JPH09307132A - 太陽電池装置およびその製造方法 - Google Patents

太陽電池装置およびその製造方法

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JPH09307132A
JPH09307132A JP8124781A JP12478196A JPH09307132A JP H09307132 A JPH09307132 A JP H09307132A JP 8124781 A JP8124781 A JP 8124781A JP 12478196 A JP12478196 A JP 12478196A JP H09307132 A JPH09307132 A JP H09307132A
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JP
Japan
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solar cell
metal layer
thin film
external light
film metal
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Application number
JP8124781A
Other languages
English (en)
Inventor
Kanetaka Sekiguchi
関口　　金孝
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Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Abstract

(57)【要約】 【課題】 可視光全領域に関して平均かつ均一な反射量
を確保することができる太陽電池装置を提供。 【解決手段】 太陽電池１３の外光を受光する外光方向
に設けられ太陽電池１３からの反射光を減衰し、外光を
一部反射し、残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金
属層の外光方向に設けられ外光に対してその任意の波長
範囲を所定の透過率に制御する光学部材とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光をエネルギー源
として使用する太陽電池装置およびその製造方法に関す
るものである。また、太陽電池装置の外観を改善するた
めの構造およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコンや多結晶シリコンやアモ
ルファスシリコンの材料で形成される太陽電池は、時
計、電卓、ラジオなどの製品を駆動するためのエネルギ
ー源に使われている。
【０００３】しかしながら、従来の太陽電池をそのまま
製品に露出して設置していたので、太陽電池の色が外観
から見えてしまい、製品デザイン上の弊害となる。とく
に時計のような装飾品では、太陽電池によってデザイン
の多様性を阻害された場合、それらが製品価値に大きな
影響を及ぼすため、改善が強く望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この要望に応じ、太陽
電池の外光側（前面）に吸収フィルターを挿入したり、
光の透過範囲を規制するような着色層を挿入して、太陽
電池を直接見えないようにすることがたとえば特開平５
−２９６４１号公報にて提案されている。
【０００５】しかしながら、上述のように色吸収フイル
ターを使用した場合には、フイルター自身が入射光を吸
収してしまうために、太陽電池への光エネルギーの供給
量が減少してしまう。したがって、発電に必要な光エネ
ルギーを太陽電池へ供給しつつ、外部から太陽電池を見
えなくすることができない。
【０００６】また特開平５−２９６４１号公報に記載さ
れたような着色層を使用した場合には、太陽電池への光
エネルギーの供給量を確保しつつ太陽電池を見えなくす
ることは可能となる。しかし、この着色層を使用した場
合の外観品質はとても好ましい状態とはいえない。すな
わち、太陽電池の遮蔽効果を優先するために、着色層は
外観上濁った弱い反射色になってしまうため、デザイン
の多様化を図れるな状況にはない。
【０００７】本発明の目的は、このような技術的背景に
鑑みてなされるものであり、太陽電池に充分な光エネル
ギーを供給しつつ、外観からその太陽電池を視覚的に認
識できなくし、しかも多様な色彩を任意に形成すること
ができ、デザインの多様化に適する構成とその製造方法
を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の太陽電池装置とその製造方法において
は、下記記載の構成と製造方法とを採用する。
【０００９】本発明の太陽電池装置は、太陽電池の外光
を受光する外光方向に設けられ太陽電池からの反射光を
減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する薄膜金属層
と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外光に対して
その任意の波長範囲を所定の透過率に制御する光学部材
とを備えたことを特徴とする。
【００１０】本発明の太陽電池装置は、太陽電池の外光
を受光する外光方向に設けられ太陽電池からの反射光を
減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する薄膜金属層
と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外光に対して
その任意の波長範囲を所定の透過率に制御する光学部材
と、光学部材の外光側に設けられ光学部材からの反射光
を拡散して正面側に出射する拡散層とを備えたことを特
徴とする。
【００１１】本発明の太陽電池装置に使用する薄膜金属
層は、３０〜８０％の光の透過率を有していることを特
徴とする。
【００１２】本発明の太陽電池装置に使用する薄膜金属
層は、凹凸を有する透明基板上に設けていることを特徴
とする。
【００１３】本発明の太陽電池装置は、太陽電池の外光
を受光する外光方向に設けられた保護用絶縁膜と保護用
絶縁膜上に設けられ、かつ太陽電池からの反射光を減衰
し、外光を一部反射し、残りを透過する薄膜金属層と、
この薄膜金属層の外光方向に設けられ外光に対してその
任意の波長範囲を所定の透過率に制御する光学部材とを
備えたことを特徴とする。
【００１４】本発明の太陽電池装置に使用する太陽電池
上に設ける保護用絶縁膜には開口部を有し、太陽電池と
外部回路との接続部を有することを特徴とする。
【００１５】本発明の太陽電池装置は、太陽電池の外光
を受光する外光方向に設けられ太陽電池からの反射光を
減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する薄膜金属層
と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外光に対して
その任意の波長範囲を所定の透過率に制御する光学部材
とを備え、光学部材は薄膜金属層の陽極酸化膜を少なく
とも含む構成を有することを特徴とする。
【００１６】本発明の太陽電池装置は、太陽電池の外光
を受光する外光方向に設けられ太陽電池からの反射光を
減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する薄膜金属層
