JPH09330918A - Semiconductor manufacture equipment - Google Patents
Semiconductor manufacture equipmentInfo
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- JPH09330918A JPH09330918A JP14928596A JP14928596A JPH09330918A JP H09330918 A JPH09330918 A JP H09330918A JP 14928596 A JP14928596 A JP 14928596A JP 14928596 A JP14928596 A JP 14928596A JP H09330918 A JPH09330918 A JP H09330918A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、連続式常圧気相成長装置などのＣＶＤ装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a CVD apparatus such as a continuous atmospheric pressure vapor phase growth apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウェハー上に、ＢＰＳＧなどの層間絶縁
膜は、連続式常圧気相成長装置を用いて成膜される。図
２は、層間絶縁膜をウェハー上に成膜するための従来の
半導体製造装置の構成図である。図３は、図２中のＡ−
Ａ断面図である。以下、従来の半導体製造装置の動作を
説明する。図２に示すように、モータ５によりスプロケ
ット１を一定の速度で回転させる。スプロケット１が回
転することにより、チェーン３がテンションプーリ２に
沿って回転する。2. Description of the Related Art An interlayer insulating film such as BPSG is formed on a wafer by using a continuous atmospheric pressure vapor phase growth apparatus. FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional semiconductor manufacturing apparatus for forming an interlayer insulating film on a wafer. FIG. 3 shows A- in FIG.
It is A sectional drawing. The operation of the conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described below. As shown in FIG. 2, the sprocket 1 is rotated by the motor 5 at a constant speed. As the sprocket 1 rotates, the chain 3 rotates along the tension pulley 2.
【０００３】図３に示すように、トレー６は、クランプ
２１によりトレーステージ２２上に固定されている。ト
レーステージ２２は、ガイドホルダ２３に固定され、ガ
イドホルダ２３は、チェーン３に固定されている。そし
て、チェーン３の回転により無限軌道によりトレー６は
搬送されるようになっている。ガイドホルダ２３には、
レール４上を滑るようにレール４の形に合わせて、スラ
イダ２４が設けられている。また、円滑な回転をする為
に、ガイドホルダ２３には、ベアリング２６で回転可能
としている。トレー６は、チェーン３のトラックの直線
部に搬送されると、トレー６上にウェハー７が載置さ
れ、この直線部に配設されたレール４上をスライダ２４
が滑り、反応室１０にウェハー７が搬送される。反応室
１０内のウェハー７の上方の所定の高さに配設されたガ
ス吹出しヘッド９からガスをウェハー７に噴射し、ウェ
ハー７の下に配設されたヒータ８により加熱して、ウェ
ハー７上にＢＰＳＧ膜などを成膜する。As shown in FIG. 3, the tray 6 is fixed on a tray stage 22 by a clamp 21. The tray stage 22 is fixed to the guide holder 23, and the guide holder 23 is fixed to the chain 3. The tray 6 is conveyed by an endless track by the rotation of the chain 3. In the guide holder 23,
A slider 24 is provided in conformity with the shape of the rail 4 so as to slide on the rail 4. Further, in order to rotate smoothly, the guide holder 23 is rotatable by a bearing 26. When the tray 6 is conveyed to the linear portion of the track of the chain 3, the wafer 7 is placed on the tray 6, and the slider 24 is moved on the rail 4 arranged on the linear portion.
Slides and the wafer 7 is transferred to the reaction chamber 10. Gas is jetted to the wafer 7 from a gas blowing head 9 arranged at a predetermined height above the wafer 7 in the reaction chamber 10 and heated by a heater 8 arranged below the wafer 7, A BPSG film or the like is formed on top.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体製造装置には、以下のような問題点があった。図
２に示すように複数枚のトレー６が連続的に動いてお
り、図３に示すように、トレー６を保持しているガイド
ホルダ２３はレール４上を滑りながら案内される為に、
ガイドホルダ２３のテフロン製スライダ２４は磨耗が激
しい。これにより、トレー６の高さ精度のばらつきが
０．２ｍｍ〜１．５ｍｍと大きくなっていく。このた
め、ガス吹出しヘッド９の下部におけるトレー６上のウ
ェハー７とガス吹出しヘッド９との間隔が各トレー６に
より変動し、成膜した膜厚にばらつきが生じるという欠
点がある。図４は、トレー変位と膜厚分布の相関を示す
図であり、横軸はトレーの縦方向のトレー変位（ｍ
ｍ）、縦軸は膜厚（ｎｍ）である。However, the conventional semiconductor manufacturing apparatus has the following problems. As shown in FIG. 2, a plurality of trays 6 are continuously moving, and as shown in FIG. 3, the guide holder 23 holding the trays 6 is guided while sliding on the rails 4,
The Teflon slider 24 of the guide holder 23 is heavily worn. As a result, the variation in height accuracy of the tray 6 increases to 0.2 mm to 1.5 mm. For this reason, there is a drawback that the distance between the wafer 7 on the tray 6 below the gas blowing head 9 and the gas blowing head 9 varies depending on each tray 6, and the film thickness of the formed film varies. FIG. 4 is a diagram showing the correlation between the tray displacement and the film thickness distribution, where the horizontal axis is the tray displacement (m in the vertical direction of the tray).
m) and the vertical axis is the film thickness (nm).
【０００５】図４は、膜厚８００ｎｍねらいで以下の条
件でＢＰＳＧ膜を生成したものである。 トレー温度 ４００°Ｃ トレースピード １００ｍｍ／ｍｉｎ ＳｉＨ4 ４０ＳＣＣＭ ＰＨ3 ６００ＳＣＣＭ Ｂ2 Ｈ6 ３００ＳＣＣＭ Ｏ2 １０００ＳＣＣＭ 図４に示すように、上記条件でＢＰＳＧ膜を成膜する
と、トレーの変位により膜厚に差が出ているのが分か
る。このように膜厚に差がでると、層間絶縁膜の特性に
差が生じ、半導体装置の特性にばらつきが生じるという
問題点があった。FIG. 4 shows a BPSG film produced under the following conditions, aiming at a film thickness of 800 nm. Tray temperature 400 ° C Tray speed 100mm / min SiH 4 40SCCM PH 3 600SCCM B 2 H 6 300SCCM O 2 1000SCCM As shown in FIG. 4, when the BPSG film is formed under the above conditions, the difference in film thickness is caused by the displacement of the tray. I can see it coming out. If there is a difference in film thickness in this way, there is a problem in that there is a difference in the characteristics of the interlayer insulating film, which causes variations in the characteristics of the semiconductor device.
