JPH09511016A

JPH09511016A - パルス素粒子ビームを用いるポリマー表面処理

Info

Publication number: JPH09511016A
Application number: JP8522969A
Authority: JP
Inventors: スティンネット、レーガン・ダブリュー; ヴァンデヴェンダー、ジェイ・ペイス
Original assignee: サンディア・コーポレーション
Priority date: 1995-01-23
Filing date: 1996-01-23
Publication date: 1997-11-04
Also published as: EP0751972A1; WO1996023021A1; IL116877A; CA2186101A1; EP0751972A4; AU5352996A; IL116877A0; RU2154654C2

Abstract

(57)【要約】高エネルギー素粒子ビームを用いて照射することによってポリマーの表面及び表面の近くを処理する。パルスイオンビームを用いて達成される。商業的応用の広い範囲に有効であるように、ポリマー表面の化学的及び機械的特性を変える。

Description

【発明の詳細な説明】パルス素粒子ビームを用いるポリマー表面処理発明の背景本願発明は米国エネルギー省によって認められた契約ＤＥ-04-94ＡＬ85000による政府の援助でつくられた。政府は本願発明に関する権利を持つ。本願発明は、十分なビーム流束量(fluence)を持つ高強度パルスイオンビームを用いてポリマーの表面および表面隣接領域を処理して、その処理された領域内のポリマーの架橋、熱分解、エッチングまたはアブレーション(ablating)のさまざまな効果を達成する方法に関する。特に、イオンビームパルスは、空間的に隣接するパルスにつき１０マイクロセコンド(μs)より小さなパルス幅、０．０１乃至１０Ｊ／cm²のビーム強度および概略２５KeVより大きなイオンエネルギーによって特徴付けられる。本願は本願発明の譲り受け人に譲渡された１９９３年１１月１６日の出願の同時係続特許出願第08/153,248号の一部継続出願である。ポリマーを変形させるために高エネルギー素粒子（粒子）ビームを用いることは知られていて、放射性元素（例えば、⁶⁰Ｃｏ）の放射線減衰生成物のような素粒子源並びに連続的およびパルス状ビーム源から作られた電子ビームを用いて数年にわたって実施された。典型的なイオンビームポリマー処理は、直線加速器(l inacs)またはVan de Graff加速器のような高価な研究に用いられる加速器からの高エネルギーイオン源を用いており、それらは高価で、非常に低い放射線量を生成し、さらに、研究用の診断装置としては有用であるが、商業的処理には適さない。電子ビーム（典型的には１ＭｅＶ電子より大きい）はポリマーに最大数百Ｍｒａｄ／ｈｒの放射線量を与えるように用いられる。フォトン（１０−３０ｅＶ）は化学反応を引き起こすことによってポリマー表面を処理するように用いられていた。連続的な高エネルギーフォトン（γ）源（例えば、１−３．５ＭｅＶの⁶⁰ Ｃｏ）がポリマーの商業的照射のために最も一般的に用いられる。それらの技術は、ポリマーに、改良された強靭性、溶解への抵抗性および高められた粘性を含む有益な変化と、光学的強度および電気的導電性の変化とを生じさせるような、次数（係数）が１０−１００Ｍｒａｄの放射線レベルでの高エネルギー素粒子の能力を実証した。現在の技術は多くのポリマー処理の応用において価値があるように見られていたが、それらの処理方法はさまざまな欠点を持っている。処理は材料に一般に深みを広げる（例えば、１ＭｅＶ電子の範囲は約０．５cm で、ＭｅＶフォトンの範囲は１cmよりかなり大きい）。この比較的深い処理は十分な効果を生成するために大きな総処理放射線量を必要とする。これは、現在の処理方法を用いる低エネルギー素粒子の高い流束量を得る困難さおよび高い連続的照射レベルから生じる表面加熱の問題が原因で生じる。ポリマーの照射のための上述のいずれの技術でも、ポリマーを通って移動する素粒子からのエネルギー堆積によって生じる領域に沿って、遊離基、イオン化分子および結合解除のような反応生成物を生成する。そのような反応生成物の間の相互作用は、ポリマー内の予想された化学反応（架橋）の速度を増加するとともに、炭素−炭素結合の相対的安定性によって異常な反応を正常に排除することができる。しかし、反応生成物の密度は非常にとても低いので、現在の技術を用いて得られる低い放射線量はそのような相互作用を妨げる。たとえ総放射線量が空間的に接近したトラックを生成する程の大きさであっても（数分から数時間必要とする）、隣り合うトラックを作る間の時間は、多くの反応生成物の典型的な再結合ライフタイムより長い（イオンおよび励起状態に関しては１マイクロ秒より小さく、遊離基に関しては１マイクロ秒およびそれより長い）。このことは、高密度の反応生成物から生じる反応生成物の間の相互作用を高める利点は、現在の技術を用いては実現することはできないということを意味する。現在の技術はまた有効な熱分解（水素および酸度の除去）または下方の物質に重大な影響を与えることのないポリマーの表面のエッチング（表面材料が気化し始める点を越えてその表面材料をすばやく加熱することによって材料を除去すること）を引き起こす程度の放射線量を作ることもできない。さらに、ポリマー表面領域に伝えられる素粒子の高パルス状放射線量は、現在の技術が維持できない方法で表面隣接領域のトポロジーを変形することもある（例えばより荒い表面構造を作ることによって）。発明の概要従来技術の制限は本願発明によって乗り越えられる。ポリマーの表面および表面隣接領域に素粒子の高強度パルスを印加する利点は、同時にポリマー処理された領域内に高密度のイオントラック励起領域を作る一方、そのような励起に必要な総エネルギー堆積を制限する。加えて、本願発明は、照射および照射のエネルギー効率の比較的優れた手段によって作られる熱を効率的に分散することができる。上記の可能性およびそれらに付随する利点は、パルス状の高強度素粒子ビームを用いてポリマーの表面および表面隣接領域を処理する方法によって実現される。パルス状イオンビームは以下に明らかになる理由により特に有益である。イオンビームの空間的に隣り合う隣接パルスの各々は、概略０．０１乃至１０Ｊ／cm² の選択可能なイオン種の流束量を１０マイクロ秒以内でポリマーの表面に伝える。イオン流束量のそのレベルは、エネルギーのあるイオンとの相互作用によって励起されたポリマー分子（つまり、結合の解除、遊離基、励起結合状態等）の十分な割合が他の励起されたポリマー分子と直接に相互作用することができる程度に、ポリマー内にイオントラック密度を作り、これによって、従来のどの環境とも異なるような架橋および他の化学反応のための環境を形成することができる。