JPH09326709A - 固体化短波送信機 - Google Patents

固体化短波送信機

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JPH09326709A
JPH09326709A JP14307396A JP14307396A JPH09326709A JP H09326709 A JPH09326709 A JP H09326709A JP 14307396 A JP14307396 A JP 14307396A JP 14307396 A JP14307396 A JP 14307396A JP H09326709 A JPH09326709 A JP H09326709A
Authority
JP
Japan
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circuit
solid
capacitor
antenna
lightning surge
Prior art date
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Pending
Application number
JP14307396A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Kawamura
繁 川村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体化短波送信機の出力に低域通過制限特性
を示す回路を組み込むことによって、雷サージを低減で
き、電力増幅部の半導体素子を保護することにある。 【解決手段】 短波送信機は、変調器61、周波数変換
器62、励振増幅器63、分配器64、電力増幅器6
5,66、合成器67、同調整合回路68、雷サージ吸
収回路69、及びアンテナ70、により構成され、電力
増幅器65,66に半導体が使用されている。上記同調
整合回路68は、コンデンサC1,C2,C3、及び可
変コイルL1,L2よりなり、この出力に高耐圧、大容
量のコンデンサC4を直列に挿入して低域通過制限回路
を組み込み、アンテナからの低域雷サージを阻止し、電
力増幅部の半導体の保護をする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体化短波送信
機、特にアンテナからの雷サージを低減する固体化短波
送信機に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に雷サージは、8〜10KHz付
近に最大エネルギーがあると言われているため、その成
分の周波数が電力増幅部の固体化素子に印可することを
低減できれば如何なる回路でも良いことになる。従っ
て、高域フィルタ(HPF)を挿入すれば雷サージは低
減できる。
【0003】しかし、短波送信機の同調整合回路は、ア
ンテナインピーダンスとの整合及び高周波除去の2つの
目的が必要である。短波帯では高周波の低減に主眼を置
くため、回路には低域フィルタ(LPF)タイプの同調
整合回路を使うのが通常であり、低周波の雷サージに対
してはスルーで電力増幅部にサージが印可される。同調
整合回路に使っている部品については耐圧を上げれば良
いが、電力増幅部に使っている半導体素子は、普及して
いる素子の耐圧に限界が有り、かつ全て耐圧は低いもの
である。
【0004】従って、短波体の固体化送信機において
は、必要十分な雷サージからの保護対策が必要である。
【0005】図6は、最近の固体化短波送信機で、SS
B、DSB波の直線増幅送信機の一般的な系統図を示
す。変調器61は音声信号をSSB波、DSB波に変換
するものであり、次の周波数変換器62において発射周
波数に変換する。励振増幅器63は電力増幅器65,6
6に必要なレベルまで増幅する前置増幅器であり、増幅
出力を分配器64によって各電力増幅器へ信号分配す
る。各電力増幅器65,66によって必要なレベルまで
増幅し、合成器67によって各電力増幅器65,66の
電力を合成する。次の同調整合回路68においてアンテ
ナ70との整合及び高周波を除去をしてアンテナ70に
供給する。雷サージ吸収回路69はアンテナ70からの
雷サージを吸収する電圧クリッパーである。
【0006】図7は、従来、一般的に同調整合回路に使
われるダブルパイ型同調回路の構成図で、C1,C2,C
3は固定コンデンサ、L1及びL2は可変コイル、L3はド
レンコイルである。なおC1,C2,C3は周波数バンド
によって切替スイッチにより固定定数を切替えるのが普
通である。
【0007】図8はダブルパイ型同調回路の伝送特性
で、低域部分は通過領域となっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来、中電力以上(数
kW)の真空管式短波送信機の場合は、電力増幅部6
