JPH0936054A - 半導体不純物シミュレーション装置 - Google Patents
半導体不純物シミュレーション装置Info
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- JPH0936054A JPH0936054A JP18675095A JP18675095A JPH0936054A JP H0936054 A JPH0936054 A JP H0936054A JP 18675095 A JP18675095 A JP 18675095A JP 18675095 A JP18675095 A JP 18675095A JP H0936054 A JPH0936054 A JP H0936054A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
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- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 経験の浅い工程設計者でも、短時間でしかも
十分な計算精度のシミュレーションが可能な半導体不純
物シミュレーション装置が望まれている。 【解決手段】 半導体素子の形成に際してその基体中に
不純物を導入した後の基体中の不純物濃度分布をシミュ
レーションするための半導体不純物シミュレーション装
置である。製造ライン条件に基づいて予め入力されたラ
インデータからプロセスデータを作成するデータ変換手
段７と、作成されたプロセスデータから、目的とするシ
ミュレーションに影響を及ぼすプロセス工程を抽出する
抽出手段９と、この抽出したプロセス工程および作成さ
れたプロセスデータから、目的とするシミュレーション
に用いる入力データを作成する入力データ作成手段１０
と、得られた入力データに基づいて不純物シミュレーシ
ョンを行うシミュレーション手段６とを備えている。試
料作製条件に基づいてプロセスデータを直接入力しても
よい。
十分な計算精度のシミュレーションが可能な半導体不純
物シミュレーション装置が望まれている。 【解決手段】 半導体素子の形成に際してその基体中に
不純物を導入した後の基体中の不純物濃度分布をシミュ
レーションするための半導体不純物シミュレーション装
置である。製造ライン条件に基づいて予め入力されたラ
インデータからプロセスデータを作成するデータ変換手
段７と、作成されたプロセスデータから、目的とするシ
ミュレーションに影響を及ぼすプロセス工程を抽出する
抽出手段９と、この抽出したプロセス工程および作成さ
れたプロセスデータから、目的とするシミュレーション
に用いる入力データを作成する入力データ作成手段１０
と、得られた入力データに基づいて不純物シミュレーシ
ョンを行うシミュレーション手段６とを備えている。試
料作製条件に基づいてプロセスデータを直接入力しても
よい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、予め入力されたプ
ロセスデータまたはラインデータから、計算目的に応じ
て入力データを作成し、最適な不純物シミュレーション
を実行する半導体不純物シミュレーション装置に関す
る。
ロセスデータまたはラインデータから、計算目的に応じ
て入力データを作成し、最適な不純物シミュレーション
を実行する半導体不純物シミュレーション装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスを開発するにあた
っては、要求される性能を満たすための構造を設計する
のとは別に、この設計された構造の製造を可能にするた
めの製造プロセスの検討もなされる。このような製造プ
ロセスの検討にあたり、例えば不純物導入のための工程
条件を決定する場合には、これに先立ち、半導体構造中
に不純物を導入した後の不純物濃度分布をシミュレーシ
ョンしておき、その結果に基づいて要求される不純物濃
度分布となるような条件を決定するのが普通である。
っては、要求される性能を満たすための構造を設計する
のとは別に、この設計された構造の製造を可能にするた
めの製造プロセスの検討もなされる。このような製造プ
ロセスの検討にあたり、例えば不純物導入のための工程
条件を決定する場合には、これに先立ち、半導体構造中
に不純物を導入した後の不純物濃度分布をシミュレーシ
ョンしておき、その結果に基づいて要求される不純物濃
度分布となるような条件を決定するのが普通である。
【０００３】ところで、不純物濃度分布をシミュレーシ
ョンするには、通常、不純物シミュレータを用いて行
う。その際、入力データを作成するにあたっては、工程
設計者が不純物濃度分布に影響を与えるプロセス工程を
抽出し、市販の不純物シミュレータ入力データ作成エデ
ィタ等を用いて半導体不純物シミュレータの入力データ
を作成し、これによって不純物シミュレーションを行っ
ている。
ョンするには、通常、不純物シミュレータを用いて行
う。その際、入力データを作成するにあたっては、工程
設計者が不純物濃度分布に影響を与えるプロセス工程を
抽出し、市販の不純物シミュレータ入力データ作成エデ
ィタ等を用いて半導体不純物シミュレータの入力データ
を作成し、これによって不純物シミュレーションを行っ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体不純物シミュレーションを行うにあたり、特
に計算目的に応じてこのシミュレーションを行おうとし
た場合、以下に述べる不都合がある。このような半導体
不純物シミュレーションにおいて、その入力データを、
計算時間の短縮や、計算精度の保証範囲までを考慮して
作成しようとすると、半導体不純物シミュレータのモデ
ル理解が不可欠となり、十分な経験と熟練が要求され
る。したがって、経験の浅い工程設計者の場合、往々に
して計算時間を非常に要する不純物シミュレーションを
行ったり、計算精度が保証範囲外の不純物シミュレーシ
ョンを行ってしまうことが多くなってしまうのである。
うな半導体不純物シミュレーションを行うにあたり、特
に計算目的に応じてこのシミュレーションを行おうとし
た場合、以下に述べる不都合がある。このような半導体
不純物シミュレーションにおいて、その入力データを、
計算時間の短縮や、計算精度の保証範囲までを考慮して
作成しようとすると、半導体不純物シミュレータのモデ
ル理解が不可欠となり、十分な経験と熟練が要求され
る。したがって、経験の浅い工程設計者の場合、往々に
して計算時間を非常に要する不純物シミュレーションを
行ったり、計算精度が保証範囲外の不純物シミュレーシ
ョンを行ってしまうことが多くなってしまうのである。
【０００５】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、経験の浅い工程設計者で
も、短時間でしかも計算精度が保証範囲内に納まるよう
なシミュレーションを可能にする半導体不純物シミュレ
