JPH0952879A - 縮合インダン化合物及びその塩 - Google Patents

縮合インダン化合物及びその塩

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JPH0952879A
JPH0952879A JP7202631A JP20263195A JPH0952879A JP H0952879 A JPH0952879 A JP H0952879A JP 7202631 A JP7202631 A JP 7202631A JP 20263195 A JP20263195 A JP 20263195A JP H0952879 A JPH0952879 A JP H0952879A
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真治 岡崎
Tetsuji Asao
哲次 浅尾
Keisuke Ishida
啓介 石田
Masato Washisu
真人 鷲巣
Teruhiro Utsuki
照洋 宇津木
Yuji Yamada
雄次 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】抗腫瘍剤を提供する。 【解決手段】一般式(1) 【化1】 (式中、A環は置換基を有していてもよいベンゼン環又
は低級アルキレンジオキシ基を有するベンゼン環を示
し、B環は下記(a)〜(c)で表されるいずれかの環
を示す。 【化2】 (Rは−NR12基、又は置換基を有していてもよい含
窒素複素環基を示す。ここでR1及びR2は同一又は相異
なってフェニル基;置換基を有していてもよい含窒素複
素環基;又は置換されていてもよいアミノ基、低級アル
コキシ基、フェニル基、含窒素複素環基もしくは水酸基
で置換されていてもよい低級アルキル基を示す。R’は
水素原子;置換基を有していてもよい含窒素複素環基;
又は置換されていてもよいアミノ基、低級アルコキシ
基、フェニル基、含窒素複素環基もしくは水酸基で置換
されていてもよい低級アルキル基を示す。)で表される
縮合インダン化合物及びその塩。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な縮合インダン
化合物及びその塩に関する。本発明の化合物は優れた抗
腫瘍活性を有し、抗腫瘍剤として有用である。
【0002】
【従来の技術】従来、本発明化合物と同様な骨格を有す
る11H−インデノ〔1,2−b〕キノリン−11−オ
ン誘導体としては、例えばJ.Heterocycli
c Chem., 1133−5(1972)、Z
h.Org.Khim.,18640−52(198
2)等に記載された化合物が知られているが、本発明化
合物のB環における置換基が異なり、更に抗腫瘍作用に
ついては何等記載もないばかりか、薬理作用に関する記
載も全くない。本願化合物の10位に置換基を有する化
合物として、Pol.J.Chem.,55 121−
128(1981)、Pol.J.Pharmaco
l.Pharm.,35 327−332(198
3)、同誌,35 523−530(1983)、同
誌,38 221−227(1986)に記載された化
合物が知られている。具体的には、これら文献中には1
0位に置換基を有してもよい低級アルキルアミノ基、フ
ェニルアミノ基等が置換した化合物が記載されてはいる
が、その薬理作用は抗炎症作用並びに鎮痛作用であり、
抗腫瘍作用については何等報告も記載もない。従って、
本発明の縮合インダン化合物が抗腫瘍作用を有すること
は未だ知られていなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は優れた
抗腫瘍活性を有し、腫瘍の治療薬として有用な化合物を
提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を重ねた結果、縮合インダン化合物が優れた抗腫瘍作用
を示し、抗腫瘍剤として有用なものであることを見いだ
し、本発明を完成した。
【0005】すなわち本発明は、下記一般式(1)
【0006】
【化3】
【0007】(式中、A環は置換基を有していてもよい
ベンゼン環又は低級アルキレンジオキシ基を有するベン
ゼン環を示し、B環は下記(a)〜(c)で表されるい
ずれかの環を示す。
【0008】
【化4】
【0009】(Rは−NR12基、又は置換基を有して
いてもよい含窒素複素環基を示す。ここでR1及びR2
同一又は相異なってフェニル基;置換基を有していても
よい含窒素複素環基;又は置換されていてもよいアミノ
基、低級アルコキシ基、フェニル基、含窒素複素環基も
しくは水酸基で置換されていてもよい低級アルキル基を
示す。R’は水素原子;置換基を有していてもよい含窒
素複素環基;又は置換されていてもよいアミノ基、低級
アルコキシ基、フェニル基、含窒素複素環基もしくは水
酸基で置換されていてもよい低級アルキル基を示す。)
で表される縮合インダン化合物及びその塩に係る。
【0010】上記一般式(1)中、R1、R2及びR’で
定義される各基及びその他の本明細書に記載の各基は、
より具体的にはそれぞれ次の通りである。
【0011】A環で示されるベンゼン環が有する置換基
としては、例えばハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、低級アシ
ルオキシ基、ベンジルオキシ基、低級アシルアミノ基、
シアノ基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基等が挙げられ、好ましくはハロゲン原子が挙げられ
る。
【0012】かかる置換基はA環のいずれの位置に置換
してもよくかつ1〜4個置換してもよいが、中でも好ま
しい位置としては2位及び/又は3位である。又、好ま
しい置換基の数は0〜2個である。
