JPH09314073A - 基板乾燥方法 - Google Patents
基板乾燥方法Info
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- JPH09314073A JPH09314073A JP13990996A JP13990996A JPH09314073A JP H09314073 A JPH09314073 A JP H09314073A JP 13990996 A JP13990996 A JP 13990996A JP 13990996 A JP13990996 A JP 13990996A JP H09314073 A JPH09314073 A JP H09314073A
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- Japan
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- glass substrate
- substrate
- water
- drying method
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウォータマークの発生を防止する。
【解決手段】 純水により洗浄処理したガラス基板１の
表面をオゾン水で処理することにより、ガラス基板１の
表面の有機物を除去したのち、水切りノズル（図示せ
ず）から窒素等の気体を噴出させた状態で、ガラス基板
１を移動し、ガラス基板１の表面の水を除去し、ガラス
基板１の表面の水切り乾燥を行なう。
表面をオゾン水で処理することにより、ガラス基板１の
表面の有機物を除去したのち、水切りノズル（図示せ
ず）から窒素等の気体を噴出させた状態で、ガラス基板
１を移動し、ガラス基板１の表面の水を除去し、ガラス
基板１の表面の水切り乾燥を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置のガラ
ス基板等の基板を乾燥する基板乾燥方法に関するもので
ある。
ス基板等の基板を乾燥する基板乾燥方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置を製造する場合には、ガラ
ス基板上に膜を形成する成膜プロセスおよびガラス基板
上に形成された膜のエッチングを行なうエッチングプロ
セスののちに、ガラス基板を純水等の液体で洗浄して乾
燥する。この場合、ガラス基板上に水滴が残ったときに
は、ウォータマークが発生する。そして、ウォータマー
クが後続の成膜プロセスで形成された膜の抵抗を大きく
する等の阻害要因となったり、また後続のエッチングプ
ロセスでウォータマークがマスキングとなるから、ウォ
ータマークがガラス基板に形成された薄膜トランジスタ
等の素子の特性を劣化させる。このため、ガラス基板を
洗浄したのちには、エアナイフ法、スピン法などのよう
な水切り乾燥法により、ガラス基板の表面に付着した液
体に力を加え、ガラス基板の表面から液体を完全に除去
して、ガラス基板を乾燥する必要がある。
ス基板上に膜を形成する成膜プロセスおよびガラス基板
上に形成された膜のエッチングを行なうエッチングプロ
セスののちに、ガラス基板を純水等の液体で洗浄して乾
燥する。この場合、ガラス基板上に水滴が残ったときに
は、ウォータマークが発生する。そして、ウォータマー
クが後続の成膜プロセスで形成された膜の抵抗を大きく
する等の阻害要因となったり、また後続のエッチングプ
ロセスでウォータマークがマスキングとなるから、ウォ
ータマークがガラス基板に形成された薄膜トランジスタ
等の素子の特性を劣化させる。このため、ガラス基板を
洗浄したのちには、エアナイフ法、スピン法などのよう
な水切り乾燥法により、ガラス基板の表面に付着した液
体に力を加え、ガラス基板の表面から液体を完全に除去
して、ガラス基板を乾燥する必要がある。
【０００３】そして、従来のエアナイフ法を用いた基板
乾燥方法においては、図２に示すように、水切りノズル
２から空気等の気体を噴出させた状態で、純水で洗浄し
たガラス基板１を図２紙面右方に移動し、ガラス基板１
の表面の水切り乾燥を行なう。
乾燥方法においては、図２に示すように、水切りノズル
２から空気等の気体を噴出させた状態で、純水で洗浄し
たガラス基板１を図２紙面右方に移動し、ガラス基板１
の表面の水切り乾燥を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３に示すよ
うに、純水で洗浄したのちのガラス基板１の表面には水
滴３が存在し、水滴３のガラス基板１との接触角θ1は
大きいから、上述のような基板乾燥方法では、水切りノ
ズル２からガラス基板１の表面に大きな力を加えなけれ
ば、ガラス基板１の表面上から水滴３を除去することが
できないので、ガラス基板１の表面上にウォータマーク
が発生しやすい。
うに、純水で洗浄したのちのガラス基板１の表面には水
滴３が存在し、水滴３のガラス基板１との接触角θ1は
大きいから、上述のような基板乾燥方法では、水切りノ
ズル２からガラス基板１の表面に大きな力を加えなけれ
