JPH0936341A - 撮像素子及びその動作方法 - Google Patents
撮像素子及びその動作方法Info
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- JPH0936341A JPH0936341A JP7185293A JP18529395A JPH0936341A JP H0936341 A JPH0936341 A JP H0936341A JP 7185293 A JP7185293 A JP 7185293A JP 18529395 A JP18529395 A JP 18529395A JP H0936341 A JPH0936341 A JP H0936341A
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- 238000011017 operating method Methods 0.000 title claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 140
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 140
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229940007424 antimony trisulfide Drugs 0.000 description 3
- NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Sb+3].[Sb+3] NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N arsenic triselenide Chemical compound [Se]=[As][Se][As]=[Se] WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004829 CaWO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 撮像素子において，光導電膜に内部でアバラ
ンシェ増倍が生じるほどの高電界を印加して使用する際
に，特に，発生し易い画面欠陥や暗電流，残像等の増加
現象を抑止し，高感度，高画質化を実現する。 【構成】 撮像素子の光導電膜１を注入型接触を有する
電荷注入層１２，１３と，注入される電荷を捕獲して空
間電荷を形成するための電荷捕獲層１４，１５と，入射
光を信号電荷に変換するための光電変換層１１で構成す
る。
ンシェ増倍が生じるほどの高電界を印加して使用する際
に，特に，発生し易い画面欠陥や暗電流，残像等の増加
現象を抑止し，高感度，高画質化を実現する。 【構成】 撮像素子の光導電膜１を注入型接触を有する
電荷注入層１２，１３と，注入される電荷を捕獲して空
間電荷を形成するための電荷捕獲層１４，１５と，入射
光を信号電荷に変換するための光電変換層１１で構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，入射光を信号電荷に変
換するための光導電膜を有する撮像管や光導電膜積層型
固体撮像素子等の撮像素子に係り，更に詳しく言えば，
光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍が生じるほどの高
電界を印加しても，暗電流を低く抑止した状態で使用し
得る高感度の撮像素子用光導電膜の改良に関する。
換するための光導電膜を有する撮像管や光導電膜積層型
固体撮像素子等の撮像素子に係り，更に詳しく言えば，
光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍が生じるほどの高
電界を印加しても，暗電流を低く抑止した状態で使用し
得る高感度の撮像素子用光導電膜の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，光導電膜を有する撮像素子は，
撮像素子に入射する可視光やＸ線等の電磁波，ないしは
電子線（以下これらを総称して単に入射光と呼ぶ）を信
号電荷に変換してこれを蓄積するための光導電膜と，蓄
積された信号電荷を読み取るための手段と，光導電膜に
電圧を印加するためにの導電性薄膜電極から成り，光導
電膜に所定の電圧を印加して使用する。通常，蓄積され
た信号電荷を読み取る手段が，走査電子ビーム発生部を
含む撮像素子を光導電型撮像管，互いに独立した複数個
の画素電極とそれぞれの画素電極に接続されたスイッチ
回路を含む固体走査回路を有する撮像素子を光導電膜積
層型固体撮像素子と呼んでいる。
撮像素子に入射する可視光やＸ線等の電磁波，ないしは
電子線（以下これらを総称して単に入射光と呼ぶ）を信
号電荷に変換してこれを蓄積するための光導電膜と，蓄
積された信号電荷を読み取るための手段と，光導電膜に
電圧を印加するためにの導電性薄膜電極から成り，光導
電膜に所定の電圧を印加して使用する。通常，蓄積され
た信号電荷を読み取る手段が，走査電子ビーム発生部を
含む撮像素子を光導電型撮像管，互いに独立した複数個
の画素電極とそれぞれの画素電極に接続されたスイッチ
回路を含む固体走査回路を有する撮像素子を光導電膜積
層型固体撮像素子と呼んでいる。
【０００３】また一方，かかる撮像素子には，光導電膜
が透光性電極とオーム性接触をなすものと，光導電膜へ
の電荷の注入が阻止される構成をなすものとがあり，一
般に，前者を注入型撮像素子，後者を阻止型撮像素子と
呼んでいる。前者に該当する代表的な撮像素子として
は，光導電膜にＳｂ2Ｓ3薄膜を用いた撮像管ビジコンが
広く知られている。後者の阻止型撮像素子は低残像，低
暗電流で，撮像素子の出力信号が入射光強度にほぼ比例
するなどの特徴を有することから．特にカラーカメラ用
として好適であり，今日ではモノクロ用途も含めてほと
んどの撮像装置に用いられている。
が透光性電極とオーム性接触をなすものと，光導電膜へ
の電荷の注入が阻止される構成をなすものとがあり，一
般に，前者を注入型撮像素子，後者を阻止型撮像素子と
呼んでいる。前者に該当する代表的な撮像素子として
は，光導電膜にＳｂ2Ｓ3薄膜を用いた撮像管ビジコンが
広く知られている。後者の阻止型撮像素子は低残像，低
暗電流で，撮像素子の出力信号が入射光強度にほぼ比例
するなどの特徴を有することから．特にカラーカメラ用
として好適であり，今日ではモノクロ用途も含めてほと
んどの撮像装置に用いられている。
【０００４】光導電膜への電荷の注入を阻止する手段と
しては，（１）ｐｉｎ，ないしはｐｎ接合形光導電膜の
逆方向特性を用いる，（２）光導電膜界面におけるショ
ットキー障壁の逆方向特性を利用する，（３）ｎ形（ま
たはｐ形）光導電膜とバンドギャップの広いｐ形（また
はｎ形）薄膜の接合界面に形成されるヘテロ整流性接合
の逆方向特性を用いる，（４）光導電膜界面に絶縁性薄
膜を設ける，などの方法が取られている。
しては，（１）ｐｉｎ，ないしはｐｎ接合形光導電膜の
逆方向特性を用いる，（２）光導電膜界面におけるショ
ットキー障壁の逆方向特性を利用する，（３）ｎ形（ま
たはｐ形）光導電膜とバンドギャップの広いｐ形（また
はｎ形）薄膜の接合界面に形成されるヘテロ整流性接合
の逆方向特性を用いる，（４）光導電膜界面に絶縁性薄
膜を設ける，などの方法が取られている。
【０００５】かかる撮像素子に関しては，例えば，木内
他：画像入力技術ハンドブック，日刊工業新聞社（１９
９２年）および特開昭５４−１５０９９５号公報に詳し
く述べられており，ｐｉｎ形のＰｂＯ光導電膜，ｐｉｎ
形の水素化アモルファスＳｉ光導電膜，ＳｎＯ2導電性
薄膜とＳｅ系非晶質半導体膜のショットキー形光導電
膜，ＣｄＳｅ（またはＣｅＯ2）とＳｅ系非晶質半導体
から成るヘテロ接合型光導電膜，ＺｎＳｅ／ＣｄＴｅ等
のII−VI族化合物半導体ヘテロ接合膜，ＳｉＯ2絶縁性
薄膜と水素化アモルファスＳｉ膜を積層した光導電膜な
どを用いた撮像管，ないしは光導電膜積層型固体撮像素
子が開示されている。
他：画像入力技術ハンドブック，日刊工業新聞社（１９
９２年）および特開昭５４−１５０９９５号公報に詳し
く述べられており，ｐｉｎ形のＰｂＯ光導電膜，ｐｉｎ
形の水素化アモルファスＳｉ光導電膜，ＳｎＯ2導電性
薄膜とＳｅ系非晶質半導体膜のショットキー形光導電
膜，ＣｄＳｅ（またはＣｅＯ2）とＳｅ系非晶質半導体
から成るヘテロ接合型光導電膜，ＺｎＳｅ／ＣｄＴｅ等
のII−VI族化合物半導体ヘテロ接合膜，ＳｉＯ2絶縁性
薄膜と水素化アモルファスＳｉ膜を積層した光導電膜な
どを用いた撮像管，ないしは光導電膜積層型固体撮像素
子が開示されている。
【０００６】また撮像素子の更なる高感度化を実現する
手段として，光導電膜内での電荷のアバランシェ増倍現
象を利用する方法が知られている。例えば，非晶質Ｓｅ
光導電膜に７×１０7Ｖ／ｍ以上の高電界を印加して用
いるアバランシェ増倍形撮像素子が，アイイーイーイー
・エレクトロン・デバイス・レレターズ，ＥＤＬ−８，
Ｎｏ．９，第３９２頁〜第３９４頁（１９８７年）（Ｉ
ＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ，ＥＤＬ−８，Ｎｏ．９，ｐｐ３９２〜３９４（１
９８７））に記載されている。本撮像素子では，非晶質
Ｓｅ光導電膜の正電極側にＣｅＯ2蒸着薄膜から成る正
孔注入阻止層を設け，他方にＳｂ2Ｓ3薄膜から成る電子
