JPH09311349A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】画素電極の縁部付近にディスクリネーションの
原因となる斜め電界が生じるのを防いで、ディスクリネ
ーションによる欠陥のない、高品質の画像を表示する。 【解決手段】対向電極１８に、画素電極３の周縁部のう
ち、その上の配向膜１５の配向処理方向の上流側の縁部
の外側に対向する欠除部１８ａを設けることにより、画
素電極３の前記配向処理方向の上流側の縁部付近には、
ディスクリネーションの原因となる斜め電界Ｅが生じな
いようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はアクティブマトリ
ックス型の液晶表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示素
子は、行方向および列方向に配列する複数の画素電極
と、これらの画素電極にそれぞれ接続された複数のスイ
ッチング素子と、各画素電極行にそれぞれ沿わせて配線
されその行の前記スイッチング素子にその制御信号を供
給する複数本の走査線と、各画素電極列にそれぞれ沿わ
せて配線されその列の前記スイッチング素子にデータ信
号を供給する信号線とを設けるとともに、その上に配向
膜を形成した一方の基板と、この一方の基板の各画素電
極に対向する対向電極を設けるとともにその上に配向膜
を形成した他方の基板との間に液晶を介在させたもので
あり、多色カラー画像を表示する液晶表示素子では、い
ずれかの基板（通常は対向電極を設ける基板）に、各画
素電極に対応させて赤，緑，青のカラーフィルタを設け
ている。

【０００３】図５は多色カラー画像を表示する従来のア
クティブマトリックス型液晶表示素子の一部分の正面
図、図６は図５のVI−VI線に沿う拡大断面図、図７は図
５の VII−VII 線に沿う拡大断面図、図８は図５の１つ
の画素部の拡大図であり、ここでは、赤，緑，青の画素
をモザイク状の配列パターンで表示するものを示してい
る。

【０００４】この液晶表示素子の一対の基板１，２は、
ガラス等からなる透明基板であり、その一方の基板、例
えば裏面側の基板（以下、裏側基板という）１の内面に
は、複数の透明な画素電極３が、行方向（画面の横軸Ｏ
に沿った方向）および列方向（前記横軸Ｏに対して交差
する方向）に配列させて設けられている。

【０００５】図５において、（Ｒ）の電極は赤色画素を
表示するための画素電極、（Ｇ）の電極は緑色画素を表
示するための画素電極、（Ｂ）の電極は青色画素を表示
するための画素電極であり、これらの画素電極３は、行
方向には交互に並べて配列され、列方向には同色の画素
を表示するための画素電極同士を約１．５ピッチずつ左
右（行方向）に交互にずらしてジグザグに配列されてい
る。

【０００６】また、上記裏側基板１の内面には、上記各
画素電極３にそれぞれ対応させて、逆スタガー構造の薄
膜トランジスタからなる複数のスイッチング素子４が設
けられるとともに、各画素電極行のスイッチング素子４
にそのオン・オフを制御する信号（ゲート信号）を供給
する複数本の走査線１０と、各画素電極列のスイッチン
グ素子４にデータ信号を供給する信号線１１とが設けら
れている。

【０００７】上記スイッチング素子（薄膜トランジス
タ）４は、基板１上に形成したゲート電極５と、このゲ
ート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、このゲート絶縁膜
６の上に前記ゲート電極と対向させて形成されたｉ型半
導体膜７と、このｉ型半導体膜７の上にｎ型半導体膜
（図示せず）を介して形成されたソース電極８およびド
レイン電極９とからなっている。

【０００８】上記走査線１０は、各画素電極行にそれぞ
れ沿わせて基板１上に配線されており、各行のスイッチ
ング素子４のゲート電極５は、その行に沿う走査線１０
に一体に形成されている。

【０００９】また、上記スイッチング素子４のゲート絶
縁膜（透明膜）６は、前記走査線１０も覆って基板１の
ほぼ全面に形成されており、画素電極３はこのゲート絶
縁膜６の上に形成され、その一側の角部付近において前
記スイッチング素子４のソース電極８に接続されてい
る。

