JPH0953023A

JPH0953023A - シリコーン処理粉体及びそれを含有する組成物

Info

Publication number: JPH0953023A
Application number: JP20487895A
Authority: JP
Inventors: Koichi Iyanagi; 宏一井柳; Eiji Takahashi; 栄治高橋
Original assignee: Pola Chemical Industries Inc
Current assignee: Pola Chemical Industries Inc
Priority date: 1995-08-10
Filing date: 1995-08-10
Publication date: 1997-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた撥水性を有し更に特定条件下でのみ脱
離可能な被膜を有する撥水化処理粉体及びこれを含有す
ることで撥水性、安定性に優れ更に特定条件下で被着物
より容易に分離可能なペイント、化粧料等の組成物を提
供する。【解決手段】一般式（I）：Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_n（Ｑⁿ
はｎ価の有機基、ｎは２〜６の整数のいずれか１つ）で
示されるユニットの少なくとも１種を主構成ユニットと
し、末端が式（II）：（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2（Ｒ¹は同一又
は異なる炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部が
フッ素原子で置換された炭化水素基で、少なくとも一つ
のＲ¹は前記フッ素置換炭化水素基）及び式（III）：
（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2（Ｒ²は同一又は異なる炭化水素基、
又は水素原子の少なくとも一部が塩素原子又は臭素原子
で置換された炭化水素基）で示されるユニットで封鎖さ
れたシリコーンで粉体表面を処理し、更にこれをペイン
ト組成物、化粧料等に配合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシリコーン処理粉体
及びそれを含有する組成物に関し、詳しくは優れた撥水
性を有し更に特定条件下でのみ脱離可能な被膜を有する
撥水化処理粉体及びこれを含有することで撥水性、安定
性に優れ更に特定条件下で被着物より容易に分離可能な
ペイント、化粧料等の組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】粉体に表面処理を施す技術は、粉体表面
の性質の改善とその粉体を含有する組成物全体の安定性
の見地から非常に重要な技術である。この様な処理技術
としては、燐酸塩処理等の親水化処理、ポリヒドロメチ
ルシロキサンやフルオロシリコーン等による撥水化処
理、アシル化アミノ酸金属塩処理等の水分散性疎水化処
理等が挙げられる。この様な粉体処理技術のうち、撥水
化処理は粉体表面に被膜を与えることで、組成物中での
粉体の安定性を向上させると共にこの処理粉体を含有す
る組成物の系全体の安定性も向上させ、また、組成物中
で他の共存物に悪影響を与えることが予想される粉体上
の活性点をシールドするという２つの面から大変重要な
技術である。更に、撥水化処理被膜を有する粉体を使用
する分野においては、粉体表面の被膜処理に使用される
撥水化処理剤に、その処理反応が可逆反応的であり特定
の条件下でのみ被膜形成または被膜脱離がされそれ以外
の条件では被膜形成または被膜脱離しないという性質が
要求されていることが多い。

【０００３】しかしながら、上述した従来の撥水化処理
剤を用いた場合には、粉体表面に形成された被膜が硬く
脆いか、柔らかく脱離し易いかの何れかであり、実用の
面から考えれば撥水性に問題が残りまだまだ改善の余地
があった。また、従来の撥水処理剤による粉体表面の被
膜処理は不可逆反応でありいったん形成された被膜は脱
離しないか、または、可逆反応的であっても形成された
被膜が容易に脱離するものであった。

【０００４】そこで、粉体表面に形成される被膜が柔軟
で脱離しにくく撥水性に優れると共に被膜形成が可逆反
応的に行われ特定の条件下でのみ被膜形成または被膜脱
離がされそれ以外の条件では被膜形成または被膜脱離し
ない性質を有する撥水化処理剤の開発及びこの様な撥水
化処理剤で処理された撥水性に優れ特定条件下でのみ被
膜脱離が可能である表面処理粉体、更にこの表面処理粉
体が配合された撥水性、安定性に優れ、特定条件下で被
着物より容易に分離可能な組成物が望まれていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記観点から
なされたものであり、優れた撥水性を有し更に特定条件
下でのみ脱離可能な被膜を有する撥水化処理粉体及びこ
れを含有することで撥水性、安定性に優れ更に特定条件
下で被着物より容易に分離可能なペイント、化粧料等の
組成物を提供することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、粉体類用の撥水化処理剤について、
粉体表面に形成される被膜が撥水性に優れ、更に特定の
条件下で粉体より脱離可能な新規な素材を求めて鋭意研
究を重ねたところ、珪素原子−珪素原子間が有機鎖によ
って結合されたユニットを主構成ユニットとし、フッ素
原子含有の末端封鎖ユニットを有するシリコーンが、優
れた撥水性を有する強固で柔軟な被膜を粉体類表面に形
成する能力を有し、更に特定の溶媒のみに溶媒親和性を
有することを見出し、また、これによって表面処理され
た粉体類を含有するペイント、化粧料等の組成物が撥水
性、安定性に優れ更に特定溶媒下で被着物より容易に分
離可能であることを見出し、本発明を完成させた。

【０００７】すなわち本発明は、シリコーンで表面処理
されたシリコーン処理粉体であって、前記シリコーン
が、一般式（I）：Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_n （但し、Ｑⁿはｎ価の有機基を表し、またｎは２〜６の
整数のいずれか１つを表す。）で示されるユニットの少
なくとも１種を主構成ユニットとし、末端が式（II）：（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ¹は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部がフッ
素原子で置換された炭化水素基を表し、且つ三つのＲ¹
の内、少なくとも一つは前記フッ素置換炭化水素基でな
ければならない。）で示されるユニット又は式（II
I）：（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ²は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部が塩素
原子又は臭素原子で置換された炭化水素基を表す。）で
示されるユニットで封鎖され、封鎖末端に式（II）で示
されるユニット及び式（III）で示されるユニットをそ
れぞれ少なくとも１つ有するシリコーンであるシリコー
ン処理粉体である。

【０００８】ここで、上記本発明のシリコーン処理粉体
においては、前記シリコーンが主構成ユニットとして更
にＳｉＯ₂ユニットを、Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_nで表されるユ
ニットに対してモル比３／２以下で含むシリコーンであ
ってもよい。更に、前記シリコーンにおける一般式
（Ｉ）のｎは２、３、４の何れかであることが好まし
い。

【０００９】また、前記シリコーンにおける一般式
（I）のＱⁿとして具体的には、１）アルキレン基；２）
ポリメチレン基；３）フェニレン基；４）アリーレン
基；５）前記１）〜４）の基の水素原子が更にアルキル
基、フェニル基、アリール基、アルキレン基、ポリメチ
レン基、フェニレン基及びアリーレン基よりなる群の少
なくとも１種で置換された基；６）前記１）〜４）の基
の構造中にエーテル、チオエーテル、エステル、ケト
ン、アミド、イミド、アミン及びイミンよりなる群の少
なくとも１種の官能基を含んだ基；及び７）前記１）〜
６）の基の水素原子が塩素原子又は臭素原子で置換され
た基；よりなる群の１種が挙げられ、一般式（II）のＲ
¹の具体例としては、アルキル基、フェニル基、アリー
ル基及びこれらの基の水素原子の少なくとも一部がフッ
素原子で置換された基よりなる群の１種を、また、一般
式（III）のＲ²の具体例としては、アルキル基、フェニ
ル基、アリール基及びこれらの基の水素原子の少なくと
も一部が塩素原子又は臭素原子で置換された基よりなる
群の１種を挙げることができる。

【００１０】また、上記シリコーン処理粉体のシリコー
ンにおいては主構成ユニットが、一般式（I）にＱⁿとし
てジカルボン酸のジアミドを含む２価の有機基を導入し
たユニットを含むシリコーンが好ましく、更に、前記シ
リコーンの主構成ユニットが、一般式（I）にＱⁿとして
ジカルボン酸のジアミドを含む２価の有機基を導入した
ユニット及び一般式（I）にＱⁿとしてジカルボン酸のジ
アミドを含む２価の有機基以外の２価の有機基を導入し
たユニットからなることが好ましい。

【００１１】また、本発明のシリコーン処理粉体におけ
るシリコーンと粉体の組成重量比は、１：９９〜５０：
５０であることが好ましい。本発明のシリコーン処理粉
体の製造過程で取られるシリコーンによる粉体の表面処
理方法としては、メカノケミカル法あるいは焼き付け法
等が挙げられる。更に、この様な粉体の表面処理方法の
他に、本発明のシリコーン処理粉体に特徴的な粉体表面
の処理方法、すなわち一般式（I）：Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_n （但し、Ｑⁿはｎ価の有機基を表し、またｎは２〜６の
整数のいずれか１つを表す。）で示されるユニットの少
なくとも１種を主構成ユニットとし、末端が式（II）：（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ¹は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部がフッ
素原子で置換された炭化水素基を表し、且つ三つのＲ¹
の内、少なくとも一つは前記フッ素置換炭化水素基でな
ければならない。）で示されるユニット又は式（II
I）：（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ²は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部が塩素
原子又は臭素原子で置換された炭化水素基を表す。）で
示されるユニットで封鎖され、封鎖末端に式（II）で示
されるユニット及び式（III）で示されるユニットをそ
れぞれ少なくとも１つ有するシリコーンをこれと相溶性
のある有機溶媒に溶解し、得られた溶液に粉体を浸漬し
た後、この粉体を溶液より引き上げ、有機溶剤を乾燥す
ることで前記粉体表面に前記シリコーンによる被膜を形
成させる方法を取ることも可能である。

【００１２】本発明は、また、上記シリコーン処理粉体
を含有するペイント組成物並びにこのシリコーン処理粉
体を含有する化粧料を提供するものでもある。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。まず、本発明に用いるシリコーンについて
説明する。（１）本発明に用いるシリコーン本発明の化粧料に用いるシリコーンは、基本的には前記
一般式（I）のＱⁿ（ＳｉＯ_3/2）_nユニットの少なくとも
１種を主構成ユニットとし、末端を前記一般式（II）の
（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2ユニット又は前記一般式（III）の
（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/ ₂ユニットで封鎖したものであり、封
鎖末端には式（II）で示されるユニット及び式（III）
で示されるユニットをそれぞれ少なくとも１つ有するも
のである。また、本発明においては、前記シリコーンの
主構成ユニットとして更にＳｉＯ₂ユニットを含有させ
ることができるが、この場合のＳｉＯ₂ユニットの含有
量はＳｉＯ₂／Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_nモル比で（３／２）以
下、特に（１／２）以下とすることが好ましい。
（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2ユニット及び（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2ユニ
ットのＱⁿ（ＳｉＯ_3/2）_nユニット及びＳｉＯ₂ユニット
に対するモル比は特に制限されるものではない。

【００１４】本発明に用いるシリコーンにおいて、上記
一般式（I）：Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_nユニットでのＱⁿの具
体例としては、１）アルキレン基；２）ポリメチレン
基；３）フェニレン基；４）アリーレン基；５）前記
１）〜４）の基の水素原子が更にアルキル基、フェニル
基、アリール基、アルキレン基、ポリメチレン基、フェ
ニレン基及びアリーレン基よりなる群の少なくとも１種
で置換された基；６）前記１）〜４）の基の構造中にエ
ーテル、チオエーテル、エステル、ケトン、アミド、イ
ミド、アミン及びイミンよりなる群の少なくとも１種の
官能基を含んだ基；及び７）前記１）〜６）の基の水素
原子が塩素原子又は臭素原子で置換された基等の少なく
とも１種を例示することができる。