この方法によって処理されたポリマーの比較的薄い表面領域は、瞬間的に非常に高い温度まで高められ、次に、ポリマーの下方の領域への瞬間的な熱の伝導によって短時間に冷却され、従来技術によって必然的に生じる比較的長い間の加熱時間によって通常引き起こされる不都合な影響を伴うことがない。従って、このパルス状のイオンビーム方法は、ポリマー表面の保護されていない部分のエッチングつまり除去、ポリマー表面の熱分解、ポリマー表面の形態および幾何的形状の変更並びにポリマー内の熱的活性化された化学的変化の誘導にも有用である。図面の簡単な説明図１は、パルス状イオンビームによる照射を受けるポリマー表面の切り取った断面図である。図２は、酸素含有化学的コーティングを用いた場合と用いない場合との両方の場合に、Ｘ線光電子放出分光器を用いて得られたカプトン(Kapton)（商標）（ポリイミド）用結合エネルギーの関数として状態の正規化された強度を示し、そのカプトンにおける酸素濃度の変化を実証する表である。図３は、処理のおよび未処理のポリカーボネートに関する波数の関数としての吸収率（フーリエ変換赤外線分光器を用いて測定されたもの）を示し、処理および処理前のポリマーの化学的組成の変化を再び実証する表である。図４は、照射後のポリプロピレンの表面構造の変化を示す顕微鏡写真である。図５は、イオンビーム照射の強度を変えることにより（低い場合は約０．１Ｊ／cm²、中間の場合は約０．５Ｊ／cm²、高い場合は約１−２Ｊ／cm²）、ポリカーボネートの表面の改良された粘着特性を示す棒グラフである。図６Ａは未処理のポリエチレンの表面を示す走査電子顕微鏡写真である。０．５Ｊ／cm²のイオンビームを用いて処理した後の同様なポリエチレンの表面を示す走査電子顕微鏡写真である（図６Ａと同じバッチからのもの）。図７はＲＨＥＰＰパルス状出力システムの概略図である。図７Ａは図７のパルス状出力システムに用いられるパルス圧縮装置の回路図である。図７Ｂはパルス形成線形素子の断面図である。図７Ｃは線形誘導電圧アダーの断面図である。図８は磁気閉じ込めのアノードプラズマ（ＭＡＰ）源２５の部分的断面図である。図８ＡはＭＡＰ源内の高速および低速コイルによって作られた磁界線を示す図８の変更例である。図８Ｂはガス入口バルブおよびガス入口チャネルを示す図８の一部の拡大図である。図８Ｃは高速コイル用電気回路の概略図である。図９はＭＡＰイオンダイオードの概略全断面図である。発明の詳細な説明本願発明は、図１に示すように、イオンビーム表面処理（ＩＢＥＳＴ）および電子ビーム表面処理（ＥＢＥＳＴ）と称される２つの技術のいずれでも容易に実行することができる。ＩＢＥＳＴおよびＥＢＥＳＴは、数ナノ秒から数マイクロ秒までの範囲にあるパルス長さの概略２５ｋｅＶより大きなエネルギーを用いて選択可能な素粒子種の商業的に実行可能な流束量（０．０１−１０Ｊ／ｃｍ²）を生成する方法を手供することによって上述に掲げた問題を回避する。この新たな能力の価値は様々な要因に基づく。ＩＢＥＳＴは、非常に強度があるが比較的短いイオンのパルスによってポリマー表面を処理するためにパルス状出力および強度のあるイオンビーム技術を用いる。そのような比較的低い（１Ｈｚ）の繰り返し率で単一のまたは少しのパルスバースト内のイオンパルスを作る能力は数年にわたって存続しているが、そのようなパルスの潜在的利点は以前は認識されていなかった。このように認識が欠如していた理由は、おそらく、それらの技術は商業的に実行可能な方法までは発展することができなかったからであり、部分的には基本的な成分のライフタイムが非常に制限されているからであり（１０００パルスより短い）、さらに、部分的には平均出力が非常に限定されているからである。この方法の価値を発揮しそれに追加する新たな可能性は、サンディア・ナショナル・研究所で開発されたＲＨＥＰＰＩおよびＲＨＥＰＰIIによって実証された反復的パルス状出力技術と、磁気閉じ込めのアノードプラズマイオンビームシステム(Magnetically-confined ANODE plasma ion beam system)によって実証された反復性の強度のあるイオンビーム技術との結合である。われわれは強度のあるイオンのパルスを作ってポリマー表面に伝える様々な方法を使うことができる。ＲＨＥＰＰ／ＭＡＰ技術はこの新たな可能性の例示である。それらの技術は結合して新たな商業的に実行可能な方法を提供し、これにより、強くて短い持続時間（３０ナノ秒まで−１０マイクロ秒までの）パルスの数＋ｋｅＶからＭｅＶのイオン運動エネルギーで最大数百ｋＷまたはそれ以上の平均イオン出力を伝達する。そのようなイオンビームパルスは上述の効果を生み出すことができる。それらのパラメータにより、長いライフタイム（１０００パルスよりかなり大きい）システムを用いて大量のポリマーを低いコスト（１セント／ft²の程度）で処理を行うことができる。この性能はこの種の内の第１のものである。処理の深さは別のイオン種および運動エネルギーを選ぶことによって選択することができる。多くの場合には、改良された粘性を持つ強くてスクラッチおよび溶解抵抗性のある表面を提供する目的を持って、ポリマーの表面隣接領域のみを処理することが望ましい。そのような表面処理の応用のために、約数ミクロンの深さを持つ表面隣接領域を処理する必要があるだけである。これに対し、高エネルギーパルス状電子ビームシステムはポリマー内に電子が停止する前に数mm程度影響を与える。従って、イオンの高エネルギーパルスを用いてそのイオンエネルギーおよび種を調節してその深さだけ処理する性能により、われわれは単位領域ごとに必要とされるエネルギーを非常に減少することができる（一般的には最大１０００の因数によって）一方、さらに、表面近くの特性の所望の変更を達成することができる。高エネルギーイオンビームパルスの用いることには他の利益がある。数ｎｓから数μｓのイオンの短くて強い強度のパルス（０．０１−１０Ｊ／cm²）を伝える能力は表面隣接領域の比較的均一な高密度処理を生み出し、その領域においては、エネルギー量の多いイオンとの相互作用から生じる反応生成物（例えば、ポリマーイオン、励起状態、遊離基）が他のその様な反応生成物および非励起ポリマー分子と直接に相互作用することができる。化学的反応のそのモードは低イオン密度の場合まで縮小し、そこではイオン誘導反応生成物は隣り合う非励起ポリマー分子と直接相互作用する。現在の技術は所望の高密度の処理を作るのに必要なものの大きさのいくつもの規則内の条件を達成することはできない。