ば、ガラス基板１の表面上から水滴３を除去することが
できないので、ガラス基板１の表面上にウォータマーク
が発生しやすい。
【０００５】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、ウォータマークが発生しにくい基板乾燥方
法を提供することを目的とする。
れたもので、ウォータマークが発生しにくい基板乾燥方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、基板を液体により洗浄処理し、
上記基板の表面の有機物を除去する有機物除去処理を行
なったのち、上記基板の表面の上記液体を除去する。
め、本発明においては、基板を液体により洗浄処理し、
上記基板の表面の有機物を除去する有機物除去処理を行
なったのち、上記基板の表面の上記液体を除去する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に係る基板乾燥方法におい
ては、まず純水により洗浄処理したガラス基板１の表面
をオゾン水で処理することにより、ガラス基板１の表面
の有機物を除去する有機物除去処理を行なう。つぎに、
図２に示すように、水切りノズル２から窒素等の気体を
噴出させた状態で、ガラス基板１を図２紙面右方に移動
し、ガラス基板１の表面の水を除去し、ガラス基板１の
表面の水切り乾燥を行なう。
ては、まず純水により洗浄処理したガラス基板１の表面
をオゾン水で処理することにより、ガラス基板１の表面
の有機物を除去する有機物除去処理を行なう。つぎに、
図２に示すように、水切りノズル２から窒素等の気体を
噴出させた状態で、ガラス基板１を図２紙面右方に移動
し、ガラス基板１の表面の水を除去し、ガラス基板１の
表面の水切り乾燥を行なう。
【０００８】この基板乾燥方法においては、ガラス基板
１の表面の有機物を除去するから、図１に示すように、
ガラス基板１の表面の水は水膜４となり、水膜４のガラ
ス基板１との接触角θ2は小さいので、水切りノズル２
からガラス基板１の表面に大きな力を加えなくとも、ガ
ラス基板１の表面上から水膜４を容易に除去することが
できる。このため、ガラス基板１の表面上にウォータマ
ークが発生しにくいから、後続の成膜プロセスで適正な
膜を形成することができ、また後続のエッチングプロセ
スを適正に行なうことができるので、ガラス基板１に形
成された素子の特性を劣化させることがない。
１の表面の有機物を除去するから、図１に示すように、
ガラス基板１の表面の水は水膜４となり、水膜４のガラ
ス基板１との接触角θ2は小さいので、水切りノズル２
からガラス基板１の表面に大きな力を加えなくとも、ガ
ラス基板１の表面上から水膜４を容易に除去することが
できる。このため、ガラス基板１の表面上にウォータマ
ークが発生しにくいから、後続の成膜プロセスで適正な
膜を形成することができ、また後続のエッチングプロセ
スを適正に行なうことができるので、ガラス基板１に形
成された素子の特性を劣化させることがない。
【０００９】また、本発明に係る他の基板乾燥方法にお
いては、まず純水により洗浄処理したガラス基板１の表
面に紫外線ランプから紫外線を照射することにより、ガ
ラス基板１の表面の有機物を除去する有機物除去処理を
行なう。つぎに、図２に示すように、水切りノズル２か
ら空気等の気体を噴出させた状態で、ガラス基板１を図
２紙面右方に移動し、ガラス基板１の表面の水を除去
し、ガラス基板１の表面の水切り乾燥を行なう。
いては、まず純水により洗浄処理したガラス基板１の表
面に紫外線ランプから紫外線を照射することにより、ガ
ラス基板１の表面の有機物を除去する有機物除去処理を
行なう。つぎに、図２に示すように、水切りノズル２か
ら空気等の気体を噴出させた状態で、ガラス基板１を図
２紙面右方に移動し、ガラス基板１の表面の水を除去
し、ガラス基板１の表面の水切り乾燥を行なう。
【００１０】この基板乾燥方法においても、ガラス基板
１の表面の有機物を除去するから、水切りノズル２から
ガラス基板１の表面に大きな力を加えなくとも、ガラス
基板１の表面上から水膜４を容易に除去することができ
るので、ガラス基板１の表面上にウォータマークが発生
しにくい。
１の表面の有機物を除去するから、水切りノズル２から
ガラス基板１の表面に大きな力を加えなくとも、ガラス
基板１の表面上から水膜４を容易に除去することができ
るので、ガラス基板１の表面上にウォータマークが発生
しにくい。
【００１１】また、本発明に係る他の基板乾燥方法にお
いては、まず純水により洗浄処理したガラス基板１の表
面をオゾン水で処理したのち、ガラス基板１の表面に紫
外線ランプから紫外線を照射することにより、ガラス基
板１の表面の有機物を除去する有機物除去処理を行な
う。つぎに、図２に示すように、水切りノズル２から窒
素等の気体を噴出させた状態で、ガラス基板１を図２紙
面右方に移動し、ガラス基板１の表面の水を除去し、ガ
ラス基板１の表面の水切り乾燥を行なう。
いては、まず純水により洗浄処理したガラス基板１の表
面をオゾン水で処理したのち、ガラス基板１の表面に紫