【００１０】上記信号線１１は、上記ゲート絶縁膜６の
上に、同色の画素を表示するための各画素電極列（ジグ
ザグの画素電極列）にそれぞれ沿わせて配線されてお
り、その行の各スイッチング素子４のドレイン電極９に
つながっている。

【００１１】上記信号線１１の配線パターンを、同色の
画素を表示するための画素電極３がジグザグに配列して
いる１つの画素電極列に沿う信号線について説明する
と、この信号線１１は、図５において左方向にずれてい
る画素電極３の右側縁と、右方向にずれている画素電極
３の左側縁とに沿わせて蛇行配線されており、各行の画
素電極３の右側縁および左側縁に沿う縦配線部をつなぐ
横配線部は、隣接する画素電極行の間に、上記走査線１
０の上方をこの走査線１０と平行に通るように形成され
ている。

【００１２】なお、このように信号線１１を配線してい
るのは、隣接する画素電極行の間を通る横配線部の長さ
を短くして信号線１１の引き回しを簡単にするためであ
るが、このように信号線１１を配線すると、左方向にず
れている画素電極３に対応するスイッチング素子４に対
する信号線１１の位置と、右方向にずれている画素電極
３に対応するスイッチング素子４に対する信号線１１の
位置とが互いに逆になってしまうため、左方向にずれて
いる画素電極３に対応するスイッチング素子４と、右方
向にずれている画素電極３に対応するスイッチング素子
４とは、そのソース，ドレイン電極８，９の位置関係を
互いに逆にして形成されている。

【００１３】上記信号線１１と各スイッチング素子４
は、透明な保護絶縁膜１２（図６および図７参照）で覆
われており、この保護絶縁膜１２は、各画素電極の行間
および列間に、各画素電極３の周縁に僅かにラップさせ
て形成されている。

【００１４】さらに、上記裏側基板１には、各画素電極
３に対応させて、非選択期間の画素電極３の電位を保持
するための補助容量（ストレージキャパシタ）Ｃs を形
成する補助容量用電極１３が設けられている。

【００１５】この補助容量用電極１３は、上記スイッチ
ング素子４のゲート絶縁膜６の下に、各画素電極３の両
側の縁部とそれぞれ対向させて形成されており、補助容
量Ｃs は、補助容量用電極１３および各画素電極３とそ
の間のゲート絶縁膜６とによって形成されている。

【００１６】上記補助容量用電極１３は、各画素電極行
の走査線配線側とは反対側に沿わせて基板１上に配線さ
れた基準電位線１４に一体に形成されており、この基準
電位線１４が画素電極３と対向している部分も補助容量
Ｃs の一部となっている。

【００１７】なお、前記補助容量用電極１３および基準
電位線１４と上記スイッチング素子４のゲート電極５お
よび走査線１０は、同じ金属膜をパターニングして形成
されている。

【００１８】また、上記裏側基板１の内面には、図６お
よび図７に示すように、画素電極３およびスイッチング
素子４の形成領域全体にわたって、ポリイミド等からな
る配向膜１５が形成されており、この配向膜１５は、そ
の膜面を所定の方向にラビングすることによって配向処
理されている。

【００１９】一方、液晶表示素子の表面側の基板（以
下、表側基板という）２の内面には、図６および図７に
示すように、画素Ａの大きさを規定する格子状パターン
の遮光膜１６が設けられるとともに、赤、緑、青のカラ
ーフィルタ１７が、その色の画素を表示するための画素
電極３にそれぞれ対向させて設けられており、その上
に、全ての各画素電極３に対向する一枚膜状の透明な対
向電極１８が設けられている。

【００２０】なお、上記遮光膜１６は、一般にクロム等
の金属膜で形成されており、その各開口１６ａは、図５
および図８に示すように、画素電極３の外形よりも僅か
に小さく形成されている。