【０００６】また、テフロンスライダ２４の側面がレー
ル２４の側面との摩擦により、隙間が大きくなり、ガタ
がでる。そのために、ウェハー７が水平に保てなくな
り、１枚のウェハー７でも、膜厚分布に差がでて、特性
が異なるという問題点があった。テフロンスライダ２４
の磨耗が激しいために、テフロンスライダ２４の寿命は
短く（例えば、１年位）、コストが掛かるという問題点
があった。さらに、レール４は直線部分のみであるの
で、トレー６及びガイドホルダ２３の重量がチェーン３
やスプロケット１にかかるために、チェーン３の伸びが
激しく、また、スプロケット１の磨耗も大きく、それだ
け耐用年数が短くなるという問題点があった。Further, due to friction between the side surface of the Teflon slider 24 and the side surface of the rail 24, the gap becomes large, resulting in looseness. Therefore, the wafer 7 cannot be kept horizontal, and there is a problem in that even one wafer 7 has different film thickness distributions and different characteristics. Teflon slider 24
The Teflon slider 24 has a short service life (for example, about one year) and is costly due to severe wear. Furthermore, since the rail 4 has only a straight line portion, the weight of the tray 6 and the guide holder 23 is reduced by
Since the chain 3 and the sprocket 1 are stretched, the chain 3 is greatly stretched, and the sprocket 1 is greatly worn, which shortens the service life.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、半導体製造装置において、上方又は下方
の少なくともいずれか一方が水平な直線をなし、垂直な
方向に１周するスライドレールと、前記スライドレール
を支持する筐体と、前記スライドレールに隣接して配設
され、無限軌道を描いて一定の速度で回転する伝動手段
とを備えている。そして、前記伝動手段の複数の所定の
部位にリンクにより繋がれ前記伝動手段の前記無限軌道
に沿って搬送される複数のガイドホルダと、前記各ガイ
ドホルダに固定された軸を中心に前記スライドレール上
を回転するベアリングと、前記各ガイドホルダと一体的
に搬送されウェハーを載置するトレーと、前記トレーに
載置された前記ウェハーの上方の所定の位置に配設さ
れ、前記ウェハーの表面にガスを供給するガス吹出しヘ
ッドと、前記トレーに前記ウェハーを載置する手段と、
前記トレーに載置された前記ウェハーを取り出す手段と
を備えている。以上のように半導体製造装置を構成した
ので、ベアリングは、ガイドホルダに固定された軸を中
心にスライドレール上を回転しながら、トレーが搬送さ
れる。そのため、スライドレールとベアリングとの摩擦
が少なくなり、トレーの水平位置の高さが変動すること
がなくなり、ガス吹出しヘッドとウェハーとの距離にば
らつきが少なくなる。According to the present invention, in order to solve the above problems, in a semiconductor manufacturing apparatus, at least one of an upper side and a lower side forms a horizontal straight line, and a slide rail which makes one turn in a vertical direction. And a casing that supports the slide rail, and a transmission unit that is disposed adjacent to the slide rail and that rotates at a constant speed along an endless track. Then, a plurality of guide holders connected to a plurality of predetermined portions of the transmission means by links and conveyed along the endless track of the transmission means, and the slide rails around axes fixed to the guide holders. A bearing that rotates above, a tray on which the wafer is carried integrally with each of the guide holders and places a wafer, and a predetermined position above the wafer that is placed on the tray are arranged on the surface of the wafer. A gas blowing head for supplying gas, means for placing the wafer on the tray,
Means for taking out the wafer placed on the tray. Since the semiconductor manufacturing apparatus is configured as described above, the tray transports the tray while rotating on the slide rail around the shaft fixed to the guide holder. Therefore, the friction between the slide rail and the bearing is reduced, the height of the horizontal position of the tray is not changed, and the distance between the gas blowing head and the wafer is reduced.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】第１の実施形態 図１は、本発明の第１の実施形態の半導体製造装置の構
成図であり、図５は、図１中のＢ−Ｂ断面図である。図
１に示すように、本第１の実施形態の半導体製造装置に
は、左右に２つのスプロケット１が配設されている。ス
プロケット１には、チェーン３が噛み合わさり、垂直な
方向にトラックを形成している。片方（例えば、右側）
のスプロケット１の軸は、図示しないがモータに固定さ
れている。スプロケット１及びチェーン３は、スプロケ
ット１の回転によりチェーン３が無限軌道を描いて回転
する伝動手段である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First Embodiment FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view taken along line BB in FIG. As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment is provided with two sprockets 1 on the left and right. A chain 3 meshes with the sprocket 1 to form a track in a vertical direction. One (eg right side)
The shaft of the sprocket 1 is fixed to a motor (not shown). The sprocket 1 and the chain 3 are transmission means in which the chain 3 rotates in an endless track by the rotation of the sprocket 1.
【０００９】チェーン３の直線部の奥には反応室１０が
配設されている。反応室１０内には、ガス吹出しヘッド
９が所定の高さに配設されており、下を通過するウェハ
ー７に対して、一定の高さからガスを噴射する構成にな
っている。反応室１０の下方には、ウェハ−７を加熱す
るための図示しないヒータが設けられている。チェーン
３の半円部の反応室１０の入口には、図示しないがウェ
ハー７を搬送するベルト搬送と、ウェハチャック機構を
もつローダを有し、ベルト搬送により搬送されたきたウ
ェハー７をトレー６に載置するための手段と、チェーン
３の半円部の反応室１０の出口には、バキュームチャッ
ク機構をもつアンローダを有し、反応室１０から出てき
たウェハー７を取り出すための手段が配設されている。
チェーン３に対して奥の方向には、垂直な方向にトラッ
ク形状のスライドレール（例えば、ＡＳＫ社製）３２が
配設されている。図５に示すように、スライドレール３
２は、トラック形状の筐体３６にネジにより固定されて
いる。筐体３６は、上下の直線部が角パイプ、左右の半
円部が半円パイプにより構成されている。下方の直線部
の角パイプは、床に支持されている。A reaction chamber 10 is arranged behind the linear portion of the chain 3. A gas blowing head 9 is disposed at a predetermined height in the reaction chamber 10 and is configured to inject gas from a certain height to the wafer 7 passing therebelow. A heater (not shown) for heating the wafer 7 is provided below the reaction chamber 10. At the entrance of the reaction chamber 10 in the semicircular portion of the chain 3, a belt transfer (not shown) for transferring the wafer 7 and a loader having a wafer chuck mechanism are provided, and the wafer 7 transferred by the belt transfer is placed on the tray 6. A means for placing and an unloader having a vacuum chuck mechanism at the exit of the reaction chamber 10 in the semicircular portion of the chain 3 are provided with means for taking out the wafer 7 coming out of the reaction chamber 10. Has been done.
A track-shaped slide rail (for example, manufactured by ASK) 32 is arranged in a direction perpendicular to the inner side of the chain 3. As shown in FIG. 5, the slide rail 3
Reference numeral 2 is fixed to a track-shaped casing 36 with screws. In the case 36, the upper and lower straight portions are formed by square pipes, and the left and right semicircular portions are formed by semicircular pipes. The lower straight pipe is supported by the floor.
【００１０】スライドレール３２の上下は、Ｖ型に尖っ
ており、この上下のＶ字型に尖った部分にそれぞれＶ字
型の溝（例えば、深さ４．６ｍｍ、幅３．２ｍｍ）の切
れ込みのあるベアリング（例えば、半径が２５ｍｍの高
炭素クロム軸受鋼）３５が配設されている。上下、左右
に配設された４個のベアリング３５は、スタッド軸３４
によりガイドホルダ３３に固定（例えば、６角ナットに
より）されている。トレー（例えば、横４７０ｍｍ，縦
１５８ｍｍ、厚み６ｍｍ）６は、クランプ２１によりト
レーステージ２２に固定されている。トレーステージ２
２は、垂直な方向に配設されたガイドホルダ３３に固定
されている。ガイドホルダ３３は、リンク（例えば、Ｓ
ＵＳ３０４）３１に設けられた長穴にカムフォロアを通
して固定してある。リンク３１は、チェーン３に溶接な
どにより固定されている。The upper and lower sides of the slide rail 32 are V-shaped, and V-shaped grooves (for example, a depth of 4.6 mm and a width of 3.2 mm) are cut in the upper and lower V-shaped points. A bearing 35 (for example, high carbon chrome bearing steel having a radius of 25 mm) 35 is provided. The four bearings 35 arranged on the upper and lower sides and the left and right sides are
Is fixed to the guide holder 33 (for example, by a hexagonal nut). The tray (for example, horizontal 470 mm, vertical 158 mm, thickness 6 mm) 6 is fixed to the tray stage 22 by a clamp 21. Tray stage 2
2 is fixed to a guide holder 33 arranged in a vertical direction. The guide holder 33 has a link (for example, S
It is fixed by passing a cam follower through an elongated hole provided in US304) 31. The link 31 is fixed to the chain 3 by welding or the like.
