JPH09330951A - 電子部品接合方法 - Google Patents
電子部品接合方法Info
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- H05K3/3431—Leadless components
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
プ付き電子部品を接合できる電子部品接合方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 基板1に形成されたバンプ用パターン
5,6に半田バンプ11,12を位置させる際に、半田
の溶融温度よりも高い温度で硬化が促進される第1樹脂
8をバンプ付き電子部品10と基板との間に介在させる
第1のステップと、半田の溶融温度以上であって第1樹
脂の硬化が促進されない温度に加熱して第1樹脂が変形
できる状態で半田バンプを溶融させる第2ステップと、
第1樹脂の硬化が促進される温度以上に加熱して第1樹
脂を硬化させバンプ付電子部品を基板に固定する第3ス
テップと、半田の溶融温度以下に冷却して半田バンプを
固化させる第4ステップと、半田バンプの周囲に第1樹
脂よりも低い温度で硬化が促進される第2樹脂14を封
止する第5ステップと、第2樹脂を硬化させる第6ステ
ップとを含む。
Description
品を基板に接合する電子部品接合方法に関するものであ
る。
グリッドアレイ)等のバンプ付き電子部品が多用されて
いる。
接合するには、バンプ付き電子部品を基板に搭載した後
バンプの接合が完了するまでの間、バンプ付き電子部品
をヘッドで保持し基板に押付けていた。
は角チップ、SOP、QFPなどの他の面実装部品の接
合方法に対して接合の要領が大きく異なる。したがっ
て、従来技術では、バンプ付き電子部品を接合するため
の設備と、他の面実装部品を接合するための設備とを、
それぞれ用意せねばならず設備コストが増大するという
問題点があった。
領に近い要領でバンプ付き電子部品を接合できる電子部
品接合方法を提供することを目的とする。
法は、基板に形成されたバンプ用パターンに半田バンプ
を位置させる際に、半田の溶融温度よりも高い温度で硬
化が促進される第1樹脂8をバンプ付き電子部品と基板
との間に介在させる第1のステップと、半田の溶融温度
以上であって第1樹脂の硬化が促進されない温度に加熱
して半田バンプを溶融させる第2ステップと、第1樹脂
の硬化が促進される温度以上に加熱して第1樹脂を硬化
させバンプ付き電子部品を基板に固定する第3ステップ
と、半田の溶融温度以下に冷却して半田バンプを固化さ
せる第4ステップと、半田バンプの周囲に第1樹脂より
も低い温度で硬化が促進される第2樹脂を封止する第5
ステップと、第2樹脂を硬化させる第6ステップとを含
む。
は、基板に形成されたバンプ用パターンに半田バンプを
位置させる際に、半田の溶融温度よりも高い温度で硬化
が促進される第1樹脂をバンプ付き電子部品と基板との
間に介在させる第1のステップと、半田の溶融温度以上
であって第1樹脂の硬化が促進されない温度に加熱して
半田バンプを溶融させる第2ステップと、第1樹脂の硬
化が促進される温度以上に加熱して第1樹脂を硬化させ
バンプ付き電子部品を基板に固定する第3ステップと、
半田の溶融温度以下に冷却して半田バンプを固化させる
第4ステップと、半田バンプの周囲に第1樹脂よりも低
い温度で硬化が促進される第2樹脂を封止する第5ステ
ップと、第2樹脂を硬化させる第6ステップとを含む。
したがって、第1ステップと他の面実装部品のための半
田部形成を行えば、その後バンプ付き電子部品を基板に
ヘッドで押付けておく必要がない。そして、第2ステッ
プから第4ステップまでの間において、他の面実装部品
用の半田部を同時に溶融させた後固化させることができ
る。このように、バンプ付き電子部品と他の面実装部品
とを並行して基板に接合できるので、設備を共有するこ
とができコストを削減できる。
形態を説明する。 (実施の形態1)図1(a)〜(f)は、本発明の第1
の実施の形態における電子部品接合方法の工程説明図で
ある。本形態は、半田バンプを備えたバンプ付き電子部
品の接合方法に関する。
の回路パターンであり、これらの回路パターン2,3に
はクリーム半田4が塗布されている。また、回路パター
ン2,3の横にバンプ付き電子部品のためにバンプ用パ
ターン5,6が形成され、これらバンプ用パターン5,
6にはフラックス7が塗布されている。ここで、後述す
る半田バンプによってはフラックス7の塗布を省略して
もよい。
は、点状に第1樹脂8が塗布されている。この第1樹脂
8は半田の溶融温度(通常183°C)では硬化が促進
されず、それ以上の温度(例えば210°C)で硬化促
進されるものである。また第1樹脂8の塗布位置は、後
述するバンプ付き電子部品に接触し、バンプ用パターン
5,6に接触しない位置であればよく、例えば、バンプ
用パターン5,6の中間位置であってもよい。さらに、
基板1に塗布せず、バンプ付き電子部品側に塗布してお
いても差支えない。
半田4上に面実装部品9を搭載すると共に、バンプ付き
電子部品10を基板1上に搭載する。このとき、バンプ
付き電子部品10の半田バンプ11,12がそれぞれバ
ンプ用パターン5,6上に位置するようにし、バンプ付
き電子部品10と基板1との間に、第1樹脂8を介在さ
せる。ここで、従来技術のように、バンプ付き電子部品
10をヘッドで基板1へ押付けておく必要はない。
に入れ加熱する。そして半田の溶融温度になると、図1
(c)に示すように、クリーム半田4及び半田バンプ1
