JPH09505135A - 分析装置 - Google Patents

分析装置

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JPH09505135A
JPH09505135A JP7500406A JP50040695A JPH09505135A JP H09505135 A JPH09505135 A JP H09505135A JP 7500406 A JP7500406 A JP 7500406A JP 50040695 A JP50040695 A JP 50040695A JP H09505135 A JPH09505135 A JP H09505135A
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オスカー モロイ、ジェームズ
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ファイソンズ ピーエルシー
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Abstract

(57)【要約】 分析装置は、サンプルチャンバのベースを形成するバイオセンサーデバイス(3)を備える。スターラー(8)は前記サンプルチャンバ内へ延出し、前記チャンバ内を移動して前記バイオセンサー(3)に接触している前記チャンバ内に収容されたサンプルを均質化する。前記スターラー(8)の動作は好ましくは前記バイオセンサー(3)の表面に垂直な軸に沿った往復運動である。

Description

【発明の詳細な説明】 分析装置 本発明は、化学的又は生化学的種或いはそれらの相互作用の定性又は定量検出 のための分析装置に関する 近年においては溶液中の生化学的分析物の自動検出のための多数のデバイスが 提供されている。このようなデバイス(バイオセンサー)は一般に共鳴電界のエ バネッセント領域内に位置する感応化されたコーティング層を含む。分析物の検 出は、一般に光学的技術、例えば表面プラズモン共鳴(SPR)を使用し、該当 する層の分析物に対する相互作用から得られるコーティング層の厚さ及び/又は 屈折率における変化に基づいて行われる。このことは例えば共鳴の角度位置にお いて変化を生じる。 他の光学的バイオセンサーは光線を伝搬する導波路を含む。このデバイスの光 学的特性は導波路の表面に生じた変化に影響される。光学的バイオセンサーの一 つの形態は漏れ全反射に基づく。漏れ全反射(FTR)の原理は周知である。こ の技術に関しては、例えば、Bossacchi(ボサッキ)及びOehrle(オールリ)著 の「応用光学」(1982年発行、第21章、2167乃至2173頁)に記載 されている。免疫アッセイに使用するためのFTRデバイスは、欧州特許出願第 0205236Aに記載されており、一つの側が調査中のサンプルによって、他の側がス ペーサ層によって境界付けられたキャビティー層を有し、スペーサ層は引き続い て基板上に載置される。基板−スペーサ層の界面は全反射を生じるように単色放 射線によって照射され、結合したエバネッセント電界はスペーサ層を透過する。 スペーサ層の厚さが正確であり、入射した光の平行な波動ベクトルが共鳴モード 伝搬定数の内の一つと整合した場合、全反射は漏洩して放射線はキャビティ層へ 結合する。キャビティ層は、スペーサ層より高い屈折率を有し且つ入射放射線の 波長において透過性である材料から構成されなければならない。 全てのこのようなデバイスにおいては熱による影響が原因となる問題が生じる 。正確な結果を得るため、サンプルが周囲物と良好に均衡化されると共にほぼ同 等な測定が一定温度で実行されるのを確実とすることが必須である。更に、サン プル中に発生する非均質性又は輸送現象に起因して欠陥を生じることもある。 上記の欠点を克服するか又は実質的に軽減する分析装置が考案されている。 