JPH09306824A - 露光量制御方法および装置 - Google Patents

露光量制御方法および装置

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JPH09306824A
JPH09306824A JP8139681A JP13968196A JPH09306824A JP H09306824 A JPH09306824 A JP H09306824A JP 8139681 A JP8139681 A JP 8139681A JP 13968196 A JP13968196 A JP 13968196A JP H09306824 A JPH09306824 A JP H09306824A
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energy
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Hiroyuki Koide
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外乱のスループットや露光精度への悪影響を
低減または除去する。 【解決手段】 被照射体の露光エネルギーが毎パルス一
定となるように各パルスの露光目標エネルギー量を設定
する露光量制御を行なうのではなく、レーザ出力時に各
パルスに付加される外乱エネルギー量を予測し、予測し
た外乱エネルギー量をもとに各パルスの露光目標エネル
ギー量を決定し露光量制御を行なう。または、設定露光
量を目標としたレーザ出力エネルギー制御を行なわない
非出力制御段階と、設定露光量を目標としたレーザ出力
エネルギー制御を行なう出力制御段階とを順次切り換え
て露光を行なう。あるいは、レーザ出力エネルギー量の
目標値である目標露光エネルギー量と過去の実露光エネ
ルギー量を比較し、その結果を用いて出力エネルギー制
御手段のレーザ充電電圧を決定するフィードバック系を
構成し、露光量制御を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源としてエキシ
マ等のパルスレーザを用いる場合の露光量制御方法およ
び装置に関し、特に、高精度な露光量制御を必要とする
半導体露光装置に適用して好適なそれらに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体露光装置においては、半導体の高
集積化および高微細化に伴い、近年エキシマレーザなど
のパルスレーザが光源として使用されている。従来のパ
ルスレーザを用いた露光装置の露光量制御においては、
目標とする設定露光量Edoseより、露光前に予め平均出
力エネルギーE0 および総露光パルス数Nを決定し、被
照射体の露光エネルギーが毎パルス一定となるように各
パルスの露光目標エネルギー量を設定し露光量制御を行
なっていた。
【0003】ただし、実際の露光シーケンスにおいて
は、被照射体を露光目標エネルギー量で露光することを
阻害する光学特性やレーザ特性等に基づく種々の外乱エ
ネルギーが存在するため、これらに起因する露光誤差に
対してレーザ出力エネルギーの補正を行ないながら露光
量制御を行なう必要がある。このため、例えば図15に
示す露光アルゴリズムが用いられていた。図15におい
て、ステップ121で設定露光量Edoseを設定する。ま
た、初期パルス数値i=1とする。ステップ122で、
dose=N×E0 を満足する露光の総パルス数Nと1パ
ルス当たりのレーザ平均出力エネルギーE0 を求める。
ステップ123でi−1パルス目までの露光誤差Eerr
=Eobj −Emeasを求める(i≧2)。ここで、Emeas
はi−1パルス目までの総実露光量、Eobj はi−1パ
ルス目までの総露光目標量であり、被照射体の露光エネ
ルギーが毎パルス一定となるように各パルスの露光目標
エネルギー量を設定する従来技術においてはEobj
(i−1)E0 と表わすことができる。ただし、i=1
の時はEerr =0とする。ステップ124で、iパルス
目のレーザ出力エネルギー
【0004】
【数1】 を求める。ここで、右辺第二項が外乱エネルギーに起因
する露光誤差を除去するための補正量である。ステップ
125で、エネルギーy[i] にてレーザ出力する。ステ
ップ126でiパルス目の露光量を計測する。また、i
パルス目までの実露光量の総和Emeasを求める。ステッ
プ127でパルス数iを1つ増やす。ステップ123〜
127をN回繰り返して露光を終了する。
【0005】ステップ125のようにエネルギーy[i]
にてレーザ出力する場合、一般にパルスレーザの出力エ
ネルギー制御は、レーザ充電電圧を出力エネルギーに対
応した適切な値に設定することにより行なわれる。従来
のパルスレーザを用いた露光装置の露光量制御において
は、図16に示すように、露光前に予め充電電圧と出力
エネルギーの関係を求め、目標とする出力エネルギーに
対応する充電電圧をパルスごとに設定しレーザ出力を行
なっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来技
術においては、外乱エネルギー量が大きくなる程、露光
誤差Eerr は大きくなり、ステップ124におけるレー
ザ出力エネルギーの補正幅は大きく必要となる。このた
め以下の問題が発生する。ここでは、レーザの最大出力
エネルギーをEmax 、最小出力エネルギーをEmin とす
る。すなわち、 1.露光量制御を可能にするためには、ステップ124
において全パルスともy[i] <Emax を満足するよう