【００１１】以下、図１の半導体製造装置の動作の説明
をする。図示しないモータを一定の速度で回転させて、
スプロケット１を回転する。スプロケット１が回転する
ことにより、チェーン３が回転する。チェーン３には、
リンク３１によりガイドホルダ３３が固定されているの
で、図５に示すようにガイドホルダ３３に固定されたス
タッド軸３４を中心としてベアリング３５がスライドレ
ール３２に沿って回転しながら、トレー６がスライドレ
ール３２のトラックに沿って搬送される。一方、反応室
１０の入口では、図示しないがベルト搬送で、ウェハー
７をキャリアからローダメカニカルチャックに移し、ウ
ェハチャックでウェハー７をつかみ、トレー６上に移動
する。そして、タイミングを計り、トレー６上にウェハ
ー７を落とす。The operation of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 will be described below. Rotate a motor (not shown) at a constant speed,
Rotate sprocket 1. As the sprocket 1 rotates, the chain 3 rotates. Chain 3 has
Since the guide holder 33 is fixed by the link 31, as shown in FIG. 5, while the bearing 35 rotates along the slide rail 32 around the stud shaft 34 fixed to the guide holder 33, the tray 6 slides. It is transported along 32 tracks. On the other hand, at the entrance of the reaction chamber 10, the wafer 7 is transferred from the carrier to the loader mechanical chuck by belt conveyance (not shown), the wafer 7 is gripped by the wafer chuck and moved onto the tray 6. Then, the timing is measured, and the wafer 7 is dropped on the tray 6.
【００１２】トレー６は、チェーン３が回転することに
より、反応室１０内に搬送される。反応室１０内には、
一定の高さに配設されたガス吹出しヘッド９からガスを
噴射し、図示しないヒータでウェハー７を加熱して、ウ
ェハー７上にＢＰＳＧなどの膜を成膜する。例えば、Ｂ
ＰＳＧ膜の場合には、以下の条件で成膜する。 トレー温度 ４００°Ｃ トレースピード １００ｍｍ／ｍｉｎ ＳｉＨ4 ４０ＳＣＣＭ ＰＨ3 ６００ＳＣＣＭ Ｂ2 Ｈ6 ３００ＳＣＣＭ Ｏ2 １０００ＳＣＣＭ 反応室１０からでてきたトレー６上のウェハー７をバキ
ュームチャックでトレー７から吸引して持ち上げる。ベ
ルト搬送でウェハー７を移動して、ウェハー７を落とし
キャリアに収納する。The tray 6 is conveyed into the reaction chamber 10 as the chain 3 rotates. In the reaction chamber 10,
Gas is jetted from the gas blowing head 9 arranged at a constant height, and the wafer 7 is heated by a heater (not shown) to form a film such as BPSG on the wafer 7. For example, B
In the case of a PSG film, it is formed under the following conditions. Tray temperature 400 ° C. Tray speed 100 mm / min SiH 4 40 SCCM PH 3 600 SCCM B 2 H 6 300 SCCM O 2 1000 SCCM Wafer 7 on tray 6 coming out of reaction chamber 10 is suctioned and lifted from tray 7 by a vacuum chuck. The wafer 7 is moved by the belt conveyance, and the wafer 7 is dropped and stored in the carrier.
【００１３】図６は、トレーホルダ精度を示す図であ
り、横軸はトレー番号（２９個のトレー）であり、縦軸
はトレーの変位（ｍｍ）である。図中の○印は、従来の
半導体製造装置のタイプのものであり、●印は、本発明
の半導体製造装置のタイプのものである。図６に示すよ
うに、本発明の半導体製造装置のタイプのトレーの変位
量は、０．２ｍｍ以下に抑えられている。この結果、ト
レー変位が小さくなるので、膜厚分布のトレーによるば
らつきが少なくなる。以上説明したように、本第１の実
施形態によれば、スライドレール３２を用いることでト
レー高さ精度を０．２ｍｍ以内に維持することができ
る。これによりウェハー７上の成膜分布のばらつきが従
来の半導体製造装置を用いた場合には、図６に示すよう
に１０％程度であったが、本実施形態の半導体製造装置
を用いた場合には３％以下となり、膜厚分布の均一性が
著しく改善されるという利点がある。また、スライドレ
ール３２がトラック形状のため、トレー６及びガイドホ
ルダ３３の重量をチェーン３で受ける必要がなくなる。
これにより、チェーン３の伸び、スプロケット１の磨耗
が減少し、搬送機構の寿命が大幅に伸びるという利点が
ある。FIG. 6 is a diagram showing the accuracy of the tray holder. The horizontal axis is the tray number (29 trays), and the vertical axis is the displacement (mm) of the tray. The circles in the figure are of the type of conventional semiconductor manufacturing equipment, and the circles are of the type of semiconductor manufacturing equipment of the present invention. As shown in FIG. 6, the displacement amount of the tray of the type of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is suppressed to 0.2 mm or less. As a result, the tray displacement is reduced, and the variation in the film thickness distribution due to the tray is reduced. As described above, according to the first embodiment, by using the slide rail 32, the tray height accuracy can be maintained within 0.2 mm. As a result, the variation in the film formation distribution on the wafer 7 was about 10% when the conventional semiconductor manufacturing apparatus was used, as shown in FIG. 6, but when the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment was used. Is 3% or less, and there is an advantage that the uniformity of the film thickness distribution is significantly improved. Further, since the slide rail 32 has a track shape, it is not necessary for the chain 3 to receive the weight of the tray 6 and the guide holder 33.
As a result, there is an advantage that the elongation of the chain 3 and the wear of the sprocket 1 are reduced, and the life of the transport mechanism is significantly extended.
【００１４】第２の実施形態 図７は、本発明の第２の実施形態の半導体製造装置の構
成図であり、図８は、図７中のＧ−Ｇ断面図である。図
７に示すように、本第２の実施形態の半導体製造装置に
は、左右に２つのスプロケット１が配設されている。ス
プロケット１には、チェーン３が噛み合わさり、垂直な
方向にトラックを形成している。片方（例えば、右側）
のスプロケット１の軸は、図示しないがモータに固定さ
れている。チェーン３の直線部の奥には反応室１０が配
設されている。反応室１０内には、ガス吹出しヘッド９
が所定の高さに配設されており、下を通過するウェハー
７に対して、一定の高さからガスを噴射する構成になっ
ている。反応室１０の下方には、ウェハ−７を加熱する
ための図示しないヒータが設けられている。チェーン３
の半円部の反応室１０の入口には、図示しないがウェハ
ー７を搬送するベルト搬送と、ウェハチャック機構をも
つローダを有し、ベルト搬送により搬送されたきたウェ
ハー７をトレー６に載置するための手段と、チェーン３
の半円部の反応室１０の出口には、バキュームチャック
機構をもつアンローダを有し、反応室１０から出てきた
ウェハー７を取り出すための手段が配設されている。チ
ェーン３に対して奥の方向には、垂直な方向にトラック
形状のスライドレール（例えば、ＡＳＫ社製）３２が配
設されている。図８に示すように、スライドレール３２
は、トラック形状の筐体４１にネジにより固定されてい
る。 Second Embodiment FIG. 7 is a block diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a sectional view taken along line GG in FIG. As shown in FIG. 7, in the semiconductor manufacturing apparatus of the second embodiment, two sprockets 1 are arranged on the left and right. A chain 3 is meshed with the sprocket 1 to form a track in a vertical direction. One (eg right side)
The shaft of the sprocket 1 is fixed to a motor (not shown). A reaction chamber 10 is arranged behind the straight portion of the chain 3. A gas blowing head 9 is provided in the reaction chamber 10.