【0013】なお、インデノ〔1,2−b〕キノリン環
の構造及びその置換位置は、下記表1に示される。
【0014】低級アルキレンジオキシ基としては、例え
ばメチレンジオキシ、エチレンジオキシ、トリメチレン
ジオキシ、テトラメチレンジオキシ基の炭素数1〜4の
アルキレンジオキシ基が挙げられる。かかる置換基の位
置は、インデノ〔1,2−b〕キノリン環の1,2−置
換体又は2,3−置換体であるのが好ましい。
【0015】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0016】低級アルキル基としては、例えばメチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ
ソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチ
ル、へキシル基等の炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状の
アルキル基が挙げられる。
【0017】低級アルコキシ基としては、例えばメトキ
シ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−
ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert
−ブトキシ、ペンチルオキシ、へキシルオキシ基等の炭
素数1〜6の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基が挙げら
れる。
【0018】低級アシルオキシ基としては、例えばホル
ミルオキシ、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリ
ルオキシ、2−メチルプロピオニルオキシ、ピバロイル
オキシ、ペンタノイルオキシ、3−メチルブチリルオキ
シ、へキサノイルオキシ基等の炭素数1〜6の直鎖状又
は分枝状のアシルオキシ基が挙げられる。
【0019】低級アシルアミノ基としては、例えばホル
ミルアミノ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブ
チリルアミノ、2−メチルプロピオニルアミノ、ピバロ
イルアミノ、ペンタノイルアミノ、3−メチルブチリル
アミノ、へキサノイルアミノ基等の炭素数1〜6の直鎖
状又は分枝状のアシルアミノ基が挙げられる。
【0020】低級アルコキシカルボニル基としては、例
えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−プ
ロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、n−
ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、sec
−ブトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニ
ル、ペンチルオキシカルボニル、へキシルオキシカルボ
ニル基等の炭素数2〜7の直鎖状又は分枝状のアルコキ
シカルボニル基が挙げられる。
【0021】R、R1、R2及びR’で示される含窒素複
素環基が有する置換基としては、例えば低級アルキル
基、水酸基を有する低級アルキル基、フェニル基、含窒
素複素環基等が挙げられ、好ましくは含窒素複素環基、
特に好ましくはピペラジノ基が挙げられる。
【0022】R1、R2及びR’で示される「置換されて
いてもよいアミノ基」の置換基としては、例えば低級ア
ルキル基、低級シクロアルキル基、ジ低級アルキルアミ
ノアルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、ベンジルオ
キシカルボニル基、低級アシル基等が挙げられ、好まし
くは低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノアルキル基
が挙げられ、モノ置換又はジ置換のいずれでもよい。
【0023】置換アミノ基を有する低級アルキル基とし
ては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチ
ル、メチルアミノエチル、エチルアミノエチル、ジメチ
ルアミノメチル、ジメチルアミノエチル、ジメチルアミ
ノプロピル、ジエチルアミノメチル、ジエチルアミノエ
チル、ジエチルアミノプロピル、ジエチルアミノブチ
ル、ジエチルアミノペンタ−2−イル、ジプロピルアミ
ノエチル、ジブチルアミノエチル、ジブチルアミノヘキ
シル基等のアルキル部分がいずれも炭素数1〜6である
モノ又はジアルキルアミノアルキル基、N−ジメチルア
ミノエチル−N−メチルアミノエチル基、アセチルアミ
ノエチル、アセチルアミノプロピル、プロピオニルアミ
ノエチル、プロピオニルアミノプロピル、ピバロイルア
ミノエチル、ピバロイルアミノプロピル基等の炭素数2
〜6のアシルアミノ基が置換したアルキル基、シクロプ
ロピルアミノメチル、シクロペンチルアミノメチル、シ
クロペンチルアミノエチル、シクロヘキシルアミノメチ
ル、シクロヘキシルアミノエチル基等の炭素数3〜6の
シクロアルキルアミノ基が置換したアルキル基、ヒドロ
キシメチルアミノメチル、2−ヒドロキシエチルアミノ
メチル、3−ヒドロキシプロピルアミノメチル、ヒドロ
キシメチルアミノエチル、2−ヒドロキシエチルアミノ
エチル、3−ヒドロキシプロピルアミノエチル、4−ヒ
ドロキシブチルアミノエチル基等の炭素数1〜4のヒド
ロキシアルキルアミノ基が置換したアルキル基、ベンジ
ルオキシカルボニルアミノメチル、ベンジルオキシカル
ボニルアミノエチル、N−ベンジルオキシカルボニル−
N−メチルアミノエチル基等のベンジルオキシカルボニ
ルアミノ基が置換したアルキル基等が挙げられる。
