JPH0945243A - 真空気密容器およびその製造方法 - Google Patents
真空気密容器およびその製造方法Info
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- JPH0945243A JPH0945243A JP7211417A JP21141795A JPH0945243A JP H0945243 A JPH0945243 A JP H0945243A JP 7211417 A JP7211417 A JP 7211417A JP 21141795 A JP21141795 A JP 21141795A JP H0945243 A JPH0945243 A JP H0945243A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
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- H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Thermally Insulated Containers For Foods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空気密容器を歩留まりよく量産する。
【解決手段】 カソード基板とアノード基板とをそれぞ
れ多面取りにより製造し、多面取りカソード基板２０
は、ステップＳ１において、複数枚の単一のカソード基
板３０に切り離す。ステップＳ３において、切り離され
た複数枚のカソード基板３０を多面取りのアノード基板
１０の上に位置決めし、面付け（仮止め）を行う。これ
にステップＳ４でゲッタボックスを仮止めし、ステップ
５において、多面取りのアノード基板１０、カソード基
板３０およびゲッタボックス３４を同時に封着する。次
いで、ステップＳ６において多面取りのアノード基板１
０をカットして、個別の容器に切り離す。このとき、両
基板は封着されているので、基板を切断するときにでる
切粉などの悪影響を受けることがない。その後、ステッ
プＳ７およびＳ８において、排気および封止を行う。
れ多面取りにより製造し、多面取りカソード基板２０
は、ステップＳ１において、複数枚の単一のカソード基
板３０に切り離す。ステップＳ３において、切り離され
た複数枚のカソード基板３０を多面取りのアノード基板
１０の上に位置決めし、面付け（仮止め）を行う。これ
にステップＳ４でゲッタボックスを仮止めし、ステップ
５において、多面取りのアノード基板１０、カソード基
板３０およびゲッタボックス３４を同時に封着する。次
いで、ステップＳ６において多面取りのアノード基板１
０をカットして、個別の容器に切り離す。このとき、両
基板は封着されているので、基板を切断するときにでる
切粉などの悪影響を受けることがない。その後、ステッ
プＳ７およびＳ８において、排気および封止を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カソードが設けら
れるガラス基板とアノードが設けられるガラス基板とか
らなる真空気密容器の製造方法および該方法により製造
された真空気密容器に関する。
れるガラス基板とアノードが設けられるガラス基板とか
らなる真空気密容器の製造方法および該方法により製造
された真空気密容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体微細加工技術を駆使して半
導体などの基板に冷陰極を内蔵したミクロンサイズの微
小真空構造を集積する真空マイクロエレクトロニクスが
注目を集めている。この真空マイクロエレクトロニクス
は、真空中での電子の高速性や、良好な軌道制御性ある
いは可干渉性などを利用することによって、高温や放射
線環境にも強い能動素子、あるいは電子の干渉性を利用
した高機能素子などを実現しようとするものであり、高
精細度平面型表示装置やセンサ、高周波増幅素子、マイ
クロ波素子など高機能素子への応用が考えられている。
導体などの基板に冷陰極を内蔵したミクロンサイズの微
小真空構造を集積する真空マイクロエレクトロニクスが
注目を集めている。この真空マイクロエレクトロニクス
は、真空中での電子の高速性や、良好な軌道制御性ある
いは可干渉性などを利用することによって、高温や放射
線環境にも強い能動素子、あるいは電子の干渉性を利用
した高機能素子などを実現しようとするものであり、高
精細度平面型表示装置やセンサ、高周波増幅素子、マイ
クロ波素子など高機能素子への応用が考えられている。
【０００３】このような高機能真空素子が格納される真
空気密容器の一構成例を、電界放出型表示素子などの高
精細度平面型表示装置を例にとって、図４に示す。この
