JPH09265101A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】信号線と画素電極との間に発生する横電界の影
響によるディスクリネーションの発生をなくして、高品
質の画像を表示する。 【解決手段】画素電極３を、その上の配向膜の配向処理
方向ａにずらして形成し、この画素電極３を、その両側
の信号線１１のうちの前記配向処理方向ａとは逆方向の
側の信号線１１から遠ざけることにより、信号線１１と
画素電極３との間に発生する横電界のうち、ディスクリ
ネーションを発生させる向きの横電界を小さくして、前
記横電界の影響によるディスクリネーションの発生をな
くした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はアクティブマトリ
ックス型の液晶表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示素
子は、行方向および列方向に配列する複数の画素電極
と、これらの画素電極にそれぞれ接続された複数のスイ
ッチング素子と、各画素電極行にそれぞれ沿わせて配線
されその行の前記スイッチング素子にその制御信号を供
給する複数本の走査線と、各画素電極列にそれぞれ沿わ
せて配線されその列の前記スイッチング素子にデータ信
号を供給する信号線とを設けるとともに、その上に配向
膜を形成した一方の基板と、この一方の基板の各画素電
極に対向する対向電極を設けるとともにその上に配向膜
を形成した他方の基板との間に液晶を介在させたもので
あり、多色カラー画像を表示する液晶表示素子では、い
ずれかの基板（通常は対向電極を設ける基板）に、各画
素電極に対応させて赤，緑，青のカラーフィルタを設け
ている。

【０００３】図５は多色カラー画像を表示する従来のア
クティブマトリックス型液晶表示素子の一部分の正面
図、図６は図５のVI−VI線に沿う拡大断面図、図７は図
５の VII−VII 線に沿う拡大断面図、図８は図５の１つ
の画素部の拡大図であり、ここでは、赤，緑，青の画素
をモザイク状の配列パターンで表示するものを示してい
る。

【０００４】この液晶表示素子の一対の基板１，２は、
ガラス等からなる透明基板であり、その一方の基板、例
えば裏面側の基板（以下、裏側基板という）１の内面に
は、複数の透明な画素電極３が、行方向（画面の横軸Ｏ
に沿った方向）および列方向（前記横軸Ｏに対して交差
する方向）に配列させて設けられている。

【０００５】図５において、（Ｒ）の電極は赤色画素を
表示するための画素電極、（Ｇ）の電極は緑色画素を表
示するための画素電極、（Ｂ）の電極は青色画素を表示
するための画素電極であり、これらの画素電極３は、行
方向には交互に並べて配列され、列方向には同色の画素
を表示するための画素電極同士を約１．５ピッチずつ左
右（行方向）に交互にずらしてジグザグに配列されてい
る。

【０００６】また、上記裏側基板１の内面には、上記各
画素電極３にそれぞれ対応させて、逆スタガー構造の薄
膜トランジスタからなる複数のスイッチング素子４が設
けられるとともに、各画素電極行のスイッチング素子４
にそのオン・オフを制御する信号（ゲート信号）を供給
する複数本の走査線１０と、各画素電極列のスイッチン
グ素子４にデータ信号を供給する信号線１１とが設けら
れている。

【０００７】上記スイッチング素子（薄膜トランジス
タ）４は、基板１上に形成したゲート電極５と、このゲ
ート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、このゲート絶縁膜
６の上に前記ゲート電極と対向させて形成されたｉ型半
導体膜７と、このｉ型半導体膜７の上にｎ型半導体膜
（図示せず）を介して形成されたソース電極８およびド
レイン電極９とからなっている。

【０００８】上記走査線１０は、各画素電極行にそれぞ
れ沿わせて基板１上に配線されており、各行のスイッチ
ング素子４のゲート電極５は、その行に沿う走査線１０
に一体に形成されている。

【０００９】また、上記スイッチング素子４のゲート絶
縁膜（透明膜）６は、前記ゲートライン１０も覆って基
板１のほぼ全面に形成されており、画素電極３はこのゲ
ート絶縁膜６の上に形成され、その一側の角部付近にお
いて前記スイッチング素子４のソース電極８に接続され
ている。

