JPH09306877A - Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング装置 - Google Patents
Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング装置Info
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- JPH09306877A JPH09306877A JP12364296A JP12364296A JPH09306877A JP H09306877 A JPH09306877 A JP H09306877A JP 12364296 A JP12364296 A JP 12364296A JP 12364296 A JP12364296 A JP 12364296A JP H09306877 A JPH09306877 A JP H09306877A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物の温度が比較的低い状態でＣｕ又は
ＡｌＣｕ合金膜のパターニングが可能であり、アンダー
カットを防止できて、微細なＣｕ又はＡｌＣｕ配線の形
成に適用できるＣｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング
方法及び反応性エッチング装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 チャンバ内にＳｉＣｌ4 及びＮ2 ガスを
導入し、被処理物にＫｒＦエキシマレーザ光等を照射し
ながら、反応性イオンエッチングを実施する。これによ
り、エッチング生成物であるＣｕＣｌのエッチング表面
からの離脱が促進されるとともに、エッチングにより露
出したＣｕ膜４の側壁面にＳｉx Ｎy 膜が形成され、ア
ンダーカットが抑制される。
ＡｌＣｕ合金膜のパターニングが可能であり、アンダー
カットを防止できて、微細なＣｕ又はＡｌＣｕ配線の形
成に適用できるＣｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング
方法及び反応性エッチング装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 チャンバ内にＳｉＣｌ4 及びＮ2 ガスを
導入し、被処理物にＫｒＦエキシマレーザ光等を照射し
ながら、反応性イオンエッチングを実施する。これによ
り、エッチング生成物であるＣｕＣｌのエッチング表面
からの離脱が促進されるとともに、エッチングにより露
出したＣｕ膜４の側壁面にＳｉx Ｎy 膜が形成され、ア
ンダーカットが抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に使用
されるＣｕ又は高濃度のＣｕを有するＡｌＣｕ合金配線
の形成に好適なＣｕ又は高濃度のＣｕを有するＡｌＣｕ
合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング
装置に関する。
されるＣｕ又は高濃度のＣｕを有するＡｌＣｕ合金配線
の形成に好適なＣｕ又は高濃度のＣｕを有するＡｌＣｕ
合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ（大規模集積回路）の配線
材料として、成膜性が良好であり、パターニングが容易
であるとともに電気抵抗が低いことから、Ａｌ（アルミ
ニウム）又はＡｌ合金が広く使用されている。しかし、
半導体デバイスのより一層の高集積化に伴い、Ａｌ又は
Ａｌ合金配線ではエレクトロマイグレーションが発生し
やすくなってきた。このため、近年、配線材料として、
Ａｌ又はＡｌ合金よりも約２〜３倍のエレクトロマイグ
レーション耐性を有するＣｕ（銅）又はＡｌＣｕ合金が
注目されている。Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金は、Ａｌに比べ
て更に低抵抗であるとともに、安価であるという利点も
ある。
材料として、成膜性が良好であり、パターニングが容易
であるとともに電気抵抗が低いことから、Ａｌ（アルミ
ニウム）又はＡｌ合金が広く使用されている。しかし、
半導体デバイスのより一層の高集積化に伴い、Ａｌ又は
Ａｌ合金配線ではエレクトロマイグレーションが発生し
やすくなってきた。このため、近年、配線材料として、
Ａｌ又はＡｌ合金よりも約２〜３倍のエレクトロマイグ
レーション耐性を有するＣｕ（銅）又はＡｌＣｕ合金が
注目されている。Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金は、Ａｌに比べ
て更に低抵抗であるとともに、安価であるという利点も
ある。
【０００３】従来、Ｃｕ配線を形成する方法として、化
学的機械研磨（ＣＭＰ）を利用したダマシン法や、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が知られている。図４
（ａ），（ｂ）は、ダマシン法によるＣｕ配線の形成方
法を工程順に示す断面図である。まず、図４（ａ）に示
すように、シリコン基板４１上に層間絶縁膜４２を形成
した後、この層間絶縁膜４２に所望の配線パターンで溝
４２ａを形成する。その後、層間絶縁膜４２上の全面に
例えばＴｉＮからなるバリアメタル層４３を形成する。
次に、ＣＶＤ（化学気相成長）法により、全面にＣｕ膜
４４を形成する。このとき、溝４２ａがＣｕに埋め込ま
れるようにする。
学的機械研磨（ＣＭＰ）を利用したダマシン法や、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が知られている。図４
（ａ），（ｂ）は、ダマシン法によるＣｕ配線の形成方
法を工程順に示す断面図である。まず、図４（ａ）に示
すように、シリコン基板４１上に層間絶縁膜４２を形成
した後、この層間絶縁膜４２に所望の配線パターンで溝
４２ａを形成する。その後、層間絶縁膜４２上の全面に
例えばＴｉＮからなるバリアメタル層４３を形成する。
次に、ＣＶＤ（化学気相成長）法により、全面にＣｕ膜
４４を形成する。このとき、溝４２ａがＣｕに埋め込ま
れるようにする。
【０００４】その後、図４（ｂ）に示すように、表面を
化学的機械研磨により平坦化し、各溝４２ａに埋め込ま
れたＣｕを相互に絶縁分離する。これにより、溝４２ａ
内に埋め込まれたＣｕ配線４４ａを得ることができる。
しかしながら、このダマシン法には、溝４２ａを形成す
る際に溝深さを制御する必要が有り、煩雑であるという
欠点がある。
