JPH0931669A - 半導体素子の処理装置 - Google Patents
半導体素子の処理装置Info
- Publication number
- JPH0931669A JPH0931669A JP7201325A JP20132595A JPH0931669A JP H0931669 A JPH0931669 A JP H0931669A JP 7201325 A JP7201325 A JP 7201325A JP 20132595 A JP20132595 A JP 20132595A JP H0931669 A JPH0931669 A JP H0931669A
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- Japan
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- semiconductor element
- etching
- lead frame
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- deburring
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子のメッキの前処理工程を簡単化す
ることにより、設備や作業コストを低下させることがで
きるような処理装置を提供する。 【解決手段】 一部が樹脂モールドで覆われたリードフ
レーム１を保持する保持台２と、この保持台２に対向し
て配置され、保持台２上のリードフレーム１に向けてエ
ッチング液３を噴射する噴射ノズル４とを有し、エッチ
ングと同時に噴射の運動エネルギーによってバリ取りを
行なう。
ることにより、設備や作業コストを低下させることがで
きるような処理装置を提供する。 【解決手段】 一部が樹脂モールドで覆われたリードフ
レーム１を保持する保持台２と、この保持台２に対向し
て配置され、保持台２上のリードフレーム１に向けてエ
ッチング液３を噴射する噴射ノズル４とを有し、エッチ
ングと同時に噴射の運動エネルギーによってバリ取りを
行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子の製
造においてリードフレームをハンダメッキする前処理を
行なう半導体素子の処理装置に関する。
造においてリードフレームをハンダメッキする前処理を
行なう半導体素子の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子の作成工程において
は、リードフレームの上に半導体チップを取り付け、樹
脂をモールディングした後、リードフレームにハンダメ
ッキを行なう。このハンダメッキの工程を図３に示す。
この図に示すように、メッキの前処理は、４２アロイ
材、銅材とも下地の状態として、以下のように行われ
る。 リードフレームの表面または隙間に成型時に付着し
た樹脂バリを除去するバリ取りを行なう。これは、バリ
とリードフレーム金属の密着力に打ち勝つような運動エ
ネルギーを与えて、バリを金属から剥がす工程であり、
高圧ウォータージェットやガラス、セラミックなどのビ
ーズ等を用いたブラスト処理が用いられている。バリ取
り除去の後に、必要に応じて水洗、乾燥を行なう。 表面の油脂分などの汚れを取り除く。これには、酸
またはアルカリによる脱脂処理が用いられる。 表面の酸化膜、表面加工に起因する変質層を除去す
る。これはリードフレーム表面のエッチング処理を行う
ことで達成されている。 上記のバリ取り処理は、単独の装置によって独立して行
われる場合と、めっき装置と一体化した装置によって行
なう場合がある。
は、リードフレームの上に半導体チップを取り付け、樹
脂をモールディングした後、リードフレームにハンダメ
ッキを行なう。このハンダメッキの工程を図３に示す。
この図に示すように、メッキの前処理は、４２アロイ
材、銅材とも下地の状態として、以下のように行われ
る。 リードフレームの表面または隙間に成型時に付着し
た樹脂バリを除去するバリ取りを行なう。これは、バリ
とリードフレーム金属の密着力に打ち勝つような運動エ
ネルギーを与えて、バリを金属から剥がす工程であり、
高圧ウォータージェットやガラス、セラミックなどのビ
ーズ等を用いたブラスト処理が用いられている。バリ取
り除去の後に、必要に応じて水洗、乾燥を行なう。 表面の油脂分などの汚れを取り除く。これには、酸
またはアルカリによる脱脂処理が用いられる。 表面の酸化膜、表面加工に起因する変質層を除去す
る。これはリードフレーム表面のエッチング処理を行う
ことで達成されている。 上記のバリ取り処理は、単独の装置によって独立して行
われる場合と、めっき装置と一体化した装置によって行