注入阻止層を設けることで，高電界印加時の暗電流が抑
止されている。またかかる撮像素子における高電界印加
時の局所的な絶縁破壊現象を抑止するための，基板，な
らびに透光性電極の製造方法が，例えば特開平１−１９
２１７７号公報，特開平５−１７４７２３号公報に開示
されており，それなりの効果が得られている。
手段として，光導電膜内での電荷のアバランシェ増倍現
象を利用する方法が知られている。例えば，非晶質Ｓｅ
光導電膜に７×１０7Ｖ／ｍ以上の高電界を印加して用
いるアバランシェ増倍形撮像素子が，アイイーイーイー
・エレクトロン・デバイス・レレターズ，ＥＤＬ−８，
Ｎｏ．９，第３９２頁〜第３９４頁（１９８７年）（Ｉ
ＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ，ＥＤＬ−８，Ｎｏ．９，ｐｐ３９２〜３９４（１
９８７））に記載されている。本撮像素子では，非晶質
Ｓｅ光導電膜の正電極側にＣｅＯ2蒸着薄膜から成る正
孔注入阻止層を設け，他方にＳｂ2Ｓ3薄膜から成る電子
注入阻止層を設けることで，高電界印加時の暗電流が抑
止されている。またかかる撮像素子における高電界印加
時の局所的な絶縁破壊現象を抑止するための，基板，な
らびに透光性電極の製造方法が，例えば特開平１−１９
２１７７号公報，特開平５−１７４７２３号公報に開示
されており，それなりの効果が得られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の撮像素
子において，更なる高感度化を図るために，光導電膜に
印加する電圧を上げると，注入形撮像素子では，光導電
膜への電荷の注入が増して暗電流が大幅に増加し，また
阻止形撮像素子でも，先に述べた従来技術では，電荷の
注入を阻止するための手段が必ずしも充分でない場合が
あり，暗電流や焼き付き，ないしは光導電膜の局所的な
破壊に伴う画面欠陥が増加しやすい欠点があった。特
に，非晶質Ｓｅ光導電膜を用いたアバランシェ増倍形撮
像素子では，例えば光導電膜の熱的な安定性や長波長光
に対する感度を高めるために添加するＡｓやＴｅを増す
と，暗電流が増加するため，必ずしも高感度，高Ｓ／Ｎ
の画像が得難いなどの課題があった。また，正孔注入阻
止層として用いられるＣｅＯ2は高融点の材料であるた
めに，蒸着薄膜を再現性良く製造することが必ずしも容
易とは云えなかった。
子において，更なる高感度化を図るために，光導電膜に
印加する電圧を上げると，注入形撮像素子では，光導電
膜への電荷の注入が増して暗電流が大幅に増加し，また
阻止形撮像素子でも，先に述べた従来技術では，電荷の
注入を阻止するための手段が必ずしも充分でない場合が
あり，暗電流や焼き付き，ないしは光導電膜の局所的な
破壊に伴う画面欠陥が増加しやすい欠点があった。特
に，非晶質Ｓｅ光導電膜を用いたアバランシェ増倍形撮
像素子では，例えば光導電膜の熱的な安定性や長波長光
に対する感度を高めるために添加するＡｓやＴｅを増す
と，暗電流が増加するため，必ずしも高感度，高Ｓ／Ｎ
の画像が得難いなどの課題があった。また，正孔注入阻
止層として用いられるＣｅＯ2は高融点の材料であるた
めに，蒸着薄膜を再現性良く製造することが必ずしも容
易とは云えなかった。
【０００８】さらにまた，従来技術の阻止形撮像素子で
は，光導電膜への電荷の注入を阻止するための手段が光
導電膜の界面に存在するために，光導電膜の界面状態，
すなわち微小な凹凸，異物，欠陥，汚染，吸着物等が特
性に敏感に作用して，上記の不良現象を起こし易い欠点
があった。
は，光導電膜への電荷の注入を阻止するための手段が光
導電膜の界面に存在するために，光導電膜の界面状態，
すなわち微小な凹凸，異物，欠陥，汚染，吸着物等が特
性に敏感に作用して，上記の不良現象を起こし易い欠点
があった。
【０００９】本発明の目的は，上記欠点を抑止して，高
感度・高品位の画質を安定に，且つ容易に実現し得る撮
像素子及びその動作方法を提供することにある。
感度・高品位の画質を安定に，且つ容易に実現し得る撮
像素子及びその動作方法を提供することにある。
【００１０】また，本発明の他の目的は，前述の欠点を
抑止した状態で，光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍
が起り得る程の高電圧を印加して使用し得る高感度撮像
素子及びその動作方法を提供することにある。
抑止した状態で，光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍
が起り得る程の高電圧を印加して使用し得る高感度撮像
素子及びその動作方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，本発明では，少なくとも光導電膜と，この光導電膜
の光入射側界面に設けられた導電性薄膜から成る透光性
電極と，入射光により生成された信号電荷を読み取るた
めの手段を有する撮像素子において，上記の光導電膜
を，注入形接触を成す電荷注入層と，この電荷注入層か
ら注入される電荷を捕獲するための電荷捕獲層と，入射
光の大部分を吸収して信号電荷に変換するための光電変
換層で構成する。
に，本発明では，少なくとも光導電膜と，この光導電膜
の光入射側界面に設けられた導電性薄膜から成る透光性
電極と，入射光により生成された信号電荷を読み取るた
めの手段を有する撮像素子において，上記の光導電膜
を，注入形接触を成す電荷注入層と，この電荷注入層か
ら注入される電荷を捕獲するための電荷捕獲層と，入射
光の大部分を吸収して信号電荷に変換するための光電変
換層で構成する。
【００１２】また，上記目的は，上記撮像素子の光導電
膜に，光電変換層内で電荷のアバランシェ増倍が生じる
程の電界を印加して使用することにより，達成される。
膜に，光電変換層内で電荷のアバランシェ増倍が生じる
程の電界を印加して使用することにより，達成される。
【００１３】
【作用】光導電形撮像素子では，一般に光導電膜に数Ｖ
から数千Ｖの電圧を印加して使用する。本発明では，光
導電膜と電極ないし走査手段との界面が注入形接触を成
すように構成するため，光導電膜に電圧を印加すると，
光導電膜への電荷の注入が極めて容易に起こる。しかし
ながら，光導電膜に注入された電荷は，光電変換層に到
達する以前に，光電変換層の界面に設けられた電荷捕獲
層に捕獲されて，空間電荷を形成することになる。本発
明では，電荷捕獲層として，光電変換層の静電容量
（Ｃ）と外部電源電圧（Ｖ）との積で決まる電荷量（Ｑ
＝ＣＶ）を超える程の空間電荷を形成し得るに足りる充
分な電荷捕獲能力を有する層を用いる。そのために，電
荷注入層の電界は，捕獲された空間電荷により緩和され
て低下し，光導電膜への電荷の注入が止まり平衡状態に
達する。上記平衡状態では，外部電源電圧の大部分が光
電変換層に印加されることになる。次に光電変換層に光
が入射すると，吸収量に応じた電子−正孔対が生成分離
され，その結果光電変換層の実効電界が下がることにな
る。次の走査で，光電変換層の電界が元の平衡状態にリ
セットされるまで電荷の注入が起こるので，走査時の注
入電荷量を画像信号電流として読み取れば良いことにな
る。
から数千Ｖの電圧を印加して使用する。本発明では，光
導電膜と電極ないし走査手段との界面が注入形接触を成
すように構成するため，光導電膜に電圧を印加すると，
光導電膜への電荷の注入が極めて容易に起こる。しかし
ながら，光導電膜に注入された電荷は，光電変換層に到
達する以前に，光電変換層の界面に設けられた電荷捕獲
層に捕獲されて，空間電荷を形成することになる。本発
明では，電荷捕獲層として，光電変換層の静電容量
（Ｃ）と外部電源電圧（Ｖ）との積で決まる電荷量（Ｑ
＝ＣＶ）を超える程の空間電荷を形成し得るに足りる充
分な電荷捕獲能力を有する層を用いる。そのために，電
荷注入層の電界は，捕獲された空間電荷により緩和され
て低下し，光導電膜への電荷の注入が止まり平衡状態に
達する。上記平衡状態では，外部電源電圧の大部分が光
電変換層に印加されることになる。次に光電変換層に光
が入射すると，吸収量に応じた電子−正孔対が生成分離
され，その結果光電変換層の実効電界が下がることにな
る。次の走査で，光電変換層の電界が元の平衡状態にリ
セットされるまで電荷の注入が起こるので，走査時の注
入電荷量を画像信号電流として読み取れば良いことにな
る。
【００１４】本発明では，以上述べたように，光導電膜
の界面を注入型接触にして，注入された電荷を光電変換
層の界面で阻止する構成にするため，従来技術の撮像素
子に見られたような光導電膜界面で起る種々の不良現象
がなくなり，低暗電流，高感度，高Ｓ／Ｎの良好な画像
が得られることになる。
の界面を注入型接触にして，注入された電荷を光電変換
層の界面で阻止する構成にするため，従来技術の撮像素
子に見られたような光導電膜界面で起る種々の不良現象
がなくなり，低暗電流，高感度，高Ｓ／Ｎの良好な画像
が得られることになる。
【００１５】以下，図面を用いて，本発明の作用を更に
詳しく説明する。
詳しく説明する。
【００１６】図１は，本発明の具体的実施形態を示す光
導電膜積層形撮像素子の１例である。図１（ａ）は断面
概略図，図１（ｂ）は１画素相当の断面拡大概略図であ
る。１は光導電膜，２は導電性薄膜から成る透光性電
極，３は光導電膜内に生成された信号電荷を読み取るた
めの手段，４は信号電荷読み取り手段３を含む走査回路
基板である。１１は光電変換層，１２は光導電膜への正
電荷（又は負電荷）の注入を容易にするための整流性接
触をなす電荷注入層，１４は光導電膜に注入される正電