化学的機械研磨により平坦化し、各溝４２ａに埋め込ま
れたＣｕを相互に絶縁分離する。これにより、溝４２ａ
内に埋め込まれたＣｕ配線４４ａを得ることができる。
しかしながら、このダマシン法には、溝４２ａを形成す
る際に溝深さを制御する必要が有り、煩雑であるという
欠点がある。
【０００５】図５（ａ），（ｂ）は、従来の反応性イオ
ンエッチング法によるＣｕ配線の形成方法を工程順に示
す断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、シリ
コン基板５１上に層間絶縁膜５２を形成し、この層間絶
縁膜５２上にＴｉＮからなるバリアメタル層５３を形成
する。次に、バリアメタル層５３上にＣｕ膜５４を形成
した後、このＣｕ膜５４上にバリアメタル層５５を形成
する。そして、このバリアメタル層５５上に、所望の配
線パターンでマスク５６を形成する。この場合に、マス
ク５６としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等から
なる所謂ハードマスクが使用される。
ンエッチング法によるＣｕ配線の形成方法を工程順に示
す断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、シリ
コン基板５１上に層間絶縁膜５２を形成し、この層間絶
縁膜５２上にＴｉＮからなるバリアメタル層５３を形成
する。次に、バリアメタル層５３上にＣｕ膜５４を形成
した後、このＣｕ膜５４上にバリアメタル層５５を形成
する。そして、このバリアメタル層５５上に、所望の配
線パターンでマスク５６を形成する。この場合に、マス
ク５６としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等から
なる所謂ハードマスクが使用される。
【０００６】次に、図５（ｂ）に示すように、マスク５
６に覆われていない領域のバリア層５５をエッチングし
てＣｕ膜５４を露出させた後、反応性イオンエッチング
を施す。これにより、Ｃｕ膜５４がマスク４６のパター
ン形状で残留する。その後、マスク５６に覆われていな
い領域のバリアメタル層５３をエッチングする。これに
より、Ｃｕ配線が完成する。
６に覆われていない領域のバリア層５５をエッチングし
てＣｕ膜５４を露出させた後、反応性イオンエッチング
を施す。これにより、Ｃｕ膜５４がマスク４６のパター
ン形状で残留する。その後、マスク５６に覆われていな
い領域のバリアメタル層５３をエッチングする。これに
より、Ｃｕ配線が完成する。
【０００７】Ｃｕ膜を反応性イオンエッチングする際の
エッチング条件としては、従来、ＣＣｌ4 ガスとＡｒガ
スとを使用し、基板温度を２２５℃とすることが提案さ
れている（G.C.Schwartz and P.M.Schaible, J.Electro
chem. Soc. Vol.130,No8,P1777(1983)）。また、ＳｉＣ
ｌ4 ガス及びＡｒガスに替えてＳｉＣｌ4 ガス及びＮ 2
ガスを使用することで、ＳｉＣｌ4 ガス及びＡｒガスを
使用する場合よりも基板温度を下げる技術が知られてい
る（B.J.Howard and Ch.Steinbruchel, Appl.Phys.Let
t.59(8) P914(1991)）。更に、赤外線（ＩＲ）を使用
し、表面からの反応生成物の離脱を促進することで基板
温度を１５０℃まで下げる技術が知られている（N.Hoso
i and Ohshita, Appl. Phys.Lett.63(19)P2703(199
3)）。
エッチング条件としては、従来、ＣＣｌ4 ガスとＡｒガ
スとを使用し、基板温度を２２５℃とすることが提案さ
れている（G.C.Schwartz and P.M.Schaible, J.Electro
chem. Soc. Vol.130,No8,P1777(1983)）。また、ＳｉＣ
ｌ4 ガス及びＡｒガスに替えてＳｉＣｌ4 ガス及びＮ 2
ガスを使用することで、ＳｉＣｌ4 ガス及びＡｒガスを
使用する場合よりも基板温度を下げる技術が知られてい
る（B.J.Howard and Ch.Steinbruchel, Appl.Phys.Let
t.59(8) P914(1991)）。更に、赤外線（ＩＲ）を使用
し、表面からの反応生成物の離脱を促進することで基板
温度を１５０℃まで下げる技術が知られている（N.Hoso
i and Ohshita, Appl. Phys.Lett.63(19)P2703(199
3)）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線材
料としてＣｕ又はＡｌＣｕ合金を使用する場合には、以
下に示す問題点がある。Ｃｕを反応性イオンエッチング
する際には、反応生成物であるＣｕＣｌx の揮発性が低
いため、エッチングレートが低く、且つ、エッチングに
より形成された凹部の壁面（以下、側壁面という）にＣ
ｕが残渣として残りやすい。このため、側壁面にＣｕが
再付着して配線の寸法精度を維持することが困難にな
る。これは、Ｃｕ含有率が高いＡｌＣｕ合金でも同様で
ある。ＡｌＣｕ合金ではＣｕ含有率が高いほうがエレク
トロマイグレーション耐性が高いが、Ｃｕ含有率が１％
程度でも反応性イオンエッチング時に残渣が生じてしま
う。
料としてＣｕ又はＡｌＣｕ合金を使用する場合には、以
下に示す問題点がある。Ｃｕを反応性イオンエッチング
する際には、反応生成物であるＣｕＣｌx の揮発性が低
いため、エッチングレートが低く、且つ、エッチングに
より形成された凹部の壁面（以下、側壁面という）にＣ
ｕが残渣として残りやすい。このため、側壁面にＣｕが
再付着して配線の寸法精度を維持することが困難にな
る。これは、Ｃｕ含有率が高いＡｌＣｕ合金でも同様で
ある。ＡｌＣｕ合金ではＣｕ含有率が高いほうがエレク
トロマイグレーション耐性が高いが、Ｃｕ含有率が１％
程度でも反応性イオンエッチング時に残渣が生じてしま
う。
【０００９】反応生成物の揮発性を上げて残渣を生じな
いようにするためには、基板温度を２００〜３００℃に
上げる必要がある。しかし、この温度範囲では、マスク
材料としてレジスト（フォトレジスト又はＥＢレジス
ト）を使用することができず、ハードマスク（Ｓｉ
Ｏ2 、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等）を使用する必要がある。
これにより、工程が複雑化し、製造コストの上昇を招来
する。また、従来のＣｕ又はＡｌＣｕ合金の反応性イオ
ンエッチング方法には、側壁面がラジカル活性種にエッ
チングされてアンダーカットが生じやすいという欠点も
ある。
