JPH0946168A - 弾性表面波素子および弾性表面波素子の電極形成方法 - Google Patents
弾性表面波素子および弾性表面波素子の電極形成方法Info
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- JPH0946168A JPH0946168A JP19445995A JP19445995A JPH0946168A JP H0946168 A JPH0946168 A JP H0946168A JP 19445995 A JP19445995 A JP 19445995A JP 19445995 A JP19445995 A JP 19445995A JP H0946168 A JPH0946168 A JP H0946168A
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- acoustic wave
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極端面による弾性表面波の反射を少なくす
ることができるＳＡＷデバイスを提供する。 【解決手段】 圧電基板２の上には、基板表面に垂直な
方向の断面形状がなだらかな凸形状をした入力側電極３
が形成されている。このように、断面形状がなだらかな
凸形状の電極を形成することにより、入力側電極３の断
面による弾性表面波の無駄な反射を少なくすることがで
きる。
ることができるＳＡＷデバイスを提供する。 【解決手段】 圧電基板２の上には、基板表面に垂直な
方向の断面形状がなだらかな凸形状をした入力側電極３
が形成されている。このように、断面形状がなだらかな
凸形状の電極を形成することにより、入力側電極３の断
面による弾性表面波の無駄な反射を少なくすることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は弾性表面波素子に関す
るものであり、特にその電極形状に関する。
るものであり、特にその電極形状に関する。
【０００２】
【従来技術およびその課題】今日、弾性表面波を用いた
ＳＡＷ（surface acoustic wave)デバイスが知られてい
る。このＳＡＷデバイスについて、図５を用いて説明す
る。
ＳＡＷ（surface acoustic wave)デバイスが知られてい
る。このＳＡＷデバイスについて、図５を用いて説明す
る。
【０００３】圧電基板２表面に入力側電極３および出力
側電極５が形成されている。入力側電極３に電気信号が
与えられると、圧電基板２の表面が歪み、弾性表面波６
が発生する。この弾性表面波６は出力側電極５に伝達さ
れる。すなわち、入力側電極３に与えられた電気信号
を、出力側電極５にて取り出すことができる。
側電極５が形成されている。入力側電極３に電気信号が
与えられると、圧電基板２の表面が歪み、弾性表面波６
が発生する。この弾性表面波６は出力側電極５に伝達さ
れる。すなわち、入力側電極３に与えられた電気信号
を、出力側電極５にて取り出すことができる。
【０００４】この圧電基板２を伝わる波（弾性表面波）
の振幅と位相は、入力側電極３および出力側電極５の交
差長およびピッチによって決定される。入力側電極３お
よび出力側電極５の形状をすだれ状とし、このすだれ状
電極（Inter Digital Transducer：ＩＤＴ）の１本１本
の交差長およびピッチを変更することによって、バンド
パスフィルタなどの複雑な周波数特性を持つフィルタを
作ることができる。ＳＡＷデバイスは、小型化、軽量
化、薄膜化に向いており、移動体携帯端末等のキーデバ
イスとして更なる多機能化、高性能化が期待されてい
る。
の振幅と位相は、入力側電極３および出力側電極５の交
差長およびピッチによって決定される。入力側電極３お
よび出力側電極５の形状をすだれ状とし、このすだれ状
電極（Inter Digital Transducer：ＩＤＴ）の１本１本
の交差長およびピッチを変更することによって、バンド
パスフィルタなどの複雑な周波数特性を持つフィルタを
作ることができる。ＳＡＷデバイスは、小型化、軽量
化、薄膜化に向いており、移動体携帯端末等のキーデバ
イスとして更なる多機能化、高性能化が期待されてい
る。
【０００５】上記ＳＡＷデバイスの入力側電極３および
出力側電極５の形成方法については、一般に以下の２つ
の方法が知られている。第１の方法がドライエッチ法で
あり、他の方法がリフトオフ法である。ドライエッチ法
とは、電極金属を前面に蒸着させ、リソグラフィでパタ
ーン化した後、ドライエッチングを行ない、その後レジ
スト剥離をする方法である。一方、リフトオフ法とは、
リソグラフィを用いてパターニングした後、電極金属を
蒸着させ、その後レジスト剥離をすることによって所望
の電極パターンを得る方法である。