【００１０】上記信号線１１は、上記ゲート絶縁膜６の
上に、同色の画素を表示するための各画素電極列（ジグ
ザグの画素電極列）にそれぞれ沿わせて配線されてお
り、その行の各スイッチング素子４のドレイン電極９に
つながっている。

【００１１】上記信号線１１の配線パターンを、同色の
画素を表示するための画素電極３がジグザグに配列して
いる１つの画素電極列に沿う信号線について説明する
と、この信号線１１は、図５において左方向にずれてい
る画素電極３の右側縁と、右方向にずれている画素電極
３の左側縁とに沿わせて蛇行配線されており、各行の画
素電極３の右側縁および左側縁に沿う縦配線部をつなぐ
横配線部は、隣接する画素電極行の間に、上記信号線１
０の上方をこの信号線１０と平行に通るように形成され
ている。

【００１２】なお、このように信号線１１を配線してい
るのは、隣接する画素電極行の間を通る横配線部の長さ
を短くして信号線１１の引き回しを簡単にするためであ
るが、このように信号線１１を配線すると、左方向にず
れている画素電極３に対応するスイッチング素子４に対
する信号線１１の位置と、右方向にずれている画素電極
３に対応するスイッチング素子４に対する信号線１１の
位置とが互いに逆になってしまうため、左方向にずれて
いる画素電極３に対応するスイッチング素子４と、右方
向にずれている画素電極３に対応するスイッチング素子
４とは、そのソース，ドレイン電極８，９の位置関係を
互いに逆にして形成されている。

【００１３】上記信号線１１と各スイッチング素子４
は、透明な保護絶縁膜１２（図６および図７参照）で覆
われており、この保護絶縁膜１２は、各画素電極の行間
および列間に、各画素電極３の周縁に僅かにラップさせ
て形成されている。

【００１４】また、上記裏側基板１の内面には、図６お
よび図７に示すように、画素電極３およびスイッチング
素子４の形成領域全体にわたって、ポリイミド等からな
る配向膜１３が形成されており、この配向膜１３は、そ
の膜面を所定の方向にラビングすることによって配向処
理されている。

【００１５】一方、液晶表示素子の表面側の基板（以
下、表側基板という）２の内面には、図６および図７に
示すように、画素Ａの大きさを規定する格子状パターン
の遮光膜１６が設けられるとともに、赤、緑、青のカラ
ーフィルタ１７が、その色の画素を表示するための画素
電極３にそれぞれ対向させて設けられており、その上
に、全ての各画素電極３に対向する一枚膜状の透明な対
向電極１８が設けられている。

【００１６】なお、上記遮光膜１６は、クロム等の金属
膜または黒色系の顔料を混入した樹脂膜からなってお
り、その各開口１６ａは、図５および図８に示すよう
に、画素電極３の外形よりも僅かに小さく形成されてい
る。

【００１７】また、この表側基板２の内面には、画素電
極３およびスイッチング素子４の形成領域全体にわたっ
て、ポリイミド等からなる配向膜１９が形成されてお
り、この配向膜１９は、その膜面を所定の方向にラビン
グすることによって配向処理されている。

【００１８】そして、上記裏側基板１と表側基板２は、
液晶表示素子の表示領域を囲む枠状のシール材（図示せ
ず）を介して接合されており、この両基板１，２間の前
記シール材で囲まれた領域に液晶２０が封入されてい
る。また、両基板１，２の外面にはそれぞれ偏光板２
１，２２が配置されている。

【００１９】この液晶表示素子はＴＮ（ツイステッド・
ネマティック）型のものであり、両基板１，２に設けた
配向膜１３，１９は互いにほぼ直交する方向に配向処理
されており、液晶２０の分子２０ａ（図６および図７参
照）は、両基板１，２の近傍における配向方向を前記配
向膜１３，１９で規制され、両基板１，２間においてほ
ぼ９０°のツイスト角でツイスト配向している。

【００２０】図５において、矢印ａは裏側基板１の配向
膜１３の配向処理方向、矢印ｂは表側基板２の配向膜１
９の配向処理方向を示している。この図のように、裏側
基板１の配向膜１３は、画面の横軸Ｏに対し液晶表示素
子の表面側から見て左回りにほぼ４５°の方向に配向処
理され、表側基板２の配向膜１９は、前記横軸Ｏに対し
表面側から見て右回りにほぼ４５°の方向に配向処理さ
れており、液晶分子２０ａは、そのツイスト方向を図５
に破線矢印Ｔで示したように、裏側基板１から表側基板
２に向かい、表面側から見て左回りにほぼ９０°のツイ
スト角でツイスト配向している。