と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外光に対して
その任意の波長範囲を所定の透過率に制御する光学部材
とを備え、光学部材は薄膜金属層の陽極酸化膜と屈折率
が１．６以上の透明膜とを少なくとも含む構成を有する
ことを特徴とする。
【００１７】本発明の太陽電池装置の製造方法は、太陽
電池の外光を受光する外光方向に設けられ太陽電池から
の反射光を減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する
薄膜金属層と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外
光に対してその任意の波長範囲を所定の透過率に制御す
る光学部材とを配置する太陽電池装置の製造方法におい
て、膜厚が３〜１５ｎｍの薄膜金属層を形成工程と、薄
膜金属層上に光学部材を形成することを特徴とする。
【００１８】本発明の太陽電池装置の製造方法は、太陽
電池の外光を受光する外光方向に設けられ太陽電池から
の反射光を減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する
薄膜金属層と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外
光に対してその任意の波長範囲を所定の透過率に制御す
る光学部材とを配置する太陽電池装置の製造方法におい
て、膜厚が２０〜３０ｎｍの薄膜金属層を形成する工程
と、薄膜金属層の一部を陽極酸化処理により陽極酸化膜
を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１９】本発明の太陽電池装置の製造方法は、太陽
電池の外光を受光する外光方向に設けられ太陽電池から
の反射光を減衰し、外光を一部反射し、残りを透過する
薄膜金属層と、この薄膜金属層の外光方向に設けられ外
光に対してその任意の波長範囲を所定の透過率に制御す
る光学部材とを配置する太陽電池装置の製造方法におい
て、膜厚が２０〜３０ｎｍの薄膜金属層を形成する工程
と、薄膜金属層の一部を陽極酸化処理により陽極酸化膜
を形成する工程と、陽極酸化膜上の透明膜を形成する工
程する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】本発明の太陽電池装置の製造方法において
は、基板上に光起電力素子を形成する工程と、光起電力
素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に薄膜金属
層を形成する工程と、薄膜金属層上に光学的屈折率が
１．６以上の透明膜を形成する工程を有することを特徴
とする。
【００２１】本発明の太陽電池装置の製造方法において
は、基板上に光起電力素子を形成する工程と、光起電力
素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に薄膜金属
層を形成する工程と、薄膜金属層上に薄膜金属層を陽極
として薄膜金属層の陽極酸化膜を形成する工程と、陽極
酸化膜上に光学的屈折率が１．６以上の透明膜を形成す
る工程を有することを特徴とする。
【００２２】本発明の太陽電池装置の製造方法において
は、基板上に光起電力素子を形成する工程と、光起電力
素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に薄膜金属
層を形成する工程と、薄膜金属層上に薄膜金属層を陽極
として薄膜金属層の陽極酸化膜を形成する工程と、陽極
酸化膜上に光学的屈折率が１．６以上の複数の透明膜を
形成する工程を有し、透明膜には透明導電膜を含むこと
を特徴とする。
【００２３】本発明の太陽電池装置の製造方法は、基板
上に薄膜金属層を形成する工程と、薄膜金属層上に光学
的屈折率が１．６以上の透明膜を形成する工程と、太陽
電池を形成する基板上に薄膜金属層を有する基板を配置
する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】本発明の太陽電池装置には、太陽電池上に
薄膜金属層と光学屈折率が１．６以上の透明膜からなる
光学部材を有し、薄膜金属層により太陽電池の色彩とパ
ターン形状を遮蔽し、さらに光学部材の色彩の鮮やかに
するために一部反射するものである。
【００２５】さらに、薄膜金属層の膜厚を制御するため
に、薄膜金属層の一部を陽極酸化処理し、光学部材を構
成する透明膜として利用する。陽極酸化処理により形成
する陽極酸化膜の膜厚は安定なため、薄膜金属層の膜厚
は制御良く形成することができる。
【００２６】さらに、光学部材を構成する透明膜の一
部、とくに最上層に透明導電膜を利用することにより、
光学部材へのゴミの付着を少なくできる。そのため、太
陽電池装置を装飾用に利用する場合に有効である。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を実施するための最
良の形態における太陽電池装置について図面を参照しな
がら説明する。図１は、本発明の太陽電池装置を腕時計
に適用した場合の実施形態を説明するための外観模式図
であり、文字盤の内側に太陽電池が四分割に設置された
状態が示されている。図２は、図１におけるＡ−Ａ線に
おける断面を示す断面図である。
【００２８】時計ケース１１内にはガラス基板１２が固
定されている。このガラス基板１２の裏面には、アモル
ファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法で形成することに
より太陽電池１３が作成してある。一方、ガラス基板１
２の正面には、太陽電池１３からの反射光を遮蔽し、正
面側への出射光量を減少させ、さらに、外光を有効的に
干渉フイルター１５に供給しより色彩の優れる色を得る
ために薄膜金属層１４が設けてある。さらに薄膜金属層
１４の正面側の外光側には光学部材として干渉フイルタ
ー１５、拡散層１６が順次積層して設けてあり、拡散層
１６を文字板として兼用することにより太陽電池式腕時
計が構成されている。
【００２９】ここで薄膜金属層１４はタンタル膜を５ｎ
ｍの膜厚で設ける。薄膜金属層１４は、膜厚により透過
率を制御できる。さらに、薄膜金属層１４上の干渉フイ
ルター１５は、薄膜金属層１４の陽極酸化膜である酸化
タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜と透過率の大きな透明導電膜
である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる。
【００３０】ここで、干渉フイルター１５の膜厚と酸化
インジウムスズ膜の膜厚により色々な色彩を得ることが
できる。さらに干渉フイルター１５の最上層の拡散層１
６側に透明導電膜として酸化インジウムスズ膜を設ける
ことにより、静電気よる干渉フイルター１５へのゴミの
付着を防止できるとともに、静電破壊による干渉フイル
ター１５の色彩の変化を防止することができる。
【００３１】ここで拡散層１６としては、ガラスやプラ
スチックフィルムのような透明体の表面を機械的にあら
して粗面としたり、プラスチック表面を変質させるなど
の手段で形成することができる。またテフロンもしくは
デルリンのように分子構造上白色外観を呈するものを拡
散層１６として使用してもよい。さらにバインダー中に
炭酸カルシウム粉末などを混ぜて透明体の表面に塗布し
たり、透明体中に散乱物質を混入させるなどの手段によ
っても、拡散層１６を形成することができる。簡便な手
段としては、紙や布などを拡散層１６として使用するこ