出力側電極５の形成方法については、一般に以下の２つ
の方法が知られている。第１の方法がドライエッチ法で
あり、他の方法がリフトオフ法である。ドライエッチ法
とは、電極金属を前面に蒸着させ、リソグラフィでパタ
ーン化した後、ドライエッチングを行ない、その後レジ
スト剥離をする方法である。一方、リフトオフ法とは、
リソグラフィを用いてパターニングした後、電極金属を
蒸着させ、その後レジスト剥離をすることによって所望
の電極パターンを得る方法である。
【０００６】しかしながら、いずれの方法もレジストマ
スクが必要である。さらに、ＳＡＷデバイスの電極をド
ライエッチ法およびリフトオフ法で形成すると以下のよ
うな問題点があった。ドライエッチ法を用いた場合に
は、形成される電極の断面形状は、図６に示すように、
その側面が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となり、急
峻的に変化する断面形状となる。ＳＡＷデバイスにおい
ては、弾性表面波を用いて電気信号を伝達するので、こ
のような電極の端面が急峻だと、発生した弾性表面波が
当該電極端面で反射されてしまうおそれがある。この
為、所望の周波数特性のＳＡＷデバイスを得ることがで
きない。
スクが必要である。さらに、ＳＡＷデバイスの電極をド
ライエッチ法およびリフトオフ法で形成すると以下のよ
うな問題点があった。ドライエッチ法を用いた場合に
は、形成される電極の断面形状は、図６に示すように、
その側面が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となり、急
峻的に変化する断面形状となる。ＳＡＷデバイスにおい
ては、弾性表面波を用いて電気信号を伝達するので、こ
のような電極の端面が急峻だと、発生した弾性表面波が
当該電極端面で反射されてしまうおそれがある。この
為、所望の周波数特性のＳＡＷデバイスを得ることがで
きない。
【０００７】この発明は、このような電極端面における
弾性表面波の反射を少なくすることができる弾性表面波
素子および弾性表面波素子の電極形成方法を提供するこ
とを目的とする。
弾性表面波の反射を少なくすることができる弾性表面波
素子および弾性表面波素子の電極形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波素
子においては、前記入力側電極および前記出力側電極を
構成する金属のうち少なくとも１つについては、前記基
板に垂直な方向の断面がなだらかな凸形状であることを
特徴とする。
子においては、前記入力側電極および前記出力側電極を
構成する金属のうち少なくとも１つについては、前記基
板に垂直な方向の断面がなだらかな凸形状であることを
特徴とする。
【０００９】請求項２の電極形成方法においては、集束
させた状態のイオンビームを蒸着可能エネルギにて前記
基板表面に選択的に照射することを特徴とする。
させた状態のイオンビームを蒸着可能エネルギにて前記
基板表面に選択的に照射することを特徴とする。
【００１０】請求項３の弾性表面波素子の電極形成方法
においては、前記基板表面近傍にて減速させることによ
り、前記集束イオンビームを蒸着可能エネルギにて照射
させることを特徴とする。
においては、前記基板表面近傍にて減速させることによ
り、前記集束イオンビームを蒸着可能エネルギにて照射
させることを特徴とする。
【００１１】
【作用および発明の効果】請求項１の弾性表面波素子に
おいては、前記入力側電極および前記出力側電極を構成
する金属のうち少なくとも１つについては、前記基板に
垂直な方向の断面がなだらかな凸形状をなしている。し
たがって、発生した弾性表面波が前記入力側電極または
前記出力側電極の端面での反射が少なくなる。また、弾
性表面波が前記端面でバルク波に変換されることが少な
くなり、波の減衰が少なくなる。これにより、所望の特
性を有する弾性表面波素子を容易に得ることができる。
おいては、前記入力側電極および前記出力側電極を構成
する金属のうち少なくとも１つについては、前記基板に
垂直な方向の断面がなだらかな凸形状をなしている。し
たがって、発生した弾性表面波が前記入力側電極または
前記出力側電極の端面での反射が少なくなる。また、弾
性表面波が前記端面でバルク波に変換されることが少な
くなり、波の減衰が少なくなる。これにより、所望の特
性を有する弾性表面波素子を容易に得ることができる。
【００１２】請求項２の電極形成方法においては、前記
集束イオンビームを蒸着可能エネルギにて前記基板表面
に選択的に照射しているので、前記基板上に前記金属イ
オンを選択的に堆積させることができる。この場合、形
成される電極の前記基板に垂直な方向の断面形状は、蒸
着時のビーム分布を反映したなだらかな凸形状をなす。
これにより、発生した弾性表面波が前記入力側電極また
