JPH09311154A - 帯電粒子の比電荷測定方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】測定所要時間が短く小型で高精度の帯電粒子の
比電荷測定方法及び装置を提供することを目的とする。 【解決手段】方向Ａに流れる気流１１を発生させるファ
ン１３と、方向Ａと平行に、かつ互いに対向するように
配置された一対の平行電極１２ａ，１２ｂを有し平行電
極１２ａ，１２ｂ間に電界を形成する電界形成手段と、
平行電極１２ａ，１２ｂ間を通過した帯電したトナー粒
子１が横断するように設定された横断面１５をトナー粒
子１が横断する際の横断面１５上の横断点１５ａを検出
する光センサ１６とを備え、光センサ１６で検出された
横断点１５の位置情報に基づいてトナー粒子１の比電荷
を求める比電荷演算手段とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子写真現
像剤として用いられるトナー粒子などの帯電粒子の比帯
電を測定する帯電粒子の比電荷測定方法及びその方法の
実施に好適な帯電粒子の比電荷測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、電子写真現像剤としてトナー
粒子が広く用いられており、トナー粒子の物性に関する
多くの研究が行われている。トナー粒子の物性のうち、
帯電したトナー粒子の比電荷（電荷量／質量）は、電子
写真の原理に関係する最も重要なパラメータとして認識
されており、そのため、帯電したトナー粒子の比電荷の
測定方法及び測定装置について多くの提案がなされてい
る。それらのうち、高精度の測定装置として、特公平１
−４７７８６号公報及び特開平４−２５７７２号公報に
は、所定方向に流れる気流と、その気流を横切る方向に
延びる電気力線を持つ電界とにより帯電粒子を偏倚さ
せ、その偏倚量から帯電粒子の比電荷を測定する装置が
提案されている。

【０００３】図９は、上記の特公平１−４７７８６号公
報に記載された第１の従来例の比電荷測定装置の斜視図
である。図９に示すように、この第１の従来例の比電荷
測定装置は、所定方向に一様の流速で流れる気流を生成
するためのファン３と、その気流を横切る方向に延びる
電気力線を持つ電界を形成するための互いに対向する電
極板２ａ，２ｂと、トナー粒子１を測定装置に供給する
ための粒子供給管４と、上記気流及び電界によるトナー
粒子１の偏倚を測定するための、トナー粒子１を捕捉す
る測定チャートが着脱自在に取り付けられる測定板５
と、測定板５上のトナー粒子１の分布状態を観察する観
察手段（図示せず）と、観察結果から演算によりトナー
粒子の比電荷を求める比電荷演算手段（図示せず）とか
ら成る。

【０００４】図９に示す比電荷測定装置において、気流
の流速と電界の強さが与えられると、トナー粒子１のＸ
方向への偏倚量は、トナー粒子１の粒径により一義的に
定まり、また、Ｙ方向への偏倚量は、トナー粒子１の粒
径及び帯電量により一義的に定まる。従って、トナー粒
子１のＸ方向への偏倚量を測定することによりトナー粒
子１の粒径が求められる。一方、トナー粒子１のＹ方向
への偏倚量を測定することによりトナー粒子１の帯電量
が求められ、トナー粒子１の密度は既知であるので、密
度と粒径とから質量が求められ、帯電量と質量とから比
電荷が求められる。これらの演算処理は上記の比電荷演
算手段に内蔵されたコンピュータにより行われる。

【０００５】いま、粒子供給管４から帯電されたトナー
粒子１が図９に示す比電荷測定装置に供給されると、ト
ナー粒子１は、ファン３により生成される気流によるＸ
方向の力と、電極板２ａ，２ｂにより形成される電界に
よるＹ方向の力と、重力によるＺ方向の力とによりＸ及
びＹ方向に偏倚しながら測定板５上の落下点５ａに落下
する。観察手段を用いて測定板５上に落下したトナー粒
子のＸ及びＹ方向の二次元濃度分布を観察し、その観察
結果に基づいて演算処理することにより、測定対象のト
ナー粒子全体としての比電荷分布が得られる。