【００１５】また、本発明に用いるシリコーンにおいて
は、上述のように一般式（I）におけるＱⁿのｎは２〜６
の整数のいずれかを表す。上記例示されたＱⁿについて
Ｑⁿのｎが２である２価の有機基としては、１）アルキ
レン基、２）ポリメチレン基、３）フェニレン基、４）
アリーレン基、５）前記１）〜４）の基の水素原子が更
にアルキル基又はフェニル基で置換された基、６）前記
１）〜４）の基の構造中にエーテル、チオエーテル、エ
ステル、ケトン、アミド、イミド、アミン、及びイミン
よりなる群の少なくとも１種の官能基を含んだ基、及び
７）前記１）〜６）の基の水素原子が塩素原子又は臭素
原子で置換された基等が挙げられる。ｎが３である３価
の有機基としては、前記２価の有機基（前記１）〜７）
の基）の水素原子、塩素原子又は臭素原子の１つを、ア
ルキレン基、アリーレン基、ポリメチレン基、フェニレ
ン基から選ばれる１種で置換したもの、またこれらの基
の水素原子が塩素原子又は臭素原子で置換された基等が
例示できる。

【００１６】同様に上記２価の有機基においてアルキレ
ン基、アリーレン基、ポリメチレン基、フェニレン基等
２価の基で置換される水素原子、塩素原子又は臭素原子
の数を２、３、４と増やせば、ｎが４である４価の有機
基、５である５価の有機基、６である６価の有機基が得
られることになる。この様にして上記一般式（I）にお
けるＱⁿのｎが２〜６の有機基が得られるが、本発明に
用いるシリコーンにおいては、Ｑⁿのｎは２、３、４が
好ましく更に２がより好ましい。これは、Ｑⁿの性質を
発現するためにＱⁿは分子の内部（珪素原子−珪素原子
間）におかなければならず、そのためには２価以上であ
ることが必要であるが、価数を増やす毎にコストが増え
るからである。また、更に好ましいＱⁿとして、ジカル
ボン酸のジアミドを含む２価の有機基を挙げることがで
きる。この様な好ましい条件を勘案すると、本発明によ
り好ましく用いられるシリコーンは、主構成ユニットが
上記一般式（I）にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミドを
含む２価の有機基を導入したユニット及び一般式（I）
にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミドを含む２価の有機
基以外の２価の有機基を導入したユニットで構成される
シリコーンである。

【００１７】本発明に用いるシリコーンの主構成ユニッ
トは、この様なＱⁿを構成要素とする上記一般式（Ｉ）
で示されるユニットの少なくとも１種で構成されるが、
Ｑⁿを更に具体的に例示すれば下記の通りである。な
お、以下の式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは各々１以上
の整数を表す。Ｑ²（２価の有機基）：

【００１８】

【化１】 −(ＣＨ₂)_a− …(1)、 −ＣＨ(ＣＨ₃)−(ＣＨ₂)_a− …(2)、 −(ＣＨ₂)_a−Ｃ(Ｃ₂Ｈ₅)(ＣＨ₃)− …(3)、 −Ｃ₆Ｈ₄− …(4)、 −(ＣＨ₂)_a−Ｃ₆Ｈ₄−(ＣＨ₂Ｃｌ)− …(5)、 −ＣＨ(ＣＨ₃)-Ｃ₆Ｈ₄-(ＣＨ₂)_a- …(6)、 −(ＣＨ₂)_a−Ｓ−(ＣＨ₂)_b- …(7)、 −(ＣＨ₂)_a-Ｓ-Ｃ₆Ｈ₄- …(8)、 −ＣＨ(ＣＨ₃)−Ｓ−(ＣＨ₂)_a- …(9)

【００１９】

【化２】

【００２０】Ｑ³（３価の有機基）：

【００２１】

【化３】

【００２２】Ｑ⁴（４価の有機基）：

【００２３】

【化４】

【００２４】次に一般式（II）の（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2ユ
ニットであるが、このユニットのＲ¹は、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、炭化水素基、又は水素原
子の少なくとも一部がフッ素原子で置換された炭化水素
基を表し、且つ三つのＲ¹の内、少なくとも一つは前記
フッ素置換炭化水素基でなければならないが、好ましく
は、アルキル基、フェニル基、アリール基及びこれらの
基の水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換され
た基より選ばれる基であり、具体例としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキ
ル基；フェニル基；アリール基；又は、これらの基の水
素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換された基等
が挙げられる。

【００２５】また一般式（III）の（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2ユ
ニットであるが、このユニットのＲ ²は、互いに同一で
あっても異なっていてもよく、炭化水素基、又は水素原
子の少なくとも一部が塩素原子又は臭素原子で置換され
た炭化水素基を表すが、好ましくは、アルキル基、フェ
ニル基、アリール基及びこれらの基の水素原子の少なく
とも一部が塩素原子又は臭素原子で置換された基より選
ばれる基であり、具体例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基；フェ
ニル基；アリール基；又は、これらの基の水素原子の少
なくとも一部が塩素原子又は臭素原子で置換された基等
が挙げられ、好ましくはアルキル基（置換されていな
い）が挙げられる。

【００２６】以上のようなユニットで構成される本発明
に用いるシリコーンのネットワーク構造例を、Ｑⁿのｎ
が２、すなわち２価の有機基の場合を例にして、下記に
示す。

【００２７】

【化５】

【００２８】（但し、化５中Ｑ²は２価の有機基を表
す。また、Ｚは前記一般式（II）の（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2
ユニット又は一般式（III）の（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2ユニッ
トを表し、Ｚの少なくとも１つは式（II）で示されるユ
ニットであり、更に少なくとも１つは式（III）で示さ
れるユニットである。）

【００２９】また本発明に用いるシリコーンの具体例は
次の通りである。イ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂｝₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、
［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット及び［Ｏ_3/2ＳｉＱ
²ＳｉＯ_3/2］（但し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₃−で示される
２価の有機基を表す。）のユニットからなるシリコー
ン。

【００３０】ロ）［（ＣＦ₃ＣＨ₂）₃ＳｉＯ_1/2］のユニ
ット、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但し、Ｑ²は下記式
（１ａ）で示される２価の有機基を表す。）のユニッ
ト、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット及び［Ｏ_3/2Ｓ
ｉＱ'²ＳｉＯ_3/2］（但し、Ｑ' ²は−（ＣＨ₂）₂Ｓ（Ｃ
Ｈ₂）₃−で示される２価の有機基を表す。）のユニット
からなるシリコーン。

【００３１】

【化６】

【００３２】ハ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅｝（ＣＨ₃）₂Ｓ
ｉＯ_1/2］のユニット、［（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＯ_1/2］のユ
ニット、［ＳｉＯ₂］のユニット及び［Ｏ_3/2ＳｉＱ²Ｓ
ｉＯ_3/2］（但し、Ｑ²は下記式（２ａ）で示される２価
の有機基を表す。）のユニットからなるシリコーン。

【００３３】

【化７】

【００３４】ニ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃｝₂（Ｃ₂Ｈ₅）Ｓ
ｉＯ_1/2］のユニット、［（Ｃ₆Ｈ₅）（ＣＨ₃）₂ＳｉＯ
_1/2］のユニット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₃Ｑ³］（但し、Ｑ
³は下記式（３ａ）で示される３価の有機基を表す。）
のユニットからなるシリコーン。

【００３５】

【化８】

【００３６】ホ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅｝（ＣＨ₃）₂Ｓ
ｉＯ_1/2］のユニット、［（Ｃ₃Ｈ₇）₃ＳｉＯ_1/2］のユ
ニット、［ＳｉＯ₂］のユニット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₃
Ｑ³］（但し、Ｑ³は下記式（４ａ）で示される３価の有
機基を表す。）のユニットからなるシリコーン。

【００３７】

【化９】

【００３８】ヘ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂｝
₂（Ｃ₂Ｈ₅）ＳｉＯ_1/2］のユニット、［｛（ＣＨ₃）
₃Ｃ｝｛ＣＨ₃｝₂ＳｉＯ_1/2］のユニット及び［（Ｏ₃／₂
Ｓｉ）₃Ｑ³］（但し、Ｑ³は下記式（５ａ）で示される
３価の有機基を表す。）のユニットからなるシリコー
ン。

【００３９】

【化１０】

【００４０】ト）［（ＣＦ₃ＣＨ₂）₃ＳｉＯ_1/2］のユニ
ット、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、［Ｓｉ
Ｏ₂］のユニット、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但し、
Ｑ²は−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₃−で示される２価の有
機基を表す。）のユニット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₄Ｑ⁴］
（但し、Ｑ⁴は下記式（６ａ）で示される４価の有機基
を表す。）のユニットからなるシリコーン。

【００４１】

【化１１】

【００４２】チ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂｝₃ＳｉＯ_1/2］
のユニット、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、
［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₄Ｑ⁴］（但し、Ｑ⁴は下記式（７ａ）で
示される４価の有機基を表す。）のユニット及び［Ｓｉ
Ｏ₂］のユニットからなるシリコーン。

【００４３】

【化１２】

【００４４】リ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂｝
₂（Ｃ₂Ｈ₅）ＳｉＯ_1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ
Ｏ_1/2］のユニット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₄Ｑ⁴］（但し、
Ｑ⁴は下記式（８ａ）で示される４価の有機基を表
す。）のユニットからなるシリコーン。

【００４５】

【化１３】

【００４６】ヌ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂｝
₂｛Ｃ₂Ｈ₅｝ＳｉＯ_1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ
Ｏ_1/2］のユニット、［_3/2ＯＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但
し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₃−を表す。）のユニット及び［
_3/2ＯＳｉＱ²'ＳｉＯ_3/2］（但しＱ ²'は、下記式（９
ａ）で示される２価の有機基を表す。）のユニットから
なるシリコーン。

【００４７】

【化１４】

【００４８】ル）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇（ＣＨ₂）₂｝
｛Ｃ₂Ｈ₅｝₂ＳｉＯ_1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ
Ｏ_1/2］のユニット、［_3/2ＯＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但
し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₃−を表す。）のユ
ニット及び［_3/2ＯＳｉＱ²'ＳｉＯ₃ _/2］（但しＱ²'は、
前記式（９ａ）で示される２価の有機基を表す。）のユ
ニットからなるシリコーン。

【００４９】ヲ）［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅｝｛ＣＨ₃｝₂Ｓ
ｉＯ_1/2］のユニット、［（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＯ_1/2］のユ
ニット、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但しＱ²は、前記
式（１ａ）で示される２価の有機基を表す。）のユニッ
ト、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²'ＳｉＯ_3/2］（但しＱ²'は、前記式
（９ａ）で示される２価の有機基を表す。）のユニット
及び［ＳｉＯ₂］のユニットからなるシリコーン。

【００５０】次に、本発明に用いるシリコーンの製造方
法について説明する。（２）シリコーンの製造方法本発明に用いる上記シリコーンを製造するには、基本的
には、一般式（IV）: Ｑⁿ［Ｓｉ（Ｘ）₃］_n （但し、Ｑⁿはｎ価の有機基を表し、またｎは２〜６の
整数のいずれか１つを表す。Ｘは互いに同一でも異なっ
ていてもよく、加水分解性の基を表す。）で示される加
水分解性珪素化合物を加水分解重縮合させた後、これに
一般式（V）：（Ｒ¹）₃ＳｉＸ（但し、Ｒ¹は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部がフッ
素原子で置換された炭化水素基を表し、且つ三つのＲ¹
の内、少なくとも一つは前記フッ素置換炭化水素基でな
ければならない。またＸは加水分解性の基を表す。）で
示される珪素化合物と、一般式（VI）：（Ｒ²）₃ＳｉＸ（但し、Ｒ²は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部が塩素
原子又は臭素原子で置換された炭化水素基を表し、また
Ｘは加水分解性の基を表す。）で示される珪素化合物及
び／又は一般式（VII）：（Ｒ²）₃ＳｉＯＳｉ（Ｒ²）₃ （但し、Ｒ²は前記一般式（VI）のＲ²に同じ。）で示さ
れる珪素化合物と、を末端封鎖剤として反応させて前記
重縮合物の末端を封鎖するという製造方法を取ればよ
い。