この新たな可能性はポリマーの結合構造および化学作用の変化を生み出すように示されており（図２および３）、さらに、別のポリマー表面へのコーティングの粘性を改良するように示されている（図４および５）。この新たな技術によると、新たな表面形態、結合、化学的特性および結合構造を、部分的に新規な高密度処理可能性のために作り出すことができる。ＴＲＩＭ−９０、周知のコンピュータシミュレーションパッケージによると、ポリカーボネート（１．２ｇ／cm²の密度）を通過して移動する４００ｋｅＶのＨ⁺イオンからの局所的放射線量は、入射Ｈ⁺イオンごとに約１．３×１０^-10Ｊ／ｇ（１．３×１０^-5rad）である。４００ｋｅＶでのＨ⁺の０．２５Ｊのパルスは４×１０¹²Ｈ⁺イオンを含む。これにより、約５０Ｍｒａｄの局所的放射線量は１００ｎｓ内に５×１０⁸Ｍｒａｄ／秒の放射線量率で伝達されることになる。この時間の間、ポリマーの温度は約５００Ｋまで上昇する。イオントラックの周囲に誘導された影響（イオン化、励起および副次的電子形成から生じる影響と、それらの成果のイオン化および励起並びに周囲の領域から生じる影響とによるもの）の範囲ｒ_pは４００ｋｅＶＨ⁺に関しては約１５ｎｍである（「ポリマーへの放射効果」（Radiation Effects on Polymers）R.CloughおよびS.Shalably編集、第２章、４８頁から）。それらのトラック効果の重複に必要な濃度は、入射イオン濃度がＮ＝（１／２ｒ_p）²＝１×１０¹¹／cm²を越えるときに発生する。４×１０¹²のわれわれの入射イオン濃度はそのしきい値を非常に越え、また、かなり高められた反応生成物濃度を作ることができるが、その理由は、それらが短い時間またはトラックに沿って形成された反応生成物の再結合時間に匹敵する時間で伝達されるからである。われわれの処理は重複トラックのために表面の微視的に均一な処理も作る。いくつかの分析を必要とするポリマーの高濃度パルス状イオンビーム処理の利用について他の観点が存在する。ポリカーボネートへのプロトンの０．２５Ｊ／ cm²パルスからの温度上昇は上述のとおり約５００°Ｋである。１つのパルスが所望の処理に十分なときには、このレベルの温度上昇は非常に大量のポリマーに対しては確実である。しかし、多数のパルス処理が必要な場合には、ポリマー表面はパルス間で冷却するための時間を持たなければならず、温度上昇は非常に大きくなり、重大な問題を引き起こすことがある。また、温度上昇が長い間維持されると、ポリマーは損傷を受けることがある。ここで本質的な問題はいくつかのポリマーの非常に低い熱的伝導性にある。物質内に熱が長さλ拡散する特有のタイムスケールは、 Δｔ〜ｃρλ²／κ である。ここで、ｃはポリマーの１グラム当たりの特定の熱で、ρはポリマーの密度で、κはポリマーの熱伝導性である。この関係を用いると、ポリマーのバルク温度を越える温度の増加が〜３μｓ後は２５０°Ｋになり、〜２５０μｓ後は３０°Ｋになることは容易に示すことができる。明らかに多数のパルスは、繰り返し率が１秒あたり約１０⁵より低い限り問題を示さない。われわれは最大〜１０００pps であると予想する。１パルスから生じるポリマーへの損傷は問題点としては明らかではないが、物質は、約１０μｓ以内に有効に消滅するような適度な温度上昇から重大な損傷を受けることに非常に敏感でなければならないであろう。熱上のタイムスケール分析からわかった他の問題点は、励起することができるポリマーの表面隣接領域の厚さに関連する。理由があるとする場合には、〜１００μｍ程度の厚さの領域は照射することができる。そのような厚い層に対しては、熱的時定数は〜２ｍｓである。明らかに、これは瞬間的な消滅または熱への非常に短い露出のいずれも生じさせないが、ポリマー表面へのパルス状イオンビーム処理を用いることに対する重大な制限も表さない。イオンの高い流束量を短いパルスで表面に伝達する性能により、この方法はポリマー表面を熱分解（水素および／または酸素を除去）するとともに、その表面の形態をエッチングおよび変更することに用いることができる。表面形態を変えるようなこの技術の能力の例を図６に示しており、そこでは、ポリエチレン表面が約０．５Ｊ／cm²のレベルのイオンビームを用いて処理されて、ミクロン程度の寸法のホールまたはピットの比較的均一なアレーの生成物になっている。この方法によりポリマーを変えることは、調節可能な電気的伝導性、増加した表面領域、コーティングの改良された粘性およびマスキングを利用しての表面に沿ってそれらの特性を空間的に変更する能力を与えることによって利益をもたらす。処理に必要な単位領域あたりの減少エネルギーと、この新たな技術を用いた反復的パルス原理に関して得られる高強度との結合により、第１に、全体的に化学作用のない方法を用いて低コストでポリマー表面を瞬間的処理することができる。処理速度は１００ｓｑより大であること判断される。本願発明は、隣り合うイオントラックからの反応生成物が重複するという条件に至っても、遊離基の高密度を達成するという第１の可能性を提供する。これにより、放射処理の全体的に新たな様式を変更することができ、そこでは、反応生成物は、ポリマーと反応するいうのではなく、互いにより強固に反応する。現存の連続的技術は１時間当たり約５００Ｍｒａｄの照射量を伝達する（０．１４Ｍｒａｄ／秒）。従来のパルス技術は長いパルス状電子ビーム、つまり次数１０⁵Ｍｒａｄ／秒の放射線量が可能な非常に低い平均出力研究用加速器に基づく。これはまだとても遅いので重複したトラックを作ることができない。本願発明による典型的な放射線量は１×１０⁷秒において１００Ｍｒａｄ（＞１０⁸Ｍｒａｄ／秒）で、約３の次数の大きさ分早い。この１つの効果としては、最終的なより高い遊離基濃度によって遊離基が速やかに互いに結合することができ、この結果、架橋および他の反応が非常に高い効率を持つようになる。現在の技術を用いると、遊離基が数時間から数日の間未結合の状態で残ることがあり、多くの場合最終的に酸素と結合し、永久的に連鎖で終了して架橋ではなくて劈解(scissio n)の状態になる。表面への局所的処理の能力により、多くの応用において非常にコストを削減できるようになる。現在の技術は素粒子を用いており、それは物質に非常に深く貫通し（＞１ｍｍ）、イオンビームによって達成できる数ミクロンまたはそれ以下だけではない。縮小した貫通により、同じ局所的処理の放射線量を達成するのに必要なエネルギーより次数の程度の大きさまで小さくすることができ、その結果、表面隣接領域の処理のみを必要とする応用のおける処理のコストを削減することができる。本願発明の方法により、強度のあるパルスの性質のために物質の処理を速やかに行うことができるようになる。その短いパルスによって、局所的放射線量および表面の加熱を容易に制御および限定することができ、その結果、パルスの間にそれを冷却することができるとともに強い強度の利点をさらに保持することができる。