ーション装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、経験の浅い工程設計者で
も、短時間でしかも計算精度が保証範囲内に納まるよう
なシミュレーションを可能にする半導体不純物シミュレ
ーション装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体不純物シ
ミュレーション装置では、予め入力されたプロセスデー
タ、あるいはデータ変換手段によってラインデータから
作成されたプロセスデータにより、目的とするシミュレ
ーションに影響を及ぼすプロセス工程を抽出する抽出手
段と、この抽出したプロセス工程および前記プロセスデ
ータから、前記目的とするシミュレーションに用いる入
力データを作成する入力データ作成手段と、得られた入
力データに基づいて不純物シミュレーションを行うシミ
ュレーション手段とを具備してなることを前記課題の解
決手段とした。
ミュレーション装置では、予め入力されたプロセスデー
タ、あるいはデータ変換手段によってラインデータから
作成されたプロセスデータにより、目的とするシミュレ
ーションに影響を及ぼすプロセス工程を抽出する抽出手
段と、この抽出したプロセス工程および前記プロセスデ
ータから、前記目的とするシミュレーションに用いる入
力データを作成する入力データ作成手段と、得られた入
力データに基づいて不純物シミュレーションを行うシミ
ュレーション手段とを具備してなることを前記課題の解
決手段とした。
【０００７】本発明の半導体不純物シミュレーション装
置によれば、抽出手段によってプロセスデータから目的
とするシミュレーションに影響を及ぼすプロセス工程が
抽出され、この抽出されたプロセス工程および前記プロ
セスデータより、入力データ作成手段によって前記目的
とするシミュレーションに用いる入力データが作成さ
れ、得られた入力データに基づいてシミュレーション手
段により不純物シミュレーションがなされる。したがっ
て、不純物シミュレーションを行う上での最適な入力デ
ータが、予め入力されたプロセスデータ、あるいはライ
ンデータから作成されるため、計算時間、計算精度を考
慮した不純物シミュレーションが容易になる。
置によれば、抽出手段によってプロセスデータから目的
とするシミュレーションに影響を及ぼすプロセス工程が
抽出され、この抽出されたプロセス工程および前記プロ
セスデータより、入力データ作成手段によって前記目的
とするシミュレーションに用いる入力データが作成さ
れ、得られた入力データに基づいてシミュレーション手
段により不純物シミュレーションがなされる。したがっ
て、不純物シミュレーションを行う上での最適な入力デ
ータが、予め入力されたプロセスデータ、あるいはライ
ンデータから作成されるため、計算時間、計算精度を考
慮した不純物シミュレーションが容易になる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体不純物シミ
ュレーション装置を実施形態例により詳しく説明する。
図１は本発明の半導体不純物シミュレーション装置の一
実施形態例を示す概要図であり、図１中符号１は半導体
不純物シミュレーション装置（以下、シミュレーション
装置と略称する）である。このシミュレーション装置１
は、半導体素子の形成に際してそのシリコン基板等の基
体中に不純物を導入した後の、基体中の不純物濃度分布
をシミュレーションするためのもので、ＣＰＵ（中央処
理装置）２と、これへの入力を行うためのキーボード等
の入力手段３と、ＣＰＵ２での処理状況等を表示するた
めのＣＲＴ等の表示手段４と、光ディスク、磁気ディス
ク等の記憶媒体からなる記憶手段５と、実際にシミュレ
ーションを行うための、従来公知の不純物シミュレータ
（シミュレーション手段）６とから概略構成されたもの
である。
ュレーション装置を実施形態例により詳しく説明する。
図１は本発明の半導体不純物シミュレーション装置の一
実施形態例を示す概要図であり、図１中符号１は半導体
不純物シミュレーション装置（以下、シミュレーション
装置と略称する）である。このシミュレーション装置１
は、半導体素子の形成に際してそのシリコン基板等の基
体中に不純物を導入した後の、基体中の不純物濃度分布
をシミュレーションするためのもので、ＣＰＵ（中央処
理装置）２と、これへの入力を行うためのキーボード等
の入力手段３と、ＣＰＵ２での処理状況等を表示するた
めのＣＲＴ等の表示手段４と、光ディスク、磁気ディス
ク等の記憶媒体からなる記憶手段５と、実際にシミュレ
ーションを行うための、従来公知の不純物シミュレータ
（シミュレーション手段）６とから概略構成されたもの
である。
【０００９】ＣＰＵ２は、制御部、演算部、記憶部を備
えて構成されたもので、演算部にはデータ変換手段７、
プロセスデータ入力ツール８、抽出手段９、入力データ
作成手段１０が設けられ、記憶部にはラインデータ記憶
部１１、プロセスデータ記憶部１２、入力データ記憶部
１３、計算結果記憶部１４が設けられている。記憶手段
５は、製造ラインデータベースとなるものであり、製造
ライン条件に基づいて予め入力されたラインデータ、さ
らには製造ライン上の各工程毎の各種条件についてのデ
ータ等が書換え可能に記憶されたものである。この記憶
手段５は、ＣＰＵ２のラインデータ記憶部１１と接続さ
れており、該記憶手段５に記憶されたラインデータがラ
インデータ記憶部１１にも記憶されるようになってい
る。また、この記憶手段５はＣＰＵ２のデータ変換手段
７にも接続されている。
えて構成されたもので、演算部にはデータ変換手段７、
プロセスデータ入力ツール８、抽出手段９、入力データ
作成手段１０が設けられ、記憶部にはラインデータ記憶
部１１、プロセスデータ記憶部１２、入力データ記憶部
１３、計算結果記憶部１４が設けられている。記憶手段
５は、製造ラインデータベースとなるものであり、製造
ライン条件に基づいて予め入力されたラインデータ、さ
らには製造ライン上の各工程毎の各種条件についてのデ
ータ等が書換え可能に記憶されたものである。この記憶
手段５は、ＣＰＵ２のラインデータ記憶部１１と接続さ
れており、該記憶手段５に記憶されたラインデータがラ
インデータ記憶部１１にも記憶されるようになってい
る。また、この記憶手段５はＣＰＵ２のデータ変換手段
７にも接続されている。
【００１０】データ変換手段７は、記憶手段５およびラ
インデータ記憶部１１に接続されたもので、これらから
送られてきたラインデータを入力し、これをプロセスデ
ータに変換してプロセスデータ記憶部１２に出力するも
のである。プロセスデータ記憶部１２には、プロセスデ
ータ入力ツール８が接続されている。このプロセスデー
タ入力ツール８は、入力手段３から入力されたデータを
入力してこれを変換し、プロセスデータ記憶部１２に新
たなプロセスデータを記憶させ、あるいはすでに記憶さ
れたプロセスデータの変更を行うものである。なお、プ
ロセスデータ記憶部１２は、前記データ変換手段７によ