本発明によれば、バイオセンサーデバイスと、当該バイオセンサーデバイスに 隣接しているサンプルチャンバと、サンプルチャンバ内へ延出しているスターラ ーと、サンプルチャンバ内でスターラーを移動させる手段を有する分析装置とが 提供されている。 本発明による装置は、主として、モータ駆動のスターラー(攪拌器)が、組成 と温度に関してサンプルの均質性及び均一性を事実上瞬時に提供する点で有利で ある。このことが感応されたコーティングのより大きな領域を使用可能とし、従 ってより高い感度が得られる。この装置は公知のシステムに比べて重要な利点を 提供する。このような公知のシステムにおいては、反応動力学が流体力学に大き く依存していると共にこの流体力学によってしばしば悪影響を受けるので、サン プルチャンバはサンプルがポンプ式に送られる流動セルとされている。 本発明による装置はサンプル中の分析物種又は当該分析物種の相互作用におけ る定量又は定性検出において有用である。この装置は特定の分子種の存在及び/ 又は濃度の検出のために使用されるだけでなく、分子種がバイオセンサーの表面 と相互作用したり、或いは当該表面又は当該表面の近くで分子種が他の分子種と 相互作用する任意の方法をモニタするためにも使用される。例えば、調査下のパ ラメータはバイオセンサー表面に対する分子種の結合親和性であってもよい。 概して、スターラーは細長いスターラーシャフトを有する。使用中、シャフト はサンプル流体中にあるサンプルチャンバ内のある点で終端することができる。 或いは、シャフトはサンプルチャンバ内へ貫入された更なる構成部分と接合され てもよい。 スターラーをサンプルチャンバ内で移動させる手段は好ましくは電気又は電磁 モータによって行われる。いくつかの適用、例えば、特別に高い周波数が必要と される適用に対しては圧電デバイスが適切である。 スターラーへ付与される動作は回転動作であってもよい。このような場合、使 用中、サンプル中に浸漬されたスターラーの部分は好ましくは適切な櫂(パドル )部を備える。櫂部はサンプルの有効な均質化を生じるためにあらゆる適切な形 態を取ることができる。最も好ましくは、櫂部はバイオセンサーデバイスの感応 面に平行な平面内で回転する。櫂部と感応面のクリアランス(間隙)は好ましく は1mm以下であり、より好ましくは0.5mm以下、例えば、0.2mmが好 ましい。 しかしながら、好ましくは、このスターラーは回転式スターラーではなく、振 動式スターラーである。最も好ましくは、スターラーの運動は往復運動であり、 この運動は、例えば、バイオセンサーの感応面にほぼ垂直な軸に沿って行われる 。 また、使用中、サンプル中に浸漬されたスターラーの部分は、好ましくは、サ ンプルの混合を容易にする為に適した部分を備える。一つの好ましい実施の形態 において、このような部分は上面と下面が開口された中空の切頭円錐の形態を取 っている。 スターラー部へ往復運動を付与する手段は好ましくは電磁的である。最も好ま しくは、スターラーシャフトの上端はワイヤコイルを巻取ったフォーマー(巻枠 )と固定的に接合されている。コイルへ交流が印加された時にフォーマーに続い てシャフトがこの印加された電流の周波数において振動するように当該フォーマ ーは永久磁石を囲繞する。 フォーマーを正しい位置に保持する為及び往復運動の範囲を制限する為、シャ フト/フォーマーアセンブリは好ましくは磁石に相対して固定された位置で保持 されている可撓性膜へ固定される。 スターラー部の往復周波数は一般に約数十乃至数百ヘルツ(Hz)である。こ の周波数は、例えば約250Hzまで一般に100乃至150Hzであってよい 。 スターラー部は好ましくは±1mm、より好ましくは±0.5mm未満の距離 を往復する。好ましくは、スターラー部の停止位置は、当該スターラー部のバイ オセンサーデバイスの感応面からの分離が、最も接近したポイントで0.5mm 未満になるように設定される。例えば、停止位置は表面より0.5mm上であり 往復運動の範囲が±0.3mm未満であってもよく、これによりスターラー部は 最大となる位置で表面より0.2mm乃至0.8mm上を振動することになる。 