なう場合がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の技術においては、バリ取り、脱脂、
エッチングの処理を個別に行っているので、それぞれの
処理自体の設備と時間が必要である。さらに、各処理の
間に水洗や乾燥が必要となることがあり、そのための設
備やスペース及び時間が必要となってコスト上昇を招く
一因となっていた。この発明は、半導体素子のメッキの
前処理工程を簡単化することにより、設備や作業コスト
を低下させることができるような処理装置を提供するこ
とを目的とする。
ような従来の技術においては、バリ取り、脱脂、
エッチングの処理を個別に行っているので、それぞれの
処理自体の設備と時間が必要である。さらに、各処理の
間に水洗や乾燥が必要となることがあり、そのための設
備やスペース及び時間が必要となってコスト上昇を招く
一因となっていた。この発明は、半導体素子のメッキの
前処理工程を簡単化することにより、設備や作業コスト
を低下させることができるような処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、一部が樹脂モールドで覆われたリードフレームを保
持する保持台と、この保持台に対向して配置され、上記
保持台上のリードフレームに向けてエッチング液を噴射
する噴射ノズルとを有し、エッチングと同時に噴射の運
動エネルギーによってバリ取りを行なうことを特徴とす
る半導体素子の処理装置である。これによって、装置及
びその設置スペースを省略でき、また、工程の簡略化と
作業時間の短縮が図れるとともに、バリ取り後の水洗、
乾燥工程が省略できる。
は、一部が樹脂モールドで覆われたリードフレームを保
持する保持台と、この保持台に対向して配置され、上記
保持台上のリードフレームに向けてエッチング液を噴射
する噴射ノズルとを有し、エッチングと同時に噴射の運
動エネルギーによってバリ取りを行なうことを特徴とす
る半導体素子の処理装置である。これによって、装置及
びその設置スペースを省略でき、また、工程の簡略化と
作業時間の短縮が図れるとともに、バリ取り後の水洗、
乾燥工程が省略できる。
【０００５】請求項２に記載の発明は、上記エッチング
液がブラスト粒を含むことを特徴とする請求項１に記載
の半導体素子の処理装置であり、ブラスト粒のエネルギ
ーによりバリ取りが効率良く行われる。請求項３に記載
の発明は、上記噴射ノズルが上記エッチング液を高圧で
噴射させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半
導体素子の処理装置であり、高圧エッチング液のエネル
ギーによりバリ取りが効率良く行われ、粒子添加が不要
なので液の循環も容易である。
液がブラスト粒を含むことを特徴とする請求項１に記載
の半導体素子の処理装置であり、ブラスト粒のエネルギ
ーによりバリ取りが効率良く行われる。請求項３に記載
の発明は、上記噴射ノズルが上記エッチング液を高圧で
噴射させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半
導体素子の処理装置であり、高圧エッチング液のエネル
ギーによりバリ取りが効率良く行われ、粒子添加が不要
なので液の循環も容易である。
【０００６】請求項４に記載の発明は、上記リードフレ
ームと上記噴射ノズルとを相対移動させる移動機構を有
することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
載の半導体素子の処理装置であり、相対移動により複数
の半導体素子の処理を連続的に行なうことができる。請
求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに
記載の半導体素子の処理装置に加え、さらに、上記リー
ドフレームの表面にメッキを施すメッキ槽が設けられて
いることを特徴とする半導体素子のメッキ装置であり、
バリ取りとエッチングを終えた半導体素子を乾燥させる
ことなくメッキ処理を行える。
ームと上記噴射ノズルとを相対移動させる移動機構を有
することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
載の半導体素子の処理装置であり、相対移動により複数
の半導体素子の処理を連続的に行なうことができる。請
求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに
記載の半導体素子の処理装置に加え、さらに、上記リー
ドフレームの表面にメッキを施すメッキ槽が設けられて
いることを特徴とする半導体素子のメッキ装置であり、
バリ取りとエッチングを終えた半導体素子を乾燥させる
ことなくメッキ処理を行える。
【０００７】請求項６に記載の発明は、半導体素子の樹
脂モールドのバリを除去するバリ取り手段と、リードフ
レーム表面のエッチング処理を施すエッチング処理手段