って送られてきたデータによっても新規の記憶、あるい
は変更がなされるようになっている。
インデータ記憶部１１に接続されたもので、これらから
送られてきたラインデータを入力し、これをプロセスデ
ータに変換してプロセスデータ記憶部１２に出力するも
のである。プロセスデータ記憶部１２には、プロセスデ
ータ入力ツール８が接続されている。このプロセスデー
タ入力ツール８は、入力手段３から入力されたデータを
入力してこれを変換し、プロセスデータ記憶部１２に新
たなプロセスデータを記憶させ、あるいはすでに記憶さ
れたプロセスデータの変更を行うものである。なお、プ
ロセスデータ記憶部１２は、前記データ変換手段７によ
って送られてきたデータによっても新規の記憶、あるい
は変更がなされるようになっている。
【００１１】プロセスデータ記憶部１１には、抽出手段
９が接続されている。この抽出手段９は、前記プロセス
データから、目的とするシミュレーションに影響を及ぼ
すプロセス工程を抽出するものである。また、この抽出
手段９には、入力データ作成手段１０が接続されてい
る。この入力データ作成手段１０は、前記抽出手段によ
って抽出したプロセス工程、および前記プロセスデータ
記憶部１１から、目的とするシミュレーションに用いる
入力データを作成するものである。
９が接続されている。この抽出手段９は、前記プロセス
データから、目的とするシミュレーションに影響を及ぼ
すプロセス工程を抽出するものである。また、この抽出
手段９には、入力データ作成手段１０が接続されてい
る。この入力データ作成手段１０は、前記抽出手段によ
って抽出したプロセス工程、および前記プロセスデータ
記憶部１１から、目的とするシミュレーションに用いる
入力データを作成するものである。
【００１２】この入力データ作成手段１０には、入力デ
ータ記憶部１３が接続されている。この入力データ記憶
部１３は、入力データ作成手段１０によって作成された
入力データを記憶し、さらにこの記憶した入力データ
を、ＣＰＵ２に接続された前記不純物シミュレータ６に
出力するものである。また、この不純物シミュレータ６
は、入力データ記憶部１３から出力された入力データに
基づき、前述したように半導体素子形成に際してそのシ
リコン基板等の基体中に不純物を導入した後の、基体中
の不純物濃度分布をシミュレーションするものである。
ータ記憶部１３が接続されている。この入力データ記憶
部１３は、入力データ作成手段１０によって作成された
入力データを記憶し、さらにこの記憶した入力データ
を、ＣＰＵ２に接続された前記不純物シミュレータ６に
出力するものである。また、この不純物シミュレータ６
は、入力データ記憶部１３から出力された入力データに
基づき、前述したように半導体素子形成に際してそのシ
リコン基板等の基体中に不純物を導入した後の、基体中
の不純物濃度分布をシミュレーションするものである。
【００１３】ここで、前記ラインデータとは、作製する
半導体素子を製造する際の、製造ライン条件に基づいて
予め入力されたものであり、製造ライン条件とは、各製
造工程毎の条件、例えば図２に示すように工程名、作業
名、装置名、レシピ、プロセスといった各項目毎に対し
ての条件である。そして、ラインデータは、図２に示し
たように各項目毎にその条件が予め設定され、ＣＰＵ２
のデータ変換手段７で読み取れるような言語にて入力さ
れ、記憶手段５またはラインデータ記憶部１１に記憶さ
れたものである。
半導体素子を製造する際の、製造ライン条件に基づいて
予め入力されたものであり、製造ライン条件とは、各製
造工程毎の条件、例えば図２に示すように工程名、作業
名、装置名、レシピ、プロセスといった各項目毎に対し
ての条件である。そして、ラインデータは、図２に示し
たように各項目毎にその条件が予め設定され、ＣＰＵ２
のデータ変換手段７で読み取れるような言語にて入力さ
れ、記憶手段５またはラインデータ記憶部１１に記憶さ
れたものである。
【００１４】なお、図２において工程名とは、プロセス
工程名を表すもので、工程内容に応じて分類されて命名
されたものであり、この工程名自体がプロセス内容を表
すように設定されたものである。ここで、工程内容に応
じた分類、すなわち工程分類は、「拡散」、「酸化」、
「イオン注入」、「デポジション」、「エッチング」、
「リソグラフィ」といった項目に各工程を分類したもの
であり、また、例えば「拡散」に分類される工程名とし
ては、「ＳＤ ＡＮＬ」、「ＣＯＮＴ ＡＮＬ」、「Ｓ
ＩＮＴＥＲ」といったデータがあり、「酸化」に分類さ
れる工程名としては、「ＰＡＤ ＯＸ」、「ＬＯＣＯＳ
ＯＸ」、「ＰＲＥ ＯＸ」、「ＧＡＴＥ ＯＸ」とい
ったデータがある。例えば、図２のＮｏ．１５における
「ＮｃｈＶｔｈ ＩＩ」という工程名は、工程分類が
「イオン注入」であり、プロセス内容が「ＮＭＯＳＦＥ
ＴのＶｔｈ調整用イオン注入」であることを意味してい
るのである。
工程名を表すもので、工程内容に応じて分類されて命名
されたものであり、この工程名自体がプロセス内容を表
すように設定されたものである。ここで、工程内容に応
じた分類、すなわち工程分類は、「拡散」、「酸化」、
「イオン注入」、「デポジション」、「エッチング」、
「リソグラフィ」といった項目に各工程を分類したもの
であり、また、例えば「拡散」に分類される工程名とし
ては、「ＳＤ ＡＮＬ」、「ＣＯＮＴ ＡＮＬ」、「Ｓ
ＩＮＴＥＲ」といったデータがあり、「酸化」に分類さ
れる工程名としては、「ＰＡＤ ＯＸ」、「ＬＯＣＯＳ
ＯＸ」、「ＰＲＥ ＯＸ」、「ＧＡＴＥ ＯＸ」とい
ったデータがある。例えば、図２のＮｏ．１５における
「ＮｃｈＶｔｈ ＩＩ」という工程名は、工程分類が
「イオン注入」であり、プロセス内容が「ＮＭＯＳＦＥ
ＴのＶｔｈ調整用イオン注入」であることを意味してい
るのである。
【００１５】また、図２において作業名とは、各プロセ
ス工程における作業内容を表すもので、作業内容に応じ
て分類されて命名されたものである。ここで、作業内容
に応じた分類、すなわち作業分類は、「拡散」、「酸
化」、「イオン注入」、「デポジション」、「エッチン
グ」、「洗浄」、「Ｃ／Ｄ」、「ＰＲ」、「ＡＳＨＥ
Ｒ」、「測定」、「目視」といった項目に各作業を分類
したものである。例えば、図２のＮｏ．２２における
「ＧＡＴＥ酸化」という作業名は、作業分類が「酸化」
であり、作業内容が「ＧＡＴＥ酸化膜の形成」であるこ
とを意味している。また、図２において装置名とは、そ
の工程における各作業にて使用される装置名を表し、レ
シピとは、各装置毎に設定されているプロセス条件を表
す番号であり、プロセス条件とは、各作業毎に入力が必
要なプロセス条件を表している。
ス工程における作業内容を表すもので、作業内容に応じ
て分類されて命名されたものである。ここで、作業内容
に応じた分類、すなわち作業分類は、「拡散」、「酸
化」、「イオン注入」、「デポジション」、「エッチン
グ」、「洗浄」、「Ｃ／Ｄ」、「ＰＲ」、「ＡＳＨＥ
Ｒ」、「測定」、「目視」といった項目に各作業を分類
