JPH0950978A - 液相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法 - Google Patents
液相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法Info
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- JPH0950978A JPH0950978A JP21965495A JP21965495A JPH0950978A JP H0950978 A JPH0950978 A JP H0950978A JP 21965495 A JP21965495 A JP 21965495A JP 21965495 A JP21965495 A JP 21965495A JP H0950978 A JPH0950978 A JP H0950978A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応性の高い液相エピタキシャルウエーハに
異物として残留するＧａを的確・迅速に除去する。 【解決手段】 界面活性剤を含む洗浄液２１を洗浄槽２
に貯溜し、ヒータ４により温度３５℃以上に加熱してお
き、ウエーハＷの多数枚を収納したウエーハ容器１１を
洗浄液に浸漬した後、超音波振動子３を作動させる。残
留Ｇａは、界面活性剤と超音波受振の相乗効果によりウ
エーハ表面から迅速・容易に未溶解で離脱除去され、洗
浄槽２１下部に沈澱する。したがって、ウエーハに化学
的損傷・機械的損傷のいずれも与えることなく、残留Ｇ
ａを短時間にバッチ処理で完全に除去することができ
る。上記除去操作の自動化も可能であるうえ、使用後の
洗浄液を沈澱物（Ｇａ）−液（洗浄液）分離することで
容易、かつ安価にＧａを回収することができる。
異物として残留するＧａを的確・迅速に除去する。 【解決手段】 界面活性剤を含む洗浄液２１を洗浄槽２
に貯溜し、ヒータ４により温度３５℃以上に加熱してお
き、ウエーハＷの多数枚を収納したウエーハ容器１１を
洗浄液に浸漬した後、超音波振動子３を作動させる。残
留Ｇａは、界面活性剤と超音波受振の相乗効果によりウ
エーハ表面から迅速・容易に未溶解で離脱除去され、洗
浄槽２１下部に沈澱する。したがって、ウエーハに化学
的損傷・機械的損傷のいずれも与えることなく、残留Ｇ
ａを短時間にバッチ処理で完全に除去することができ
る。上記除去操作の自動化も可能であるうえ、使用後の
洗浄液を沈澱物（Ｇａ）−液（洗浄液）分離することで
容易、かつ安価にＧａを回収することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャルウ
エーハの洗浄方法に関し、詳しくは、液相エピタキシャ
ルウエーハに異物として付着残留するＧａを除去する方
法に関する。
エーハの洗浄方法に関し、詳しくは、液相エピタキシャ
ルウエーハに異物として付着残留するＧａを除去する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオードの主たる材料とし
てＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰな
どのIII −Ｖ族化合物半導体が使用されている。これら
発光ダイオードは、通常液相成長用溶液としてＧａ溶液
を用いた液相エピタキシャル成長法（以下、ＬＰＥ法と
いう。）により、ＧａＰ或いはＧａＡｓ等の半導体基板
上に更に複数の半導体層を、積層してｐｎ接合を有する
エピタキシャルウエーハ（液相エピタキシャルウエー
ハ）を作製し、これを素子化することにより得られる。
また、液相エピタキシャル成長装置として、例えば特開
平５−２９１１５７号公報に、基板立て置き型の液相エ
ピタキシャル成長装置が開示されている。この成長装置
では、基板の裏面にＧａ融液を塗り、該塗布側の面を保
持部材に押し付け、擦りつけるようにして回転させるこ
とにより、基板を前記保持部材に貼り付ける方法がとら
れている。このようにＧａはＬＰＥ法において、液相成
長用Ｇａ溶液（Ｇａ融液にエピタキシャル成長層となる
結晶材料等（溶質）を溶解したＧａ溶液）の溶媒とし
て、または基板固定用の貼り付け材として使用される。
てＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰな
どのIII −Ｖ族化合物半導体が使用されている。これら
発光ダイオードは、通常液相成長用溶液としてＧａ溶液
を用いた液相エピタキシャル成長法（以下、ＬＰＥ法と
いう。）により、ＧａＰ或いはＧａＡｓ等の半導体基板
上に更に複数の半導体層を、積層してｐｎ接合を有する
エピタキシャルウエーハ（液相エピタキシャルウエー
ハ）を作製し、これを素子化することにより得られる。
また、液相エピタキシャル成長装置として、例えば特開
平５−２９１１５７号公報に、基板立て置き型の液相エ
ピタキシャル成長装置が開示されている。この成長装置
では、基板の裏面にＧａ融液を塗り、該塗布側の面を保
持部材に押し付け、擦りつけるようにして回転させるこ
とにより、基板を前記保持部材に貼り付ける方法がとら
れている。このようにＧａはＬＰＥ法において、液相成
長用Ｇａ溶液（Ｇａ融液にエピタキシャル成長層となる
結晶材料等（溶質）を溶解したＧａ溶液）の溶媒とし
て、または基板固定用の貼り付け材として使用される。
【０００３】ところがＬＰＥ法では、液相成長用溶液と
して前記Ｇａ溶液が利用されるため、液相エピタキシャ
ルウエーハの表面或いは端部にＧａが付着物として残留
する。また、ＧａをＧａＰ基板或いはＧａＡｓ基板を保
持部材に固定するための貼り付け材として用いた場合に
は、Ｇａが液相エピタキシャルウエーハの裏面に、付着
状態で残留する。
して前記Ｇａ溶液が利用されるため、液相エピタキシャ
ルウエーハの表面或いは端部にＧａが付着物として残留
する。また、ＧａをＧａＰ基板或いはＧａＡｓ基板を保
持部材に固定するための貼り付け材として用いた場合に
は、Ｇａが液相エピタキシャルウエーハの裏面に、付着
状態で残留する。
【０００４】上記残留Ｇａを除去する方法として、特開
昭６１−２０８８３４号公報に記載のものがある。この
方法では、液相エピタキシャルウエーハを塩酸溶液また
は水酸化ナトリウム溶液中で高速回転させ、残留Ｇａを
溶解することにより除去している。
昭６１−２０８８３４号公報に記載のものがある。この
方法では、液相エピタキシャルウエーハを塩酸溶液また
は水酸化ナトリウム溶液中で高速回転させ、残留Ｇａを
溶解することにより除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】基板及び／又は液相エ
ピタキシャル層がＧａＰ或いはＧａＡｓである場合、こ
れらは塩酸溶液又は水酸化ナトリウム溶液に浸食され難
いため、これら溶液に浸漬してＧａを除去しても問題は
ない。しかしながら、基板及び／又は液相エピタキシャ
ル層がＧａＡｌＡｓのような反応性の高いものでは、上
記のような酸性溶液またはアルカリ性溶液で処理する
と、該基板及び／又は該液相エピタキシャル層表面がこ
れらの溶液に浸食されてしまうという問題があった。ま
た、残留Ｇａを溶解除去した後の溶液からＧａを回収す
るのが非常に困難であり、資源回収費が高くつくという
問題もあった。
ピタキシャル層がＧａＰ或いはＧａＡｓである場合、こ
れらは塩酸溶液又は水酸化ナトリウム溶液に浸食され難
いため、これら溶液に浸漬してＧａを除去しても問題は
ない。しかしながら、基板及び／又は液相エピタキシャ
ル層がＧａＡｌＡｓのような反応性の高いものでは、上
記のような酸性溶液またはアルカリ性溶液で処理する
と、該基板及び／又は該液相エピタキシャル層表面がこ
れらの溶液に浸食されてしまうという問題があった。ま
た、残留Ｇａを溶解除去した後の溶液からＧａを回収す
るのが非常に困難であり、資源回収費が高くつくという
問題もあった。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的は、基板及び／又は液相エピタキシャル成
長層が例えば反応性の高いＧａＡｌＡｓである液相エピ
タキシャルウエーハに残留するＧａを容易に除去するこ
とができるＧａ除去方法を提供することである。本発明
の別の目的は、上記残留Ｇａの除去操作の自動化を可能
にすることである。本発明の更に別の目的は、Ｇａ除去
に使用した洗浄液からＧａを容易に回収できるようにす
ることである。
で、その目的は、基板及び／又は液相エピタキシャル成
長層が例えば反応性の高いＧａＡｌＡｓである液相エピ
タキシャルウエーハに残留するＧａを容易に除去するこ
とができるＧａ除去方法を提供することである。本発明
の別の目的は、上記残留Ｇａの除去操作の自動化を可能
にすることである。本発明の更に別の目的は、Ｇａ除去
に使用した洗浄液からＧａを容易に回収できるようにす
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、液相エピタキ
シャルウエーハに付着異物として残留するＧａを除去す
るに際し、前記液相エピタキシャルウエーハを、界面活
性剤を含む洗浄液中で振動洗浄することを特徴とする液
相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法である。
シャルウエーハに付着異物として残留するＧａを除去す
るに際し、前記液相エピタキシャルウエーハを、界面活
性剤を含む洗浄液中で振動洗浄することを特徴とする液
相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法である。
【０００８】本発明では、前記洗浄液として、水及び／
又はアルコール類（例えば、エチレングリコール）に少
なくとも界面活性剤を添加した溶液が用いられる。本発
明では前記洗浄液中に振動動作（例えば、超音波振動）
を与えるため、洗浄液の洗浄作用と振動動作による相乗
効果によって、ウエーハに化学的損傷、機械的損傷のい
ずれも生じることなく、液相エピタキシャルウエーハの
残留Ｇａを容易に除去することができる。
又はアルコール類（例えば、エチレングリコール）に少
なくとも界面活性剤を添加した溶液が用いられる。本発
明では前記洗浄液中に振動動作（例えば、超音波振動）
を与えるため、洗浄液の洗浄作用と振動動作による相乗
効果によって、ウエーハに化学的損傷、機械的損傷のい
ずれも生じることなく、液相エピタキシャルウエーハの
残留Ｇａを容易に除去することができる。
【０００９】界面活性剤としては、例えばアニオン系界
面活性剤、カチオン系界面活性剤、非イオン系界面活性
剤、両性界面活性剤、高分子系界面活性剤等が用いられ
る。前記洗浄液は温度３５℃以上、沸点以下に加熱した
ものが好ましい。これは、洗浄液の温度を上記範囲内に
設定することにより、Ｇａを熔融した状態で除去処理で
きるため、洗浄効果が著しく向上するからである。洗浄
液として、界面活性剤を含む溶液を、上記範囲内の温度
に加熱して使用することにより残留Ｇａを完全に、しか
も短時間に除去することができる。洗浄液に与える超音
波振動の周波数は、洗浄効果の観点から２０ｋＨｚ〜５
０ｋＨｚに設定するのが好ましい。
面活性剤、カチオン系界面活性剤、非イオン系界面活性
剤、両性界面活性剤、高分子系界面活性剤等が用いられ
る。前記洗浄液は温度３５℃以上、沸点以下に加熱した
ものが好ましい。これは、洗浄液の温度を上記範囲内に
設定することにより、Ｇａを熔融した状態で除去処理で
きるため、洗浄効果が著しく向上するからである。洗浄
液として、界面活性剤を含む溶液を、上記範囲内の温度
に加熱して使用することにより残留Ｇａを完全に、しか
も短時間に除去することができる。洗浄液に与える超音
波振動の周波数は、洗浄効果の観点から２０ｋＨｚ〜５
０ｋＨｚに設定するのが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照しながら説明する。図１は超音波洗浄装置の概略縦断
面図、図２はＧａ除去前のエピタキシャルウエーハの表
面状態を示す側面断面図、図３はＧａ除去作用を説明す
る側面断面図である。図１に示す超音波洗浄装置１は、
洗浄槽２の底部に超音波振動子３を設け、洗浄槽２の側
壁にヒータ４を設けたものである。このヒータ４として
は電熱式、加熱媒体を流過させる蛇管式など、公知構造
のものが採用できる。このヒータ４は、洗浄槽２内の洗
浄液２１の温度変動幅を５℃以内に制御できるものであ
ることが好ましい。
照しながら説明する。図１は超音波洗浄装置の概略縦断
面図、図２はＧａ除去前のエピタキシャルウエーハの表
面状態を示す側面断面図、図３はＧａ除去作用を説明す
る側面断面図である。図１に示す超音波洗浄装置１は、