【００２１】また、この表側基板２の内面には、画素電
極３およびスイッチング素子４の形成領域全体にわたっ
て、ポリイミド等からなる配向膜１９が形成されてお
り、この配向膜１９は、その膜面を所定の方向にラビン
グすることによって配向処理されている。

【００２２】そして、上記裏側基板１と表側基板２は、
液晶表示素子の表示領域を囲む枠状のシール材（図示せ
ず）を介して接合されており、この両基板１，２間の前
記シール材で囲まれた領域に液晶２０が封入されてい
る。また、両基板１，２の外面にはそれぞれ偏光板２
１，２２が配置されている。

【００２３】この液晶表示素子はＴＮ（ツイステッド・
ネマティック）型のものであり、両基板１，２に設けた
配向膜１５，１９は互いにほぼ直交する方向に配向処理
されており、液晶２０の分子２０ａ（図６および図７参
照）は、両基板１，２の近傍における配向方向を前記配
向膜１５，１９で規制され、両基板１，２間においてほ
ぼ９０°のツイスト角でツイスト配向している。

【００２４】図５において、矢印ａは裏側基板１の配向
膜１５の配向処理方向、矢印ｂは表側基板２の配向膜１
９の配向処理方向を示している。図５のように、裏側基
板１の配向膜１５は、画面の横軸Ｏに対し液晶表示素子
の表面側から見て左回りにほぼ４５°の方向に配向処理
され、表側基板２の配向膜１９は、前記横軸Ｏに対し表
面側から見て右回りにほぼ４５°の方向に配向処理され
ており、液晶分子２０ａは、そのツイスト方向を図５に
破線矢印Ｔで示したように、裏側基板１から表側基板２
に向かい、表面側から見て左回りにほぼ９０°のツイス
ト角でツイスト配向している。

【００２５】なお、図６および図７では、裏側基板１の
近傍の液晶分子２０ａだけを示したが、いずれの基板
１，２側においても、液晶分子２０ａは、配向膜１５，
１９の膜面に対してその配向処理方向（ラビング方向）
ａ，ｂに向かう側の分子端が数度（２〜３°）の角度で
斜めに立ち上がるようにプレチルトした状態で、前記配
向処理方向ａ，ｂに沿って配向している。

【００２６】また、上記偏光板２１，２２は、その透過
軸を互いにほぼ平行にするか、あるいは互いにほぼ直交
させて配置されており、これらの偏光板２１，２２の透
過軸はそれぞれ、その偏光板が隣接する基板１または２
の近傍における液晶分子２０ａの配向方向に対してほぼ
平行またはほぼ直交している。

【００２７】上記液晶表示素子は、対向電極１８に基準
電位の信号を供給し、各走査線１０に、その走査線が対
応する画素電極行の選択期間にスイッチング素子４をオ
ンさせる電位になる波形の制御信号を供給するととも
に、各信号線１１に画素電極行の選択期間ごとに画像デ
ータに応じた電位になる波形のデータ信号を供給するこ
とにより表示駆動される。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アクテ
ィブマトリックス型の液晶表示素子は、その表示駆動に
際して、対向電極１８の各信号線１１が対向している部
分と前記信号線１１との間に、信号線１１に供給される
データ信号の電位と対向電極１８の電位との差に応じた
電界が発生し、その電界が画素電極３の縁部付近にも作
用する。

【００２９】この画素電極３の縁部付近に作用する電界
は、対向電極１８のうちの画素電極３の外側の部分（隣
接する画素電極間の部分）に対応する領域と前記画素電
極３の縁部との間に生ずる斜め方向の電界（以下、斜め
電界という）である。

【００３０】なお、画素電極３の縁部付近に作用する斜
め電界には、走査線１０と対向電極１８との間の電位差
によって発生する電界もあるが、走査線１０はゲート絶
縁膜６と保護絶縁膜１２の二層の絶縁膜で覆われている
ため、この電界は極く小さい。