Are arranged at a predetermined height, and the gas is jetted from a certain height to the wafer 7 passing therebelow. A heater (not shown) for heating the wafer 7 is provided below the reaction chamber 10. Chain 3
At the entrance of the reaction chamber 10 in the semi-circle part, a belt transfer for transferring the wafer 7 and a loader having a wafer chuck mechanism (not shown) are provided, and the wafer 7 transferred by the belt transfer is placed on the tray 6. Means for doing, and chain 3
At the exit of the reaction chamber 10 in the semicircle part, an unloader having a vacuum chuck mechanism is provided, and means for taking out the wafer 7 coming out of the reaction chamber 10 is provided. A track-shaped slide rail (for example, manufactured by ASK) 32 is arranged in a direction perpendicular to the inner side of the chain 3. As shown in FIG. 8, the slide rail 32
Are fixed to the track-shaped casing 41 with screws.
【００１５】筐体４１の上下の直線部は、角パイプ、左
右の半円部は、半円パイプにより構成されている。下方
の直線部の角パイプは、床に支持されている。上方の直
線部は、２つの角パイプを溶接などにより接続して２重
構造としている。上方と下方の角パイプの図７中のＣ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ部には、溶接によりメクラが固定され、角パ
イプが密封構造となっている。そして、このメクラに左
右の半円パイプが溶接により固定されている。また、図
７中のＣ部のメクラの奥の上方には、冷却水４２を供給
するための入口ポート、Ｄ部のメクラの奥の上方には、
冷却水４２を排水するための出口ポートが設けられてい
る。The upper and lower straight portions of the casing 41 are square pipes, and the left and right semicircular portions are semicircular pipes. The lower straight pipe is supported by the floor. The upper straight portion has a double structure by connecting two square pipes by welding or the like. C of upper and lower square pipes in FIG. 7,
The blinds are fixed to the D, E, and F parts by welding, and the square pipes have a sealed structure. Then, the left and right semicircular pipes are fixed to the blind by welding. In addition, an inlet port for supplying the cooling water 42 is provided above the back of the blind in the portion C in FIG. 7, and above the back of the blind in the portion D in the portion D.
An outlet port for draining the cooling water 42 is provided.
【００１６】スライドレール３２の上下は、Ｖ型に尖っ
ており、この上下のＶ字型に尖った部分にそれぞれＶ字
型の溝（例えば、深さ４．６ｍｍ、幅３．２ｍｍ）の切
れ込みのあるベアリング（例えば、半径が２５ｍｍの高
炭素クロム軸受鋼）３５が配設されている。上下、左右
に配設された４個のベアリング３５は、スタッド軸３４
によりガイドホルダ３３に固定（例えば、６角ナットに
より）されている。トレー（例えば、横４７０ｍｍ，縦
１５８ｍｍ、厚み６ｍｍ）６は、クランプ２１によりト
レーステージ２２に固定されている。トレーステージ２
２は、垂直な方向に配設されたガイドホルダ３３に固定
されている。ガイドホルダ３３は、リンク（例えば、Ｓ
ＵＳ３０４）３１に設けられた長穴にカムフォロアを通
して固定してある。リンク３１は、チェーン３に溶接な
どにより固定されている。The upper and lower sides of the slide rail 32 are V-shaped, and V-shaped grooves (for example, depth 4.6 mm, width 3.2 mm) are formed in the upper and lower V-shaped points, respectively. A bearing 35 (for example, high carbon chrome bearing steel having a radius of 25 mm) 35 is provided. The four bearings 35 arranged on the upper and lower sides and the left and right sides are
Is fixed to the guide holder 33 (for example, by a hexagonal nut). The tray (for example, horizontal 470 mm, vertical 158 mm, thickness 6 mm) 6 is fixed to the tray stage 22 by a clamp 21. Tray stage 2
2 is fixed to a guide holder 33 arranged in a vertical direction. The guide holder 33 has a link (for example, S
It is fixed by passing a cam follower through an elongated hole provided in US304) 31. The link 31 is fixed to the chain 3 by welding or the like.
【００１７】以下、図７の半導体製造装置の動作の説明
をする。メクラに設けた入口ポートから一定の量の冷却
水４２を注入する。注入された冷却水４２は、反対のメ
クラに設けた出口ポートから外部に排水される。筐体４
１に供給された冷却水４２により、スライドレール３
２、及びガイドホルダ３３内のベアリング３５を冷却す
る。図示しないモータを一定の速度で回転させて、スプ
ロケット１を回転する。スプロケット１が回転すること
により、チェーン３が回転する。チェーン３には、リン
ク３１によりガイドホルダ３３が固定されているので、
図８に示すようにガイドホルダ３３に固定されたスタッ
ド軸３４を中心としてベアリング３５がスライドレール
３２に沿って回転しながら、トレー６がスライドレール
３２のトラックに沿って搬送される。The operation of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 7 will be described below. A certain amount of cooling water 42 is injected from an inlet port provided in the blind. The injected cooling water 42 is drained to the outside from the outlet port provided in the opposite blind. Case 4
The cooling water 42 supplied to the slide rail 3
2 and the bearing 35 in the guide holder 33 are cooled. A sprocket 1 is rotated by rotating a motor (not shown) at a constant speed. As the sprocket 1 rotates, the chain 3 rotates. Since the guide holder 33 is fixed to the chain 3 by the link 31,
As shown in FIG. 8, while the bearing 35 rotates along the slide rail 32 around the stud shaft 34 fixed to the guide holder 33, the tray 6 is transported along the track of the slide rail 32.
【００１８】一方、反応室１０の入口では、図示しない
がベルト搬送で、ウェハー７をキャリアからローダメカ
ニカルチャックに移し、ウェハチャックでウェハー７を
つかみ、トレー６上に移動する。そして、タイミングを
計り、トレー６上にウェハー７を落とす。トレー６は、
チェーン３が回転することにより、反応室１０内に搬送
される。反応室１０内には、一定の高さに配設されたガ
ス吹出しヘッド９からガスを噴射し、図示しないヒータ
でウェハー７を加熱して、ウェハー７上にＢＰＳＧなど
の膜を成膜する。反応室１０からでてきたトレー６上の
ウェハー７をバキュームチャックでトレー７から吸引し
て持ち上げる。ベルト搬送でウェハー７を移動して、ウ
ェハー７を落としキャリアに収納する。以上説明したよ
うに、本第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同
様の利点がある上に、冷却水４２によりスライドレール
３２、及びガイドホルダ３３内のベアリング３５を冷却
することでベアリング３５内のオイルの劣化、スライド
レール３２の伸びなどを防ぐことができ、搬送機構の寿
命が更に伸びるという利点がある。また、より高温の装
置にも対応することができる。On the other hand, at the entrance of the reaction chamber 10, the wafer 7 is transferred from the carrier to the loader mechanical chuck by belt transfer (not shown), the wafer 7 is gripped by the wafer chuck and moved onto the tray 6. Then, the timing is measured, and the wafer 7 is dropped on the tray 6. Tray 6 is
As the chain 3 rotates, it is transported into the reaction chamber 10. Gas is jetted from the gas blowing head 9 arranged at a constant height into the reaction chamber 10, and the wafer 7 is heated by a heater (not shown) to form a film such as BPSG on the wafer 7. The wafer 7 on the tray 6 coming out of the reaction chamber 10 is sucked and lifted from the tray 7 by a vacuum chuck. The wafer 7 is moved by the belt conveyance, and the wafer 7 is dropped and stored in the carrier. As described above, according to the second embodiment, in addition to the same advantages as the first embodiment, the slide rail 32 and the bearing 35 in the guide holder 33 are cooled by the cooling water 42. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the oil in the bearing 35 and the extension of the slide rail 32, which has the advantage of further extending the life of the transport mechanism. Further, it is possible to deal with a device having a higher temperature.