【０００６】図１０は、上記の特開平４−２５７７２号
公報に記載された第２の従来例の比電荷測定装置の斜視
図である。図１０に示すように、この第２の従来例の比
電荷測定装置は、ファン３、互いに対向する電極板２
ａ，２ｂ、光源６、拡大光学系７、光電変換素子８、物
理量測定手段９、比電荷演算手段１０などを備えてい
る。ファン３により生成された矢印Ａ方向に一様の流速
で流れる気流中にトナー粒子１が供給されると、トナー
粒子１は電極板２ａ，２ｂにより形成された電界と上記
気流との作用により偏倚しながら落下する。落下するト
ナー粒子１は光源６で照射され、照射されたトナー粒子
１の像は拡大光学系７で拡大され、光電変換素子８で電
気信号に変換される。物理量測定手段９はその電気信号
に基づいてトナー粒子１の偏倚の経時変化を測定し、比
電荷演算手段１０はその測定結果に基づいてトナー粒子
の比電荷を求める。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
従来例においては、測定板５上に落下したトナー粒子の
濃度分布を測定するために測定板５上の測定チャートを
取り外す必要がある。測定チャートを取外してトナー粒
子の濃度分布を測定した後、測定装置内に残留したトナ
ー粒子の除去、清掃、測定チャートの取付けという一連
の操作が必要であり、測定の準備や後片付けを含めると
かなりの時間を必要とするという問題がある。そのた
め、比電荷測定装置の自動化や、電子写真装置のプロセ
ス制御用に比電荷測定装置を組み込むことは難しい。ま
た、この測定装置では、測定板５の近傍で空気の粘性抵
抗による乱流が起こり、トナー粒子が測定チャートに付
着する位置は理論値から若干外れるため、若干の測定誤
差を生じる恐れがある。

【０００８】また、第２の従来例においては、微小なト
ナー粒子を光学的に十分高い精度で測定するためには、
拡大光学系７の光路長を長くして高倍率の拡大像を光電
変換素子８に投影する必要があり、装置が大型になりや
すいという問題がある。そのため、電子写真装置のプロ
セス制御用として電子写真装置内に組み込むことが難し
い。また、空間中を移動するトナー粒子を横方向から観
察するため、２次元配列された光電変換素子アレイを用
いる必要があり、コスト高を招きやすい。また、拡大光
学系７のアライメントが測定精度に大きな影響を及ぼす
ので、装置のセットアップに時間がかかり、測定所要時
間が長くなるという問題もある。

【０００９】本発明は、上記の事情に鑑み、測定所要時
間が短く小型で高精度の帯電粒子の比電荷測定方法及び
その方法の実施に好適な帯電粒子の比電荷測定装置を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の帯電粒子の比電荷測定方法は、移動する帯電粒子
に、所定の方向の気流とその気流を横切る方向に延びる
電気力線を持つ電界とを作用させることにより帯電粒子
を偏倚させ、帯電粒子が横断するように設定された横断
面を帯電粒子が横断する際の、その横断面上の、上記偏
倚に応じて変化する横断点を光センサで検出し、その光
センサで検出された横断点の位置情報に基づいて帯電粒
子の比電荷を測定することを特徴とする。

【００１１】また、上記の目的を達成する本発明の帯電
粒子の比電荷測定装置は、所定の方向の気流を発生させ
る気流発生手段と、上記所定方向と平行に、かつ互いに
対向するように配置された一対の平行電極を有しその平
行電極間に電界を形成する電界形成手段と、上記平行電
極間を通過した帯電粒子が横断するように設定された横
断面を帯電粒子が横断する際の、その横断面上の横断点
を検出する光センサと、上記光センサで検出された横断
点の位置情報に基づいて帯電粒子の比電荷を求める比電
荷演算手段とを備えたことを特徴とする。