【００３１】図６および図７において、Ｅは、信号線１
１と対向電極１８との間の電位差によって前記対向電極
１８と画素電極３との間に発生する斜め電界を示してお
り、図６に示した斜め電界Ｅは、信号線１１の縦配線部
に沿って発生する電界、図７に示した斜め電界Ｅは、信
号線１１の横配線部に沿って発生する電界である。

【００３２】このような斜め電界Ｅが画素電極３の縁部
付近に作用すると、その影響を受ける領域（配向膜１
５，１９の配向規制力に打ち勝つ強さの電界が作用する
領域）の液晶分子（図にハッチングを施して示した分
子）２０ａが、前記斜め電界Ｅの向きに沿って配向す
る。

【００３３】この斜め電界Ｅの向きは、信号線１１を境
にしてその一方の側と他方の側とで互いに逆であり、し
たがって、前記一方の側の画素電極３の縁部付近に作用
する斜め電界Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向と、前
記他方の側の画素電極３の縁部付近に作用する斜め電界
Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向とは互いに逆向きで
ある。

【００３４】一方、上記斜め電界Ｅの影響を受けない領
域での液晶分子２０ａの配向状態（画素電極３と対向電
極１８との間に電圧を印加していないときの配向状態）
を見ると、この領域の液晶分子２０ａは、裏側基板１の
近傍では、この裏側基板１の配向膜１５の膜面に対して
その配向処理方向ａ（図６においては図の表側に向かっ
て斜め左方向、図７においては図の裏側に向かって斜め
左方向）に沿って、この配向処理方向の下流側の分子端
が斜めに立ち上がるようにプレチルトした状態で一様に
配向し、表側基板２の近傍では、この表側基板２の配向
膜１９の膜面に対してその配向処理方向ｂ（図６におい
ては図の裏側に向かって斜め左方向、図７においては図
の裏側に向かって斜め右方向）に沿って、この配向処理
方向に沿った下流側の分子端が斜めに立ち上がるように
プレチルトした状態で一様に配向している。

【００３５】このため、信号線１１の一方の側（図６お
よび図７において信号線１１の右側）の画素電極３の縁
部付近に作用する斜め電界Ｅによる液晶分子２０ａの配
向方向は、配向膜１５，１９による配向方向とあまり変
わらない方向であるが、信号線１１の他方の側（図６お
よび図７において信号線１１の左側）の画素電極３の縁
部付近に作用する斜め電界Ｅによる液晶分子２０ａの配
向方向は、配向膜１５，１９による配向方向に対してほ
とんど逆の方向であり、したがってこの側に、前記斜め
電界Ｅの影響範囲とその外側との境界において液晶分子
２０ａの配向状態が逆になったディスクリネーションが
生じる。

【００３６】この液晶分子２０ａの配向状態が逆になる
境目、つまり図６〜図８に一点鎖線で示した境界線Ｄ
は、ディスクリネーションラインと呼ばれており、この
ディスクリネーションラインＤは、画素電極３の両側の
信号線１１のうちの画素電極上の配向膜１５の配向処理
方向ａの上流側の信号線１１と前記画素電極３との間に
対応する箇所に発生する。

【００３７】このため、従来の液晶表示素子は、その各
画素（遮光膜１６の各開口１６ａに対応する領域）内
に、上記ディスクリネーションラインＤに沿った欠陥が
生じるという問題をもっている。

【００３８】この欠陥は、一対の偏光板２１，２２をそ
の透過軸を互いにほぼ平行にして配置したネガ表示タイ
プの液晶表示素子ではディスクリネーションラインＤに
沿った光漏れ、一対の偏光板２１，２２をその透過軸を
互いにほぼ直交させて配置したポジ表示タイプの液晶表
示素子ではディスクリネーションラインＤに沿った影で
あり、特にネガ表示タイプの液晶表示素子では、各画素
内に光漏れがあると、その輝きにより画素全体が薄くぼ
けて見えるため、上記ディスクリネーションによる画質
への影響がより大きい。