1が溶融するが、第1樹脂8は未だ硬化しておらず、自
在に変形できる状態にある。したがって、半田バンプ1
1が溶融した際、バンプ付き電子部品10はわずかに沈
下しようとするが、第1樹脂8が変形してこの沈下は支
障なく行われる。このため、半田バンプ11,12はバ
ンプ用パターン5,6にしっかり接合される。また、溶
融した半田バンプの表面張力によって生じるセルフアラ
イメント作用も第1樹脂8の変形によって支障なく行わ
れる。
化が促進される温度に達すると、半田バンプ11,12
がしっかりバンプ用パターン5,6に接着した状態で、
第1樹脂8が硬化し、バンプ付き電子部品10は、基板
1に仮止めされる(図1(d))。
程度に冷却する。これにより、半田バンプ11,12は
固化する。そして、図1(e)に示すように、半田バン
プ11,12の周囲に第2樹脂14を注入し、半田バン
プ11,12を封止する。この第2樹脂14は、半田の
溶融温度より低い温度で硬化促進されるものが望まし
い。このようにすると、再度基板1を第2樹脂14の硬
化が促進される温度に加熱することにより、一旦固化し
た半田バンプ11,12が再度溶融することなく、第2
樹脂14を硬化させることができ、バンプ付き電子部品
10を基板1に完全接合できる(図1(f))。なお基
板1に接続されたバンプ付き電子部品10の検査を行う
必要がある場合は第2樹脂14を注入する前に行うとよ
い。このときバンプ付き電子部品10もしくはその接続
状態に不具合があればこのバンプ付き電子部品10は第
1樹脂8によって部分的にしか固定されていなので半田
バンプ11,12を再度加熱して溶融させれば比較的容
易に除去することができる。
バンプ18,19を備えたバンプ付き電子部品17の接
合方法に関する。
バンプ用パターン5,6に半田プリコートなどによって
半田部16を形成しておく。そして、面実装部品9及び
バンプ付き電子部品17を基板1に搭載する(図2
(b))。このとき、バンプ付き電子部品17を基板1
側へ加圧することにより、金バンプ18,19を半田部
16に食い込ませておくほうが好ましい。
溶融温度に加熱して半田部16を溶融させるが、第1樹
脂8が未硬化で変形自在であるためバンプ付き電子部品
17がわずかに沈下して、金バンプ18,19と半田部
16とバンプ用パターン5,6はしっかり接着する(図
2(c))。
ンプ付き電子部品17を基板1に仮止めし(図2
(d))、冷却して半田を固化させ、金バンプ18,1
9の周囲を第2樹脂14で封止する(図2(e))。そ
して、半田の溶融温度以下で第2樹脂14を硬化させ
て、バンプ付き電子部品17を基板1に完全接合する。
バンプに対して極めて良好にぬれるのでフラックスを使
用しなくてもよいという効果を有するものである。
成されたバンプ用パターンに半田バンプを位置させる際
に、半田の溶融温度よりも高い温度で硬化が促進される
第1樹脂をバンプ付き電子部品と基板との間に介在させ
る第1のステップと、半田の溶融温度以上であって第1
樹脂の硬化が促進されない温度に加熱して第1樹脂が変
形できる状態で半田バンプを溶融させる第2ステップ
と、第1樹脂の硬化が促進される温度以上に加熱して第
1樹脂を硬化させバンプ付き電子部品を基板に固定する
第3ステップと、半田の溶融温度以下に冷却して半田バ
ンプを固化させる第4ステップと、半田バンプの周囲に
第1樹脂よりも低い温度で硬化が促進される第2樹脂を
封止する第5ステップと、第2樹脂を硬化させる第6ス
テップとを含むので、バンプ付き電子部品を他の面実装
部品に近似した要領で基板に接合することができ、設備
の共有化を行ってコストダウンに資することができる。
部品接合方法の工程説明図 (b)本発明の第1の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (c)本発明の第1の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (d)本発明の第1の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (e)本発明の第1の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (f)本発明の第1の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図
部品接合方法の工程説明図 (b)本発明の第2の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (c)本発明の第2の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (d)本発明の第2の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (e)本発明の第2の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図 (f)本発明の第2の実施の形態における電子部品接合
方法の工程説明図
Claims (3)
- 【請求項1】半田バンプを備えたバンプ付電子部品を基
板に接合する電子部品接合方法であって、 基板に形成されたバンプ用パターンに半田バンプを位置
させる際に、半田の溶融温度よりも高い温度で硬化が促
進される第1樹脂をバンプ付き電子部品と基板との間に
介在させる第1のステップと、 半田の溶融温度以上であって前記第1樹脂の硬化が促進
されない温度に加熱して前記半田バンプを溶融させる第
2ステップと、 前記第1樹脂の硬化が促進される温度以上に加熱して前