荷（又は負電荷）を捕獲するための注入電荷捕獲層，１
３，ならびに１５は，それぞれ１２，１４と逆極性の電
荷に対する電荷注入層，ならびに電荷捕獲層である。３
１は画素電極，３２は画素電極を走査するためのスイッ
チング素子である。電荷捕獲層１４，１５は，捕獲され
た空間電荷により，電荷注入層１２，１３の電界が充分
に緩和される程の電荷量を捕獲し得る能力を有し，且つ
捕獲された電荷が使用条件下で容易に放出され得ない程
に深いエネルギー準位を形成し得る材料で構成する。
導電膜積層形撮像素子の１例である。図１（ａ）は断面
概略図，図１（ｂ）は１画素相当の断面拡大概略図であ
る。１は光導電膜，２は導電性薄膜から成る透光性電
極，３は光導電膜内に生成された信号電荷を読み取るた
めの手段，４は信号電荷読み取り手段３を含む走査回路
基板である。１１は光電変換層，１２は光導電膜への正
電荷（又は負電荷）の注入を容易にするための整流性接
触をなす電荷注入層，１４は光導電膜に注入される正電
荷（又は負電荷）を捕獲するための注入電荷捕獲層，１
３，ならびに１５は，それぞれ１２，１４と逆極性の電
荷に対する電荷注入層，ならびに電荷捕獲層である。３
１は画素電極，３２は画素電極を走査するためのスイッ
チング素子である。電荷捕獲層１４，１５は，捕獲され
た空間電荷により，電荷注入層１２，１３の電界が充分
に緩和される程の電荷量を捕獲し得る能力を有し，且つ
捕獲された電荷が使用条件下で容易に放出され得ない程
に深いエネルギー準位を形成し得る材料で構成する。
【００１７】図１において，透光性電極２と走査回路と
の間に外部電源を接続して各画素電極を走査すると，光
導電膜１の注入型接触界面から電荷注入層１２，１３を
通して，電荷が光導電膜にすみやかに注入され，注入電
荷は電荷捕獲層１４，１５に捕獲されて空間電荷を形成
する。光導電膜１への電荷の注入，捕獲は，先に述べた
ように，電荷注入層１２，１３の電界が充分に緩和され
るまで起り，平衡状態では，外部電源電圧の大部分が光
電変換層１１の両端に印加されることになる。この様な
状態で光電変換層１１に光が入射すると，吸収された光
が電子−正孔対に変換され，これらは電荷捕獲層の空間
電荷と再結合して消滅するか，ないしはそれぞれの電極
に流れ込む。その結果，光電変換層１１の電界は，各画
素毎に光量に応じて低下することになる。次の走査で，
電極に流れ込んだ電荷量と再結合で消滅した電荷量を補
うだけの電荷注入が起こり，再び電荷捕獲層１４，１５
に捕獲されて元の状態にリセットされる。上記動作にお
いて，走査時に注入する電荷量が各画素電極毎に時系列
的に読み取られ，画像信号として取り出されることにな
る。
の間に外部電源を接続して各画素電極を走査すると，光
導電膜１の注入型接触界面から電荷注入層１２，１３を
通して，電荷が光導電膜にすみやかに注入され，注入電
荷は電荷捕獲層１４，１５に捕獲されて空間電荷を形成
する。光導電膜１への電荷の注入，捕獲は，先に述べた
ように，電荷注入層１２，１３の電界が充分に緩和され
るまで起り，平衡状態では，外部電源電圧の大部分が光
電変換層１１の両端に印加されることになる。この様な
状態で光電変換層１１に光が入射すると，吸収された光
が電子−正孔対に変換され，これらは電荷捕獲層の空間
電荷と再結合して消滅するか，ないしはそれぞれの電極
に流れ込む。その結果，光電変換層１１の電界は，各画
素毎に光量に応じて低下することになる。次の走査で，
電極に流れ込んだ電荷量と再結合で消滅した電荷量を補
うだけの電荷注入が起こり，再び電荷捕獲層１４，１５
に捕獲されて元の状態にリセットされる。上記動作にお
いて，走査時に注入する電荷量が各画素電極毎に時系列
的に読み取られ，画像信号として取り出されることにな
る。
【００１８】図１において，電荷注入層１２，１３の注
入形接触が不十分である場合には，電極と電荷注入層の
間に電荷注入補助層を設けることが有効である。注入電
荷を捕獲するには，電荷捕獲層に，光電変換層と異なる
バンドギャップをもつ材料を選択して，バンドギャップ
の不連続的な障壁を利用するか，または深い局在捕獲準
位ないしは再結合センターを有する材料を使用すれば良
い。
入形接触が不十分である場合には，電極と電荷注入層の
間に電荷注入補助層を設けることが有効である。注入電
荷を捕獲するには，電荷捕獲層に，光電変換層と異なる
バンドギャップをもつ材料を選択して，バンドギャップ
の不連続的な障壁を利用するか，または深い局在捕獲準
位ないしは再結合センターを有する材料を使用すれば良
い。
【００１９】発明者らは，光電変換層にＳｅを主体とす
る非晶質半導体を用いた撮像素子において，電荷注入層
ならび電荷捕獲層に後述のような材料を用いれば，暗電
流抑止作用は，光電変換層がアバランシェブレークダウ
ンを起す限界の電界域まで達し，これにより高感度の撮
像素子が実現できることを見出した。以下，光電変換層
にＳｅを主体とする非晶質半導体を用いた撮像素子を例
にして，電荷注入層，電荷注入補助層ならびに電荷捕獲
層について，更に詳細に述べる。
る非晶質半導体を用いた撮像素子において，電荷注入層
ならび電荷捕獲層に後述のような材料を用いれば，暗電
流抑止作用は，光電変換層がアバランシェブレークダウ
ンを起す限界の電界域まで達し，これにより高感度の撮
像素子が実現できることを見出した。以下，光電変換層
にＳｅを主体とする非晶質半導体を用いた撮像素子を例
にして，電荷注入層，電荷注入補助層ならびに電荷捕獲
層について，更に詳細に述べる。
【００２０】Ｓｅを主体とする非晶質半導体は，光に対
する吸収係数が大で，且つ電子より正孔の方がアバラン
シェ増倍のイオン化係数が大きいので，光電変換層の光
入射側を正電位にバイアスして用いる方が望ましい。そ
のために，光電変換層の光入射側には正孔に対する注入
層と捕獲層を，反対側には電子に対する注入層と捕獲層
を設けると良い。光入射側に設ける電荷注入層は，正孔
の注入を容易にすることが必要であるが，光電変換層と
同類のＳｅを主体とする非晶質半導体が使用可能であ
る。この場合，電極と電荷注入層の間に電荷注入補助層
を挿入して，正孔の注入をより容易にすることが望まし
い。電荷注入補助層としては，Ａｓ，Ｓｂ，Ｇｅの少な
くとも一者とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの少なくとも一者からなる
物質，例えばＡｓ2Ｓｅ3，Ａｓ10Ｓｅ90，Ｓｂ2Ｓ3，Ｇ
ｅＴｅなどが使用できる。また，これらの材料を電荷注
入層として用いても良い。更に，上記電荷注入層，ない
しは電荷注入補助層に，層内で負極性の局在捕獲準位を
形成する物質，例えばＭｎ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｉｎの各酸化
物，ないしはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｏ，Ｐ，Ｇａ，Ｉｎの各
元素のいずれかを添加すれば，電極から電荷（この場合
は正孔）を引き出す力が高まり，正孔の注入をより容易
にすることができる。更にまた，動作時に電荷注入層，
電荷注入補助層および電荷捕獲層の少なくとも一者にバ
イアス光を照射して使用すれば，電荷注入効果を更に高
めることが出来る。光電変換層の光入射側に設ける電荷
捕獲層は，正孔を捕獲して正極性の空間電荷を形成し得
る性質を有することが必要で，例えば，Ｓｅを主体と
し，Ｓｅ中で正極性の深い局在準位を形成する物質を添
加した非晶質層を用いると良い。添加する物質として
は，アルカリ金属元素のＬｉ，Ｎａ，Ｋ，アルカリ土類
金属元素のＭｇ，Ｃａ，Ｂａ，ないしは金属元素のＴ
ｌ，ないしはそれらの弗化物が有効である。本発明で
は，光電変換層以外の部分で吸収される光は画像信号に
寄与しないので，光入射側に設ける上述の電荷注入層，
電荷注入補助層，電荷捕獲層の厚みは必要最小限にすべ
きである。光電変換層の光入射側と反対側に設ける電荷
注入層にも，同じく光電変換層と同類のＳｅを主体とす
る非晶質半導体層を用いると良い。電荷注入層への電荷
（この場合電子）の注入が不十分である場合は，電極と
電荷注入層の間に，電子の注入を促進する電荷注入補助
層を設ける。電荷注入補助層として，先に述べた光入射
側の電荷捕獲層に用いた材料を使用すると，捕獲された
正孔が電極から電子を引き出す方向に作用して電子注入
がより容易になる。光電変換層の光入射側と反対側に設
ける電荷捕獲層は，電子を捕獲して負極性の空間電荷を
形成し得る性質を有することが必要で，例えば，Ａｓ，
Ｓｂ，Ｇｅの少なくとも一者とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの少なく
とも一者からなる物質，具体的には，Ａｓ2Ｓ3，Ｓｂ2
Ｓ3，ＧｅＴｅなどのが有効である。またこれらの物質
から成る電荷捕獲層に，負極性の局在捕獲準位を形成す
る物質，例えばＭｎ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｉｎの各酸化物，な
いしはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｏ，Ｐ，Ｇａ，Ｉｎの各元素の
いずれかを添加すると，電荷捕獲層としてより効果的で
ある。
する吸収係数が大で，且つ電子より正孔の方がアバラン
シェ増倍のイオン化係数が大きいので，光電変換層の光
入射側を正電位にバイアスして用いる方が望ましい。そ
のために，光電変換層の光入射側には正孔に対する注入