【００２１】なお、図６および図７では、裏側基板１の
近傍の液晶分子２０ａだけを示したが、いずれの基板
１，２側においても、液晶分子２０ａは、配向膜１３，
１９の膜面に対してその配向処理方向（ラビング方向）
ａ，ｂに沿った側の分子端が数度（２〜３°）の角度で
斜めに立ち上がるようにプレチルトした状態で、前記配
向処理方向ａ，ｂに沿って配向している。

【００２２】また、上記偏光板２１，２２は、その透過
軸を互いにほぼ平行にするか、あるいは互いにほぼ直交
させて配置されており、これらの偏光板２１，２２の透
過軸はそれぞれ、その偏光板が隣接する基板１または２
の近傍における液晶分子２０ａの配向方向に対してほぼ
平行またはほぼ直交している。

【００２３】上記液晶表示素子は、対向電極１８に基準
電位の信号を供給し、各走査線１０に、その走査線が対
応する画素電極行の選択期間にスイッチング素子４をオ
ンさせる電位になる波形の制御信号を供給するととも
に、各信号線１１に画素電極行の選択期間ごとに画像デ
ータに応じた電位になる波形のデータ信号を供給するこ
とにより表示駆動される。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アクテ
ィブマトリックス型の液晶表示素子は、各画素電極列に
沿わせて信号線１１が配線されているため、この信号線
１１とそれに隣接する画素電極３との間に、信号線１１
に供給されるデータ信号の電位と画素電極３の電位との
差に応じた横電界と呼ばれる電界が発生する。

【００２５】なお、この横電界は、走査線１０と画素電
極３との間にも発生するが、走査線１０はゲート絶縁膜
６と保護絶縁膜１２の二層の絶縁膜で覆われているた
め、走査線１０と画素電極３との間に生じる横電界は極
く小さい。

【００２６】図６および図７において、Ｅは、信号線１
１と画素電極３との間に発生する横電界を示しており、
図６に示した横電界Ｅは、信号線１１の縦配線部と画素
電極３との間の電界であり、図７に示した横電界Ｅは、
信号線１１の横配線部と画素電極３との間の電界であ
る。

【００２７】このような横電界Ｅが生じると、この横電
界Ｅの影響を受ける領域（配向膜１３，１９の配向規制
力に打ち勝つ強さの電界が作用する領域）の液晶分子
（図にハッチングを施して示した分子）２０ａが、前記
横電界Ｅの向きに沿って配向する。

【００２８】この横電界Ｅの向きは、信号線１１を境に
してその一方の側と他方の側とで互いに逆であり、した
がって、信号線１１とその一方の側の画素電極３との間
に生じる横電界Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向と、
信号線１１とその他方の側の画素電極３との間に生じる
横電界Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向とは互いに逆
向きである。

【００２９】一方、上記横電界Ｅの影響を受けない領域
での液晶分子２０ａの配向状態（画素電極３と対向電極
１８との間に電圧を印加していないときの配向状態）を
見ると、この領域の液晶分子２０ａは、裏側基板１の近
傍では、この裏側基板１の配向膜１３の膜面に対してそ
の配向処理方向ａ（図６においては図の表側に向かって
斜め左方向、図７においては図の裏側に向かって斜め左
方向）に沿って、この配向処理方向に向かう側の分子端
が斜めに立ち上がるようにプレチルトした状態で一様に
配向し、表側基板２の近傍では、この表側基板２の配向
膜１９の膜面に対してその配向処理方向ｂ（図６におい
ては図の裏側に向かって斜め左方向、図７においては図
の裏側に向かって斜め右方向）に沿って、この配向処理
方向に向かう側の分子端が斜めに立ち上がるようにプレ
チルトした状態で一様に配向している。