記第1樹脂を硬化させ前記バンプ付き電子部品を前記基
板に固定する第3ステップと、 半田の溶融温度以下に冷却して前記半田バンプを固化さ
せる第4ステップと、 前記半田バンプの周囲に前記第1樹脂よりも低い温度で
硬化が促進される第2樹脂を封止する第5ステップと、 前記第2樹脂を硬化させる第6ステップとを含むことを
特徴とする電子部品接合方法。 - 【請求項2】前記第2樹脂は、半田の溶融温度よりも低
い温度で硬化が促進されることを特徴とする請求項1記
載の電子部品接合方法。 - 【請求項3】金バンプを備えたバンプ付き電子部品を基
板に接合する電子部品接合方法であって、 基板に形成されたバンプ用パターンに半田部を形成する
第1ステップと、 前記半田部に金バンプを接触させる際に、半田の溶融温
度よりも高い温度で硬化が促進される第1樹脂をバンプ
付き電子部品と基板との間に介在させる第2ステップ
と、 半田の溶融温度以上であって前記第1樹脂の硬化が促進
されない温度に加熱して前記半田部を溶融させる第3ス
テップと、 前記第1樹脂の硬化が促進される温度以上に加熱して前
記第1樹脂を硬化させ前記バンプ付き電子部品を前記基
板に固定する第4ステップと、 半田の溶融温度以下に冷却して前記半田部を固化させる
第5ステップと、 前記金バンプの周囲に前記第1樹脂よりも低い温度で硬
化が促進される第2樹脂を封止する第6ステップと、 前記第2樹脂を硬化させる第7ステップとを含むことを
特徴とする電子部品接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15205696A JP3233022B2 (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 電子部品接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15205696A JP3233022B2 (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 電子部品接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09330951A true JPH09330951A (ja) | 1997-12-22 |
JP3233022B2 JP3233022B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=15532091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15205696A Expired - Fee Related JP3233022B2 (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 電子部品接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3233022B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7239068B2 (en) * | 2002-03-29 | 2007-07-03 | Fujitsu Media Devices Limited | Method for mounting surface acoustic wave element and surface acoustic wave device having resin-sealed surface acoustic wave element |
CN111834262A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-27 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型电子元件转移设备以及微型电子元件转移方法 |
US11799052B2 (en) | 2020-07-24 | 2023-10-24 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro-electronic element transfer apparatus and micro-electronic element transfer method |
-
1996
- 1996-06-13 JP JP15205696A patent/JP3233022B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111834262B (zh) * | 2020-07-24 | 2023-08-08 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型电子元件转移设备以及微型电子元件转移方法 |
US11799052B2 (en) | 2020-07-24 | 2023-10-24 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro-electronic element transfer apparatus and micro-electronic element transfer method |
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---|---|
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