反応生成物に加えて、本願発明の技術は、強い強度のため、ポリマーの表面の幾何的形態を変えることによってポリマー表面を変形することもできる。図６Ａおよび図６Ｂはこの変形例を示す。表面に形成されたホールは様々な方面に利益を与え、それには堆積したフィルムを粗い表面に容易に機械的に接着することができることが含まれる。表面除去による熱分解およびエッチングも強い強度によって可能になった技術である。本願発明による短いパルスの性質により、それらの効果を表面近くに活用することができるがその下方の物質には影響を与えない。この短いパルス技術の他の重要な利点は、長いタイムスケールの処理において用いることができる温度より高い温度までポリマーの表面の温度を上昇することができ、熱により劣化させることがない。ほんのわずかな短い時間だけ高温度まで加熱することは、同様な温度を長い時間与えた場合のポリマーへの劣化の影響と同じ影響をポリマーには与えない。例えば、パルスレーザ加熱は、カプトン(K apton)に有害な影響を生じさせることなくマイクロ秒の期間１０００℃まで上昇することができることがわかっている。この利点は、高められた温度での処理が望ましい場合には有利な効果も持つ。ここで図面に戻ると、図１は本願発明の方法によって照射されているポリマーの断面図を示す。この方法はイオンビームに関して説明されているが、電子ビームやガンマ線ビームもこの方法において有効である。パルスイオンビームからのイオン１００はポリマー１１６の表面１１５に入り、用いた特定のイオンの種および運動エネルギーによって決定される深さ１１７まで達する。１１５と１１７との間にある上方の領域においては、照射の影響が最も現れる。イオンパルスによってその領域に生じた熱は、境界面１１７の下方にあるポリマーの領域に非常に瞬時に分散し、それにより、上方の領域に作られた長い期間の加熱の不利な影響が防止される。この図面は、ポリマー１１６の上方表面１１５の上に付けられたの他の材料の層１１２も示す。その層は２つの異なる種類の材料の内の１つであってよい。それをマスク層として用いたときには、それはポリマーの下方の領域を照射の影響から保護することになる。それがポリマーのための表面コーティング層、またはポリマーの上方表面上にまたは内部にいくぶん組み込まれることになる他の材料となる場合には、それは、境界面１１５においてポリマーと結合するために、または、そうでない場合には内部へ融解または拡散するために必要な程度、イオンビームが貫通するような種類の材料となる。例えば、０．４ＭｅＶのＨ⁺ビームはポリプロピレン内に５ミクロンの軌道を持ち、１０Ｍｒａｄパルス（０．１Ｊ／cm²）に対し１１０°Ｋの温度上昇を引き起こす。イオンパルスによって生じたポリマー結合の最終的なイオン化および分裂は遊離基を形成し、それはその後結合してポリマー表面内にポリマー連鎖を架橋する。その結果、材料１１２がエポキシまたは他のポリマー材料のような適当な種類である場合には、それはイオンパルスによって処理されて下方のポリマーにくっつく。３０ｋｅＶ電子ビームはポリプロピレン内に１０ミクロンの軌道を持ち、１０Ｍｒａｄパルス（０．２Ｊ／cm²）に対し１１２Ｃの温度上昇を形成し、そして、イオンビーム照射に対し上述のとおりの効果と同様なポリマー変形効果を生み出す。図２はＸ線光電子放出の分光器診断を用いて得たグラフで、照射しない制御条件下で、低い放射線量のイオンビームパルス（０．２−０．６ＭＶの混合カーボン電子ビーム）を用いて照射した後に、および、低い放射線量を用いて照射して５０−１００nmの厚さの酸素含有コーティングを通過した後に、カプトン(Kapto n)（ポリイミド）のポリマーの化学的作用の変化を示す。そのグラフによると、カプトンのカルボン酸レベルがパルスイオンビーム処理を用いると高まっており、処理によって引き起こされた化学的作用の変化を実証している。図３はフーリエ変換赤外線分光器を用いて得たグラフで、パルスイオンビームを用いて処理する前および後のポリカーボネート内の化学的作用の痕跡シフト(c hemical signature shift)示す。処理のパラメータは約２００ｎｓパルス内で伝達された混合Ｈ⁺およびＣ⁺の約０．５Ｊ／cm²である。図４は、処理領域と未処理領域との間の変化において１ミクロンの銅を被覆したポリプロピレン表面の表面形態の変化を示す。処理パラメータはここでは上記のとおりであった。この材料の他の試験は同様に処理された領域内のポリカーボネートへの改良された銅粘性を示している。図５は、１ミクロンの銅で被覆されたポリカーボネートに対する処理強度の関数として異なる粘性強度を示す棒グラフである。スタッドが銅コーティングに取り付けられて、銅の層がポリカーボネートから分離されるまで引っ張られる。処理レベルは０．１Ｊ／cm²（低）、０．５Ｊ／cm²中間）および１−２Ｊ／cm²（高）であった。図６Ａは未処理ポリエチレン表面の顕微鏡写真である。図６Ｂは０．５−１．０Ｊ／cm²で処理した後に均一にピットが形成された表面が示された表面の顕微鏡写真である。この処理済み表面は高められた粘着特性を示す。本願発明は、商業上現実的な作動期間をカバーする必要な出力およびタイミングのイオンビームを出力することができる装置を必要とする。その様な装置の１つには、１９９３年１１月１６日に出願された同時係続特許出願第０８／１５３，２４８号と、１９９４年１０月４日の出願第０８／３１７，９４８号と、１９９４年１１月１６日の出願第０８／３４０．５１９号とに開示されており、それらはそれらの全体を参考までにここに組み入れる。以下に続く説明はそれらの出願から引用されたもので、これにより、本願発明の実施のために現在分かっているベストモードを示す。以下の説明は１つの装置の説明であり、それは様々な材料の表面処理のためのイオンビームを作るために用いることができる。その装置は２つの主要な構成システム、つまり、パルス出力源および磁気閉じ込めのアノードプラズマ（ＭＡＰ）イオンダイオードを持つ。そのＭＡＰイオンダイオードは、反復的高エネルギーパルス出力（ＲＨＥＰＰ）源と組み合わされたときに、高出力が可能なイオンビーム発生装置として機能し、そして、商業的に魅力のあるコストで材料の広い表面領域を処理するための操作サイクルの拡大数を越える繰り返し操作を提供する。特に、本願発明に係るイオンビーム発生器は０．０２５−２．５ＭｅＶのエネルギーおよびパルス持続時間または約１０ナノセコンド（ｎｓ）−２マイクロセドンド（μｓ）もしくは特定の応用に必要なより長い時間の高出力（１ｋＷ−４ＭＷ）のパルスイオンビームを生成することができる。そのイオンビーム発生器は直接にエネルギーを材料の表面の上方の領域に与える。