【００１９】第３の実施形態 図９は、本発明の第３の実施形態の半導体製造装置の構
成図であり、図１０は、図９中のＨ−Ｈ断面図である。
図９に示すように、本第３の実施形態の半導体製造装置
には、左右に２つのスプロケット１が配設されている。
スプロケット１には、チェーン３が噛み合わさり、垂直
な方向にトラックを形成している。片方（例えば、右
側）のスプロケット１の軸は、図示しないがモータに固
定されている。チェーン３の直線部の奥には反応室１０
が配設されている。反応室１０内には、ガス吹出しヘッ
ド９が所定の高さに配設されており、下を通過するウェ
ハー７に対して、一定の高さからガスを噴射する構成に
なっている。反応室１０の下方には、ウェハ−７を加熱
するための図示しないヒータが設けられている。 Third Embodiment FIG. 9 is a block diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a sectional view taken along line HH in FIG.
As shown in FIG. 9, in the semiconductor manufacturing apparatus of the third embodiment, two sprockets 1 are arranged on the left and right.
A chain 3 meshes with the sprocket 1 to form a track in a vertical direction. The shaft of one (for example, the right side) sprocket 1 is fixed to a motor (not shown). The reaction chamber 10 is located at the back of the straight part of the chain 3.
Are arranged. A gas blowing head 9 is disposed at a predetermined height in the reaction chamber 10 and is configured to inject gas from a certain height to the wafer 7 passing therebelow. A heater (not shown) for heating the wafer 7 is provided below the reaction chamber 10.
【００２０】チェーン３の半円部の反応室１０の入口に
は、図示しないがウェハー７を搬送するベルト搬送と、
ウェハチャック機構をもつローダを有し、ベルト搬送に
より搬送されたきたウェハー７をトレー６に載置するた
めの手段と、チェーン３の半円部の反応室１０の出口に
は、バキュームチャックをもつアンローダを有し、反応
室１０から出てきたウェハー７を取り出すための手段が
配設されている。チェーン３に対して奥の方向には、垂
直方向にトラック状を形成するスライドレール（例え
ば、ＡＳＫ社製）３２が配設されている。図９に示すよ
うに、スライドレール３２は、トラック形状の筐体（例
えば、角パイプ）３６にネジにより固定されている。筐
体３６は、上下の直線部は、角パイプ、左右の半円部
は、半円パイプにより構成されている。下方の直線部の
角パイプは、床に支持されている。At the entrance of the reaction chamber 10 in the semicircular portion of the chain 3, a belt (not shown) for carrying the wafer 7 and
A loader having a wafer chuck mechanism is provided, a means for placing the wafer 7 transferred by the belt transfer on the tray 6, and a vacuum chuck at the exit of the reaction chamber 10 in the semicircular portion of the chain 3. Means for unloading the wafer 7 coming out of the reaction chamber 10 are provided. A slide rail (for example, manufactured by ASK) 32 that forms a track shape in the vertical direction is disposed in the direction deeper than the chain 3. As shown in FIG. 9, the slide rail 32 is fixed to a track-shaped casing (for example, a square pipe) 36 with screws. In the case 36, the upper and lower straight portions are formed by square pipes, and the left and right semicircular portions are formed by semicircular pipes. The lower straight pipe is supported by the floor.
【００２１】スライドレール３２の上下は、Ｖ型に尖っ
ており、この上下のＶ字型に尖った部分にそれぞれＶ字
型の溝（例えば、深さ４．６ｍｍ、幅３．２ｍｍ）の切
れ込みのあるベアリング（例えば、半径が２５ｍｍの高
炭素クロム軸受鋼）３５が配設されている。上下、左右
に配設された４個のベアリング３５は、スタッド軸５４
によりボギー５２に固定（例えば、６角ナットにより）
されている。ボギー５２は、ガイドホルダ５１を貫通す
るピン５３（例えば、固定ねじ）により支持され、ピン
５３を中心にして、ボギー５２が回転する（例えば、固
定ねじの切り込み）構造となっている。トレー（例え
ば、横４７０ｍｍ，縦１５８ｍｍ、厚み６ｍｍ）６は、
クランプ２１によりトレーステージ２２に固定されてい
る。トレーステージ２２は、垂直な方向に配設されたガ
イドホルダ３３に固定されている。ガイドホルダ５１
は、リンク（例えば、ＳＵＳ３０４）３１に設けられた
長穴にカムフォロアを通して固定してある。リンク３１
は、チェーン３に溶接などにより固定されている。The upper and lower sides of the slide rail 32 are V-shaped, and V-shaped grooves (for example, depth 4.6 mm, width 3.2 mm) are formed in the upper and lower V-shaped points, respectively. A bearing 35 (for example, high carbon chrome bearing steel having a radius of 25 mm) 35 is provided. The four bearings 35 arranged vertically and horizontally are provided with the stud shaft 54.
Fixed to the bogie 52 by means of eg a hex nut
Have been. The bogie 52 is supported by a pin 53 (for example, a fixing screw) penetrating the guide holder 51, and has a structure in which the bogie 52 rotates about the pin 53 (for example, a fixing screw is cut). The tray (for example, horizontal 470 mm, vertical 158 mm, thickness 6 mm) 6
It is fixed to the tray stage 22 by the clamp 21. The tray stage 22 is fixed to a guide holder 33 arranged in the vertical direction. Guide holder 51
Is fixed by passing a cam follower through an elongated hole provided in a link (for example, SUS304) 31. Link 31
Are fixed to the chain 3 by welding or the like.
【００２２】以下、図９の半導体製造装置の動作の説明
をする。図示しないモータを一定の速度で回転させて、
スプロケット１を回転する。スプロケット１が回転する
ことにより、チェーン３が回転する。チェーン３には、
リンク３１によりガイドホルダ５１が固定されているの
で、図９及び図１０に示すようにガイドホルダ５１に固
定されたピン５３を中心として、スライドレール３２の
曲率に沿ってボギー５２が回転して、上下のベアリング
３５が曲率に従って、スライドレール３２上を回転しな
がら、トレー６が搬送される。これにより、上下のベア
リング３５がスライドレール３２の曲率に従って回転す
ることになり、スライドレール３２とベアリング３５と
の摩擦が抑制されることになる。一方、反応室１０の入
口では、図示しないがベルト搬送で、ウェハー７をキャ
リアからローダメカニカルチャックに移し、ウェハチャ
ックでウェハー７をつかみ、トレー６上に移動する。そ
して、タイミングを計り、トレー６上にウェハー７を落
とす。The operation of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 9 will be described below. Rotate a motor (not shown) at a constant speed,
Rotate sprocket 1. As the sprocket 1 rotates, the chain 3 rotates. Chain 3 has
Since the guide holder 51 is fixed by the link 31, the bogie 52 rotates along the curvature of the slide rail 32 around the pin 53 fixed to the guide holder 51 as shown in FIGS. 9 and 10. The tray 6 is transported while the upper and lower bearings 35 rotate on the slide rail 32 according to the curvature. As a result, the upper and lower bearings 35 rotate according to the curvature of the slide rail 32, and the friction between the slide rail 32 and the bearing 35 is suppressed. On the other hand, at the entrance of the reaction chamber 10, the wafer 7 is transferred from the carrier to the loader mechanical chuck by belt conveyance (not shown), and the wafer 7 is gripped by the wafer chuck and moved onto the tray 6. Then, the timing is measured, and the wafer 7 is dropped on the tray 6.