したものである。例えば、図２のＮｏ．２２における
「ＧＡＴＥ酸化」という作業名は、作業分類が「酸化」
であり、作業内容が「ＧＡＴＥ酸化膜の形成」であるこ
とを意味している。また、図２において装置名とは、そ
の工程における各作業にて使用される装置名を表し、レ
シピとは、各装置毎に設定されているプロセス条件を表
す番号であり、プロセス条件とは、各作業毎に入力が必
要なプロセス条件を表している。
【００１６】データ変換手段７は、前述したようにこの
ようなラインデータを入力し、これをプロセスデータに
変換するものである。このプロセス変換手段７による変
換の説明に先立ち、プロセスデータについて説明する。
プロセスデータは、前述したようにラインデータから変
換され、あるいは入力手段３からプロセスデータ入力ツ
ール８を経て入力され、プロセスデータ記憶部１２に記
憶されたものであり、図３に示すようなものである。な
お、図３に示したプロセスデータは、図２に示したライ
ンデータと同じ内容を示すデータであり、図２に示した
ラインデータがデータ変換手段７で変換された後、プロ
セスデータ記憶部１２に記憶された状態、あるいは図２
に示したラインデータの意味する情報が入力手段３によ
って直接入力され、プロセスデータ入力ツール８でデー
タ変換された後、プロセスデータ記憶部１２に記憶され
た状態を示している。
ようなラインデータを入力し、これをプロセスデータに
変換するものである。このプロセス変換手段７による変
換の説明に先立ち、プロセスデータについて説明する。
プロセスデータは、前述したようにラインデータから変
換され、あるいは入力手段３からプロセスデータ入力ツ
ール８を経て入力され、プロセスデータ記憶部１２に記
憶されたものであり、図３に示すようなものである。な
お、図３に示したプロセスデータは、図２に示したライ
ンデータと同じ内容を示すデータであり、図２に示した
ラインデータがデータ変換手段７で変換された後、プロ
セスデータ記憶部１２に記憶された状態、あるいは図２
に示したラインデータの意味する情報が入力手段３によ
って直接入力され、プロセスデータ入力ツール８でデー
タ変換された後、プロセスデータ記憶部１２に記憶され
た状態を示している。
【００１７】このプロセスデータは２次元構造をもつも
ので、Ｎｃｈ Ｔｒ．（Ｎチャネル・トランジスタ）と
Ｐｃｈ Ｔｒ．（Ｐチャネル・トランジスタ）との両方
のデータを有するものであり、このプロセスデータにお
ける必要なデバイスサイズデータは図４のようになる。
図４に示されるように、Ｎｃｈ Ｔｒ．とＰｃｈ Ｔ
ｒ．との両方が存在する場合、リソグラフィ工程によっ
てタイプの異なるトランジスタの工程が分けられる。プ
ロセスデータでは、「ＭＡＳＫ」がリソグラフィ工程を
示しており、記憶手段５に記憶された製造ライン上の各
工程毎の各種条件についてのデータと、デバイスサイズ
データとによって「ＭＡＳＫ」が指定される。
ので、Ｎｃｈ Ｔｒ．（Ｎチャネル・トランジスタ）と
Ｐｃｈ Ｔｒ．（Ｐチャネル・トランジスタ）との両方
のデータを有するものであり、このプロセスデータにお
ける必要なデバイスサイズデータは図４のようになる。
図４に示されるように、Ｎｃｈ Ｔｒ．とＰｃｈ Ｔ
ｒ．との両方が存在する場合、リソグラフィ工程によっ
てタイプの異なるトランジスタの工程が分けられる。プ
ロセスデータでは、「ＭＡＳＫ」がリソグラフィ工程を
示しており、記憶手段５に記憶された製造ライン上の各
工程毎の各種条件についてのデータと、デバイスサイズ
データとによって「ＭＡＳＫ」が指定される。
【００１８】ちなみに、プロセスデータ入力例のデバイ
スサイズデータは、以下の値である。 ＬＯＣＯＳ ；０．８μｍ Ｓ／Ｄ１〜４ ；０．５μｍ ＬＤＤ１〜４ ；０．１μｍ ＧＡＴＥ１〜２；０．９μｍ ラインデータの例を用いて説明すると、図２におけるＮ
ｏ．１２の工程の「Ｎｃｈ ＷＥＬＬ ＰＲ」は、以下
のように指定されることでＮｃｈ Ｔｒ．の領域のみ、
イオン注入を行うことになる。 ＭＡＳＫ ２．９ ５．８ ここで、「ＭＡＳＫ Ａ Ｂ」のＡ、Ｂは横方向座標で
であり、ＡとＢとに挟まれる領域は「ＭＡＳＫ Ａ
Ｂ」以降の工程を無視する。ただし、ＭＡＳＫのみ指定
すること、および新たにＭＡＳＫを指定することでＡ、
Ｂはリセットされる。このように、Ｎｃｈ Ｔｒ．とＰ
ｃｈ Ｔｒ．との工程は、プロセスデータ上において区
別されているのである。
スサイズデータは、以下の値である。 ＬＯＣＯＳ ；０．８μｍ Ｓ／Ｄ１〜４ ；０．５μｍ ＬＤＤ１〜４ ；０．１μｍ ＧＡＴＥ１〜２；０．９μｍ ラインデータの例を用いて説明すると、図２におけるＮ
ｏ．１２の工程の「Ｎｃｈ ＷＥＬＬ ＰＲ」は、以下
のように指定されることでＮｃｈ Ｔｒ．の領域のみ、
イオン注入を行うことになる。 ＭＡＳＫ ２．９ ５．８ ここで、「ＭＡＳＫ Ａ Ｂ」のＡ、Ｂは横方向座標で
であり、ＡとＢとに挟まれる領域は「ＭＡＳＫ Ａ
Ｂ」以降の工程を無視する。ただし、ＭＡＳＫのみ指定
すること、および新たにＭＡＳＫを指定することでＡ、
Ｂはリセットされる。このように、Ｎｃｈ Ｔｒ．とＰ
ｃｈ Ｔｒ．との工程は、プロセスデータ上において区
別されているのである。
【００１９】前記レインデータからのデータ変換手段７
によるプロセスデータへの変換は、具体的には以下のよ
うにして行われる。このデータ変換手段７による変換
は、基本的にはラインデータの作業名、装置名、レシ
ピ、プロセス条件を基になされる。ただし、変換された
後のデータ、すなわちプロセスデータは、前述したよう
に２次元構造をとるため、計算領域の範囲、デバイス構
造のサイズ等が必要である。
によるプロセスデータへの変換は、具体的には以下のよ
うにして行われる。このデータ変換手段７による変換
は、基本的にはラインデータの作業名、装置名、レシ
ピ、プロセス条件を基になされる。ただし、変換された
後のデータ、すなわちプロセスデータは、前述したよう
に２次元構造をとるため、計算領域の範囲、デバイス構
造のサイズ等が必要である。
【００２０】図２に示したＮｏ．１の工程を例にして、
その変換を説明すると、作業名「洗浄」のデータに対し
ては、まず、装置名とレシピとの組み合わせを前記記憶
手段５に記憶された、製造ライン上の各工程毎の各種条
件についてのデータと照合することで、酸化膜がエッチ
ングされることが分かり、さらに、プロセス条件から３
ｎｍエッチングされることが分かる。そして、これらの
情報より、
その変換を説明すると、作業名「洗浄」のデータに対し
ては、まず、装置名とレシピとの組み合わせを前記記憶
手段５に記憶された、製造ライン上の各工程毎の各種条
件についてのデータと照合することで、酸化膜がエッチ
ングされることが分かり、さらに、プロセス条件から３
ｎｍエッチングされることが分かる。そして、これらの
情報より、
【数１】「ＥＴＣＨ ＭＡＴＥ＝ＯＸ ＴＨＩＣＫ＝
０．００３」 というプロセスデータが生成される。
０．００３」 というプロセスデータが生成される。