図において、１０１はガラスなどからなるカソード基
板、１０２はカソード基板１０１上に形成されたカソー
ドであり、例えば、電界放出カソードなどの冷陰極であ
る。１０３はカソード基板１０１上に設けられたカソー
ド端子であり、カソード１０２と外部駆動回路との接続
のために設けられているものである。
空気密容器の一構成例を、電界放出型表示素子などの高
精細度平面型表示装置を例にとって、図４に示す。この
図において、１０１はガラスなどからなるカソード基
板、１０２はカソード基板１０１上に形成されたカソー
ドであり、例えば、電界放出カソードなどの冷陰極であ
る。１０３はカソード基板１０１上に設けられたカソー
ド端子であり、カソード１０２と外部駆動回路との接続
のために設けられているものである。
【０００４】また、１０４はガラスなどからなるアノー
ド基板、１０５は、アノード基板１０４上に形成され、
カソード１０２から放出された電子を捕集するためのア
ノードであり、表示装置の場合にはその上に蛍光体層が
塗布されている。１０６はアノード基板上に形成された
アノード端子であり、アノード１０５と外部駆動回路と
を接続するためのものである。そして、カソード基板１
０１とアノード基板１０４は、カソード１０２とアノー
ド１０５とが対向し、かつ、アノード端子１０６とカソ
ード端子１０３が、それぞれ、対向する基板に重ならな
いように、配置され、フリットガラス１０７により封着
され、その内部は真空状態に保持されている。
ド基板、１０５は、アノード基板１０４上に形成され、
カソード１０２から放出された電子を捕集するためのア
ノードであり、表示装置の場合にはその上に蛍光体層が
塗布されている。１０６はアノード基板上に形成された
アノード端子であり、アノード１０５と外部駆動回路と
を接続するためのものである。そして、カソード基板１
０１とアノード基板１０４は、カソード１０２とアノー
ド１０５とが対向し、かつ、アノード端子１０６とカソ
ード端子１０３が、それぞれ、対向する基板に重ならな
いように、配置され、フリットガラス１０７により封着
され、その内部は真空状態に保持されている。
【０００５】従来、このような真空気密容器は、次のよ
うにして製造されていた。 イ．ガラス基板を規定の寸法に切断して洗浄・乾燥を行
い、その上にカソード１０２とカソード端子１０３を形
成し、カソード基板１０１を製造する。 ロ．同様に、ガラス基板上にアノード１０５とアノード
端子１０６を形成し、アノード基板１０４を製造する。 ハ．カソード基板１０１あるいはアノード基板１０４の
いずれか一方にフリットガラス１０７を取り付け、カソ
ード基板１０１とアノード基板１０４とを所定の位置に
重ね合わせる。 ニ．両基板の位置がずれないように治具で両基板を固定
し、封着炉に収容してフリットガラス１０７を溶融し
て、カソード基板１０１とアノード基板１０４とを封着
する。 ホ．排気を行い、内部を真空にし、排気孔部を気密封止
する。 ヘ．ゲッタフラッシュを行い、容器内の残留ガスを吸着
する。
うにして製造されていた。 イ．ガラス基板を規定の寸法に切断して洗浄・乾燥を行
い、その上にカソード１０２とカソード端子１０３を形
成し、カソード基板１０１を製造する。 ロ．同様に、ガラス基板上にアノード１０５とアノード
端子１０６を形成し、アノード基板１０４を製造する。 ハ．カソード基板１０１あるいはアノード基板１０４の
いずれか一方にフリットガラス１０７を取り付け、カソ
ード基板１０１とアノード基板１０４とを所定の位置に
重ね合わせる。 ニ．両基板の位置がずれないように治具で両基板を固定
し、封着炉に収容してフリットガラス１０７を溶融し
て、カソード基板１０１とアノード基板１０４とを封着
する。 ホ．排気を行い、内部を真空にし、排気孔部を気密封止
する。 ヘ．ゲッタフラッシュを行い、容器内の残留ガスを吸着
する。
【０００６】また、上述した方法は、カソード基板とア
ノード基板を一枚ずつ製造するものであるが、これをよ
り効率的にするために、両基板を多面取りにより製造す
ることも行われている。すなわち、上記１あるいは２の
工程に替えて、複数枚のカソード基板あるいはアノード
基板に対応する大面積のガラス基板に、複数枚のカソー
ド基板あるいはアノード基板のパターンを同時に形成
し、その後にカッティングして、個別のカソード基板あ
るいはアノード基板に切り離すことにより、カソード基
板あるいはアノード基板を高速かつ大量に製造すること
も行われている。
ノード基板を一枚ずつ製造するものであるが、これをよ
り効率的にするために、両基板を多面取りにより製造す
ることも行われている。すなわち、上記１あるいは２の
工程に替えて、複数枚のカソード基板あるいはアノード
基板に対応する大面積のガラス基板に、複数枚のカソー
ド基板あるいはアノード基板のパターンを同時に形成
し、その後にカッティングして、個別のカソード基板あ
るいはアノード基板に切り離すことにより、カソード基
板あるいはアノード基板を高速かつ大量に製造すること
も行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように多面取
りを採用した場合、カソード基板およびアノード基板を
高速かつ大量に生産することができるが、パターンが形
成されたガラス基板をカッティングすることとなる。ガ
ラス基板をカッティングすると、ガラスの切粉やカケ、
ティッピングなどが発生し、これが、すでに形成されて
いるパターンに悪影響を及ぼすことが多い。カソード基
板については、レジストコートをしたままでカッティン
グをすることにより、ガラスの切粉などによる悪影響を
防ぐことが可能であるが、アノード基板には蛍光体層が
設けられているために、レジストコートをすることがで
きない。したがって、アノード基板については、表面に
切粉の影響を及ぼさないようにカットすることが非常に
困難であり、歩留まりが悪いものであった。
りを採用した場合、カソード基板およびアノード基板を
高速かつ大量に生産することができるが、パターンが形
成されたガラス基板をカッティングすることとなる。ガ
ラス基板をカッティングすると、ガラスの切粉やカケ、
ティッピングなどが発生し、これが、すでに形成されて
いるパターンに悪影響を及ぼすことが多い。カソード基
板については、レジストコートをしたままでカッティン
グをすることにより、ガラスの切粉などによる悪影響を
防ぐことが可能であるが、アノード基板には蛍光体層が
設けられているために、レジストコートをすることがで
きない。したがって、アノード基板については、表面に
切粉の影響を及ぼさないようにカットすることが非常に
困難であり、歩留まりが悪いものであった。
【０００８】そこで、本発明は、真空気密容器を歩留ま
りよく量産できるようにすることを目的とする。
りよく量産できるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の真空気密容器の製造方法は、多面取りのカ
ソード基板を複数のカソード基板に切り離す工程と、単
一に分離されたカソード基板と、多面取りのアノード基
板とを面付けする工程と、面付けされた両基板を封着す
る工程と、複数のカソード基板が封着された多面取りの
アノード基板をカットして個別の容器に切り離す工程
と、切り離された各容器を個別に排気する工程とからな
るものである。
に、本発明の真空気密容器の製造方法は、多面取りのカ
ソード基板を複数のカソード基板に切り離す工程と、単
一に分離されたカソード基板と、多面取りのアノード基
板とを面付けする工程と、面付けされた両基板を封着す
る工程と、複数のカソード基板が封着された多面取りの
アノード基板をカットして個別の容器に切り離す工程
と、切り離された各容器を個別に排気する工程とからな
るものである。
【００１０】また、本発明の真空気密容器の他の製造方
法は、多面取りのカソード基板を複数の単一のカソード
基板に切り離す工程と、単一に分離されたカソード基板
と、多面取りのアノード基板とを面付けする工程と、面
付けされた両基板を封着・排気する工程と、複数のカソ
ード基板が封着され、排気された多面取りのアノード基
板をカットして個別の容器に切り離す工程とからなるも
のである。さらに、本発明の真空気密容器は、上述した
いずれかの真空気密容器の製造方法により製造されたも
のである。
法は、多面取りのカソード基板を複数の単一のカソード
基板に切り離す工程と、単一に分離されたカソード基板
と、多面取りのアノード基板とを面付けする工程と、面
付けされた両基板を封着・排気する工程と、複数のカソ
ード基板が封着され、排気された多面取りのアノード基
板をカットして個別の容器に切り離す工程とからなるも
のである。さらに、本発明の真空気密容器は、上述した
いずれかの真空気密容器の製造方法により製造されたも
のである。
【００１１】多面取りのアノード基板に単一のカソード
基板を封着して容器を形成した後に、多面取りのアノー
ド基板をカットして個別の容器に切り離しているので、
ガラスをカッティングしたときに発生する切粉やカケ、
ティッピングなどがアノードに付着したり、真空容器内
に混入することを防止することができる。
基板を封着して容器を形成した後に、多面取りのアノー
ド基板をカットして個別の容器に切り離しているので、
ガラスをカッティングしたときに発生する切粉やカケ、
ティッピングなどがアノードに付着したり、真空容器内
に混入することを防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による、真空気密
容器の製造方法を示すフローチャートである。本発明に
おいては、アノード基板とカソード基板とは、いずれ
も、多面取りにより形成される。図１において、１０は
多面取りのアノード基板であり、一枚の大面積のガラス
基板上に複数枚のアノード基板分のアノードパターンが
形成されているものである。また、２０は多面取りのカ
ソード基板であり、同様に、一枚の大面積のガラス基板
上に複数枚のカソード基板分のカソードパターンが形成
されているものである。
容器の製造方法を示すフローチャートである。本発明に
おいては、アノード基板とカソード基板とは、いずれ
も、多面取りにより形成される。図１において、１０は
多面取りのアノード基板であり、一枚の大面積のガラス
基板上に複数枚のアノード基板分のアノードパターンが
形成されているものである。また、２０は多面取りのカ
ソード基板であり、同様に、一枚の大面積のガラス基板
上に複数枚のカソード基板分のカソードパターンが形成
されているものである。
【００１３】この多面取りのカソード基板２０は、レジ
ストコートをされた後、ステップＳ１において個々のカ
ソード基板に切り離され、複数枚の単一のカソード基板
３０とされる。なお、レジストコートがされているため
に、カッティング時に生じる切粉などの悪影響は防止さ
れる。次に、ステップＳ２において、カソード基板３０
に支柱が形成される。この支柱は、カソード基板とアノ
ード基板との間隔を大気圧に抗して所定の間隔に保持す
るために設けられるものである。なお、この支柱は多面
取りのアノード基板１０の側に形成してもよい。
ストコートをされた後、ステップＳ１において個々のカ
ソード基板に切り離され、複数枚の単一のカソード基板
３０とされる。なお、レジストコートがされているため
に、カッティング時に生じる切粉などの悪影響は防止さ
れる。次に、ステップＳ２において、カソード基板３０
に支柱が形成される。この支柱は、カソード基板とアノ
ード基板との間隔を大気圧に抗して所定の間隔に保持す
るために設けられるものである。なお、この支柱は多面
取りのアノード基板１０の側に形成してもよい。
【００１４】次に、ステップＳ３において、多面取りの
アノード基板１０上の各アノードパターンの上に、所定
の位置合わせを行って複数枚のカソード基板３０を配置
し、個別に面付けをする。この面付けは、多面取りのア
ノード基板１０あるいはカソード基板３０にフリットガ
ラスを取り付け、その一部をスポット加熱などにより仮
止めすることにより行われる。
アノード基板１０上の各アノードパターンの上に、所定
の位置合わせを行って複数枚のカソード基板３０を配置
し、個別に面付けをする。この面付けは、多面取りのア
ノード基板１０あるいはカソード基板３０にフリットガ
ラスを取り付け、その一部をスポット加熱などにより仮
止めすることにより行われる。
【００１５】次に、ステップＳ４において、仮止めされ
たカソード基板３０の上からゲッタボックスが同様にし
て仮止めされる。ゲッタボックスは、その内部にゲッタ
が入れられているものであるが、それとともに、このゲ
ッタボックスには排気孔が設けられている。排気孔が設
けられているゲッタボックスをカソード基板に取り付け
ることにより、排気のためにカソード基板自体あるいは
アノード基板自体に孔を空けることを避けることができ
る。このため、カソード基板あるいはアノード基板に孔
を空けることにより生じる切粉やカケなどの悪影響を受
けることがない。
たカソード基板３０の上からゲッタボックスが同様にし
て仮止めされる。ゲッタボックスは、その内部にゲッタ
が入れられているものであるが、それとともに、このゲ
ッタボックスには排気孔が設けられている。排気孔が設
けられているゲッタボックスをカソード基板に取り付け
ることにより、排気のためにカソード基板自体あるいは
アノード基板自体に孔を空けることを避けることができ
る。このため、カソード基板あるいはアノード基板に孔
を空けることにより生じる切粉やカケなどの悪影響を受
けることがない。
【００１６】図２は、ステップＳ４が終了した状態を示
す平面図である。この図において、１０は上述した多面
取りのアノード基板、３０は上述した単一のカソード基
板である。また、３１はカソード基板３０上に設けられ
たカソード端子、３２はカソード基板３０上に設けられ
たゲート端子、３４はゲッタボックス、３５はゲッタボ
ックス３３に設けられている排気孔、３７はフリットガ
ラスである。なお、この図では、多面取りのアノード基
板１０が４面取りである場合を示しているが、この面数
は個々の場合に応じて任意に決定することができるもの
である。
す平面図である。この図において、１０は上述した多面
取りのアノード基板、３０は上述した単一のカソード基
板である。また、３１はカソード基板３０上に設けられ
たカソード端子、３２はカソード基板３０上に設けられ
たゲート端子、３４はゲッタボックス、３５はゲッタボ
ックス３３に設けられている排気孔、３７はフリットガ
ラスである。なお、この図では、多面取りのアノード基
板１０が４面取りである場合を示しているが、この面数
は個々の場合に応じて任意に決定することができるもの
である。
【００１７】また、一点鎖線で示されているのは、後
に、多面取りのアノード基板１０を切り離すときの切断
線であり、この一点鎖線で囲まれた部分１１が単一のア
ノード基板となる。図示するように、カソード基板３０
は、単一のアノード基板１１とずらされた位置になるよ
うに重ねられている。これは、アノード基板１１の上に
カソード基板３０上に設けられたカソード端子３１およ
びゲート端子３２が重ねられて、カソード端子３１およ
びゲート端子３２に外部回路からの配線を行うことがで
きなくなることを防ぐためである。さらに、ゲッタボッ
クス３３はアノード基板１１とカソード基板３０の両者
にまたがるように位置決めされている。
に、多面取りのアノード基板１０を切り離すときの切断
線であり、この一点鎖線で囲まれた部分１１が単一のア
ノード基板となる。図示するように、カソード基板３０
は、単一のアノード基板１１とずらされた位置になるよ
うに重ねられている。これは、アノード基板１１の上に
カソード基板３０上に設けられたカソード端子３１およ
びゲート端子３２が重ねられて、カソード端子３１およ
びゲート端子３２に外部回路からの配線を行うことがで
きなくなることを防ぐためである。さらに、ゲッタボッ
クス３３はアノード基板１１とカソード基板３０の両者
にまたがるように位置決めされている。
【００１８】図３に、図２のＡ−Ａ’断面図を示す。こ
の図において、１１は上述したアノード基板、１２はア
ノード基板１上に形成されたアノード、１３はアノード
端子、３０は上述したカソード基板、３３はカソード、
３１はカソード端子である。また、３４は上述したゲッ
タボックス、３５は上述した排気孔、３６はゲッタ、３
７はフリットガラスである。
の図において、１１は上述したアノード基板、１２はア
ノード基板１上に形成されたアノード、１３はアノード
端子、３０は上述したカソード基板、３３はカソード、
３１はカソード端子である。また、３４は上述したゲッ
タボックス、３５は上述した排気孔、３６はゲッタ、３
７はフリットガラスである。
【００１９】前記ステップＳ３およびＳ４において、こ
の図２および図３で示すように、カソード基板３０およ
びゲッタボックス３４が位置決めされて、多面取りのア
ノード基板１０の上に仮止めされている。
の図２および図３で示すように、カソード基板３０およ
びゲッタボックス３４が位置決めされて、多面取りのア
ノード基板１０の上に仮止めされている。
【００２０】続いて、ステップＳ５において、多面取り
のアノード基板１０の上の所定の位置に仮止めされた４
枚のカソード基板３０と４個のゲッタボックス３４は、
電気炉などの封着炉に入れられて加熱され、封着され
る。すなわち、封着炉内で加熱されることにより、融点
の低いフリットガラス３７が溶融され、多面取りのアノ
ード基板１０とカソード基板３０とゲッタボックス３４
とが同時にシールされる。
のアノード基板１０の上の所定の位置に仮止めされた４
枚のカソード基板３０と４個のゲッタボックス３４は、
電気炉などの封着炉に入れられて加熱され、封着され
る。すなわち、封着炉内で加熱されることにより、融点
の低いフリットガラス３７が溶融され、多面取りのアノ
ード基板１０とカソード基板３０とゲッタボックス３４
とが同時にシールされる。
【００２１】次に、ステップＳ６において、多面取りの
アノード基板１０のカッティングが行われる。すなわ
ち、図２の一点鎖線で多面取りのアノード基板１０が切
り離される。このカッティングは、図２に示すように、
アノード基板１１とカソード基板３０とが位置をずらさ
れて重ね合わされているために、カソード基板３０の側
からみて、一点鎖線の切断線が露出している部分につい
てはカソード基板３０の側からカッティングすることが
できるが、一点鎖線の切断線がカソード基板３０の下に
なっている部分については多面取りのアノード基板１０
の側からカッティングすることが行われる。
アノード基板１０のカッティングが行われる。すなわ
ち、図２の一点鎖線で多面取りのアノード基板１０が切
り離される。このカッティングは、図２に示すように、
アノード基板１１とカソード基板３０とが位置をずらさ
れて重ね合わされているために、カソード基板３０の側
からみて、一点鎖線の切断線が露出している部分につい
てはカソード基板３０の側からカッティングすることが
できるが、一点鎖線の切断線がカソード基板３０の下に
なっている部分については多面取りのアノード基板１０
の側からカッティングすることが行われる。
【００２２】このように、本発明によれば、ステップＳ
５において多面取りのアノード基板１０にカソード基板
３０およびゲッタボックス３４を封着した後のステップ
Ｓ６において、カッティングが行われるために、ガラス
基板をカッティングしたときに出る切粉やカケなどがア
ノードに付着したり容器内部に混入することがない。し
たがって、歩留まりが低下することがない。
５において多面取りのアノード基板１０にカソード基板
３０およびゲッタボックス３４を封着した後のステップ
Ｓ６において、カッティングが行われるために、ガラス
基板をカッティングしたときに出る切粉やカケなどがア
ノードに付着したり容器内部に混入することがない。し
たがって、歩留まりが低下することがない。
【００２３】ステップＳ６により個々の容器に分離され
た後、ステップＳ７において、排気が行われる。これ
は、図３に示すように、ゲッタボックス３４に設けられ
た排気孔３５から排気を行うことにより、アノード基板
１１とカソード基板３０との間隙から、図３の矢印に示
すように内部の空気が排気されることにより行われる。
この後、ステップＳ７において、排気孔３５が封止さ
れ、容器内部は真空状態にされる。
た後、ステップＳ７において、排気が行われる。これ
は、図３に示すように、ゲッタボックス３４に設けられ
た排気孔３５から排気を行うことにより、アノード基板
１１とカソード基板３０との間隙から、図３の矢印に示
すように内部の空気が排気されることにより行われる。
この後、ステップＳ７において、排気孔３５が封止さ
れ、容器内部は真空状態にされる。
【００２４】次に、ステップＳ７において、ゲッタフラ
ッシュが行われる。これは、高周波誘導加熱を行って、
ゲッタボックス３４内に入れられているバリウムなどの
ゲッタ３６をフラッシュさせることにより行われる。こ
れにより、金属バリウムの蒸着膜が容器内の残留ガスを
吸着し、容器内部が高真空状態にされる。以上の工程に
より、真空気密容器に入れられた電界放出型表示素子が
完成した。
ッシュが行われる。これは、高周波誘導加熱を行って、
ゲッタボックス３４内に入れられているバリウムなどの
ゲッタ３６をフラッシュさせることにより行われる。こ
れにより、金属バリウムの蒸着膜が容器内の残留ガスを
吸着し、容器内部が高真空状態にされる。以上の工程に
より、真空気密容器に入れられた電界放出型表示素子が
完成した。
【００２５】なお、上記においては、ステップＳ５にお
いて封着した後、ステップＳ６においてカッティングを
行ったが、ステップＳ５の封着の後、ステップＳ７の排
気およびステップＳ８の排気孔の封止を、同一工程内に
おいて連続処理してもよい。この場合は、この連続処理
の後、ステップＳ６のカッティング処理を行うこととな
る。すなわち、ステップＳ５、ステップＳ７およびステ
ップＳ８を同一工程において連続処理し、次いで、ステ
ップＳ６、ステップＳ９の順に処理を行うこととなる。
この場合においても、封着が終了して真空気密容器が形
成されてから、カッティングが行われるために、ガラス
基板のカッティングによる悪影響を防ぐことができる。
いて封着した後、ステップＳ６においてカッティングを
行ったが、ステップＳ５の封着の後、ステップＳ７の排
気およびステップＳ８の排気孔の封止を、同一工程内に
おいて連続処理してもよい。この場合は、この連続処理
の後、ステップＳ６のカッティング処理を行うこととな
る。すなわち、ステップＳ５、ステップＳ７およびステ
ップＳ８を同一工程において連続処理し、次いで、ステ
ップＳ６、ステップＳ９の順に処理を行うこととなる。
この場合においても、封着が終了して真空気密容器が形
成されてから、カッティングが行われるために、ガラス
基板のカッティングによる悪影響を防ぐことができる。
【００２６】なお、上記においては、電界放出型表示素
子の製造を例にとって説明したが、これに限られること
はなく、他の装置に用いられる真空気密容器の製造の場
合に本発明を適用することができることは明らかであ
る。
子の製造を例にとって説明したが、これに限られること
はなく、他の装置に用いられる真空気密容器の製造の場
合に本発明を適用することができることは明らかであ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
多面取りを行っているために、大量に製造することがで
き、また、封着が終了した後に基板のカッティングを行
っているので、基板のカッティングによる悪影響を防ぐ
ことができ、真空気密容器を歩留まりよく量産すること
が可能となる。
多面取りを行っているために、大量に製造することがで
き、また、封着が終了した後に基板のカッティングを行
っているので、基板のカッティングによる悪影響を防ぐ
ことができ、真空気密容器を歩留まりよく量産すること
が可能となる。