【００１２】ここで、上記光センサが、複数の受光素子
が一次元的に配列されて成る光センサアレイを少なくと
も２つ備え、これらの光センサアレイが、これらの光セ
ンサアレイの視野が上記横断面内に広がると共にこれら
の光センサアレイの視野どうしがその横断面上で互いに
交差するように配置されて成るものであることが好まし
い。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の帯電粒子の比電荷測定装置
の第１の実施形態の斜視図である。図１を参照しつつ、
本発明の帯電粒子の比電荷測定方法の原理並びに帯電粒
子の比電荷測定装置について説明する。

【００１４】図１に示すように、この比電荷測定装置１
００には、鉛直方向（矢印Ａ方向）に流れる気流１１を
発生させる気流発生手段としての矢印Ｂ方向に回転する
ファン１３と、気流１１の方向Ａと平行で、かつ互いに
対向するように配置された一対の平行電極１２ａ，１２
ｂとが備えられている。平行電極１２ａ，１２ｂ間に
は、図示しない電源装置により電圧が印加されて電界が
形成され、気流１１を横切る方向に電気力線が延びてい
る。平行電極１２ａ，１２ｂの下部には、平行電極１２
ａ，１２ｂの間隔と等しい長さの光源１７及び光センサ
１６が配置されている。光源１７及び光センサ１６に挟
まれた空間は、トナー粒子１が横断するのを観察するた
めの横断面１５に相当する。

【００１５】帯電したトナー粒子１が粒子供給管１４に
より比電荷測定装置１００内に供給されると、トナー粒
子１は自然落下せずに上記の電界の作用により矢印Ｃ方
向に偏倚し、横断面１５上の横断点１５ａに落下する。
光源１７からの光がトナー粒子１によって遮られると、
光センサ１６の出力が変化する。これによりトナー粒子
１の横断面１５上の位置情報が検出される。この位置情
報は比電荷演算手段（図示せず）に伝達され、比電荷演
算手段はこの位置情報に基づいてトナー粒子１の比電荷
が求められる。

【００１６】この比電荷測定装置１００の場合、トナー
粒子１は電気力線の延びる方向に偏倚するのみなので、
トナー粒子１の横断面１５上の位置を検出するための光
センサ１６としては、平行電極１２ａ，１２ｂ間の間隔
と同じ長さを持つ一次元ラインセンサが１台備えられて
いればよい。なお、光源１７は、図１には、光センサ１
６と同じ長さを持ち、一次元ラインセンサに対応した線
状の光源１７が示されているが、必ずしもこのような線
状の光源を用いる必要はなく、横断面１５全体を１点か
ら放射状に照射する点光源を用いてもよい。

【００１７】この第１の実施形態によるトナー粒子の比
電荷測定の結果、測定チャートの着脱や測定装置の清掃
などのための時間が不要となるため、測定所要時間は従
来例の約１／３に短縮され、しかも、従来と同等または
それ以上の高精度で比電荷の分布を測定することができ
る。次に、本発明の第２の実施形態について説明する。

【００１８】図２は、本発明の帯電粒子の比電荷測定装
置の第２の実施形態の斜視図である。図２を参照しつ
つ、第２の実施形態の帯電粒子の比電荷測定装置につい
て説明する。図２に示すように、この比電荷測定装置２
００には、矢印Ａ方向に流れる気流２１を発生させる矢
印Ｂ方向に回転するファン２３と、気流の方向Ａと平行
で、かつ互いに対向するように配置された一対の平行電
極２２ａ，２２ｂとが備えられている。平行電極２２
ａ，２２ｂ間には、図示しない電源装置により電圧が印
加されて電界が形成され、気流２１を横切る方向に電気
力線が延びている。平行電極２２ａ，２２ｂの下部に
は、平行電極２２ａ，２２ｂの長さ及び両電極の間隔と
等しい長さの光センサ２６ａ，２６ｂ及びこれに対応す
る光源２７ａ，２７ｂが配置されている。これらの光セ
ンサ２６ａ，２６ｂ及び光源２７ａ，２７ｂに囲まれた
空間は、トナー粒子１が横断するのを観察するための横
断面２５に相当する。