層と捕獲層を，反対側には電子に対する注入層と捕獲層
を設けると良い。光入射側に設ける電荷注入層は，正孔
の注入を容易にすることが必要であるが，光電変換層と
同類のＳｅを主体とする非晶質半導体が使用可能であ
る。この場合，電極と電荷注入層の間に電荷注入補助層
を挿入して，正孔の注入をより容易にすることが望まし
い。電荷注入補助層としては，Ａｓ，Ｓｂ，Ｇｅの少な
くとも一者とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの少なくとも一者からなる
物質，例えばＡｓ2Ｓｅ3，Ａｓ10Ｓｅ90，Ｓｂ2Ｓ3，Ｇ
ｅＴｅなどが使用できる。また，これらの材料を電荷注
入層として用いても良い。更に，上記電荷注入層，ない
しは電荷注入補助層に，層内で負極性の局在捕獲準位を
形成する物質，例えばＭｎ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｉｎの各酸化
物，ないしはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｏ，Ｐ，Ｇａ，Ｉｎの各
元素のいずれかを添加すれば，電極から電荷（この場合
は正孔）を引き出す力が高まり，正孔の注入をより容易
にすることができる。更にまた，動作時に電荷注入層，
電荷注入補助層および電荷捕獲層の少なくとも一者にバ
イアス光を照射して使用すれば，電荷注入効果を更に高
めることが出来る。光電変換層の光入射側に設ける電荷
捕獲層は，正孔を捕獲して正極性の空間電荷を形成し得
る性質を有することが必要で，例えば，Ｓｅを主体と
し，Ｓｅ中で正極性の深い局在準位を形成する物質を添
加した非晶質層を用いると良い。添加する物質として
は，アルカリ金属元素のＬｉ，Ｎａ，Ｋ，アルカリ土類
金属元素のＭｇ，Ｃａ，Ｂａ，ないしは金属元素のＴ
ｌ，ないしはそれらの弗化物が有効である。本発明で
は，光電変換層以外の部分で吸収される光は画像信号に
寄与しないので，光入射側に設ける上述の電荷注入層，
電荷注入補助層，電荷捕獲層の厚みは必要最小限にすべ
きである。光電変換層の光入射側と反対側に設ける電荷
注入層にも，同じく光電変換層と同類のＳｅを主体とす
る非晶質半導体層を用いると良い。電荷注入層への電荷
（この場合電子）の注入が不十分である場合は，電極と
電荷注入層の間に，電子の注入を促進する電荷注入補助
層を設ける。電荷注入補助層として，先に述べた光入射
側の電荷捕獲層に用いた材料を使用すると，捕獲された
正孔が電極から電子を引き出す方向に作用して電子注入
がより容易になる。光電変換層の光入射側と反対側に設
ける電荷捕獲層は，電子を捕獲して負極性の空間電荷を
形成し得る性質を有することが必要で，例えば，Ａｓ，
Ｓｂ，Ｇｅの少なくとも一者とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの少なく
とも一者からなる物質，具体的には，Ａｓ2Ｓ3，Ｓｂ2
Ｓ3，ＧｅＴｅなどのが有効である。またこれらの物質
から成る電荷捕獲層に，負極性の局在捕獲準位を形成す
る物質，例えばＭｎ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｉｎの各酸化物，な
いしはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｏ，Ｐ，Ｇａ，Ｉｎの各元素の
いずれかを添加すると，電荷捕獲層としてより効果的で
ある。
【００２１】Ｓｅ系非晶質半導体を用いた従来技術の阻
止型撮像素子では，非晶質半導体の熱的安定性を高める
ために，例えばＡｓを添加したり，また長波長光に対す
る感度を高めるために，例えばＴｅを添加したりする
と，光入射側近傍の電界が正孔注入阻止層の電荷注入阻
止能力を超えるほどに増して暗電流の増加を起こし易す
かったが，上記正孔注入阻止層の代わりに本発明の電荷
注入層と電荷捕獲層を用いれば，暗電流を抑止した状態
で上記の目的を達成することができる。また従来技術の
撮像素子では，暗電流が正孔注入阻止層の界面状態，例
えば微小異物，汚染，吸着物等に敏感に左右される傾向
にあったが，本発明ではこの様な欠点が生じにくい。更
にまた，本発明の撮像素子では，動作時電荷注入層にか
かる電圧が小さいため，撮像素子の特性は電荷注入層の
膜厚ムラに影響され難い特徴がある。この様な特徴は，
例えば，図１に示すような表面が凹凸の走査回路基板上
に光導電膜を設ける撮像素子に対して特に有効である。
この場合，電荷注入層１３を形成した後に，その表面
を，例えばエッチング法，研磨法ないしはアニーリング
法等により平坦化するか，または基板を加熱した状態で
電荷注入層を形成することにより表面を平坦にして，即
ち基板の凹凸を電荷注入層で吸収した後に，図１に示す
電荷捕獲層１５を形成すれば良い。
止型撮像素子では，非晶質半導体の熱的安定性を高める
ために，例えばＡｓを添加したり，また長波長光に対す
る感度を高めるために，例えばＴｅを添加したりする
と，光入射側近傍の電界が正孔注入阻止層の電荷注入阻
止能力を超えるほどに増して暗電流の増加を起こし易す
かったが，上記正孔注入阻止層の代わりに本発明の電荷
注入層と電荷捕獲層を用いれば，暗電流を抑止した状態
で上記の目的を達成することができる。また従来技術の
撮像素子では，暗電流が正孔注入阻止層の界面状態，例
えば微小異物，汚染，吸着物等に敏感に左右される傾向
にあったが，本発明ではこの様な欠点が生じにくい。更
にまた，本発明の撮像素子では，動作時電荷注入層にか
かる電圧が小さいため，撮像素子の特性は電荷注入層の
膜厚ムラに影響され難い特徴がある。この様な特徴は，
例えば，図１に示すような表面が凹凸の走査回路基板上
に光導電膜を設ける撮像素子に対して特に有効である。
この場合，電荷注入層１３を形成した後に，その表面
を，例えばエッチング法，研磨法ないしはアニーリング
法等により平坦化するか，または基板を加熱した状態で
電荷注入層を形成することにより表面を平坦にして，即
ち基板の凹凸を電荷注入層で吸収した後に，図１に示す
電荷捕獲層１５を形成すれば良い。
【００２２】以上述べたように，本発明は，光電変換層
にＳｅを主体とする非晶質半導体を用いて，１０8Ｖ／
ｍオーダーの高電界を印加して層内で電荷をアバランシ
ェ増倍して高感度化を実現する撮像素子に好適である。
光導電膜の各層の厚みは，およそ０．０１〜５０μｍオ
ーダーの範囲で，撮像素子のそれぞれの目的に応じて決
めれば良い。
にＳｅを主体とする非晶質半導体を用いて，１０8Ｖ／
ｍオーダーの高電界を印加して層内で電荷をアバランシ
ェ増倍して高感度化を実現する撮像素子に好適である。
光導電膜の各層の厚みは，およそ０．０１〜５０μｍオ
ーダーの範囲で，撮像素子のそれぞれの目的に応じて決
めれば良い。
【００２３】以上，Ｓｅを主体とする非晶質半導体を用
いた撮像素子を例にとって，本発明の作用，効果を詳細
に述べたが，本発明は，上記に限られるものではなく，
光電変換層に，例えば水素化アモルファスシリコン，Ｐ
ｂＯ，II−VI元素から成る光導電材料等を用いることも
でき，それぞれの材料に応じた電荷注入層ならびに電荷
捕獲層を設けることで達成できる。 また，図１には，
本発明の代表的な例として，光導電膜の両側に電荷注入
層と電荷捕獲層を設ける場合の構成を示したが，いずれ
か一方の側にのみ，必要に応じて本発明を適用し，他方
は従来技術による電荷注入阻止層を用いる構成にするこ
ともできる。また光導電膜から画像信号を読み出す手段
は，図１に示す構成の走査回路に限られるものではな
く，通常の手段，例えば走査電子ビームを用いる撮像管
方式，フィールドエミッターアレイを用いる撮像方式，
ＣＣＤやＴＦＴを用いる走査回路方式等で構成すること
が出来ることは云うまでもない。
いた撮像素子を例にとって，本発明の作用，効果を詳細
に述べたが，本発明は，上記に限られるものではなく，
光電変換層に，例えば水素化アモルファスシリコン，Ｐ
ｂＯ，II−VI元素から成る光導電材料等を用いることも
でき，それぞれの材料に応じた電荷注入層ならびに電荷
捕獲層を設けることで達成できる。 また，図１には，
本発明の代表的な例として，光導電膜の両側に電荷注入
層と電荷捕獲層を設ける場合の構成を示したが，いずれ
か一方の側にのみ，必要に応じて本発明を適用し，他方
は従来技術による電荷注入阻止層を用いる構成にするこ
ともできる。また光導電膜から画像信号を読み出す手段
は，図１に示す構成の走査回路に限られるものではな
く，通常の手段，例えば走査電子ビームを用いる撮像管
方式，フィールドエミッターアレイを用いる撮像方式，
ＣＣＤやＴＦＴを用いる走査回路方式等で構成すること
が出来ることは云うまでもない。
【００２４】更にまた，基板として例えば，Ｘ線に対す
る透過率の高いＢｅ，ＢＮ，Ｔｉ等の薄板を用いれば，
高感度のＸ線用撮像素子が得られ，また光入射側の電極
に電子線の透過率が高いＡｌ蒸着薄膜等を用いれば，電
子線直接変換形の高感度撮像素子が実現できることは云
うまでもない。
る透過率の高いＢｅ，ＢＮ，Ｔｉ等の薄板を用いれば，
高感度のＸ線用撮像素子が得られ，また光入射側の電極
に電子線の透過率が高いＡｌ蒸着薄膜等を用いれば，電
子線直接変換形の高感度撮像素子が実現できることは云
うまでもない。
【００２５】
実施例１ 図２を用いて，本発明の実施例１を説明する。図２は，
本発明の撮像素子の実施例を示す図で，図２（ａ）は画
像信号を読み取る手段に走査電子ビームを用いる光導電
形撮像管の断面概略図，図２（ｂ）は撮像管ターゲット