【0024】低級アルコキシ基を有する低級アルキル基
としては、例えばメトキシメチル、エトキシメチル、プ
ロポキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、メ
トキシプロピル基等の炭素数1〜6のアルコキシ基が置
換した炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基が
挙げられる。
【0025】フェニル基を有する低級アルキル基として
は、例えばベンジル、フェネチル、2−フェネチル、フ
ェニルプロピル、ベンズヒドリル、トリチル基等のフェ
ニル基を1〜3個含む炭素数1〜4の直鎖状又は分枝状
のアルキル基が挙げられる。
【0026】R、R1、R2及びR’で示される含窒素複
素環基としては、窒素原子を1〜4個有し、酸素原子又
は硫黄原子を0又は1個有する5乃至6員の単環式複素
環基が好ましく、例えばピロリル、オキサゾリル、チア
ゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、ピラゾリ
ル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリ
ル、トリアゾリル、オキサトリアゾリル、チアトリアゾ
リル、テトラゾリル、ピリジル、ピリダジニル、ピリミ
ジニル、ピラジニル、ピロリジニル、ピロリニル、イミ
ダゾリジニル、イミダゾリニル、ピラゾリジニル、ビラ
ゾリニル、ピペリジル、ピペリジノ、ピペラジニル、モ
ルホリニル、モルホリノ基等が挙げられ、好ましくは窒
素原子を1〜3個、酸素原子を0又は1個有する5乃至
6員の単環式複素環基であり、特にピリジル、ピロリジ
ニル、ピペリジル、ピペリジノ、ピペラジニル、モルホ
リニル、モルホリノ基が、更に好ましくはピペリジノ、
ピペラジニル基が挙げられる。
【0027】置換基を有する含窒素複素環基としては、
例えば4−メチルピペラジニル、4−エチルピペラジニ
ル、4−フェニルピペラジニル、4−ヒドロキシエチル
ピペラジニル、4−メチルピペリジノ、4−エチルピペ
リジノ、4−ピペリジノピペリジノ基等が挙げられ、好
ましくは4−フェニルピペラジニル、4−ヒドロキシエ
チルピペラジニル、4−ピペリジノピペリジノ基等が挙
げられる。
【0028】R1、R2及びR’で示される含窒素複素環
基を有する低級アルキル基としては、例えば2−ピリジ
ルメチル、3−ピリジルメチル、4−ピリジルメチル、
2−ピリジルエチル、3−ピリジルエチル、4−ピリジ
ルエチル、ピロリジニルメチル、ピロリジニルエチル、
ピペリジノメチル、ピペリジノエチル、ピペラジニルメ
チル、ピペラジニルエチル、モルホリノメチル、モルホ
リノエチル基等の含窒素複素環基を含む炭素数1〜6の
直鎖状又は分枝状のアルキル基が挙げられ、好ましくは
ピロリジニルメチル、ピロリジニルエチル基が挙げられ
る。
【0029】水酸基を有する低級アルキル基としては、
例えばヒドロキシメチル、1−ヒドロキシエチル、2−
ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、3−ヒド
ロキシプロピル、2,3−ジヒドロキシプロピル、4−
ヒドロキシブチル、2,3−ジヒドロキシブチル、5−
ヒドロキシペンチル、2,3−ジヒドロキシペンチル、
6−ヒドロキシヘキシル、2,3−ジヒドロキシヘキシ
ル基等の水酸基を1個又は2個含む炭素数1〜6の直鎖
状又は分枝状のアルキル基が挙げられる。
【0030】本発明化合物の塩としては、薬学的に許容
される塩であれば特に制限はなく、例えばギ酸、酢酸、
プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、酒石酸、リンゴ酸、
マレイン酸、フマル酸、コハク酸、シュウ酸、メタンス
ルホン酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸、塩酸、
臭化水素酸、硫酸、リン酸等の無機酸等との塩が挙げら
れる。
【0031】上記一般式(1)の化合物において、A環
が無置換又は1〜2個のハロゲン原子で置換されたベン
ゼン環、低級アルキレンジオキシ基を有するベンゼン環
であるのが好ましく、無置換ベンゼン環であるのがより
好ましい。
【0032】B環は、(a)で表される環であるのが好
ましい。
【0033】Rは−NR12基、低級アルキル基で置換
されたピペラジニル基であるのが好ましく、−NR12
基であるのがより好ましい。
【0034】R1及びR2は同一又は相異なって水素原子
又はジ低級アルキル置換アミノ基もしくは含窒素複素環
基で置換されていてもよい低級アルキル基であるのが好
ましく、水素原子又はジ低級アルキル置換アミノ基で置
換された低級アルキル基であるのがより好ましく、特に
1がジメチルアミノ基で置換された低級アルキル基
で、R2が水素原子であるのが好ましい。
【0035】本発明の好ましい化合物は、一般式(1)
においてA環が無置換又は1〜2個のハロゲン原子で置
換されたベンゼン環、低級アルキレンジオキシ基を有す
るベンゼン環、B環が(a)で表される環、Rが−NR
12基(ここでR1及びR2は同一又は相異なって水素原
子又はジ低級アルキル置換アミノ基もしくは含窒素複素
環基で置換されていてもよい低級アルキル基である)、
低級アルキル基で置換されたピペラジニル基である化合
物である。
【0036】又さらに好ましい化合物は、一般式(1)
においてA環が無置換ベンゼン環、B環が(a)で表さ
れる環、Rが−NR12基(ここでR1及びR2は同一又
は相異なって水素原子又はジ低級アルキル置換アミノ基
で置換された低級アルキル基であり、特にR1がジメチ
ルアミノ基で置換された低級アルキル基で、R2が水素
原子である)である化合物である。
【0037】一般式(1)で表される本発明化合物は、
例えば下記反応工程式1に従い製造することができる。