とを具備した半導体素子処理装置において、上記バリ取
り手段とエッチング処理手段とを一括手段としてバリ取
りとエッチングを同時に処理することを特徴とする半導
体素子の処理装置である。請求項７に記載の発明は、請
求項６に記載の半導体素子の処理装置に加え、さらに、
上記リードフレームの表面にメッキを施すメッキ処理手
段を有することを特徴とする半導体素子のメッキ装置で
ある。
脂モールドのバリを除去するバリ取り手段と、リードフ
レーム表面のエッチング処理を施すエッチング処理手段
とを具備した半導体素子処理装置において、上記バリ取
り手段とエッチング処理手段とを一括手段としてバリ取
りとエッチングを同時に処理することを特徴とする半導
体素子の処理装置である。請求項７に記載の発明は、請
求項６に記載の半導体素子の処理装置に加え、さらに、
上記リードフレームの表面にメッキを施すメッキ処理手
段を有することを特徴とする半導体素子のメッキ装置で
ある。
【０００８】請求項８に記載の発明は、半導体素子に向
けてエッチング液を噴射することにより、該半導体素子
のバリ取りとリードフレームのエッチングとを同時に行
うことを特徴とする半導体素子の処理方法である。請求
項９に記載の発明は、同時に半導体素子の脱脂処理を行
なうことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の処
理方法である。
けてエッチング液を噴射することにより、該半導体素子
のバリ取りとリードフレームのエッチングとを同時に行
うことを特徴とする半導体素子の処理方法である。請求
項９に記載の発明は、同時に半導体素子の脱脂処理を行
なうことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の処
理方法である。
【０００９】請求項１０に記載の発明は、請求項８又は
９に記載の方法で半導体素子を処理した後、リードフレ
ームの表面にメッキを施すことを特徴とする半導体素子
のメッキ方法である。請求項１１に記載の発明は、硫
酸、塩酸、硝酸、リン酸、有機酸及びこれらの混合酸か
らなる構成されるグループから選んだ酸を１０〜５００
ｇ／リットルの濃度にした半導体素子の処理液である。
９に記載の方法で半導体素子を処理した後、リードフレ
ームの表面にメッキを施すことを特徴とする半導体素子
のメッキ方法である。請求項１１に記載の発明は、硫
酸、塩酸、硝酸、リン酸、有機酸及びこれらの混合酸か
らなる構成されるグループから選んだ酸を１０〜５００
ｇ／リットルの濃度にした半導体素子の処理液である。
【００１０】請求項１２に記載の発明は、 請求項１１
に記載の処理液に、過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二
鉄、硫酸第二鉄などの酸化剤を１〜２００ｇ／リットル
加えたことを特徴とする半導体素子の処理液である。請
求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の処理液
に、フッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモニウム、ケイ
フッ化 ナトリウム、ホウフッ化ナトリウムなどの可溶
性フッ素化合物を１〜１００ｇ／リットル加えたことを
特徴とする半導体素子の処理液である。
に記載の処理液に、過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二
鉄、硫酸第二鉄などの酸化剤を１〜２００ｇ／リットル
加えたことを特徴とする半導体素子の処理液である。請
求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の処理液
に、フッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモニウム、ケイ
フッ化 ナトリウム、ホウフッ化ナトリウムなどの可溶
性フッ素化合物を１〜１００ｇ／リットル加えたことを
特徴とする半導体素子の処理液である。
【００１１】請求項１４に記載の発明は、請求項１１な
いし１３のいずれかに記載の処理液に、アルキルスルホ
ン酸ナトリウムやポリオキシエチレンアルキルフェノー
ルエーテル等の界面活性剤などの有機物を０．１〜５０
ｇ／リットル添加したことを特徴とする半導体素子の処
理液である。
いし１３のいずれかに記載の処理液に、アルキルスルホ
ン酸ナトリウムやポリオキシエチレンアルキルフェノー
ルエーテル等の界面活性剤などの有機物を０．１〜５０
ｇ／リットル添加したことを特徴とする半導体素子の処
理液である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照してこの
発明を詳しく説明する。図１は、この発明の１つの実施
の形態を示すもので、一部が樹脂モールドで覆われたリ