外線ランプから紫外線を照射することにより、ガラス基
板１の表面の有機物を除去する有機物除去処理を行な
う。つぎに、図２に示すように、水切りノズル２から窒
素等の気体を噴出させた状態で、ガラス基板１を図２紙
面右方に移動し、ガラス基板１の表面の水を除去し、ガ
ラス基板１の表面の水切り乾燥を行なう。
【００１２】この基板乾燥方法においては、ガラス基板
１の表面の有機物を確実に除去することができるから、
接触角θ2はより小さくなる。このため、ガラス基板１
の表面上から水膜４を極めて容易に除去することができ
るから、ガラス基板１の表面上にウォータマークが発生
するのを確実に防止することができる。
１の表面の有機物を確実に除去することができるから、
接触角θ2はより小さくなる。このため、ガラス基板１
の表面上から水膜４を極めて容易に除去することができ
るから、ガラス基板１の表面上にウォータマークが発生
するのを確実に防止することができる。
【００１３】なお、上述実施の形態においては、ガラス
基板１を乾燥する基板乾燥方法について説明したが、他
の基板を乾燥する基板乾燥方法に本発明を適用すること
ができる。また、上述実施の形態においては、ガラス基
板１を純水により洗浄した場合について説明したが、ガ
ラス基板１を有機溶剤等の液体によって洗浄した場合に
も本発明を適用することができる。また、上述実施の形
態においては、エアナイフ法によりガラス基板１の表面
の水を除去したが、スピン法などによりガラス基板１の
表面の水を除去してもよい。また、接触角θ2を５°以
下にすれば、ガラス基板１の表面上から水膜４を極めて
容易に除去することができるから、ガラス基板１の表面
上にウォータマークが発生するのを確実に防止すること
ができる。
基板１を乾燥する基板乾燥方法について説明したが、他
の基板を乾燥する基板乾燥方法に本発明を適用すること
ができる。また、上述実施の形態においては、ガラス基
板１を純水により洗浄した場合について説明したが、ガ
ラス基板１を有機溶剤等の液体によって洗浄した場合に
も本発明を適用することができる。また、上述実施の形
態においては、エアナイフ法によりガラス基板１の表面
の水を除去したが、スピン法などによりガラス基板１の
表面の水を除去してもよい。また、接触角θ2を５°以
下にすれば、ガラス基板１の表面上から水膜４を極めて
容易に除去することができるから、ガラス基板１の表面
上にウォータマークが発生するのを確実に防止すること
ができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る基板
乾燥方法においては、液体の基板との接触角が小さくな
るから、基板の表面上から液体を容易に除去することが
できるので、基板の表面上にウォータマークが発生しに
くい。
乾燥方法においては、液体の基板との接触角が小さくな
るから、基板の表面上から液体を容易に除去することが
できるので、基板の表面上にウォータマークが発生しに
くい。
【図１】本発明に係る基板乾燥方法の説明図である。
【図２】基板乾燥方法の説明図である。
【図３】従来の基板乾燥方法の説明図である。
１…ガラス基板 ２…水切りノズル ４…水膜
Claims (1)
- 【請求項１】基板を液体により洗浄処理し、上記基板の
表面の有機物を除去する有機物除去処理を行なったの
ち、上記基板の表面の上記液体を除去することを特徴と
する基板乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13990996A JPH09314073A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 基板乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13990996A JPH09314073A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 基板乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09314073A true JPH09314073A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15256464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13990996A Pending JPH09314073A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 基板乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09314073A (ja) |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP13990996A patent/JPH09314073A/ja active Pending
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