ともできる。
【００３２】また３００μｍ厚のガラス基板の片面を１
０００番相当のＳｉＣ粉末でホーニング処理したものを
拡散層１６として用いる。このホーニング面の平均粗さ
Ｒａは０．７〜０．９μｍ、平均深さは２μｍ、光の透
過率は９０％であった。なお材料とホーニング処理条件
を変えるとにより、拡散層１６の透過度合いを調整可能
となる。
【００３３】上記のようにして作成した薄膜金属層１４
と干渉フイルター１５と拡散層１６とをその順序で積層
するとともに、薄膜金属層１４を正面に形成したガラス
基板１２の裏面に太陽電池１３を形成し、正面側からこ
の太陽電池１３に到達する光エネルギーの量を起電力特
性をもって評価した。併せて、太陽電池１３の遮蔽効果
と外観品質を評価した。なお干渉フイルター１５として
は、反射色が明るい青色のものを使用した。
【００３４】反射色のより太陽電池１３に到達する光エ
ネルギー量が変化するため、それにともない太陽電池１
３の起電力特性も変化するが、太陽電池１３の遮蔽効果
および外観品質との相関については、反射色によらずほ
ぼ同様な傾向を示した。
【００３５】ここで評価の比較対象として、太陽電池の
みの構成のものを従来の技術とし、太陽電池の正面に色
吸収フィルターを配置したものを比較例１とし、特開平
５−２９６４１号公報記載の構成において、着色層とし
てカラーフィルターを用いたものを比較例２として用意
する。起電力の評価基準としては、通常の室内光である
最低照度１００ルクス下での起電力１．３Ｖ以上を合格
とした。この結果を図１８に示す。
【００３６】図１８から明かなように、従来技術および
各比較例において、太陽電池の起電力確保、遮蔽効果、
外観品質のすべてを満足することはできないことがわか
る。これに対して本発明の実施形態では、太陽電池の起
電力を充分に動作可能な範囲に保持しつつ、太陽電池の
パターンを遮蔽でき、かつ外観品質にも優れている。こ
のことは、太陽電池の外観を意識しないで優れたデザイ
ン設計を実現できることを意味している。
【００３７】つぎに上述する本発明の実施形態と比較例
２の構造上の相違が外観品質に及ぼす影響につて検討し
た。この際、この発明の第１の実施形態における各構成
層を透過した後の光エネルギーの量を照射計で測定する
ことにより、薄膜金属層１４と拡散層１６が満たすべき
条件についても検討した。
【００３８】この結果、本発明の実施形態と比較例２と
で同一の干渉フイルター層２を使用したときには、薄膜
金属層１４の透過率と拡散層１６の透過率とを掛けた値
を、比較例２における拡散層の透過率に近づけることに
より、太陽電池に供給される光エネルギーの量がほぼ等
しくなる。
【００３９】また干渉フイルター層の反射光の違いによ
り、干渉フイルター層を透過するエネルギーの量は、全
入射エネルギーの３０〜８０％程度の範囲で変化し、こ
れに従って太陽電池の起電力、遮蔽効果も変化する。
【００４０】このため、反射色に応じて薄膜金属層１４
および拡散層１６の満たすべき条件は異なるが、薄膜金
属層１４と拡散層１６を通してほぼ３０〜７０％の透過
率範囲であれば、すべての外観色にたいして上記用件が
満たされることがわかった。この値は、拡散層１６につ
いては８０％以上、好ましくは９０％以上の光の透過
率、薄膜金属層１４については３０から８０％の光の透
過率が必要となることに相当している。
【００４１】一方、外観品質に関しては、この発明の実
施形態と比較例２とは、全く異なる結果となった。図３
および図４は、この結果をさらに具体的に示している。
【００４２】比較例２の構造においては、太陽電池の遮
蔽と反射光による外観表現を一つの拡散層で兼ねている
のに対し、本発明の最良の実施形態においては、薄膜金
属層１４が太陽電池１３の遮蔽と干渉フイルターへの可
視光全領域の光を反射することを主目的とし、拡散層１
６が反射光による外観表現を主目的としている。
【００４３】この役割分担のために、図３に見られるよ
うに、本発明の第１の実施形態においては、干渉フイル
ター層１５からの反射光強度が拡散層１６の透過率のみ
に依存し、薄膜金属層１４の透過率が変動しても同反射
光強度は何等変動しない。さらに薄膜金属層１４の反射
強度が改善され、さらに薄膜金属層１４の可視光全領域
の反射性能により干渉フイルターの色彩度を大きく改善
することができる。
【００４４】一方、比較例２の構造においては、図４に
示すように、いぞれの反射色においても、干渉フイルタ
ーからの最大反射光強度が小さく、かつ拡散層の透過率
変動に従って同反射光強度が変動してしまう。このこと
は、太陽電池を遮蔽するために光の透過率の小さな拡散
層を使用すると、それに伴って反射強度が大きく減少す
ることを示している。その結果、濁った暗い反射光しか
観察されないこのになり、外観品質の著しい低下を引き
起こしている。
【００４５】なお、上述した第１の実施の形態において
は、干渉フイルター層１５として、ＴｉＯ２膜とＳｉＯ
２膜からなる５層構造を示したが、周知の如く、材料お
よび単純な設計変更により多様な干渉フイルター層が構
成でき、それを使用することができる。
【００４６】干渉フイルター層１５は、入射光を吸収せ
ず透過光もしくは反射光に振り分けること機能を有して
いるため、太陽電池へのエネルギー供給を満足しつつ反
射色表現を行う本発明の構成要素として好適である。ま
た、干渉フイルター層１５により、本来反射光となるべ
き光を透過光として使用することも可能であり、反射色
に応じた設計の自由度が広がる。
【００４７】本発明の最良の実施形態においては、拡散
層１６としてホーニング処理を施したガラス板を使用し
たが、他にプラスチック材料などを使用してもよい。
【００４８】また拡散層１６の作成方法についてもホー
ニング処理の他に透明基板の表面を魚眼レンズ状、レン
チュキュラーレンズ状、または、フレンネルレンズ状に
加工する方法によっても同様の効果を有する拡散層が得
られることを確認している。
【００４９】つぎに、本発明の基板１２と太陽電池１３
と薄膜金属層１４と干渉フイルター１５の構成を示す第
１の実施の形態を図面に基づいて説明する。以下に本発
明の第１の実施形態を図５も用いて説明する。図５は最
良の実施形態の図２に示す太陽電池装置に腕時計に適用
した場合の断面図の内、本発明の特徴である基板１２と
太陽電池１３と薄膜金属層１４と干渉フイルター１５の
構成を示す断面図である。以下に図５を用いて本発明の
第１の実施形態を説明する。
【００５０】ステンレス基板１２には針を取付る針用穴
３１を有し、ステンレス基板１２上には層間絶縁膜１８
と層間絶縁膜１８上に設ける下電極２２と下電極２２上
にオーバーラップするアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）膜のＰ型、Ｉ型、Ｎ型からなる半導体層２３を有
し、半導体層２３上には上電極２４を有する。下電極２
２と半導体層２３と上電極２４とによって太陽電池１３
を構成する。太陽電池１３とステンレス基板１２と層間
絶縁膜１８上には、太陽電池１３の保護と薄膜金属層１
４と太陽電池１３との電気的短絡を防止するために保護
用絶縁膜２５を設ける。この保護用絶縁膜２５により保
護用絶縁膜２５上の薄膜金属層１４の平坦性も確保する
ことができる。
【００５１】さらに、保護用絶縁膜２５上には、５ｎｍ
の膜厚のタンタル（Ｔａ）膜からなる薄膜金属層１４と
７０ｎｍの膜厚の酸化タンタル膜（Ｔａ２Ｏ５）を設け
る。さらに、酸化タンタル膜２７上には酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）膜からなる透明導電膜２８を設ける。酸