いようにするためには、基板温度を２００〜３００℃に
上げる必要がある。しかし、この温度範囲では、マスク
材料としてレジスト（フォトレジスト又はＥＢレジス
ト）を使用することができず、ハードマスク（Ｓｉ
Ｏ2 、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等）を使用する必要がある。
これにより、工程が複雑化し、製造コストの上昇を招来
する。また、従来のＣｕ又はＡｌＣｕ合金の反応性イオ
ンエッチング方法には、側壁面がラジカル活性種にエッ
チングされてアンダーカットが生じやすいという欠点も
ある。
【００１０】本発明は、マスクとしてレジストが使用可
能であり、アンダーカットを防止できて、微細なＣｕ又
はＡｌＣｕ配線の形成に適用できるＣｕ又はＡｌＣｕ合
金膜のパターニング方法及び反応性エッチング装置を提
供することを目的とする。
能であり、アンダーカットを防止できて、微細なＣｕ又
はＡｌＣｕ配線の形成に適用できるＣｕ又はＡｌＣｕ合
金膜のパターニング方法及び反応性エッチング装置を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、被処理
物の表面に形成されたＣｕ又はＡｌＣｕ膜上にマスクを
形成する工程と、前記被処理物の周囲にＳｉＣｌ4 ガス
及びＮ2 ガスを供給し、前記Ｃｕ又はＡｌＣｕ膜及びそ
の近傍の雰囲気に光を照射しつつ、前記ＳｉＣｌ4 ガス
及びＮ2 ガスをプラズマ化して、前記マスクに覆われて
いない部分の前記Ｃｕ又はＡｌＣｕ膜をエッチングする
工程とを有することを特徴とするＣｕ又はＡｌＣｕ合金
膜のパターニング方法により解決する。
物の表面に形成されたＣｕ又はＡｌＣｕ膜上にマスクを
形成する工程と、前記被処理物の周囲にＳｉＣｌ4 ガス
及びＮ2 ガスを供給し、前記Ｃｕ又はＡｌＣｕ膜及びそ
の近傍の雰囲気に光を照射しつつ、前記ＳｉＣｌ4 ガス
及びＮ2 ガスをプラズマ化して、前記マスクに覆われて
いない部分の前記Ｃｕ又はＡｌＣｕ膜をエッチングする
工程とを有することを特徴とするＣｕ又はＡｌＣｕ合金
膜のパターニング方法により解決する。
【００１２】また、上記した課題は、内部に被処理物が
載置されるチャンバと、このチャンバ内に配設された一
対の電極と、前記チャンバ内にＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2
ガスを供給するガス供給手段と、前記一対の電極間に交
流電力を供給してプラズマを発生させる電源と、前記被
処理物に光を照射する光源とを有することを特徴とする
反応性イオンエッチング装置により解決する。
載置されるチャンバと、このチャンバ内に配設された一
対の電極と、前記チャンバ内にＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2
ガスを供給するガス供給手段と、前記一対の電極間に交
流電力を供給してプラズマを発生させる電源と、前記被
処理物に光を照射する光源とを有することを特徴とする
反応性イオンエッチング装置により解決する。
【００１３】なお、反応性ガスとしては、上記のＳｉＣ
ｌ4 の他に、Ｓｉ2 Ｃｌ6 及びＳｉ 3 Ｃｌ8 等がある。
図１は本発明の原理を示す図である。なお、以下の説明
では反応性ガスとしてＳｉＣｌ4 を使用した場合につい
て説明するが、他の塩化Ｓｉガスの場合も原理は同じで
ある。また、図中、４は被処理物表面に形成されたＣｕ
膜、６はＣｕ膜４上にパターン形成されたマスク、ｈν
は光によるエネルギーを示す。
ｌ4 の他に、Ｓｉ2 Ｃｌ6 及びＳｉ 3 Ｃｌ8 等がある。
図１は本発明の原理を示す図である。なお、以下の説明
では反応性ガスとしてＳｉＣｌ4 を使用した場合につい
て説明するが、他の塩化Ｓｉガスの場合も原理は同じで
ある。また、図中、４は被処理物表面に形成されたＣｕ
膜、６はＣｕ膜４上にパターン形成されたマスク、ｈν
は光によるエネルギーを示す。
【００１４】Ｃｕ膜４を反応性イオンエッチングする場
合、チャンバ内ＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2 ガスを導入し、
電極間に高周波電圧を印加すると、電極間のＳｉＣｌ4
がプラズマ化して、下記（１）式で示すように、ＳｉＣ
ｌx イオンとＣｌ* （塩素ラジカル）とが生じる。 ＳｉＣｌ4 →ＳｉＣｌx + ＋Ｃｌ* …（１） そして、Ｃｌ* はＣｕ膜表面のＣｕと反応し、下記
（２）式で示すように、Ｃｕ塩素化物（Ｃｕx Ｃｌy ：
図１ではＣｕＣｌと表記する）が形成される。また、Ｓ
ｉＣｌx イオンは、電界により加速されてＣｕ膜４の表
面に衝突し、その結果、スパッタ作用により下記（３）
式で示すように、Ｃｕ塩素化物がＣｕ膜４から離脱して
Ｃｕ膜４がエッチングされる。これは、塩素系ガスを用
いた反応性イオンエッチングの通常の反応過程であり、
ガス圧による反応ガス種の供給とイオン種の供給とが一
致したときにエッチングレートが最大となる。
合、チャンバ内ＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2 ガスを導入し、
電極間に高周波電圧を印加すると、電極間のＳｉＣｌ4
がプラズマ化して、下記（１）式で示すように、ＳｉＣ
ｌx イオンとＣｌ* （塩素ラジカル）とが生じる。 ＳｉＣｌ4 →ＳｉＣｌx + ＋Ｃｌ* …（１） そして、Ｃｌ* はＣｕ膜表面のＣｕと反応し、下記
（２）式で示すように、Ｃｕ塩素化物（Ｃｕx Ｃｌy ：
図１ではＣｕＣｌと表記する）が形成される。また、Ｓ
ｉＣｌx イオンは、電界により加速されてＣｕ膜４の表
面に衝突し、その結果、スパッタ作用により下記（３）
式で示すように、Ｃｕ塩素化物がＣｕ膜４から離脱して
Ｃｕ膜４がエッチングされる。これは、塩素系ガスを用
いた反応性イオンエッチングの通常の反応過程であり、
ガス圧による反応ガス種の供給とイオン種の供給とが一
致したときにエッチングレートが最大となる。
【００１５】 Ｃｕ＋ｘＣｌ* →ＣｕＣｌx ↑ …（２） Ｃｕ＋ＳｉＣｌx →ＣｕＣｌx ↑＋Ｓｉ …（３） Ｃｕ膜４を反応性イオンエッチングする場合に、ＣｕＣ
ｌx の揮発性が低いため、イオンの衝突によるエネルギ
ーだけではＣｕＣｌx がＣｕ膜４の表面から離脱しにく
い。このため、従来は基板を数１００℃に加熱して熱的
エネルギーを供給することによりＣｕＣｌx の離脱を促
進している。加熱によりＣｕ塩素化物をＣｕ膜の表面か
ら離脱させるためには、Ｃｕ3 Ｃｌ3 の場合で５８０℃
以下、ＣｕＣｌの場合で６５０以上（H.F.Winters,J.V.