は前記出力側電極の端面での反射が少なくなる。また、
弾性表面波が前記端面でバルク波に変換されることが少
なくなり、波の減衰が少なくなる。これにより、所望の
特性を有する弾性表面波素子を容易に得ることができ
る。
集束イオンビームを蒸着可能エネルギにて前記基板表面
に選択的に照射しているので、前記基板上に前記金属イ
オンを選択的に堆積させることができる。この場合、形
成される電極の前記基板に垂直な方向の断面形状は、蒸
着時のビーム分布を反映したなだらかな凸形状をなす。
これにより、発生した弾性表面波が前記入力側電極また
は前記出力側電極の端面での反射が少なくなる。また、
弾性表面波が前記端面でバルク波に変換されることが少
なくなり、波の減衰が少なくなる。これにより、所望の
特性を有する弾性表面波素子を容易に得ることができ
る。
【００１３】請求項３の弾性表面波素子の電極形成方法
においては、前記基板表面近傍にて減速させている。こ
れにより、電場のゆらぎの影響等を受けることなく、前
記集束イオンビームを蒸着可能エネルギにて正確な位置
に照射させることができる。
においては、前記基板表面近傍にて減速させている。こ
れにより、電場のゆらぎの影響等を受けることなく、前
記集束イオンビームを蒸着可能エネルギにて正確な位置
に照射させることができる。
【００１４】
【実施例】図面を用いて本発明にかかる弾性表面波素子
およびその製造方法について、説明する。
およびその製造方法について、説明する。
【００１５】図２は、圧電基板２上に形成された入力側
電極３および出力側電極５の平面図である。入力側電極
３のＩ−Ｉ断面を図１に示す。図１に示すように、圧電
基板２の上に形成された入力側電極３は、基板表面に垂
直な方向の断面形状がなだらかな凸形状をなしている。
また、出力側電極５も、入力側電極３と同様に、基板表
面に垂直な方向の断面形状がなだらかな凸形状をなして
いる（図示せず）。このように、入出力電極の断面形状
をなだらかな凸形状とすることにより、入出力電極の端
面における弾性表面波の反射を少なくすることができ
る。また、弾性表面波が前記端面でバルク波に変換され
ることが少なくなり、波の減衰が少なくなる。これによ
り、所望の特性を有する弾性表面波素子を容易に得るこ
とができる。
電極３および出力側電極５の平面図である。入力側電極
３のＩ−Ｉ断面を図１に示す。図１に示すように、圧電
基板２の上に形成された入力側電極３は、基板表面に垂
直な方向の断面形状がなだらかな凸形状をなしている。
また、出力側電極５も、入力側電極３と同様に、基板表
面に垂直な方向の断面形状がなだらかな凸形状をなして
いる（図示せず）。このように、入出力電極の断面形状
をなだらかな凸形状とすることにより、入出力電極の端
面における弾性表面波の反射を少なくすることができ
る。また、弾性表面波が前記端面でバルク波に変換され
ることが少なくなり、波の減衰が少なくなる。これによ
り、所望の特性を有する弾性表面波素子を容易に得るこ
とができる。
【００１６】弾性表面波素子１の形成方法について、図
３を用いて説明する。本実施例においては、図３の装置
を用いて、入力側電極３および出力側電極５を形成し
た。図３に示す集束イオンビーム直接蒸着装置１０につ
いて簡単に説明する。集束イオンビーム直接蒸着装置１
０は真空チャンバ２０を有しており、かかる真空チャン
バ２０内で以下のようにして、集束イオンビーム直接蒸
着が行なわれる。
３を用いて説明する。本実施例においては、図３の装置
を用いて、入力側電極３および出力側電極５を形成し
た。図３に示す集束イオンビーム直接蒸着装置１０につ
いて簡単に説明する。集束イオンビーム直接蒸着装置１
０は真空チャンバ２０を有しており、かかる真空チャン
バ２０内で以下のようにして、集束イオンビーム直接蒸
着が行なわれる。
【００１７】液体金属イオン源２１には、例えば、Ａｌ
−Ａｕ−Ｇｅ合金のチップがセットされており、Ａ
ｕ+，Ａｌ+等のイオン種を発生させる。発生した金属イ
オンは、加速電極２２で２０ｋｅＶまで加速され、コン
デンサレンズ２３によって集束される。液体金属イオン
源２１で発生するイオンビームには多種のイオン種を含
むので、当該多種のイオン種を含むビームは質量分析器
によって、所望のイオン源のみが選別される。この選別
は、マスフィルタ２４で行なわれる。ビームアパーチャ
２５を通過したイオンビームは、偏向電極２６で偏向さ
れる。このイオンビームは対物レンズ２７で集束されな
がら、ステージ２８上に載置されている基板３１に与え
られる。ステージ２８上の基板３１は、碍子３２で電気
的にフローティング状態である。したがって、減速電源
１２によってステージ２８に、０〜２０ＫＶの減速電圧
をかけることにより、集束イオンビームの最終エネルギ
ーは、０〜２０ＫｅＶの広範囲で連続的に変化する。例
えば、減速電位として１９．９ＫＶをかけると２０Ｋｅ
Ｖまで加速された金属イオンは、基板に到達する時には
１００ｅＶまで減速した。このように、一旦集束させた
イオンビームを基板表面近傍で減速させて、圧電基板２
に照射させることにより、前記金属イオンを直接蒸着さ
せることができる。これにより、レジストを用いること
なく、入出力電極を形成することができる。
−Ａｕ−Ｇｅ合金のチップがセットされており、Ａ
ｕ+，Ａｌ+等のイオン種を発生させる。発生した金属イ
オンは、加速電極２２で２０ｋｅＶまで加速され、コン
デンサレンズ２３によって集束される。液体金属イオン
源２１で発生するイオンビームには多種のイオン種を含
むので、当該多種のイオン種を含むビームは質量分析器
によって、所望のイオン源のみが選別される。この選別
は、マスフィルタ２４で行なわれる。ビームアパーチャ
２５を通過したイオンビームは、偏向電極２６で偏向さ
れる。このイオンビームは対物レンズ２７で集束されな
がら、ステージ２８上に載置されている基板３１に与え
られる。ステージ２８上の基板３１は、碍子３２で電気
的にフローティング状態である。したがって、減速電源
１２によってステージ２８に、０〜２０ＫＶの減速電圧
をかけることにより、集束イオンビームの最終エネルギ
ーは、０〜２０ＫｅＶの広範囲で連続的に変化する。例
えば、減速電位として１９．９ＫＶをかけると２０Ｋｅ
Ｖまで加速された金属イオンは、基板に到達する時には
１００ｅＶまで減速した。このように、一旦集束させた
イオンビームを基板表面近傍で減速させて、圧電基板２
に照射させることにより、前記金属イオンを直接蒸着さ
せることができる。これにより、レジストを用いること
なく、入出力電極を形成することができる。
【００１８】また、一旦集束させたイオンビームを減速
させているので、圧電基板２に照射されるイオンビーム
のビーム電流分布はガウス分布となる。したがって、圧
電基板２上に、断面形状がなだらかな凸形状の電極が形
成される。
させているので、圧電基板２に照射されるイオンビーム
のビーム電流分布はガウス分布となる。したがって、圧
電基板２上に、断面形状がなだらかな凸形状の電極が形
成される。
【００１９】なお、本実施例では、入力側電極３および
出力側電極５の線幅Ｗ＝０．８μｍ、線間隔ｄ＝０．８
μｍ、膜厚ｔ＝１０００オングストロームのＡｕ電極を
形成して、中心周波数が１．３ＧＨｚのトランスバーサ
ル型ＳＡＷフィルタ得ることができた。
出力側電極５の線幅Ｗ＝０．８μｍ、線間隔ｄ＝０．８
μｍ、膜厚ｔ＝１０００オングストロームのＡｕ電極を
形成して、中心周波数が１．３ＧＨｚのトランスバーサ
ル型ＳＡＷフィルタ得ることができた。
【００２０】また、本実施例においては、このように集
束イオンビーム直接蒸着装置１０を用いて入出力電極を
形成するようにしたので、以下のような効果もある。一
工程プロセスで電極を形成できるので、複数のレジスト
マスク処理が不要となる。特に、ＳＡＷデバイスにおい
ては、少量多品種生産が行なわれるので、レジストマス
クが不要となるメリットは大きい。
束イオンビーム直接蒸着装置１０を用いて入出力電極を
形成するようにしたので、以下のような効果もある。一
工程プロセスで電極を形成できるので、複数のレジスト
マスク処理が不要となる。特に、ＳＡＷデバイスにおい
ては、少量多品種生産が行なわれるので、レジストマス
クが不要となるメリットは大きい。
【００２１】また、ドライエッチング等の装置または材
料（有機溶剤、ガス装置）が不要となる。またドライエ
ッチング法を用いた場合と異なり、発電基板の表面に欠
陥やダメージを被るおそれがない。特にＳＡＷデバイス
の場合、弾性表面波を用いて電気信号を伝達するので、
表面へのダメージを回避できるので、特性変化するおそ
れがない。
料（有機溶剤、ガス装置）が不要となる。またドライエ
ッチング法を用いた場合と異なり、発電基板の表面に欠
陥やダメージを被るおそれがない。特にＳＡＷデバイス
の場合、弾性表面波を用いて電気信号を伝達するので、
表面へのダメージを回避できるので、特性変化するおそ
れがない。
【００２２】またレジストマスクを用いないため、マス
クずれを考慮する必要がないので、精度の高い電極を形
成することができる。
クずれを考慮する必要がないので、精度の高い電極を形
成することができる。
【００２３】また、ＳＡＷデバイスの場合、入出力電極
を異種金属を形成する場合がある。例えば、入力側電極
はアルミで形成し、出力側電極５は金で形成する。この
ような場合、従来のレジストマスクを用いる場合には、
入力側電極形成工程と出力側電極形成工程を別々に行う
必要があり、工程が二倍となる。しかし、集束イオンビ
ーム直接蒸着装置１０においては、マスフィルタ２４に
よって所望のイオン種のみを選別することができるの
で、かかるイオン種の選別を変えることによって同一工