【００３０】このため、信号線１１とその一方の側（図
６および図７において信号線１１の右側）の画素電極３
との間に生じる横電界Ｅによる液晶分子２０ａの配向方
向は、配向膜１３，１９による配向方向とあまり変わら
ない方向であるが、信号線１１とその他方の側（図６お
よび図７において信号線１１の左側）の画素電極３との
間に生じる横電界Ｅによる液晶分子２０ａの配向方向
は、配向膜１３，１９による配向方向に対してほとんど
逆の方向であり、したがってこの側に、横電界Ｅの影響
範囲とその外側との境界において液晶分子２０ａの配向
状態が逆になったディスクリネーションが生じる。

【００３１】この液晶分子２０ａの配向状態が逆になる
境目、つまり図６〜図８に一点鎖線で示した境界線Ｄ
は、ディスクリネーションラインと呼ばれており、この
ディスクリネーションラインＤは、画素電極３の両側の
信号線１１のうちの画素電極上の配向膜１３の配向処理
方向ａとは逆方向の側の信号線１１と前記画素電極３と
の間に発生する。

【００３２】このため、従来の液晶表示素子は、その各
画素（遮光膜１６の各開口１６ａに対応する領域）内
に、上記ディスクリネーションラインＤに沿った欠陥が
生じるという問題をもっている。

【００３３】この欠陥は、一対の偏光板２１，２２をそ
の透過軸を互いにほぼ平行にして配置したネガ表示タイ
プの液晶表示素子ではディスクリネーションラインＤに
沿った光漏れ、一対の偏光板２１，２２をその透過軸を
互いにほぼ直交させて配置したポジ表示タイプの液晶表
示素子ではディスクリネーションラインＤに沿った影で
あり、特にネガ表示タイプの液晶表示素子では、各画素
内に光漏れがあると、その輝きにより画素全体が薄くぼ
けて見えるため、上記ディスクリネーションによる画質
への影響がより大きい。

【００３４】この発明は、信号線と画素電極との間に発
生する横電界の影響によるディスクリネーションの発生
をなくして高品質の画像を表示することができる液晶表
示素子を提供することを目的としたものである。

【００３５】

【課題を解決するための手段】この発明は、行方向およ
び列方向に配列する複数の画素電極と、これらの画素電
極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子と、各
画素電極行にそれぞれ沿わせて配線されその行の前記ス
イッチング素子にその制御信号を供給する複数本の走査
線と、各画素電極列にそれぞれ沿わせて配線されその列
の前記スイッチング素子にデータ信号を供給する信号線
とを設けるとともに、その上に配向膜を形成した一方の
基板と、この一方の基板の各画素電極に対向する対向電
極を設けるとともにその上に配向膜を形成した他方の基
板との間に液晶を介在させたアクティブマトリックス型
の液晶表示素子において、前記画素電極を、その上の配
向膜の配向処理方向にずらして形成し、この画素電極
を、その両側の信号線のうちの前記配向処理方向とは逆
方向の側の信号線から遠ざけたことを特徴とするもので
ある。

【００３６】この発明は、信号線と画素電極との間に発
生する横電界のうち、ディスクリネーションを発生させ
る向きの横電界を小さくして、ディスクリネーションの
発生をなくしたものである。

【００３７】すなわち、前記横電界は、信号線を境にし
てその一方の側と他方の側とに互いに逆向きに発生する
が、これらの横電界のうち、ディスクリネーションを発
生させるように作用するのは、画素電極の両側の信号線
のうちの画素電極上の配向膜の配向処理方向とは逆方向
の側の信号線と前記画素電極との間に発生する電界であ
る。

【００３８】そこで、この発明では、前記画素電極を、
その上の配向膜の配向処理方向にずらして形成して、こ
の画素電極を、前記画素電極の両側の信号線のうちの前
記配向処理方向とは逆方向の側の信号線から遠ざけたの
であり、このようにすれば、前記逆方向の側の信号線と
画素電極との間に発生する横電界、つまり、ディスクリ
ネーションを発生させる向きの横電界が小さくなるた
め、この側でのディスクリネーションの発生がなくな
る。

【００３９】ただし、画素電極をその上の配向膜の配向
処理方向にずらすと、この配向処理方向の側の信号線と
画素電極との間隔が小さくなるため、その間に発生する
横電界が大きくなるが、この横電界は液晶分子を配向膜
による配向方向とあまり変わらない方向に配向させる向
きの電界であるため、この側にディスクリネーションが
発生することはない。