S.T.A3(3)186(1985)) に加熱することが必要である。
ｌx の揮発性が低いため、イオンの衝突によるエネルギ
ーだけではＣｕＣｌx がＣｕ膜４の表面から離脱しにく
い。このため、従来は基板を数１００℃に加熱して熱的
エネルギーを供給することによりＣｕＣｌx の離脱を促
進している。加熱によりＣｕ塩素化物をＣｕ膜の表面か
ら離脱させるためには、Ｃｕ3 Ｃｌ3 の場合で５８０℃
以下、ＣｕＣｌの場合で６５０以上（H.F.Winters,J.V.
S.T.A3(3)186(1985)) に加熱することが必要である。
【００１６】ところが、本発明の如く、Ｃｕ膜の表面に
可視又は紫外線レーザ光等を照射すると、下記（４）式
に示すように、基板温度が比較的低くても光励起により
Ｃｕ膜４の表面からＣｕ塩素化物が離脱する。 ＣｕＣｌx ＋ｈν→ＣｕＣｌx ↑ …（４） このＣｕＣｌx の離脱は熱的離脱とは異なり、高い運動
エネルギーと不均一なエネルギー分布を持っている。
可視又は紫外線レーザ光等を照射すると、下記（４）式
に示すように、基板温度が比較的低くても光励起により
Ｃｕ膜４の表面からＣｕ塩素化物が離脱する。 ＣｕＣｌx ＋ｈν→ＣｕＣｌx ↑ …（４） このＣｕＣｌx の離脱は熱的離脱とは異なり、高い運動
エネルギーと不均一なエネルギー分布を持っている。
【００１７】また、本発明においては、下記（５）式に
示すように、光の照射によりＳｉＣｌ4 の解離が促進さ
れるため、プラズマのみの場合よりも多くのＣｌ* がＣ
ｕ膜の表面に供給されることになり、ＣｕとＣｌ* との
反応が促進される。 ＳｉＣｌ4 ＋ｈν→ＳｉＣｌx ＋（４−Ｘ）Ｃｌ* …（５） このように、本発明においては、光を照射しつつ反応性
イオンエッチングを行うことにより、ＳｉＣｌ4 の解離
が促進されて多くのＣｌ* が生成されるとともに、反応
生成物の離脱が促進されるので、エッチングレートが向
上する。
示すように、光の照射によりＳｉＣｌ4 の解離が促進さ
れるため、プラズマのみの場合よりも多くのＣｌ* がＣ
ｕ膜の表面に供給されることになり、ＣｕとＣｌ* との
反応が促進される。 ＳｉＣｌ4 ＋ｈν→ＳｉＣｌx ＋（４−Ｘ）Ｃｌ* …（５） このように、本発明においては、光を照射しつつ反応性
イオンエッチングを行うことにより、ＳｉＣｌ4 の解離
が促進されて多くのＣｌ* が生成されるとともに、反応
生成物の離脱が促進されるので、エッチングレートが向
上する。
【００１８】一方、エッチングにより露出したＣｕ膜の
側壁面では、式（３）により発生した活性ＳｉとＮとが
結合し、Ｓｉx Ｎy 膜７が形成される。この場合に、光
照射により、下記（６）式で示すようにＳｉx Ｎy 膜７
の形成が促進される。 ｘＳｉ＋ｙＮ* ＋ｈν→Ｓｉx Ｎy …（６） このようにして、本発明においては、エッチングにより
露出したＣｕ側壁面にＳｉx Ｎy 膜７が付着し、このＳ
ｉx Ｎy 膜７が保護膜として作用してＣｕ側壁面のエッ
チング（すなわち、アンダーカット）を防止できる。更
に、容易に酸化しやすいＣｕのパッシベーションの効果
も得られる。
側壁面では、式（３）により発生した活性ＳｉとＮとが
結合し、Ｓｉx Ｎy 膜７が形成される。この場合に、光
照射により、下記（６）式で示すようにＳｉx Ｎy 膜７
の形成が促進される。 ｘＳｉ＋ｙＮ* ＋ｈν→Ｓｉx Ｎy …（６） このようにして、本発明においては、エッチングにより
露出したＣｕ側壁面にＳｉx Ｎy 膜７が付着し、このＳ
ｉx Ｎy 膜７が保護膜として作用してＣｕ側壁面のエッ
チング（すなわち、アンダーカット）を防止できる。更
に、容易に酸化しやすいＣｕのパッシベーションの効果
も得られる。
【００１９】なお、Ｃｕ側壁面だけでなく、エッチング
方向に対し垂直な面にもＳｉx Ｎyが堆積してＳｉx Ｎ
y 膜が形成され、エッチングが不可能になると考えられ
るが、実際には、エッチング方向に対し垂直な面はＳｉ
Ｃｌx イオンの衝撃に曝されているため、このスパッタ
作用によりＳｉx Ｎy が堆積されず、エッチングが進行
する。
方向に対し垂直な面にもＳｉx Ｎyが堆積してＳｉx Ｎ
y 膜が形成され、エッチングが不可能になると考えられ
るが、実際には、エッチング方向に対し垂直な面はＳｉ
Ｃｌx イオンの衝撃に曝されているため、このスパッタ
作用によりＳｉx Ｎy が堆積されず、エッチングが進行
する。
【００２０】すなわち、本発明においては、反応性イオ
ンエッチングの際に被処理物に光を照射をすることでＣ
ｕ又はＡｌＣｕ膜の表面での反応を促進するとともに反
応生成物であるＣｕ塩素化物の離脱を促進し、且つ、Ｃ
ｕ側壁面にＳｉx Ｎy 膜を形成し、アンダーカットを抑
制することができる。
ンエッチングの際に被処理物に光を照射をすることでＣ
ｕ又はＡｌＣｕ膜の表面での反応を促進するとともに反
応生成物であるＣｕ塩素化物の離脱を促進し、且つ、Ｃ
ｕ側壁面にＳｉx Ｎy 膜を形成し、アンダーカットを抑
制することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。図２は本発明の実
施の形態に係る反応性イオンエッチング装置を示す模式
図である。エッチングチャンバ１１及びロードロック室
１２は隣接して配設されており、両者の間にはゲートバ
ルブ１４が設けられている。また、ロードロック室１２
の上部にもゲートバルブ１５が設けられている。
て、添付の図面を参照して説明する。図２は本発明の実
施の形態に係る反応性イオンエッチング装置を示す模式
図である。エッチングチャンバ１１及びロードロック室
１２は隣接して配設されており、両者の間にはゲートバ
ルブ１４が設けられている。また、ロードロック室１２
の上部にもゲートバルブ１５が設けられている。
【００２２】チャンバ１１の上部には透明ガラスからな
るビューポート１３が配設されている。また、チャンバ
１１の上方には光源１８が設けられており、この光源１
８から出力された光がビューポート１３を介してチャン
バ１１内に導入されるようになっている。この実施の形
態では、光源１８として波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザを使用するが、これに替えて波長が３０８ｎ