【００２１】同様に、作業名「ＰＡＤ酸化」のデータに
対しては、装置名とレシピとの組み合わせを前記記憶手
段５に記憶されたデータと照合することで、７００℃か
ら５℃／分の昇温速度で８５０℃まで温度を上げ、８５
０℃で１０分の拡散を行い、次に８５０℃で酸化を行
い、−３℃／分の降温速度で７００℃まで温度を下げる
ことが分かり、さらに、プロセス条件から、酸化時間が
１７分であり、ＤＲＹ酸化を行うことが分かる。そし
て、これらの情報より、
対しては、装置名とレシピとの組み合わせを前記記憶手
段５に記憶されたデータと照合することで、７００℃か
ら５℃／分の昇温速度で８５０℃まで温度を上げ、８５
０℃で１０分の拡散を行い、次に８５０℃で酸化を行
い、−３℃／分の降温速度で７００℃まで温度を下げる
ことが分かり、さらに、プロセス条件から、酸化時間が
１７分であり、ＤＲＹ酸化を行うことが分かる。そし
て、これらの情報より、
【数２】「ＤＩＦＦ ＴＥＭＰ＝７００ ＴＥＭＰＥ
＝８５０ ＴＲＡＴＥ＝５」
＝８５０ ＴＲＡＴＥ＝５」
【数３】 「ＤＩＦＦ ＴＩＭＥ＝１０ ＴＥＭＰ＝８５０」
【数４】「ＯＸＩＤ ＴＨＩＣＫ＝０．０５ ＴＩＭ
Ｅ＝１７ ＴＥＭＰ＝８５０ ＡＭＢＩＥＮＴ＝ＤＲＹ」
Ｅ＝１７ ＴＥＭＰ＝８５０ ＡＭＢＩＥＮＴ＝ＤＲＹ」
【数５】「ＤＩＦＦ ＴＥＭＰ＝８５０ ＴＥＭＰＥ
＝７００ ＴＲＡＴＥ＝−３」というプロセスデータが
生成される。
＝７００ ＴＲＡＴＥ＝−３」というプロセスデータが
生成される。
【００２２】また、作業名「膜厚測定」は、不純物シミ
ュレーションに関係がないため、プロセスデータは作成
されない。したがって、図２に示したＮｏ．１の工程の
ラインデータは、図３に示したように、
ュレーションに関係がないため、プロセスデータは作成
されない。したがって、図２に示したＮｏ．１の工程の
ラインデータは、図３に示したように、
【数６】「ＥＴＣＨ ＭＡＴＥ＝ＯＸ ＴＨＩＣＫ＝
０．００３」
０．００３」
【数７】「ＤＩＦＦ ＴＥＭＰ＝７００ ＴＥＭＰＥ
＝８５０ ＴＲＡＴＥ＝５」
＝８５０ ＴＲＡＴＥ＝５」
【数８】 「ＤＩＦＦ ＴＩＭＥ＝１０ ＴＥＭＰ＝８５０」
【数９】「ＯＸＩＤ ＴＨＩＣＫ＝０．０５ ＴＩＭ
Ｅ＝１７ ＴＥＭＰ＝８５０ ＡＭＢＩＥＮＴ＝ＤＲＹ」
Ｅ＝１７ ＴＥＭＰ＝８５０ ＡＭＢＩＥＮＴ＝ＤＲＹ」
【数１０】「ＤＩＦＦ ＴＥＭＰ＝８５０ ＴＥＭＰ
Ｅ＝７００ ＴＲＡＴＥ＝−３」 というプロセスデータに変換されるのである。
Ｅ＝７００ ＴＲＡＴＥ＝−３」 というプロセスデータに変換されるのである。
【００２３】このようにして得られたプロセスデータ
は、抽出手段９に送られ、この抽出手段９により、送ら
れたプロセスデータから目的とするシミュレーションに
影響を及ぼすプロセス工程が抽出される。ここで、目的
とするシミュレーションとしては、 （１）ＭＯＳ Ｔｒ．のデバイスシミュレーションのた
めの活性化不純物濃度分布の計算 （２）不純物濃度分布の計算 の二つがある。
は、抽出手段９に送られ、この抽出手段９により、送ら
れたプロセスデータから目的とするシミュレーションに
影響を及ぼすプロセス工程が抽出される。ここで、目的
とするシミュレーションとしては、 （１）ＭＯＳ Ｔｒ．のデバイスシミュレーションのた
めの活性化不純物濃度分布の計算 （２）不純物濃度分布の計算 の二つがある。
【００２４】これら二つの目的については、シミュレー
ションを行う者が選択し、入力手段３によって選択した
方を入力する。また、特に前記（１）の場合には、「Ｎ
ｃｈＴｒ．」と「Ｐｃｈ Ｔｒ．」とのうちのいずれか
を選択し、同様に入力手段３によって入力する。このよ
うにして目的とするシミュレーションが選択されると、
抽出手段９は、送られてきたプロセスデータから、以下
のようにして目的とするシミュレーションに影響を及ぼ
すプロセス工程を抽出する。
ションを行う者が選択し、入力手段３によって選択した
方を入力する。また、特に前記（１）の場合には、「Ｎ
ｃｈＴｒ．」と「Ｐｃｈ Ｔｒ．」とのうちのいずれか
を選択し、同様に入力手段３によって入力する。このよ
うにして目的とするシミュレーションが選択されると、
抽出手段９は、送られてきたプロセスデータから、以下
のようにして目的とするシミュレーションに影響を及ぼ
すプロセス工程を抽出する。
【００２５】まず、前記（１）が選択され、さらに「Ｎ
ｃｈ Ｔｒ．」が選択された場合について説明すると、
その場合には以下のようなプロセス工程の省略を行う。 （イ）イオン注入以前の工程の省略 イオン注入以前の不純物は基板不純物のみであり、この
濃度は低いため、デバイス特性に影響を与えないからで
ある。そこで、後述するシミュレーションでは、イオン
注入以前の拡散、酸化等の工程を省略し、デポジション
とエッチングとによってイオン注入される前の構造を形
成する。なお、ここでのデポジションは、通常、Ｓｉ基
板上に酸化膜をデポジションすることになる。このよう
な省略により、後述するシミュレーンはその計算時間が
大幅に短縮されるのである。 （ロ）８００℃より低い温度の熱工程（拡散、酸化
等）、８００℃より低い温度のランピング工程の省略 ８００℃より低い温度の熱工程およびランピング工程
は、不純物濃度分布に影響を与えないからである。 （ハ）Ｓ／Ｄ ＩＩ以降のプロセスについて、８００℃
未満の拡散工程を省略する。
ｃｈ Ｔｒ．」が選択された場合について説明すると、
その場合には以下のようなプロセス工程の省略を行う。 （イ）イオン注入以前の工程の省略 イオン注入以前の不純物は基板不純物のみであり、この
濃度は低いため、デバイス特性に影響を与えないからで
ある。そこで、後述するシミュレーションでは、イオン
注入以前の拡散、酸化等の工程を省略し、デポジション
とエッチングとによってイオン注入される前の構造を形
成する。なお、ここでのデポジションは、通常、Ｓｉ基
板上に酸化膜をデポジションすることになる。このよう
な省略により、後述するシミュレーンはその計算時間が
大幅に短縮されるのである。 （ロ）８００℃より低い温度の熱工程（拡散、酸化
等）、８００℃より低い温度のランピング工程の省略 ８００℃より低い温度の熱工程およびランピング工程
は、不純物濃度分布に影響を与えないからである。 （ハ）Ｓ／Ｄ ＩＩ以降のプロセスについて、８００℃
未満の拡散工程を省略する。
【００２６】そして、このようにしていくつかの工程を
省略することにより、抽出手段９は結果として残った工
程を抽出するものとなる。なお、「Ｐｃｈ Ｔｒ．」が
選択された場合にも、同様の省略がなされることによっ
て抽出が行われるため、その説明についてはこれを省略
する。
省略することにより、抽出手段９は結果として残った工
程を抽出するものとなる。なお、「Ｐｃｈ Ｔｒ．」が
選択された場合にも、同様の省略がなされることによっ
て抽出が行われるため、その説明についてはこれを省略
する。
【００２７】また、目的とするシミュレーションとして
（２）が選択された場合には、プロセスデータが２次元