に、ステップ122で平均出力エネルギーE0 (Emin
+αd ≦E0 ≦Emax −αu )を選択することが必要で
ある。ここで、αd ,αu (≧0)は露光エネルギー補
正範囲で、外乱エネルギー量例えば、レーザの出力エネ
ルギー値のばらつきが大きい程、補正範囲αd ,αu
大きい値を必要とする。したがって、外乱エネルギー量
が大きくなり、レーザ出力エネルギーの補正幅が大きく
必要となる程、平均出力エネルギーE0 を小さく選択
し、スループットを落として露光量制御を行なわなけれ
ばならない。
【0007】2.外乱エネルギー量が大きくなり、全パ
ルスがEmin <y[i] <Emax を満たす平均出力エネル
ギーE0 が存在しない場合、露光量制御を行なうために
必要となるレーザの出力エネルギー制御を行なえず、露
光量制御が根本的に不可能になる。 3.また、レーザガス劣化等によるレーザ出力の低下に
伴い、レーザの最大出力値Emax がレーザ出力要求範囲
の上限であるE0 +αu 未満となった場合には露光量制
御が不能となり、ガス交換を行なうか、あるいは1パル
スあたりのレーザ平均出力エネルギー値E0 をEmax
αu 以下となるように再設定し、スループットを悪化さ
せて露光を行わなければならない。
【0008】さらに、上記従来例におけるパルス毎の露
光量制御は、露光前に予めレーザ充電電圧と出力エネル
ギーの特性関係を求め、この関係を用いてレーザ充電電
圧を決定するというオープンループによるものであった
ため、 4.予め求めたレーザ充電電圧と出力エネルギーの特性
関係が、実際のレーザの特性関係と異なっていた場合、
露光誤差となる。 5.外乱に対する補償手段が無く、外乱が加わった場
合、露光誤差となる。という問題があった。
【0009】以上の4,5の問題点についてさらに詳し
く述べる。図16に示したレーザ充電電圧と出力エネル
ギーの特性関係は、常に一定ではなく、レーザガスの劣
化とともに経時的に変化していく。この経時変化に対
し、パルス毎の露光目標エネルギー量で露光誤差なく露
光を行なうためには、常にレーザ充電電圧と出力エネル
ギーの特性関係を計測し更新する必要がある。
【0010】また、レーザは、発振開始直後の数十パル
スから数百パルスの出力エネルギーが、定常時の出力エ
ネルギーより高くなるという特徴がある(以下、スパイ
キング現象と呼ぶ)。このスパイキング現象に対し、露
光目標エネルギー量で露光誤差なく露光を行なうために
は、パルス毎にレーザ充電電圧と出力エネルギーの特性
関係を求める必要がある。
【0011】これらの経時的あるいはパルス毎に異なる
レーザ充電電圧と出力エネルギーの特性関係を、全充電
電圧範囲において、装置のスループットを悪化させず正
確に求めていくことは困難であり、このため、従来のオ
ープンループによる露光量制御においては、予め求めた
レーザ充電電圧と出力エネルギーの特性関係が、実際の
レーザの特性関係と異なり、露光誤差が生じるという問
題があった。
【0012】次に、パルスレーザを用いた露光装置の露
光量制御における外乱の発生例について述べる。半導体
露光装置においては被照射面上の照度が均一であること
が要求される。ところが、光源としてレーザを用いた場
合、レーザのビーム断面には照度ムラが生じているた
め、これに起因して被照射面上に照度ムラが発生する。
この照度ムラを除去するために、図17に示すように、
例えば平行平面板を回転させることにより被照射面と共
役な面のレーザビームを時間的に振り分け、照度を均一
化する手段が考案されている。ところが、この手段を用
いることにより照度ムラは除去できるものの、平行平面
板の回転と連動して被照射面上全体の周期的なエネルギ
ー変動が発生する。これは被照射面を露光目標エネルギ
ー量で露光することを阻害する要因となる外乱例であ
る。照度ムラ除去器の例としては、これ以外にも、くさ
び状プリズムやミラーを周期的に動かす例がある。
【0013】一般に、外乱の影響により、レーザ充電電
圧と実露光エネルギーの関係はパルス毎に変動する。従
来のオープンループによる露光量制御においては、この
ような外乱に対する補償手段がなく、外乱が加わった場
合に露光誤差が生じるという問題があった。
【0014】本発明は、上記従来技術における問題点に
鑑みてなされたもので、外乱エネルギーの変動幅が大き
くなってもスループットを悪化させず、かつ露光量制御
不能に陥ることなく露光を行なうことを第1の目的とす
る。
【0015】また、レーザガス劣化等によるレーザ出力
の低下に対して、スループットの悪化を最小限に抑制し
ながら高精度な露光を行なうことを第2の目的とする。
【0016】さらに、レーザ充電電圧と出力エネルギー
の特性変動が生じても、パルス毎に露光目標エネルギー
に対し露光誤差なく露光を行なうこと、および外乱が発
生してもその露光量への影響を除去することを第3の目
的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段および作用】上記第1の目
的を達成するため、本発明の第1の局面においては、被
照射体の露光エネルギーが毎パルス一定となるように各
パルスの露光目標エネルギー量を設定する露光量制御を
行なうのではなく、レーザ出力時に各パルスに付加され
る外乱エネルギー量を予測し、予測した外乱エネルギー
量をもとに各パルスの露光目標エネルギー量を決定し露
光量制御を行なう。但し、本発明では、予測可能な再現
性のある外乱のみを対象とする。レーザの出力ばらつき
等の確率的外乱は本発明では対象としない。
【0018】図18に、レーザからエネルギーを出力し
被照射体を露光する簡略化モデルを示す。ここで、y
[i] はiパルス目(i=1,2,…,N)におけるレー
ザの出力エネルギー、d[i] は外乱エネルギー、x[i]
は被照射体の露光エネルギーである。この時、x[i] =
y[i] +d[i] の関係が成り立つ。本発明の効果を最大
限に発揮するためには、レーザ出力エネルギーに外乱エ
ネルギーを付加したエネルギー
【0019】
【数2】 を各パルスの露光目標エネルギーとして露光量制御を行
なう。
【0020】本発明の第1の局面によれば、一定のレー
ザ出力y[i] に外乱d[i] が加算された場合の露光量x
[i] をパルス毎の露光目標エネルギー量として設定する
ため、確率的外乱を無視した場合、以下の効果が可能と
なる。 1.全パルス出力可能な最大エネルギーで露光量制御を
行なうことができるため、スループットを向上できる。 2.レーザから一定エネルギーを出力することにより露
光量制御を行なうことができ、出力エネルギーの変動幅
を必要としない。このため、外乱エネルギー量が大きく
なっても露光量制御不能に陥らない。
【0021】上記第2の目的を達成するため、本発明の
第2の局面においては、設定露光量を目標としたレーザ
出力エネルギー制御を行なわない非出力制御段階と、設
定露光量を目標としたレーザ出力エネルギー制御を行な
う出力制御段階とを順次切り換えて露光を行なう。
【0022】例えば、(1)露光の途中までは設定露光
量を目標とするレーザ出力エネルギー制御は行なわず、
最大エネルギーまたは推奨エネルギー等のある一定のレ
ーザ出力エネルギーEconst にて露光を行ない、(2)
残露光量が少なくなったある時点で、レーザ最大出力値
max 、余裕露光補正幅αu 等を基に決定された平均出
力エネルギー値E0 (=Ectrl )にて、設定露光量E
doseを目標としたレーザ出力エネルギー制御に切り換え
て高精度な露光量制御を実現する。
【0023】この方法により、レーザガス劣化等に伴う
レーザ出力エネルギー低下に対して、スループットの悪
化を最小限に抑制しながら高精度な露光を行なうことが
可能になる。
【0024】上記第3の目的を達成するため、本発明の
第3の局面においては、レーザ出力エネルギー量の目標
値である露光目標エネルギー量と過去の実露光エネルギ
ー量を比較し、その結果を用いて出力エネルギー制御手
段のレーザ充電電圧を決定するフィードバック系を構成
し、露光量制御を行なう。
【0025】一般にフィードバック系の特徴として、
(1)モデル化誤差除去特性が良い、(2)低周波数領
域を中心に外乱除去特性が良い、という点が挙げられ
る。
【0026】パルスレーザを用いた露光装置において、
フィードバック系を構成し露光量制御を行なった場合、
以下の効果がある。 1.レーザ充電電圧と出力エネルギーの特性変動が生じ
ても、露光目標エネルギーに対し、露光誤差なく露光を
行なうことができる。 2.低周波数領域を中心に外乱を除去することができ
る。
【0027】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 (第1の実施例)図1は本発明の第1の実施例に係る露
光量制御方式を用いた露光装置の概略構成を示す。同図
において、1はエキシマ等のレーザ光源、2は集積回路
パターンが形成されたレチクル、3は投影光学系、4は
ウエハであり、レチクル2上に形成された集積回路パタ
ーンを投影光学系3を介してウエハ4上に投影露光する
ようになっている。レーザ光源1からの光路上にはハー
フミラー5が配置され、ハーフミラー5より反射される
光路上にはフォトセンサ6が配置されている。このフォ
トセンサ6の出力はセンサアンプ7を経てレーザ1パル
ス毎に露光量に変換される。CPU8はフォトセンサ6
で計測した露光量に基づき次のレーザ出力値を演算し、
レーザ光源1に出力エネルギー指令値を与える。9は後
述する照度ムラ除去器を含む光学系である。
【0028】光源としてパルスレーザを用いた場合、レ
ーザのビーム断面には照度ムラが生じているため、被照
射面上で照度ムラを発生させるという問題がある。これ
を防ぐために、被照射面、あるいは被照射面と共役な面
におけるレーザビームを振ることを目的としたクサビ型
プリズムや図17のような平行平面板等の照度ムラ除去
器を入れ、これを周期的に回転させることにより時間的
に照度ムラを低減する手法が用いられている。
【0029】ところが、照度ムラ除去器を周期的に回転
させることにより照度ムラは除去できるものの、照度ム
ラ除去器の回転位置に依存し、ウエハ面上に到達する露
光エネルギーの周期的変動が発生する。すなわち、レー
ザの出力エネルギーy[i] に、照度ムラ除去器の回転に
依存した外乱エネルギー
【0030】
【数3】 が付加され、被照射体に到達する露光エネルギーはx
[i] =y[i] +d[i] となる。ここで、fL はレーザの
発振周波数、fN は照度ムラ除去器の回転周波数であ
る。またαは外乱の振幅、θ0は外乱の初期位相であ
る。
【0031】本実施例においては、照度ムラ除去器の回
転に伴うレーザ出力時の外乱エネルギーを予測し、
【0032】
【数4】 を各パルスの露光目標エネルギーとした露光量制御を行
なう。レーザ出力時の外乱エネルギーは、例えば照度ム
ラ除去器に回転位置検出器を取り付け、予め回転位置と
外乱エネルギー量の関係を測定することにより、露光時
に回転位置より求めることができる。また、回転位置検
出器を取り付けなくても、被照射体に到達する露光エネ
ルギーの周期的変化より振幅、周波数および位相等を測
定し、レーザ出力時の外乱エネルギーを予測することが
可能である。なお、レーザのばらつき等の確率的外乱は
本実施例の手段で除去することができないため後述する
別手段を用いる必要がある。
【0033】さらに本実施例を詳しく示す。図2に露光
アルゴリズムを示す。ステップ11で露光目標量Edose
を設定する。また、初期パルス数値i=1とする。ステ
ップ12で、各パルス出力時の外乱エネルギー
【0034】
【数5】 を予測する。外乱エネルギーの位相θ0 は、照度ムラ除
去器の回転位置を検出する回転位置検出器等により求め
ることができる。ステップ13で、
【0035】
【数6】 を満足する、露光の総パルス数Nと平均出力エネルギー
0 を求める。E0 は外乱エネルギーの変動幅αに関係
なく、出力可能最大エネルギー近辺のエネルギー量を選
択できる。ステップ14でi−1パルス目までの露光誤
差Eerr =Eobj−Emeasを求める(i≧2)。ここ
で、Emeasはi−1パルス目までの総実露光量、Eobj
はi−1パルス目までの総露光目標量であり、
【0036】
【数7】 と表わすことができる。ただしi=1の時はEerr =0
とする。ステップ15で、iパルス目のレーザ出力エネ
ルギー
【0037】
【数8】 を求める。ここで右辺第二項はレーザの出力ばらつき等
の確率的外乱、および、ステップ11で予測した外乱と
実際の外乱との誤差等を除去するための補正量である。
ステップ16でエネルギーy[i] にてレーザ出力する。
ステップ17でiパルス目の露光量を計測する。また、
iパルス目までの実露光量の総和Emeasを求める。ステ
ップ18でパルス数iを1つ増やす。ステップ14〜1
8をN回繰り返し露光を終了する。
【0038】上記の手段を用いた時の実露光シーケンス
における各パルスのレーザの出力エネルギーy[i] と被
照射体の露光エネルギーx[i] を図3に示す(n=8、
θ0=0とする)。但し、レーザばらつき等の確率的外
乱のない理想的な状態を示す。上記の手段を用いること
により、照度ムラ除去器の回転に伴う外乱エネルギー量
に依らず、全パルスとも最大出力エネルギーで露光を行
なうことができるためスループットの向上が可能とな
る。また、レーザの出力変動幅を必要としないため、照
度ムラ除去器の回転に伴う外乱エネルギーの振幅が大き
くなっても露光量制御不能に陥らない。
【0039】(第2の実施例)レーザは発振開始直後に
出力エネルギーが一定ではなく不安定になるという特徴
を持つ。例えば、図4に示すように、レーザは発振開始
直後に出力エネルギーが定常状態の出力エネルギーより
大きくなる状態が発生する。目標出力エネルギーをy
[i] 、実出力エネルギーをx[i] 、その差分を外乱エネ
ルギーd[i] とすることにより、図18に示すモデルに
当てはめることができる。
【0040】すなわち、レーザ発振開始直後のレーザ不
安定状態に伴う外乱エネルギーd[i] を予測し、
【0041】
【数9】 を各パルスの露光目標エネルギーとして露光量制御を行
なう手段を用いる。外乱エネルギーは例えば露光前にパ
ルス数と外乱エネルギー量の関係を実計測して用いるこ
とができる。
【0042】本実施例における露光アルゴリズムは、図
2で示した露光アルゴリズムにおいて、ステップ12で
各パルス出力時のレーザ不安定状態に伴う外乱エネルギ
ーd[i] を予測し、ステップ13で、
【0043】
【数10】 を満足する、露光の総パルス数Nと平均出力エネルギー
0 を求め、ステップ14で
【0044】
【数11】 として露光誤差Eerr を求めることにより、実施例1と
同様に露光量制御を行なうことができる。
【0045】本実施例の手段を用いた時の実露光シーケ
ンスにおける各パルスのレーザの目標出力エネルギーy
[i] と実出力エネルギーx[i] を図5に示す。本手段を
用いることにより、レーザ発振開始直後のエネルギー不
安定状態に伴う外乱エネルギー量に依らず、全パルス最
大出力エネルギーで露光を行なうことができるためスル
ープットの向上が可能となる。また、レーザの出力変動
幅を必要としないため、レーザ発振開始直後の外乱エネ
ルギーの振れ幅が大きくなっても露光量制御不能に陥ら
ない。
【0046】(第3の実施例)図1に示される構成の露
光制御装置において、一般に、エキシマレーザ等のレー
ザにおける出力エネルギー制御は、レーザに対する充電
電圧を変えることにより行なう。充電電圧とレーザ出力
エネルギーとの関係の一例を図6に示す。この関係はガ
スの状態と共に変化し、ガス劣化に伴い出力エネルギー
は低下する。すなわち、図6に示す最大出力エネルギー
max はガス劣化と共に小さくなる。
【0047】本実施例では、図1のハードウエア構成を
有する装置において、露光は一定エネルギー出力シーケ
ンスと、露光量制御シーケンスの2つに分けて行なう。
一定エネルギー出力シーケンスにおいては露光量制御は
行なわず、例えばある一定の出力エネルギーEconst
レーザを出力し露光を行なうシーケンスである。一般に
レーザには例えばガス劣化を最小限に抑制する等を考慮
した最適出力エネルギー値(レーザ推奨出力値)Eopt
が設定されており、ガスが十分な状態Eopt ≦Emax
おいてはEconst =Eopt として露光を行なう。その
後、ガスが劣化しEopt >Emax となった場合はE
const =Emax として露光を行なう。
【0048】そして、残露光量がある値以下になった
時、例えば図15のステップ123〜127に示される
ような従来より用いられている露光量制御シーケンスに
移り、平均出力エネルギー値Ectrl(=図15のE0
にて設定露光量Edoseを目標とした高精度な露光量制御
を行なう。Ectrlの値の例としては、ガス交換直後でガ
スが十分な状態であるEopt +αu ≦Emax の時には、
ctrl=Eopt として露光を行なう。その後、ガスが劣
化しEopt +αu >Emax となった場合はEctrl=E
max −αu として露光を行なう。
【0049】これらの各場合における露光シーケンスを
通してのレーザ出力エネルギー状態図を図7に示す。た
だし、図7においてはレーザの出力エネルギーばらつき
等のない理想的なエネルギー出力状態を示している。実
際の露光シーケンスにおいては出力エネルギー等のばら
つき、およびこれに対するレーザ出力エネルギー補正が
加わる。
【0050】さらに本実施例を詳しく示す。図8に一定
出力シーケンスの露光アルゴリズムを示す。本実施例の
露光シーケンスは一定出力シーケンスと露光量制御シー
ケンスに分かれる。図8の一定出力シーケンスにおい
て、ステップ81で目標露光量Edoseを設定する。ステ
ップ82でレーザ最大出力エネルギー値Emax を読む。
ステップ83で一定エネルギー出力シーケンスにおける
出力エネルギー値Econst を決定する。Econst はレー
ザ出力推奨値Eopt と最大出力エネルギー値Emax の小
さい方のエネルギー値を選択する。ステップ84で露光
量制御シーケンスにおける必要余裕幅αu および露光量
制御シーケンスにおけるパルス数mを決定する。パルス
数mについては後述する。ステップ85で露光量制御シ
ーケンスにおける平均出力エネルギー値Ectrlを求め
る。Ectrlは、Emax の状態により、レーザの推奨出力
値Eopt とEmax −αu の小さい方のエネルギー値を選
択する。ステップ86でエネルギー値Econst にて1パ
ルスレーザを出力する。ステップ87でこの1パルスの
光量を計測する。ステップ88で残露光量がmEctrl
下であるか判別をする。否の場合はステップ86に戻
る。真の場合はステップ89の露光量制御シーケンスへ
移る。
【0051】本実施例の露光量制御シーケンスは図15
に示した従来の露光量制御例において、目標露光量E
doseおよび総露光パルス数Nをそれぞれ残露光量および
露光量制御シーケンスのパルス数mと置き換えることに
よりそのまま使用することができる。
【0052】また、ステップ88で残露光量がmEctrl
以下であるかの判別を行なうため、露光量制御シーケン
スに移った時点ではmEctrl−Econst 〜mEctrlの範
囲内の残露光量となる。このため、露光量制御シーケン
スにおける実平均出力エネルギー値Ectrl’は、ステッ
プ85で当初設定した平均出力エネルギー値Ectrlに対
し、Ectrl−Econst /m<Ectrl’≦Ectrlの範囲内
のエネルギー値となる。パルス数mの値を大きく選択す
ると近似的にEctrl’=Ectrlとなる。なお、露光量制
御を可能にするために、パルス数m(整数)はレーザの
最小出力エネルギー値Emin に対して少なくともEmin
≦Ectrl−Econst /m−αd を満たす値を選択するこ
とが必要である。
【0053】以上の手法を用いることにより、予めパル
ス数を決めて露光を行なう従来の手法と比較して、一定
出力シーケンスと従来手法との差分エネルギーであるn
(Econst −Ectrl)に相当するスループットの向上が
可能となる。ここで、nは一定出力シーケンスにおける
パルス数である。すなわち、レーザの発振周波数がfL
のとき、次式に示すスループットの向上tupが可能とな
る。
【0054】
【数12】
【0055】(第4の実施例)前記第3の実施例におい
ては、レーザの出力エネルギー値をレーザ推奨出力値E
opt 以下の値に抑える手法を用いた。推奨出力値Eopt
が与えられていないレーザに関しては常時、一定出力シ
ーケンスにおいては最大出力エネルギーEmax、露光量
制御シーケンスにおいては平均出力エネルギーEmax
αu にてパルスレーザを出力し露光量制御を行なうこと
が可能である。
【0056】(第5の実施例)露光量制御シーケンスの
パルス数mの値(整数)は露光前にEmin ≦Ectrl−E
const /m−αd を満たす範囲内で値を変え、露光精
度、スループット等を測定し仕様に合う最適パルス数を
決定することができる。
【0057】また、レーザガス等の状態変化により、露
光途中に出力最大エネルギーEmax、出力最小エネルギ
ーEmin および出力必要余裕幅αu 、αd の値は変動す
るため、最適なパルス数mの値も変化する。このため露
光途中に露光精度やスループット等を測定し、これらの
実績に基づき学習的にその時点での最適値を求め更新し
使用することができる。
【0058】(第6の実施例)図9は、本発明の第6の
実施例に係る露光装置の露光量制御系を示す。本露光装
置のハードウエア構成は図1に示す通りである。図9の
露光量制御系は図1のCPU8上に構成される。図9に
おいて、レーザの伝達関数をGc 、補償器ゲインをKc
とする。また、目標エネルギー量をr[i] 、実露光エネ
ルギー量をx[i] 、レーザ充電電圧をv[i] 、外乱エネ
ルギー量をd[i] 、誤差量をe[i] とする。ただし、*
[i] はiパルス目のパルスであることを示す。本制御系
を構成することにより、レーザ充電電圧は、
【0059】
【数13】 により決定される。すなわち、iパルス目の目標エネル
ギー量と(i−1)パルス目の実露光エネルギー量の誤
差量により、iパルス目のレーザ充電電圧の決定が行な
われる。また、
【0060】
【数14】 の関係がある。(12)(13)式より、露光目標エネ
ルギー量r[i] 、外乱エネルギー量d[i] と、実露光エ
ネルギー量x[i] の関係は、
【0061】
【数15】 と表わすことができる。
【0062】前述したように、レーザガス劣化やスパイ
キング現象などの影響により、レーザ充電電圧と出力エ
ネルギーの特性関係は経時的、かつ、パルス毎に変動す
る。このため露光量制御系においてレーザのモデル化誤
差が発生する。ここでは露光量制御系のモデル化誤差に
対する影響について述べる。
【0063】仮定として外乱は発生せず、レーザ出力エ
ネルギーがそのまま露光エネルギーになるとする。(1
4)式にd[i] =0を代入すると、
【0064】
【数16】 の関係が成立する。この関係より、一定目標エネルギー
量r[i] =rが露光量制御系に入力された場合、iパル
ス目の出力エネルギーは、1パルス目の出力エネルギー
x[1] を用いて、
【0065】
【数17】 と表わすことができる。以上の結果より、 1.1−Kcc=0が成立していれば、2パルス目以降
の出力エネルギーはy[i] =rとなり、露光誤差は発生
しない。 2.|1−Kcc|<1が成立していれば、露光量制御
系の安定性が保証され、レーザ出力エネルギーは目標エ
ネルギーx[i] →rに収束する。
【0066】以上のことを詳しく述べる。図10に示す
ように、まずレーザ充電電圧と出力エネルギーの特性関
係が直線的であるとする。この時、補償器のゲインKc
は、レーザのゲインGc の逆数である
【0067】
【数18】 と決定する。ここで、レーザの最大充電電圧をVmax
最小充電電圧をVmin 、レーザの最大出力エネルギーを
max 、最小出力エネルギーをEmin とした。この場合
はレーザのモデル化誤差が生じず、Kcc =1の関係
が成立するため露光誤差は発生しない。
【0068】次にレーザのゲインGc は変わらず、レー
ザ充電電圧と出力エネルギーとのエネルギー軸に平行な
特性変動が発生した場合について述べる。この特性変動
を図10に併せて示す。この場合も、Kcc=1の関係
が成立するため、(16)式より1パルス後には目標エ
ネルギーとの誤差のない実露光エネルギーが得られる。
【0069】つづいて、図11に示すようにレーザのゲ
インGc がGc’に変動する、レーザ充電電圧と出力エ
ネルギーの特性変動が発生した場合について述べる。こ
の場合、
【0070】
【数19】 が成立する範囲内でのレーザ特性変動であれば、露光量
制御系の安定性は保証され、レーザ出力エネルギーは目
標エネルギーx[i] →rに収束する。
【0071】以上、レーザ充電電圧と出力エネルギーの
特性関係が直線的である場合について述べた。ところ
が、一般にレーザ充電電圧と出力エネルギーの特性関係
は必ずしも直線的でなく、図12に示すように非線形で
あることが多い。この場合、レーザ特性の直線的なモデ
ル化を行なうとモデル化誤差が発生するが、前記した結
果より、全充電電圧のゲインが|1−Kcc’|<1を
満足していれば露光量制御系の安定性は保証され、実露
光エネルギーは目標エネルギーy[i] →rに収束する。
【0072】次に露光量制御系の外乱による影響につい
て述べる。ここでは、モデル化誤差のない理想的な状
態、Kc =1/Gc が成立していると仮定する。(1
4)式にKc =1/Gc を代入することにより、
【0073】
【数20】 の関係が成立する。この結果より、外乱エネルギーd
[i] は、前パルスにおける外乱エネルギー量との差分の
み露光エネルギーに伝達されることがわかる。
【0074】例えば、前述したように照度ムラ除去器の
回転に伴い、振幅α、初期位相θ0の周期的な外乱エネ
ルギー
【0075】
【数21】 が発生する。ここで、fL :レーザの発振周波数、f
N :照度ムラ除去器の回転周波数である。この周期的な
外乱エネルギーが露光量制御系に加わっても、(19)
式の結果より露光エネルギーy[i] に伝達される誤差量
は、
【0076】
【数22】 に軽減される。
【0077】この結果は一般的に、ある周波数の外乱が
露光量制御系に入力された場合にも適用することがで
き、nの値が大きいほど、すなわち、低周波数領域の外
乱ほど外乱除去特性が優れていることがわかる。
【0078】また近年、半導体の広画角化への対応とし
て、図1におけるレチクル2とウエハ4を逆方向に同期
駆動させながら露光を行なうスキャン露光方式が用いら
れている。ウエハを一定速度で動かしながらレーザを出
力し露光を行なう場合、各パルスのレーザ出力ばらつき
により、スキャン方向の照度ムラが発生する。図13に
3パルスで1つの領域を露光するスキャン露光例を示
す。
【0079】図13では(m+3)パルス目の出力エネ
ルギーが大きく照度ムラとなる例を示している。
【0080】本実施例に示した露光量制御系を用いるこ
とにより、レーザの特性変動、外乱の影響を除去し、毎
パルス一定露光エネルギーでウエハを露光できるように
なるため、スキャン露光において照度ムラの少ない露光
量制御が実現できる。 (第7の実施例)図12に示したように一般にレーザの
充電電圧と出力エネルギーの特性関係は非線形である。
本実施例においては、レーザ充電電圧と出力エネルギー
の特性関係に近似させて、レーザの補償器のゲインKc
をL段決定し、常時最適ゲインに切り換えて露光量制御
を行なう手段を用いる。図14にL=3で特性関係を近
似した例を示す。本手段を用いることにより、モデル化
誤差を軽減させることができ、目標値への収束を少パル
ス数で実現することが可能となる。 (第8の実施例)レーザ光路上へNDフィルター、プリ
ズム、絞り、レンズ等を挿入することにより、被照射体
に到達するレーザ光量は減衰し、レーザのゲインGc
変化する。本実施例においては、これらのレーザ照明条
件の変更により、レーザ光量が減衰しレーザのゲインG
c が変化する場合、この変化を計測あるいは予測し、G
cの値を変更する手段を用いる。
【0081】例えば透過率β(0<β<1)のNDフィ
ルターをレーザ光路へ挿入した場合は、図9のゲインG
c をβGc と置き換えることにより露光量制御系を実現
することができる。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第1の局面
によれば、レーザ出力時に各パルスに付加される外乱エ
ネルギー量を予測し、予測した外乱エネルギー量をもと
に各パルスの露光目標エネルギー量を決定し露光量制御
を行なうことにより、外乱エネルギーの変動幅が大きく
なってもスループットを悪化させず、また、露光量制御
不能に陥らず露光を行なうことが可能となる。
【0083】また、本発明の第2の局面によれば、設定
露光量を目標としたレーザ出力エネルギー制御を行なわ
ない制御手段と、設定露光量を目標としたレーザ出力エ
ネルギー制御を行なう制御手段とを順次切り換える手法
を用いることにより、レーザガス劣化による出力エネル
ギー低下に対して、スループットの悪化を最小限に抑制
しながら高精度な露光量制御を実現することができる。
【0084】さらに、本発明の第3の局面によれば、パ
ルスレーザを用いた露光装置において、露光目標エネル
ギー量と過去の実露光エネルギー量を比較し、その結果
を用いてレーザ充電電圧を決定するフィードバック系を
構成し露光量制御を行なうことにより、レーザ充電電圧
と出力エネルギーの特性変動が生じても、露光目標エネ
ルギーに対し露光誤差なく露光を行なうことができ、特
に低周波数領域を中心に外乱を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成
図である。
【図2】 本発明の第1の実施例に係る露光アルゴリズ
ムを表わす図である。
【図3】 本発明の第1の実施例に係るレーザ出力エネ
ルギーおよび被照射体の露光エネルギー状態を表わす図
である。
【図4】 本発明の第2の実施例に係るレーザ発振開始
直後のエネルギー不安定状態を表わす図である。
【図5】 本発明の第2の実施例に係るレーザ目標出力
エネルギー状態および実出力エネルギー状態を表わす図
である。
【図6】 本発明の第3の実施例におけるレーザの充電
電圧と出力エネルギーの関係を、レーザガス初期状態と
劣化後のそれぞれについて示す図である。
【図7】 本発明の第3の実施例における露光シーケン
スのエネルギー出力状態を示す図である。
【図8】 本発明の第3の実施例における露光シーケン
スの露光アルゴリズムを示す図である。
【図9】 本発明の第6の実施例に係るフィードバック
を用いた露光量制御系を示す図である。
【図10】 レーザ充電電圧と出力エネルギーの直線的
な特性関係、およびエネルギー軸に平行な出力変動が生
じた場合の特性関係を示す図である。
【図11】 レーザ出力エネルギーのゲイン変動が生じ
た場合の特性関係を示す図である。
【図12】 レーザ充電電圧と出力エネルギーの非線形
な特性関係を示す図である。
【図13】 スキャン露光における照度ムラ発生例を示
す図である。
【図14】 本発明の第7の実施例に係るL段の補償器
ゲインを示す図である。
【図15】 従来の露光アルゴリズムを表わす図であ
る。
【図16】 従来のレーザ充電電圧の決定方法を示す図
である。
【図17】 平行平面板を回転させ被照射体の照度ムラ
を除去する手段を示す図である。
【図18】 レーザからエネルギーを出力し被照射体を
露光する簡略化モデルである。
【符号の説明】
1:レーザ光源、2:レチクル、3:投影光学系、4:
ウエハ、5:ハーフミラー、6:フォトセンサ、7:セ
ンサアンプ、8:CPU、9:光学系。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パルスレーザを用いた光源と、パルスレ
    ーザのパルス毎の出力エネルギーを制御する手段と、パ
    ルスレーザのパルス毎の露光目標エネルギー量を設定す
    る手段と、パルスレーザのパルス毎の露光量を検出する
    手段と、該露光量検出手段より求めた露光量とパルス毎
    の露光目標エネルギー量とをもとにパルスレーザの次パ
    ルス以降の前記出力エネルギー値を演算する手段とを具
    備し、パルスレーザを複数回パルス発光させることによ
    り被照射体を露光する装置における露光量制御方法にお
    いて、被照射体を目標エネルギー量で露光することを阻
    害する予測可能な外乱エネルギーに対し該外乱エネルギ
    ー量を予測し、該予測外乱エネルギー量をもとに各パル
    スの前記露光目標エネルギー量を設定し、前記パルスレ
    ーザの出力エネルギーの演算および制御を行なうことを
    特徴とする露光量制御方法。
  2. 【請求項2】 上記外乱エネルギーとして、照度ムラを
    除去することを目的とした照度ムラ除去器の駆動に伴う
    被照射体の露光エネルギー変動を含む請求項1記載の露
    光量制御方法。
  3. 【請求項3】 上記外乱エネルギーとして、レーザ発振
    開始直後の出力エネルギー不安定状態に伴う被照射体の
    露光エネルギー変動を含む請求項1記載の露光量制御方
    法。
  4. 【請求項4】 光源としてパルスレーザを用い、パルス
    レーザを複数回パルス発光させることにより被照射体を
    露光する装置の露光量制御装置において、パルスレーザ
    のパルス毎の出力エネルギーを制御する手段と、被照射
    体を目標エネルギー量で露光することを阻害する予測可
    能な外乱エネルギーに対し該外乱エネルギー量を予測
    し、該予測外乱エネルギー量をもとに各パルスの露光目
    標エネルギー量を設定する手段と、パルスレーザのパル
    ス毎の露光量を検出する手段と、該露光量検出手段より
    求めた露光量とパルス毎の前記露光目標エネルギー量と
    をもとにパルスレーザの次パルス以降の出力エネルギー
    値を演算する手段とを具備することを特徴とする露光量
    制御装置。
  5. 【請求項5】 パルスレーザを用いた光源と、パルスレ
    ーザのパルス毎の出力エネルギーを制御する手段と、パ
    ルスレーザのパルス毎の露光量を検出する手段と、該露
    光量検出手段より求めた露光量をもとにパルスレーザの
    次パルス以降の出力エネルギー値を演算する手段とを具
    備し、パルスレーザを複数回パルス発光させることによ
    り被照射体を露光する装置における露光量制御方法にお
    いて、先ず、前記露光量検出手段より求めた露光量に依
    存しない所定の出力エネルギーで露光を行なう非出力制
    御段階と、予め設定されたパルス毎の露光目標エネルギ
    ー量または総露光エネルギー量と前記露光量検出手段よ
    り求めた露光量とをもとにパルスレーザの次パルス以降
    の出力エネルギー値を演算し、その演算値に基づいて制
    御されたレーザ出力エネルギーで露光を行なう出力制御
    段階とを順次切り換えて露光することを特徴とする露光
    量制御方法。
  6. 【請求項6】 前記非出力制御段階における所定の出力
    エネルギーを、レーザの最大出力エネルギーとする請求
    項5に記載の露光量制御方法。
  7. 【請求項7】 前記非出力制御段階における所定の出力
    エネルギーを、レーザの最大出力エネルギーが推奨出力
    エネルギーより大きいときは該推奨出力エネルギーと
    し、小さいときは前記最大出力エネルギーとする請求項
    5に記載の露光量制御方法。
  8. 【請求項8】 前記非出力制御段階から出力制御段階へ
    の切り換えタイミングを、残露光量をもとに判定する請
    求項5に記載の露光量制御方法。
  9. 【請求項9】 前記非出力制御段階から出力制御段階へ
    の切り換えタイミングを、過去の露光における露光精度
    およびスループットを含む実績値に基づき学習的に最適
    値を求めて更新する請求項5に記載の露光量制御方法。
  10. 【請求項10】 光源としてパルスレーザを用い、パル
    スレーザを複数回パルス発光させることにより被照射体
    を露光する装置の露光量制御装置において、パルスレー
    ザのパルス毎の出力エネルギーを制御する手段と、パル
    スレーザのパルス毎の露光量を検出する手段と、該露光
    量検出手段より求めた露光量をもとにパルスレーザの次
    パルス以降の出力エネルギー値を演算する手段と、先
    ず、前記出力エネルギーが所定値となるように前記出力
    エネルギー制御手段を制御し、露光量が所定の露光量に
    なった後は前記演算された次パルス以降の出力エネルギ
    ー値に基づいて前記出力エネルギー制御手段を制御する
    露光制御手段とを具備することを特徴とする露光量制御
    装置。
  11. 【請求項11】 光源としてパルスレーザを用い、パル
    スレーザを複数回パルス発光させることにより被照射体
    を露光する装置の露光量制御装置において、パルスレー
    ザのパルス毎の露光目標エネルギー量を設定する手段
    と、パルスレーザのパルス毎の出力エネルギーを前記露
    光目標エネルギー量に基づいて制御する手段と、パルス
    レーザのパルス毎の露光エネルギー量を検出する手段
    と、前記露光目標エネルギー量と過去の実露光エネルギ
    ー量より前記出力エネルギー制御手段によるレーザ充電
    電圧を決定するフィードバック系とを具備することを特
    徴とする露光量制御装置。
  12. 【請求項12】 前記露光エネルギー量検出手段より求
    めたエネルギー量と前記露光目標エネルギー量とをもと
    にパルスレーザの次パルス以降の出力エネルギー値を演
    算する手段をさらに有する請求項11記載の露光制御装
    置。
  13. 【請求項13】 前記フィードバック系の補償器ゲイン
    を、レーザ充電電圧と出力エネルギーの特性関係より決
    定したことを特徴とする請求項11記載の露光制御装
    置。
  14. 【請求項14】 前記フィードバック系の補償器ゲイン
    を、レーザ充電電圧と出力エネルギーの特性関係より複
    数段決定し、常時最適ゲインに切り換えることを特徴と
    する請求項11記載の露光制御装置。
  15. 【請求項15】 前記パルスレーザの照明条件の変更に
    伴う光量減衰率を計測または予測し、これをもとに前記
    フィードバック系の補償器ゲインを切り換えることを特
    徴とする請求項11記載の露光制御装置。
  16. 【請求項16】 前記パルスレーザの照明条件の変更
    が、レーザ光路上へのNDフィルタ、プリズム、絞りま
    たはレンズの挿入によるものを含む請求項15記載の露
    光制御装置。
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