その処理の深さはイオンエネルギーおよび種とパルス幅とを変えることによって制御することができる。そのＭＡＰイオンダイオードは他の出力源と結合することができ、そこでは要求の厳しい出力の要求はほとんど存在しない。パルスイオンビーム発生装置における第１の構成要素は、コンパクトで、電気的に効率よく、反復的パルスで、磁気的に切り換えられるパルス出力装置であり、それは、１０⁹パルス作動サイクルで作動することができ、それは、H.C.Harjes 他によるPro 8th IEEE Int．Pulsed Power Conference(1991)およびD.L.Johnson 他の"Results of Initial Teesting of the Four Stage RHEPP Accelerator"４３７−４４０頁およびC.Harjes他の"Characterization of the RHEPP 1μs Magn etic Pulse Compression Module"７８７−７９０頁に説明されている。両方とも Digest of Technical Papers of the Ninth IEEE International Pulsed Power Conference１９９３６月に印刷されており、すべてが参考までにここに組み入れる。それらの文献はここでの説明とともに従来技術内のそのようなパルス出力源の構造を以下に加える。本願の開示に従って作られた出力装置のブロック図を図７に示す。最初の入力から、磁気パルス圧縮および電圧追加のいくつかの段階を用いて、１２０Ｈｚの割合で最大２．５ＭＶ、６０ｎｓＦＷＨＭ、２．９ｋＪパルスをこの特定の装置のためにイオンビーム源に伝達する。その出力源は局所出力グリッドからのＡＣ電源をイオンビーム源２５によって用いることができる形態に変換する。図７を参照すると、本願発明の１つの実施例においては、出力装置はモータ５を備えており、それはオルタネータ１０に駆動する。そのオルタネータ１０は信号をパルス圧縮装置１５に伝達し、それは２つの構成装置、つまり、１μｓパルス圧縮装置１２およびパルス形成ライン１４を持つ。パルス圧縮装置１５はパルスを線形誘導電圧アダー（ＬＩＶＡ）を提供し、それはパルスをイオンビーム源２５に伝える。１実施例に係るオルタネータ１０は６００ｋＷ、１２０Ｈｚオルタネータである。単極モードにおいて、それは力率０．８８を持つ３２００Ｖrmsの電圧の２１０Ａrmsを磁気スイッチパルス圧縮装置１５に提供する。オルタネータは局所的４８０Ｖ出力グリッドに接続するモータによって駆動される。ここで用いられた特定のオルタネータはウエスティング社によって設計されてアルバカーキ、ニューメキシコのサンディア・ナショナル・ラボラトリーで製造された。それは、サンディエゴ、カリフォルニアのProceedings of the 8th IEEE Pulsed Power C onference、７１５−７１８頁、１９９１年６月、R.M.Calfo他による論文"Desig n and Test of Continuous Duty Pulsed AC Generator"に詳細に説明されている。この文献はその全体をここに組み入れる。この特定の出力装置は、負荷の変動に比較的に適合容易であるので、選択されて組み立てられた。他の出力源用いることができ、その特定の仕様に実際にはより良く最適化することができる。例えば、Magna-Amp社得られる種類の電力供給は、適切な寸法の整流装置を介して局所的電力グリッド供給に接続された一連の逓昇変圧器からなり、それを用いることができる。本願の装置はしかしながらすでに組み立てられており、適度に十分に性能を発揮する。１つの実施例において、パルス圧縮装置１５は２つの構成装置に分離されており、その内の１つは、一般的な磁気パルス圧縮装置１２で、それは複数段数の磁気スイッチ（つまり、飽和リアクトル）を備え、その動作は当業者に周知である。この構成装置を図７Ａにより詳しく示す。各段の基本的な動作は、処理段から受け取った電圧パルスの時間幅（変換時間）を圧縮することとその電圧パルスの振幅を増加することとにある。それらは非常に低損失スイッチであるので、出力は比較的ほとんど熱として消費されず、各パルスのエネルギーは、それが段から段へと移動するときに比較的ほとんど減少しない。ここで用いられる特定の構成装置はH.C.Harjes他の"Characterization of the RHEPP 1 μs Magnetic Pulse Compression Module"9th IEEE International Pulsed Power Coference ７８７ −７９０頁、アルバカーキ、ニューメキシコ、１９９３年６月に詳細に説明されている。この論文は参考としてその全体をここに組み入れる。それらの段はこの装置のために改良されたので非常に大規模である。保持空間のために、第１の少しの段を適切に設計されたシリコン制御整流器（ＳＣＲ）に置き換えて同一のパルス圧縮の結果を達成することは可能である。それらの段１２はオルタネータ１０の出力を１μｓ幅ＬＣ充電波形に変換し、それは第２の構成装置１４に伝達される。その装置は電圧倍増ブルムレイン(Blu mlein)構成にセットアップされたパルス形成ライン（ＰＦＬ）素子からなる。そのＰＦＬは３成分水絶縁ラインで、それは入力ＬＣ充電波形を設計上１５ｎｓの立上がり・立下がり時間および６０ｎｓＦＷＨＭを持つ上方が平らな台形状パルスに変換する。その素子の構成および動作はD.L.Johnson他の"Results of Initi al Testing of the Four Stage RHEPP Accelerator"9th IEEE International Pulsed Power Conference ４３７−４４０頁、アルバカーキ、ニューメキシコ、１９９３年６月に詳細に説明されている。この論文も参考として全体をここに組み入れる。ＰＦＬの断面図を図７Ｂに示す。パルス圧縮装置１５は単極、２５０ｋＶ、１５ｎｓ立上がり時間、６０ｎｓ全幅半値（ＦＷＨＭ）、４ｋＪパルスを１２０Ｈｚの割合で線形誘導電圧アダー（ＬＩＶＡ）２０に与えることができる。望ましい実施例においては、そのパルス圧縮装置１５は望ましくは８０％より高い効率を持ち、また、非常に長いライフタイム（〜１０⁹−１０¹⁰パルス）を持つ高信頼性の構成要素からなる。磁気スイッチは望ましくはすべてのパルス圧縮段、ＭＳ１−ＭＳ５で用いられるが、その理由は、それらは非常に高いピーク出力（つまり、高い電圧および電流）を取り扱うことができ、また、それらは基本的に長い作動寿命を持つようなソリッドステートデバイスであるからである。この実施例に用いられる５つの圧縮段をＰＦＬ１４とともに図７Ａに示す。