構造に対応しているため、予め入力手段３等によって計
算を行いたい領域を指定することにより、該領域に計算
に必要なプロセス工程が抽出される。したがって、例え
ばＮｃｈ Ｔｒ．ＧＡＴＥ中央の不純物濃度分布計算の
ような、部分的な領域の不純物濃度分布の計算が可能に
なる。
（２）が選択された場合には、プロセスデータが２次元
構造に対応しているため、予め入力手段３等によって計
算を行いたい領域を指定することにより、該領域に計算
に必要なプロセス工程が抽出される。したがって、例え
ばＮｃｈ Ｔｒ．ＧＡＴＥ中央の不純物濃度分布計算の
ような、部分的な領域の不純物濃度分布の計算が可能に
なる。
【００２８】このようにして抽出されたプロセス工程、
およびプロセスデータは、入力データ作成手段１０に送
られ、ここで不純物シミュレータ６の計算に用いられる
入力データに変換作成される。すなわちこの入力データ
作成手段１０は、抽出手段９からプロセス工程およびプ
ロセスデータが送られると、これを、不純物シミュレー
タ６の計算に用いられる入力データに変換作成するよう
構成されたプログラムからなっている。また、この入力
データ作成手段１０では、入力データを変換作成するの
とは別に、変換作成した入力データに適するメッシュを
も作成するようになっている。
およびプロセスデータは、入力データ作成手段１０に送
られ、ここで不純物シミュレータ６の計算に用いられる
入力データに変換作成される。すなわちこの入力データ
作成手段１０は、抽出手段９からプロセス工程およびプ
ロセスデータが送られると、これを、不純物シミュレー
タ６の計算に用いられる入力データに変換作成するよう
構成されたプログラムからなっている。また、この入力
データ作成手段１０では、入力データを変換作成するの
とは別に、変換作成した入力データに適するメッシュを
も作成するようになっている。
【００２９】このメッシュの作成は、以下の基本条件に
基づいてなされる。 （ａ）対称な構造については対称メッシュを用いる。 （ｂ）材質境界とメッシュとを一致させる。 （ｃ）Ｓｉ基板に面する酸化物等の境界付近の深さ方向
のメッシュについては、偏析現象を正確に計算するた
め、１ｎｍのメッシュを用いる。（合わせ込みとして１
ｎｍのメッシュを用いるため） （ｄ）ＬＤＤ部、ＧＡＴＥ部については、隣り合うメッ
シュとのメッシュ幅の比を、１．５〜０．６７の範囲に
する。 （ｅ）メッシュ構造のサイズは、プロセスデータからサ
イズを読み取る。（Ｓ／Ｄ長さ、ＬＤＤ長さ、ＧＡＴＥ
電極長さ等）
基づいてなされる。 （ａ）対称な構造については対称メッシュを用いる。 （ｂ）材質境界とメッシュとを一致させる。 （ｃ）Ｓｉ基板に面する酸化物等の境界付近の深さ方向
のメッシュについては、偏析現象を正確に計算するた
め、１ｎｍのメッシュを用いる。（合わせ込みとして１
ｎｍのメッシュを用いるため） （ｄ）ＬＤＤ部、ＧＡＴＥ部については、隣り合うメッ
シュとのメッシュ幅の比を、１．５〜０．６７の範囲に
する。 （ｅ）メッシュ構造のサイズは、プロセスデータからサ
イズを読み取る。（Ｓ／Ｄ長さ、ＬＤＤ長さ、ＧＡＴＥ
電極長さ等）
【００３０】そして、入力データ作成手段１０は、この
ような条件の基で作成したメッシュと、これとは別に変
換作成した入力データとを、入力データ記憶部１３に出
力するようになっている。入力データ記憶部１３は、前
記メッシュと入力データとを入力すると、これを記憶す
るようになっており、また、不純物シミュレータ６が起
動されると、記憶したメッシュと入力データとを該不純
物シミュレータ６に出力するようになっている。計算結
果記憶手段１４は、不純物シミュレータ６に接続された
もので、不純物シミュレータ６によるシミュレーション
結果を入力してこれを記憶し、入力手段３等からの指示
により記憶したシミュレーション結果を読み出すことが
できるようにしたものである。
ような条件の基で作成したメッシュと、これとは別に変
換作成した入力データとを、入力データ記憶部１３に出
力するようになっている。入力データ記憶部１３は、前
記メッシュと入力データとを入力すると、これを記憶す
るようになっており、また、不純物シミュレータ６が起
動されると、記憶したメッシュと入力データとを該不純
物シミュレータ６に出力するようになっている。計算結
果記憶手段１４は、不純物シミュレータ６に接続された
もので、不純物シミュレータ６によるシミュレーション
結果を入力してこれを記憶し、入力手段３等からの指示
により記憶したシミュレーション結果を読み出すことが
できるようにしたものである。
【００３１】次に、このような構成の不純物シミュレー
ション装置１によるシミュレーション方法について、図
５のフローチャートを参照して説明する。なお、ここで
のシミュレーションとしては、ラインデータからプロセ
スデータを作成するのでなく、入力手段３、プロセスデ
ータ入力ツール８によって直接プロセスデータをプロセ
スデータ記憶部１２に記憶させ、この記憶させたプロセ
スデータを基にシミュレーションを行う場合の例とす
る。
ション装置１によるシミュレーション方法について、図
５のフローチャートを参照して説明する。なお、ここで
のシミュレーションとしては、ラインデータからプロセ
スデータを作成するのでなく、入力手段３、プロセスデ
ータ入力ツール８によって直接プロセスデータをプロセ
スデータ記憶部１２に記憶させ、この記憶させたプロセ
スデータを基にシミュレーションを行う場合の例とす
る。
【００３２】このシミュレーションでは、まず、入力手
段３によってプロセスデータを入力し、あるいはプロセ
スデータ記憶部１３に予め記憶させたプロセスデータか
ら必要なプロセスデータを選択してこれを読み出す（ス
テップ１、以下ＳＴ１と略称する）。次に、行うシミュ
レーションの目的、すなわち、 （１）デバイスシミュレーションのための活性化不純物
濃度分布の計算 （２）不純物濃度分布の計算 のいずれかを選択する（ＳＴ２）。
段３によってプロセスデータを入力し、あるいはプロセ
スデータ記憶部１３に予め記憶させたプロセスデータか
ら必要なプロセスデータを選択してこれを読み出す（ス
テップ１、以下ＳＴ１と略称する）。次に、行うシミュ
レーションの目的、すなわち、 （１）デバイスシミュレーションのための活性化不純物
濃度分布の計算 （２）不純物濃度分布の計算 のいずれかを選択する（ＳＴ２）。
【００３３】ここでは、まず（２）を選択した場合につ
いて説明すると、（２）の選択に続いて、入力手段３等
によって計算を行いたい領域の指定を行い、これにより
抽出手段９によってプロセス範囲を指定する（ＳＴ
３）。このようにしてプロセス範囲が指定されると、抽
出手段９は指定されたプロセス範囲、および先に読み出
されたプロセスデータより、シミュレーションに必要な
プロセス工程を抽出する（ＳＴ４）。
いて説明すると、（２）の選択に続いて、入力手段３等
によって計算を行いたい領域の指定を行い、これにより
抽出手段９によってプロセス範囲を指定する（ＳＴ