【００３９】この発明は、画素電極の縁部付近にディス
クリネーションの原因となる斜め電界が生じるのを防い
で、ディスクリネーションによる欠陥のない、高品質の
画像を表示することができる液晶表示素子を提供するこ
とを目的としたものである。

【００４０】

【課題を解決するための手段】この発明は、行方向およ
び列方向に配列する複数の画素電極と、これらの画素電
極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子と、各
画素電極行にそれぞれ沿わせて配線されその行の前記ス
イッチング素子にその制御信号を供給する複数本の走査
線と、各画素電極列にそれぞれ沿わせて配線されその列
の前記スイッチング素子にデータ信号を供給する信号線
とを設けるとともに、その上に配向膜を形成した一方の
基板と、この一方の基板の各画素電極に対向する対向電
極を設けるとともにその上に配向膜を形成した他方の基
板との間に液晶を介在させたアクティブマトリックス型
の液晶表示素子において、前記対向電極に、前記画素電
極の周縁部のうち、その上の配向膜の配向処理方向の上
流側の縁部の外側に対向する欠除部を設けたことを特徴
とするものである。

【００４１】この発明は、対向電極を部分的に欠除する
ことにより、画素電極の縁部付近にディスクリネーショ
ンの原因となる斜め電界が生じるのを防ぐようにしたも
のである。

【００４２】すなわち、従来の液晶表示素子では、画素
電極の周縁部のうち、その上の配向膜の配向処理方向上
流側の縁部と、その縁部の外側の部分に対向する領域の
対向電極との間に斜め電界が生じ、その電界の影響によ
ってディスクリネーションが発生しているが、この発明
のように、対向電極を、画素電極の周縁部のうちの前記
配向処理方向の上流側の縁部の外側に対向する部分にお
いて欠除しておけば、画素電極の前記配向処理方向上流
側の縁部付近に前記斜め電界が生じることはない。

【００４３】したがって、この発明の液晶表示素子によ
れば、画素電極の縁部付近にディスクリネーションの原
因となる斜め電界が生じるのを防いで、ディスクリネー
ションによる欠陥のない、高品質の画像を表示すること
ができる。

【００４４】

【発明の実施の形態】この発明の液晶表示素子におい
て、前記対向電極の欠除部は、少なくとも、画素電極の
両側の信号線のうちの前記配向処理方向上流側の信号線
と前記画素電極の縁部との間の領域の幅よりも幅広に形
成するのが望ましく、対向電極の欠除部をこのように幅
広に形成すれば、前記斜め電界の発生をより効果的に防
ぐことができる。

【００４５】また、この発明の液晶表示素子において、
前記対向電極の背後に画素の大きさを規定する格子状パ
ターンの遮光膜を設ける場合は、この遮光膜を絶縁膜で
形成するのが望ましく、遮光膜が絶縁膜であれば、前記
対向電極の欠除部に前記遮光膜が配置されていても、こ
の遮光膜と画素電極の縁部付近との間に前記斜め電界が
生じることはない。

【００４６】

【実施例】図１〜図４は、多色カラー画像を表示するア
クティブマトリックス型液晶表示素子にこの発明を適用
した一実施例を示しており、図１は液晶表示素子の一部
分正面図、図２図１のII−II線に沿う拡大断面図、図３
は図１の III−III 線に沿う拡大断面図である。

【００４７】なお、この実施例の液晶表示素子は、対向
電極１８およびその背後の遮光膜１６が図５〜図８に示
した従来の液晶表示素子と異なるが、他の構成は従来の
ものと同じであるから、対応するものには同符号を付
し、同一のものについてはその説明を省略する。

【００４８】この実施例の液晶表示素子では、表側基板
２の内面、つまり対向電極１８の背後に設ける格子状パ
ターンの遮光膜１６を、黒色系の顔料を混入した樹脂膜
からなる絶縁膜で形成するとともに、この表側基板２の
内面に形成したカラーフィルタ１７の上に設ける対向電
極１８に、裏側基板１の内面に設けた各画素電極３の周
縁部のうち、その上の配向膜、つまり前記裏側基板１に
設けた配向膜１５の配向処理方向ａの上流側の縁部とそ
の外周部に対向する領域を欠除した欠除部１８ａを設け
ている。