【0038】<反応工程式1>
【0039】
【化5】
【0040】(式中、A環、B環は前記に同じ。B’環
は下記(a’)又は(b’)で表される環を示す。)
【0041】
【化6】
【0042】〔A工程〕一般式(2)で表されるヒドロ
キシ−11H−インデノ〔1,2−b〕キノリン−11
−オン誘導体とRHで表されるアミン(NH(R1
(R2)もしくは置換基を有してもよい含窒素複素環化
合物)又はNH2R’で表されるアミンとホルムアルデ
ヒドを適当な溶媒中でマンニッヒ反応を行うことにより
一般式(1)で表される本発明化合物を得ることができ
る。
【0043】溶媒としては例えばメタノール、エタノー
ル等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、アセトニトリル、水等が例示でき、これ
らを単独で又は2種以上混合して使用してもよい。
【0044】反応の割合は一般式(2)の化合物に対
し、アミンを0.1〜10倍モル量、好ましくは1.0
〜1.5倍モル量使用するのがよく、ホルムアルデヒド
を0.1〜20倍モル量、好ましくは1.0〜3.0倍
モル量使用するのがよい。反応温度は0〜100℃、好
ましくは10〜50℃であり、反応時間は0.1〜10
0時間、好ましくは1〜50時間で反応は有利に進行す
る。
【0045】反応工程式1で得た一般式(1)の化合物
中、A環に低級アルコキシ基又はべンジルオキシ基を置
換基として有する場合は、必要によりこれを例えば無溶
媒あるいは適当な溶媒中で臭化水素酸、ヨウ化水素酸、
塩酸、硫酸等と反応させることにより、水酸基に変換す
ることもできる。溶媒としては例えば酢酸、水等が例示
でき、これらを単独で又は2種以上混合して使用しても
よい。反応の割合は低級アルコキシ基又はベンジルオキ
シ基に対し、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩酸、硫酸等
を1〜1000倍量(v/w)、好ましくは5〜100
倍量(v/w)使用するのがよい。反応温度は0〜20
0℃、好ましくは50〜150℃であり、反応時間は
0.1〜100時間、好ましくは0.5〜60時間で反
応は有利に進行する。
【0046】反応工程式1で得た一般式(1)の化合物
中、A環に水酸基を置換基として有する場合は、必要に
よりこれをアルキル化、ベンジル化又はアシル化するこ
とにより、それぞれアルコキシ基、ベンジルオキシ基又
はアシルオキシ基に変換することもできる。アルキル化
反応又はベンジル化反応は適当な溶媒中、塩基の存在
下、アルキル化剤又はベンジル化剤と反応させることに
より行われる。溶媒としては例えばジメトキシエタン、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、アセトン等が例示できる。塩基としては例えば炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム等が例示で
きる。アルキル化剤としては例えば置換基を有していて
もよいアルカンのハライド、硫酸エステル又はスルホン
酸エステル等が、ベンジル化剤としてはベンジルハライ
ド等が例示できる。反応の割合は水酸基に対し、塩基を
1〜5倍モル量、アルキル化剤又はベンジル化剤を1〜
5倍モル量使用するのがよい。反応温度は0〜80℃で
あり、反応時間は0.1〜24時間、好ましくは0.5
〜10時間で反応は有利に進行する。
【0047】アシル化反応は所望のカルボン酸又はその
反応性誘導体を反応させることにより行われる。反応性
誘導体を用いる場合、本反応はその種類、原料フェノー
ル性誘導体の種類によって異なるが、適当な溶媒中で行
われ、反応促進のため適宜の塩基を加えることもでき
る。かかる反応性誘導体としては例えば酸無水物、混合
酸無水物、酸ハライド等が挙げられる。溶媒としては例
えばクロロホルム、ジクロロメタン、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ピリジン等が
例示できる。塩基としては例えば炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウム、トリエチルアミン、ピリジン、4−
ジメチルアミノピリジン等が例示できる。反応の割合は
水酸基に対し、塩基を1〜5倍モル量、アシル化剤を1
〜5倍モル量使用するのがよい。反応温度は0〜50℃
であり、反応時間は0.1〜24時間、好ましくは0.
5〜3時間で反応は有利に進行する。
【0048】又、上記反応により得られた本発明化合物
はこれを適当な溶媒中、前記有機酸又は無機酸と反応さ
せる等の従来公知の方法により、塩の形態とすることが
できる。溶媒としては例えば水、メタノール、エタノー
ル、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン等が例示でき
る。反応温度は0〜50℃で行われるのがよい。
【0049】反応工程式1で原料として用いられる一般
式(2)で表されるヒドロキシ−11H−インデノ
〔1,2−b〕キノリン−11−オン誘導体は例えば
J.Heterocyclic Chem.,28
245−55(1991)に記戟の方法により製造しう
るが、例えばJ.Heterocyclic Che
m., 1133−5(1972)に記載の方法及び
下記反応工程式2に従い製造することもできる。
【0050】<反応工程式2>
【0051】
【化7】
【0052】(式中、A環、B環及びB’環は前記に同
し。B''環は下記(a'')又は(b'')で表される環を
示し、Zは水素原子、メチル基又はべンジル基を示
す。)
【0053】
【化8】
【0054】〔B工程〕一般式(3)と一般式(4)で
表される化合物を通常適当な溶媒中、酸あるいは塩基性
の化合物を添加して縮合することにより一般式(5)で