程にて異なる種類の金属の電極を形成することができ
る。
を異種金属を形成する場合がある。例えば、入力側電極
はアルミで形成し、出力側電極５は金で形成する。この
ような場合、従来のレジストマスクを用いる場合には、
入力側電極形成工程と出力側電極形成工程を別々に行う
必要があり、工程が二倍となる。しかし、集束イオンビ
ーム直接蒸着装置１０においては、マスフィルタ２４に
よって所望のイオン種のみを選別することができるの
で、かかるイオン種の選別を変えることによって同一工
程にて異なる種類の金属の電極を形成することができ
る。
【００２４】さらに、ＳＡＷデバイスにおいては、図４
Ａに示すように、入出力電極を三次元形成する場合があ
る。これは、アルミ電極１１３の一部にクロム等の金属
を形成することによって反射位相を変え、前記電極端面
での反射を防止するためである。このような場合でも、
図４Ｂに示すように下部電極（アルミ）１３の上に上部
電極（金）１４を容易に形成することができる。このよ
うに、入出力電極のいずれかまたは双方について、２以
上の異種金属で構成する場合でも、少なくとも１つの金
属については、基板に垂直な方向の断面をなだらかな凸
形状とすることにより、前記電極端面での反射をより効
果的に防止することができる。
Ａに示すように、入出力電極を三次元形成する場合があ
る。これは、アルミ電極１１３の一部にクロム等の金属
を形成することによって反射位相を変え、前記電極端面
での反射を防止するためである。このような場合でも、
図４Ｂに示すように下部電極（アルミ）１３の上に上部
電極（金）１４を容易に形成することができる。このよ
うに、入出力電極のいずれかまたは双方について、２以
上の異種金属で構成する場合でも、少なくとも１つの金
属については、基板に垂直な方向の断面をなだらかな凸
形状とすることにより、前記電極端面での反射をより効
果的に防止することができる。
【００２５】なお、本実施例においては、圧電性を有す
る基板としてLiTaO3等の単結晶の圧電基板２を用いた。
しかし、圧電基板２の材料としては、LiNbO3、Li2B
4O7、または水晶等の単結晶基板を用いてもよい。ま
た、圧電基板そのものではなく、ガラス基板またはサフ
ァイア基板（AL2O3）の上に、圧電薄膜を形成した基板
を用いてもよい。
る基板としてLiTaO3等の単結晶の圧電基板２を用いた。
しかし、圧電基板２の材料としては、LiNbO3、Li2B
4O7、または水晶等の単結晶基板を用いてもよい。ま
た、圧電基板そのものではなく、ガラス基板またはサフ
ァイア基板（AL2O3）の上に、圧電薄膜を形成した基板
を用いてもよい。
【００２６】本実施例においては、弾性表面波素子とし
てＳＡＷデバイスに適用した場合について説明した。し
かし、これに限定されず、弾性表面波として、ＳＳＢＷ
（surface skimming bulk wave)あるいはＳＢＷ（shall
ow bulk wave)を用いてもよい。これらの波は、主変位
が基板表面に平行なＳＨ(shear horizontal)波タイプの
バルク波であるので、レーリー波を用いた場合と比べ、
伝搬速度が１．５倍以上と高く、周波数温度特性に優れ
ている。
てＳＡＷデバイスに適用した場合について説明した。し
かし、これに限定されず、弾性表面波として、ＳＳＢＷ
（surface skimming bulk wave)あるいはＳＢＷ（shall
ow bulk wave)を用いてもよい。これらの波は、主変位
が基板表面に平行なＳＨ(shear horizontal)波タイプの
バルク波であるので、レーリー波を用いた場合と比べ、
伝搬速度が１．５倍以上と高く、周波数温度特性に優れ
ている。
【００２７】本実施例においては、図１に示すような電
極の断面がなだらかな凸形状の電極を形成するのに、図
３に示す集束イオンビーム直接蒸着装置を用いた。しか
しこれに限定されず、図１に示すような断面がなだらか
な凸形状の電極であれば、どのようなものであってもよ
い。
極の断面がなだらかな凸形状の電極を形成するのに、図
３に示す集束イオンビーム直接蒸着装置を用いた。しか
しこれに限定されず、図１に示すような断面がなだらか
な凸形状の電極であれば、どのようなものであってもよ
い。
【００２８】また、本実施例においては、一旦集束させ
た状態のイオンビームを蒸着可能エネルギまで減速させ
ることにより、前記基板表面に選択的に照射させてい
る。しかし、これに限定されず、集束させた状態のイオ
ンビームを蒸着可能エネルギにて前記基板表面に選択的
に照射できる方法であれば、他の製造方法で製造しても
よい。
た状態のイオンビームを蒸着可能エネルギまで減速させ
ることにより、前記基板表面に選択的に照射させてい
る。しかし、これに限定されず、集束させた状態のイオ
ンビームを蒸着可能エネルギにて前記基板表面に選択的