化タンタル膜２７と透明導電膜２８により干渉フイルタ
ー１５を構成する。薄膜金属層１４上に薄膜金属層１４
の酸化膜を陽極酸化処理により形成することにより非常
に膜厚の均一な酸化タンタル膜を形成できる。そのた
め、均一で安定な干渉フイルター１５と透過率の良好な
薄膜金属層１４を設けることができる。
【００５２】さらに図５に示す太陽電池１３と干渉フイ
ルター１５の構成は太陽電池１３を構成する基板１２上
に保護用絶縁膜２５を設け、さらに導電性を有する薄膜
金属層１４を設けることにより、薄膜金属層１４により
太陽電池１３のパターンを目かくしし、かつ太陽電池を
機械的衝撃と電気的衝撃より保護することができる。
【００５３】さらに絶縁性を有する酸化タンタル膜２７
上に導電性を有する透明導電膜１４を設けることにより
干渉フイルター１５上への静電気によるゴミの付着を防
止でき、装飾用に有効である。
【００５４】以下に本発明の第２の実施形態を図６も用
いて説明する。図６は最良の実施形態の図２に示す太陽
電池装置に腕時計に適用した場合の断面図の内、本発明
の特徴である基板１２と太陽電池１３と薄膜金属層１４
と干渉フイルター１５の構成を示す断面図である。以下
に図６を用いて本発明の第２の実施形態を説明する。
【００５５】ステンレス基板１２には針を取付る針用穴
３１を有し、ステンレス基板１２上には層間絶縁膜１８
と層間絶縁膜上に設ける下電極２２と下電極２２上にオ
ーバーラップするアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜
のＰ型、Ｉ型、Ｎ型からなる半導体層２３を有し、半導
体層２３上には上電極２４を有する。下電極２２と半導
体層２３と上電極２４とにより太陽電池１３を構成す
る。太陽電池１３とステンレス基板１２と層間絶縁膜１
８上には太陽電池１３の保護と干渉フイルター用基板３
２とを接続するための保護用絶縁膜２５を設ける。
【００５６】さらに、干渉フイルター用基板３２の上に
は、１０ｎｍの膜厚のアルミニウム（Ａｌ）膜からなる
薄膜金属層１４と５０ｎｍを有する膜厚の酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）膜２７を設ける。さらに、酸化アル
ミニウム膜２７上には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜
からなる透明導電膜２８を設ける。酸化アルミニウム膜
２７と透明導電膜２８により干渉フイルター１５を構成
する。薄膜金属層２６上に薄膜金属層２６の酸化膜を陽
極酸化処理により形成することにより非常に膜厚の均一
な酸化アルミニウム膜を形成できる。そのため、均一で
安定な干渉フイルター１５と透過率の良好な薄膜金属層
１４を設けることができる。
【００５７】さらに図６に示す太陽電池１３と干渉フイ
ルター１５との構成は太陽電池１３を構成する基板１２
上に保護用絶縁膜２５を設け、さらに干渉フイルター用
基板３２上に導電性を有する薄膜金属層２６を設けるこ
とにより、薄膜金属層２６により太陽電池１３のパター
ンを目かくしし、かつ太陽電池を機械的衝撃と電気的衝
撃より保護することができる。
【００５８】さらに絶縁性を有する酸化アルミニウム膜
上に導電性を有する透明導電膜を設けることにより干渉
フイルター３０上への静電気によるゴミの付着を防止で
き、装飾用に有効である。
【００５９】以下に本発明の第３の実施形態を図７も用
いて説明する。図７は最良の実施形態の図２に示す太陽
電池装置に腕時計に適用した場合の断面図の内、本発明
の特徴である基板１２と太陽電池１３と薄膜金属層１４
と干渉フイルター１５の構成を示す断面図である。以下
に図７を用いて本発明の第３の実施形態を説明する。
【００６０】ステンレス基板１２には針と取付る針用穴
３１を有し、ステンレス基板１２上には層間絶縁膜１８
と層間絶縁膜上に設ける下電極２２と下電極２２上にオ
ーバーラップするアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜
のＰ型、Ｉ型、Ｎ型からなる半導体層２３を有し、半導
体層２３上には上電極２４を有する。下電極２２と半導
体層２３と上電極２４とにより太陽電池１３を構成す
る。太陽電池１３の電力を取り出すために、下電極２２
に接続する接続用下電極３５と、上電極２４に接続する
接続用上電極３６とを設ける。
【００６１】また太陽電池１３とステンレス基板１２と
層間絶縁膜１８上には太陽電池１３の保護と薄膜金属層
１４と太陽電池１３との電気的短絡を防止するために保
護用絶縁膜２５を設ける。この保護用絶縁膜２５により
保護用絶縁膜２５上の薄膜金属層１４の平坦性も確保す
ることができる。さらに、保護用絶縁膜２５は、接続用
下電極３５と接続用上電極３６上に開口部を有し、外部
回路との接続を可能とする。
【００６２】さらに保護用絶縁膜２５上には、１０ｎｍ
の膜厚のタンタル（Ｔａ）膜からなる薄膜金属層１４と
７０ｎｍの膜厚の酸化タンタル膜（Ｔａ２Ｏ５）２７を
設ける。さらに、酸化タンタル膜２７上には酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）膜からなる透明導電膜２８を設け
る。酸化タンタル膜２７と透明導電膜２８により干渉フ
イルター１５を構成する。薄膜金属層１４上に薄膜金属
層１４の酸化膜を陽極酸化処理により形成することによ
り非常に膜厚の均一な酸化タンタル膜を形成できる。そ
のため均一で安定な干渉フイルター１５と透過率の良好
な薄膜金属層１４を設けることができる。
【００６３】さらに図７に示す太陽電池１３と干渉フイ
ルター１５の構成は太陽電池１３を構成する基板１２上
に保護用絶縁膜２５を設け、さらに導電性を有する薄膜
金属層１４を設けることにより、薄膜金属層１４により
太陽電池１３のパターンを目かくしし、かつ太陽電池を
機械的衝撃と電気的衝撃より保護することができる。
【００６４】さらに絶縁性を有する酸化タンタル膜上に
導電性を有する透明導電膜を設けることにより干渉フイ
ルター１５上への静電気によるゴミの付着を防止でき、
装飾用に有効である。
【００６５】以下に本発明の第４の実施形態を図８を用
いて説明する。図８は最良の実施形態の図２に示す太陽
電池装置に腕時計に適用した場合の断面図の内、本発明
の特徴である基板１２と太陽電池１３と薄膜金属層１４
と干渉フイルター１５の構成を示す断面図である。以下
に図８を用いて本発明の第４の実施形態を説明する。
【００６６】透明基板としてガラス基板１２には針を取
付る針用穴３１を有し、ガラス基板１２上には下電極２
２と下電極２２上にオーバーラップするアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）膜のＰ型、Ｉ型、Ｎ型からなる半導
体層２３とを有し、半導体層２３上には上電極２４を有
する。下電極２２と半導体層２３と上電極２４とにより
太陽電池１３を構成する。
【００６７】また、太陽電池１３とガラス基板２１上に
は太陽電池１３の保護のために保護用絶縁膜２５を設け
る。
【００６８】さらにガラス基板１２の太陽電池１３を設
ける逆の面には、１０ｎｍの膜厚のタンタル（Ｔａ）膜
からなる薄膜金属層１４と７０ｎｍの膜厚の酸化タンタ
ル膜（Ｔａ２Ｏ５）２７を設ける。さらに、酸化タンタ
ル膜２７上には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜からな
る透明導電膜２８を設ける。酸化タンタル膜２７と透明
導電膜２８により干渉フイルター１５を構成する。薄膜