表される化合物が製造される。
【0055】溶媒としては反応に関与しないものであれ
ば特に制限はなく、例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール等のアルコール類、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエーテル類、トルエン、ベンゼン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、水等が例示で
き、これらを単独で又は2種以上混合して使用してもよ
い。酸としては例えば無水酢酸、酢酸、硫酸、塩酸、臭
化水素酸、p−トルエンスルホン酸、ポリリン酸等が例
示でき、塩基性化合物としては例えばピペリジン、ピロ
リジン、トリエチルアミン、酢酸ナトリウム、t−ブト
キシカリウム等が例示できる。
【0056】反応の割合は一般式(3)の化合物に対
し、一般式(4)の化合物を0.1〜10倍モル量、好
ましくは0.5〜2倍モル量使用するのがよく、酸ある
いは塩基性化合物を0.01〜10倍モル量、好ましく
は0.01〜1倍モル量使用するのがよい。反応温度は
0〜200℃、好ましくは0〜150℃であり、反応時
間は0.1〜100時間、好ましくは0.5〜50時間
で反応は有利に進行する。
【0057】〔C工程〕B工程で得られた一般式(5)
で表される化合物を適当な溶媒中、還元・環化すること
により一般式(2)あるいは(6)で表される化合物が
製造される。
【0058】溶媒としては反応に関与しないものであれ
ば特に制限はなく、例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール等のアルコール類、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、水等が例示でき、これらを単独で又
は2種以上混合して使用してもよい。
【0059】還元・環化反応としては公知の二トロ基を
アミノ基に変換する還元反応を行うことにより一度に環
化反応まで進行する。還元反応としては例えばヒドロサ
ルファイトナトリウム、塩化スズ、鉄粉、ラネーニッケ
ル、パラジウム炭素等による方法が例示でき、好ましく
は塩化スズを使用する方法がよい。又、必要に応じてプ
ロトンソースを添加することができ、プロトンソースと
しては例えば塩酸、ギ酸、酢酸等の酸類、水等が例示で
きる。
【0060】反応の割合は一般式(5)の化合物に対
し、還元剤を0.01〜10倍モル量使用するのがよ
い。反応温度は0〜200℃、好ましくは0〜100℃
であり、反応時間は0.1〜100時間、好ましくは
0.1〜25時間で反応は有利に進行する。
【0061】〔D工程〕C工程で得られた一般式(6)
で表される化合物を無溶媒あるいは適当な溶媒中で、脱
メチル化あるいは脱ベンジル化することにより一般式
(2)で表される化合物が製造される。
【0062】溶媒としては反応に関与しないものであれ
ば特に制限はなく、例えばメタノール、エタノール等の
アルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル類、トルエン、ベンゼン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、クロロホルム、ジクロロメ
タン、酢酸、水等が例示でき、これらを単独で又は2種
以上混合して使用してもよい。
【0063】脱保護法としては、公知慣用の方法でよ
く、例えば塩酸、硫酸、臭化水素酸、塩化ピリジニウ
ム、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素等の脱保護試薬を利用
する方法が例示できる。
【0064】反応の割合は一般式(6)の化合物に対
し、脱保護試薬を1〜1000倍量(v/w)、好まし
くは5〜100倍量(v/w)使用するのがよく、反応
温度は0〜250℃、反応時間は0.1〜100時間、
好ましくは0.5〜50時間で反応は有利に進行する。
【0065】上記方法により得られる本発明化合物及び
各化合物は、通常公知の分離精製手段、例えば濃縮、溶
媒抽出、濾過、再結晶、各種クロマトグラフィー等を用
いることにより単離精製可能である。
【0066】
【実施例】以下に参考例、実施例及び薬理試験例を示
し、本発明を更に詳しく説明する。 参考例1 2−(5−メトキシ−2−ニトロベンジリデン)−イン
ダン−1,3−ジオンの合成 5−メトキシ−2−ニトロベンズアルデヒド1.80g
(10.0mmol)、1,3−インダンジオン1.5
0g(10.2mmol)、硫酸0.5ml、酢酸20
mlの混合物を12時間室温で攪拌した。反応後、反応
液に精製水50mlを加え、析出した結晶を濾取した。
得られた結晶を酢酸から再結晶することにより標記化合
物2.97g(収率93.6%)を得た。
【0067】融点:203〜205℃1 H‐NMR(DMS0-d6)δ:8.28(1H, d, J=9Hz), 8.24(1H,
s), 8.09-7.94(4H, m), 7.47(1H, d, J=3Hz),7.27(1H,
d-d, J=9, 3Hz), 3.91(3H, s) IR(KBr)cm-1:1698, 1575, 1509, 1324, 1298, 1258,
1246, 1233, 736 参考例2 8−メトキシ−11H−インデノ〔1,2−b〕キノリ
ン−11−オンの合成 参考例1で得た2−(5−メトキシ−2−ニトロベンジ
リデン)−インダン−1,3−ジオン3.7g(0.0
12mol)、塩化第一スズ二水和物11.2g(0.
050mol)、塩酸55mlの混合物を12時間室温
で攪拌した。反応後、析出した結晶を濾取した。得られ
た結晶を精製水で洗浄した後、80%ジメチルホルムア
ミド水溶液から再結晶することにより、標記化合物3.