ードフレーム１を保持する保持台２と、この保持台２の
上方に対向して配置され、保持台２上のリードフレーム
１に向けてエッチング液３を噴射する噴射ノズル４とか
ら概略構成されている。この装置は、メッキ装置の付属
装置としてあるいはメッキ装置の一部として、通常はメ
ッキ装置に近接して設けられている。
発明を詳しく説明する。図１は、この発明の１つの実施
の形態を示すもので、一部が樹脂モールドで覆われたリ
ードフレーム１を保持する保持台２と、この保持台２の
上方に対向して配置され、保持台２上のリードフレーム
１に向けてエッチング液３を噴射する噴射ノズル４とか
ら概略構成されている。この装置は、メッキ装置の付属
装置としてあるいはメッキ装置の一部として、通常はメ
ッキ装置に近接して設けられている。
【００１３】噴射ノズル４は、ジェットノズル部５を有
するノズル本体６と、ノズル本体６の中に導入された空
気管７とを備えており、コンプレッサ（高圧空気源）８
から供給された高圧空気を空気管からジェットノズル部
５の背部に導き、エッチング液と空気の混合対を形成し
て噴射するようになっている。保持台２と噴射ノズル４
は水平方向に相対移動するようになっており、例えば保
持台２がベルトコンベアやチェーンコンベアから構成さ
れている。
するノズル本体６と、ノズル本体６の中に導入された空
気管７とを備えており、コンプレッサ（高圧空気源）８
から供給された高圧空気を空気管からジェットノズル部
５の背部に導き、エッチング液と空気の混合対を形成し
て噴射するようになっている。保持台２と噴射ノズル４
は水平方向に相対移動するようになっており、例えば保
持台２がベルトコンベアやチェーンコンベアから構成さ
れている。
【００１４】エッチング液３は、貯留槽９に貯留されて
おり、ポンプ１０を介して噴射ノズル４に送られる。保
持台２の下側には、噴射されたエッチング液３を回収す
る受皿１１が設けられており、ストレーナを有する配管
１２を通して貯留槽９に戻され、液は循環使用される。
エッチング液３は、以下に説明するような成分の液に、
バリ取りを促進するためにビーズ１３と呼ばれるブラス
ト粒が加えられたものである。このビーズ１３は、ガラ
ス、セラミックス等の耐摩耗性素材からなる所定径の粒
子で、素材、大きさ、形状及び添加量などは処理対象に
応じて適宜選択される。
おり、ポンプ１０を介して噴射ノズル４に送られる。保
持台２の下側には、噴射されたエッチング液３を回収す
る受皿１１が設けられており、ストレーナを有する配管
１２を通して貯留槽９に戻され、液は循環使用される。
エッチング液３は、以下に説明するような成分の液に、
バリ取りを促進するためにビーズ１３と呼ばれるブラス
ト粒が加えられたものである。このビーズ１３は、ガラ
ス、セラミックス等の耐摩耗性素材からなる所定径の粒
子で、素材、大きさ、形状及び添加量などは処理対象に
応じて適宜選択される。
【００１５】エッチング液３は、リードフレーム１表面
の加工変質層や酸化膜を除去する目的で次の処理液構成
が考えられる。 酸…例えば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、有機酸な
ど又はこれらの混酸を１０〜５００ｇ／リットルの濃度
にした処理液 の酸に酸化剤を１〜２００ｇ／リットル加えたも
の。 酸化剤とは過酸化水素、過硫酸塩などの過酸化物、塩化
第二鉄、硫酸第二鉄などである。 に可溶性フッ素化合物を１〜１００ｇ／リットル
加えたもの。 フッ素化合物とはフッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモ
ニウム、ケイフッ化ナトリウム、ホウフッ化ナトリウム
などがある。 〜に界面活性剤などの有機物を０．１〜５０ｇ
／リットル添付したもの。 界面活性剤とはアルキルスルホン酸ナトリウムやポリオ
キシエチレンアルキルフェノールエーテル等である。
の加工変質層や酸化膜を除去する目的で次の処理液構成
が考えられる。 酸…例えば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、有機酸な
ど又はこれらの混酸を１０〜５００ｇ／リットルの濃度
にした処理液 の酸に酸化剤を１〜２００ｇ／リットル加えたも
の。 酸化剤とは過酸化水素、過硫酸塩などの過酸化物、塩化
第二鉄、硫酸第二鉄などである。 に可溶性フッ素化合物を１〜１００ｇ／リットル
加えたもの。 フッ素化合物とはフッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモ
ニウム、ケイフッ化ナトリウム、ホウフッ化ナトリウム
などがある。 〜に界面活性剤などの有機物を０．１〜５０ｇ
／リットル添付したもの。 界面活性剤とはアルキルスルホン酸ナトリウムやポリオ
キシエチレンアルキルフェノールエーテル等である。