部の断面拡大概略図である。２１は光導電膜，２２は透
光性導電膜から成るターゲット電極，２３はガラス面
板，２４は撮像管の外管，２５はメッシュ電極，２６は
ガラス面板２３を外管２４に真空封着するためのインジ
ュウムリング，２７は金属リング，２８は走査電子ビー
ム，２９は走査電子ビームを発射するためのカソードで
ある。また２１１は光電変換層，２１８は正孔注入阻止
層，２１３，ならびに２１５は電子に対する電荷注入
層，ならびに電荷捕獲層，２１７は走査電子ビームのラ
ンディングをスムーズにして電子の注入を容易にするた
めの電荷注入補助層である。 ２／３吋サイズのガラス
面板２３上に，活性蒸着法により酸素ガス雰囲気中で酸
化インジュウムを主体とする透光性のターゲット電極２
２を形成する。次にその上に真空蒸着法により，酸化セ
リュウムから成るφ１５ｍｍ，膜厚１０〜３０ｎｍの正
孔注入阻止層２１８を形成し，更にその上に真空蒸着法
により，Ｓｅを主体とする非晶質半導体から成るφ１５
ｍｍ，膜厚１〜３０μｍの光電変換層２１１を形成す
る。次にその上に真空蒸着法により，三硫化アンチモン
から成るφ１５ｍｍ，膜厚０．０１〜１μｍの電荷捕獲
層２１５，ならびに非晶質Ｓｅから成るφ１５ｍｍ，膜
厚１〜５μｍの電荷注入層２１３を形成する。その上に
圧力０．５Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で非晶質Ｓ
ｅから成るφ１５ｍｍ，膜厚０．２μｍの多孔質性電荷
注入補助層２１７を形成し，撮像管ターゲット部を得
る。これを撮像管の外管２４にインジュウムリング２６
を介して圧着し，内部を真空封止して光導電形撮像管を
得る。
本発明の撮像素子の実施例を示す図で，図２（ａ）は画
像信号を読み取る手段に走査電子ビームを用いる光導電
形撮像管の断面概略図，図２（ｂ）は撮像管ターゲット
部の断面拡大概略図である。２１は光導電膜，２２は透
光性導電膜から成るターゲット電極，２３はガラス面
板，２４は撮像管の外管，２５はメッシュ電極，２６は
ガラス面板２３を外管２４に真空封着するためのインジ
ュウムリング，２７は金属リング，２８は走査電子ビー
ム，２９は走査電子ビームを発射するためのカソードで
ある。また２１１は光電変換層，２１８は正孔注入阻止
層，２１３，ならびに２１５は電子に対する電荷注入
層，ならびに電荷捕獲層，２１７は走査電子ビームのラ
ンディングをスムーズにして電子の注入を容易にするた
めの電荷注入補助層である。 ２／３吋サイズのガラス
面板２３上に，活性蒸着法により酸素ガス雰囲気中で酸
化インジュウムを主体とする透光性のターゲット電極２
２を形成する。次にその上に真空蒸着法により，酸化セ
リュウムから成るφ１５ｍｍ，膜厚１０〜３０ｎｍの正
孔注入阻止層２１８を形成し，更にその上に真空蒸着法
により，Ｓｅを主体とする非晶質半導体から成るφ１５
ｍｍ，膜厚１〜３０μｍの光電変換層２１１を形成す
る。次にその上に真空蒸着法により，三硫化アンチモン
から成るφ１５ｍｍ，膜厚０．０１〜１μｍの電荷捕獲
層２１５，ならびに非晶質Ｓｅから成るφ１５ｍｍ，膜
厚１〜５μｍの電荷注入層２１３を形成する。その上に
圧力０．５Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で非晶質Ｓ
ｅから成るφ１５ｍｍ，膜厚０．２μｍの多孔質性電荷
注入補助層２１７を形成し，撮像管ターゲット部を得
る。これを撮像管の外管２４にインジュウムリング２６
を介して圧着し，内部を真空封止して光導電形撮像管を
得る。
【００２６】以上により得られた撮像管のターゲット電
極に外部電源を接続して動作させたところ，暗電流が低
く，光導電膜がアバランシェブレークダウンに至る電界
領域まで使用可能な高感度撮像管が得られた。
極に外部電源を接続して動作させたところ，暗電流が低
く，光導電膜がアバランシェブレークダウンに至る電界
領域まで使用可能な高感度撮像管が得られた。
【００２７】図３は，光電変換層，電荷捕獲層，ならび
に電荷注入層の膜厚をそれぞれ２μｍ，０．０５μｍ，
２μｍとした撮像管の電流−電圧特性を示す図である
（実線）。比較例として，光導電膜に膜厚２μｍのＳｅ
系非晶質半導体を用いた従来技術による撮像管の電圧電
流特性を破線で示す。本実施例の光導電膜の方が２．２
μｍ以上厚いにもかかわらず，本実施例と従来技術の両
者はほぼ同じ光電流特性を示している。このことから，
本実施例では，外部電源電圧の殆ど大部分が光電変換層
２１１に印加され，電荷注入層２１３には殆ど電圧がか
かっていないと思われ，本実施例ひいては本発明では，
光導電膜表面の凹凸や付着した異物による画面欠陥の発
生が大幅に抑止されることが判る。また，図３から明ら
かなように，両者の暗電流もほぼ一致しており，本実施
例が撮像管の基本特性を満足していることが分かる。な
お，光導電膜のそれぞれの厚みを種々に変更して製造し
た撮像管においても，ほぼ同様な電流−電圧特性が得ら
れた。
に電荷注入層の膜厚をそれぞれ２μｍ，０．０５μｍ，
２μｍとした撮像管の電流−電圧特性を示す図である
（実線）。比較例として，光導電膜に膜厚２μｍのＳｅ
系非晶質半導体を用いた従来技術による撮像管の電圧電
流特性を破線で示す。本実施例の光導電膜の方が２．２
μｍ以上厚いにもかかわらず，本実施例と従来技術の両
者はほぼ同じ光電流特性を示している。このことから，
本実施例では，外部電源電圧の殆ど大部分が光電変換層
２１１に印加され，電荷注入層２１３には殆ど電圧がか
かっていないと思われ，本実施例ひいては本発明では，
光導電膜表面の凹凸や付着した異物による画面欠陥の発
生が大幅に抑止されることが判る。また，図３から明ら
かなように，両者の暗電流もほぼ一致しており，本実施
例が撮像管の基本特性を満足していることが分かる。な
お，光導電膜のそれぞれの厚みを種々に変更して製造し
た撮像管においても，ほぼ同様な電流−電圧特性が得ら
れた。
【００２８】実施例２ 図４を用いて，本発明の実施例２を説明する。図４は，
本発明の撮像素子の実施例を示す図で，画像信号を読み
取る手段に走査電子ビームを用いる光導電形撮像管のタ
ーゲット部の断面拡大概略図である。４２はＸ線を透過
し易いＢｅ金属薄板から成るターゲット電極，兼面板で
ある。また４１１は光電変換層，４１２，４１４ならび
に４１６は正孔に対する電荷注入層，電荷捕獲層ならび
に電荷注入補助層，４１９は走査電子ビームの注入を阻
止するための電子注入阻止層である。
本発明の撮像素子の実施例を示す図で，画像信号を読み
取る手段に走査電子ビームを用いる光導電形撮像管のタ
ーゲット部の断面拡大概略図である。４２はＸ線を透過
し易いＢｅ金属薄板から成るターゲット電極，兼面板で
ある。また４１１は光電変換層，４１２，４１４ならび
に４１６は正孔に対する電荷注入層，電荷捕獲層ならび
に電荷注入補助層，４１９は走査電子ビームの注入を阻
止するための電子注入阻止層である。
【００２９】１吋サイズのＢｅ面板４２上に，真空蒸着
法により，三セレン化砒素から成るφ２１ｍｍ，膜厚
０．０１〜０．５ｎｍの電荷注入補助層４１６を形成
し，次に面板 ４２を５５℃に加熱保持した状態で，Ａｓを５％含有す
る非晶質Ｓｅから成るφ２１ｍｍ，膜厚０．５〜３μｍ
の表面が平坦な電荷注入層４１２を真空蒸着法により形
成する。次に面板を常温に戻した後，その上に真空蒸着
法により，ＣａＦ2 を０．０５〜０．５％含有する非晶
質Ｓｅから成るφ２１ｍｍ，膜厚０．０５〜１μｍの電
荷捕獲層４１４を形成し，更にその上にＳｅを主体とす
る非晶質半導体から成るφ２１ｍｍ，膜厚１０〜５０μ
ｍの光電変換層４１１を形成する。その上に圧力０．３
Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で三硫化アンチモンを
蒸着し，φ２１ｍｍ，膜厚０．１μｍの多孔質性薄膜か
ら成る電子注入阻止層４１９を形成し，Ｘ線用撮像管タ
ーゲットを得る。これを実施例１と同様に撮像管の外管
にインジュウムリングを介して圧着し，内部を真空封止
してＸ線直接変換形撮像管を得る。
法により，三セレン化砒素から成るφ２１ｍｍ，膜厚
０．０１〜０．５ｎｍの電荷注入補助層４１６を形成
し，次に面板 ４２を５５℃に加熱保持した状態で，Ａｓを５％含有す
る非晶質Ｓｅから成るφ２１ｍｍ，膜厚０．５〜３μｍ
の表面が平坦な電荷注入層４１２を真空蒸着法により形
成する。次に面板を常温に戻した後，その上に真空蒸着
法により，ＣａＦ2 を０．０５〜０．５％含有する非晶
質Ｓｅから成るφ２１ｍｍ，膜厚０．０５〜１μｍの電
荷捕獲層４１４を形成し，更にその上にＳｅを主体とす
る非晶質半導体から成るφ２１ｍｍ，膜厚１０〜５０μ
ｍの光電変換層４１１を形成する。その上に圧力０．３
Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で三硫化アンチモンを
蒸着し，φ２１ｍｍ，膜厚０．１μｍの多孔質性薄膜か
ら成る電子注入阻止層４１９を形成し，Ｘ線用撮像管タ
ーゲットを得る。これを実施例１と同様に撮像管の外管
にインジュウムリングを介して圧着し，内部を真空封止
してＸ線直接変換形撮像管を得る。
【００３０】以上により得られた撮像管のターゲット電
極に外部電源を接続して動作させたところ，面板として
表面が凸凹のＢｅ金属薄板４２を使用したにも係らず，
画面欠陥レスで，また暗電流も低く，光電変換層がアバ
ランシェブレークダウンに至る電界領域まで使用可能な
Ｘ線用の高感度撮像管が得られた。
極に外部電源を接続して動作させたところ，面板として