0g(収率96.0%)を得た。
【0068】融点:213〜215℃1 H‐NMR(CDCl3)δ:8.26(1H, s), 8.04(1H, d-d, J=7,
1Hz), 8.01(1H, d, J=9Hz), 7.80(1H, d-d, J=8, 1H
z), 7.66(1H, d-d-d, J=8, 8, 1Hz), 7.48(1H, d-d-d,
J=8, 8, 1Hz), 7.40(1H, d-d, J=9, 3Hz), 7.15(1H, d,
J=3Hz),3.95(3H, s) IR(KBr)cm-1:3060, 1714, 1625, 1513, 1360, 1241,
827, 728 参考例3 8−ヒドロキシ−11H−インデノ〔1,2−b〕キノ
リン−11−オンの合成 参考例2で得た8−メトキシ−11H−インデノ〔1,
2−b〕キノリン−11−オン26g(0.1mo
l)、ピリジン200ml(2.5mol)と塩酸20
6mlから調製した塩化ピリジニウムの混合物を250
℃で2時間反応した。放冷後、反応液に精製水300m
lを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を精
製水で洗浄した後、エタノール−水から再結晶すること
により、標記化合物14.7g(収率59.5%)を得
た。
【0069】融点:293〜295℃1 H‐NMR(DMS0-d6)δ:10.37(1H, brs), 8.47(1H, s),
7.98(1H, d, J=8Hz), 7.94(1H, d, J=9Hz),7.80-7.75(2
H, m), 7.58(1H, d-d-d, J=8, 8, 1Hz), 7.39(1H, d-d,
J=9, 3Hz), 7.35(1H, d, J=3Hz) IR(KBr)cm-1:3510, 1713, 1625, 1378, 1240, 728 参考例4 参考例1〜3及びJ.Heterocyclic Ch
em.,28 1245(1991)の方法を利用し、
以下の化合物を合成した。
【0070】・2,3−ジクロロ−8−ヒドロキシ−1
1H−インデノ〔1,2−b〕キノリン−11−オン 融点:300℃〈1 H‐NMR(DMS0-d6)δ:8.53(1H, s), 8.13(1H, s), 7.9
8(1H, s), 7.93(1H, d, J=9Hz),7.42(1H, d-d, J=9, 3H
z), 7.36(lH, d, J=3Hz) IR(KBr)cm-1:3200, 1726, 1635, 1621, 1525, 1321,
1255, 1233 ・3−ヒドロキシ−8H−ベンゾ〔h〕インデノ〔1,
2−b〕キノリン−8−オン 融点:298℃<(分解)1 H‐NMR(CDCl3)δ:9.34(1H, d, J=9Hz), 8.34(1H,
s), 8.14(1H, d, J=8Hz),7.81(1H, d, J=8Hz), 7.71-7.
66(4H, m), 7.50(1H, d-d, J=7, 7Hz),7.33(1H, d-d, J
=9, 3Hz) IR(KBr)cm-1:3380, 1702, 1612, 1586, 1388, 1305,
1152, 738 実施例1 8−ヒドロキシ−9−〔(4−ピペリジノピペリジノ)
メチル〕−11H−インデノ〔1,2−b〕キノリン−
11−オン・2塩酸塩(化合物1)の合成 参考例3で得た8−ヒドロキシ−11H−インデノ
〔1,2−b〕キノリン−11−オン1.24g(5.
0mmol)、ピペリジノピペリジン1.8g(11.
3mmol)、37%ホルムアルデヒド溶液1ml、酢
酸10ml、エタノール10mlの混合物を室温で7日
間攪拌した。反応後、溶媒を留去し、残渣に水を加え、
更にアンモニア水を加えて中和した後、酢酸エチルで抽
出した。酢酸エチル層を水で洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、留去した。得られた残渣をトルエン/リグロ
インから結晶化し濾取した。得られた結晶をメタノール
/テトラヒドロフランの混液30mlに溶解し、4N−
塩酸/ジオキサン6mlを加えた。減圧下濃縮後、得ら
れた残渣をエタノールより結晶化し、標記化合物2.1
4g(収率85.3%)を得た。物性値を表1に示す。
【0071】実施例2 4−〔(ジメチルアミノ)メチル〕−3−ヒドロキシ−
8H−ベンゾ〔h〕インデノ〔1,2−b〕キノリン−
8−オン(化合物5)の合成 参考例4で得た3−ヒドロキシ−8H−ベンゾ〔h〕イ
ンデノ〔1,2−b〕キノリン−8−オン2.0g
(6.7mmol)、50%ジメチルアミン水溶液4.