所望されれば、測定過程のあらゆる段階でスターラー部がスイッチオフ可能で なければならないこと、即ちスターラー部の移動は停止可能でなければならない ことは特に好ましい。停止位置及び/又は変調の振幅及び/又はスターラー部の 移動周波数が調査中の特定サンプルに適うように調整可能であることも好ましい 。 サンプルチャンバが廃棄可能なキュベット(受皿)の構成部分になることは好 ましい。 キュベット又はキュベットの少なくともサンプルチャンバに隣接する部分は好 ましくは高い熱伝導率を有する材料である。 「高い熱伝導率」は、キュベットが配置されている支持体から熱を迅速に移動 するのに充分な伝導率を示す。適切な材料としては金属を含む。 キュベット本体は、好ましくはアルミニウム、より好ましくは不活性コーティ ング、例えば、無電解ニッケル、フルオロカーボン、又はシリコンラッカーを有 するアルミニウム製である。このような場合、コーティングの厚さは約25μm である。 本体は好ましくはウィング又はフランジを備え、当該ウィング又はフランジは 分析装置上の温度制御ブロックと密接な触熱を提供し、これにより当該ウィング 又はフランジの相対的に大きな表面領域が、ブロックと本体との間に迅速な熱均 衡化を提供することができる。同じ目的で、分析装置は好ましくはキュベットが ブロックと固定的に接触するように当該キュベットを保持するクランプ(挟持) 手段を備える。 このように、本発明の他の態様によれば、高い熱伝導率を有する材料の本体を 有するサンプルキュベットが提供されている。前記本体はバイオセンサーデバイ スの感応面と結合するベースによってサンプルチャンバを画定し、前記本体は一 体的に形成されたウィング又はフランジを備え、これによってキュベットは支持 体と密接に熱接触されて保持される。 キュベットは、好ましくは、測定温度でサンプル又は分析試薬の供給を維持す るための一つ以上の予備(リザーブ)流体井戸を含む。 サンプルチャンバの容量は好ましくは少量、例えば500ml未満であり、最 も好ましくは100乃至300mlである。 キュベットの熱容量は、好ましくは、サンプルチャンバ内の流体の熱容量より かなり大きくなるように構成される。 キュベットは一つを越えるサンプルチャンバを含むことができる。このような チャンバは完全に分離したコンパートメントであってもよいし又は適切なパーテ ィションを有する単一井戸内に形成されてもよい。 このようなキュベットの使用の利点は、キュベットが分析装置から簡単に取り 外せて、交換もできることである。従って、様々なタイプの測定に適合したバイ オセンサーを含む範囲のキュベットを使用することができ、これにより一つのタ イプの測定から他のタイプの測定への切り換えが容易に達成できる。 バイオセンサーデバイスは好ましくはFTR(漏れ全反射)センサーである。 このようなセンサは一般に、 a)屈折率n3の透過性誘電体のキャビティ層と、 b)屈折率n1の誘電性基板と、 c)前記キャビティ層と前記基板の間に介在された屈折率n2の誘電性スペーサ 層と を備える光学的構造を有する。 使用上、基板とスペーサ層の間の界面は光で照射されると内部反射が起こる。 キャビティ層内の案内モード(guided mode)の共鳴伝搬は、励起照射の特定の 入射角において所定の波長にわたって行われる。 共鳴効果の角度位置は、センサーデバイスの種々のパラメータ、例えば種々の 層の屈折率及び厚さに依存する。概して、キャビティ層の屈折率n3と基板の屈 折率n1がスペーサ層の屈折率n2を越えなければならないことが前提条件である 。さらに、共鳴を達成するために少なくとも一つのモードがキャビティ内に存在 しなければならないので、キャビティ層は一定の最小の厚さを越えなければなら ない。 キャビティ層は好ましくは誘電体の薄膜である。キャビティ層に適した材料は 、シリコン窒化物、ハフニウムジオキシド、ジルコニウムジオキシド、チタニウ ムジオキシド、アルミニウムオキサイド及びタンタルオキサイドを含む。 