【００４９】図４は上記対向電極１８の画素電極３に対
応する部分の拡大正面図であり、（ａ）は、隣接する画
素電極行のうちの一方の行の１つの画素電極に対応する
部分を示し、（ｂ）は、他方の画素電極行の１つの画素
電極に対応する部分を示している。

【００５０】図４の（ａ），（ｂ）のように、上記対向
電極１８の欠除部１８ａは、画素電極３の周縁部のう
ち、その画素電極上の配向膜１５の配向処理方向ａの上
流側の縁部である、図において右側縁部と上側縁部とそ
の外周部に対向する領域にわたって形成されている。

【００５１】この対向電極１８の欠除部１８ａは、少な
くとも、画素電極３の両側の信号線のうちの前記配向処
理方向ａ上流側の信号線１１と前記画素電極３の縁部と
の間の領域の幅よりも幅広に形成してある。

【００５２】なお、図４の（ａ）に示した画素電極行に
おいては、前記配向処理方向ａ上流側の信号線（図にお
いて右側の信号線）１１が画素電極３の側縁および上下
縁のほぼ半分の長さに沿って前記画素電極３を抱え込む
ように配線されており、図４の（ｂ）に示した画素電極
行においては、前記配向処理方向ａ上流側の信号線（図
において右側の信号線）１１が画素電極３の側縁だけに
沿って配線されているが、この実施例では、対向電極１
８の欠除部１８ａを、いずれの画素電極行の画素電極３
に対向する部分においても、画素電極３の右側縁部と上
側縁部のほぼ全長にわたってＬ字状に形成している。

【００５３】また、この実施例では、前記対向電極１８
の欠除部１８ａを、画素電極３の右側縁部および上側縁
部のいずれに沿う部分においても、欠除部１８ａの一側
縁が画素電極３の側縁と遮光膜１６の開口１６ａの側縁
との間に位置し、他側縁が前記信号線１１とこの信号線
をはさんで隣接する画素電極（図において画素電極の左
側の信号線）１１との間に位置する幅、つまり、画素電
極３の縁部と前記信号線１１とが欠除部１８ａ内に対向
する幅に形成している。

【００５４】この実施例の液晶表示素子は、対向電極１
８を部分的に欠除することによって、画素電極３の縁部
付近にディスクリネーションの原因となる斜め電界が生
じるのを防ぐようにしたものである。

【００５５】すなわち、従来の液晶表示素子では、画素
電極３の周縁部のうち、その上の配向膜１５の配向処理
方向ａ上流側の縁部と、その縁部の外側の部分に対向す
る部分の対向電極１８との間に斜め電界が生じ、その電
界の影響によってディスクリネーションが発生している
が、この実施例の液晶表示素子のように、対向電極１８
を、画素電極３の周縁部のうちの前記配向処理方向ａ上
流側の縁部の外側に対向する部分において欠除しておけ
ば、画素電極３の前記配向処理方向ａ上流側の縁部付近
に前記斜め電界が生じることはない。

【００５６】したがって、この実施例の液晶表示素子に
よれば、画素電極３の縁部付近にディスクリネーション
の原因となる斜め電界が生じるのを防いで、ディスクリ
ネーションによる欠陥、つまり、画素Ａ内の光漏れ（ネ
ガ表示タイプの場合）や影（ポジ表示タイプの場合）の
ない、高品質の画像を表示することができる。

【００５７】なお、上記対向電極１８の背後には表側基
板１の内面に形成した遮光膜１６があるが、この実施例
では、前記遮光膜１６を絶縁膜で形成しているため、こ
の遮光膜１６と画素電極３との間にも斜め電界は生じな
い。