電力はオルタネータ１０からパルス圧縮装置１５に供給され、磁気スイッチＭＳ１−ＭＳ５を通ってＰＦＬ１４に達する。そのＰＦＬは以下に説明する線形誘導電圧アダー（ＬＩＶＡ）２０に接続されている。第２および第３の磁気スイッチＭＳ２およびＭＳ３は図示するように逓昇変圧器Ｔ１によって分離されている。スイッチＭＳ６はＰＦＬ用の反転スイッチである。パルス形成ライン（ＰＦＬ）素子１４の概略を図７Ａに示し、その断面を図７Ｂに示す。図７Ａに示すＭＳ６は図７Ｂに示す反転スイッチ３０２に対応しており、それはＰＦＬの３成分の区域３１４の入力側に設けられている。出力スイッチ３０４および充電コア３０６も図示する。領域３１０には誘電体として消イオン水が充填されている。内部領域３０８には出力スイッチ３０４のために空気および油冷却ライン（図示せず）が配置されている。ＰＦＬの出力は個別のＬＩＶＡ段２０の各々と並列に伝達され、正電圧成分が導体３１６を通って接地として機能するＰＦＬのシェル３１８に流れる。正極導体３１６はＬＩＶＡの各々に接続されている。ＬＩＶＡ２０は望ましくは液体誘電絶縁されている。それはＰＦＬの出力に接続され、また、異なる数の段に構成してイオンビーム源に伝達するための所望の電圧を達成することができる。ＬＩＶＡ２０は、各々が２５０ｋＶの１０段を持つように構成されたときには、２．５ＭＶ、２．９ｋＪのパルスを１２０Ｈｚの割合でイオンビーム源に伝達することができる。多くのイオンビーム処理のために、ＬＩＶＡは各々が２５０ｋＶの４段を持つように構成され、そのＬＩＶＡは合計１．０ＭＶをイオンビーム源に伝達した。しかし、その電圧はＬＩＶＡ内の段の数を変えることによって増減させて特定の材料の処理の必要性に適合させることができる。ＬＩＶＡ２０の設定上の出力パルスはＰＦＬによってそれに供給されたものと同じである。つまり、１５ｎｓの立上がりおよび下降時間並びに６０ｎｓＦＷＨＭ（全幅半値）の台形である。図７Ｃは４段のＬＩＶＡの断面を示す。その４段３２０、３２２、３２４および３２６は図示のように積み重ねられていて、正パルスをＰＦＬからケーブル３２１、３２３、３２５および３２７を経由して送る。それらの段はギャップ３３０によって離隔され、冷却のために変圧器油から囲まれている。各ＬＩＶＡからの出力は加算されて信号合計パルスを概略２５で示すイオンビーム源に伝達する。それは部分的に図示する真空チャンバ３３２内に配置されている。ＰＦＬを用いたのと同様に、ＬＩＶＡの外側シェルは接地してある。説明したように、電力供給装置Ｐ（図７）は、６０ｎｓパルス内でパルスごとのエネルギーを最大２．５ｋＪまで伝達する１２０Ｈｚのパルス反復速度で連続的に作動することができる。個々で説明した、その特定の電力供給装置は０．２５−２．５Ｍｅｖのイオンビームエネルギーを持つ約２０−１０００ｎｓの持続時間のパルス出力信号を供給することができる。その電力装置はコンセントから適合負荷に供給されたエネルギーまでの５０％の電気的効率で作動することができる。その電力供給装置Ｐは低損失パルス圧縮段と例えば低損失の磁気材料およびソリッドステート部品とを用いてＡＣ出力を短くて高い電圧のパルスに変換する。低損失磁気材料を備える複数の誘導アダーを用いて電圧を積み重ねることによって２５０ｋＶ又はそれより小さな電圧から数ＭＶを作り出す能力は、高電圧が必要な場合の原理的な特徴であるが、単一段のパルス供給を用いることも可能であり、これにより、アダーの必要性を排除できる。電力供給装置は比較的低いインピーダンス（＜１００Ω）で作動することができ、それはまたこの装置を変圧器使用装置のような多くの他の反復電力供給技術から切り離してセットする。この特徴により、処理領域と未処理領域との間の変化するところで発生するエッジ効果を減少するために、単一パルスを用いて高速処理速度及び広い領域の処理（５から１０００cm²より広い）が可能になる。パルスイオンビーム装置の第２の構成要素はＭＡＰイオンビーム源２５（図８に示す）である。そのＭＡＰイオンビーム源は、電力供給装置から効率的にパルス出力信号を利用して気相分子を高エネルギーパルスイオンビームに変えるために、反復的にかつ効率的に作動することができる。それはまた特定の応用のために必要な場合には単一ショットモードで作動することができる。イオンビームの先行核はイオンダイオードであり、それは、概略、J.B．Greenly他の"Plasma An ode Ion Diode Research at Cornell: Repetitive Pulse and 0.1TW Single Pul se Experiments"Proceedings、8th、Intl．Conf．高出力素粒子ビーム(1990)に説明されており、その全体を参考までにここに組み入れる。その文献のイオンダイオードは上述の本願発明で用いているイオンダイオードとはかなり異なるが、その文献における背景技術の説明は利益がある。本願発明の原理によるイオンビーム源２５は図８に示す。そのイオンビーム源２５は磁気閉じ込めアノードプラズマ（ＭＡＰ）源である。図８はイオンビームつまりＭＡＰ２５の対称の一方の側の部分断面図である。イオンビームつまりＭＡＰ２５は環状のイオンビームＫを作り、それは図示する軸線Ｘ−Ｘ４００を中心として対称的に広い焦点に焦点合わせをすることができる。カソード電極組立体３０においては、低速（１ｍｓの立上がり時間）磁界コイル４１４が磁束Ｓ（図８Ａに示すように）を形成し、それはカソード４１２とアノード４１０との間に加速ギャップの磁気絶縁を提供する。アノード電極４１０は磁束形成器としても機能する。低速コイル４１４は隣接する水ライン（図示せず）によって冷却され、構造３０に組み込まれてカソード４１２及び低速コイル４１４を保持する。その図に示されたＭＡＰ構造の主要な部分は約１８cmの高さ及び幅を持つ。そのＭＡＰイオンダイオードの全体は、装置の中心軸線４００を中心に図８の詳細断面図を回転して筒上の装置を形成すると視覚化することができる。全断面図を図９に示す。ＭＡＰ２５のイオンビームは以下のように作動する。アノード組立体３５内に配置された高速ガスバルブ組立体４０４が瞬間的な（２００μｓ）ガスパフを作り、それが超音波ノズル４０６を通過してガスの非常に局所的な体積を作り、絶縁構造４２０内に配置された高速駆動コイル４０８の表面の全面に直接供給される。そのノズルは非イオン化ガスの横向き流れがアノード４１０とカソード４１２との間のギャップに流れ込むことを阻止する。１msの誘導電磁界を用いてガスを予備的にイオン化した後、高速駆動コイル４０８は高速キャパシタ１５０から十分に付勢され、そのガス体積に２０ｋＶのループ電圧を誘導し、完全にイオン化するためのブレークダウンを駆動し、そしてその結果得られたプラズマを約１．