キャビティ層は、公知の技術、例えば、真空蒸着、スパッタリング、化学蒸着 、プラズマエンハンスド(プラズマ強化)若しくはプラズマインパルス化学蒸着 、又は内部拡散によって準備されてもよい。 誘電性スペーサ層はキャビティ層と基板のいずれより低い屈折率を有さなけれ ばならない。例えば、層はマグネシウムフルオリドの蒸着された又はスパッタリ ングされた層を備えることができる。この場合、赤外光の入射レーザは光源とし て使用されることができる。このような光源からの光は一般に約600乃至80 0nmの波長を有する。他の適切な材料はリチウムフルオリドとシリコンジオキ シドを含む。上記の蒸着及びスパッタリング技術とは別に、スペーサ層はゾル− ゲルプロセスによって基板に付着されるか又は基板との化学反応によって形成さ れることができる。 ゾル−ゲルプロセスはスペーサ層がシリコンジオキシドである場合に特に所望 される。 基板の屈折率(n1)はスペーサ層の屈折率(n2)より大きくなければならな いが基板の厚さは一般的に重要ではない。 これに対して、キャビティ層の厚さは適切な範囲の結合角度内で共鳴が起こる ように選択されなければならない。スペーサ層は一般に約数百nm、例えば約2 00nm乃至2000nmの厚さを有し、より好ましくは500nm乃至150 0nm、例えば1000nmの厚さを有する。キャビティ層は一般に数十nm、 例えば10乃至200nmの厚さを有し、より好ましくは30乃至150nm例 えば、100nmの厚さを有する。 キャビティ層は30乃至150nmの厚さを有すると共にシリコンニトリド、 ハフニウムジオキシド、ジルコニウムジオキシド、チタニウムジオキシド、タン タルジオキシド、タンタルオキシド及びアルミニウムオキシドから選ばれた材料 を備え、スペーサ層は500乃至1500nmの厚さを有すると共にマグネシウ ムフルオリド、リチウムフルオリド及びシリコンジオキシドから選ばれた材料を 備え、材料の選択はスペーサ層の屈折率がキャビティ層の屈折率よりも小さくな るように行われるのが特に好ましい。 キャビティ層とスペーサ層の好ましい材料はそれぞれシリコン窒化物とシリコ ンジオキシドである。 共鳴時に入射光はFTRによってキャビティ層へ結合し、当該キャビティ層に 沿って距離をいくらか伝搬し、次いで(またFTRによって)戻って結合して出 ていく。伝搬距離は種々のデバイスのパラメータにも因るが一般的に約1又は2 mmである。 共鳴時に反射光は位相変化を受け、これが検出の対象となる。或いは、国際特 許出願第WO92/03720号に記載されているように、キャビティ層及び/又はスペー サ層は共鳴時に光を吸収することができ、これにより反射光の強度が減少される 。 生化学種の検出に使用するため、FTRセンサーの場合のバイオセンサーデバ イスの表面即ちキャビティ層の表面は、一般にその上に生体分子、例えば試験下 の分折物に対して特異的な結合(接着)パートナーを固定化することによって感 応される。固定化された生体分子は、当業者には公知の方法によってセンサー表 面へ共有結合される。 国際特許出願第WO92/21976号に記載されているように、バイオセンサーは生体 適合性の多孔性マトリックスの層、例えば、デキストランのものによってコーテ ィングされることができ、当該デキストランの内部では適切な結合分子が固定化 される。 ここに、本発明を添付図面を参照して説明するが、それらは例示にすぎない。 図1は本発明による分析装置の部分略図である。 図2は図1の装置を構成するサンプルキュベットと攪拌メカニズムの側断面図 である。 図3は図2のサンプルキュベットの分解斜視図である。 図4は図3のサンプルキュベットの側断面図である。 図5はサンプルキュベットが正しい位置でクランプされている状態を示す図3 のサンプルキュベットの略端面図である。 図6は図2のメカニズムを構成するスターラー部の斜視図である。 図7は第2の形態のスターラーメカニズムを組み込んだ本発明による図2の分 折装置に類似している図である。 図8は本発明による第3の実施の形態の分析装置に使用されるスターラー部の 側面図である。 