１０）１７０グリッド電極１７１電子が通過するための空孔１７２Ｄｏｘ１、Ｄｏｘ２・・・Ｄｏｘｍより成る
容器外端子１７３グリッド電極１７０と接続されたＧ１、Ｇ
２、・・・Ｇｎから成る容器外端子１８４導電性薄膜１８５電子放出部Ｖｘ，Ｖａ直流電圧源Ｈｖ高圧端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子放出素子群を搭載した背面板、該背
面板と対向して配置され且つ前記電子放出群から放出さ
れる電子線の照射により画像が形成される画像形成部材
を搭載した前面板、及び前記背面板と前面板間の側壁部
から成る表示パネルを少なくとも有する平板型画像形成
装置において、前記表示パネルの重量を支えるための支
持手段、及び回転モーメントを支えるための支持手段を
各々別個に具備して成ることを特徴とする平板型画像形
成装置。
【請求項２】前記電子放出素子が、表面伝導型電子放
出素子であることを特徴とする請求項１記載の平板型画
像形成装置。
【請求項３】前記重量支持手段が、高さ調節機能を具
備して成ることを特徴とする請求項１又は２記載の平板
型画像形成装置。
【請求項４】前記壁面に設置されたモーメント支持手
段が、上下方向変位の自由な機能を具備して成ることを
特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の平板型画像
形成装置。
【請求項５】電子放出素子群を搭載した背面板、該背
面板と対向して配置され且つ前記電子放出群から放出さ
れる電子線の照射により画像が形成される画像形成部材
を搭載した前面板、及び前記背面板と前面板間の側壁部
から成る表示パネルを少なくとも有する平板型画像形成
装置の製造方法において、前記表示パネルの重量を支え
るための支持手段、及び回転モーメントを支えるための
支持手段を各々別個に具備せしめることを特徴とする平
板型画像形成装置の製造方法。
【請求項６】前記平板型画像形成装置が、請求項１乃
至４の何れかに記載の平板型画像形成装置であることを
特徴とする請求項５記載の平板型画像形成装置の製造方
法。