５μｓまたはそれ以下の時間内でアノード電極に向かって移動して薄い磁気閉じ込めプラズマ層を形成する。そのプラズマはそのＢ＝０領域、斜線の位置で低速コイル４１４によって作られた絶縁磁界Ｓの前の位置で瞬間的に不活発になり、上述のＬＩＶＡからアノード４１０で供給される主要な加速正電荷パルスの供給を待つ。ガスは、小さな共鳴キャパシタ１６０を高速コイルと並列に配置することによって効率的に予備イオン化をすることができる。その共鳴回路によって作られた磁界振動はアノード高速コイルの全面でガスを予備イオン化する。その回路の概略図を図８Ｃに示す。主パルスを高速コイルに供給する前に、高速コイルとアノードとの間のギャップ内の磁界の構成を調節する性能を持って予備イオン化ステップの前のパフガスパルス内のプラズマの配置の初期位置を調節することには利益があることもわかっている。それは、低速バイアスキャパシタ１８０及び保護回路を提供するすることによって実行でき、両方とも高速コイルと並列に組み込まれ、制御可能なスイッチＳ２によってそれから切り離されている。低速バイアス磁界は、従って、高速コイルによるガスの予備的イオン化の前に形成される。その回路も図８Ｃに示す。図８Ｃに示す高速コイル用の電気回路の説明において、バイアス磁界キャパシタ１８０は、その主要キャパシタパルスが始動する前に、高速コイル内の１マイクロ秒より長い立上がり時間の電流を駆動する。これにより、高速キャパシタ電流によって作られた磁界構造の調節を行うことができる。高速キャパシタ１５０は高速コイル内の１マイクロ秒の立上がり時間のパルスを駆動する。予備的イオン化キャパシタ１６０は高速コイルに電圧を発生させて１マイクロ秒より非常に小さな期間で共鳴して、イオン化すべきガス内に大きな振動電界を誘導してガスを部分的にイオン化する。高速コイル４０８によって形成された共鳴磁界はイオン化されたガスを高速コイルから離すように押し、低速コイル４１４からの予備的に存在する磁界に反してそれを不活発化する。予備イオン化の後に、上述の通り高速コイルは十分に付勢されてガスを完全にプラズマにブレークダウンする。このパルスの後、磁界は高速コイルに戻るように崩壊し、それは抵抗負荷に接続され、それは次にヒートシンク（図示せず）に接続される。本願発明の実施例においては、保持構造内に冷却チャネルが用いられているが、他の方法を用いることができ比較的簡単である。その方法では高速コイル内に形成された熱は回避される。高速コイル４０８は様々な方法において基準高速コイルから再設計されているとともに上述のようにヒートシンクも再設計されている。高速コイルとアノード電極４１０との間のギャップは、必要な磁気的エネルギーの量が５０％を越えるまで減少されたという結果によって減少されている。低いエネルギーで十分であるのでより高い周波数で反復使用が可能となり、さらに、高速コイル用の電圧を供給する装置の複雑性を減少することができる。新たなフラックス形成アノード電極組立体もそれらの利益ある結果の一因となる。電力源からのパルス出力信号はアノード組立体３５に加えられ、プラズマからのイオンをを加速してイオンビームＫを形成する。イオンビームの抜き取りの瞬間の低速（Ｓ）及び高速（Ｆ）磁束構造を図８Ａに示す。高速コイルからのフラックスと低速コイルからのフラックスとの間の明確な分離をそこに示す。それはアノード４１０のフラックス形成効果によるとともに、前述のＭＡＰ参考論文に示唆されていたように、絶縁構造４２０内に配置された低速コイルの存在にもよって達成される。本願発明のＭＡＰイオンダイオードの低速コイルはＭＡＰのカソード領域内にのみに配置されている。カソード組立体内の低速コイルの位置に関連するアノードフラックス形成はＭＡＰ参考論文に示されたものとは異なり、高い繰り返し速度でそこに開示されたＭＡＰダイオードの維持動作が可能である。その構造により、Ｂ＝０ポイント（斜線）をアノード表面の近くに配置することができ、これにより、最小の回転又は回転しない抽出イオンビームを得ることができる。この最小の回転は処理すべき材料にビームを効率的に伝えるために必要である。図８Ｂはガスバルブ組立体４０４及び通路４２５の詳細図で、その通路はガスをバルブ４０４から高速コイル４０８の前面の領域まで伝える。通路４２５は慎重に設計されていて、高速コイルの局所的領域にガスを蓄積し、その領域を漏れでるものを最小にする。通路４２５の断面の詳細はガスパフの超音波伝達のために設計された。その設計は、容易に得られるガス流れのコンピュータプログラムを用いて従来技術の範囲内で行われた。ガスバルブフラッパー４２６は小さな磁気コイル４２８によって作動され、それはＭＡＰ制御装置からの作動指令があるとフラッパー４２６の開閉をおこなう。フラッパーバルブはそのフラッパーの底側端部４２７に枢軸留めされている。コイル４２８は高い熱伝導率のセラミックの保持構造４２９内に設けられており、それは次に他の構造（図示せず）にヒートシンクできるようになっている。別の例としては、コイルを取り囲む外部冷却ワイヤーがそのコイルから熱を抜き出すようにすることもできる。そのヒートシンクはＭＡＰの性能を維持するために必要である。ガスはフラッパーの基部の背面のプレナム４３１からバルブに供給される。そのプレナム４３１は図９に示すＭＡＰイオンダイオードの全体の中心コアに配置された大きなプレナムに接続されると目に見えるようになる。ノズル４０６内の真空圧はフラッパー４２６が開くとガスをＭＡＰに瞬間的に引き込む。そのノズルの機能は流れの方向のみにガスの流れを指向してそれを横切る方向ではないようにすることである。その様な横方向の流れはガスをアノードとカソードとの間のギャップに指向して有害なアーク放電及び他の影響を引き起こす。上述の高速コイルアノードギャップの減少によりノズルの設計がＭＡＰの順調な動作のために非常に重要になる。幸運にも、ガス流れ設計機器は入手することができ、改良されたガス流れ（高いマッハ数）及び最小の境界効果を持つノズルを開発するために用いられた。その改良されたノズルは高速コイルとアノードの隣接端部都の間のギャップに向かって拡大された開口を持ち、それは、参考のＭＡＰ内の直線平面の６mmの導管の代わりに、９から１５mmまでのテーパー状となっている。パフバルブ内のガスの作動圧力は５−２５psigの範囲から２５−４０psigの範囲まで高められている。実験により、その新たな設計の結果のＭＡＰ動作が非常に改良されたことが確認できた。本願発明に係るイオンダイオードはいくつもの点において従来のイオンダイオードとは区別することができる。パルスごとのその低いガス負荷のため、ＭＡＰ内の真空が容易に回復できて１００Ｈｚまでさらにそれを越える動作を維持することができる。上述のとおり、磁気の形態は以前のイオンダイオードとは基本的に異なる。