5,66に真空管を使っていたため、使用電圧が高く
(数kV)、比較的雷サージに対しては電圧的な強さを
持っていた。従って、アンテナからの雷サージ対策には
送信機出力にドレンコイルを挿入する程度で問題はなか
った。
【0009】しかし、固体化短波送信機は、電力増幅部
65,66に使っている半導体の制約から使用電圧も低
く(数10V)、かつ半導体も高耐圧のものは普及して
いないから、従って、従来の真空管式と同じサージ対策
方法では不十分である。
【0010】上記図6に示したように最近の固体化短波
送信機には、雷サージ吸収回路69などを付加するのが
一般的であるが、この回路には半導体による直流重畳方
式の電圧クリッパー回路が多い。この回路方式では、半
導体を使用しているため雷サージの大きさによって焼損
する可能性があり、雷サージ対策としてまだ不十分であ
る。
【0011】また短波送信機に使われている同調整合回
路68には、一般的に図7に示すダブルパイ型同調整合
回路が使われているが、この特性は図8に示すように低
域通過特性(低域フィルタと同等)を示し、アンテナか
らの低域雷サージに対しては何等減衰しない。
【0012】本発明の目的は、この固体化短波送信機の
出力に低域通過制限特性を示す回路を組み込むことによ
って、雷サージを十分に低減でき、電力増幅部の半導体
素子を保護することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、固体化短
波送信機の電力増幅部による増幅送信電力をアンテナと
の整合及び高周波除去してアンテナに供給する同調整合
回路の出力に直列に高耐圧、大容量のコンデンサを挿入
した低域通過制限回路を組み込んだことによって達成さ
れる。
【0014】また上記の目的は、上記コンデンサに、フ
ィルム状誘電体を2枚の電極で挟んだフィルムコンデン
サを用いることによって達成される。
【0015】上記の手段を用いれば、同調整合回路は低
域通過制限回路の組み込みによって低域及び高域部分が
減衰特性の狭帯域同調整合回路となり、この伝送特性に
よりアンテナからの低域雷サージを阻止でき、電力増幅
部の半導体を保護できる。
【0016】また、上記コンデンサにフィルムコンデン
サを使用することによって、高耐圧、大容量のものが容
易に得られ、雷サージに対応したものが容易に得られ
る。また、この同調整合回路の出力に直列に挿入したフ
ィルムコンデンサは、雷サージ等でフィルム誘電体が貫
通スパークしても、両電極が導通するだけで、送信機は
そのまま運用できる特性がある。
【0017】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面に
より説明する。
【0018】図1は、本発明の一実施形態の構造を示
し、ダブルパイ型同調整合回路の出力に直列コンデンサ
C4を追加したものである。コンデンサC4とドレイン
コイルL3で低域通過制限回路(HPF)を形成してい
る。
【0019】この低域通過制限回路を組み込んだことに
よってコンデンサC4の存在によりアンテナ側から見た
インピーダンスは、低域において高くなり低域通過制限
になる。その伝送特性は、図5に示すように低域及び高
域部分が減衰特性の狭帯域同調整合回路となる。この伝
送特性によってアンテナからの低域雷サージを阻止する
ことができる。
【0020】このように低域通過制限回路を組み込んだ
狭帯域同調整合回路によれば、コンデンサC4により低
域の阻止という問題は解決されるが、さらに使うコンデ
ンサに問題がある。すなわち、市販されている高周波用
コンデンサは、ほとんどが小容量であり、短波帯の発射
周波数でリアクタンスを持ちVSWR悪化の要因にな
る。また、耐電圧も雷サージに対応するため高耐圧のも
のが必要である。このように高耐圧で大容量でかつ高周
波用のコンデンサは入手困難である。
【0021】このため、図3,4に示す本発明のフィル
ムコンデンサを利用する。図3は平面外形図、図4は側
面外形図で、フィルム状誘電体31を電極32で挟んだ
ものであり、大きさは任意に作れる。
【0022】図5に示すように、円筒状(空洞でよい)
の導体(内電極)52にフィルム状誘電体51を巻き付
け、更に外側を導体(外電極)53で締め付ける。この
構成によれば、形状が大きくならず容易に構成でき、か
つ高耐圧、低コストで製作可能である。
【0023】なお、フィルムコンデンサの耐圧を上げる
には、誘電体フィルム51の厚さを厚くすれば良いが、
誘電体を厚くすれば静電容量が減る。そこで、全体の面
積を大きくすれば容量は大きくなるため、面積を広げる
ことによって容量の減少をカバーし、任意の容量を得る
ことが可能となる。フィルムコンデンサの形状は上記の
ように円筒形とすることにより面積を広げても小型に構
成できる。
【0024】以上のようにして製作されたフィルムコン
デンサを低域通過制限に使うことによって、リアクタン