ｍのＸｅＣｌエキシマレーザや、紫外線を出力する光源
等を使用してもよい。
るビューポート１３が配設されている。また、チャンバ
１１の上方には光源１８が設けられており、この光源１
８から出力された光がビューポート１３を介してチャン
バ１１内に導入されるようになっている。この実施の形
態では、光源１８として波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザを使用するが、これに替えて波長が３０８ｎ
ｍのＸｅＣｌエキシマレーザや、紫外線を出力する光源
等を使用してもよい。
【００２３】チャンバ１１内には、電極１６及び対向電
極１７が上下方向に対向して配置されている。被処理物
（ウェハ）２０は電極１６上に載置するようになってい
る。この電極１６は高周波（ＲＦ）電源２１に接続され
ていて、この高周波電源２１から高周波電力が供給され
るようになっている。また、対向電極１７は環状になっ
ており、ビューポート１３を介してチャンバ１１内に進
入した光が被処理物２０の表面を照射するようになって
いる。この対向電極１７は、例えば接地に接続されてい
る。
極１７が上下方向に対向して配置されている。被処理物
（ウェハ）２０は電極１６上に載置するようになってい
る。この電極１６は高周波（ＲＦ）電源２１に接続され
ていて、この高周波電源２１から高周波電力が供給され
るようになっている。また、対向電極１７は環状になっ
ており、ビューポート１３を介してチャンバ１１内に進
入した光が被処理物２０の表面を照射するようになって
いる。この対向電極１７は、例えば接地に接続されてい
る。
【００２４】チャンバ１１内には、Ｎ2 ガス供給源及び
ＳｉＣｌ4 ガス供給源（いずれも図示せず）からＮ2 ガ
ス及びＳｉＣｌ4 ガスが供給されるようになっている。
また、チャンバ１１内の空間はバルブ３１を介してメカ
ニカルブースタポンプ２２に接続されており、このメカ
ニカルブースタポンプ２２はロータリーポンプ２５に接
続されている。更に、チャンバ１１内の空間はバルブ３
２を介してターボポンプ２３に接続されており、このタ
ーボポンプ２３はバルブ３３を介してロータリーポンプ
２５に接続されている。
ＳｉＣｌ4 ガス供給源（いずれも図示せず）からＮ2 ガ
ス及びＳｉＣｌ4 ガスが供給されるようになっている。
また、チャンバ１１内の空間はバルブ３１を介してメカ
ニカルブースタポンプ２２に接続されており、このメカ
ニカルブースタポンプ２２はロータリーポンプ２５に接
続されている。更に、チャンバ１１内の空間はバルブ３
２を介してターボポンプ２３に接続されており、このタ
ーボポンプ２３はバルブ３３を介してロータリーポンプ
２５に接続されている。
【００２５】一方、ロードロック室１２内の空間はバル
ブ３４を介してターボポンプ２４に接続されているとと
もに、バルブ３５を介してロータリーポンプ２６に接続
されている。また、ターボポンプ２４はバルブ３６を介
してロータリーポンプ２６に接続されている。図３は、
上述の反応性イオンエッチング装置を使用したＣｕ膜の
パターニング方法を示す模式図である。以下、図１〜図
３を参照して、本発明の実施の形態に係る反応性イオン
エッチング方法について説明する。なお、被処理物２０
は図３に示すように、シリコン基板１と、このシリコン
基板１上に積層された絶縁膜２、バリアメタル層３、Ｃ
ｕ膜４及びバリアメタル層５と、バリアメタル層５上に
所定のパターンで形成されたマスク（ハードマスク又は
レジストマスク）７とを有している。
ブ３４を介してターボポンプ２４に接続されているとと
もに、バルブ３５を介してロータリーポンプ２６に接続
されている。また、ターボポンプ２４はバルブ３６を介
してロータリーポンプ２６に接続されている。図３は、
上述の反応性イオンエッチング装置を使用したＣｕ膜の
パターニング方法を示す模式図である。以下、図１〜図
３を参照して、本発明の実施の形態に係る反応性イオン
エッチング方法について説明する。なお、被処理物２０
は図３に示すように、シリコン基板１と、このシリコン
基板１上に積層された絶縁膜２、バリアメタル層３、Ｃ
ｕ膜４及びバリアメタル層５と、バリアメタル層５上に
所定のパターンで形成されたマスク（ハードマスク又は
レジストマスク）７とを有している。
【００２６】まず、ゲートバルブ１４を閉状態とし、ゲ
ートバルブ１５を開いて被処理物２０をロードロック室
１２内に入れる。そして、ゲートバルブ１５を閉じた
後、ターボポンプ２４及びロータリーポンプ１６により
ロードロック室１２を十分に排気する。また、ターボポ
ンプ２３及びロータリーポンプ２５によりチャンバ１１
内を十分に排気する。
ートバルブ１５を開いて被処理物２０をロードロック室
１２内に入れる。そして、ゲートバルブ１５を閉じた
後、ターボポンプ２４及びロータリーポンプ１６により
ロードロック室１２を十分に排気する。また、ターボポ
ンプ２３及びロータリーポンプ２５によりチャンバ１１
内を十分に排気する。
【００２７】その後、ゲートバルブ１４を開いて被処理
物２０をチャンバ１１内の電極１６上に載置する。次
に、Ｎ2 ガス供給源及びＳｉＣｌ4 ガス供給源からチャ
ンバ１１内にＮ2 ガス及びＳｉＣｌ4 ガスを供給する。
その後、光源１８から出力されたレーザ光を被処理物２
０の表面に照射し、レーザ光を走査させながら電源２１
から電極１６に高周波電力を供給する。
物２０をチャンバ１１内の電極１６上に載置する。次
に、Ｎ2 ガス供給源及びＳｉＣｌ4 ガス供給源からチャ
ンバ１１内にＮ2 ガス及びＳｉＣｌ4 ガスを供給する。
その後、光源１８から出力されたレーザ光を被処理物２
０の表面に照射し、レーザ光を走査させながら電源２１
から電極１６に高周波電力を供給する。
【００２８】そうすると、図１に示すように、ＳｉＣｌ
4 がプラズマ化してＳｉＣｌx イオン及びＣｌ* が発生
する。本実施の形態によれば、ＳｉＣｌ4 ガスにも光が
照射されるので、ＳｉＣｌ4 の分解が促進され、レーザ
光を照射しない場合に比べてより多くのＳｉＣｌx イオ
ン及びＣｌ* が発生する。ＳｉＣｌx イオンは、電界に
より加速されてマスク６に覆われていない部分のＣｕ膜
４に衝突し、スパッタ作用によりＣｕＣｌx 及びＳｉが
Ｃｕ膜４の表面から放出されてＣｕ膜４がエッチングさ