【００４０】したがって、この発明の液晶表示素子によ
れば、信号線と画素電極との間に発生する横電界の影響
によるディスクリネーションの発生をなくして、高品質
の画像を表示することができる。

【００４１】

【発明の実施の形態】この発明の液晶表示素子において
は、画素の大きさを規定する格子状パターンの遮光膜の
各開口を、前記配向処理方向にずらして形成するのが望
ましく、このようにすれば、画素の面積を大きくして充
分な開口率を得ることができる。

【００４２】

【実施例】図１〜図４は、多色カラー画像を表示するア
クティブマトリックス型液晶表示素子にこの発明を適用
した一実施例を示しており、図１は液晶表示素子の１つ
の画素行の一部分の正面図、図２は前記画素行に隣接す
る画素行の１つの画素部の正面図、図３は図１の III−
III 線に沿う拡大断面図、図４は図１のIV−IV線に沿う
拡大断面図である。

【００４３】なお、この実施例の液晶表示素子は、画素
電極３と遮光膜１６の形成状態が図５〜図８に示した従
来の液晶表示素子と異なるが、他の構成は従来のものと
同じであるから、対応するものには同符号を付し、同一
のものについてはその説明を省略する。

【００４４】この実施例の液晶表示素子では、裏側基板
１の内面に設ける各画素電極３を、その上の配向膜１３
の配向処理方向ａ（図１と図２において画素電極３の左
側縁および下縁方向）に延長して形成し、この画素電極
３を、前記画素電極３の両側の信号線１１のうちの前記
配向処理方向ａとは逆方向の側の信号線（図１では画素
電極３の右側の信号線の縦配線部と画素電極３の上縁に
沿う横配線部、図２では画素電極３の右側の信号線の縦
配線部）から遠ざけている。

【００４５】図１〜図４において、Ｌ1 およびＬ2 は、
前記配向処理方向ａとは逆方向の側の信号線１１の縦配
線部および画素電極３の上縁に沿う横配線部と前記画素
電極３との間隔であり、これらのＬ1 ，Ｌ2 は、従来の
液晶表示素子に比べてかなり大きくなっている。

【００４６】また、この液晶表示素子では、その表側基
板２の内面に設ける遮光膜１６の各開口１６ａを、前記
配向処理方向ａにずらして形成している。なお、この遮
光膜１６の開口１６ａの大きさは、従来の液晶表示素子
の遮光膜の開口とほぼ同じであり、この開口１６ａの前
記配向処理方向ａへのずらし量は、前記画素電極３のず
らし量とほぼ同じである。

【００４７】この実施例の液晶表示素子では、画素電極
３を、その上の配向膜１３の配向処理方向ａにずらして
形成し、この画素電極３を、その両側の信号線１１のう
ちの前記配向処理方向ａとは逆方向の側の信号線から離
しているため、信号線１１と画素電極３との間に発生す
る横電界Ｅのうち、ディスクリネーションを発生させる
向きの横電界を小さくして、ディスクリネーションの発
生をなくすことができる。

【００４８】すなわち、前記横電界Ｅは、［発明が解決
しようとする課題］の項で説明したように、信号線１１
を境にしてその一方の側と他方の側とに互いに逆向きに
発生するが、これらの横電界のうち、ディスクリネーシ
ョンを発生させるように作用するのは、画素電極３の両
側の信号線１１のうちの画素電極３上の配向膜１３の配
向処理方向ａとは逆方向の側の信号線と前記画素電極３
との間に発生する電界である。

【００４９】そこで、この実施例の液晶表示素子では、
前記画素電極３を、その上の配向膜１３の配向処理方向
ａにずらして形成して、この画素電極３を、その両側の
信号線１１のうちの前記配向処理方向ａとは逆方向の側
の信号線から遠ざけたのであり、このようにすれば、前
記逆方向の側の信号線１１と画素電極３との間に発生す
る横電界、つまり、ディスクリネーションを発生させる
向きの横電界が小さくなるため、この側でのディスクリ
ネーションの発生がなくなる。なお、この側の横電界は
かなり小さいため、図３および図４には示していない。

【００５０】ただし、画素電極３をその上の配向膜１３
の配向処理方向ａにずらすと、この配向処理方向ａの側
の信号線１１と画素電極３との間隔が図１〜図４のよう
に小さくなるため、その間に発生する横電界Ｅが大きく
なるが、この横電界Ｅは液晶分子２０ａを配向膜１３に
よる配向方向とあまり変わらない方向に配向させる向き
の電界であるため、この側にディスクリネーションが発
生することはない。

【００５１】したがって、上記液晶表示素子によれば、
信号線１１と画素電極３との間に発生する横電界の影響
によるディスクリネーションの発生をなくして、画素Ａ
内に光漏れ（ネガ表示タイプの場合）や影（ポジ表示タ
イプの場合）のない、高品質の画像を表示することがで
きる。

【００５２】また、上記実施例の液晶表示素子において
は、画素電極３を、その上の配向膜１３の配向処理方向
ａにも延長して形成し、画素Ａの大きさを規定する格子
状パターンの遮光膜１６の各開口１６ａを、画素電極３
と同様に前記配向処理方向ａにずらして形成しているた
め、画素Ａの面積を大きくして充分な開口率を得ること
ができる。

【００５３】なお、上記実施例の液晶表示素子は、赤，
緑，青の画素をモザイク状の配列パターンで表示するも
のであるが、この発明は、各色の画素をそれぞれ列方向
に直線状に配列しているアクティブマトリックス型液晶
表示素子や、白黒画像を表示するアクティブマトリック
ス型液晶表示素子にも適用することができる。

【００５４】

【発明の効果】この発明の液晶表示素子によれば、画素
電極を、その上の配向膜の配向処理方向にずらして形成
し、この画素電極を、その両側の信号線のうちの前記配
向処理方向とは逆方向の側の信号線から遠ざけているた
め、信号線と画素電極との間に発生する横電界のうち、
ディスクリネーションを発生させる向きの横電界を小さ
くすることができ、したがって、前記横電界の影響によ
るディスクリネーションの発生をなくして、高品質の画
像を表示することができる。

【００５５】また、この発明の液晶表示素子において、
画素の大きさを規定する格子状パターンの遮光膜の各開
口を、前記配向処理方向にずらして形成すれば、画素の
面積を大きくして充分な開口率を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す液晶表示素子の１つ
の画素行の一部分の正面図。

【図２】前記画素行に隣接する画素行の１つの画素部の
正面図。

【図３】図１の III−III 線に沿う拡大断面図。

【図４】図１のIV−IV線に沿う拡大断面図。

【図５】従来のアクティブマトリックス型液晶表示素子
の一部分の正面図。

【図６】図５のVI−VI線に沿う拡大断面図。

【図７】図５の VII−VII 線に沿う拡大断面図。

【図８】図５の１つの画素部の拡大図。

【符号の説明】

１，２…基板 ３…画素電極 ４…スイッチング素子 １０…走査線 １１…信号線 １３…配向膜 ａ…配向処理方向 １６…遮光膜 １６ａ…開口 Ａ…画素 １７…カラーフィルタ １８…対向電極 １９…配向膜 ｂ…配向処理方向 ２０ａ…液晶分子 Ｅ…横電界

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】行方向および列方向に配列する複数の画素
   電極と、これらの画素電極にそれぞれ接続された複数の
   スイッチング素子と、各画素電極行にそれぞれ沿わせて
   配線されその行の前記スイッチング素子にその制御信号
   を供給する複数本の走査線と、各画素電極列にそれぞれ
   沿わせて配線されその列の前記スイッチング素子にデー
   タ信号を供給する信号線とを設けるとともに、その上に
   配向膜を形成した一方の基板と、この一方の基板の各画
   素電極に対向する対向電極を設けるとともにその上に配
   向膜を形成した他方の基板との間に液晶を介在させたア
   クティブマトリックス型の液晶表示素子において、 前記画素電極を、その上の配向膜の配向処理方向にずら
   して形成し、この画素電極を、前記画素電極の両側の信
   号線のうちの前記配向処理方向とは逆方向の側の信号線
   から遠ざけたことを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】前記他方の基板には、画素の大きさを規定
   する格子状パターンの遮光膜が設けられており、その各
   開口も、前記配向処理方向にずらして形成されているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。