【００５１】この様な方法で本発明に用いる上記シリコ
ーンを製造するためには、まず一般式（IV）の加水分解
性珪素化合物Ｑⁿ［Ｓｉ（Ｘ）₃］_nに水を添加し、加水
分解重縮合を行う。この場合、必要に応じて珪素化合物
Ｓｉ（Ｘ）₄（但し、Ｘは互いに同一でも異なっていて
もよく、加水分解性の基を表す。）を混合し、前記珪素
化合物（IV）との共加水分解重縮合を行ってもよい。水
の添加量は、反応の進行を制御するため、用いた珪素化
合物の加水分解性の基Ｘを加水分解させるのに必要な理
論量以下の量が好ましい。

【００５２】この時、反応を均一に進行させるため有機
溶媒を用いることが好ましい。有機溶媒は反応に用いる
珪素化合物を溶解できるものであればよく、特に限定さ
れない。反応温度は０〜８０℃が好ましい。低すぎると
溶媒の凝固が起こったり、高すぎると溶媒の極端な蒸発
が起こったりして反応の進行が不均一になる。

【００５３】また、反応の進行を促進するため、塩基及
び／又は酸を触媒として用いることが好ましい。塩基及
び／又は酸触媒の添加量は反応に用いる珪素化合物の５
モル％以下が好ましい。

【００５４】この加水分解重縮合の反応式の一例を化１
５に、また得られる重縮合体のネットワーク構造の一例
を化１６に示す。

【００５５】

【化１５】

【００５６】（但し、化１５中Ｑ²は２価の有機基を表
す。）

【００５７】

【化１６】

【００５８】（但し、化１６中Ｑ²は２価の有機基を表
す。）以上の加水分解重縮合工程で使用される材料の詳細は次
の通りである。一般式（IV）の加水分解性珪素化合物Ｑⁿ［Ｓｉ
（Ｘ）₃］_n：公知の珪素化合物の公知の有機反応によっ
て合成される。例えばアミノ基を有するアルコキシシラ
ン、クロロシラン［ＮＨ₂Ｃ₃Ｈ₆Ｓｉ(ＯＲ)₃、ＮＨ₂Ｃ₃
Ｈ₆Ｃｌ₃］等と酸クロライド、無水酸等の酸誘導体との
反応；不飽和結合を有する化合物へのハイドロジェンシ
ラン又はメルカプトシランの付加反応；アルコキシシラ
ン化合物又はクロロシラン化合物とグリニャール試薬又
は有機リチウム化合物との反応などにより合成される。
この一般式（IV）の加水分解性珪素化合物Ｑ ⁿ［Ｓｉ
（Ｘ）₃］_n中におけるＱⁿについては、前述の一般式
（Ｉ）でのＱⁿと同様である。また、一般式（IV）中に
おいてＸは、加水分解性の基であれば特に制限されず、
互いに同一であっても異なっていてもよい。

【００５９】本発明に用いるシリコーンの製造に際して
は、この加水分解性珪素化合物の少なくとも１種を原料
として用いるが、好ましくは、加水分解性珪素化合物と
して、一般式（IV）にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミ
ドを含む２価の有機基を導入した加水分解性珪素化合物
及び一般式（IV）にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミド
を含む２価の有機基以外の２価の有機基を導入した加水
分解性珪素化合物を組み合わせて用いる。

【００６０】珪素化合物Ｓｉ（Ｘ）₄：シリコーンの固
さを調節するために添加する。添加量が多ければシリコ
ーンは固くなり、少なければ柔らかくなる。上記一般式
中のＸは、加水分解性の基であれば特に制限されず、互
いに同一であっても異なっていてもよい。この様な珪素
化合物の具体例としては四塩化珪素、テトラメトキシシ
ラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ−プロポキシシ
ラン、テトライソプロポキシシラン等、好ましくは四塩
化珪素、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン
が挙げられる。

【００６１】有機溶媒：上記二種の珪素化合物、水、触
媒などを溶解するものであれば特に限定されず、メチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン等
のケトン類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等の
セロソルブ類；テトラヒドロキシフラン；ジメチルスル
フォキシド等が挙げられる。

【００６２】塩基及び／又は酸触媒：塩酸、硝酸等の無
機酸；酢酸、クエン酸等の有機酸；水酸化ナトリウム、
アンモニア水等の無機塩基；アミン、モルフォリン等の
有機塩基；３−アミノアルコキシシランのような塩基性
基含有シラン等、好ましくはアミノ置換基、４，５−ジ
ヒドロイミダゾール置換基等の塩基性基含有シラン、例
えば３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒド
ロイミダゾール）プロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β
−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン等が挙げられる。

【００６３】次に、一定時間重縮合反応を行った後、得
られた重縮合体の反応末端を封鎖して重縮合体を安定に
取り出すため、末端封鎖剤として一般式（V）の珪素化
合物（Ｒ¹）₃ＳｉＸと、一般式（VI）の珪素化合物（Ｒ
²）₃ＳｉＸ及び／又は一般式（VII）の珪素化合物
（Ｒ²）₃ＳｉＯＳｉ（Ｒ²）₃と、を添加し反応させる。
この時、末端封鎖剤の加水分解を促進して末端封鎖反応
を進行しやすくするため、水及び酸触媒も合わせて添加
する。水の添加量は特に限定されないが、添加した末端
封鎖剤を加水分解するのに必要な理論量以上の量を添加
することが望ましい。また酸触媒の添加量は一般式
（V）、（VI）、（VII）の末端封鎖剤の合計量の２モル
％以上が好ましい。

【００６４】またこの末端封鎖工程は、反応を均一に進
行させるため攪拌条件下で行う。反応時間は４〜２０時
間が好ましい。反応終了後は重縮合体が相分離する場合
はデカンテーションで、また相分離しない場合は溶媒留
去、凍結乾燥などの方法によって目的物を取り出す。

【００６５】上記重縮合体と末端封鎖剤との反応で得ら
れるシリコーンのネットワーク構造における末端封鎖状
況の一例を下記に示す。

【００６６】

【化１７】

【００６７】（但し、化１７中Ｑ²は２価の有機基を表
す。また、Ｚは前記一般式（II）の（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2
ユニット又は一般式（III）の（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2ユニッ
トを表し、Ｚの少なくとも１つは式（II）で示されるユ
ニットであり、更に少なくとも１つは式（III）で示さ
れるユニットである。）以上の末端封鎖工程で使用される材料の詳細は次の通り
である。一般式（V）の（Ｒ¹）₃ＳｉＸ：上記一般式（V）中、
Ｒ¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、炭化
水素基、又は水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で
置換された炭化水素基を表し、且つ三つのＲ¹の内、少
なくとも一つは前記フッ素置換炭化水素基でなければな
らないが、好ましくは、アルキル基、フェニル基、アリ
ール基及びこれらの基の水素原子の少なくとも一部がフ
ッ素原子で置換された基より選ばれる基であり、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基
等のアルキル基；フェニル基；アリール基；又は、これ
らの基の水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換
された基等が挙げられる。また、上記一般式（V）中、
Ｘは加水分解性の基であれば特に制限されないが、アル
コキシ基、ハロゲン原子又はアルコキシアルコキシ基等
を好ましく挙げることができる。

【００６８】この様な化合物として具体的には、(ＣＦ₃
ＣＨ₂)₃Ｓｉ(ＯＣＨ₃)、[ＣＦ₃(ＣＦ₂)₂]₂(ＣＨ₃)Ｓｉ
Ｃｌ、[ＣＦ₃(ＣＦ₂)₅](ＣＨ₃)₂Ｓｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)、[ＣＦ
₃(ＣＦ₂)₃(ＣＨ₂)₂]₂(Ｃ₂Ｈ₅)ＳｉＣｌ等が挙げられ、
該当するフルオロアルキル基を有するグリニャール試薬
又はリチウム塩と公知の珪素化合物との反応によって容
易に合成できる。すなわち

【００６９】

【化１８】

【００７０】（但し、化１８中、Ｒ_fはフルオロアルキ
ル基、Ｒは炭化水素基、ＡはＢｒ又はＩ、ｎは０〜２の
いずれか、ｍは１〜３のいずれかを表す。）

【００７１】一般式（VI）の（Ｒ²）₃ＳｉＸ：上記一
般式（VI）中、Ｒ²は互いに同一であっても異なってい
てもよく、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部
が塩素原子又は臭素原子で置換された炭化水素基を表す
が、好ましくは、アルキル基、フェニル基、アリール基
及びこれらの基の水素原子の少なくとも一部が塩素原子
又は臭素原子で置換された基より選ばれる基であり、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基等のアルキル基；フェニル基；アリール基；又は、こ
れらの基の水素原子の少なくとも一部が塩素原子又は臭
素原子で置換された基等が挙げられ、好ましくはアルキ
ル基（置換されていない）が挙げられる。また、上記一
般式（VI）中、Ｘは加水分解性の基であれば特に制限さ
れないが、アルコキシ基、ハロゲン原子又はアルコキシ
アルコキシ基等を好ましく挙げることができる。この様
な化合物として具体的には、トリメチルクロロシラン、
トリエチルクロロシラン、tert−ブチルジメチルクロロ
シラン、フェニルジメチルクロロシラン、トリメチルメ
トキシシラン、トリメチルエトキシシラン等が挙げられ
る。

【００７２】一般式（VII）の（Ｒ²）₃ＳｉＯＳｉ
（Ｒ²）₃：上記一般式（VII）中のＲ²は、上記一般式
（VI）中のＲ²と同様であり、この様な化合物として、
具体的には、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサエチル
ジシロキサン、ヘキサプロピルジシロキサン、ヘキサフ
ェニルジシロキサン等が挙げられる。

【００７３】酸触媒：具体的には塩酸、硝酸等の無機
酸；酢酸、クエン酸等の有機酸；好ましくは塩酸、硝
酸、酢酸等の揮発性の酸が挙げられる。

【００７４】（３）本発明のシリコーン処理粉体本発明のシリコーン処理粉体は、上記シリコーンの１種
又は２種以上によって表面処理されたシリコーン処理粉
体であって、粉体表面に上記シリコーンの被膜が形成さ
れた構造を有する。本発明のシリコーン処理粉体におけ
るシリコーン被膜は、優れた撥水性を有し、更に上記シ
リコーンが末端ユニットにフッ素原子を有することか
ら、上記シリコーン被膜は撥油性をも有する。この様に
粉体表面に形成された上記シリコーン被膜は、優れた撥
水・撥油性を有すると共に強固で且つ柔軟性に優れるの
で、これがペイントや化粧料等の組成物に配合されたと
きにその系全体の安定性を向上させるという効果を有す
る。