れる。また、Ｃｌ* はＣｕ膜４の表面のＣｕと反応しＣ
ｕＣｌが生成される。このＣｕＣｌは、熱と光照射とか
らエネルギーを得てＣｕ膜４から離脱する。
4 がプラズマ化してＳｉＣｌx イオン及びＣｌ* が発生
する。本実施の形態によれば、ＳｉＣｌ4 ガスにも光が
照射されるので、ＳｉＣｌ4 の分解が促進され、レーザ
光を照射しない場合に比べてより多くのＳｉＣｌx イオ
ン及びＣｌ* が発生する。ＳｉＣｌx イオンは、電界に
より加速されてマスク６に覆われていない部分のＣｕ膜
４に衝突し、スパッタ作用によりＣｕＣｌx 及びＳｉが
Ｃｕ膜４の表面から放出されてＣｕ膜４がエッチングさ
れる。また、Ｃｌ* はＣｕ膜４の表面のＣｕと反応しＣ
ｕＣｌが生成される。このＣｕＣｌは、熱と光照射とか
らエネルギーを得てＣｕ膜４から離脱する。
【００２９】一方、イオンスパッタにより発生したＳｉ
は、プラズマ化したＮと反応し、エッチングにより露出
したＣｕ膜４の側壁面にＳｉx Ｎy 膜７を形成する。こ
の場合に、Ｓｉx Ｎy はＣｕ膜４の全面に堆積しようと
するが、エッチング方向に対し垂直な面では電界により
加速されたＳｉＣｌx イオンが衝突するため、ＳｉxＮ
y は堆積する前に除去される。従って、Ｃｕ側壁面にの
みＳｉx Ｎy 膜７が形成され、このＳｉx Ｎy 膜７が保
護膜として作用し、Ｃｌ* によるＣｕ側壁面のエッチン
グが防止されてアンダーカットを抑制することができ
る。
は、プラズマ化したＮと反応し、エッチングにより露出
したＣｕ膜４の側壁面にＳｉx Ｎy 膜７を形成する。こ
の場合に、Ｓｉx Ｎy はＣｕ膜４の全面に堆積しようと
するが、エッチング方向に対し垂直な面では電界により
加速されたＳｉＣｌx イオンが衝突するため、ＳｉxＮ
y は堆積する前に除去される。従って、Ｃｕ側壁面にの
みＳｉx Ｎy 膜７が形成され、このＳｉx Ｎy 膜７が保
護膜として作用し、Ｃｌ* によるＣｕ側壁面のエッチン
グが防止されてアンダーカットを抑制することができ
る。
【００３０】本実施の形態においては、チャンバ１１内
にＳｉＣｌ4 ガスとともにＮ2 ガスを供給し、更に被処
理物２０の表面にレーザ光を照射するので、被処理物２
０の加熱温度を比較的低い温度（９０℃以上）とするこ
とができる。これにより、マスク７としてレジストを使
用することができる。また、光の照射によりＳｉＣｌ 4
が分解されやすなり、且つスパッタ作用により反応生成
物であるＣｕＣｌの除去が促進されるので、エッチング
レートが高い。更に、本実施の形態においては、Ｃｕ側
壁面にＳｉx Ｎy 膜７が形成されるので、アンダーカッ
トを抑制することができる。
にＳｉＣｌ4 ガスとともにＮ2 ガスを供給し、更に被処
理物２０の表面にレーザ光を照射するので、被処理物２
０の加熱温度を比較的低い温度（９０℃以上）とするこ
とができる。これにより、マスク７としてレジストを使
用することができる。また、光の照射によりＳｉＣｌ 4
が分解されやすなり、且つスパッタ作用により反応生成
物であるＣｕＣｌの除去が促進されるので、エッチング
レートが高い。更に、本実施の形態においては、Ｃｕ側
壁面にＳｉx Ｎy 膜７が形成されるので、アンダーカッ
トを抑制することができる。
【００３１】以下、本発明方法により実際に反応性イオ
ンエッチングを行った結果について、比較例と比較して
説明する。 （実施例１）シリコン基板上にＳｉＯ2 膜を１００ｎｍ
の厚さに形成し、このＳｉＯ2 膜上にＣｕ膜を４００ｎ
ｍの厚さに形成し、更にＣｕ膜上に厚さが４００ｎｍの
レジスト膜を形成した後、該レジスト膜をパターニング
したものを被処理物２０として用意した。
ンエッチングを行った結果について、比較例と比較して
説明する。 （実施例１）シリコン基板上にＳｉＯ2 膜を１００ｎｍ
の厚さに形成し、このＳｉＯ2 膜上にＣｕ膜を４００ｎ
ｍの厚さに形成し、更にＣｕ膜上に厚さが４００ｎｍの
レジスト膜を形成した後、該レジスト膜をパターニング
したものを被処理物２０として用意した。
【００３２】そして、チャンバ１１の直径が６０ｃｍの
平行平板型ＲＩＥ装置の内部に被処理物２０を載置し、
チャンバ１１内に、エッチングガスとしてＳｉＣｌ4 ガ
ス及びＮ2 ガスをそれぞれ２４sccm及び６sccmの流量で
供給した。ＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2 ガスの合計のガス圧
は３５mTorr とした。また、被処理物２０を約１００℃
に加熱した。この程度の温度では、レジストパターンが
崩れることはない。
平行平板型ＲＩＥ装置の内部に被処理物２０を載置し、
チャンバ１１内に、エッチングガスとしてＳｉＣｌ4 ガ
ス及びＮ2 ガスをそれぞれ２４sccm及び６sccmの流量で
供給した。ＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2 ガスの合計のガス圧
は３５mTorr とした。また、被処理物２０を約１００℃
に加熱した。この程度の温度では、レジストパターンが
崩れることはない。
【００３３】そして、チャンバ１１の上部よりビューポ
ート１３を介して被処理物２０にＫｒＦエキシマレーザ
光（波長２４８ｎｍ）を照射した。レーザ光の出力は２
００Ｗとした。その後、電源２１から電極１６に周波数
が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給した。このとき
のＲＦパワーは２００Ｗ（0.071W/cm 2 ）である。ま
た、セルフバイアスは１８０Ｖであった。
ート１３を介して被処理物２０にＫｒＦエキシマレーザ
光（波長２４８ｎｍ）を照射した。レーザ光の出力は２
００Ｗとした。その後、電源２１から電極１６に周波数
が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給した。このとき
のＲＦパワーは２００Ｗ（0.071W/cm 2 ）である。ま
た、セルフバイアスは１８０Ｖであった。
【００３４】この条件でエッチングレートを調べたとこ
ろ、７００Å／分であった。反応性イオンエッチングが
終了した後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりエッチ
ング部分の壁面（Ｃｕ側壁面）の状態を調べたところ、
側壁の形状は略垂直であり、アンダーカットの割合（ア
ンダーカット量／エッチング深さ×１００）は約５％と
少ないものであった。また、エッチング表面を観察した
ところ、Ｃｕの残渣は皆無であった。
ろ、７００Å／分であった。反応性イオンエッチングが
終了した後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりエッチ
ング部分の壁面（Ｃｕ側壁面）の状態を調べたところ、
側壁の形状は略垂直であり、アンダーカットの割合（ア
ンダーカット量／エッチング深さ×１００）は約５％と
少ないものであった。また、エッチング表面を観察した
ところ、Ｃｕの残渣は皆無であった。
【００３５】（比較例）比較例として、ＫｒＦレーザを
使用しない以外は上述の実施例１と同様にして反応性イ
オンエッチングを行った。その結果、エッチングレート
は数１０Å／分と低く、しかもエッチングされた部分の
表面はＣｕ残渣により起伏が激しいものであった。ま
た、アンダーカットの割合も約３５％と大きいものであ
った。
使用しない以外は上述の実施例１と同様にして反応性イ
オンエッチングを行った。その結果、エッチングレート
は数１０Å／分と低く、しかもエッチングされた部分の
表面はＣｕ残渣により起伏が激しいものであった。ま
た、アンダーカットの割合も約３５％と大きいものであ
った。
【００３６】これらの実施例１及び比較例から、ＫｒＦ
レーザ光を照射したことにより、Ｃｕ膜のエッチング反
応が促進されるとともに、アンダーカットが抑制される
ことが確認できた。更に、エネルギー分散Ｘ線分光法
（ＥＤＸ）によりＣｕ側壁面を調べたところ、実施例１
によりエッチングした被処理物のＣｕ側壁面にはＳｉが
検出された。これにより、Ｃｕ側壁面にＳｉx Ｎy 膜が
形成されていることが確認できた。
レーザ光を照射したことにより、Ｃｕ膜のエッチング反
応が促進されるとともに、アンダーカットが抑制される
ことが確認できた。更に、エネルギー分散Ｘ線分光法
（ＥＤＸ）によりＣｕ側壁面を調べたところ、実施例１
によりエッチングした被処理物のＣｕ側壁面にはＳｉが
検出された。これにより、Ｃｕ側壁面にＳｉx Ｎy 膜が
形成されていることが確認できた。
【００３７】（実施例２）次に、レーザ出力を一定（２
００Ｗ）とし、エッチングガスのガス圧を変換させてエ
ッチングレートを調べた。その結果、エッチングガス圧
が５０mTorr 程度のところにエッチングレートのピーク
が見られ、高圧ガス側では極端にエッチングレートが低
くなることが判明した。これは、ガス圧が高いとセルフ
バイアスが低くなることから、イオン種が減り、ラジカ
ル活性種が多くなることの外に、Ｃｕ膜表面のＳｉx Ｎ
y の堆積レートが速くなるためであると考えられる。
００Ｗ）とし、エッチングガスのガス圧を変換させてエ
ッチングレートを調べた。その結果、エッチングガス圧
が５０mTorr 程度のところにエッチングレートのピーク
が見られ、高圧ガス側では極端にエッチングレートが低
くなることが判明した。これは、ガス圧が高いとセルフ
バイアスが低くなることから、イオン種が減り、ラジカ
ル活性種が多くなることの外に、Ｃｕ膜表面のＳｉx Ｎ
y の堆積レートが速くなるためであると考えられる。
【００３８】Ｓｉx Ｎy の堆積レートを抑えるために
は、レーザ出力を小さくするか、又はＮ2 濃度を低くす
ればよい。一方、ガス圧が低い場合は、ラジカル活性種
が減少することによりエッチングレートが低くなると考
えられる。 （実施例３）次に、ガス圧を３５mTorr 、レーザ光の出
力を２００Ｗとして、基板温度を変化させてエッチング
レートを調べた。その結果、基板温度が高いほどエッチ
ングレートが高くなった。
は、レーザ出力を小さくするか、又はＮ2 濃度を低くす
ればよい。一方、ガス圧が低い場合は、ラジカル活性種
が減少することによりエッチングレートが低くなると考
えられる。 （実施例３）次に、ガス圧を３５mTorr 、レーザ光の出
力を２００Ｗとして、基板温度を変化させてエッチング
レートを調べた。その結果、基板温度が高いほどエッチ
ングレートが高くなった。
【００３９】これは、基板温度が高いほどＣｕＣｌx の
揮発性が高いためであると考えられる。レーザ光を照射
している場合であっても、被処理物の温度が９０℃以下
になるとＣｕ残渣が増えてくる。これは、レーザ光の照
射だけで十分なＣｕ塩素化物の離脱が起こっているわけ
ではなく、熱的エネルギーの供給も必要であることを示
している。
揮発性が高いためであると考えられる。レーザ光を照射
している場合であっても、被処理物の温度が９０℃以下
になるとＣｕ残渣が増えてくる。これは、レーザ光の照
射だけで十分なＣｕ塩素化物の離脱が起こっているわけ
ではなく、熱的エネルギーの供給も必要であることを示
している。
【００４０】なお、レーザ光を照射しない場合は、被処
理物の温度が約２５０℃以下ではＣｕ残渣が多く発生す
ることから、レーザ光照射による効果が認められる。
理物の温度が約２５０℃以下ではＣｕ残渣が多く発生す
ることから、レーザ光照射による効果が認められる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜及びその近傍の雰囲気に光を照
射しながらマスクに覆われていない部分の前記Ｃｕ又は
ＡｌＣｕ合金膜を反応性イオンエッチングするので、被
処理物を高温に加熱する必要がなく、マスクとしてフォ
トレジスト等を使用することができる。従って、工程が
比較的簡単でよく、製造コストを低減できる。また、本
発明においては、光の照射により反応生成物であるＣｕ
Ｃｌが容易に離脱するため、エッチングレートが高い。
更に、本発明においては、エッチング加工面にＳｉx Ｎ
y 膜が形成されるので、アンダーカットが極めて少なく
なり、同時に容易に酸化しやすいＣｕのパッシベーショ
ンの効果も得られる。これにより、半導体装置の配線を
より一層微細にすることができるという効果を奏する。
Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜及びその近傍の雰囲気に光を照
射しながらマスクに覆われていない部分の前記Ｃｕ又は
ＡｌＣｕ合金膜を反応性イオンエッチングするので、被