ス及び高耐圧で優れ、たとえ雷サージ等でフィルム誘電
体51が貫通スパークしたとしても、両電極52,53
が導通するだけで送信機としてはそのまま運用可能であ
る。すなわち、低域通過制限のコンデンサが導通(短
絡)状態になっても低域の減衰特性が変わるだけで発射
周波数には何ら関係しない。
【0025】なお、通常の磁器コンデンサでは焼損した
場合、割れて容量が少なくなる方向になるため非常に問
題であり、運用停止に至る。
【0026】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、送信機の
同調整合回路の出力に直列コンデンサを挿入して低域通
過制限回路を組み込んだことによって、アンテナからの
雷サージを十分に低減でき、電力増幅部の半導体素子を
保護することができる。
【0027】また、フィルムコンデンサを使用すること
によって、任意の容量及び高耐圧のものを得ることがで
き、たとえ貫通スパークが発生しても送信機の運用に対
してはフェルセーフになっており、雷サージの低減に非
常に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の狭帯域同調整合回路の構
成図。
【図2】図1の狭帯域同調整合回路の伝送特性図。
【図3】本発明の一実施形態のフィルムコンデンサ平面
外形図。
【図4】図3の側面外形図。
【図5】本発明の一実施形態のフィルムコンデンサ構成
図。
【図6】一般の固体化短波送信機の系統図。
【図7】従来のダブルパイ型同調整合回路の構成図。
【図8】図7のダブルパイ型同調整合回路の伝送特性
図。
【符号の説明】
C1,C2,C3…固定コンデンサ、L1,L2…可変コ
イル、C4…コンデンサ、L3…ドレンコイル、31,
51…フィルム状誘電体、32,52,53…電極、6
1…変調器、62…周波数変換器、63…励振増幅器、
64…分配器、65,66…電力増幅器、67…合成
器、68…同調整合回路、69…雷サージ吸収回路、7
0…アンテナ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電力増幅部に半導体を使用した固体化短
    波送信機において、電力増幅部による増幅送信電力をア
    ンテナとの整合及び高周波除去してアンテナに供給する
    同調整合回路の出力に直列に高耐圧、大容量のコンデン
    サを挿入した低域通過制限回路を組み込んでなることを
    特徴とする固体化短波送信機。
  2. 【請求項2】 上記コンデンサは、フィルム状誘電体を
    2枚の電極で挟んだフィルムコンデンサであることを特
    徴とする請求項1記載の固体化短波送信機。
  3. 【請求項3】 上記フィルムコンデンサは、形状を円筒
    状に形成したものであることを特徴とする請求項2記載
    の固体化短波送信機。
JP14307396A 1996-06-05 1996-06-05 固体化短波送信機 Pending JPH09326709A (ja)

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JP14307396A JPH09326709A (ja) 1996-06-05 1996-06-05 固体化短波送信機

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ID=15330295

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000030272A (ko) * 2000-02-15 2000-06-05 강인호 이동 통신 단말기의 정진폭 추적 증폭기의 이득 개선 방법
JP2011182403A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 改善された高調波特性を有する高周波送信モジュール
JP2014138312A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Murata Mfg Co Ltd 半導体モジュール
US9119268B2 (en) 2013-06-17 2015-08-25 Koninklijke Philips N.V. Driver with isolation and surge signal protection

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JP2014138312A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Murata Mfg Co Ltd 半導体モジュール
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