【００７５】更に、本発明のシリコーン処理粉体の撥水
性被膜は、炭化水素等の特定の溶剤のみに溶媒親和性を
有するので、この様な溶剤を用いれば容易に脱離可能で
あり、例えば、上記特定の溶剤を用いれば本発明のシリ
コーン処理粉体を含有するペイントや化粧料等の組成物
を必要に応じて簡単に被付着物より除去することが可能
となる。この様な特定の溶剤としては、直鎖状、分岐あ
るいは環状の比較的分子量の小さい（５量体以下程度
の）シリコーン類、ノルマルヘキサンや石油エーテル等
の比較的炭素鎖の短い炭化水素類、ハロゲン化炭化水素
類等が例示できる。

【００７６】本発明のシリコーン処理粉体において用い
られる粉体としては、粉体であれば種類や形状、大きさ
等特に限定されないが、通常粉体の形で各種組成物に配
合される粉体、好ましくはペイント組成物、化粧料等の
組成物に配合される粉体が挙げられる。この様な粉体と
して具体的には、キナクリドン系顔料、フタロシアニン
系顔料、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、黄色酸化鉄、
酸化鉛、水酸化クロム、酸化クロム、群青、紺青、黒酸
化鉄、カーボンブラック等の顔料、シリカゲル、珪酸カ
ルシウム、酸化アルミ、炭酸カルシウム、マイカ、セリ
サイト、タルク、マイカチタニア、ベントナイト、モン
モリロナイト、タール系色素等が例示できる。

【００７７】また、本発明のシリコーン処理粉体におい
て、表面被膜を構成するシリコーンと粉体の組成重量比
は１：９９〜５０：５０であることが好ましく、更に
は、５：９５〜２０：８０であることがより好ましい。

【００７８】この様な本発明のシリコーン処理粉体を製
造する方法であるが、通常行われている方法に従って上
記粉体の１種又は２種以上を上記シリコーンで表面処理
すればよく、例えば、メカノケミカル的に粉体にシリコ
ーンをコーティングする方法、シリコーンを予め粉体表
面に均一にコーティングした後これを焼き付ける方法、
コアセルベーション等の相分離法、液中乾燥法等の表面
処理方法等が挙げられるが本発明においては、メカノケ
ミカル法、焼き付け法が好ましく用いられる。

【００７９】また、本発明において被膜形成のために用
いられる上記シリコーンは、上述のように揮発性炭化水
素類、あるいは揮発性シリコーン類など特定の有機溶剤
に対してのみ相溶性があるので、これらを溶媒とするシ
リコーン溶液に粉体をディップする等して粉体表面をシ
リコーンの有機溶剤溶液でコーティングした後、溶媒を
乾燥等の方法で除去するという製造方法を取ることも可
能であり、この製造方法は本発明において特徴的であ
る。

【００８０】（４）本発明のペイント組成物本発明のペイント組成物は、上記シリコーン処理粉体の
１種又は２種以上を含有する。本発明のペイント組成物
には上記撥水性・撥油性に優れたシリコーン被膜を有す
るシリコーン処理粉体が配合されることにより優れた撥
水・撥油性と安定性が付与される。更に、本発明で用い
るシリコーン処理粉体のシリコーン被膜は柔軟性を有し
ており、この柔軟性が本発明のペイント組成物に付着性
のよさを付与している。また、上記シリコーン処理粉体
のシリコーン被膜は、特定の溶剤を用いて容易に脱離可
能であり、これにより特定溶剤を用いれば本発明のペイ
ント組成物を被着物から脱離させることは容易である。

【００８１】本発明のペイント組成物における上記シリ
コーン処理粉体の好適な配合量は、ペイント組成物全量
に対して１〜６０重量％であり、更に好ましくは１０〜
４０重量％である。本発明のペイント組成物としては、
通常粉体を含有するペイント組成物であれば特に限定さ
れない。これらのペイント組成物は、上記シリコーン処
理粉体を、好ましくは上記配合量の範囲で、配合する以
外は、通常のペイント組成物と同様の方法で製造するこ
とができる。また、本発明のペイント組成物では、上記
シリコーン以外に通常ペイント組成物で用いられる任意
成分を含有することができる。この様な任意成分として
は、アクリル系樹脂等の被膜形製剤、溶剤、可塑剤等が
挙げられる。但し、溶剤としては、上記シリコーンを溶
かし得る溶剤は避けた方が好ましい。

【００８２】（５）本発明の化粧料本発明の化粧料は上記シリコーン処理粉体の１種又は２
種以上を含有する。上記シリコーン処理粉体を配合する
ことにより本発明の化粧料には優れた撥水性と安定性が
付与される。これは、本発明の化粧料に配合する上記シ
リコーン処理粉体のシリコーン被膜が撥水性に優れるこ
とによる。また、上記シリコーン処理粉体に用いるシリ
コーンは末端ユニットにフッ素原子を有するので、この
シリコーンで処理された粉体を含有する本発明の化粧料
は、上記撥水性と共に撥油性にも優れる。更に、本発明
で用いるシリコーン処理粉体のシリコーン被膜は柔軟性
を有することから、これを化粧料に配合することによ
り、肌や頭髪へのなじみがよく密着性のよい化粧料が得
られることになる。また、この様なシリコーン処理粉体
のシリコーン被膜の優れた撥水性、撥油性、柔軟性等が
総合的に作用して、本発明の化粧料に化粧持ちのよさを
付与している。

【００８３】本発明の化粧料における上記シリコーン処
理粉体の配合量は、通常の粉体配合化粧料における粉体
配合量に従えばよく、１〜１００重量％が適当であり、
好ましくは２０〜８０重量％程度である。本発明の化粧
料の剤形としては、通常粉体を含有する化粧料であれば
特に限定されず、例えば、リップカラー、チークカラ
ー、アイカラー、マスカラ、アイライナー、パック料、
ファンデーション、プレストパウダー、ルースパウダ
ー、アンダーメークアップ等が挙げられる。これらの化
粧料は、上記シリコーン処理粉体を、好ましくは上記配
合量の範囲で、配合する以外は、通常の化粧料と同様の
方法で製造することができる。

【００８４】また、本発明の化粧料には、上記シリコー
ン処理粉体以外に、通常、化粧料に適用される、流動パ
ラフィン、ワセリン、スクワラン等の炭化水素類、ミリ
スチン酸イソプロピル（ＩＰＭ）や合成ゲイロウ、ホホ
バ油、カルナウバワックス等のエステル類、オリーブ
油、牛脂等の動植物油脂、セタノール、ステアリルアル
コール等の高級アルコール類、ステアリン酸、オレイン
酸等の高級脂肪酸類、ラウリル硫酸ナトリウム、アルキ
ルスルホコハク酸エステル等のアニオン界面活性剤、４
級アルキルアミン塩等のカチオン界面活性剤、脂肪酸モ
ノグリセライド、ポオキシエチレン硬化ヒマシ油等のノ
ニオン界面活性剤、アルキルベタイン等の両性界面活性
剤等の界面活性剤類、グリセリンやプロピレングリコー
ル等の多価アルコール類、エタノール、プロパノール等
の低級アルコール類、パラベン類やグルコン酸クロルヘ
キシジン等の防腐剤類、パラアミノ安息香酸誘導体、ベ
ンゾフェノン誘導体等の紫外線吸収剤類、ビタミンＥや
ブチルヒドロキシトルエン等の酸化防止剤、アラビアゴ
ム、カルボキシビニルポリマー等の増粘剤、ポリエチレ
ングリコール等の保湿剤、クエン酸塩、酢酸塩等のｐＨ
調整剤、香料、色素等、ヒアルロン酸、胎盤抽出物、朝
鮮人参エキス、ステロール配糖体等の各種目的に応じた
薬効成分などが適宜選択されて配合される。更に、本発
明の効果を損ねない範囲において、表面処理等の施され
ていない通常の粉体や従来のポリメチスシロキサン処理
やフルオロアルキルシリコーン処理等を施した粉体を適
宜配合してもよい。

【００８５】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。まず本発
明に用いるシリコーンの製造例について、上記一般式
（IV）の珪素化合物Ｑⁿ［Ｓｉ（Ｘ）₃］_nの製造例及び
一般式（V）のフッ素置換型末端封鎖珪素化合物（Ｒ¹）
₃ＳｉＸの製造例と共に説明する。＜Ｑⁿ［Ｓｉ（Ｘ）₃］_nの製造例＞

【００８６】

【製造例１】耐圧ビン型の反応容器にアリルトリクロロ
シラン７０．２ｇ、モノハイドロジェントリクロロシラ
ン５４．２ｇを採り混合した。次に塩化白金酸Ｈ₂Ｐｔ
Ｃｌ₆・６Ｈ₂Ｏをテトラヒドロフラン中で加熱し、白金
０．２ミリモルに相当するこの溶液を前述の混合溶液に
添加した後、反応容器を８０℃で４時間加熱した。ろ
過、分留を行ってテトラヒドロフラン、塩化白金酸を除
去して透明液体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この液体が
式（１ｂ）で表される化合物であることが確認された。

【００８７】

【化１９】Ｃｌ₃Ｓｉ（ＣＨ₂ ）₃ＳｉＣｌ₃ ・・・（１ｂ）

【００８８】

【製造例２】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコにテレフタル酸ジアリル４９．３ｇ、３
−メルカプトトリメトキシシラン７８．６ｇ、ベンゼン
４５０ｍｌを採り、攪拌混合した。さらに、この溶液
に、アゾビスイソブチロニトリル０．５ｇをベンゼン５
０ｍｌに溶解した溶液を添加し、攪拌混合した。攪拌を
続けながら、室温で乾燥窒素ガスによるバブリングを１
時間行った後、加熱してベンゼンの沸点で２４時間還流
を行って反応を完結させた。ロータリーエバポレーター
でベンゼンを除去して粘性液体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったとこ
ろ、この液体が式（２ｂ）で表される化合物であること
が確認された。

【００８９】

【化２０】

【００９０】

【製造例３】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコにビニルトリメトキシシラン４４．５
ｇ、３−メルカプトトリメトキシシラン５８．９ｇ、ベ
ンゼン４００ｍｌを採り攪拌混合した。さらにこの溶液
に、アゾビスイソブチロニトリル０．５ｇをベンゼン５
０ｍｌに溶解した溶液を添加し、攪拌混合した。攪拌を
続けながら、室温で乾燥窒素ガスによるバブリングを１
時間行った後、加熱してベンゼンの沸点で２４時間還流
を行って反応を完結させた。ロータリーエバポレーター
でベンゼンを除去して粘性液体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったとこ
ろ、この液体が式（３ｂ）で表される化合物であること
が確認された。

【００９１】

【化２１】（ＣＨ₃Ｏ）₃Ｓｉ（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₃Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃ ・・・（３ｂ）

【００９２】

【製造例４】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコに３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン１１０．７ｇ、ジエチルエーテル４００ｍｌ、トリエ
チルアミン１００ｍｌを採り氷冷しつつ攪拌混合した。
さらに、氷冷攪拌を続けながらこの溶液に、３−ブテノ
イルクロライド４５．３ｇをジエチルエーテル１００ｍ
ｌに溶解した溶液を滴下した。滴下後さらに１時間攪拌
を続けた。生成した白色沈殿をろ別した後、ロータリー
エバポレーターでジエチルエーテル、トリエチルアミン
を除去して粘性液体を得た。

【００９３】耐圧ビン型の反応容器に上記の液体８２．
７ｇ、モノハイドロジェントリエトキシシラン４９．３
ｇを採り混合した。次に塩化白金酸Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ
₂Ｏをテトラヒドロフラン中で加熱し、白金０．２ミリ
モルに相当するこの溶液を前述の混合溶液に添加した
後、反応容器を８０℃で４時間加熱した。ろ過、分留を
行ってテトラヒドロフラン、塩化白金酸を除去して透明
液体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓ
ｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この液体が式（４ｂ）
で表される化合物であることが確認された。