【００２３】トレー６は、チェーン３が回転することに
より、反応室１０内に搬送される。反応室１０内には、
一定の高さに配設されたガス吹出しヘッド９からガスを
噴射し、図示しないヒータでウェハー７を加熱して、ウ
ェハー７上にＢＰＳＧなどの膜を成膜する。反応室１０
からでてきたトレー６上のウェハー７をバキュームチャ
ックでトレー７から吸引して持ち上げる。ベルト搬送で
ウェハー７を移動して、ウェハー７を落としキャリアに
収納する。以上説明したように、本第３の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様の利点がある上に、ベアリ
ング３５がスライドレール３２の曲率に従って回転する
ので、ベアリング３５とスライドレール３２との摩擦が
トラックの半円部において低減される。そのため、スラ
イドレール３２やベアリング３５の磨耗が抑えられ、搬
送機構の寿命が大幅に伸びるという利点がある。The tray 6 is conveyed into the reaction chamber 10 as the chain 3 rotates. In the reaction chamber 10,
Gas is jetted from the gas blowing head 9 arranged at a constant height, and the wafer 7 is heated by a heater (not shown) to form a film such as BPSG on the wafer 7. Reaction chamber 10
The wafer 7 on the tray 6 that has come out of the above is suctioned and lifted from the tray 7 by a vacuum chuck. The wafer 7 is moved by the belt conveyance, and the wafer 7 is dropped and stored in the carrier. As described above, according to the third embodiment, the bearing 35 has the same advantages as the first embodiment, and the bearing 35 rotates according to the curvature of the slide rail 32. Friction is reduced in the semi-circular portion of the truck. Therefore, there is an advantage that abrasion of the slide rail 32 and the bearing 35 is suppressed and the life of the transport mechanism is significantly extended.
【００２４】第４の実施形態 図１１は、本発明の第４の実施形態の半導体製造装置の
構成図であり、図１２は、図１１中のＩ−Ｉ断面図であ
る。図１１に示すように、本第４の実施形態の半導体製
造装置には、左右に２つのスプロケット１が配設されて
いる。スプロケット１には、チェーン３が噛み合わさ
り、垂直な方向にトラックを形成している。片方（例え
ば、右側）のスプロケット１の軸は、図示しないがモー
タに固定されている。チェーン３の直線部の奥には反応
室１０が配設されている。反応室１０内には、ガス吹出
しヘッド９が所定の高さに配設されており、下を通過す
るウェハー７に対して、一定の高さからガスを噴射する
構成になっている。反応室１０の下方には、ウェハ−７
を加熱するための図示しないヒータが設けられている。 Fourth Embodiment FIG. 11 is a block diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a sectional view taken along line I--I in FIG. As shown in FIG. 11, in the semiconductor manufacturing apparatus of the fourth embodiment, two sprockets 1 are arranged on the left and right. A chain 3 meshes with the sprocket 1 to form a track in a vertical direction. The shaft of one (for example, the right side) sprocket 1 is fixed to a motor (not shown). A reaction chamber 10 is arranged behind the straight portion of the chain 3. A gas blowing head 9 is disposed at a predetermined height in the reaction chamber 10 and is configured to inject gas from a certain height to the wafer 7 passing therebelow. A wafer-7 is provided below the reaction chamber 10.
A heater (not shown) for heating the is provided.
【００２５】チェーン３の半円部の反応室１０の入口に
は、図示しないがウェハー７を搬送するベルト搬送と、
ウェハチャック機構をもつローダを有し、ベルト搬送に
より搬送されたきたウェハー７をトレー６に載置するた
めの手段と、チェーン３の半円部の反応室１０の出口に
は、バキュームチャック機構をもつアンローダを有し、
反応室１０から出てきたウェハー７を取り出すための手
段が配設されている。チェーン３に対して奥の方向に
は、垂直方向にトラック形状のスライドレール（例え
ば、ＡＳＫ社製）３２が配設されている。図１１に示す
ように、スライドレール３２は、トラック形状の筐体３
６にネジにより固定されている。筐体３６は、上下の直
線部が、角パイプ、左右の半円部が、半円パイプにより
構成されている。下方の直線部の角パイプは、床に支持
されている。スライドレール３２の上下は、Ｖ型に尖っ
ており、この上下のＶ字型に尖った部分にそれぞれ同じ
くＶ字型の溝（例えば、深さ４．６ｍｍ、幅３．２ｍ
ｍ）の切れ込みのあるベアリング（例えば、半径が２５
ｍｍの高炭素クロム軸受鋼）３５が配設されている。At the entrance of the reaction chamber 10 in the semicircular portion of the chain 3, a belt transfer for transferring the wafer 7 (not shown),
A loader having a wafer chuck mechanism is provided, and a vacuum chuck mechanism is provided at the outlet of the reaction chamber 10 in the semicircular portion of the chain 3 for placing the wafer 7 transported by the belt transport on the tray 6. Has an unloader with
A means for taking out the wafer 7 coming out of the reaction chamber 10 is provided. A track-shaped slide rail (for example, manufactured by ASK Co.) 32 is arranged vertically in the direction deeper than the chain 3. As shown in FIG. 11, the slide rail 32 includes a track-shaped housing 3
It is fixed to 6 with screws. The casing 36 is composed of upper and lower straight portions, square pipes, and left and right semi-circular portions, semi-circular pipes. The lower straight pipe is supported by the floor. The upper and lower sides of the slide rail 32 are V-shaped, and the upper and lower V-shaped points are also V-shaped grooves (for example, a depth of 4.6 mm and a width of 3.2 m).
m) notched bearing (for example, radius is 25
mm high carbon chrome bearing steel) 35.
【００２６】図１２に示すように、上の固定ベアリング
６３は、スタッド軸６１によりガイドホルダ３３に固定
（例えば、６角ナットにより）されている。下の可動ベ
アリング６４は、ガイドホルダ３３に設けられた縦長の
長穴６６を通して、スタッド軸６２に固定（ガイドホル
ダ３３を隔てたスプロケット１側のスタッド軸６２は、
６角ナット、ガイドホルダ３３を隔てた筐体３６側のス
タッド軸６２は、カラー６５により固定されている）さ
れている。可動ベアリング６４を支持するスタッド軸６
２はガイドホルダ３３を隔てた２つのバネ６７で固定ベ
アリング６３に支持されている。これにより、スタッド
軸６２が長穴６６に沿って上下に移動可能となり、下の
可動ベアリング６４がスライドレール３２に密着する。
トレー（例えば、横４７０ｍｍ，縦１５８ｍｍ、厚み６
ｍｍ）６は、クランプ２１によりトレーステージ２２に
固定されている。トレーステージ２２は、直角方向に配
設されたガイドホルダ３３に固定されている。ガイドホ
ルダ３３は、リンク（例えば、ＳＵＳ３０４）３１に設
けられた長穴にカムフォロアを通して固定してある。As shown in FIG. 12, the upper fixed bearing 63 is fixed to the guide holder 33 by the stud shaft 61 (for example, by a hexagonal nut). The lower movable bearing 64 is fixed to the stud shaft 62 through a vertically elongated slot 66 provided in the guide holder 33 (the stud shaft 62 on the sprocket 1 side that separates the guide holder 33 is
The stud shaft 62 on the housing 36 side, which is separated from the hexagon nut and the guide holder 33, is fixed by a collar 65). Stud shaft 6 supporting the movable bearing 64
2 is supported by a fixed bearing 63 by two springs 67 that separate the guide holder 33. As a result, the stud shaft 62 can move up and down along the elongated hole 66, and the lower movable bearing 64 comes into close contact with the slide rail 32.
Tray (for example, width 470 mm, length 158 mm, thickness 6)
mm) 6 is fixed to the tray stage 22 by the clamp 21. The tray stage 22 is fixed to a guide holder 33 arranged in a right angle direction. The guide holder 33 is fixed by passing a cam follower through an elongated hole provided in the link (for example, SUS304) 31.