表面が凸凹のＢｅ金属薄板４２を使用したにも係らず，
画面欠陥レスで，また暗電流も低く，光電変換層がアバ
ランシェブレークダウンに至る電界領域まで使用可能な
Ｘ線用の高感度撮像管が得られた。
【００３１】実施例３ 図５を用いて，本発明の実施例３を説明する。図５は，
本発明のＸ線用撮像素子の実施例を示す図で，図５
（ａ）は画像信号を読み取る手段にＴＦＴ走査回路基板
を用いるＸ線用撮像素子の断面概略図，図５（ｂ）は撮
像素子一画素相当の断面拡大概略図である。５１は光導
電膜，５２は導電膜から成る電極，５３はＴＦＴ走査回
路，５４はガラス基板，５５は電子線を可視光に変換す
るための蛍光体である。また，５１１は光電変換層，５
１２，５１６，ならびに５１４は正孔に対する電荷注入
層，電荷注入補助層，ならびに電荷捕獲層，５１３，な
らびに５１５は電子に対する電荷注入層，ならびに電荷
捕獲層，５３１は導電性薄膜からなる透光性画素電極，
５３２は画素電極５３１を走査するためのＴＦＴスイッ
チである。
本発明のＸ線用撮像素子の実施例を示す図で，図５
（ａ）は画像信号を読み取る手段にＴＦＴ走査回路基板
を用いるＸ線用撮像素子の断面概略図，図５（ｂ）は撮
像素子一画素相当の断面拡大概略図である。５１は光導
電膜，５２は導電膜から成る電極，５３はＴＦＴ走査回
路，５４はガラス基板，５５は電子線を可視光に変換す
るための蛍光体である。また，５１１は光電変換層，５
１２，５１６，ならびに５１４は正孔に対する電荷注入
層，電荷注入補助層，ならびに電荷捕獲層，５１３，な
らびに５１５は電子に対する電荷注入層，ならびに電荷
捕獲層，５３１は導電性薄膜からなる透光性画素電極，
５３２は画素電極５３１を走査するためのＴＦＴスイッ
チである。
【００３２】１８×２４ｃｍ2のガラス基板５４の片面
にＴｂを添加したＧｄ2Ｏ2Ｓから成る膜厚 １０〜１０００μｍのＸ線を可視光に変換するための蛍
光体５５を堆積する。ガラス基板５４のもう一方の面
に，Ａｌから成るソース電極，ドレイン電極およびゲー
ト電極，ＳｉＮから成る絶縁膜，ａ−Ｓｉ：Ｈから成る
チャネル層を組み合わせたＴＦＴスイッチ５３１を真空
蒸着法，スパッタリング法，高周波プラズマＣＶＤ法に
よる薄膜堆積手法とフォトリソグラフィー法を組み合わ
せた既知の手法により形成する。その上に膜厚１０〜５
００ｎｍの酸化インジュウムをスパッタリング法によっ
て堆積し，フォトリソグラフィー法によって画素毎に分
離して透光性画素電極５３１を形成する。その上に，沃
素を０．０１％含有する三セレン化砒素から成る膜厚
０．０１〜０．５ｎｍの電荷注入補助層５１６を真空蒸
着法により形成し，次にガラス基板５４を５５℃に加熱
保持した状態で，Ａｓを５％含有する非晶質Ｓｅから成
る膜厚０．５〜３μｍの表面が平坦な電荷注入層５１２
を真空蒸着法により形成する。次に面板を常温に戻した
後，その上に真空蒸着法により，ＬｉＦを０．０５〜
０．５％含有する非晶質Ｓｅから成る膜厚０．０５〜１
μｍの電荷捕獲層５１４を形成し，更にその上にＳｅを
主体とする非晶質半導体から成る膜厚１０〜５０μｍの
光電変換層５１１を形成する。その上にＡｓ2Ｓｅ3から
成る膜厚０．０５〜１μｍの電荷捕獲層５１５，非晶質
Ｓｅから成る膜厚０．０５〜１μｍの電荷注入層５１
３，Ａｌから成る膜厚０．０１〜０．５μｍの電極５２
を真空蒸着法により順次堆積してＸ線用積層型撮像素子
を得る。
にＴｂを添加したＧｄ2Ｏ2Ｓから成る膜厚 １０〜１０００μｍのＸ線を可視光に変換するための蛍
光体５５を堆積する。ガラス基板５４のもう一方の面
に，Ａｌから成るソース電極，ドレイン電極およびゲー
ト電極，ＳｉＮから成る絶縁膜，ａ−Ｓｉ：Ｈから成る
チャネル層を組み合わせたＴＦＴスイッチ５３１を真空
蒸着法，スパッタリング法，高周波プラズマＣＶＤ法に
よる薄膜堆積手法とフォトリソグラフィー法を組み合わ
せた既知の手法により形成する。その上に膜厚１０〜５
００ｎｍの酸化インジュウムをスパッタリング法によっ
て堆積し，フォトリソグラフィー法によって画素毎に分
離して透光性画素電極５３１を形成する。その上に，沃
素を０．０１％含有する三セレン化砒素から成る膜厚
０．０１〜０．５ｎｍの電荷注入補助層５１６を真空蒸
着法により形成し，次にガラス基板５４を５５℃に加熱
保持した状態で，Ａｓを５％含有する非晶質Ｓｅから成
る膜厚０．５〜３μｍの表面が平坦な電荷注入層５１２
を真空蒸着法により形成する。次に面板を常温に戻した
後，その上に真空蒸着法により，ＬｉＦを０．０５〜
０．５％含有する非晶質Ｓｅから成る膜厚０．０５〜１
μｍの電荷捕獲層５１４を形成し，更にその上にＳｅを
主体とする非晶質半導体から成る膜厚１０〜５０μｍの
光電変換層５１１を形成する。その上にＡｓ2Ｓｅ3から
成る膜厚０．０５〜１μｍの電荷捕獲層５１５，非晶質
Ｓｅから成る膜厚０．０５〜１μｍの電荷注入層５１
３，Ａｌから成る膜厚０．０１〜０．５μｍの電極５２
を真空蒸着法により順次堆積してＸ線用積層型撮像素子
を得る。
【００３３】以上により得られた撮像素子は電極に外部
電源を接続して動作させたところ，ガラス基板５４上の
表面がＴＦＴ走査回路５４による凸凹があるにも係ら
ず，画面欠陥が無く，また暗電流も低く，光電変換層が
アバランシェブレークダウンに至る電界領域まで使用可
能なＸ線用高感度撮像素子が得られた。
電源を接続して動作させたところ，ガラス基板５４上の
表面がＴＦＴ走査回路５４による凸凹があるにも係ら
ず，画面欠陥が無く，また暗電流も低く，光電変換層が
アバランシェブレークダウンに至る電界領域まで使用可
能なＸ線用高感度撮像素子が得られた。
【００３４】本実施例では，Ｘ線を可視光に変換するた
めの蛍光体５５としてＴｂを添加したＧｄ2Ｏ2Ｓを用い
たが，ＣａＷＯ4，Ａｇを添加したＺｎＳ，Ｔｌを添加
したＣｓＩ，Ｔｂを添加したＬａ2Ｏ2Ｓ，Ｔｂを添加し
たＹ2Ｏ2Ｓ，Ｔｂを添加したＬａＯＢｒ，Ｔｍを添加し
たＬａＯＢｒ等の入射Ｘ線を吸収し光電変換層５１６が
感度を有する光を発する蛍光体材料がいずれも使用可能
である。また，Ｘ線を可視光に変換する蛍光体材料の代
わりに電子線用の蛍光体材料や紫外線用の蛍光体材料を
用いれば電子線用撮像素子もしくは紫外線用撮像素子を
得ることができる。
めの蛍光体５５としてＴｂを添加したＧｄ2Ｏ2Ｓを用い
たが，ＣａＷＯ4，Ａｇを添加したＺｎＳ，Ｔｌを添加
したＣｓＩ，Ｔｂを添加したＬａ2Ｏ2Ｓ，Ｔｂを添加し
たＹ2Ｏ2Ｓ，Ｔｂを添加したＬａＯＢｒ，Ｔｍを添加し
たＬａＯＢｒ等の入射Ｘ線を吸収し光電変換層５１６が
感度を有する光を発する蛍光体材料がいずれも使用可能
である。また，Ｘ線を可視光に変換する蛍光体材料の代
わりに電子線用の蛍光体材料や紫外線用の蛍光体材料を
用いれば電子線用撮像素子もしくは紫外線用撮像素子を
得ることができる。
【００３５】実施例４ 図６を用いて，本発明の実施例４を説明する。図６は，
本発明による撮像素子の実施例を示す図で，画像信号を
読み取る手段に走査電子ビームを用いる光導電形撮像管
のターゲット部の断面拡大概略図である。６１は光導電
膜，６２は透光性導電膜から成るターゲット電極，６３
はガラス面板である。また６１１は光電変換層，６１
２，６１４ならびに６１６は正孔に対する電荷注入層，
電荷捕獲層ならびに電荷注入補助層，６１９は走査電子
ビームの注入を阻止するための電子注入阻止層である。
本発明による撮像素子の実施例を示す図で，画像信号を
読み取る手段に走査電子ビームを用いる光導電形撮像管
のターゲット部の断面拡大概略図である。６１は光導電
膜，６２は透光性導電膜から成るターゲット電極，６３
はガラス面板である。また６１１は光電変換層，６１
２，６１４ならびに６１６は正孔に対する電荷注入層，
電荷捕獲層ならびに電荷注入補助層，６１９は走査電子
ビームの注入を阻止するための電子注入阻止層である。
【００３６】１吋サイズのガラス面板６３上に，活性蒸
着法により酸素ガス雰囲気中で酸化インジュウムを主体
とする透光性のターゲット電極６２を形成する。次に，
真空蒸着法により，三セレン化砒素から成るφ２１ｍ
ｍ，膜厚０．０１〜０．５ｎｍの電荷注入補助層６１６
を形成し，さらに，面板６３を５５℃に加熱保持した状
態で，Ａｓを１〜２０％含有する非晶質Ｓｅから成るφ
２１ｍｍ，膜厚０．５〜３μｍの表面が平坦な電荷注入
層６１２を真空蒸着法により形成する。次に面板を常温
に戻した後，その上に真空蒸着法により，ＬｉＦ2 を
０．０５〜１０％含有する非晶質Ｓｅから成るφ２１ｍ
ｍ，膜厚０．０５〜１μｍの電荷捕獲層６１４を形成
し，更にその上にＳｅを主体とする非晶質半導体から成
るφ２１ｍｍ，膜厚１０〜５０μｍの光電変換層６１１
を形成する。その上に圧力０．３Ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス雰囲気中で三硫化アンチモンを蒸着し，φ２１ｍｍ，
膜厚０．１μｍの多孔質性薄膜から成る電子注入阻止層
６１９を形成し，撮像管ターゲットを得る。これを実施
例１と同様に撮像管の外管にインジュウムリングを介し
て圧着し，内部を真空封止して赤色用光導電形撮像管を
得る。
着法により酸素ガス雰囲気中で酸化インジュウムを主体
とする透光性のターゲット電極６２を形成する。次に，
真空蒸着法により，三セレン化砒素から成るφ２１ｍ
ｍ，膜厚０．０１〜０．５ｎｍの電荷注入補助層６１６
を形成し，さらに，面板６３を５５℃に加熱保持した状
態で，Ａｓを１〜２０％含有する非晶質Ｓｅから成るφ
２１ｍｍ，膜厚０．５〜３μｍの表面が平坦な電荷注入
層６１２を真空蒸着法により形成する。次に面板を常温
に戻した後，その上に真空蒸着法により，ＬｉＦ2 を
０．０５〜１０％含有する非晶質Ｓｅから成るφ２１ｍ
ｍ，膜厚０．０５〜１μｍの電荷捕獲層６１４を形成
し，更にその上にＳｅを主体とする非晶質半導体から成
るφ２１ｍｍ，膜厚１０〜５０μｍの光電変換層６１１
を形成する。その上に圧力０．３Ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス雰囲気中で三硫化アンチモンを蒸着し，φ２１ｍｍ，
膜厚０．１μｍの多孔質性薄膜から成る電子注入阻止層
６１９を形成し，撮像管ターゲットを得る。これを実施
例１と同様に撮像管の外管にインジュウムリングを介し
て圧着し，内部を真空封止して赤色用光導電形撮像管を
得る。
【００３７】以上のようにして得られた撮像管を，図７
に示すがごとく赤色の入射光に加えて青色のバイアス光
をプリズム等を用いて照射して動作させる。すると，バ
イアス光が電荷注入補助層および電荷注入層で吸収さ
れ，電荷を生じ，発生した電荷が電荷捕獲層で捕獲され
て空間電荷を形成するので電荷注入効率を高めることが
できる。本動作方法は，高輝度光の入射時等の電極から
の注入だけでは電荷捕獲層に充分な効率で空間電荷の形
成が行えない場合に特に有効であり，残像特性を改善す
る。
に示すがごとく赤色の入射光に加えて青色のバイアス光
をプリズム等を用いて照射して動作させる。すると，バ
イアス光が電荷注入補助層および電荷注入層で吸収さ
れ，電荷を生じ，発生した電荷が電荷捕獲層で捕獲され
て空間電荷を形成するので電荷注入効率を高めることが
できる。本動作方法は，高輝度光の入射時等の電極から
の注入だけでは電荷捕獲層に充分な効率で空間電荷の形
成が行えない場合に特に有効であり，残像特性を改善す
る。
【００３８】なお，本実施例ではバイアス光は電荷注入
補助層および電荷注入層で吸収される場合を示したが，
電荷注入補助層，電荷注入層および電荷捕獲層の少なく
とも一者で吸収され，電荷を発生し，電荷捕獲層で捕獲
できれば効果が得られる。また，本実施例ではバイアス
光として赤色光を用いたが，電荷注入補助層，電荷注入
層ないしは電荷捕獲層で吸収される波長の光であればよ
いことは言うまでもない。
補助層および電荷注入層で吸収される場合を示したが，
電荷注入補助層，電荷注入層および電荷捕獲層の少なく
とも一者で吸収され，電荷を発生し，電荷捕獲層で捕獲
できれば効果が得られる。また，本実施例ではバイアス
光として赤色光を用いたが，電荷注入補助層，電荷注入
層ないしは電荷捕獲層で吸収される波長の光であればよ
いことは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば画面欠陥の発生や暗電流
の増加を抑止した高感度・高品位の画質を有する撮像素
子を安定かつ容易に実現し得る。特に，光導電膜内で電
荷のアバランシェ増倍が起こり得るほどの高電圧を印加
して使用する高感度撮像素子を画面欠陥の発生や暗電流
の増加を抑止した状態で安定かつ容易に提供し得る。
の増加を抑止した高感度・高品位の画質を有する撮像素
子を安定かつ容易に実現し得る。特に，光導電膜内で電
荷のアバランシェ増倍が起こり得るほどの高電圧を印加
して使用する高感度撮像素子を画面欠陥の発生や暗電流
の増加を抑止した状態で安定かつ容易に提供し得る。
【００４０】本発明の撮像素子をカラーカメラや画像解
析システム等に用いれば高感度，高画質の撮像装置なら
びにシステムが安定かつ容易に実現できる。
析システム等に用いれば高感度，高画質の撮像装置なら
びにシステムが安定かつ容易に実現できる。
【図１】図１（ａ）は本発明の具体的実施形態を示す光
導電膜積層型撮像素子の断面概略図、図１（ｂ）は本発
明の具体的実施形態を示す光導電膜積層型撮像素子の一
画素相当の断面拡大概略図である。
導電膜積層型撮像素子の断面概略図、図１（ｂ）は本発
明の具体的実施形態を示す光導電膜積層型撮像素子の一
画素相当の断面拡大概略図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の実施例１による光導電形
撮像管の断面概略図、図２（ｂ）は本発明の実施例１に
よる光導電形撮像管ターゲット部の断面拡大概略図であ
る。
撮像管の断面概略図、図２（ｂ）は本発明の実施例１に
よる光導電形撮像管ターゲット部の断面拡大概略図であ
る。
【図３】本発明の実施例１による光導電形撮像管および
従来形撮像管の電流−電圧特性を示す図である。
従来形撮像管の電流−電圧特性を示す図である。
【図４】本発明の実施例２によるＸ線用光導電形撮像管
ターゲット部の断面拡大概略図である。
ターゲット部の断面拡大概略図である。
【図５】図５（ａ）は本発明の実施例３によるＸ線用撮
像素子の断面概略図、図５（ｂ）は本発明の実施例３に
よるＸ線用撮像素子一画素相当の断面拡大概略図であ
る。
像素子の断面概略図、図５（ｂ）は本発明の実施例３に
よるＸ線用撮像素子一画素相当の断面拡大概略図であ
る。
【図６】本発明の実施例４による赤色用光導電形撮像管
ターゲット部の断面拡大概略図である。
ターゲット部の断面拡大概略図である。
【図７】本発明の実施例４によるバイアス光照射方法の
概略図である。
概略図である。
１，２１，５１，６１・・・光導電膜，２，６２・・・
透光性電極，３・・・信号電荷読み取り手段，４・・・
走査回路基板，２２・・・ターゲット電極，４２・・・
ターゲット電極兼面板，５２・・・電極，２３，６３・
・・ガラス面板，２４・・・撮像管の外管，２５・・・
メッシュ電極，２６・・・インジュウムリング，２７・
・・金属リング，２８・・・走査電子ビ−ム，２９・・
・カソード，５３・・・ＴＦＴ走査回路，５４・・・ガ
ラス基板，５５・・・蛍光体，１１，２１１，４１１，
５１１・・・光電変換層，１２，４１２，５１２，６１
２・・・正孔に対する電荷注入層，１３，２１３，５１
３・・・電子に対する電荷注入層，１４，４１４，５１
４，６１４・・・正孔に対する電荷捕獲層，１５，２１
５，５１５・・・電子に対する電荷捕獲層，４１６,５
１６，６１６・・・正孔に対する電荷注入補助層，２１
７・・・電子に対する電荷注入補助層 ，２１８・・・
正孔注入阻止層，４１９，６１９・・・電子注入阻止
層，３１，５３１・・・画素電極，３２・・・スイッチ
ング素子，５３２・・・ＴＦＴスイッチ。
透光性電極，３・・・信号電荷読み取り手段，４・・・
走査回路基板，２２・・・ターゲット電極，４２・・・
ターゲット電極兼面板，５２・・・電極，２３，６３・
・・ガラス面板，２４・・・撮像管の外管，２５・・・
メッシュ電極，２６・・・インジュウムリング，２７・
・・金属リング，２８・・・走査電子ビ−ム，２９・・
・カソード，５３・・・ＴＦＴ走査回路，５４・・・ガ
ラス基板，５５・・・蛍光体，１１，２１１，４１１，
５１１・・・光電変換層，１２，４１２，５１２，６１
２・・・正孔に対する電荷注入層，１３，２１３，５１
３・・・電子に対する電荷注入層，１４，４１４，５１
４，６１４・・・正孔に対する電荷捕獲層，１５，２１
５，５１５・・・電子に対する電荷捕獲層，４１６,５
１６，６１６・・・正孔に対する電荷注入補助層，２１
７・・・電子に対する電荷注入補助層 ，２１８・・・
正孔注入阻止層，４１９，６１９・・・電子注入阻止
層，３１，５３１・・・画素電極，３２・・・スイッチ
ング素子，５３２・・・ＴＦＴスイッチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 四郎 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 瀧口 吉郎 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 山崎 順一 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 谷岡 健吉 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 大島 徹也 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鮫島 賢二 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 牧島 達男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 辻 和隆 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 平井 忠明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (30)
- 【請求項１】少なくとも，光導電膜と，該光導電膜の光
入射側界面に設けられた導電性薄膜から成る透光性電極
と，入射光により生成された信号電荷を読み取るための
手段を有する撮像素子において，該光導電膜が，少なく
とも一方の界面に注入形接触を成す電荷注入層を有し，
且つ該電荷注入層から注入される電荷を捕獲して空間電
荷を形成するための電荷捕獲層と入射光の大部分を吸収
して信号電荷に変換するための光電変換層を有すること
を特徴とする撮像素子。 - 【請求項２】前記電荷注入層の注入型接触界面に，電荷
の注入を補助するための電荷注入補助層を設けることを
特徴とする請求項１記載の撮像素子。 - 【請求項３】前記光導電膜が，片面にのみ前記電荷注入
層を有し，他方の面には電荷注入阻止層を有することを
特徴とする請求項１又は２記載の撮像素子。 - 【請求項４】前記光電変換層が非晶質半導体層を含むこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の
撮像素子。 - 【請求項５】前記非晶質半導体層がＳｅを主体とする非
晶質材料から成ることを特徴とする請求項４記載の撮像
素子。 - 【請求項６】前記光電変換層の光入射側に設けられた前
記電荷捕獲層が，正孔を捕獲して正極性の空間電荷を形
成する層から成ることを特徴とする請求項５記載の撮像
素子。 - 【請求項７】前記正極性の空間電荷を形成する電荷捕獲
層が，Ｓｅを主体し，且つＳｅ中で正孔に対する局在捕
獲準位を形成する物質を含有する非晶質層から成ること
を特徴とする請求項６記載の撮像素子。 - 【請求項８】前記光導電膜の光入射側に設けられた前記
電荷注入補助層または前記電荷注入層が，Ｓｅを主体と
する非晶質層から成ることを特徴とする請求項５乃至７
のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 【請求項９】前記光導電膜の光入射側に設けられた前記
電荷注入補助層または前記電荷注入層が，Ａｓ，Ｓｂ，
Ｇｅの少なくとも一者とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの少なくとも１
者から成ることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか
一項に記載の撮像素子。 - 【請求項１０】前記光導電膜の光入射側に設けられた前
記電荷注入補助層または前記電荷注入層が，電子に対す
る局在捕獲準位を形成する物質を含有することを特徴と
する請求項８又は９記載の撮像素子。 - 【請求項１１】前記光導電膜の光入射側と反対側に設け
られた前記電荷捕獲層が，電子を捕獲して負極性の空間
電荷を形成する層から成ることを特徴とする請求項５乃
至１０のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 【請求項１２】前記負極性の空間電荷を形成する電荷捕
獲層が，電子に対する局在捕獲準位を有する層から成る
ことを特徴とする請求項１１記載の撮像素子。 - 【請求項１３】前記電子を捕獲する電荷捕獲層が，Ｓｅ
を主体し，且つＳｅ中で電子に対する局在捕獲準位を形
成する物質を含有する非晶質半導体層を含むことを特徴
とする請求項１２記載の撮像素子。 - 【請求項１４】前記負極性の空間電荷を形成する電荷捕
獲層が，Ａｓ，Ｓｂ，Ｇｅの少なくとも一者とＳ，Ｓ
ｅ，Ｔｅの少なくとも１者から成ることを特徴とする請
求項１１記載の撮像素子。 - 【請求項１５】前記負極性の空間電荷を形成する電荷捕
獲層が，Ａｓ，Ｓｂ，Ｇｅの少なくとも一者とＳ，Ｓ
ｅ，Ｔｅの少なくとも１者から成り，且つ電子に対する
局在捕獲準位を形成する物質を含有することを特徴とす
る請求項１１記載の撮像素子。 - 【請求項１６】前記光導電膜の光入射側と反対側に設け
られた前記電荷注入補助層または前記電荷注入層が，Ｓ
ｅを主体とする非晶質層を含むことを特徴とする請求項
５乃至１５のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 【請求項１７】前記光導電膜の光入射側と反対側に設け
られた前記電荷注入補助層または前記電荷注入層が，正
孔に対する局在捕獲準位を有する層を含むことを特徴と
する請求項５乃至１５のいずれか一項に記載の撮像素
子。 - 【請求項１８】前記光導電膜の光入射側と反対側に設け
られた前記電荷注入補助層または前記電荷注入層が，Ｓ
ｅを主体とする非晶質層を含み，且つ該非晶質層内で正
孔に対する局在捕獲準位を形成する物質を含有すること
を特徴とする請求項５乃至１５のいずれか一項に記載の
撮像素子。 - 【請求項１９】前記正孔に対する局在捕獲準位を形成す
る物質が，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｔｌの
各元素，ならびにそれらの弗化物から成る群の中から選
ばれた少なくとも１者から成ること特徴とする請求項７
乃至１８のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 【請求項２０】前記電子に対する局在捕獲準位を形成す
る物質が，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｉｎの各酸化物，ならび
にＣｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｏ，Ｐ，Ｇａ，Ｉｎから成る群の中
から選ばれた少なくとも１者から成ること特徴とする請
求項１０，１３および１５のいずれか一項に記載の撮像
素子。 - 【請求項２１】信号電荷を読み取るための手段を，前記
光導電膜の光入射側に設け，且つ前記光導電膜の光入射
側と反対側に導電性薄膜から成る対向電極を設けること
を特徴とする請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の
撮像素子。 - 【請求項２２】信号電荷を読み取るための手段を，前記
光導電膜の光入射側と反対側に設けることを特徴とする
請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 【請求項２３】前記信号電荷を読み取るための手段が，
互いに独立した複数個の電極とそれぞれの電極に接続さ
れたスイッチ回路を含むことを特徴とする請求項２１又
は２２記載の撮像素子。 - 【請求項２４】前記信号電荷を読み取るための手段が，
収束偏向された走査電子ビームを含むことを特徴とする
請求項２２記載の撮像素子。 - 【請求項２５】請求項１に記載の撮像素子を用い，前記
電荷注入層および前記電荷捕獲層の少なくとも一者にバ
イアス光を照射することを特徴とする撮像素子の動作方
法。 - 【請求項２６】請求項２乃至２４のいずれか一項に記載
の撮像素子を用い，前記電荷注入補助層，前記電荷注入
層および前記電荷捕獲層の少なくとも一者にバイアス光
を照射することを特徴とする撮像素子の動作方法。 - 【請求項２７】請求項１乃至２４のいずれか一項に記載
の撮像素子を用い，或いは請求項２５記載の撮像素子の
動作方法において，前記光電変換層に内部で電荷のアバ
ランシェ増倍が生じる程の電界を印加することを特徴と
する撮像素子の動作方法。 - 【請求項２８】請求項５乃至２４のいずれか一項に記載
の撮像素子を用い，或いは請求項２５乃至２７のいずれ
か一項に記載の撮像素子の動作方法において，前記光電
変換層のＳｅを主体とする非晶質半導体層に，７×１０
7Ｖ／ｍ以上の電界を印加して，光電変換層内で電荷の
アバランシェ増倍を生じさせることを特徴とする撮像素
子の動作方法。 - 【請求項２９】請求項１乃至２４のいずれか一項に記載
の撮像素子，或いは請求項２５乃至２８のいずれか一項
に記載の撮像素子の動作方法を有することを特徴とする
撮像装置。 - 【請求項３０】請求項２９項記載の撮像装置を有するこ
とを特徴とする画像解析システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18529395A JP3774492B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 撮像素子及びその動作方法並びにその素子を用いた撮像装置、画像解析システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18529395A JP3774492B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 撮像素子及びその動作方法並びにその素子を用いた撮像装置、画像解析システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936341A true JPH0936341A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3774492B2 JP3774492B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=16168331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18529395A Expired - Fee Related JP3774492B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 撮像素子及びその動作方法並びにその素子を用いた撮像装置、画像解析システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3774492B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-07-21 JP JP18529395A patent/JP3774492B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3774492B2 (ja) | 2006-05-17 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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