処理物を高温に加熱する必要がなく、マスクとしてフォ
トレジスト等を使用することができる。従って、工程が
比較的簡単でよく、製造コストを低減できる。また、本
発明においては、光の照射により反応生成物であるＣｕ
Ｃｌが容易に離脱するため、エッチングレートが高い。
更に、本発明においては、エッチング加工面にＳｉx Ｎ
y 膜が形成されるので、アンダーカットが極めて少なく
なり、同時に容易に酸化しやすいＣｕのパッシベーショ
ンの効果も得られる。これにより、半導体装置の配線を
より一層微細にすることができるという効果を奏する。
【図１】本発明の原理を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るエッチング装置を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】本発明方法に係るＣｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパ
ターニング方法を示す模式図である。
ターニング方法を示す模式図である。
【図４】従来のダマシン法によるＣｕ配線の形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法に
よるＣｕ配線の形成方法を示す断面図である。
よるＣｕ配線の形成方法を示す断面図である。
１，４１，５１ シリコン基板 ２，４２，５２ 絶縁膜 ３，５，４３，５３，５５ バリアメタル層 ４，４４，５４ Ｃｕ膜 ６．５６ マスク １１ チャンバ １２ ロードロック室 １３ ビューポート １４，１５ ゲートバルブ １６，１７ 電極 １８ 光源 ２０ 被処理物 ２１ 高周波電源 ２２ メカニカルブースタポンプ ２３，２４ ターボポンプ ２５，２６ ロータリーポンプ ３１，３２，３３ バルブ
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理物の表面に形成されたＣｕ又はＡ
ｌＣｕ膜上にマスクを形成する工程と、 前記被処理物の周囲にＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2 ガスを供
給し、前記Ｃｕ又はＡｌＣｕ膜及びその近傍の雰囲気に
光を照射しつつ、前記ＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2ガスをプ
ラズマ化して、前記マスクに覆われていない部分の前記
Ｃｕ又はＡｌＣｕ膜をエッチングする工程とを有するこ
とを特徴とするＣｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング
方法。 - 【請求項２】 前記光は可視光又は紫外線であることを
特徴とする請求項１に記載のＣｕ又はＡｌＣｕ合金膜の
パターニング方法。 - 【請求項３】 光を出力する光源として、ＫｒＦエキシ
マレーザ又はＸｅＣｌエキシマレーザを使用することを
特徴とする請求項１に記載のＣｕ又はＡｌＣｕ合金膜の
パターニング方法。 - 【請求項４】 前記被処理物を９０℃以上に加熱するこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング方法。 - 【請求項５】 内部に被処理物が載置されるチャンバ
と、 このチャンバ内に配設された一対の電極と、 前記チャンバ内にＳｉＣｌ4 ガス及びＮ2 ガスを供給す
るガス供給手段と、 前記一対の電極間に交流電力を供給してプラズマを発生
させる電源と、 前記被処理物に光を照射する光源とを有することを特徴
とする反応性イオンエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12364296A JPH09306877A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12364296A JPH09306877A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306877A true JPH09306877A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14865653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12364296A Withdrawn JPH09306877A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | Ｃｕ又はＡｌＣｕ合金膜のパターニング方法及び反応性イオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306877A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016511551A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 銅のｕｖ支援反応性イオンエッチング |
| US11961773B2 (en) | 2018-07-20 | 2024-04-16 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Semiconductor etching methods |
-
1996
- 1996-05-17 JP JP12364296A patent/JPH09306877A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016511551A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 銅のｕｖ支援反応性イオンエッチング |
| US11961773B2 (en) | 2018-07-20 | 2024-04-16 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Semiconductor etching methods |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |