JPH0943172A - 多試料同時分析方法およびその装置 - Google Patents
多試料同時分析方法およびその装置Info
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- JPH0943172A JPH0943172A JP7191632A JP19163295A JPH0943172A JP H0943172 A JPH0943172 A JP H0943172A JP 7191632 A JP7191632 A JP 7191632A JP 19163295 A JP19163295 A JP 19163295A JP H0943172 A JPH0943172 A JP H0943172A
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- Japan
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- samples
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】一回の測定で複数個の試料の分析が出来る様に
する。 【構成】複数の試料の劈開面どうしを密着し、密着面６
を中心に一次イオンビームを走査させながら照射し、検
出器を各試料内に一次イオンビームが照射された際にの
み作動させるようにして、各試料の深さ方向濃度分布を
測定する。
する。 【構成】複数の試料の劈開面どうしを密着し、密着面６
を中心に一次イオンビームを走査させながら照射し、検
出器を各試料内に一次イオンビームが照射された際にの
み作動させるようにして、各試料の深さ方向濃度分布を
測定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体材料に対し一次ビ
ームを照射し、前記固体試料の表面および内部から発生
するイオン、電子およびＸ線を検出することによって前
記試料の元素分析および化学状態分析を行う分析方法お
よびその方法に関する。
ームを照射し、前記固体試料の表面および内部から発生
するイオン、電子およびＸ線を検出することによって前
記試料の元素分析および化学状態分析を行う分析方法お
よびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の固体材料の表面及び内部の
元素分析及び化学状態分析を行う場合には、試料ホルダ
ーに試料を装着して、分析装置内に導入したのち、１試
料ずつイオンビーム又は電子ビームを照射することによ
って測定を行っていた。
元素分析及び化学状態分析を行う場合には、試料ホルダ
ーに試料を装着して、分析装置内に導入したのち、１試
料ずつイオンビーム又は電子ビームを照射することによ
って測定を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上に
示す様な方法では、測定に要するおよその時間が、一つ
の試料の測定に必要な時間と試料数の積（例えば１０試
料分析するのであれば、１試料測定するのに必要な時間
の１０倍）となり、作業能率が低いという問題点があっ
た。
示す様な方法では、測定に要するおよその時間が、一つ
の試料の測定に必要な時間と試料数の積（例えば１０試
料分析するのであれば、１試料測定するのに必要な時間
の１０倍）となり、作業能率が低いという問題点があっ
た。
【０００４】本発明は上記の問題点を解決する手段とし
て、一回の測定によって複数の試料のデータ取得を行
い、短時間に測定を行うことの出来る分析方法およびそ
の装置を提供することを目的としている。
て、一回の測定によって複数の試料のデータ取得を行
い、短時間に測定を行うことの出来る分析方法およびそ
の装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に関する分析装置
は、複数の試料の断面を密着させた状態で前記試料の密
着箇所を含む試料上に一次ビームを走査しながら照射
し、一次ビーム走査回路と二次イオン、電子、Ｘ線の検
出器を連動させることによって、それぞれの試料の一次
ビーム走査傾斜内の任意の箇所からのみ発生する二次イ
オン、電子、Ｘ線が検出出来るようになっている。
は、複数の試料の断面を密着させた状態で前記試料の密
着箇所を含む試料上に一次ビームを走査しながら照射
し、一次ビーム走査回路と二次イオン、電子、Ｘ線の検
出器を連動させることによって、それぞれの試料の一次
ビーム走査傾斜内の任意の箇所からのみ発生する二次イ
オン、電子、Ｘ線が検出出来るようになっている。
【０００６】
【作用】このように複数の試料を密着した箇所に一次ビ
ームを走査しながら照射するから複数の試料を同時に分
析することができる。
ームを走査しながら照射するから複数の試料を同時に分
析することができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】まず、第１の実施例の図１の断面図に示す
ように、それぞれ１ｃｍ2 角に劈開したシリコン（28Ｓ
ｉ）を注入エネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０
14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 でイオン注入した面指数（１０
０）のガリウム砒素基板１及びシリコン（28Ｓｉ）をエ
ネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０15ａｔｏｍｓ
／ｃｍ2 でイオン注入した面指数（１００）のガリウム
砒素基板２を基板１の劈開面一辺３及び基板２の劈開面
一辺４が密着するように試料台５上に装着し、二次イオ
ン質量分析装置に装着する。
ように、それぞれ１ｃｍ2 角に劈開したシリコン（28Ｓ
ｉ）を注入エネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０
14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 でイオン注入した面指数（１０
０）のガリウム砒素基板１及びシリコン（28Ｓｉ）をエ
ネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０15ａｔｏｍｓ
／ｃｍ2 でイオン注入した面指数（１００）のガリウム
砒素基板２を基板１の劈開面一辺３及び基板２の劈開面
一辺４が密着するように試料台５上に装着し、二次イオ
ン質量分析装置に装着する。
【０００９】次に、図２に示すように、劈開面３及び４
を密着させた基板１及び２を、密着箇所６を中心とする
１ｍｍ2 角の領域７にセシウム（Ｃｓ+ ）一次イオンビ
ームを走査させながら照射すると、図３（Ａ）に示され
る砒素（Ａｓ）の二次イオン像が観察される。
を密着させた基板１及び２を、密着箇所６を中心とする
１ｍｍ2 角の領域７にセシウム（Ｃｓ+ ）一次イオンビ
ームを走査させながら照射すると、図３（Ａ）に示され
る砒素（Ａｓ）の二次イオン像が観察される。
【００１０】領域７の砒素の二次イオン像強度分布は図
３（Ｂ）に示すように密着箇所６の強度が領域７内の他
の領域にくらべ弱いので、Ａｓの二次イオン像から基板
１と基板２の位置の確認が出来る。
３（Ｂ）に示すように密着箇所６の強度が領域７内の他
の領域にくらべ弱いので、Ａｓの二次イオン像から基板
１と基板２の位置の確認が出来る。
【００１１】そこで、走査一次イオンビームが領域７の
試料１に対応する箇所内の任意の領域８及び試料２に対
応する箇所内の任意の領域９（領域８と領域９の面積は
等しい）に存在する場合のみ二次イオンの検出器が作動
するようにして、それぞれの領域から発生するシリコン
の二次イオンを検出することによって、同時に図４に示
すような基板１と基板２中のシリコンの深さ方向濃度分
布１０及び１１を得ることができ、測定時間を従来法の
約半分に短縮する事が出来た。
試料１に対応する箇所内の任意の領域８及び試料２に対
応する箇所内の任意の領域９（領域８と領域９の面積は
等しい）に存在する場合のみ二次イオンの検出器が作動
するようにして、それぞれの領域から発生するシリコン
の二次イオンを検出することによって、同時に図４に示
すような基板１と基板２中のシリコンの深さ方向濃度分
布１０及び１１を得ることができ、測定時間を従来法の
約半分に短縮する事が出来た。
【００１２】次に、本発明の第２の実施例について図面
に参照して説明する。図５は、ガリウム砒素基板（厚さ
７００μｍ）１２上にアルミニウムガリウム砒素１６及
びガリウム砒素膜１３を各５μｍずつエピタキシャル成
長させた試料１４及び１５の断面構造を示している。
尚、試料１４のアルミニウムガリウム砒素層１６におけ
るアルミニウムとガリウムの組成比は２５：７５であ
り、試料１５のアルミニウムガリウム砒素層１６におけ
るアルミニウムとガリウムの組成比は２０：８０であ
る。
に参照して説明する。図５は、ガリウム砒素基板（厚さ
７００μｍ）１２上にアルミニウムガリウム砒素１６及
びガリウム砒素膜１３を各５μｍずつエピタキシャル成
長させた試料１４及び１５の断面構造を示している。
尚、試料１４のアルミニウムガリウム砒素層１６におけ
るアルミニウムとガリウムの組成比は２５：７５であ
り、試料１５のアルミニウムガリウム砒素層１６におけ
るアルミニウムとガリウムの組成比は２０：８０であ
る。
【００１３】次に図６に示すように、試料１４及び試料
１５をそれぞれ幅５ｍｍに劈開し、それぞれの試料表面
１７が密着するようにして試料台１９上にそれぞれの試
料の劈開面の一辺１８が上になるように装着した後、試
料台１９及び試料１４及び試料１５を電子プローブマイ
クロアナライザー装置（ＥＰＭＡ装置）に装着する。
１５をそれぞれ幅５ｍｍに劈開し、それぞれの試料表面
１７が密着するようにして試料台１９上にそれぞれの試
料の劈開面の一辺１８が上になるように装着した後、試
料台１９及び試料１４及び試料１５を電子プローブマイ
クロアナライザー装置（ＥＰＭＡ装置）に装着する。
【００１４】次に、図７に示すように、試料表面１７を
密着させた箇所２０を中心とする５０μｍ2 角の領域２
１に電子線を走査させながら照射し、発生するアルミニ
ウムの特性Ｘ線像を観察する。
密着させた箇所２０を中心とする５０μｍ2 角の領域２
１に電子線を走査させながら照射し、発生するアルミニ
ウムの特性Ｘ線像を観察する。
【００１５】観察された領域２１のアルミニウムの特性
Ｘ線像は、図８に示すように、密着箇所２０に対し対称
な二本の線として観察されるので、試料１４内及び試料
１５内それぞれのアルミニウムガリウム砒素層に対応す
る領域２２および２３の確認が出来る。
Ｘ線像は、図８に示すように、密着箇所２０に対し対称
な二本の線として観察されるので、試料１４内及び試料
１５内それぞれのアルミニウムガリウム砒素層に対応す
る領域２２および２３の確認が出来る。
【００１６】そこで、走査電子ビームが領域２２及び領
域２３内の任意の領域２４および領域２５（領域２４と
領域２５の面積は等しい）に存在する場合のみ特性Ｘ線
の検出器が作動するようにして、それぞれの領域から発
生するアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ線を検出する
ことによって、同時に図９に示すような試料１４及び試
料１５のアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ線スペクト
ル２６及び２７（アルミニウムＫα線：１．４８ｋｅ
Ｖ、ガリウムＫα線：９．２４ｋｅＶ）を得ることが出
来、スペクトルの積分強度比からそれぞれの試料のアル
ミニウムガリウム砒素層の正確なアルミニウム及びガリ
ウムの組成比は試料１４が２２．５：７７．５であり、
試料１５が１９．１：８０．９であることがわかった。
域２３内の任意の領域２４および領域２５（領域２４と
領域２５の面積は等しい）に存在する場合のみ特性Ｘ線
の検出器が作動するようにして、それぞれの領域から発
生するアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ線を検出する
ことによって、同時に図９に示すような試料１４及び試
料１５のアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ線スペクト
ル２６及び２７（アルミニウムＫα線：１．４８ｋｅ
Ｖ、ガリウムＫα線：９．２４ｋｅＶ）を得ることが出
来、スペクトルの積分強度比からそれぞれの試料のアル
ミニウムガリウム砒素層の正確なアルミニウム及びガリ
ウムの組成比は試料１４が２２．５：７７．５であり、
試料１５が１９．１：８０．９であることがわかった。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように、複数の試料を密
着させてこの密着箇所を中心に一次ビームを走査しなが
ら照射することによって、複数の試料を同時に分析する
ことができ、測定時間の短縮を図ることができる。
着させてこの密着箇所を中心に一次ビームを走査しなが
ら照射することによって、複数の試料を同時に分析する
ことができ、測定時間の短縮を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例によって試料を密着した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例によって試料を密着した
状態を示す平面図である。
状態を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例において、図２の領域７
に対して一次ビームを照射した際に得られる二次イオン
像および（ａ）内のＡ−Ｂ上における砒素の二次イオン
強度分布を示す図である。
に対して一次ビームを照射した際に得られる二次イオン
像および（ａ）内のＡ−Ｂ上における砒素の二次イオン
強度分布を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施例によって得られたシリコ
ンの深さ方向濃度分布を示す図である。
ンの深さ方向濃度分布を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例の試料を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の第２の実施例によって試料を密着した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施例によって試料を密着した
状態を示す平面図である。
状態を示す平面図である。
【図８】本発明の第２の実施例において、電子線照射に
よって得られた領域２４のアルミニウムの特性Ｘ線像を
示す図である。
よって得られた領域２４のアルミニウムの特性Ｘ線像を
示す図である。
【図９】本発明の第２の実施例によって得られたアルミ
ニウム及びガリウムの特性Ｘ線スペクトルを示す図であ
る。
ニウム及びガリウムの特性Ｘ線スペクトルを示す図であ
る。
１，２ イオン注入を行ったガリウム砒素基板 ３ 基板１の劈開面の一辺 ４ 基板２の劈開面の一辺 ５ 試料台 ６ ３及び４を密着させた箇所 ７ セシウム一次イオン照射領域 ８ 基板１の二次イオン検出領域 ９ 基板２の二次イオン検出領域 １０ 本発明の第１の実施例による基板１のシリコン
の深さ方向濃度分布 １１ 本発明の第１の実施例による基板２のシリコン
の深さ方向濃度分布 １２ ガリウム砒素基板 １３ ガリウム砒素膜 １４，１５ 分析試料 １６ アルミニウムガリウム砒素膜 １７ 試料の表面 １８ 劈開面の一辺 １９ 試料台 ２０ 密着箇所 ２１ 電子線照射領域 ２２，２３ アルミニウムガリウム砒素領域の特性Ｘ
線像 ２４ 試料１４の分析領域 ２５ 試料１５の分析領域 ２６ 試料１４のアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ
線スペクトル ２７ 試料１５のアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ
線スペクトル
の深さ方向濃度分布 １１ 本発明の第１の実施例による基板２のシリコン
の深さ方向濃度分布 １２ ガリウム砒素基板 １３ ガリウム砒素膜 １４，１５ 分析試料 １６ アルミニウムガリウム砒素膜 １７ 試料の表面 １８ 劈開面の一辺 １９ 試料台 ２０ 密着箇所 ２１ 電子線照射領域 ２２，２３ アルミニウムガリウム砒素領域の特性Ｘ
線像 ２４ 試料１４の分析領域 ２５ 試料１５の分析領域 ２６ 試料１４のアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ
線スペクトル ２７ 試料１５のアルミニウム及びガリウムの特性Ｘ
線スペクトル
Claims (2)
- 【請求項１】 被測定物に対してイオンビーム、電子ビ
ーム（以下、一次ビーム、と称す）を走査させながら照
射して前記被測定物から放出される二次イオン、電子等
を検出することによって前記被測定物表面及び内部の元
素分析および化学状態を分析する方法において、複数の
試料の断面どうしを密着させ、前記密着箇所を含む前記
試料上に一次ビームを照射して前記試料から発生する二
次イオン、電子、Ｘ線等をそれぞれの試料から同時に検
出することを特徴とする多試料同時分析方法。 - 【請求項２】 前記請求項１記載の前記試料から発生す
る二次イオン、電子、Ｘ線等を検出する手段が、一次ビ
ーム走査回路と検出器を同期させる方式であることを特
徴とする多試料同時分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191632A JPH0943172A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 多試料同時分析方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191632A JPH0943172A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 多試料同時分析方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943172A true JPH0943172A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16277889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7191632A Pending JPH0943172A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 多試料同時分析方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0943172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103429809A (zh) * | 2011-03-09 | 2013-12-04 | 三菱丽阳株式会社 | 丝条的加压蒸汽处理装置与碳纤维前驱体丝条的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134316U (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-13 | ||
| JPH0466840A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 透過電子顕微鏡試料の作製方法 |
| JPH07174677A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 |
| JPH07296761A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Sony Corp | 試料の作製方法 |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP7191632A patent/JPH0943172A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134316U (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-13 | ||
| JPH0466840A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 透過電子顕微鏡試料の作製方法 |
| JPH07174677A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 透過電子顕微鏡観察用試料の作製方法 |
| JPH07296761A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Sony Corp | 試料の作製方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103429809A (zh) * | 2011-03-09 | 2013-12-04 | 三菱丽阳株式会社 | 丝条的加压蒸汽处理装置与碳纤维前驱体丝条的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980324 |