【００１９】光センサ２６ａ，２６ｂは、複数の受光素
子が一元的に配列されて成る光センサアレイから成る。
これらの光センサアレイ（光センサ２６ａ，２６ｂ）
は、これらの光センサアレイの視野が横断面２５内に広
がると共に、これらの光センサアレイの視野どうしが横
断面２５上で互いに交差するように配置されている。帯
電したトナー粒子１が粒子供給管２４により比電荷測定
装置２００内に供給されると、トナー粒子１は自然落下
せずに上記の気流と電界との双方の作用により矢印Ｃ方
向に偏倚し、横断面２５上の横断点２５ａに落下する。
光源２７ａ，２７ｂからの光がトナー粒子１によって遮
られると、光センサ２６ａ，２６ｂの出力が変化する。
これによりトナー粒子１の横断面２５上の位置情報が検
出される。この位置情報は比電荷演算手段（図示せず）
に伝達され、比電荷演算手段はこの位置情報に基づいて
トナー粒子１の比電荷を求める。

【００２０】この比電荷測定装置２００の場合、トナー
粒子１は気流の流れる方向及び電気力線の延びる方向の
２つの方向に偏倚するので、トナー粒子１の横断面２５
上の位置を検出するための光センサ２６ａ，２６ｂとし
て、平行電極２２ａ，２２ｂ間の間隔と同じ長さを有す
る一次元ラインセンサが１台と、平行電極２２ａ，２２
ｂ間の水平部の長さと同じ長さを有する一次元ラインセ
ンサが１台必要である。これに対応する光源としては、
図２には、光センサ２６ａ，２６ｂと同じ長さを有し、
光センサ２６ａ，２６ｂに対して平行光線を出射する線
状の光源２７ａ，２７ｂが示されているが、必ずしもこ
のような線状の光源を２つ用いる必要はなく、横断面２
５全体を１点から放射状に照射する点光源を用いてもよ
い。

【００２１】次に、図３及び図４を参照しながら本発明
の帯電粒子の比電荷測定装置の構成と機能について詳し
く説明する。図３は、図２に示した本発明の帯電粒子の
比電荷測定装置の第２の実施形態の構成図である。図３
に示すように、この比電荷測定装置２００は、矢印Ａ方
向に流れる気流を発生させるファン２３と、気流の方向
Ａと平行に配置された一対の平行電極２２ａ，２２ｂ
と、トナー粒子１を測定装置内に供給する粒子供給管２
４と、一対の光源２７ａ，２７ｂと、一対の光センサ２
６ａ，２６ｂと、比電荷演算手段１０とを備えている。
比電荷演算手段１０は、光センサ２６ａ，２６ｂが検出
したトナー粒子１の横断面上の横断点２５ａ（図２参
照）の位置情報を受け取り、この位置情報に基づき演算
処理によりトナー粒子１の比電荷を求める。なお、図３
には、光源２７ａ及び光センサ２６ａは図示省略されて
いる。

【００２２】図４は、図３の帯電粒子の比電荷測定装置
の測定主要部の側面図である。図４に示すように、この
帯電粒子の比電荷測定装置の測定主要部は、気流導入部
２８、測定部２０、気流排出部２９に分けることができ
る。気流導入部２８及び気流排出部２９は、ファン２３
から測定部２０に導入される気流の流速が測定部２０の
断面内で全て一様となるように気流を整流する役割を持
ち、気流と平行な向きに並んだ多数の整流板が格子状の
断面形状に組み合わされて構成されている。測定部２０
の高さ方向の中間部には、光源２７ａ，２７ｂ及び光セ
ンサ２６ａ，２６ｂ（図２参照）が配備されており、そ
れらの光源及び光センサにより横断面２５が形成され
る。測定部２０の上部に設けられた粒子供給管２４の粒
子供給孔２４ａから供給され、軌跡Ｃを描いて落下する
トナー粒子１は、横断面２５上の横断点２５ａにおいて
光センサ２６ａ，２６ｂにより検出される。トナー粒子
１はさらに落下を続け気流排出部２９を経て装置外に排
出される。

【００２３】なお、ファン２３の配置位置は必ずしも気
流導入部２８の入り口側である必要はなく、気流排出部
２９の出口側でもよい。図５は、本発明の第２の実施形
態における測定部の斜視図であり、図６は、図５に示し
た測定部を上方から見た平面図である。図５に示すよう
に、この測定部２０には、一対の平行電極２２ａ，２２
ｂの下部に、光源２７ａ，２７ｂ及び光センサ２６ａ，
２６ｂが配備され、これらに囲まれた方形状の横断面２
５が形成される。光源２７ａ，２７ｂとしては半導体レ
ーザーアレイが用いられ、光センサ２６ａ，２６ｂとし
ては一次元ＣＣＤアレイが用いられる。粒子供給孔２４
ａ（４参照）から供給されたトナー粒子１は、平行電極
２２ａ，２２ｂに平行な方向Ａに流れる気流と平行電極
２２ａ，２２ｂによる電界との作用により偏倚し軌跡Ｃ
を描いて落下し、横断面２５上で光センサ２６ａ，２６
ｂにより検出される。

【００２４】図６（ａ）は、２つの光源２７ａ，２７ｂ
を常時発光しておき、これらから出射した光をそれぞれ
光センサ２６ａ，２６ｂで受光した場合の、横断面２５
上のトナー粒子１の横断点２５ａとその光センサ２６
ａ，２６ｂへの投影状態を示している。図６（ａ）に示
すように、光センサ２６ａ，２６ｂにそれぞれ、トナー
粒子１の陰１ａ，１ｂが発生している。この陰１ａ，１
ｂに対応した信号が光センサ２６ａ，２６ｂから比電荷
演算手段１０（図３参照）に送られる。比電荷演算手段
１０はこの信号からトナー粒子１の位置情報を求め、そ
の位置情報に基づきトナー粒子１の比電荷を求める。

【００２５】ところで、トナーの粒径が小さい場合、光
源２７ａ，２７ｂから出射される半導体レーザ光の広が
り具合によっては、レーザ光の一部がトナー粒子の陰１
ａ，１ｂにも照射され、トナー粒子の陰が薄くなり検出
精度を低下させる場合がある。このような場合は、図６
（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、光源２７ａと光源
２７ｂとを交互に発光させることにより、それぞれ他方
の光源からの光の入射を無くすことにより検出精度を向
上させることができる。なお、光源（半導体レーザアレ
イ）の発光周期は１ｋＨｚである。

【００２６】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図７は、本発明の帯電粒子の比電荷測定装置の
第３の実施形態における測定部の斜視図、図８は本発明
の第３の実施形態における測定部の平面図である。図７
（ａ）は、第３の実施形態における測定部３０の斜視図
である。平行電極３２ａ，３２ｂの下部に、光センサ３
６ａ，３６ｂ，３６ｃにより３方をコの字形に囲まれた
横断面３５が形成されている。コの字の解放端は、気流
の方向Ａの反対側、すなわち気流排出側に位置してい
る。コの字の解放端側の両端部には光源３７ａ，３７ｂ
が配置されている。光センサ３６ａ，３６ｂ，３６ｃと
しては１次元ＣＣＤアレイが用いられ、また、光源３７
ａ，３７ｂとしては半導体レーザが用いられる。光源３
７ａ，３７ｂの発光側には光学系が配置され、光が横断
面３５内を均一に拡散するようになっている。

【００２７】粒子供給管（図示せず）から供給されたト
ナー粒子１は、平行電極３２ａ，３２ｂに平行な方向Ａ
に流れる気流と平行電極３２ａ，３２ｂによる電界との
作用により偏倚し軌跡Ｃを描いて落下し、横断面３５上
で光源３７ａ，３７ｂに照射され、光センサ３６ａ，３
６ｂ，３６ｃにより検出される。すなわち、図８に示す
ように、光センサ３６ａ上及び光センサ３６ｃ上にそれ
ぞれトナー粒子１の陰１ａ，１ｃが発生する。この陰１
ａ，１ｃの信号が光センサ３６ａ，３６ｃから比電荷演
算手段１０（図３参照）に送られる。比電荷演算手段１
０は、この信号に基づいてトナー粒子１の比電荷を求め
る。

【００２８】図７（ｂ）は、図７（ａ）の変形例を示す
斜視図である。この測定部３０’では、コの字の解放端
は気流導入側に位置しており、コの字の解放端側の両端
部に光源３７ａ，３７ｂが配置されている。図７（ａ）
に示した実施形態による測定精度と、図７（ｂ）に示し
た実施形態による測定精度とを比較すると、図７（ｂ）
に示した実施形態の場合の測定精度が図７（ａ）の場合
の測定精度より若干良好である。これは、図７（ｂ）に
示した実施形態における光源３７ａ，３７ｂの取付け位
置が、測定部に導入される気流を乱さない位置であるた
めと考えられる。

【００２９】なお、第３の実施形態においても、第１の
実施形態における図４（ｂ）及び図４（ｃ）と同様、二
つの光源を交互に発光させるようにしてもよい。以上の
各実施形態において、帯電したトナー粒子を測定対象と
する例について説明したが、本発明の測定対象は帯電し
たトナー粒子に限られるものではなく、帯電粒子すべて
を測定対象とすることができる。

【００３０】また、以上の各実施形態において、気流発
生手段としてファンを用いた例について説明したが、本
発明の気流発生手段はファンに限られるものではなく、
測定部の断面内で一様な流速の気流が得られる手段であ
ればどのような気流発生手段でもよい。また、以上の各
実施形態において、電界形成手段として一対の平行電極
と電源装置とにより電界を形成する例について説明した
が、本発明の電界形成手段はこれに限られるものではな
く、測定部において、気流を横切る方向に延びる電気力
線が得られる手段であればどのような電界形成手段でも
よい。

【００３１】また、光センサは、上記の各実施形態にお
いて示した一次元ＣＣＤアレイのみに限られるものでは
なく、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタな
どでもよい。また、光センサの形状も必ずしも直線状に
限られるものではなく、例えば円弧状などでもよい。ま
た、上記各実施形態では、測定部の平面形状が方形であ
る例について説明したが、測定部の平面形状は方形に限
られものではなく、使用目的に合わせて適切な形状を選
べばよい。また、気流導入部、気流排出部の平面形状に
ついてもその機能を満たす範囲内で自由に設計すること
ができ、例えば矩形、円筒、円錐、楕円、あるいは、は
ちの巣のように複数の管が組み合わされた構造としても
よい。

【００３２】また、複数の光源を周期的に切り換えて発
光させる方式の場合には、その発光周期は、帯電粒子の
移動速度を検出できる周期であればよく、前述のように
必ずしも１ｋＨｚの周期で発光させる必要はない。ま
た、測定部における横断面の形成位置は、平行電極の下
部に限られるものでなく、要は、帯電粒子に及ぼす気流
及び電界の作用を正確に把握できる位置であればよい。

【００３３】また、測定装置の光源としては、半導体レ
ーザのみに限られるものではなく、例えば一般のレー
ザ、ＬＥＤ、蛍光灯、紫外線ランプなどでもよい。ま
た、これらの光源を固定的に発光させるだけでなく、例
えばポリゴンミラー、マイクロミラーなどを用いて光線
を走査させながら測定するように装置を構成してもよ
い。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の帯電粒子
の比電荷測定装置によれば、帯電粒子に気流と電界とを
作用させることにより帯電粒子を偏倚させ、帯電粒子が
横断するように設定された横断面を帯電粒子が横断する
際の横断点を光センサで検出することにより、帯電粒子
の比電荷を測定するように構成したため、従来のように
測定の度毎の測定チャート着脱作業や装置の清掃作業な
どが不要となり、測定所要時間を大幅に短縮することが
できる。

【００３５】また、本発明の帯電粒子の比電荷測定装置
によれば、大型の光学系を用いる必要がないため、小型
で安価な、かつ高精度の帯電粒子の比電荷測定方法及び
装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の帯電粒子の比電荷測定装置の第１の実
施形態の斜視図である。

【図２】本発明の帯電粒子の比電荷測定装置の第２の実
施形態の斜視図である。

【図３】図２に示した本発明の帯電粒子の比電荷測定装
置の第２の実施形態の構成図である。

【図４】図３の帯電粒子の比電荷測定装置の測定主要部
の側面図である。

【図５】本発明の第２の実施形態における測定部の斜視
図である。

【図６】図５に示した測定部を上方から見た平面図であ
る。

【図７】本発明の帯電粒子の比電荷測定装置の第３の実
施形態における測定部の斜視図である。

【図８】本発明の第３の実施形態における測定部の平面
図である。

【図９】第１の従来例の比電荷測定装置の斜視図であ
る。

【図１０】第２の従来例の比電荷測定装置の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ トナー粒子 １０ 比電荷演算手段 １１ 気流 １２ａ，１２ｂ 平行電極 １３ ファン １４ 粒子供給管 １５ 横断面 １５ａ 横断点 １６ 光センサ １７ 光源 ２０ 測定部 ２１ 気流 ２２ａ，２２ｂ 平行電極 ２３ ファン ２４ 粒子供給管 ２４ａ 粒子供給孔 ２５ 横断面 ２５ａ 横断点 ２６ａ，２６ｂ 光センサ ２７ａ，２７ｂ 光源 ２８ 気流導入部 ２９ 気流排出部 １００，２００ 比電荷測定装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 毅 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社海老名事業所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 移動する帯電粒子に、所定の方向の気流
   と該気流を横切る方向に延びる電気力線を持つ電界とを
   作用させることにより、該帯電粒子を偏倚させ、 該帯電粒子が横断するように設定された横断面を該帯電
   粒子が横断する際の、該横断面上の、前記偏倚に応じて
   変化する横断点を光センサで検出し、 該光センサで検出された横断点の位置情報に基づいて前
   記帯電粒子の比電荷を測定することを特徴とする帯電粒
   子の比電荷測定方法。
2. 【請求項２】 所定の方向の気流を発生させる気流発生
   手段と、 前記所定方向と平行に、かつ互いに対向するように配置
   された一対の平行電極を有し該平行電極間に電界を形成
   する電界形成手段と、 前記平行電極間を通過した帯電粒子が横断するように設
   定された横断面を該帯電粒子が横断する際の、該横断面
   上の横断点を検出する光センサと、 前記光センサで検出された横断点の位置情報に基づいて
   前記帯電粒子の比電荷を求める比電荷演算手段とを備え
   たことを特徴とする帯電粒子の比電荷測定装置。
3. 【請求項３】 前記光センサが、複数の受光素子が一次
   元的に配列されて成る光センサアレイを少なくとも２つ
   備え、これらの光センサアレイが、これらの光センサア
   レイの視野が前記横断面内に広がると共にこれらの光セ
   ンサアレイの視野どうしが該横断面上で互いに交差する
   ように配置されて成ることを特徴とする請求項２記載の
   帯電粒子の比電荷測定装置。