【図１】本発明の真空気密容器の製造方法の一実施例を
説明するためのフローチャートである。
説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の真空気密容器の製造方法の途中段階に
おける状態を示す図である。
おける状態を示す図である。
【図３】本発明の真空気密容器の断面図である。
【図４】真空気密容器の断面図である。
１０ 多面取りのアノード基板 １１、１０４ 単一のアノード基板 １２、１０５ アノード １３、１０６ アノード端子 ２０ 多面取りのカソード基板 ３０、１０１ 単一のカソード基板 ３１、１０３ カソード端子 ３２ ゲート端子 ３３、１０２ カソード ３４ ゲッタボックス ３５ 排気孔 ３６ ゲッタ ３７、１０７ フリットガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蒔田 吉生 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 門脇 晃 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 次の（ａ）から（ｅ）の工程からなる、
真空気密容器の製造方法。 （ａ） 多面取りのカソード基板を複数枚の単一のカソ
ード基板に切り離す工程 （ｂ） 多面取りのアノード基板に前記（ａ）において
切り離された複数枚のカソード基板を面付けする工程 （ｃ） 前記（ｂ）において面付けされた、多面取りの
アノード基板と複数枚のカソード基板とを封着する工程 （ｄ） 前記（ｃ）において複数枚のカソード基板が封
着された多面取りのアノード基板をカットして個別の容
器に切り離す工程 （ｅ） 前記（ｄ）において切り離された各容器を個別
に排気し、封止する工程 - 【請求項２】 次の（ａ）から（ｄ）の工程からなる、
真空気密容器の製造方法。 （ａ） 多面取りのカソード基板を複数枚の単一のカソ
ード基板に切り離す工程 （ｂ） 多面取りのアノード基板に前記（ａ）において
切り離された複数枚のカソード基板を面付けする工程 （ｃ） 前記（ｂ）において面付けされた、多面取りの
アノード基板と複数枚のカソード基板とを封着、排気、
封止する工程 （ｄ） 前記（ｃ）において複数枚のカソード基板が封
着、排気、封止された多面取りのアノード基板をカット
して個別の容器に切り離す工程 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の製造
方法により製造された真空気密容器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07211417A JP3141743B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 真空気密容器の製造方法 |
| FR9609427A FR2735901B1 (fr) | 1995-07-28 | 1996-07-26 | Enveloppe etanche aux gaz et au vide et procede pour sa fabrication |
| US08/686,605 US5820434A (en) | 1995-07-28 | 1996-07-26 | Vacuum airtight envelope and method for manufacturing same |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07211417A JP3141743B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 真空気密容器の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945243A true JPH0945243A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3141743B2 JP3141743B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16605618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07211417A Expired - Fee Related JP3141743B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 真空気密容器の製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3141743B2 (ja) |
| KR (1) | KR100256104B1 (ja) |