図9は図8のスターラー部の平面図である。 図10は図8のスターラー部の端面図である。 図11は図8のスターラー部が形成されるブランクの平面図である。 まず図1に関しては、漏れ全反射の原理に基づいて生化学分析物を定性的又は 定量的に検出するための分析装置が示されている。 この装置はサンプルチャンバ2を画定するサンプルキュベット(受皿)1を有 する。該サンプルチャンバ2のベースはガラスブロック3であり、当該ガラスブ ロック3の表面がいくつかの材料層によってコーティングされている。 図1の拡大部分に示されているように、ガラスブロック3の表面に付着された 第1の層は、約500nmの厚さを有するシリカから成る相対的に低屈折率の層 31である。第2の層32は、約100nmの厚さを有するハフニアから成る相 対的に高屈折率の層32である。ハフニア層は(抗体又は他の生体分子が公知の 方法で固定化される)デキストランの層33によってコーティングされる。 ガラスブロック3の表面における多層構造は、FTR(漏れ全反射)バイオセ ンサーを構成する。ブロック3とシリカ層31との界面はレーザー光源4からの 光が照射され、この光源4は光の入射角を一定の範囲で変化させることができる ように移動可能である。ハフニア層32は共鳴キャビティとして作用し、光の一 定の入射角においてブロック3とシリカ層31の間の界面の反射によって生成さ れたエバネッセント電界はハフニア層32と結合される。共鳴が起こる角度は当 該ハフニア層32の近辺の屈折率に依存し、この角度はサンプルチャンバ2内へ 導入されたサンプル中の固定化された抗体と(図1においてベタの黒点で示した )分析物分子との相互作用によって変化する。 角度の範囲にわたるレーザ光源4の移動は我々の国際特許出願WO93/14391号に 記載されているように実行される。偏光子6は光源4とブロック3の間に介在さ れ、ブロック3へ入射する光がほぼ同等のTE及びTMの成分を有するように構 成されている。共鳴が起こる時のみ反射光が検出器7に到達するように検光子( analyser)5はブロック3と検出器7の間に配置される。図1は測定された光の 強度I:入射角θの一般的なグラフを示す。共鳴角にはTM偏光用とTE偏光用 の二つの共鳴角がある。 サンプルチャンバ2内に入ったサンプルは、スターラーシャフト9の端部に取 り付けられたスターラー部8によって攪拌される。当該シャフト9はチャンバ2 へ延出し、使用中、部8は図1の両ヘッド矢印によって示されているようにブロ ック3の表面に垂直な軸に沿って往復する。 サンプルキュベット1及びスターラーメカニズムは図2により詳細に示され、 キュベット1は図3及び図4にも示されている。 次に図3に関しては、サンプルキュベット1は圧力ダイカストによって成形さ れたアルミニウム本体を備える。当該本体は付着された無電解ニッケルの表面コ ーティングを有する。キュベット1は横方向に延出しているウィング22、23 と共に形成され、当該ウィング22、23は、使用中、キュベット1を支持し、 当該キュベット1と測定装置の隣接表面との間に良好な熱接触を提供するように 働く。 キュベット1は、一対のサンプル井戸25を収容する凹部24を含む。当該井 戸25は分析試薬、例えば緩衝液の貯蔵のために使用される。 一対の下垂突出部分26、27は、成形されたシリコンゴム製ガスケット28 と、上記のように表面がコーティングされたブロック3とを収容する。ブロック 3はそのベース周辺にUV硬化接着剤29を塗布することにより正しい位置に保 持される。 シリコンガスケット28はサンプルコンパートメント40を容量約250μl 分だけ画定する。当該サンプルコンパートメント40へのアクセスは本体21の 頂部に形成された井戸46を介して行われる。井戸46は、円形断面部を有する 中央部分43と二つの正反対に向き合う延出チャネル44、45を備える(図4 参照)。 他の実施の形態においては、ガスケット28は省略されてもよく、(その場合 )ブロック3は突出部分26と27の間のキュベット1の下側へ直接固定される 。