【００５８】また、この実施例の液晶表示素子では、対
向電極１８を、画素電極３の周縁部のうちの前記配向処
理方向ａ上流側の縁部の外側に対向する部分において欠
除しているだけであるため、この側の画素電極縁部と対
向電極１８との間には、図２および図３に示したように
斜め電界Ｅが発生するが、この側の斜め電界Ｅによる液
晶分子２０ａの配向方向は、［発明が解決しようとする
課題］の項で説明したように配向膜１５，１９による液
晶分子２０ａの配向方向とあまり変わらない方向であ
り、したがって、この斜め電界Ｅによってディスクリネ
ーションが生じることはない。

【００５９】さらに、上記実施例の液晶表示素子におい
ては、対向電極１８の欠除部１８ａを、少なくとも、画
素電極３の両側の信号線１１のうちの画素電極状の配向
膜１５の配向処理方向ａ上流側の信号線と前記画素電極
３の縁部との間の領域の幅よりも幅広に形成しているた
め、画素電極３の前記配向処理方向ａ上流側の縁部付近
における斜め電界の発生をより効果的に防ぐことができ
る。

【００６０】また、上記液晶表示素子においては、対向
電極３を形成する基板２に画素Ａの大きさを規定する格
子状パターンの遮光膜１６を設けているが、この実施例
では、前記遮光膜１６を絶縁膜で形成しているため、前
記対向電極１８の欠除部１８ａに前記遮光膜１６が対向
していても、この遮光膜１６と画素電極３の縁部付近と
の間に前記斜め電界が生じることはない。

【００６１】なお、上記実施例では、図４の（ｂ）に示
した画素電極行、すなわち、画素電極上の配向膜１５の
配向処理方向ａ上流側の信号線１１が画素電極３の側縁
だけに沿って配線されている画素電極行の画素電極３に
対応する部分の対向電極１８の欠除部１８ａも、前記画
素電極３の右側縁部と上側縁部のほぼ全長にわたってＬ
字状に形成しているが、この部分の対向電極１８の欠除
部１８ａは、画素電極３の側縁部の外側だけに対向させ
て形成してもよい。

【００６２】ただし、画素電極３の縁部付近に作用する
斜め電界には、走査線１０と対向電極１８との間の電位
差によって発生する電界（この電界は、走査線１０がゲ
ート絶縁膜６と保護絶縁膜１２の二層の絶縁膜で覆われ
ているために極く小さい）もあるため、図４の（ｂ）に
示した画素電極行の画素電極３に対応する部分の対向電
極１８の欠除部１８ａも上記実施例のようにＬ字状に形
成しておけば、画素電極３の走査線１０に対向する縁部
のうち、その上の配向膜１５の配向処理方向ａ上流側の
縁部と、その縁部の外側の部分に対向する部分の対向電
極１８との間に斜め電界が生じるのをより確実に防い
で、この側でのディスクリネーションの発生を完全にな
くすことができる。

【００６３】また、上記実施例では、対向電極１８の欠
除部１８ａを、その一側縁が画素電極３の側縁と遮光膜
１６の開口１６ａの側縁との間に位置し、他側縁が前記
信号線１１とこの信号線をはさんで隣接する画素電極１
１との間に位置する幅に形成しているが、この欠除部１
８ａの幅はさらに広くしてもよく、例えば前記欠除部１
８ａを、その両側が信号線１１の両側の画素電極３の縁
部にそれぞれラップする幅に形成すれば、ディスクリネ
ーションが発生する側だけでなく、その反対側に配線さ
れた信号線１１の側での斜め電界の発生もなくすことが
できる。

【００６４】なお、上記実施例では、対向電極１８の背
後に設ける遮光膜１６を絶縁膜で形成しているが、上記
液晶表示素子のように前記遮光膜１６の上にカラーフィ
ルタ１７があり、このカラーフィルタ１７が充分厚い場
合は、遮光膜１６と画素電極３の縁部付近との間に斜め
電界が生じることはほとんどないから、その場合は前記
遮光膜１６をクロム等の金属膜で形成してもよい。