【００１６】以下に、上記のような構成の装置の作用を
説明する。本発明は、バリ取り工程時に使用する水の代
わりに上記〜のエッチング液３を使用し、バリ取り
とエッチングを同時に処理しようとするものである。ガ
ラスやセラミックなどのビーズ１３を含むエッチング液
３は、空気管７からのエア圧力で噴射され、リードフレ
ーム１に噴き付けられる。リードフレーム１は、エッチ
ング液３の化学作用で表面の加工変質層や酸化膜の除去
が行われると同時に、エッチング液３及びビーズ１３の
運動エネルギーの作用でバリ取りが行われる。
説明する。本発明は、バリ取り工程時に使用する水の代
わりに上記〜のエッチング液３を使用し、バリ取り
とエッチングを同時に処理しようとするものである。ガ
ラスやセラミックなどのビーズ１３を含むエッチング液
３は、空気管７からのエア圧力で噴射され、リードフレ
ーム１に噴き付けられる。リードフレーム１は、エッチ
ング液３の化学作用で表面の加工変質層や酸化膜の除去
が行われると同時に、エッチング液３及びビーズ１３の
運動エネルギーの作用でバリ取りが行われる。
【００１７】このように、この実施の形態においては、
ブラスト粒として耐摩耗性のある素材からなるビーズ１
３を用いているので、噴射圧力をあまり高くすることな
く、バリ取りが安定して行える。１つの装置ででバリ取
り、脱脂、エッチングを行えるので、設備、スペースが
省略でき、さらに図２に示すように、工程及び、作業時
間を省略することができ、全体として製造コストを低下
させることができる。
ブラスト粒として耐摩耗性のある素材からなるビーズ１
３を用いているので、噴射圧力をあまり高くすることな
く、バリ取りが安定して行える。１つの装置ででバリ取
り、脱脂、エッチングを行えるので、設備、スペースが
省略でき、さらに図２に示すように、工程及び、作業時
間を省略することができ、全体として製造コストを低下
させることができる。
【００１８】なお、上記の実施の形態ではブラスト粒を
用いたが、これを用いずに、エッチング液３に数１００
kgf/cm2を越える運動エネルギーを付与できる、超高圧
ウォータジェットノズルを採用しても良い。
用いたが、これを用いずに、エッチング液３に数１００
kgf/cm2を越える運動エネルギーを付与できる、超高圧
ウォータジェットノズルを採用しても良い。
【００１９】
【発明の効果】この発明によれば、以下のような優れた
効果が得られる。 バリ取り、エッチングを１つの装置で行なうので、
装置及びその設置スペースを省略でき、設備コストを低
下させることができる。 バリ取り、エッチングを同時に行なうので、工程を
省略することができ、工程の簡略化と作業時間の短縮が
図れる。 バリ取り後の水洗、乾燥工程が省略できる。 脱脂処理及びその後の水洗工程が省略できる。
効果が得られる。 バリ取り、エッチングを１つの装置で行なうので、
装置及びその設置スペースを省略でき、設備コストを低
下させることができる。 バリ取り、エッチングを同時に行なうので、工程を
省略することができ、工程の簡略化と作業時間の短縮が
図れる。 バリ取り後の水洗、乾燥工程が省略できる。 脱脂処理及びその後の水洗工程が省略できる。
【図１】この発明の半導体素子の処理装置の一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図２】この発明による半導体素子のハンダメッキ工程
の全体の流れを示すフロー図である。
の全体の流れを示すフロー図である。
【図３】従来の半導体素子のハンダメッキ工程の全体の
流れを示すフロー図である。
流れを示すフロー図である。
１ リードフレーム ２ 保持台 ３ エッチング液 ４ 噴射ノズル １３ ビーズ（ブラスト粒）
Claims (14)
- 【請求項１】 一部が樹脂モールドで覆われたリードフ
レームを保持する保持台と、 この保持台に対向して配置され、上記保持台上のリード
フレームに向けてエッチング液を噴射する噴射ノズルと
を有し、エッチングと同時に噴射の運動エネルギーによ
ってバリ取りを行なうことを特徴とする半導体素子の処
理装置。 - 【請求項２】 上記エッチング液はブラスト粒を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の処理装
置。 - 【請求項３】 上記噴射ノズルは上記エッチング液を高
圧で噴射させることを特徴とする請求項１又は２に記載
の半導体素子の処理装置 - 【請求項４】 上記リードフレームと上記噴射ノズルと
を相対移動させる移動機構を有することを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載の半導体素子の処理装
置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の半
導体素子の処理装置に加え、さらに、上記リードフレー