【００２７】以下、図１１の半導体製造装置の動作の説
明をする。図１２に示すように、スタッド軸６２は２つ
のバネ６７により引っ張られ長穴６６に沿って上下に移
動して、可動ベアリング６４は、スライドレール３２に
密着する。図示しないモータを一定の速度で回転させ
て、スプロケット１を回転する。スプロケット１が回転
することにより、チェーン３が回転する。チェーン３に
は、リンク３１によりガイドホルダ３３が固定されてい
るので、図１２に示すようにガイドホルダ３３に固定さ
れたスタッド軸６１を中心として固定ベアリング６３が
スライドレール３２上を回転し、可動ベアリング６４
は、バネ６７による引っ張りによりスライドレール３２
上を回転しながら、トレー６がスライドレール３２のト
ラックに沿って搬送される。一方、反応室１０の入口で
は、図示しないがベルト搬送で、ウェハー７をキャリア
からローダメカニカルチャックに移し、ウェハチャック
でウェハー７をつかみ、トレー６上に移動する。そし
て、タイミングを計り、トレー６上にウェハー７を落と
す。The operation of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 11 will be described below. As shown in FIG. 12, the stud shaft 62 is pulled by the two springs 67 and moves up and down along the elongated hole 66, and the movable bearing 64 comes into close contact with the slide rail 32. A sprocket 1 is rotated by rotating a motor (not shown) at a constant speed. As the sprocket 1 rotates, the chain 3 rotates. Since the guide holder 33 is fixed to the chain 3 by the link 31, the fixed bearing 63 rotates on the slide rail 32 around the stud shaft 61 fixed to the guide holder 33 as shown in FIG. Bearing 64
Is pulled by the spring 67 so that the slide rail 32
The tray 6 is conveyed along the track of the slide rail 32 while rotating upward. On the other hand, at the entrance of the reaction chamber 10, the wafer 7 is transferred from the carrier to the loader mechanical chuck by belt conveyance (not shown), the wafer 7 is gripped by the wafer chuck and moved onto the tray 6. Then, the timing is measured, and the wafer 7 is dropped on the tray 6.
【００２８】トレー６は、チェーン３が回転することに
より、反応室１０内に搬送される。反応室１０内には、
一定の高さに配設されたガス吹出しヘッド９からガスを
噴射し、図示しないヒータでウェハー７を加熱して、ウ
ェハー７上にＢＰＳＧなどの膜を成膜する。反応室１０
からでてきたトレー６上のウェハー７をバキュームチャ
ックでトレー７から吸引して持ち上げる。ベルト搬送で
ウェハー７を移動して、ウェハー７を落としキャリアに
収納する。以上説明したように、本第４の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様の利点がある上に、バネ６
７により可動ベアリング６４を支持しているので、小型
でも大型でもどんな高さのスライドレール３２であって
も適用可能となる。なお、本発明は、上記実施形態に限
定されず種々の変形が可能である。その変形例として
は、例えば次のようなものがある。The tray 6 is conveyed into the reaction chamber 10 as the chain 3 rotates. In the reaction chamber 10,
Gas is jetted from the gas blowing head 9 arranged at a constant height, and the wafer 7 is heated by a heater (not shown) to form a film such as BPSG on the wafer 7. Reaction chamber 10
The wafer 7 on the tray 6 that has come out of the above is suctioned and lifted from the tray 7 by a vacuum chuck. The wafer 7 is moved by the belt conveyance, and the wafer 7 is dropped and stored in the carrier. As described above, according to the fourth embodiment, in addition to the same advantages as the first embodiment, the spring 6
Since the movable bearing 64 is supported by 7, it can be applied to the slide rail 32 of any height, whether small or large. Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, there are the following modifications.
【００２９】（１） スライドレール３２はＶ型のもの
を使用したが、ベアリング３５がスライドレール３２を
回転できる構造であればよい。 （２） ベアリング３５は、スライドレール３２の片面
（例えば、図１中の上の直線部の上部）にのみ設けても
よい。 （３） ベアリング３５が回転するスライドレール３２
のＶ型の面を上下（図１中の直線部において）に設けた
が、前後（図１中の直線部において）に設け、ガイドホ
ルダ５３を水平な方向に配設して、ガイドホルダ３３の
側面にリンク３１を繋ぎ、ガイドホルダ３３の上にトレ
ーステージを固定してもよい。 （４） 第２の実施形態の筐体は、２重構造でなくても
１重でもよい。(1) Although the V-shaped slide rail 32 is used, any structure may be used as long as the bearing 35 can rotate the slide rail 32. (2) The bearing 35 may be provided only on one surface of the slide rail 32 (for example, on the upper straight line portion in FIG. 1). (3) Slide rail 32 on which the bearing 35 rotates
Although the V-shaped surfaces of the guide holder 53 are provided above and below (in the straight line portion in FIG. 1), they are provided in the front and rear (in the straight line portion in FIG. 1), and the guide holder 53 is arranged in the horizontal direction. The tray 31 may be fixed on the guide holder 33 by connecting the link 31 to the side surface of the tray holder. (4) The housing of the second embodiment does not have to have a double structure and may have a single structure.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１〜第４
の発明によれば、トラック形状のスライドレールにベア
リングによる回転によりトレーを搬送するので、スライ
ドレールが磨耗することがなく、トレーを水平に維持し
た状態でウェハー上に成膜することができるので、膜厚
分布の均一性が著しく改善される。As described in detail above, the first to fourth embodiments
According to the invention, since the tray is conveyed to the track-shaped slide rail by the rotation by the bearing, the slide rail is not worn, and it is possible to form a film on the wafer while keeping the tray horizontal. The uniformity of the film thickness distribution is significantly improved.
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体製造装置の構
成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】従来の半導体製造装置の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
【図３】図２中のＡ−Ａ断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA in FIG. 2;
【図４】トレー変位と膜厚分布の相関を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a correlation between tray displacement and film thickness distribution.
【図５】図１中のＢ−Ｂ断面図である。5 is a sectional view taken along line BB in FIG.
【図６】トレーホルダ精度を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing tray holder accuracy.
【図７】本発明の第２の実施形態の半導体製造装置の構
成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図８】図７中のＧ−Ｇ断面図である。8 is a sectional view taken along line GG in FIG.
【図９】本発明の第３の実施形態の半導体製造装置の構
成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図１０】図９中のＨ−Ｈ断面図である。10 is a sectional view taken along line HH in FIG.
【図１１】本発明の第４の実施形態の半導体製造装置の
構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１２】図１１中のＩ−Ｉ断面図である。12 is a cross-sectional view taken along line I-I in FIG.