【００６５】また、上記実施例の液晶表示素子は、赤，
緑，青の画素をモザイク状の配列パターンで表示するも
のであるが、この発明は、各色の画素をそれぞれ列方向
に直線状に配列しているアクティブマトリックス型液晶
表示素子や、白黒画像を表示するアクティブマトリック
ス型液晶表示素子にも適用することができる。

【００６６】

【発明の効果】この発明の液晶表示素子によれば、対向
電極に、画素電極の周縁部のうち、その上の配向膜の配
向処理方向の上流側の縁部の外側に対向する欠除部を設
けているため、画素電極の縁部付近にディスクリネーシ
ョンの原因となる斜め電界が生じるのを防いで、ディス
クリネーションによる欠陥のない、高品質の画像を表示
することができる。

【００６７】また、この発明の液晶表示素子において、
前記対向電極の欠除部を、少なくとも、画素電極の両側
の信号線のうちの前記配向処理方向の上流側の信号線と
前記画素電極の縁部との間の領域の幅よりも幅広に形成
すれば、画素電極の縁部付近に前記斜め電界が生じるの
をより効果的に防ぐことができる。

【００６８】さらに、この発明の液晶表示素子におい
て、対向電極を形成する基板に画素の大きさを規定する
格子状パターンの遮光膜を設ける場合、この遮光膜を絶
縁膜で形成すれば、前記対向電極の欠除部に前記遮光膜
が対向していても、この遮光膜と画素電極の縁部付近と
の間に前記斜め電界が生じることはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す液晶表示素子の一部
分の正面図。

【図２】図１のII−II線に沿う拡大断面図。

【図３】図１の III−III 線に沿う拡大断面図。

【図４】対向電極の画素電極に対応する部分の拡大正面
図であり、（ａ）は隣接する画素電極行のうちの一方の
行の１つの画素電極に対応する部分を示し、（ｂ）は他
方の画素電極行の１つの画素電極に対応する部分を示
す。

【図５】従来のアクティブマトリックス型液晶表示素子
の一部分の正面図。

【図６】図５のVI−VI線に沿う拡大断面図。

【図７】図５の VII−VII 線に沿う拡大断面図。

【図８】図５の１つの画素部の拡大図。

【符号の説明】

１，２…基板 ３…画素電極 ４…スイッチング素子 １０…走査線 １１…信号線 １５…配向膜 ａ…配向処理方向 １６…遮光膜 １６ａ…開口 Ａ…画素 １７…カラーフィルタ １８…対向電極 １８ａ…欠除部 １９…配向膜 ｂ…配向処理方向 ２０ａ…液晶分子 Ｅ…斜め電界

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】行方向および列方向に配列する複数の画素
   電極と、これらの画素電極にそれぞれ接続された複数の
   スイッチング素子と、各画素電極行にそれぞれ沿わせて
   配線されその行の前記スイッチング素子にその制御信号
   を供給する複数本の走査線と、各画素電極列にそれぞれ
   沿わせて配線されその列の前記スイッチング素子にデー
   タ信号を供給する信号線とを設けるとともに、その上に
   配向膜を形成した一方の基板と、この一方の基板の各画
   素電極に対向する対向電極を設けるとともにその上に配
   向膜を形成した他方の基板との間に液晶を介在させたア
   クティブマトリックス型の液晶表示素子において、 前記対向電極に、前記画素電極の周縁部のうち、その上
   の配向膜の配向処理方向の上流側の縁部の外側に対向す
   る欠除部を設けたことを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】前記対向電極の欠除部は、少なくとも、前
   記画素電極の両側の信号線のうちの前記配向処理方向の
   上流側の信号線と前記画素電極の縁部との間の領域の幅
   よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項１
   に記載の液晶表示素子。
3. 【請求項３】前記対向電極の背後には、画素の大きさを
   規定する格子状パターンの遮光膜が設けられており、こ
   の遮光膜は、絶縁膜からなっていることを特徴とする請
   求項１または２に記載の液晶表示素子。