ムの表面にメッキを施すメッキ槽が設けられていること
を特徴とする半導体素子のメッキ装置。 - 【請求項６】 半導体素子の樹脂モールドのバリを除去
するバリ取り手段と、リードフレーム表面のエッチング
処理を施すエッチング処理手段とを具備した半導体素子
処理装置において、 上記バリ取り手段とエッチング処理手段とを一括手段と
してバリ取りとエッチングを同時に処理することを特徴
とする半導体素子の処理装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の半導体素子の処理装置
に加え、さらに、上記リードフレームの表面にメッキを
施すメッキ処理手段を有することを特徴とする半導体素
子のメッキ装置。 - 【請求項８】 半導体素子に向けてエッチング液を噴射
することにより、該半導体素子のバリ取りとリードフレ
ームのエッチングとを同時に行うことを特徴とする半導
体素子の処理方法。 - 【請求項９】 同時に半導体素子の脱脂処理を行なうこ
とを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の処理方
法。 - 【請求項１０】 請求項８又は９に記載の方法で半導体
素子を処理した後、リードフレームの表面にメッキを施
すことを特徴とする半導体素子のメッキ方法。 - 【請求項１１】 硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、有機酸及
びこれらの混合酸からなる構成されるグループから選ん
だ酸を１０〜５００ｇ／リットルの濃度にした半導体素
子の処理液。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の処理液に、過酸化
水素、過硫酸塩、塩化第二鉄、硫酸第二鉄などの酸化剤
を１〜２００ｇ／リットル加えたことを特徴とする半導
体素子の処理液。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の処理液に、フッ化
ナトリウム、酸性フッ化アンモニウム、ケイフッ化 ナ
トリウム、ホウフッ化ナトリウムなどの可溶性フッ素化
合物を１〜１００ｇ／リットル加えたことを特徴とする
半導体素子の処理液。 - 【請求項１４】 請求項１１ないし１３のいずれかに記
載の処理液に、アルキルスルホン酸ナトリウムやポリオ
キシエチレンアルキルフェノールエーテル等の界面活性
剤などの有機物を０．１〜５０ｇ／リットル添加したこ
とを特徴とする半導体素子の処理液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201325A JPH0931669A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 半導体素子の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201325A JPH0931669A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 半導体素子の処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0931669A true JPH0931669A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16439149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7201325A Pending JPH0931669A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 半導体素子の処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0931669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000507304A (ja) * | 1997-01-21 | 2000-06-13 | ウオン リー、キ | 電子ディスプレイおよび基材の洗浄およびエッチング用組成物 |
| JP2008031519A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kowa Industry Co Ltd | 溶融亜鉛系メッキ方法及び亜鉛系メッキ被覆物 |
| JP2015185582A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 電子部品の製造方法 |
Citations (6)
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