【００９４】

【化２２】

【００９５】

【製造例５】耐圧ビン型の反応容器にグリセリントリ１
０−ウンデセノエート１７７．３ｇ、モノハイドロジェ
ントリメトキシシラン１１０．０ｇを採り混合した。次
に塩化白金酸Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ₂Ｏをテトラヒドロフ
ラン中で加熱し、白金０．２ミリモルに相当するこの溶
液を前述の混合溶液に添加した後、反応容器を８０℃で
４時間加熱した。ろ過、分留を行ってテトラヒドロフラ
ン、塩化白金酸を除去して透明液体を得た。ＩＲ、¹Ｈ
−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行った
ところ、この液体が式（５ｂ）で表される化合物である
ことが確認された。

【００９６】

【化２３】

【００９７】

【製造例６】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコに１，２，４−トリビニルシクロヘキサ
ン４８．７ｇ、３−メルカプトトリス（β−メトキシメ
トキシ）シラン２５７．８ｇ、ベンゼン８００ｍｌを採
り攪拌混合した。さらにこの溶液に、アゾビスイソブチ
ロニトリル０．８ｇをベンゼン１００ｍｌに溶解した溶
液を添加し、攪拌混合した。攪拌を続けながら、室温で
乾燥窒素ガスによるバブリングを１時間行った後、加熱
してベンゼンの沸点で２４時間還流を行って反応を完結
させた。ロータリーエバポレーターでベンゼンを除去し
て粘性液体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭ
Ｒ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この液体が式
（６ｂ）で表される化合物であることが確認された。

【００９８】

【化２４】

【００９９】

【製造例７】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコに３−アミノプロピルトリクロロシラン
５７．９ｇ、ジエチルエーテル３２０ｍｌ、トリエチル
アミン８０ｍｌを採り氷冷しつつ攪拌混合した。さら
に、氷冷攪拌を続けながらこの溶液にトリメゾイルクロ
ライド２６．８ｇをジエチルエーテル１００ｍｌに溶解
した溶液を滴下した。滴下後さらに１時間を攪拌を続け
た。生成した白色沈殿をろ別した後、ロータリーエバポ
レーターでジエチルエーテル、トリエチルアミンを除去
して白色固体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭ
Ｒ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この固体が式
（７ｂ）で表される化合物であることが確認された。

【０１００】

【化２５】

【０１０１】

【製造例８】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコに３，３’−ジアミノベンジジン６４．
３ｇ、テトラヒドロフラン９００ｍｌ、トリエチルアミ
ン２００ｍｌを採り、氷冷しつつ攪拌混合した。さら
に、氷冷攪拌を続けながらこの溶液に、アクリロイルク
ロライド１０８．６ｇをテトラヒドロフラン３００ｍｌ
に溶解した溶液を滴下した。滴下後さらに１時間攪拌を
続けた。生成した白色沈殿をろ別した後、ロータリーエ
バポレーターで、テトラヒドロフラントリエチルアミン
を除去して白色固体を得た。

【０１０２】耐圧ビン型の反応容器に上記の固体８６．
１ｇ、モノハイドロジェントリメトキシシラン９７．８
ｇを採り混合した。次に塩化白金酸Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ
₂Ｏをテトラヒドロフラン中で加熱し、白金０．２ミリ
モルに相当するこの溶液を前述の混合溶液に添加した
後、反応容器を８０℃で４時間加熱した。ろ過、分留を
行ってテトラヒドロフラン、塩化白金酸を除去して白色
固体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓ
ｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この固体が式（８ｂ）
で表される化合物であることが確認された。

【０１０３】

【化２６】

【０１０４】

【製造例９】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付き
三つ口フラスコにペンタエリトリトールテトラメタクリ
レート８１．７ｇ、３−メルカプトトリエトキシシラン
１９０．７ｇ、ベンゼン８００ｍｌを採り、攪拌混合し
た。さらにこの溶液に、アゾビスイソブチロニトリル
０．５ｇをベンゼン１００ｍｌに溶解した溶液を添加
し、攪拌混合した。攪拌を続けながら、室温で乾燥窒素
ガスによるバブリングを１時間行った後、加熱してベン
ゼンの沸点で２４時間還流を行って反応を完結させた。
ロータリーエバポレーターでベンゼンを除去して粘性液
体を得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ
−ＮＭＲ測定を行ったところ、この液体が式（９ｂ）で
表される化合物であることが確認された。

【０１０５】

【化２７】

【０１０６】

【製造例１０】還流冷却器、攪拌装置及びガス導入管付
き三つ口フラスコにグリセロール−１，３−ジアリルエ
ーテル２７．６ｇ、テトラヒドロフラン２００ｍｌ、ト
リエチルアミン５０ｍｌを採り、氷冷しつつ攪拌混合し
た。さらに、氷冷攪拌を続けながらこの溶液に、アジポ
イルクロライド１４．６ｇをテトラヒドロフラン１００
ｍｌに溶解した溶液を滴下した。滴下後さらに１時間攪
拌を続けた。生成した白色沈殿をろ別した後、ロータリ
ーエバポレーターでジエチルエーテル、トリエチルアミ
ンを除去して粘性液体を得た。

【０１０７】耐圧ビン型の反応容器に上記の液体２８．
２ｇ、モノハイドロジェントリクロロシシラン５４．２
ｇを採り混合した。次に、塩化白金酸Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６
Ｈ₂Ｏをテトラヒドロフラン中で加熱し、白金０．２ミ
リモルに相当するこの溶液を前述の混合溶液に添加した
後、反応容器を８０℃で４時間加熱した。分留を行って
テトラヒドロフラン、塩化白金酸を除去して透明液体を
得た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−Ｎ
ＭＲ測定を行ったところ、この液体が式（１０ｂ）で表
される化合物であることが確認された。

【０１０８】

【化２８】

【０１０９】

【製造例１１】還流冷却器、攪拌装置およびガス導入管
付き三つ口フラスコに３−アミノプロピルトリメトキシ
シラン１０７．６ｇ、テトラヒドロフラン６００ｍｌ、
トリエチルアミン２００ｍｌを採り氷冷しつつ攪拌混合
した。さらに、氷冷攪拌を続けながらこの溶液に、テレ
フタル酸クロリド６０．９ｇをテトラヒドロフラン２０
０ｍｌに溶解した溶液を滴下した。滴下後さらに１時間
攪拌を続けた。生成した白色沈殿をろ別した後、ロータ
リーエバポレーターでテトラヒドロフラン、トリエチル
アミンを除去して白色固体を得た。ＩＲ、¹ Ｈ−ＮＭ
Ｒ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、 ²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったとこ
ろ、この固体が式（１１ｂ）で表される化合物であるこ
とが確認された。

【０１１０】

【化２９】

【０１１１】

【製造例１２】還流冷却器、攪拌装置およびガス導入管
付き三つ口フラスコに３−アミノプロピルトリクロロシ
シラン９６．５ｇ、ジエチルエーテル５００ｍｌ、トリ
エチルアミン１５０ｍｌを採り氷冷しつつ攪拌混合し
た。さらに、氷冷攪拌を続けながらこの溶液に、イソフ
タル酸クロリド５０．８ｇをジエチルエーテル１５０ｍ
ｌに溶解した溶液を滴下した。滴下後さらに１時間攪拌
を続けた。生成した白色沈殿をろ別した後、ロータリー
エバポレーターでジエチルエーテル、トリエチルアミン
を除去して白色固体を得た。ＩＲ、¹ Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ
−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この固
体が（１２ｂ）で表される化合物であることが確認され
た。

【０１１２】

【化３０】

【０１１３】＜（Ｒ¹）₃ＳｉＸの製造例＞

【０１１４】

【製造例１３】十分に乾燥を行った還流冷却器、攪拌装
置及びガス導入管付き三つ口フラスコに金属マグシウム
８．７ｇを採り、乾燥窒素ガスで十分置換を行う。さら
に、この反応容器に金属ナトリウムによる還流と蒸留と
によって脱水精製したテトラヒドロフラン１５０ｍｌを
採り、攪拌混合した。攪拌を続けながら、この溶液に、
前述のテトラヒドロフラン２００ｍｌに２、２、２−ト
リフルオロエチルヨーダイド６３．０ｇを溶解した溶液
を滴下した。さらに攪拌を続けながら、氷冷下で、前述
のテトラヒドロフラン１５０ｍｌにテトラメトキシシラ
ン１５．２ｇを溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、
テトラヒドロフランの沸点で還流を２４時間行って反応
を完結させた。生成した沈殿をろ別後、分留を行って目
的化合物を単離した。なお、全ての操作は乾燥窒素ガス
気流下で行った。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、
²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、式（１３ｂ）で表
される目的化合物が単離されていることを確認した。

【０１１５】

【化３１】（ＣＦ₃ＣＨ₂）₃Ｓｉ（ＯＣＨ₃）・・・(１３ｂ)

【０１１６】

【製造例１４】十分に乾燥を行った還流冷却器、攪拌装
置及びガス導入管付き三つ口フラスコに金属マグシウム
３．０ｇを採り、乾燥窒素ガスで十分置換を行う。さら
に、この反応容器に金属ナトリウムによる還流と蒸留と
によって脱水精製したテトラヒドロフラン１００ｍｌを
採り、攪拌混合した。攪拌を続けながら、この溶液に、
前述のテトラヒドロフラン３００ｍｌにパーフルオロヘ
キシルヨーダイド４４．６ｇを溶解した溶液を滴下し
た。さらに攪拌を続けながら、氷冷下で、前述のテトラ
ヒドロフラン２００ｍｌにジメチルジエトキシシラン１
４．８ｇを溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、テト
ラヒドロフランの沸点で還流を２４時間行って反応を完
結させた。生成した沈殿をろ別後、分留を行って目的化
合物を単離した。なお、全ての操作は乾燥窒素ガス気流
下で行った。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓ
ｉ−ＮＭＲ測定を行って式（１４ｂ）で表される目的化
合物が単離されていることを確認した。

【０１１７】

【化３２】［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅］（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）・・・(１４ｂ)

【０１１８】

【製造例１５】十分に乾燥を行った還流冷却器、攪拌装
置及びガス導入管付き三つ口フラスコに金属マグシウム
５．３ｇ及びよう素０．０５ｇを採り、乾燥窒素ガスで
十分置換を行う。さらに、この反応容器に金属ナトリウ
ムによる還流と蒸留とによって脱水精製したジエチルエ
ーテル５００ｍｌにパーフルオロブチルヨーダイド６
９．２ｇ及びエチルトリメトキシラン１５．０ｇを溶解
した溶液を滴下した。滴下終了後、攪拌を続けながら室
温で２時間放置し反応を完結させた。生成した沈殿をろ
別後、分留を行って目的化合物を単離した。尚、全ての
操作は乾燥窒素ガス気流下で行った。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったとこ
ろ、式（１５ｂ）で表される目的化合物が単離されてい
ることを確認した。

【０１１９】

【化３３】［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ ］₂（Ｃ₂Ｈ₅）Ｓｉ（ＯＣＨ₃）・・・(１５ｂ)