0ml(34.0mmol)、37%ホルムアルデヒド
溶液2.6ml(34.6mmol)、酢酸4.0m
l、エタノール40mlの混合物を55℃で4時間加熱
攪拌した。反応後、反応液をアンモニア水で中和し、水
を加え、クロロホルムで抽出した。クロロホルム層を水
洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後留去した。得られた残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;
メタノール:クロロホルム=1:9(v/v))により
精製し、アセトンから結晶化し、標記化合物170mg
(収率7.1%)を得た。物性値を表2に示す。
【0072】実施例3 1,3−ジヒドロ−2,12H−2−(1−ブチル)−
インデノ〔1,2−b〕オキサジノ〔4,5−f〕キノ
リン−12−オン(化合物7)の合成 参考例3で得た8−ヒドロキシ−11H−インデノ
〔1,2−b〕キノリン−11−オン1.0g(4.0
mmol)、37%ホルムアルデヒド溶液8.0ml、
n−ブチルアミン2.88g(38.3mmol)、酢
酸75ml、エタノール75mlの混合物を室温で6時
間攪拌した。反応後、溶媒を留去し、酢酸エチルで抽出
した。酢酸エチル層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥
後留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開溶媒;クロロホルム)により精製し、
エタノールから結晶化し、標記化合物0.88g(収率
63.8%)を得た。物性値を表3に示す。
【0073】実施例4〜8 実施例1〜3と同様にして対応する原料より表1に示す
化合物2〜4、表2に示す化合物6、表3に示す化合物
8を合成した。
【0074】表 1
【0075】
【化9】
【0076】化合物1
【0077】
【化10】
【0078】Ra=H 収率:85.3% 融点:233〜235℃(分解)1 H‐NMR(D2O)δ:8.08(1H, s), 7.58(1H, d-d, J=7, 7
Hz), 7.47-7.37(3H, m), 7.29(1H, d,J=7Hz), 7.19(1H,
d, J=9Hz), 4.39(2H, s), 3.71-1.50(19H, m) IR(KBr)cm-1:3450, 2930, 2640,
2550, 1733, 1627, 1518,
1290, 1270, 738 化合物2 R=−N(CH2 Ra=H 融点:209〜213℃(分解)1 H‐NMR(CDCl3)δ:8.44(1H, d, J=1Hz), 8.03(1H, d-
d-d, J=8, 1, 1Hz), 7.96(1H, d-d, J=9,1Hz), 7.80(1
H, d-d-d, J=8, 1, 1Hz), 7.66(1H, d-d-d, J=8, 8, 1H
z), 7.47(1H, d-d-d, J=8, 8, 1Hz), 7.35(1H, d, J=9H
z), 4.11(2H, s), 2.44(6H, s) IR(KBr)cm-1:2790, 1702, 1621, 1524, 1408, 1279,
1236,1179, 902, 837, 739 化合物2−a R=−N(CH32・HCl Ra=H 融点:>299℃ 化合物3 R=−NHCH2CH2N(CH32 Ra=H 融点:158〜162℃1 H‐NMR(CDCl3)δ:8.42(1H, d, J=1Hz), 8.02(1H, d-
d, J=8, 1Hz), 7.93(1H, d-d, J=9, 1Hz), 7.78(1H, d-
d-d, J=8, 1, 1Hz), 7.65(1H, d-d-d, J=8, 8, 1Hz),
7.46(1H, d-d-d, J=8, 7, 1Hz), 7.32(1H, d, J=9Hz),
4.45(2H, s), 2.83-2.52(4H, m), 2.27(6H, s) IR(KBr)cm-1:2820, 2770, 1720, 1620, 1504, 1326,
1254, 831, 730 化合物3−a R=−NHCH2CH2N(CH32・2HCl Ra=H 融点=255〜258℃(分解) 化合物4
【0079】
【化11】
【0080】Ra=H 融点:183〜185℃(分解)1 H‐NMR(DMS0-d6)δ:11.47(1H, s), 10.00(1H, brs),
8.99(1H, s), 8.13(1H, d, J=9Hz),8.03(1H, d, J=8H
z), 7.84(1H, d, J=7Hz), 7.81(1H, d-d, J=7, 7Hz),7.
75(1H, d, J=9Hz), 7.62(1H, d-d-d, J=8, 7, 1Hz), 7.
27(1H, d, J=7Hz),7.24(1H, d, J=7Hz), 6.99(2H, d, J
=8Hz), 6.86(1H, d-d, J=7, 7Hz),4.85(2H, s), 3.85-
3.01(8H, m) IR(KBr)cm-1:3070, 2580, 1731, 1646, 1532, 1269 表 2
【0081】
【化12】
【0082】化合物5 R=−N(CH3 Ra=H 収率:7.1% 融点:237〜241℃(分解)1 H‐NMR(CDCl3)δ:9.37(1H, d, J=9Hz), 8.31(1H,
s), 8.14(1H, d, J=7Hz), 7.87(1H, d, J=9Hz), 7.80(1
H, d, J=7Hz), 7.69(1H, d, J=9Hz), 7.68(1H, d-d-d,
J=7, 7, 1Hz), 7.48(1H, d-d-d, J=7, 7, 1Hz), 7.32(1
H, d, J=9Hz), 4.18(2H, s), 2.47(6H, s) IR(KBr)cm-1:3400, 3000, 2800, 1708, 16l0, 1586,
1530, 1504, 1454, 1418, 1386, 1314, 1286, 1260, 1
179, 1030, 1011, 809, 797, 739 化合物5−a R=−N(CH32・2HCl‐H20 Ra=H 融点:>299℃ 化合物6
【0083】
【化13】
【0084】Ra=H 収率:9.0% 融点:238〜242℃(分解)1 H‐NMR(CDCl3)δ:9.38(1H, d, J=9Hz), 8.33(1H,
s), 8.14(1H, d, J=7Hz),7.87(1H, d, J=9Hz), 7.80(1
H, d, J=8Hz), 7.71(1H, d, J=9Hz),7.69(1H, d-d, J=
7, 7Hz), 7.49(1H, d-d, J=7, 7Hz), 7.31(1H, d, J=9H
z),4.25(2H, s), 3.65(2H, t, J=5Hz), 2.90-2.50(8H,
m), 2.63(2H, t, J=5Hz) IR(KBr)cm-1:3400, 2700, 17l0, 1626, 1613, 1595,
1424, 1399, 1277, 745 化合物6−a
【0085】
【化14】
【0086】Ra=H 融点:200〜208℃ 表 3
【0087】
【化15】
【0088】化合物7 Ra=H Rb=n−C49 収率:63.8% 融点:123〜125℃1 H‐NMR(CDCl3)δ:8.25(1H, d, J=1Hz), 8.03(1H, d,
J=7Hz), 7.90(1H, d, J=9Hz), 7.80(1H,d, J=8Hz), 7.