| FR (1) | FR2735901B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080034353A (ko) * | 2006-10-16 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 표시 장치 |
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|---|---|---|---|---|
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| KR101257686B1 (ko) * | 2008-12-09 | 2013-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시소자의 제조라인 및 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US4009407A (en) * | 1974-07-30 | 1977-02-22 | Panel Technology, Inc. | Segmented electrode type gas discharge display panel with mercury giver means |
| US3931436A (en) * | 1974-07-30 | 1976-01-06 | Owens-Illinois, Inc. | Segmented gas discharge display panel device and method of manufacturing same |
| US4071287A (en) * | 1976-03-15 | 1978-01-31 | International Business Machines Corporation | Manufacturing process for gaseous discharge device |
| JPS6050839A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | Okaya Denki Sangyo Kk | ガス放電パネルの製造方法 |
| US4906311A (en) * | 1985-09-24 | 1990-03-06 | John Fluke Co., Inc. | Method of making a hermetically sealed electronic component |
| JP3091787B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2000-09-25 | 三菱電機株式会社 | 発光素子選別方法および発光素子選別装置 |
| JP2570697Y2 (ja) * | 1993-07-14 | 1998-05-06 | 双葉電子工業株式会社 | 真空電子装置およびその外囲器 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP07211417A patent/JP3141743B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-26 FR FR9609427A patent/FR2735901B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-26 US US08/686,605 patent/US5820434A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-29 KR KR1019960030931A patent/KR100256104B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080034353A (ko) * | 2006-10-16 | 2008-04-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970008257A (ko) | 1997-02-24 |
| FR2735901B1 (fr) | 1998-07-24 |
| US5820434A (en) | 1998-10-13 |
| FR2735901A1 (fr) | 1996-12-27 |
| JP3141743B2 (ja) | 2001-03-05 |
| KR100256104B1 (ko) | 2000-05-01 |
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