【０１２０】

【製造例１６】十分に乾燥を行った還流冷却器、攪拌装
置及びガス導入管付き三つ口フラスコに金属マグシウム
５．６ｇを採り、乾燥窒素ガスで十分置換を行う。さら
に、この反応容器に金属ナトリウムによる還流と蒸留と
によって脱水精製したテトラヒドロフラン１００ｍｌを
採り、攪拌混合した。攪拌を続けながら、この溶液に、
前述のテトラヒドロフラン３００ｍｌにパーフルオロプ
ロピルブロミド５２．３ｇを溶解した溶液を滴下した。
さらに攪拌を続けながら、氷冷下で、前述のテトラヒド
ロフラン１００ｍｌにテトラクロロシラン１１．９ｇを
溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、テトラヒドロフ
ランの沸点で還流を２４時間行って反応を完結させた。
生成した沈殿をろ別後、分留を行って目的化合物を単離
した。なお、全ての操作は乾燥窒素ガス気流下で行っ
た。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭ
Ｒ測定を行ったところ、式（１６ｂ）で表される目的化
合物が単離されていることを確認した。

【０１２１】

【化３４】［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂］₃ＳｉＣｌ・・・(１６ｂ)

【０１２２】

【製造例１７】乾燥窒素ガスで十分置換を行った還流冷
却器、攪拌装置及びガス導入管付き三つ口フラスコに１
Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシルリチウム
５０．８ｇを及び金属ナトリウムによる還流と蒸留とに
よって脱水精製したジエチルエーテル４００ｍｌ採り攪
拌混合した。攪拌を続けながら、この溶液に、前述のジ
エチルエーテル１００ｍｌにエチルトリクロロシラン１
６．４ｇを溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、さら
に２時間攪拌を続けた後、還流を８時間行って反応を完
結させた。生成した沈殿をろ別後、分留を行って目的化
合物を単離した。なお、全ての操作は乾燥窒素ガス気流
下で行った。ＩＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓ
ｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、式（１７ｂ）で表され
る目的化合物が単離されていることを確認した。

【０１２３】

【化３５】［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂］₂（Ｃ₂Ｈ₅）ＳｉＣｌ・・・(１７ｂ)

【０１２４】

【製造例１８】充分に乾燥を行った還流冷却器、攪拌装
置およびガス導入管付き三つ口フラスコに金属マグネシ
ウム５．８ｇを採り、乾燥窒素ガスで充分置換を行っ
た。さらに、この反応容器に金属ナトリウムによる還流
と蒸留とによって脱水生成したジエチルエーテル２００
ｍｌを採り攪拌混合した。攪拌を続けながら、この溶液
に前述のジエチルエーテル３００ｍｌに１Ｈ，１Ｈ，２
Ｈ，２Ｈヘプタデカフルオロデキシルヨーダイド１１
４．８ｇを溶解した溶液を滴下した。さらに、攪拌を続
けながら、氷零下で、前述のジエチルエーテル２００ｍ
ｌにジエチルジメトキシシラン２９．７ｇを溶解した溶
液を滴下した。滴下終了後ジエチルエーテルの沸点で還
流を２４時間行って反応を完結させた。生成した沈殿を
ろ別後、分留を行って、目的の化合物を単離した。なお
全ての操作は乾燥窒素ガス気流下で行った。ＩＲ、¹Ｈ
−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行った
ところ、式（１８ｂ）で表される目的化合物が単離され
ていることを確認した。

【０１２５】

【化３６】［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇（ＣＨ₂）₂］［Ｃ₂Ｈ₅］₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）・・・(１８ｂ) ＜シリコーンの製造例＞

【０１２６】

【製造例１９】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例１の珪素化合物６４．０ｇ、メチルエチルケトン
１５０ｍｌを採り、混合溶解した。攪拌を続けながらこ
の溶液に、水９．０ｇをメチルエチルケトン５０ｍｌに
溶解した溶液を添加した。添加終了後、攪拌を続けなが
ら４０℃で３０分間放置した。この混合溶液に、製造例
１６の珪素化合物５７．０ｇ、トリメチルクロロシラン
４３．４ｇ、水４０．５ｇ、メチルエチルケトン１００
ｍｌ、濃塩酸１．３ｍｌからなる溶液を添加し、攪拌を
さらに続けながら４０℃で４時間放置した。反応終了
後、系は二相に分離したので、デカンテーションにより
溶媒相を除去し、さらに５％炭酸水素ナトリウム溶液及
び水で洗浄後、再びデカンテーションにより水を除去
し、８０℃で一昼夜乾燥して重縮合物を単離した。Ｉ
Ｒ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定
を行ったところ、この重縮合体は［｛ＣＦ₃（Ｃ
Ｆ₂）₂｝₃ＳｉＯ_1/ ₂］のユニット、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ
_1/2］のユニット及び［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ _3/2］（但
し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₃−で示される２価の有機基を表
す。）のユニットからなるシリコーンであることが確認
された。得られたシリコーンをシリコーン１として後述
の化粧料の実施例に用いた。

【０１２７】

【製造例２０】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例２の珪素化合物８９．６ｇ、製造例３の珪素化合
物４８．２ｇ、３−アミノプロピルトリメトキシシラン
０．８ｇおよびエチルアルコール／テトラヒドロフラン
混合溶媒（重量比で７／３）３００ｍｌを採り、混合溶
解した。攪拌を続けながらこの溶液に、水９．１ｇを前
述の混合溶媒１００ｍｌに溶解した溶液を添加した。添
加終了後、攪拌を続けながら２５℃で４時間放置した。
この混合溶液に製造例１３の珪素化合物３１．４ｇ、ト
リメチルメトキシシシラン３１．９ｇ、水１００．８
ｇ、前述の混合溶媒２００ｍｌ、濃塩酸２．８ｍｌから
なる溶液を添加し、攪拌をさらに続けながら２５℃で１
０時間放置した。反応終了後、系は二相に分離したの
で、デカンテーションにより溶媒相を除去し、さらに５
％炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗浄後、再びデカン
テーションにより水を除去し、８０℃で一昼夜乾燥して
重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この重縮合体
が［（ＣＦ₃ＣＨ₂）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、［Ｏ_3/2
ＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但し、Ｑ²は前記式（１ａ）で示
される２価の有機基を表す。）のユニット、［（Ｃ
Ｈ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット及び［Ｏ_3/2ＳｉＱ'²Ｓｉ
Ｏ_3/2］（但し、Ｑ'²は−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₃−で
示される２価の有機基を表す。）のユニットからなるシ
リコーンであることが確認された。得られたシリコーン
をシリコーン２として後述の化粧料の実施例に用いた。

【０１２８】

【製造例２１】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例４の珪素化合物４４．０ｇ、テトラメトキシシラ
ン２２．８ｇ、３−（４，５−ジヒドロイミダゾール）
プロピルトリエトキシシラン２．１ｇおよびイソプロピ
ルアルコール４００ｍｌを採り、混合溶解した。攪拌を
続けながらこの溶液に、水１０．１ｇをイソプロピルア
ルコール１００ｍｌに溶解した溶液を添加した。添加終
了後、攪拌を続けながら６０℃で２時間放置した。この
混合溶液に製造例１４の珪素化合物１０１．４ｇ、ヘキ
サエチルジシロキサン１１８．３ｇ、イソプロピルアル
コール２００ｍｌ、濃硝酸３．０ｍｌからなる溶液を添
加し、攪拌をさらに続けながら６０℃で１６時間放置し
た。反応終了後、系は二相に分離したので、デカンテー
ションにより溶媒相を除去し、さらに５％炭酸水素ナト
リウム溶液及び水で洗浄後、凍結乾燥により水を除去し
て重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この重縮合
体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅｝（ＣＨ₃）₂ＳｉＯ_1/2］のユ
ニット、［（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、［Ｓｉ
Ｏ₂］のユニット及び［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但
し、Ｑ²は前記式（２ａ）で示される２価の有機基を表
す。）のユニットからなるシリコーンであることが確認
された。得られたシリコーンをシリコーン３として後述
の化粧料の実施例に用いた。

【０１２９】

【製造例２２】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例５の珪素化合物７６．６ｇ、トリエチルアミン
０．４５ｇおよびエチルセロソルブ３００ｍｌを採り、
混合溶解した。攪拌を続けながらこの溶液に、水３．９
ｇをエチルセロソルブ１００ｍｌに溶解した溶液を添加
した。添加終了後、攪拌を続けながら５℃で２時間放置
した。この混合溶液に、製造例１５の珪素化合物１２
６．３ｇ、フェニルジメチルクロロシラン４１．０ｇ、
水４３．２ｇ、エチルセロソルブ１５０ｍｌ、濃硝酸
３．０ｍｌからなる溶液を添加し、攪拌をさらに続けな
がら２０℃で８時間放置した。反応終了後、系は二相に
分離したので、デカンテーションにより溶媒相を除去
し、さらに５％炭酸水素ナトリウム溶液、水で洗浄後再
びデカンテーションにより水を除去し、８０℃で一昼夜
乾燥して重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹
Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この
重縮合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃｝₂（Ｃ₂Ｈ₅）ＳｉＯ
_1/2］のユニット、［（Ｃ₆Ｈ₅）（ＣＨ₃）₂ＳｉＯ_1/2］
のユニット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₃Ｑ³］（但し、Ｑ³は前
記式（３ａ）で示される３価の有機基を表す。）のユニ
ットからなるシリコーンであることが確認された。得ら
れたシリコーンをシリコーン４として後述の化粧料の実
施例に用いた。

【０１３０】

【製造例２３】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例６の珪素化合物３２．２ｇ、テトラエトキシシラ
ン２．８ｇ、酢酸０．１８ｇおよびジメチルスルフォキ
シド２５０ｍｌを採り、混合溶解した。攪拌を続けなが
らこの溶液に、水５．５ｇをジメチルスルフォキシド５
０ｍｌに溶解した溶液を添加した。添加終了後、攪拌を
続けながら６０℃で６時間放置した。この混合溶液に、
製造例１４の珪素化合物１１．４ｇ、ヘキサプロピルジ
シロキサン４０．２ｇ、水１３．４ｇ、ジメチルスルフ
ォキシド１５０ｍｌ、クエン酸４．０ｇからなる溶液を
添加し、攪拌をさらに続けながら６０℃で１８時間放置
した。反応終了後、系は二相に分離したので、デカンテ
ーションにより溶媒相を除去し、さらに５％炭酸水素ナ
トリウム溶液及び水で洗浄後、凍結乾燥により水を除去
して重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−
ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この重縮
合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅｝（ＣＨ₃）₂ＳｉＯ_1/2］の
ユニット、［（Ｃ₃Ｈ₇）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、［Ｓ
ｉＯ₂］のユニット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₃Ｑ³］（但し、
Ｑ³は前記式（４ａ）で示される３価の有機基を表
す。）のユニットからなるシリコーンであることが確認
された。得られたシリコーンをシリコーン５として後述
の化粧料の実施例に用いた。

【０１３１】

【製造例２４】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例７の珪素化合物８８．５ｇ、テトラヒドロフラン
５００ｍｌを採り混合溶解した。攪拌を続けながらこの
溶液に、水１５．６ｇ及び濃アンモニア水１．５ｍｌを
テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した溶液を添加し
た。添加終了後、攪拌を続けながら１０℃で１時間放置
した。この混合溶液に製造例１７の珪素化合物２１９．
６ｇ、tert−ブチルジメチルクロロシラン３７．６ｇ、
水４５．Ｏｇ、テトラヒドロフラン３００ｍｌ、酢酸
５．０ｇからなる溶液を添加し、攪拌をさらに続けなが
ら１０℃で４時間放置した。反応終了後、系は二相に分
離したので、デカンテーションにより溶媒相を除去し、
さらに５％炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗浄後、再
びデカンテーションにより水を除去し、８０℃で一昼夜
乾燥して重縮合物を単離した。ＩＲ、 ¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹
Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この
重縮合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂｝₂（Ｃ
₂Ｈ₅）ＳｉＯ_1/2］のユニット、［｛（ＣＨ₃）₃Ｃ｝
｛ＣＨ₃｝₂ＳｉＯ_1/2］のユニット及び［（Ｏ₃／₂Ｓ
ｉ）₃Ｑ³］（但し、Ｑ³は前記式（５ａ）で示される３
価の有機基を表す。）のユニットからなるシリコーンで
あることが確認された。得られたシリコーンをシリコー
ン６として後述の化粧料の実施例に用いた。

【０１３２】

【製造例２５】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例８の珪素化合物１８．１ｇ、製造例３の珪素化合
物４．１ｇ、テトラメトキシシラン０．９ｇ、テトラヒ
ドロフラン３００ｍｌ及び３−アミノプロピルメトキシ
シラン０．６ｇを採り、混合溶解した。攪拌を続けなが
らこの溶液に、水６．０ｇをテトラヒドロフラン１００
ｍｌに溶解した溶液を添加した。添加終了後、攪拌を続
けながら２０℃で３時間放置した。この混合溶液に製造
例１３の珪素化合物５９．７ｇ、トリメチルメトキシシ
ラン１８．８ｇ、水５９．４ｇ、テトラヒドロフラン２
５０ｍｌ、濃塩酸３．０ｍｌからなる溶液を添加し、攪
拌をさらに続けながら２０℃で１２時間放置した。反応
終了後、系は二相に分離したので、デカンテーションに
より溶媒相を除去し、さらに５％炭酸水素ナトリウム溶
液及び水で洗浄後、再びデカンテーションにより水を除
去し、８０℃で一昼夜乾燥して重縮合物を単離した。Ｉ
Ｒ、 ¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定
を行ったところ、この重縮合体が［（ＣＦ₃ＣＨ₂）₃Ｓ
ｉＯ_1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニ
ット、［ＳｉＯ₂］のユニット、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ
_3/2］（但し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₃−で示さ
れる２価の有機基を表す。）のユニット及び［（Ｏ_3/2
Ｓｉ）₄Ｑ⁴］（但し、Ｑ⁴は前記式（６ａ）で示される
４価の有機基を表す。）のユニットからなるシリコーン
であることが確認された。得られたシリコーンをシリコ
ーン７として後述の化粧料の実施例に用いた。

【０１３３】

【製造例２６】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例９の珪素化合物９８．１ｇ、テトラエトキシシラ
ン１．７ｇ、イソプロピルアルコール／テトラヒドロフ
ラン混合溶媒（重量比７／３）７００ｍｌ及びモルフォ
リン２．１ｇを採り、混合溶解した。攪拌を続けながら
この溶液に、水３．１ｇを前述の混合溶媒１００ｍｌに
溶解した溶液を添加した。添加終了後、攪拌を続けなが
ら２０℃で４時間放置した。この混合溶液に製造例１６
の珪素化合物２２８．２ｇ、トリメチルクロロシラン４
１．７ｇ、水６４．８ｇ、前述の混合溶媒４００ｍｌ、
濃塩酸７．５ｍｌからなる溶液を添加し、攪拌をさらに
続けながら２０℃で１２時間放置した。反応終了後、系
は二相に分離したので、デカンテーションにより溶媒相
を除去し、さらに５％炭酸水素ナトリウム溶液及び水で
洗浄後、再びデカンテーションにより水を除去し、８０
℃で一昼夜乾燥して重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−
ＮＭＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったと
ころ、この重縮合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂｝₃ＳｉＯ
_1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニッ
ト、［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₄Ｑ⁴］（但し、Ｑ⁴は前記式（７
ａ）で示される４価の有機基を表す。）のユニット及び
［ＳｉＯ₂］のユニットからなるシリコーンであること
が確認された。得られたシリコーンをシリコーン８とし
て後述の化粧料の実施例に用いた。

【０１３４】

【製造例２７】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例１０の珪素化合物８２．４ｇ、アセトン４００ｍ
ｌを採り、混合溶解した。攪拌を続けながらこの溶液
に、水２１．６ｇをアセトン１００ｍｌに溶解した溶液
を添加した。添加終了後、攪拌を続けながら２０℃で１
時間放置した。この混合溶液に、製造例１７の珪素化合
物１１７．３ｇ、ヘキサメチルジシロキサン３２．５
ｇ、水３６．０ｇ、アセトン２００ｍｌ、濃塩酸７．０
ｍｌからなる溶液を添加し、攪拌をさらに続けながら２
０℃で４時間放置した。反応終了後、系は二相に分離し
たので、デカンテーションにより溶媒相を除去し、さら
に５％炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗浄後、再びデ
カンテーションにより水を除去し、８０℃で一昼夜乾燥
して重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−
ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところ、この重縮
合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂｝₂（Ｃ₂Ｈ₅）Ｓ
ｉＯ_1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニ
ット及び［（Ｏ_3/2Ｓｉ）₄Ｑ⁴］（但し、Ｑ⁴は前記式
（８ａ）で示される４価の有機基を表す。）のユニット
からなるシリコーンであることが確認された。得られた
シリコーンをシリコーン９として後述の化粧料の実施例
に用いた。

【０１３５】

【製造例２８】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例１の珪素化合物２４．９ｇ、製造例１２の珪素化
合物６１．９ｇ、テトラヒドロフラン２５０ｍｌを採り
混合溶解した。攪拌を続けながらこの溶液に、水１６．
２ｇをテトラヒドロフラン７０ｍｌに溶解した溶液を添
加した。添加終了後攪拌を続けながら２０℃で１時間放
置した。この混合溶液に製造例１７の珪素化合物１７
６．０ｇ、トリメチルクロロシラン９１．１ｇ、水２
４．３ｇ、テトラヒドロフラン１５０ｍｌ、濃塩酸３ｍ
ｌからなる溶液を添加し、攪拌をさらに続けながら２０
℃で８時間放置した。反応終了後水を少量加えると系は
二相に分離したので、デカンテーションにより溶媒相を
除去し、ロータリーエバポレーターで残存する揮発成分
を除去し、重縮合物を単離した。ＩＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、
¹Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行ったところこの
重縮合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（ＣＨ₂）₂｝₂｛Ｃ
₂Ｈ₅｝ＳｉＯ _1/2］のユニット、［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ
Ｏ_1/2］のユニット、［_3/2ＯＳｉＱ²ＳｉＯ _3/2］（但
し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₃−を表す。）のユニット及び［
_3/2ＯＳｉＱ²'ＳｉＯ_3/2］（但しＱ²'は、前記式（９
ａ）で示される２価の有機基を表す。）のユニットから
なるシリコーンであることが確認された。得られたシリ
コーンをシリコーン１０として後述の化粧料の実施例に
用いた。

【０１３６】

【製造例２９】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例３の珪素化合物３８．８ｇ、製造例１１の珪素化
合物１８．３ｇ、３−アミノプロピルチリメトキシシラ
ン１．１ｇ、エチルアルコール１００ｍｌを採り混合溶
解した。攪拌を続けながらこの溶液に、水８．２ｇをエ
チルアルコール４０ｍｌに溶解した溶液を添加した。添
加終了後攪拌を続けながら２０℃で２時間放置した。こ
の混合溶液に製造例１８の珪素化合物１５２．３ｇ、ト
リメチルメトキシシラン１８．８ｇ、水１２．２ｇ、エ
チルアルコール６０ｍｌ、濃塩酸１．５ｍｌからなる溶
液を添加し、攪拌をさらに続けながら２０℃で１６時間
放置した。反応終了後系は二相に分離したので、デカン
テーションにより溶媒相を除去し、５％炭酸水素ナトリ
ウム溶液および水で洗浄後、ロータリーエバポレーター
で残存する揮発成分を除去し、重縮合物を単離した。Ｉ
Ｒ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、¹Ｈ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定
を行ったところこの重縮合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）
₇（ＣＨ₂）₂｝｛Ｃ₂Ｈ₅｝₂ＳｉＯ _1/2］のユニット、
［（ＣＨ₃）₃ＳｉＯ_1/2］のユニット、［_3/2ＯＳｉＱ²
ＳｉＯ _3/2］（但し、Ｑ²は−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₃−
を表す。）のユニット及び［_3/ ₂ＯＳｉＱ²'ＳｉＯ_3/2］
（但しＱ²'は、前記式（９ａ）で示される２価の有機基
を表す。）のユニットからなるシリコーンであることが
確認された。得られたシリコーンをシリコーン１１とし
て後述の化粧料の実施例に用いた。

【０１３７】

【製造例３０】冷却器、攪拌装置付き三つ口フラスコに
製造例２の珪素化合物５７．５ｇ、製造例１１の珪素化
合物１４．７ｇ、テトラメトキシシラン４．６ｇ、３−
アミノプロピルチリメトキシシラン０．３ｇ、エチルア
ルコール／テトラヒドロフラン混合溶媒（重量比で７／
３）２００ｍｌを採り混合溶解した。攪拌を続けながら
この溶液に、水１５．０ｇを前記の混合溶媒５０ｍｌに
溶解した溶液を添加した。添加終了後攪拌を続けながら
２０℃で２時間放置した。この混合溶液に製造例１４の
珪素化合物２２８．１ｇ、ヘキサエチルジシロキサン４
４．４ｇ、水２０．０ｇ、前記の混合溶媒１００ｍｌ、
濃硝酸２．５ｍｌからなる溶液を添加し、攪拌をさらに
続けながら２０℃で１２時間放置した。反応終了後少量
の水の添加で系は二相に分離したので、デカンテーショ
ンにより溶媒相を除去し、５％炭酸水素ナトリウム溶液
および水で洗浄後、ロータリーエバポレーターで残存す
る揮発成分を除去し、重縮合物を単離した。ＩＲ、¹Ｈ
−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ測定を行った
ところ、この重縮合体が［｛ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅｝｛Ｃ
Ｈ₃｝₂ＳｉＯ_1/2］のユニット、［（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＯ
_1/2］のユニット、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²ＳｉＯ_3/2］（但しＱ
²は、前記式（１ａ）で示される２価の有機基を表
す。）のユニット、［Ｏ_3/2ＳｉＱ²'ＳｉＯ_3/2］（但し
Ｑ²'は、前記式（９ａ）で示される２価の有機基を表
す。）のユニット及び［ＳｉＯ₂］のユニットからなる
シリコーンであることが確認された。得られたシリコー
ンをシリコーン１２として後述の化粧料の実施例に用い
た。

【０１３８】次に、上記各製造例で得られたシリコーン
１〜１２で表面に被膜処理された本発明のシリコーン処
理粉体の実施例について説明する。尚、以下に示す配合
量は全て重量部である。

【０１３９】

【実施例１〜５】シリコーン処理粉体表１に示す処方成分をボールミル中に秤込み、７２時間
粉砕しながらメカノケミカルコーティングして本発明の
シリコーン処理粉体及び上記製造例で得られたシリコー
ンの代わりにポリヒドロキシメチルシロキサンを用いた
比較例のシリコーン処理粉体を得た。

【０１４０】

【表１】

【０１４１】

【実施例６〜１０】シリコーン処理粉体表２に示す処方成分をニーダーに秤込み、よく混練り
し、減圧下溶媒を除去して本発明のシリコーン処理粉体
及び上記製造例で得られたシリコーンの代わりにポリヒ
ドロキシメチルシロキサンを用いた比較例のシリコーン
処理粉体を得た。

【０１４２】

【表２】

【０１４３】

【実施例１１】シリコーン処理粉体黒酸化鉄７０重量部、カーボンブラック５重量部、紺青
５重量部、シリコーン１１を２０重量部、揮発性環状シ
リコーン３０重量部をニーダーでよく混練りし、溶剤を
除去して本発明のシリコーン処理粉体を得た。

【０１４４】

【実施例１２】シリコーン処理粉体赤色２０２号２５重量部、赤色２０４号２５重量部、黄
色４号アルミニウムレーキ３０重量部、シリコーン１２
を２０重量部、揮発性環状シリコーン３０重量部をニー
ダーでよく混練りし、溶剤を除去し本発明のシリコーン
処理粉体を得た。

【０１４５】＜本発明のシリコーン処理粉体の評価＞上
記各実施例で得られた本発明のシリコーン処理粉体につ
いて、撥水性及び被膜除去性を評価するために、以下の
試験を行った。

【０１４６】（１）撥水性試験上記各実施例及び比較例で得られたシリコーン処理粉体
を水の中に入れ強制撹拌し、放置したときの粉体の沈降
の度合いから、撥水性を評価した。結果は、比較例で得
られたシリコーン処理粉体が水中に沈降し撥水性が十分
でないのに比べ、実施例で得られたシリコーン処理粉体
はいずれも水面に浮いており撥水性に優れることが確認
された。

【０１４７】（２）シリコーン被膜除去試験上記で得られた本発明のシリコーン処理粉体１に粉体の
２０倍量のベンゼンを加え、３時間加熱還流し濾過して
粉体を回収した。回収した粉体について赤外分光分析で
確認したところ、アルキル基の吸収を殆ど認めなかっ
た。この結果から粉体の表面処理に用いたシリコーンが
除去できたことがわかる。

【０１４８】次に、上記各実施例又は比較例で得られた
シリコーン処理粉体を配合した化粧料を製造した。尚、
以下に示す配合量は全て重量部である。

【０１４９】

【実施例１３】ファンデーション表３に示す処方成分をヘンシェルミキサーに秤込み撹拌
混合し、更に１ｍｍヘリングボーンを装着したパルベラ
イザーで粉砕し、金型に充填し加圧成型して２種類のフ
ァンデーションを得た。１つは上記本発明のシリコーン
処理粉体を配合した本発明のファンデーションであり、
もう１つは比較例のシリコーン処理粉体を配合したファ
ンデーションであった。

【０１５０】

【表３】

【０１５１】

【実施例１４】アンダーメークアップ表４に示すＡ成分、Ｂ成分、Ｄ成分、Ｅ成分をそれぞれ
８０℃に加熱した後、まず、Ａ成分とＢ成分を混合しこ
れをよく混練りした。これにＤ成分を加え、次にＣ成分
を加えて分散させた。最後にＥ成分を徐々に加え乳化し
撹拌冷却してアンダーメークアップを得た。

【０１５２】

【表４】

【０１５３】

【実施例１５】マスカラ表５に示すＡ成分、Ｂ成分、Ｄ成分、Ｅ成分をそれぞれ
８０℃に加熱した後、まず、Ａ成分とＢ成分を混合しこ
れをよく混練りした。これにＤ成分を加え、次にＣ成分
を加えて分散させた。最後にＥ成分を徐々に加え乳化し
撹拌冷却してマスカラを得た。

【０１５４】

【表５】

【０１５５】

【実施例１６】リップカラー表６に示す処方成分を８０℃で加熱溶解分散させた後、
これをホットロールにかけた。これを再度９０℃まで加
温し、金型に流し込み容器に装着させてリップカラーを
得た。尚、製造過程において、粉体が分離するような好
ましくない現象は全く見られなかった。

【０１５６】

【表６】

【０１５７】＜本発明の化粧料の評価＞上記各実施例で
得られた本発明のシリコーン処理粉体配合の各化粧料に
ついて、官能評価及び付着性、撥水性等の評価を行っ
た。

【０１５８】（１）ファンデーションの評価上記で得られた実施例１３のファンデーションと比較例
５のファンデーションについて、専門パネラー５名が化
粧効果の比較を行った。評価項目は、密着性、化粧持
ち、仕上がりの自然さ、化粧映えの４項目であり、評価
基準は、良いを５点、やや良いを４点、普通を３点、や
や悪いを２点、悪いを１点とする５段階評価であった。
パネラー５名のつけた評点の平均を表７に示す。

【０１５９】

【表７】

【０１６０】この結果より、従来のシリコーン処理粉体
を含有する比較例のファンデーションに比べ、本発明の
シリコーン処理粉体を含有するファンデーションが密着
性、化粧持ち、仕上がりの自然さ、化粧映えの何れの評
価項目においても優れた官能を有することがわかる。

【０１６１】（２）アンダーメークアップの評価上記で得られた実施例１４のアンダーメークアップにつ
いて専門パネラー５名が化粧効果を上記ファンデーショ
ンと同様にして評価した。この結果、本発明のアンダー
メークアップは、メークアップ料の艶、仕上がりの自然
さを保ち、メークアップ料の化粧持ちをよくする作用に
優れることがわかった。

【０１６２】（３）マスカラの評価上記で得られた実施例１５のマスカラについて専門パネ
ラー５名が化粧効果を上記ファンデーションと同様にし
て評価した。この結果、本発明のマスカラは、優れた付
着性と撥水性を備えており、化粧効果の維持時間が長か
いことがわかった。

【０１６３】（４）リップカラーの評価上記で得られた実施例１６のリップカラーについて専門
パネラー５名が化粧効果を上記ファンデーションと同様
にして評価した。この結果、本発明のリップカラーは、
化粧持ちがよく、また、光に対する色の安定性も優れる
ことが確認された。

【０１６４】これらの結果を総合的に評価すると、本発
明のシリコーン処理粉体を配合した化粧料は、従来のシ
リコーン処理粉体を含有する化粧料に比べ、撥水性、安
定性、密着性、化粧持ちに優れると共に、仕上がりの自
然さや化粧映えの効果に優れることがわかる。

【０１６５】

【発明の効果】本発明のシリコーン処理粉体は、表面に
形成されたシリコーン被膜の作用で、優れた撥水性を有
すると共に、このシリコーン被膜を特定条件下でのみ脱
離可能であるという特徴を有する。また、前記シリコー
ン処理粉体を含有する本発明のペイント組成物並びに化
粧料は、撥水性、安定性に優れ、更に特定条件下で被着
物より容易に分離可能である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコーンで表面処理されたシリコーン
処理粉体であって、前記シリコーンが、一般式（I）：Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_n （但し、Ｑⁿはｎ価の有機基を表し、またｎは２〜６の
整数のいずれか１つを表す。）で示されるユニットの少
なくとも１種を主構成ユニットとし、末端が式（II）：（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ¹は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部がフッ
素原子で置換された炭化水素基を表し、且つ三つのＲ¹
の内、少なくとも一つは前記フッ素置換炭化水素基でな
ければならない。）で示されるユニット又は式（II
I）：（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ²は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部が塩素
原子又は臭素原子で置換された炭化水素基を表す。）で
示されるユニットで封鎖され、封鎖末端に式（II）で示
されるユニット及び式（III）で示されるユニットをそ
れぞれ少なくとも１つ有するシリコーンであるシリコー
ン処理粉体。
【請求項２】前記シリコーンが、主構成ユニットとし
て更にＳｉＯ₂ユニットを、Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_nで表され
るユニットに対してモル比３／２以下で含むシリコーン
である請求項１記載のシリコーン処理粉体。
【請求項３】前記シリコーンにおける一般式（Ｉ）の
ｎが２、３、４の何れかである請求項１記載のシリコー
ン処理粉体。
【請求項４】前記シリコーンにおける一般式（I）の
Ｑⁿが、１）アルキレン基；２）ポリメチレン基；３）
フェニレン基；４）アリーレン基；５）前記１）〜４）
の基の水素原子が更にアルキル基、フェニル基、アリー
ル基、アルキレン基、ポリメチレン基、フェニレン基及
びアリーレン基よりなる群の少なくとも１種で置換され
た基；６）前記１）〜４）の基の構造中にエーテル、チ
オエーテル、エステル、ケトン、アミド、イミド、アミ
ン及びイミンよりなる群の少なくとも１種の官能基を含
んだ基；及び７）前記１）〜６）の基の水素原子が塩素
原子又は臭素原子で置換された基；よりなる群の１種で
ある請求項１記載のシリコーン処理粉体。
【請求項５】前記シリコーンにおける主構成ユニット
が、一般式（I）にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミドを
含む２価の有機基を導入したユニットを含むことを特徴
とする請求項１記載のシリコーン処理粉体。
【請求項６】前記シリコーンにおける主構成ユニット
が、一般式（I）にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミドを
含む２価の有機基を導入したユニット及び一般式（I）
にＱⁿとしてジカルボン酸のジアミドを含む２価の有機
基以外の２価の有機基を導入したユニットからなること
を特徴とする請求項１記載のシリコーン処理粉体。
【請求項７】前記シリコーンにおける一般式（II）の
Ｒ¹が、アルキル基、フェニル基、アリール基及びこれ
らの基の水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換
された基よりなる群の１種である請求項１記載のシリコ
ーン処理粉体。
【請求項８】前記シリコーンにおける一般式（III）
のＲ²が、アルキル基、フェニル基、アリール基及びこ
れらの基の水素原子の少なくとも一部が塩素原子又は臭
素原子で置換された基よりなる群の１種である請求項１
記載のシリコーン処理粉体。
【請求項９】請求項１〜８の何れか一項に記載のシリ
コーン処理粉体において、シリコーンと粉体の組成重量
比が１：９９〜５０：５０であるシリコーン処理粉体。
【請求項１０】前記シリコーンによる粉体の表面処理
が、メカノケミカル法で行われることを特徴とする請求
項１〜９の何れか一項に記載のシリコーン処理粉体。
【請求項１１】前記シリコーンによる粉体の表面処理
が、焼き付け法で行われることを特徴とする請求項１〜
９の何れか一項に記載のシリコーン処理粉体。
【請求項１２】一般式（I）：Ｑⁿ（ＳｉＯ_3/2）_n （但し、Ｑⁿはｎ価の有機基を表し、またｎは２〜６の
整数のいずれか１つを表す。）で示されるユニットの少
なくとも１種を主構成ユニットとし、末端が式（II）：（Ｒ¹）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ¹は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部がフッ
素原子で置換された炭化水素基を表し、且つ三つのＲ¹
の内、少なくとも一つは前記フッ素置換炭化水素基でな
ければならない。）で示されるユニット又は式（II
I）：（Ｒ²）₃ＳｉＯ_1/2 （但し、Ｒ²は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、炭化水素基、又は水素原子の少なくとも一部が塩素
原子又は臭素原子で置換された炭化水素基を表す。）で
示されるユニットで封鎖され、封鎖末端に式（II）で示
されるユニット及び式（III）で示されるユニットをそ
れぞれ少なくとも１つ有するシリコーンをこれと相溶性
のある有機溶媒に溶解し、得られた溶液に粉体を浸漬し
た後、この粉体を溶液より引き上げ、有機溶剤を乾燥す
ることで前記粉体表面に前記シリコーンによる被膜を形
成させることを特徴とする請求項１記載のシリコーン処
理粉体の製造方法。
【請求項１３】請求項１〜１１の何れか一項に記載の
シリコーン処理粉体を含有するペイント組成物。
【請求項１４】請求項１〜１１の何れか一項に記載の
シリコーン処理粉体を含有する化粧料。