１ スプロケット ３ チェーン ６ トレー ７ ウェハー ９ ガス吹出しヘッド ３１ リンク ３２ スライドレール ３３，５１ ガイドホルダ ３４，６１，６２，５４ スタッド軸 ３５ ベアリング ３６，４１ 筐体 ４２ 冷却水 ５２ ボギー ５３ ピン ６３ 固定ベアリング ６４ 可動ベアリング ６６ 長穴 ６７ バネ 1 sprocket 3 chain 6 tray 7 wafer 9 gas blowing head 31 link 32 slide rail 33,51 guide holder 34, 61, 62, 54 stud shaft 35 bearing 36, 41 housing 42 cooling water 52 bogie 53 pin 63 fixed bearing 64 movable Bearing 66 Slot 67 Spring
Claims (4)
が水平な直線をなし、垂直な方向に１周するスライドレ
ールと、 前記スライドレールを支持する筐体と、 前記スライドレールに隣接して配設され、無限軌道を描
いて一定の速度で回転する伝動手段と、 前記伝動手段の複数の所定の部位にリンクにより繋がれ
前記伝動手段の前記無限軌道に沿って搬送される複数の
ガイドホルダと、 前記各ガイドホルダに固定された軸を中心に前記スライ
ドレール上を回転するベアリングと、 前記各ガイドホルダと一体的に搬送されウェハーを載置
するトレーと、 前記トレーに載置された前記ウェハーの上方の所定の位
置に配設され、前記ウェハーの表面にガスを供給するガ
ス吹出しヘッドと、 前記トレーに前記ウェハーを載置する手段と、 前記トレーに載置された前記ウェハーを取り出す手段と
を、 備えたことを特徴とする半導体製造装置。1. A slide rail having at least one of an upper side and a lower side forming a horizontal straight line, which makes one turn in a vertical direction, a casing for supporting the slide rail, and an adjacent to the slide rail. And a transmission means that draws an endless track and rotates at a constant speed, and a plurality of guide holders that are connected to a plurality of predetermined parts of the transmission means by links and are conveyed along the endless track of the transmission means, Bearings that rotate on the slide rails around axes fixed to the guide holders, trays that are integrally transported with the guide holders and place the wafers, and wafers that are placed on the trays. A gas blowing head which is arranged at a predetermined position above and supplies gas to the surface of the wafer; a means for placing the wafer on the tray; The semiconductor manufacturing apparatus characterized by a means for removing the placed the wafer, provided with a.
が水平な直線をなし、垂直な方向に１周するスライドレ
ールと、 前記スライドレールを支持する筐体と、 前記スライドレールに隣接して配設され、無限軌道を描
いて一定の速度で回転する伝動手段と、 前記伝動手段の複数の所定の部位にリンクにより繋がれ
前記伝動手段の前記無限軌道に沿って搬送される複数の
ガイドホルダと、 前記各ガイドホルダに固定された第１の軸を中心に回転
するボギーと、 前記ホギーに固定された第２の軸を中心に前記スライド
レール上を回転するベアリングと、 前記各ガイドホルダと一体的に搬送されウェハーを載置
するトレーと、 前記トレーに載置された前記ウェハーの上方の所定の位
置に配設され、前記ウェハーの表面にガスを供給するガ
ス吹出しヘッドと、 前記トレーに前記ウェハーを載置する手段と、 前記トレーに載置された前記ウェハーを取り出す手段と
を、 備えたことを特徴とする半導体製造装置。2. A slide rail having at least one of an upper side and a lower side forming a horizontal straight line, which makes one turn in a vertical direction, a casing for supporting the slide rail, and an adjacent to the slide rail. And a transmission means that draws an endless track and rotates at a constant speed, and a plurality of guide holders that are connected to a plurality of predetermined parts of the transmission means by links and are conveyed along the endless track of the transmission means, A bogie that rotates around a first shaft fixed to each of the guide holders, a bearing that rotates on the slide rail around a second shaft that is fixed to the hoggy, and an integral body of each of the guide holders. A tray on which a wafer is placed and placed on the tray, and a gas blower which is arranged at a predetermined position above the wafer placed on the tray and supplies a gas to the surface of the wafer Head and, means for mounting the wafer on the tray, and means for removing said wafer placed on the tray, a semiconductor manufacturing apparatus characterized by comprising.
が水平な直線をなし、垂直な方向に１周するスライドレ
ールと、 前記スライドレールを支持する筐体と、 前記スライドレールに隣接して配設され、無限軌道を描
いて一定の速度で回転する伝動手段と、 前記伝動手段の複数の所定の部位にリンクにより繋がれ
前記伝動手段の前記無限軌道に沿って搬送される複数の
ガイドホルダと、 前記各ガイドホルダに固定された第１の軸を中心に前記
スライドレール上を回転する第１のベアリングと、 前記各ガイドホルダに設けた長穴に貫通する第２の軸を
中心に前記第１のベアリングが回転する面と反対側の面
のスライドレール上を回転する第２のベアリングと、 前記第１の軸と前記第２の軸とを繋ぐばねと、 前記各ガイドホルダと一体的に搬送されウェハーを載置
するトレーと、 前記トレーに載置された前記ウェハーの上方の所定の位
置に配設され、前記ウェハーの表面にガスを供給するガ
ス吹出しヘッドと、 前記トレーにウェハーを載置する手段と、 前記トレーに載置された前記ウェハーを取り出す手段と
を、 備えたことを特徴とする半導体製造装置。3. A slide rail having at least one of an upper side and a lower side forming a horizontal straight line, which makes one turn in a vertical direction, a casing for supporting the slide rail, and an adjacent to the slide rail. And a transmission means that draws an endless track and rotates at a constant speed, and a plurality of guide holders that are connected to a plurality of predetermined parts of the transmission means by links and are conveyed along the endless track of the transmission means, A first bearing that rotates on the slide rail around a first shaft fixed to each of the guide holders, and a first shaft centered around a second shaft that penetrates an elongated hole provided in each of the guide holders. Second bearing that rotates on the slide rail on the surface opposite to the surface on which the bearing rotates, a spring that connects the first shaft and the second shaft, and the guide holder that is integrally carried. A tray on which the wafer is placed, a gas blowing head which is arranged at a predetermined position above the wafer placed on the tray and supplies gas to the surface of the wafer, and the wafer is placed on the tray. And a means for taking out the wafer placed on the tray.
供給する入口ポートと該液体を排出する出口ポートとを
有する密閉構造とした、 ことを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体製造
装置。4. The slide rail is fixed in close contact with the casing, and the upper casing is hollow and has an inlet port for supplying a liquid for cooling the slide rail and the liquid for discharging the liquid. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein a closed structure having an outlet port for
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835202B1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | 세메스 주식회사 | Apparatus for transferring a substrate |
| JP4466976B1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-05-26 | 上野精機株式会社 | Classification device |
| KR101335116B1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-12-03 | 주식회사 테스 | Deposition apparatus |
| KR101345997B1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-31 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101358641B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-10 | 주식회사 테스 | Thin film deposition method |
| KR101361478B1 (en) * | 2012-06-01 | 2014-02-13 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101367116B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-27 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101372275B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-03-10 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101372310B1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-03-14 | (주)씨엔원 | Ald equipment for roll to roll type and ald method |
| KR101385445B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-04-15 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101385446B1 (en) * | 2012-06-12 | 2014-04-15 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101394184B1 (en) * | 2012-06-20 | 2014-05-14 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101407436B1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-06-19 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus and thin film deposition method |
| KR101421416B1 (en) * | 2012-06-18 | 2014-07-22 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101450573B1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-10-15 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP14928596A patent/JP3390601B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835202B1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | 세메스 주식회사 | Apparatus for transferring a substrate |
| JP4466976B1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-05-26 | 上野精機株式会社 | Classification device |
| KR101335116B1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-12-03 | 주식회사 테스 | Deposition apparatus |
| KR101361478B1 (en) * | 2012-06-01 | 2014-02-13 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101367116B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-27 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101358641B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-10 | 주식회사 테스 | Thin film deposition method |
| KR101345997B1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-31 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101372275B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-03-10 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101385445B1 (en) * | 2012-06-04 | 2014-04-15 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101385446B1 (en) * | 2012-06-12 | 2014-04-15 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101421416B1 (en) * | 2012-06-18 | 2014-07-22 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101394184B1 (en) * | 2012-06-20 | 2014-05-14 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101372310B1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-03-14 | (주)씨엔원 | Ald equipment for roll to roll type and ald method |
| KR101450573B1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-10-15 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus |
| KR101407436B1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-06-19 | 주식회사 테스 | Thin film deposition apparatus and thin film deposition method |
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