サンプルコンパートメントは次に井戸46の下部領域によって画定される。 図5から理解されるように、キュベット1が測定装置上に位置した時、クラン プブロック36は当該装置の部分を構成するアルミニウムブロック41に対して キュベット1を保持するように二つの下垂部材37、38を介してウィング22 、23上に作用する。 キュベット1を正しい位置でクランプすることの他に、ブロック36はこのス ターラーメカニズムを貯蔵すると共に支持する。 図6に関しては、スターラー部8は、直径1.1mmの中央開孔を有する直径 3.5mmのステンレス鋼円板の変形によって形成された120°の切頭円錐プ レート61を備える。厚さ0.25mmのステンレス鋼シートから成形されたス ターラップ8(鐙形部材)62によって、プレート61が下部駆動シャフト63 に接合される。当該スターラップ62はプレート61と下部駆動シャフト63に スポット溶接されている。 再ぴ図2に関しては、下部駆動シャフト63は、スターラップ62と接合され るポイントで0.5mmの直径を有している。下部駆動シャフト63はその上端 では直径が2mmまで拡げられる。下部駆動シャフト63は、クランプブロック 36内の穴を介して延出し次いで保持プレート70を介して上部モータユニット へ延出する、上部駆動シャフト64の下端とネジ係合する。 上部駆動シャフト64はその上端がコイルフォーマアセンブリと接合されてお り、当該コイルフォーマアセンブリはコイル取付けプレート66と上方へ延出す る中空のシリンダ型コイルフォーマ67とを備えている。皿ばね(ディスクスプ リング)68は、コイル取付けプレート66と上部駆動シャフト64の間で捕留 されると共に保持プレート70と接合ガイド69との間で周辺において保持され る。 下部駆動シャフト63が上部駆動シャフト64にネジ係合されるか又は上部駆 動シャフト64からネジ係合解除される時、ディスクスプリング68とコイルフ ォーマアセンブリが捩じれるのを防止するため、上部駆動シャフト64の上部は 保持プレート70内の中央開孔部の形状に対応している四角い断面を有している 。 保持プレート70と接合ガイド69は、上部モータケースキャリッジ71内で 密接嵌り合っていると共に磁石アセンブリとO−リング77とを保持する。当該 磁石アセンブリは、下側が接着剤によって中央ボタンマグネット73と外部リン グマグネット74に固定されているバッキングプレート(受け板)72を備える 。軟鉄内部コア75はボタンマグネット73の下側に固定され、環状の軟鉄外部 コア76は接着剤によってリングマグネット74の下側に固定される。 コイルを巻取ったコイルフォーマ67はボタンマグネット73及び/又は軟鉄 内部コア75の回りに自在に取り付けられる。バッキングプレート72、軟鉄外 部コア76及び接合ガイド69は、フレキシブルな接合部がコイルへ導びかれる ように周辺スロット79、80、81を備えている。 使用中、周波数120Hzの交流がコイルに印加される。これにより、コイル フォーマアセンブリ、従って、スターラー部8が上部駆動シャフト64及び下部 駆動シャフト63の軸に沿って±0.3mmの振幅で往復運動することになる。 スターラー部8の停止位置はガラスブロック3のコーティングされた表面より約 0.5mm上であり、従って該スターラー部8は表面から0.2mm上の最小位 置乃至0.8mm上の最大位置の間で振動する。 延出チャネル45の内の一つに挿入されたシリンジによってサンプルをサンプ ルコンパートメント40の中へ注入する。他の延出チャネル44は、測定が完了 した後でコンパートメント40からサンプルを取り除くために使用される吸込み ニードル42を含む。 キュベット1は支持アルミニウムブロック41上に配置される。キュベットが このように配置される前か又は後にサンプルはコンパートメント40へ導入され る。ブロック3が光源4からの光で照射されて、この光が検出器7へ向かって反 射される。光の入射角が変化して、(検出器7に達する光のピークとして検出さ れる)共鳴を起こす角度が決定される。 測定中にスターラー部8でサンプルを攪拌することによりサンプルの均質化が 確実にされ、これにより当該サンプル中の輸送現象に因るあらゆるスプリアス( 不要電波)の影響が防止される。キュベット1の熱容量がサンプルの熱容量より はるかに大きいことの事実にも因るが、キュベット1のウィング22、23と支 持ブロック41との間の良好な熱接触に因って迅速な熱均衡化が確実とされる。 図7は、スターラー部85が振動するのではなく回転するという点を除いて図 2の構成と酷似した構成を示している。 最後に、図8乃至図11は、二つの隣接するサンプルチャンバを備えた装置に 使用することを目的としたスターラー部90の形態を示している。スターラー部 90は、一端がフランジ92によって固定された梁91を備える。梁91は(図 8の破線によって示された)往復スターラーシャフトの端部に固定され、これに より、図8の両ヘッド矢印によって示されているように、当該梁91の自由端が 振動されることになる。図2に示されたメカニズムに類似した電磁メカニズムに よってスターラーシャフトは駆動される。梁91の自由端は下垂突出部分93、 94を有するように形成され、該突出部分93、94の端部はフォーク状に分岐 され面取りされている。突出部分93、94は一般に前述のキュベットに類似し たキュベット内の二つの隣接するサンプルコンパートメントへ延出するよう用い られる。 スターラー部91は図11に示されたブランクから形成され、これはラインA −Aの領域内の梁91を捩じり、ラインB−Bに沿った突出部分93、94のフ ォーク状端部を面取りすることによって行われる。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年6月5日 【補正内容】 [34条補正] 請求の範囲 1.バイオセンサーデバイスと、前記バイオセンサーデバイスに隣接するサンプ ルチャンバと、前記サンプルチャンバ内へ延出しているスターラーと、前記スタ ーラーを前記サンプルチャンバ内で移動させる手段と、を備える分析装置。 2.前記スターラーが使用中はサンプル流体中に位置される前記サンプルチャン バ内のある点で終端する細長いスターラーシャフトを備える請求の範囲第1項に 記載の装置。 3.前記スターラーが前記サンプルチャンバ内へ貫入する更なる構成部分と接合 された細長いスターラーシャフトを備える請求の範囲第1項に記載の装置。 4.前記スターラを前記サンプルチャンバ内で移動させる手段が電気又は電磁モ ータを備える請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか一項に記載の装置。 5.前記スターラーの運動が往復運動である請求の範囲第1項乃至第4項の内の 一項に記載の装置。 6.使用中は前記サンプル中に浸漬される前記スターラーの部分が前記サンプル の混合を容易にするための部分を備え、前記部分の上面と下面が開口している中 空の切頭円錐の形態を有する請求の範囲第5項に記載の装置。 7.前記スターラーが細長いスターラーシャフトを有し、このスターラーシャフ トの上端はワイヤコイルを巻取ったフォーマーと固定的に結合され、前記ワイヤ コイルには交流が印加され得ることよりなる請求の範囲第5項又は第6項に記載 の装置。 8.前記シャフト及び/又はフォーマーアセンブリが可撓性膜に取付けられてい る請求の範囲第7項に記載の装置。 9.往復の周波数が100乃至150Hzである請求の範囲第5項乃至第8項の いずれか一項に記載の装置。 10.往復の振幅が±0.5mm未満である請求の範囲第5項乃至第9項のいず れか一項に記載の装置。 11.前記サンプルチャンバが廃棄可能なキュベットの部分を構成する請求の範 囲第1項乃至第10項の内の一項に記載の装置。 12.前記キュベットが高熱伝導率を有する材料から成る請求の範囲第11項に 記載の装置。 13.前記高熱伝導率を有する材料が金属である請求の範囲第12項に記載の装 置。 14.前記金属がアルミニウムである請求の範囲第13項に記載の装置。 15.前記キュベットが支持体と密接に熱接触されて保持されるように前記キュ ベットがウィング又はフランジを備える請求の範囲第11項乃至第14項のいず れか一項に記載の装置。 16.前記バイオセンサーデバイスが、 a)屈折率n3の透過性誘電体のキャビティ層と、 b)屈折率n1の誘電性基板と、 c)前記キャビティ層と前記基板の間に介在された屈折率n2(ここでn2はn1 及びn3よりも小さい)の誘電性スペーサ層と、 を備える漏れ全反射(FTR)センサーである請求の範囲第1項乃至第15項 の内の一項に記載の装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),JP,US

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.バイオセンサーデバイスと、前記バイオセンサーデバイスに隣接するサンプ ルチャンバと、前記サンプルチャンバ内へ延出しているスターラーと、前記スタ ーラーを前記サンプルチャンバ内で移動させる手段と、を備える分析装置。 2.前記スターラーが使用中はサンプル流体中に位置される前記サンプルチャン バ内のある点で終端する細長いスターラーシャフトを備える請求の範囲第1項に 記載の装置。 3.前記スターラーが前記サンプルチャンバ内へ貫入する更なる構成部分と接合 された細長いスターラーシャフトを備える請求の範囲第1項に記載の装置。 4.前記スターラを前記サンプルチャンバ内で移動させる手段が電気又は電磁モ ータを備える請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか一項に記載の装置。 5.前記スターラーの前記サンプルチャンバ内での動作が回転である請求の範囲 第1項乃至第4項の内の一項に記載の装置。 6.前記スターラーの前記サンプルチャンバ内での動作が振動である請求の範囲 第1項乃至第4項のいずれか一項に記載の装置。 7.前記スターラーの運動が往復運動である請求の範囲第6項に記載の装置。 8.使用中は前記サンプル中に浸漬される前記スターラーの部分が前記サンプル の混合を容易にするための部を備え、前記部の上面と下面が開口している中空の 切頭円錐の形態を有する請求の範囲第7項に記載の装置。 9.前記スターラーが細長いスターラーシャフトを有し、このスターラーシャフ トの上端はワイヤコイルを巻取ったフォーマーと固定的に結合され、前記ワイヤ コイルには交流が印加され得ることよりなる請求の範囲第7項又は第8項に記載 の装置。 10.前記シャフト及び/又はフォーマーアセンブリが可撓性膜に取り付けられ ている請求の範囲第9項に記載の装置。 11.往復の周波数が100乃至150Hzである請求の範囲第7項乃至第10 項のいずれか一項に記載の装置。 12.往復の振幅が±0.5mm未満である請求の範囲第7項乃至第11項のい ずれか一項に記載の装置。 13.前記サンプルチャンバが廃棄可能なキュベットの部分を構成する請求の範 囲第1項乃至第12項の内の一項に記載の装置。 14.前記キュベットが高熱伝導率を有する材料から成る請求の範囲第13項に 記載の装置。 15.前記高熱伝導率を有する材料が金属である請求の範囲第14項に記載の装 置。 16.前記金属がアルミニウムである請求の範囲第15項に記載の装置。 17.前記キュベットが支持体と密接に熱接触されて保持されるように前記キュ ベットがウィング又はフランジを備えている請求の範囲第13項乃至第16項の いずれか一項に記載の装置。 18.前記バイオセンサーデバイスが、 a)屈折率n3の透過性誘電体のキャビティ層と、 b)屈折率n1の誘電性基板と、 c)前記キャビティ層と前記基板の間に介在された屈折率n2の誘電性スペーサ 層(n2がn1及びn3よりも小さい)と、 を備える漏れ全反射(FTR)センサーである請求の範囲第1項乃至第17項 内の一項に記載の装置。
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