３）。このようにしてプロセス範囲が指定されると、抽
出手段９は指定されたプロセス範囲、および先に読み出
されたプロセスデータより、シミュレーションに必要な
プロセス工程を抽出する（ＳＴ４）。
【００３４】このようにしてプロセス工程の抽出が終了
したら、その結果、および先に読み出されたプロセスデ
ータが入力データ作成手段１０に送られる。そして、こ
の入力データ作成手段１０にて、抽出手段９から送られ
てきた前記データより、不純物シミュレータ６のシミュ
レーションに用いられる入力データが変換作成される
（ＳＴ５）。また、このような入力データの変換作成と
は別に、入力データ作成手段１０では、作成した入力デ
ータに適したメッシュを作成する（ＳＴ６）。このよう
にして入力データとメッシュとを作成したら、得られた
データを入力データ記憶部１３に送り、ここで記憶させ
る。そして、入力手段３からの指示等により、これら入
力データとメッシュとを不純物シミュレータ６に送って
これを読み込ませ、これによりシミュレーションを行わ
せる（ＳＴ７）。そして、このようにしてシミュレーシ
ョンを行ったら、その結果を計算結果記憶手段１４に記
憶させる。
したら、その結果、および先に読み出されたプロセスデ
ータが入力データ作成手段１０に送られる。そして、こ
の入力データ作成手段１０にて、抽出手段９から送られ
てきた前記データより、不純物シミュレータ６のシミュ
レーションに用いられる入力データが変換作成される
（ＳＴ５）。また、このような入力データの変換作成と
は別に、入力データ作成手段１０では、作成した入力デ
ータに適したメッシュを作成する（ＳＴ６）。このよう
にして入力データとメッシュとを作成したら、得られた
データを入力データ記憶部１３に送り、ここで記憶させ
る。そして、入力手段３からの指示等により、これら入
力データとメッシュとを不純物シミュレータ６に送って
これを読み込ませ、これによりシミュレーションを行わ
せる（ＳＴ７）。そして、このようにしてシミュレーシ
ョンを行ったら、その結果を計算結果記憶手段１４に記
憶させる。
【００３５】また、ＳＴ２において前記（１）の目的を
選択した場合には、（１）の選択に続いて、さらにトラ
ンジスタの選択、すなわち前述したように「Ｎｃｈ Ｔ
ｒ．」と「Ｐｃｈ Ｔｒ．」とのうちのいずれかを選択
する（ＳＴ８）。なお、ここでは「Ｎｃｈ Ｔｒ．」を
選択したとして後の説明を行う。このようにして「Ｎｃ
ｈ Ｔｒ．」を選択すると、先に読みだしたプロセスデ
ータから、抽出手段９がシミュレーションに必要なプロ
セス工程を抽出する。（ＳＴ９） そして、プロセス工程の抽出が終了したら、その結果、
および先に読み出されたプロセスデータが入力データ作
成手段１０に送られる。そして、この入力データ作成手
段１０にて、抽出手段９から送られてきた前記データよ
り、不純物シミュレータ６のシミュレーションに用いら
れる入力データが変換作成される（ＳＴ１０）。
選択した場合には、（１）の選択に続いて、さらにトラ
ンジスタの選択、すなわち前述したように「Ｎｃｈ Ｔ
ｒ．」と「Ｐｃｈ Ｔｒ．」とのうちのいずれかを選択
する（ＳＴ８）。なお、ここでは「Ｎｃｈ Ｔｒ．」を
選択したとして後の説明を行う。このようにして「Ｎｃ
ｈ Ｔｒ．」を選択すると、先に読みだしたプロセスデ
ータから、抽出手段９がシミュレーションに必要なプロ
セス工程を抽出する。（ＳＴ９） そして、プロセス工程の抽出が終了したら、その結果、
および先に読み出されたプロセスデータが入力データ作
成手段１０に送られる。そして、この入力データ作成手
段１０にて、抽出手段９から送られてきた前記データよ
り、不純物シミュレータ６のシミュレーションに用いら
れる入力データが変換作成される（ＳＴ１０）。
【００３６】また、このような入力データの変換作成と
は別に、入力データ作成手段１０では、作成した入力デ
ータに適したメッシュを作成する（ＳＴ１１）。このよ
うにして入力データとメッシュとを作成したら、得られ
たデータを入力データ記憶部１３に送り、ここで記憶さ
せる。そして、入力手段３からの指示等により、これら
入力データとメッシュとを不純物シミュレータ６に送っ
てこれを読み込ませ、これによりシミュレーションを行
わせる（ＳＴ１２）。そして、このようにしてシミュレ
ーションを行ったら、その結果を計算結果記憶手段１４
に記憶させる。なお、ＳＴ８にて「Ｐｃｈ Ｔｒ．」を
選択した場合には、抽出手段９がシミュレーションに必
要なプロセス工程を抽出する基準が異なるだけで、後の
各ステップは「Ｎｃｈ Ｔｒ．」を選択した場合と同じ
であるの、その説明を省略する。
は別に、入力データ作成手段１０では、作成した入力デ
ータに適したメッシュを作成する（ＳＴ１１）。このよ
うにして入力データとメッシュとを作成したら、得られ
たデータを入力データ記憶部１３に送り、ここで記憶さ
せる。そして、入力手段３からの指示等により、これら
入力データとメッシュとを不純物シミュレータ６に送っ
てこれを読み込ませ、これによりシミュレーションを行
わせる（ＳＴ１２）。そして、このようにしてシミュレ
ーションを行ったら、その結果を計算結果記憶手段１４
に記憶させる。なお、ＳＴ８にて「Ｐｃｈ Ｔｒ．」を
選択した場合には、抽出手段９がシミュレーションに必
要なプロセス工程を抽出する基準が異なるだけで、後の
各ステップは「Ｎｃｈ Ｔｒ．」を選択した場合と同じ
であるの、その説明を省略する。
【００３７】また、ここでは、シミュレーション方法と
して、入力手段３、プロセスデータ入力ツール８によっ
て直接プロセスデータをプロセスデータ記憶部１２に記
憶させ、この記憶させたプロセスデータを基にシミュレ
ーションを行う場合の例について説明したが、ラインデ
ータからプロセスデータを作成してシミュレーションを
行う場合には、記憶手段５によって記憶され、あるいは
ラインデータ記憶部１１によって記憶されたラインデー
タをデータ変換手段７によってプロセスデータに変換す
ることにより、その後の処理については図５に示したフ
ローチャートと同様にして行うことができる。
して、入力手段３、プロセスデータ入力ツール８によっ
て直接プロセスデータをプロセスデータ記憶部１２に記
憶させ、この記憶させたプロセスデータを基にシミュレ
ーションを行う場合の例について説明したが、ラインデ
ータからプロセスデータを作成してシミュレーションを
行う場合には、記憶手段５によって記憶され、あるいは
ラインデータ記憶部１１によって記憶されたラインデー
タをデータ変換手段７によってプロセスデータに変換す
ることにより、その後の処理については図５に示したフ
ローチャートと同様にして行うことができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体不純
物シミュレーション装置は、抽出手段によってプロセス
データから目的とするシミュレーションに影響を及ぼす
プロセス工程を抽出し、この抽出されたプロセス工程お
よび前記プロセスデータより、入力データ作成手段によ