に照射できる方法であれば、他の製造方法で製造しても
よい。
【００２９】また、本実施例においては、液体イオン源
から金属イオンを発生させた後、集束させるようにして
いる。しかし、これに限定されず、集束させた状態のイ
オンビームを得られるものであれば、どのような方法で
あってもよい。
から金属イオンを発生させた後、集束させるようにして
いる。しかし、これに限定されず、集束させた状態のイ
オンビームを得られるものであれば、どのような方法で
あってもよい。
【図１】この発明の一実施例による弾性表面波素子１の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】弾性表面波素子１の平面図である。
【図３】集束イオンビーム直接蒸着装置１０を示す概念
図である。
図である。
【図４】他種電極を形成した状態を示す図である。
【図５】ＳＡＷデバイスの機能を説明する為の図である
（従来技術）。
（従来技術）。
【図６】従来のＳＡＷデバイスにおける電極断面形状を
示す図である（従来技術）。
示す図である（従来技術）。
１・・・・・弾性表面波素子 ２・・・・・圧電基板 ３・・・・・入力側電極 ５・・・・・出力側電極 １０・・・・集束イオンビーム直接蒸着装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長町 信治 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会社島津製作所内 (72)発明者 上田 雅弘 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会社島津製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】圧電性を有する基板、 １または２以上の金属から構成され、前記基板の上に形
成された入力側電極、 １または２以上の金属から構成され、前記入力側電極と
は所定距離離れて前記基板の上に形成された出力側電
極、 を備えた弾性表面波素子において、 前記入力側電極および前記出力側電極を構成する金属の
うち少なくとも１つについては、前記基板に垂直な方向
の断面がなだらかな凸形状であること、 を特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】圧電性を有する基板の上に弾性表面波素子
の電極を形成する電極形成方法において、 集束させた状態のイオンビームを蒸着可能エネルギにて
前記基板表面に選択的に照射すること、 を特徴とする弾性表面波素子の電極形成方法。 - 【請求項３】請求項２の弾性表面波素子の電極形成方法
において、 前記基板表面近傍にて減速させることにより、前記集束
イオンビームを蒸着可能エネルギにて照射させること、 を特徴とする弾性表面波素子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19445995A JPH0946168A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19445995A JPH0946168A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0946168A true JPH0946168A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16324923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19445995A Pending JPH0946168A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0946168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937114B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
| JP2019213042A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19445995A patent/JPH0946168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937114B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
| JP2019213042A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
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