金属層１４上に薄膜金属層１４の酸化膜を陽極酸化処理
により形成することにより非常に膜厚の均一な酸化タン
タル膜を形成できる。そのため、均一で安定な干渉フイ
ルター１５と透過率の良好な薄膜金属層１４を設けるこ
とができる。
【００６９】さらに図８に示す太陽電池１３と干渉フイ
ルター１５の構成は太陽電池１３を構成する基板１２の
裏面に薄膜金属層１４と干渉フイルター１５とを設ける
ことにより、薄膜金属層１４により太陽電池１３のパタ
ーンを目かくしし、かつ太陽電池を機械的衝撃と電気的
衝撃より保護することができる。
【００７０】さらに絶縁性を有する酸化タンタル膜上に
導電性を有する透明導電膜を設けることにより干渉フイ
ルター１５上への静電気によるゴミの付着を防止でき、
装飾用に有効である。
【００７１】つぎに図９に太陽電池１３上の薄膜金属層
１４上に薄膜金属層１４の陽極酸化膜を設けるための陽
極酸化処理方法を示す実施形態を図面に基づいて説明す
る。図９は、薄膜金属層１４上に陽極酸化膜を設ける実
施形態を示す模式図である。
【００７２】第９図に示すように、ステンレス基板１２
上に層間絶縁膜１８として酸化チタン（ＴｉＯ）を２０
０ｎｍ厚で形成し、層間絶縁膜１８上に、下電極として
アルミニウム（Ａｌ）膜を１００ｎｍ厚で形成し、アル
ミニウム膜上にＰＩＮ接合を有するアモルファスシリコ
ンを形成する。ステンレス基板１２上には、複数個の太
陽電池ユニット４０を形成する。腕時計には１組の太陽
電池ユニット４０を利用する。
【００７３】さらに、太陽電池１３上には、保護用絶縁
膜２５としてポリイミド樹脂を膜厚５００ｎｍ形成し、
薄膜金属層１４としてタンタル（Ｔａ）膜を膜厚４５ｎ
ｍ形成する。
【００７４】以上に示す薄膜金属層１４上に薄膜金属層
１４の陽極酸化膜を形成する状況を以下に示す。薄膜金
属層１４の一部に外部電源３８の正電圧を印加するため
にニードル３４とニードル３４を保持する冶具３５とニ
ードル３４と外部電源３８とを接続する配線３３とを接
続する。
【００７５】陽極酸化槽３２には、０．０１〜１％のク
エン酸水溶液を入れ薄膜金属層１４を有する基板１２を
クエン酸水溶液中に入れ、外部電源３８の負電圧を印加
する陰極電極３６を基板１２と一定の間隔を隔ててクエ
ン酸水溶液中に入れ、２６〜４０Ｖの酸化電圧を印加
し、薄膜金属層１４の４５ｎｍ厚の内の３２〜３８ｎｍ
を陽極酸化し、６８〜７０ｎｍ厚の酸化タンタル（Ｔａ
２Ｏ５）からなる陽極酸化膜を形成する。以上の陽極酸
化処理により透過率の良好な薄膜金属層１４上に膜厚の
均一で安定な陽極酸化膜を設けることができる。
【００７６】つぎに、大型基板４１上に複数個の腕時計
用太陽電池ユニット４２を設ける実施形態を図面に基づ
いて説明する。図１０は実施形態を示す平面であり、図
１１は図１０に用いる太陽電池ユニット４２の等価回路
図であり、図１２は図１０のＢ−Ｂ線における断面図で
ある。以下に図１０と図１１と図１２とを用いて説明す
る。
【００７７】それぞれの太陽電池ユニットには、図１１
の等価回路図に示すように、下電極２２に接続する下電
極用外部接続部４７と上電極２４に接続する上電極用外
部接続部４８との間に、不純物イオンとしてほう素
（Ｂ）を含むアモルファスシリコン（Ｐ−Ｓｉ）７１と
低濃度の不純物イオンしか含まないアモルファスシリコ
ン（Ｉ−Ｓｉ）７２と不純物イオンとしてりん（Ｐ）を
含むアモルファスシリコン（Ｎ−Ｓｉ）７３からなるＰ
ＩＮ接合を有する半導体層２３を有する。さらに半導体
層２３上に上電極２４を有し、下電極２２と半導体層２
３と上電極２４から光起電力素子４３、４４、４５、４
６の４個の光起電力素子を直列接続する構成を有する。
【００７８】各光起電力素子４３、４４、４５、４６と
は、光起電力素子４３の上電極２４に接続する上電極用
接続部４９と光起電力素子４４の下電極２２に接続する
下電極用接続部５０が相互に接続し、４個の光起電力素
子が直列に接続する。
【００７９】さらに光起電力素子上に保護用絶縁膜２５
を形成する。保護用絶縁膜２５は、回転塗布法を利用
し、ポリイミド樹脂の粘度と回転塗布法の回転数と制御
することにより半導体層２３の凹凸を平坦化することが
できる。
【００８０】さらに保護用絶縁膜２５上には、薄膜金属
層１４と薄膜金属層１４の陽極酸化膜２７を設ける。薄
膜金属層１４を陽極酸化処理するために相互接続部５１
と連結部５２により、個々の腕時計用太陽電池ユニット
４２上の薄膜金属層１４は接続している。
【００８１】薄膜金属層１４の相互接続部５１は、図１
０に示すように光起電力素子を相互に接続する上電極用
接続部４９と下電極用接続部５０以外の領域に設けてい
る。さらに薄膜金属層１４の陽極酸化膜２７上には透明
導電膜２８設ける。陽極酸化膜２７と透明導電膜２８と
により干渉フイルター１５構成する。
【００８２】さらに、干渉フイルター１５と薄膜金属層
１４と保護用絶縁膜２５とは、同一の辺を有する自己整
合的な形状を有する。また、図１２に示すように相互接
続部１５あるいは、同様に連結部５２においても、同様
に干渉フイルター１５と薄膜金属層１４と保護用絶縁膜
２５は自己整合的な形状を有する。
【００８３】これにより、上電極用外部接続部４７と下
電極用外部接続部４８を設けると同時に太陽電池２３上
の保護用絶縁膜２５上に有効に干渉フイルターを設ける
ことができる。
【００８４】つぎに、大型基板４１上に複数個の腕時計
用太陽電池ユニット４２を設ける別の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１３は実施を示す平面であり、図
１４は図１３に用いる太陽電池ユニット４２の等価回路
図であり、図１５は図１３のＣ−Ｃ線における断面図で
ある。以下に図１３と図１４と図１５とを用いて説明す
る。
【００８５】大型基板４１には、複数の腕時計太陽電池
ユニット４２有し、腕時計太陽電池ユニット４２の周囲
には、外形開口部６５を有する。
【００８６】各太陽電池ユニットには、図１４の等価回
路図に示すように、基板１上に保護用絶縁膜１８を有
し、保護用絶縁膜１８上には、下電極２２に接続する下
電極用外部接続部４７と上電極２４に接続する上電極用
外部接続部４８の間に、不純物イオンとしてほう素
（Ｂ）を含むアモルファスシリコン（Ｐ−Ｓｉ）７１と
低濃度の不純物イオンしか含まないアモルファスシリコ
ン（Ｉ−Ｓｉ）７２と不純物イオンとしてりん（Ｐ）を
含むアモルファスシリコン（Ｎ−Ｓｉ）７３からなるＰ
ＩＮ接合を有する半導体層２３を有する。
【００８７】さらに半導体層２３上に上電極２４を有
し、下電極２２と半導体層２３と上電極２４とから光起
電力素子４３、４４、４５、４６の４個の光起電力素子
を構成し、光起電力素子４３と光起電力素子４４の第１
のグループは直列接続し、光起電力素子４５と光起電力
素子４６の第２のグループが直列接続し、第１のグルー
プと第２のグループが相互に配列接続し、電圧と電流が
大きく供給できる接続を採用する。
【００８８】各光起電力素子４３、４４、４５、４６と
は、光起電力素子４３の上電極２４に接続する上電極用
接続部４９と光起電力素子４４の下電極２２に接続する
下電極用接続部５０が相互に接続している。
【００８９】さらに腕時計用太陽電池ユニット基板１２
内には、曜日あるいは日を表示するための第１の開口部
６１と世界時計用の地域表示用開口部６２を有し、太陽
電池４３、４４、４５、４６は各面積が等しい。
【００９０】さらに大型基板４１の腕時計太陽電池ユニ
ット４２の周囲には、３ヶ所の外形開口部６５を有す
る。また、外形開口部６５と外形開口部６５の間に薄膜