って前記目的とするシミュレーションに用いる入力デー
タを作成し、得られた入力データに基づいてシミュレー
ション手段によって不純物シミュレーションを行うもの
である。したがって、不純物シミュレーションを行う上
での最適な入力データを、予め入力したプロセスデー
タ、あるいはラインデータから作成することができるた
め、計算時間、計算精度を考慮した不純物シミュレーシ
ョンを経験や熟練なしに容易に行うことができ、しかも
無駄なプロセス工程を省略することによって不純物シミ
ュレーションの計算時間を短縮し、計算結果の定量性を
向上させることができる。
物シミュレーション装置は、抽出手段によってプロセス
データから目的とするシミュレーションに影響を及ぼす
プロセス工程を抽出し、この抽出されたプロセス工程お
よび前記プロセスデータより、入力データ作成手段によ
って前記目的とするシミュレーションに用いる入力デー
タを作成し、得られた入力データに基づいてシミュレー
ション手段によって不純物シミュレーションを行うもの
である。したがって、不純物シミュレーションを行う上
での最適な入力データを、予め入力したプロセスデー
タ、あるいはラインデータから作成することができるた
め、計算時間、計算精度を考慮した不純物シミュレーシ
ョンを経験や熟練なしに容易に行うことができ、しかも
無駄なプロセス工程を省略することによって不純物シミ
ュレーションの計算時間を短縮し、計算結果の定量性を
向上させることができる。
【図１】本発明の半導体不純物シミュレーション装置の
一実施形態例の概略構成を示すブロック図である。
一実施形態例の概略構成を示すブロック図である。
【図２】ラインデータの一例を示す図である。
【図３】プロセスデータの一例を示す図である。
【図４】デバイスサイズデータの一例を示す図である。
【図５】図１に示した半導体不純物シミュレーション装
置によるシミュレーション方法を説明するためのフロー
チャート図である。
置によるシミュレーション方法を説明するためのフロー
チャート図である。
１ シミュレーション装置 ２ ＣＰＵ ３ 入力手段 ５ 記憶手段 ６ 不純物シミュレータ（シミュレーション手段） ７ データ変換手段 ８ プロセスデータ入力ツール ９ 抽出手段 １０ 入力データ作成手段
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子の形成に際してその基体中に
不純物を導入した後の基体中の不純物濃度分布をシミュ
レーションするための半導体不純物シミュレーション装
置であって、 試料作製条件に基づいて予め入力されたプロセスデータ
から、目的とするシミュレーションに影響を及ぼすプロ
セス工程を抽出する抽出手段と、 この抽出したプロセス工程および前記プロセスデータか
ら、前記目的とするシミュレーションに用いる入力デー
タを作成する入力データ作成手段と、 得られた入力データに基づいて不純物シミュレーション
を行うシミュレーション手段とを具備してなることを特
徴とする半導体不純物シミュレーション装置。 - 【請求項２】 半導体素子の形成に際してその基体中に
不純物を導入した後の基体中の不純物濃度分布をシミュ
レーションするための半導体不純物シミュレーション装
置であって、 製造ライン条件に基づいて予め入力されたラインデータ
からプロセスデータを作成するデータ変換手段と、 作成されたプロセスデータから、目的とするシミュレー
ションに影響を及ぼすプロセス工程を抽出する抽出手段
と、 この抽出したプロセス工程および前記作成されたプロセ
スデータから、前記目的とするシミュレーションに用い
る入力データを作成する入力データ作成手段と、 得られた入力データに基づいて不純物シミュレーション
を行うシミュレーション手段とを具備してなることを特
徴とする半導体不純物シミュレーション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18675095A JPH0936054A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 半導体不純物シミュレーション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18675095A JPH0936054A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 半導体不純物シミュレーション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936054A true JPH0936054A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16193997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18675095A Withdrawn JPH0936054A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 半導体不純物シミュレーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016185590A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | 多軸機械装置シミュレータ、運転指令装置の設計支援装置、電動機制御装置の設計支援装置及び電動機の容量選定装置 |
-
1995
- 1995-07-24 JP JP18675095A patent/JPH0936054A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016185590A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | 多軸機械装置シミュレータ、運転指令装置の設計支援装置、電動機制御装置の設計支援装置及び電動機の容量選定装置 |
| JPWO2016185590A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2017-09-28 | 三菱電機株式会社 | 多軸機械装置シミュレータ、運転指令装置の設計支援装置、電動機制御装置の設計支援装置及び電動機の容量選定装置 |
| CN107530879A (zh) * | 2015-05-20 | 2018-01-02 | 三菱电机株式会社 | 多轴机械装置仿真器、运转指令装置的设计辅助装置、电动机控制装置的设计辅助装置以及电动机的容量选定装置 |
| CN107530879B (zh) * | 2015-05-20 | 2020-09-08 | 三菱电机株式会社 | 多轴机械装置仿真器、运转指令装置的设计辅助装置、电动机控制装置的设计辅助装置以及电动机的容量选定装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041104 |