洗浄槽２の底部に超音波振動子３を設け、洗浄槽２の側
壁にヒータ４を設けたものである。このヒータ４として
は電熱式、加熱媒体を流過させる蛇管式など、公知構造
のものが採用できる。このヒータ４は、洗浄槽２内の洗
浄液２１の温度変動幅を５℃以内に制御できるものであ
ることが好ましい。
【００１１】残留Ｇａを除去するに際しては、まず、水
５リットルに界面活性剤（例えば、アルコノックス社製
のアルコノックス、ジョンソン社製のジョンソン無リン
フォワード等の市販の界面活性剤が使用できる）を１５
０ｇ添加した洗浄液２１を洗浄槽２に貯溜し、これをヒ
ータ４により所定温度に加熱する。把手１２を設けたフ
ッ素樹脂製のウエーハ容器１１に、成長炉から取り出さ
れた直後の液相エピタキシャルウエーハＷの多数枚を、
ウエーハ表面が鉛直方向に沿うように収納し、把手１２
を把持してウエーハ容器１１を洗浄液２１に浸漬した
後、超音波振動子３を作動させる。
５リットルに界面活性剤（例えば、アルコノックス社製
のアルコノックス、ジョンソン社製のジョンソン無リン
フォワード等の市販の界面活性剤が使用できる）を１５
０ｇ添加した洗浄液２１を洗浄槽２に貯溜し、これをヒ
ータ４により所定温度に加熱する。把手１２を設けたフ
ッ素樹脂製のウエーハ容器１１に、成長炉から取り出さ
れた直後の液相エピタキシャルウエーハＷの多数枚を、
ウエーハ表面が鉛直方向に沿うように収納し、把手１２
を把持してウエーハ容器１１を洗浄液２１に浸漬した
後、超音波振動子３を作動させる。
【００１２】図２に示すように、Ｇａ除去前のウエーハ
Ｗでは、残留Ｇａ３１がウエーハ表面に波状に付着して
いる。この残留Ｇａ３１は、洗浄槽２内において図３に
示すように、超音波受振と界面活性剤の作用により球状
になり（ウエーハに対する濡れ性が低下する）、更に洗
浄液２１およびウエーハＷの超音波受振によって、前記
球状の残留Ｇａ３１はウエーハＷ表面から離脱し、自重
により洗浄液２１中を沈降し沈澱する。この場合、洗浄
液２１の温度が３５℃以上であれば、残留Ｇａ３１の球
状化及び離脱が容易に起こるので、常温の洗浄液を使用
した場合に比べて、残留Ｇａ３１の除去効果が著しく向
上する。残留Ｇａを除去したウエーハは、搬送装置（図
示せず）によりウエーハ容器１１ごと洗浄槽２から引き
上げ、純水洗浄槽（図示せず）においてリンスする。洗
浄槽２には残留Ｇａ除去前のウエーハを収納した別のウ
エーハ容器をセットし、同様にして残留Ｇａの除去操作
を行う。
Ｗでは、残留Ｇａ３１がウエーハ表面に波状に付着して
いる。この残留Ｇａ３１は、洗浄槽２内において図３に
示すように、超音波受振と界面活性剤の作用により球状
になり（ウエーハに対する濡れ性が低下する）、更に洗
浄液２１およびウエーハＷの超音波受振によって、前記
球状の残留Ｇａ３１はウエーハＷ表面から離脱し、自重
により洗浄液２１中を沈降し沈澱する。この場合、洗浄
液２１の温度が３５℃以上であれば、残留Ｇａ３１の球
状化及び離脱が容易に起こるので、常温の洗浄液を使用
した場合に比べて、残留Ｇａ３１の除去効果が著しく向
上する。残留Ｇａを除去したウエーハは、搬送装置（図
示せず）によりウエーハ容器１１ごと洗浄槽２から引き
上げ、純水洗浄槽（図示せず）においてリンスする。洗
浄槽２には残留Ｇａ除去前のウエーハを収納した別のウ
エーハ容器をセットし、同様にして残留Ｇａの除去操作
を行う。
【００１３】洗浄槽２内の洗浄液２１は適宜に、未使用
の清浄な洗浄液と交換する。この場合、未溶解・沈澱Ｇ
ａを含む洗浄液２１は、フッ素樹脂製の回収タンク（図
示せず）に排出する。この回収洗浄液を沈澱物（Ｇａ）
−液（洗浄液）分離することによりＧａを容易に回収す
ることができる。
の清浄な洗浄液と交換する。この場合、未溶解・沈澱Ｇ
ａを含む洗浄液２１は、フッ素樹脂製の回収タンク（図
示せず）に排出する。この回収洗浄液を沈澱物（Ｇａ）
−液（洗浄液）分離することによりＧａを容易に回収す
ることができる。
【００１４】この実施の形態では、液相エピタキシャル
ウエーハに付着異物として残留するＧａを除去するに際
し、ウエーハ容器に収納した多数枚のウエーハを、温度
３５℃以上の界面活性剤を含む水溶液中でＧａを球状化
しつつ超音波洗浄する。このため、ウエーハに化学的損
傷、機械的損傷のいずれも与えることなくＧａを完全・
容易に、かつ短時間にバッチ処理で除去することができ
る。また、洗浄槽の運転操作、ウエーハ容器の昇降・搬
送操作等を自動化することで、残留Ｇａの除去操作を自
動的に行うことができる。更に、洗浄に使用した後の洗
浄液（Ｇａは未溶解状態で回収タンク下部に沈澱してい
る）を沈澱物（Ｇａ）−液（洗浄液）分離することによ
り、Ｇａを容易に、しかも安価に回収することができ
る。
ウエーハに付着異物として残留するＧａを除去するに際
し、ウエーハ容器に収納した多数枚のウエーハを、温度
３５℃以上の界面活性剤を含む水溶液中でＧａを球状化
しつつ超音波洗浄する。このため、ウエーハに化学的損
傷、機械的損傷のいずれも与えることなくＧａを完全・
容易に、かつ短時間にバッチ処理で除去することができ
る。また、洗浄槽の運転操作、ウエーハ容器の昇降・搬
送操作等を自動化することで、残留Ｇａの除去操作を自
動的に行うことができる。更に、洗浄に使用した後の洗
浄液（Ｇａは未溶解状態で回収タンク下部に沈澱してい
る）を沈澱物（Ｇａ）−液（洗浄液）分離することによ
り、Ｇａを容易に、しかも安価に回収することができ
る。
【００１５】なお、本発明では、洗浄液２１に超音波振
動を付与するのと同時に、ウエーハＷを機械的に振動さ
せた場合には、前記球状化したＧａをウエーハＷ表面か
ら強制的に離脱することができるため、Ｇａ除去効果が
更に向上する。この機械的な振動は、単なる揺動でも効
果はあるが、振動の最大振幅の所で適宜の衝突部材に機
械的な衝突を起こさせ、衝突による衝撃により、ウエー
ハ上に液状で存在するＧａを振るい落とすのがより効果
的である。
動を付与するのと同時に、ウエーハＷを機械的に振動さ
せた場合には、前記球状化したＧａをウエーハＷ表面か
ら強制的に離脱することができるため、Ｇａ除去効果が
更に向上する。この機械的な振動は、単なる揺動でも効
果はあるが、振動の最大振幅の所で適宜の衝突部材に機
械的な衝突を起こさせ、衝突による衝撃により、ウエー
ハ上に液状で存在するＧａを振るい落とすのがより効果
的である。
【００１６】また、前記本発明の実施の形態では、洗浄
液として、界面活性剤を添加した水溶液を用いたが、界
面活性剤を含む溶液（例えば、アルコール類（例えば、
エチレングリコール）に界面活性剤を添加した溶液、水
とアルコール類（例えば、エチレングリコール）の混合
液に界面活性剤を添加した溶液等）であれば、本発明の
効果を達成できる。
液として、界面活性剤を添加した水溶液を用いたが、界
面活性剤を含む溶液（例えば、アルコール類（例えば、
エチレングリコール）に界面活性剤を添加した溶液、水
とアルコール類（例えば、エチレングリコール）の混合
液に界面活性剤を添加した溶液等）であれば、本発明の
効果を達成できる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば以下の効果が得られる。 （１）ＧａＡｌＡｓのような反応性の高いウエーハであ
っても、ウエーハに化学的損傷を与えることなく、残留
Ｇａを容易に除去することができる。 （２）洗浄液として、温度３５℃以上の界面活性剤を含
む溶液を使用するとともに、ウエーハを多数枚収納した
ウエーハ容器を洗浄液に浸漬して超音波洗浄すること
で、残留Ｇａを完全・容易に、かつ短時間にバッチ処理
で除去することができる。 （３）洗浄槽の運転操作、ウエーハ容器の昇降・搬送操
作等を自動化することにより、残留Ｇａの除去操作を自
動的に行うことができる。 （４）洗浄に使用した後の洗浄液は未溶解状態でＧａが
沈澱している溶液であるのでこの溶液を沈澱物（Ｇａ）
−液（洗浄液）分離することにより、Ｇａを容易、かつ
安価に回収することができる。
よれば以下の効果が得られる。 （１）ＧａＡｌＡｓのような反応性の高いウエーハであ
っても、ウエーハに化学的損傷を与えることなく、残留
Ｇａを容易に除去することができる。 （２）洗浄液として、温度３５℃以上の界面活性剤を含
む溶液を使用するとともに、ウエーハを多数枚収納した
ウエーハ容器を洗浄液に浸漬して超音波洗浄すること
で、残留Ｇａを完全・容易に、かつ短時間にバッチ処理
で除去することができる。 （３）洗浄槽の運転操作、ウエーハ容器の昇降・搬送操
作等を自動化することにより、残留Ｇａの除去操作を自
動的に行うことができる。 （４）洗浄に使用した後の洗浄液は未溶解状態でＧａが
沈澱している溶液であるのでこの溶液を沈澱物（Ｇａ）
−液（洗浄液）分離することにより、Ｇａを容易、かつ
安価に回収することができる。
【図１】本発明の実施の形態で使用した超音波洗浄装置
の概略縦断面図である。
の概略縦断面図である。
【図２】Ｇａ除去前のエピタキシャルウエーハの表面状
態を示す側面断面図である。
態を示す側面断面図である。
【図３】図１の実施の形態におけるＧａ除去作用を説明
する側面断面図である。
する側面断面図である。
１ 超音波洗浄装置 ２ 洗浄槽 ３ 超音波振動子 ４ ヒータ １１ ウエーハ容器 １２ 把持棒 ２１ 洗浄液 ３１ 残留Ｇａ Ｗ ウエーハ
Claims (5)
- 【請求項１】 液相エピタキシャルウエーハに付着異物
として残留するＧａを除去するに際し、前記液相エピタ
キシャルウエーハを、界面活性剤を含む洗浄液中で振動
洗浄することを特徴とする液相エピタキシャルウエーハ
の残留Ｇａ除去方法。 - 【請求項２】 前記振動洗浄は、超音波洗浄であること
を特徴とする請求項１に記載の液相エピタキシャルウエ
ーハの残留Ｇａ除去方法。 - 【請求項３】 前記洗浄液の溶媒は、水及び／又はアル
コール類であることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の液相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去
方法。 - 【請求項４】 前記アルコール類は、エチレングリコー
ルであることを特徴とする請求項３に記載の液相エピタ
キシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法。 - 【請求項５】 前記洗浄液の温度が３５℃以上、沸点以
下であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のい
ずれか１項に記載の液相エピタキシャルウエーハの残留
Ｇａ除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21965495A JPH0950978A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 液相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21965495A JPH0950978A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 液相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950978A true JPH0950978A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16738897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21965495A Pending JPH0950978A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 液相エピタキシャルウエーハの残留Ｇａ除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950978A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| JP2011077135A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の超音波洗浄条件決定方法及びこれを用いた基板洗浄装置 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP21965495A patent/JPH0950978A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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