金属層１４を陽極酸化処理し干渉フイルター２７を形成
するための相互接続部５１を設ける。
【００９１】さらに光起電力素子上に保護用絶縁膜２５
を形成する。保護用絶縁膜２５は、回転塗布法を利用
し、ポリイミド樹脂の粘度と回転塗布法の回転数と制御
することにより半導体層２３の凹凸を平坦化することが
できる。
【００９２】さらに保護用絶縁膜２５上には、薄膜金属
層１４と薄膜金属層１４の陽極酸化膜２７を設ける。薄
膜金属層１４を陽極酸化処理するために相互接続部５１
と連結部５２により、個々の腕時計用太陽電池ユニット
４２上の薄膜金属層１４は接続している。
【００９３】薄膜金属層１４の相互接続部５１は、図１
３に示すように光起電力素子を相互に接続する上電極用
接続部４９と下電極用接続部５０以外の領域に設けてい
る。さらに、薄膜金属層１４の陽極酸化膜２７上には透
明導電膜２８設ける。陽極酸化膜２７と透明導電膜２８
とにより干渉フイルター１５構成する。
【００９４】さらに干渉フイルター１５と薄膜金属層１
４とは、保護用絶縁膜２５の内側の辺にて加工する。ま
た図１５に示すように下電極用外部接続部４７上と上電
極用外部接続部４８上に保護用絶縁膜用開口部を設け
る。さらに干渉フイルター１５は、下地となる薄膜金属
層１４と薄膜金属層１４の陽極酸化膜と、陽極酸化膜上
に設ける多層の誘電体多層膜からなる。
【００９５】誘電体多層膜２７は酸化タンタル（Ｔａ２
Ｏ５）／酸化シリコン（ＳｉＯ２）／酸化タンタル（Ｔ
ａ２Ｏ５）／透明導電体膜（酸化インジウムスズ）にて
形成する。またさらに干渉フイルター１５には、多層の
誘電体膜を利用し色々な色彩を再現することができる。
【００９６】さらに、薄膜金属層１４と薄膜金属層１４
上に薄膜金属層１４の陽極酸化膜と誘電体多層膜を設
け、誘電体多層膜を平面的に分割し、さらに、平面的に
異なる誘電体多層膜からなるブロックを配置することに
より多色カラーを実現することができる。
【００９７】図１６は、太陽電池１３と保護用絶縁膜２
５上の設ける干渉フイルター層の構成と光学特性を示す
図である。横軸は光学波長をナノメートル（ｎｍ）単位
で示し、縦軸は反射率（％）を示す。
【００９８】図１６の曲線Ｘは、１０ｎｍの薄膜金属層
１４上に３５ｎｍの酸化タンタル膜と透明導電膜として
酸化インジウムスズ膜を１３０ｎｍ形成した場合の光学
特性を示す曲線である。色は金色に近く装飾用として
は、良好な色合いである。
【００９９】図１６の曲線Ｙは、１０ｎｍの薄膜金属層
１４上に３５ｎｍの酸化タンタル膜と透明導電膜として
酸化インジウムスズ膜を１３０ｎｍと再度、酸化タンタ
ル膜を１１０ｎｍ形成した場合の光学特性を示す曲線で
ある。色は青みのある緑であり、明るく感じる色合いで
ある。
【０１００】つぎに、図１７に薄膜金属層１４の膜厚と
透過率の関係を示すグラフある。横軸に薄膜金属層１４
の膜厚をナノメートル（ｎｍ）単位にて示し、縦軸に透
過率（％）を示す。薄膜金属層１４としてタンタル膜を
選択している。このグラフより、透過率を３０〜８０％
を得るには、３ｎｍ〜１５ｎｍに選定することが望まし
いことが言える。
【０１０１】また薄膜金属層１４は、光学透過率が１％
〜８５％の反射タイプのニュートラルデンシティフィル
ター（ＮＤフィルター）を簡単に形成できるため、薄膜
金属層１４の製造は、従来の真空スパッタリング法、有
機金属ガスを利用する真空プラズマ法、または真空光化
学成膜法により形成することができる。
【０１０２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、太陽電
池上に薄膜金属層を設け、部分透過と部分反射の割合を
膜厚により制御することにより可視光全領域に関して平
均する反射量を確保することができる。
【０１０３】さらに薄膜金属層上に薄膜金属層の陽極酸
化膜を設けることにより均一な膜厚を有する光学的屈折
率膜を簡単に設けることができる。このことは、太陽電
池装置を装飾用として利用する腕時計に利用する場合に
は非常に重要なことである。
【０１０４】さらに薄膜金属層を太陽電池上に設けるこ
とにより、静電気の電気的衝撃により太陽電池の特性劣
化を防止できる。これは、薄膜金属層が導電性を有する
ことと、低抵抗材料であることを意味する。光学材の最
上層に透明導電膜を設けることにより静電気よるゴミの
付着を小さくすることができる。そのため、太陽電池装
置を装飾用に利用する場合には都合がよい。
【０１０５】さらに透明導電膜上に拡散層を設けること
により、光学部材と使用者の観察する方向との位置関係
により色味が変化することを防止し、明るい色彩を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における太陽電池装置を腕時
計に適用する場合を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態における太陽電池装置を示す
断面図である。
【図３】本発明の実施形態における太陽電池装置に関す
る拡散層透過率と反射高強度の関係を示すグラフであ
る。
【図４】従来例として比較例２の太陽電池装置に関する
拡散層透過率と反射高強度の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の実施形態における太陽電池装置の基板
と太陽電池と薄膜金属層と光学部材を示す断面図であ
る。
【図６】本発明の実施形態における太陽電池装置の基板
と太陽電池と薄膜金属層と光学部材を示す断面図であ
る。
【図７】本発明の実施形態における太陽電池装置の基板
と太陽電池と薄膜金属層と光学部材を示す断面図であ
る。
【図８】本発明の実施形態における太陽電池装置の基板
と太陽電池と薄膜金属層と光学部材を示す断面図であ
る。
【図９】本発明の実施形態における太陽電池装置に利用
する薄膜金属層上に陽極酸化膜構造を形成する方法を示
す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態における太陽電池装置を大
型基板上に複数個設ける構造を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態における太陽電池装置に用
いる太陽電池の接続方法の等価回路を示す回路図であ
る。
【図１２】本発明の実施形態における太陽電池装置を大
型基板上に複数個設ける構造を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施形態における太陽電池装置を大
型基板上に複数個設ける構造を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施形態における太陽電池装置に用
いる太陽電池の接続方法の等価回路を示す回路図であ
る。
【図１５】本発明の実施形態における太陽電池装置を大
型基板上に複数個設ける構造を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施形態における薄膜金属層と薄膜
金属層上に設ける干渉フイルターの光学特性を示すグラ
フである。
【図１７】本発明の実施形態における薄膜金属層の膜厚
と透過率を示すグラフである。
【図１８】太陽電池のみの構成のものを従来例とし、太
陽電池の正面に色吸収フィルターを配置したものを比較
例１とし、特開平５−２９６４１号公報記載の構成にお
いて着色層としてカラーフィルターを用いたものを比較
例２とし、さらに本発明の実施形態の太陽電池装置を比
較した結果を示す図表である。
【符号の説明】
１３ 太陽電池 １４ 薄膜金属層 １５ 干渉フイルター １６ 拡散層 １８ 層間絶縁膜 ２２ 下電極 ２７ 陽極酸化膜 ２８ 透明導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０４Ｃ 10/02 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｑ

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 太陽電池の外光を受光する外光方向に設
    けられ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反射
    し、残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の外
    光方向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を所
    定の透過率に制御する光学部材とを備えたことを特徴と
    する太陽電池装置。
  2. 【請求項２】 太陽電池の外光を受光する外光方向に設
    けられ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反射
    し、残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の外
    光方向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を所
    定の透過率に制御する光学部材と、光学部材の外光側に
    設けられ光学部材からの反射光を拡散して正面側に出射
    する拡散層とを備えたことを特徴とする太陽電池装置。
  3. 【請求項３】 薄膜金属層は、３０〜８０％の光の透過
    率を有することを特徴とする請求項１、２いずれかに記
    載の太陽電池装置。
  4. 【請求項４】 薄膜金属層は、凹凸を有する透明基板上
    に設けていることを特徴とする請求項１、２、３いずれ
    かに記載の太陽電池装置。
  5. 【請求項５】 太陽電池の外光を受光する外光方向に設
    けられた保護用絶縁膜と保護用絶縁膜上に設けられ、か
    つ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反射し、
    残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の外光方
    向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を所定の
    透過率に制御する光学部材とを備えたことを特徴とする
    太陽電池装置。
  6. 【請求項６】 太陽電池上に設ける保護用絶縁膜には開
    口部を有し、太陽電池と外部回路との接続部を有するこ
    とを特徴とする請求項５に記載の太陽電池装置。
  7. 【請求項７】 太陽電池の外光を受光する外光方向に設
    けられ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反射
    し、残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の外
    光方向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を所
    定の透過率に制御する光学部材とを備え、光学部材は薄
    膜金属層の陽極酸化膜を少なくとも含む構成を有するこ
    とを特徴とする太陽電池装置。
  8. 【請求項８】 太陽電池の外光を受光する外光方向に設
    けられ太陽電池からの反射光を減衰し外光を一部反射し
    残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の外光方
    向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を所定の
    透過率に制御する光学部材とを備え、光学部材は薄膜金
    属層の陽極酸化膜と屈折率が１．６以上の透明膜とを少
    なくとも含む構成を有することを特徴とする太陽電池装
    置。
  9. 【請求項９】 太陽電池の外光を受光する外光方向に設
    けられ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反射
    し残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の外光
    方向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を所定
    の透過率に制御する光学部材とを配置する太陽電池装置
    の製造方法は、膜厚が３〜１５ｎｍの薄膜金属層を形成
    する工程と、薄膜金属層上に光学部材を形成することを
    特徴とする太陽電池装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 太陽電池の外光を受光する外光方向に
    設けられ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反
    射し、残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の
    外光方向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を
    所定の透過率に制御する光学部材とを配置する太陽電池
    装置の製造方法は、膜厚が２０〜３０ｎｍの薄膜金属層
    を形成する工程と、薄膜金属層の一部を陽極酸化処理に
    より陽極酸化膜を形成する工程とを有することを特徴と
    する太陽電池装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 太陽電池の外光を受光する外光方向に
    設けられ太陽電池からの反射光を減衰し、外光を一部反
    射し、残りを透過する薄膜金属層と、この薄膜金属層の
    外光方向に設けられ外光に対してその任意の波長範囲を
    所定の透過率に制御する光学部材とを配置する太陽電池
    装置の製造方法は、膜厚が２０〜３０ｎｍの薄膜金属層
    を形成する工程と、薄膜金属層の一部を陽極酸化処理に
    より陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜上に光学
    的屈折率が１．６以上の透明膜を形成する工程とを有す
    ることを特徴とする太陽電池装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 基板上に光起電力素子を形成する工程
    と、光起電力素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜
    上に薄膜金属層を形成する工程と、薄膜金属層上に光学
    的屈折率が１．６以上の透明膜を形成する工程を有する
    ことを特徴とする太陽電池装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 基板上に光起電力素子を形成する工程
    と、光起電力素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜
    上に薄膜金属層を形成する工程と、薄膜金属層上に薄膜
    金属層を陽極として薄膜金属層の陽極酸化膜を形成する
    工程と、陽極酸化膜上に光学的屈折率が１．６以上の透
    明膜を形成する工程を有することを特徴とする太陽電池
    装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 基板上に光起電力素子を形成する工程
    と、光起電力素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜
    上に薄膜金属層を形成する工程と、薄膜金属層上に薄膜
    金属層を陽極として薄膜金属層の陽極酸化膜を形成する
    工程と、陽極酸化膜上に光学的屈折率が１．６以上の複
    数の透明膜を形成する工程を有し、透明膜には透明導電
    膜を含むことを特徴とする太陽電池装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 基板上に薄膜金属層を形成する工程
    と、薄膜金属層上に光学的屈折率が１．６以上の透明膜
    を形成する工程と、太陽電池を形成する基板上に薄膜金
    属層を有する基板を配置する工程とを有することを特徴
    とする太陽電池装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008203526A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Fujitsu Component Ltd 光学窓部材
JP2011501439A (ja) * 2007-10-19 2011-01-06 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体化された色干渉膜積層体を有する光起電力デバイス
JP2011507307A (ja) * 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉リボンマスクを有する光起電力装置
EP2302688A1 (de) 2009-09-23 2011-03-30 Robert Bosch GmbH Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, dieses Substrat, enthaltend eine farbige Interferenzfilterschicht, die Verwendung dieses Substrats als farbige Solarzelle oder als farbiges Solarmodul oder als Bestandteil hiervon sowie ein Array, umfassend mindestens zwei dieser Substrate
JP2012506148A (ja) * 2008-10-16 2012-03-08 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 光起電力モジュール用高効率干渉カラーフィルタ
CN104716212A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 精工爱普生株式会社 太阳能表
WO2022187887A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Alpha Solar Technologies Pty Ltd A photovoltaic module having a desired appearance

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008203526A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Fujitsu Component Ltd 光学窓部材
US8164833B2 (en) 2007-02-20 2012-04-24 Fujitsu Component Limited Optical window member
JP2011501439A (ja) * 2007-10-19 2011-01-06 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体化された色干渉膜積層体を有する光起電力デバイス
JP2011507307A (ja) * 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉リボンマスクを有する光起電力装置
JP2011507306A (ja) * 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉裏側マスクを有する光起電力装置
JP2012506148A (ja) * 2008-10-16 2012-03-08 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 光起電力モジュール用高効率干渉カラーフィルタ
EP2302688A1 (de) 2009-09-23 2011-03-30 Robert Bosch GmbH Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, dieses Substrat, enthaltend eine farbige Interferenzfilterschicht, die Verwendung dieses Substrats als farbige Solarzelle oder als farbiges Solarmodul oder als Bestandteil hiervon sowie ein Array, umfassend mindestens zwei dieser Substrate
WO2011036209A1 (de) 2009-09-23 2011-03-31 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur herstellung eines substrats mit einer farbigen interferenzfilterschicht, dieses substrat, enthaltend eine farbige interferenzfilterschicht, die verwendung dieses substrats als farbige solarzelle oder als farbiges solarmodul oder als bestandteil hiervon sowie ein array, umfassend mindestens zwei dieser substrate
CN104716212A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 精工爱普生株式会社 太阳能表
WO2022187887A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Alpha Solar Technologies Pty Ltd A photovoltaic module having a desired appearance

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