従来のダイオードは回転ビームを作り出した。そのビームは、イオンビームがそのダイオード内で発生された後に強力な軸線方向の磁界に伝搬するような応用に用いられていた。本願発明に係る装置は、イオンビームがダイオードから抽出されて材料表面まで無磁界空間を２０−３０cmの最小の距離伝搬する。従来のイオンダイオードの磁界構造はそのような作動を行うことができない。その理由は、それらのイオンビームはそれらのダイオードの形状から力を受けて正味の磁束を横切りその結果回転するからである。そのようなビームは瞬時に分散し、本願発明の目的には役に立たない。低速コイル（ダイオード絶縁磁界コイル）をダイオードギャップのカソード側に移動することによって、ビームに対する磁界交差を取り除くがアノードプラズマ源のために磁気装置の全体的な再設計を必要とした。上述の高速コイルの変更により、以前の構造と比べて少ない５−１０回のエネルギーだけで足りる。その変更は以下の事項を含む。ダイオードのアノード側の低速コイル及びそれに関連する供給器を除去すること、磁界形成及びアノードプラズマを部分的な磁界貫通電極の使用を通じてアノード電極構造に接触させる間によりよい制御をすること、従来のイオンダイオードから別の予備イオン化コイルを除去すること、高速コイルに接続した回路によって「バイアス」電流を供給して磁界を調節してアノードプラズマ表面を正しいフラックス表面に配置し、これにより、ビームの回転を除いてそのビームが最適に伝搬及び集束できるようにすること、そして、ガスノズルを再設計してガスをより良く局所化し、それにより、高速コイルをダイオードギャップに接近して配置することができ、そして次にエネルギー要求及び高速コイル駆動装置の複雑性を減少させることである。プラズマはさまざまな気相分子を用いて形成することができる。装置はどのようなガス（水素、ヘリウム、酸素、窒素、フッ素、ネオン、塩素及びアルゴンを含む）または気か可能は液体又は金属（リチウム、ベリリウム、ホウ素、炭素、ナトリウム、マグネシウム、シリコン、燐、硫黄及びカリウムを含む）も用いることができ、これにより、イオンの純粋な供給源を作ることができ、その供給源に供給されたガス以外のどの様な構成要素も消耗させたり損傷を与えることがない。イオンビームＫは真空（〜１０^-3）内を２０−３０cm伝搬して、図９に示すように、目標平面１９５の広い焦点領域（最大１０００cm²）に達する。そこでは、材料サンプルは処理のために置かれており。５cm²から１０００cm²を越えるまで熱的に変形することができる。イオンビームつまりＭＡＰ源２５は、１００Ｈｚの反復パルス速度で連続的に作動することができて長い成分寿命＞１０⁶を持つ。イオンビームつまりＭＡＰ源２５は、本願発明の原理によると、イオンをプラズマアノードから引き出し、単一パルスイオンビーム源に用いられているソリッド絶縁表面のフラッシュオーバーアノードではない。フラッシュオーバーアノードを用いると、材料の表面にさまざまな汚染を生じさせ、ときには有害な結果となる。ここで開示した改良されたＭＡＰ源を用いる重要な利点の１つは、ガス源の成分を制御することによってイオンビーム内の成分を正確に制御行える点である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ

Claims

【特許請求の範囲】１パルスイオンビームを用いてポリマーを処理する方法であって、高エネルギーイオンの少なくとも１つのパルスを用いてポリマーの表面を照射する工程であって、空間的に隣接するパルスの各々が１０マイクロ秒より短い持続時間と０．０１と１０Ｊ／cm²との間の流束量を持つとともに約２５ｋｅＶを越えるイオン運動エネルギーを持つような工程を含む方法。２請求項１の方法において、前記パルスが、１Ｈｚより大きな繰り返し速度でポリマーの表面を繰り返し横切る方法。３請求項１の方法において、前記イオン流束量は前記ポリマー内にイオントラック密度を作る程度であり、これにより、異なるイオントラックに沿って生成された反応生成物が該反応生成物の結合時間内で互いに相互作用する高い可能性を持つようになる方法。４請求項１の方法において、第２層の材料を前記ポリマーの上方に配置する工程をさらに含み、これにより、前記第２層及び前記ポリマーの表面を照射すると、前記第２層が前記ポリマーの表面と結合するようになる方法。５請求項１の方法において、前記ポリマーが照射の後に結合する材料を覆う層として前記ポリマーが存在する方法。６請求項１の方法において、前記ポリマーの表面の上方にマスク層を配置する工程をされに含み、これにより、前記ポリマーの下方の領域を前記パルスイオンビームの影響から遮蔽する方法。７請求項６の方法において、前記イオン流束量は前記マスク層によって遮蔽されていないポリマーの領域をエッチングにより取り除くのに十分である方法。８請求項１の方法において、前記ポリマーの表面が熱分解されることになる方法。９請求項１の方法において、照射されたポリマーが架橋される方法。 10 請求項１の方法において、処理された層の導電率が変わる方法。 11 請求項１の方法において、処理された層の光強度が変わる方法。 12 請求項１の方法において、強度が増加しかつスクラッチ抵抗性を持つ方法。 13 請求項１の方法において、溶解及び環境的損失への抵抗性が高まる方法。 14 請求項１の方法において、前記照射は、前記ポリマーの化学的結合を分裂させるのに十分な強度であるが、その程度は、該分裂結合が再結合すると新たな化学的合成物の形状となる程度である方法。 15 請求項１の方法において、前記照射の領域は、連続的な処理されたポリマー表面を形成するために、前記ポリマーを横切って重なるようにシフトする方法。 16 請求項１の方法において、前記イオンは気相分子から作られるイオンである方法。 17 請求項１６の方法において、前記気相分子はＨ、Ｈｅ、Ｎ及びＡｒから構成されるグループから選択される方法。 18 請求項１の方法において、前記ポリマーは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、ポリイミド、マイラー(Mylar)及びそれらの合成物からなるグループから選択される方法。 19 請求項１の方法において、前記照射によって前記表面の粘性が変わる方法。 20 請求項１の方法において、前記照射は前記表面の形態を変える方法。 21 請求項１の方法において、前記照射によって前記表面がエッチングされる方法。 22 請求項１の方法において、前記ポリマーに供給されたパルスごとの熱及びパルス間の間隔はポリマーの熱によって誘導される劣化が最小となる程度である方法。 23 請求項２の方法において、連続的導通の期間が２分より大きい方法。 24 請求項３の方法による生成物。