67(1H, d-d-d, J=8, 7, 1Hz), 7.48(1H, d-d-d, J=8,
8, 1Hz),7.27(1H, d, J=9Hz), 4.96(2H, s), 4.34(2H,
s), 2.79(2H, t, J=7Hz),1.64-1.34(4H, m), 0.94(3H,
t, J=7Hz) IR(KBr)cm-1:2960, 2930, 1714, 1625, 1608, 1517,
1409, 1217, 895, 732 化合物8 Ra=H Rb=CH3 収率:63.8% 融点:198〜202℃(分解)1 H‐NMR(CDCl3)δ:8.23(1H, d, J=1Hz), 8.04(1H, d,
J=8Hz), 7.92(1H, d, J=9Hz), 7.81(1H,d-d, J=8, 1H
z), 7.67(1H, d-d-d, J=8, 8, 1Hz), 7.49(1H, d-d-d,
J=8, 8, 1Hz), 7.30(1H, d, J=9Hz), 4.89(2H, s), 4.3
2(2H, s), 2.68(3H, s) 以下本発明化合物の抗腫瘍効果の試験結果を示し、本発
明化合物の有用性を説明する。
【0089】薬理試験例1 殺細胞作用 p388マウス白血病細胞を2×103cells/wellで9
6穴プレートに播種した。本発明化合物を精製水あるい
はジメチルスルホキシドに溶解させた後、メディウムで
種々の濃度に希釈し、各wellに添加し培養した。3日間
の接触後、プレートをグルタルアルデヒドにて固定し、
クリスタルバイオレット染色法により細胞数を計測し
た。
【0090】各化合物の殺細胞作用をコントロールの細
胞数を50%減少させる薬剤濃度(IC50)として表し
た。結果を表4に示す。
【0091】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇津木 照洋 東京都豊島区上池袋1−29−15−304 (72)発明者 山田 雄次 埼玉県所沢市東狭山ケ丘2−2953−21

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(1) 【化1】 (式中、A環は置換基を有していてもよいベンゼン環又
    は低級アルキレンジオキシ基を有するベンゼン環を示
    し、B環は下記(a)〜(c)で表されるいずれかの環
    を示す。 【化2】 (Rは−NR12基、又は置換基を有していてもよい含
    窒素複素環基を示す。ここでR1及びR2は同一又は相異
    なってフェニル基;置換基を有していてもよい含窒素複
    素環基;又は置換されていてもよいアミノ基、低級アル
    コキシ基、フェニル基、含窒素複素環基もしくは水酸基
    で置換されていてもよい低級アルキル基を示す。R’は
    水素原子;置換基を有していてもよい含窒素複素環基;
    又は置換されていてもよいアミノ基、低級アルコキシ
    基、フェニル基、含窒素複素環基もしくは水酸基で置換
    されていてもよい低級アルキル基を示す。)で表される
    縮合インダン化合物及びその塩。
  2. 【請求項2】 A環が無置換ベンゼン環で、B環が
    (a)〜(c)で表されるいずれかの環で、Rが置換ア
    ミノ基で置換されていてもよいアルキルアミノ基又は置
    換基を有していてもよい含窒素複素環基、R’が低級ア
    ルキル基である請求項1記載の縮合インダン化合物及び
    その塩。
  3. 【請求項3】B環が(a)で表される環で、Rがジ低級
    アルキルアミノ基で置換されていてもよいアルキルアミ
    ノ基;又はピペリジノ基もしくはフェニル基で置換され
    た含窒素複素環基である請求項2記載の縮合インダン化
    合物及びその塩。
  4. 【請求項4】B環が(a)で表される環で、Rがジ低級
    アルキルアミノ基で置換されたアルキルアミノ基;ジ低
    級アルキルアミノ基;ピペリジノピペリジノ基;又はフ
    ェニルピペラジニル基である請求項3記載の縮合インダ
    ン化合物及びその塩。
  5. 【請求項5】B環が(b)で表される環で、Rがジ低級
    アルキルアミノ基;又はヒドロキシアルキル基で置換さ
    れた含窒素複素環基である請求項2記載の縮合インダン
    化合物及びその塩。
  6. 【請求項6】B環が(b)で表される環で、Rがジ低級
    アルキルアミノ基;又はヒドロキシアルキル基で置換さ
    れたピペラジニル基である請求項5記載の縮合インダン
    化合物及びその塩。
  7. 【請求項7】B環が(c)で表される環で、R’が低級
    アルキル基である請求項2記載の縮合インダン化合物及
    びその塩。
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WO2001053302A1 (fr) * 2000-01-24 2001-07-26 Sagami Chemical Research Center 5H-QUINOXALINO[2,3-b]NAPHTO[2,1][1,4]OXAZIN-5-ONE, ET INTERMEDIAIRE ENTRANT DANS LA PREPARATION DUDIT COMPOSE

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WO2001053302A1 (fr) * 2000-01-24 2001-07-26 Sagami Chemical Research Center 5H-QUINOXALINO[2,3-b]NAPHTO[2,1][1,4]OXAZIN-5-ONE, ET INTERMEDIAIRE ENTRANT DANS LA PREPARATION DUDIT COMPOSE

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