JPH09306233A - リード線、リードピンおよびその用途 - Google Patents
リード線、リードピンおよびその用途Info
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- JPH09306233A JPH09306233A JP11900096A JP11900096A JPH09306233A JP H09306233 A JPH09306233 A JP H09306233A JP 11900096 A JP11900096 A JP 11900096A JP 11900096 A JP11900096 A JP 11900096A JP H09306233 A JPH09306233 A JP H09306233A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低熱膨張特性と強度の双方にすぐれたＦｅ−
Ｎｉ系合金製リード線およびＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製
リード線を提供すること。 【解決手段】 本発明によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リード
線は、Ｎｉ：２２〜５５重量％、Ｃ：０．００１〜０．
１重量％、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少
なくとも１種の元素を０．０１〜２重量％含み、残部が
Ｆｅおよび不可避的不純物からなることを特徴とするも
のであり、さらに、本発明によるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合
金製リード線は、Ｎｉ：２８〜３０重量％、Ｃｏ：１６
〜１８．５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量％、４
Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種
の元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅおよび不
可避的不純物からなることを特徴とするものである。
Ｎｉ系合金製リード線およびＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製
リード線を提供すること。 【解決手段】 本発明によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リード
線は、Ｎｉ：２２〜５５重量％、Ｃ：０．００１〜０．
１重量％、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少
なくとも１種の元素を０．０１〜２重量％含み、残部が
Ｆｅおよび不可避的不純物からなることを特徴とするも
のであり、さらに、本発明によるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合
金製リード線は、Ｎｉ：２８〜３０重量％、Ｃｏ：１６
〜１８．５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量％、４
Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種
の元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅおよび不
可避的不純物からなることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリード線、リードピ
ンおよびその用途に関し、特に、低熱膨張特性と強度の
双方にすぐれたＦｅ−Ｎｉ系合金またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ系合金製リード線およびこれを用いたハーメチックシ
ール、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）、ボールグリッド
アレイ（ＢＧＡ）ならびにリードピンおよびこれを用い
たハーメチックシールおよびＰＧＡに関する。
ンおよびその用途に関し、特に、低熱膨張特性と強度の
双方にすぐれたＦｅ−Ｎｉ系合金またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ系合金製リード線およびこれを用いたハーメチックシ
ール、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）、ボールグリッド
アレイ（ＢＧＡ）ならびにリードピンおよびこれを用い
たハーメチックシールおよびＰＧＡに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】多ピ
ン半導体パッケージとしてのピングリッドアレイ（ＰＧ
Ａ）に用いられるリードピンあるいは水晶振動子等のハ
ーメチックシールパッケージに用いられるリードピン等
には、従来よりＦｅ−４２重量％ＮｉやＦｅ−２９重量
％Ｎｉ−１７重量％Ｃｏ等のリードピンが使用されてい
る。
ン半導体パッケージとしてのピングリッドアレイ（ＰＧ
Ａ）に用いられるリードピンあるいは水晶振動子等のハ
ーメチックシールパッケージに用いられるリードピン等
には、従来よりＦｅ−４２重量％ＮｉやＦｅ−２９重量
％Ｎｉ−１７重量％Ｃｏ等のリードピンが使用されてい
る。
【０００３】これらリードピンは、例えば、ピングリッ
ドアレイ（ＰＧＡ）に用いられる場合はロー付けされ、
また水晶振動子等のハーメチックシールパッケージに用
いられる場合はガラス封着される。ロー付けあるいはガ
ラス封着される際、これらリードピンは８００℃以上の
高温にさらされる。このため、リードピンは著しく軟化
しリード曲がりなどの変形を生じやすくなるという問題
がある。
ドアレイ（ＰＧＡ）に用いられる場合はロー付けされ、
また水晶振動子等のハーメチックシールパッケージに用
いられる場合はガラス封着される。ロー付けあるいはガ
ラス封着される際、これらリードピンは８００℃以上の
高温にさらされる。このため、リードピンは著しく軟化
しリード曲がりなどの変形を生じやすくなるという問題
がある。
【０００４】本発明は、上述した従来技術の問題を解決
することに向けられたものであり、特に８００℃以上の
高温にさらされることによる軟化に起因する変形が小さ
く、しかも強度特性にもすぐれたＦｅ−Ｎｉ系およびＦ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製リードピンおよびこれを用いた
ハーメチックシールおよびこれを用いたピングリッドア
レイ（ＰＧＡ）を提供することを目的とするものであ
る。
することに向けられたものであり、特に８００℃以上の
高温にさらされることによる軟化に起因する変形が小さ
く、しかも強度特性にもすぐれたＦｅ−Ｎｉ系およびＦ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製リードピンおよびこれを用いた
ハーメチックシールおよびこれを用いたピングリッドア
レイ（ＰＧＡ）を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】さらに本発明は、８００℃以上の高温にさ
らされることによる軟化に起因する変形が小さく、しか
も強度特性にもすぐれたＦｅ−Ｎｉ系およびＦｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金製リード線およびこれを用いたハーメチッ
クシールおよびこれを用いたボールこれを用いたハーメ
チックシール、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）、ボール
グリッドアレイ（ＢＧＡ）を提供することを目的とする
ものである。
らされることによる軟化に起因する変形が小さく、しか
も強度特性にもすぐれたＦｅ−Ｎｉ系およびＦｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金製リード線およびこれを用いたハーメチッ
クシールおよびこれを用いたボールこれを用いたハーメ
チックシール、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）、ボール
グリッドアレイ（ＢＧＡ）を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リード線は、
Ｎｉ：２２〜５５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量
％、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくと
も１種の元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅお
よび不可避的不純物からなることを特徴とする。
ために、本発明によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リード線は、
Ｎｉ：２２〜５５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量
％、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくと
も１種の元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅお
よび不可避的不純物からなることを特徴とする。
【０００７】さらに、本発明によるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系
合金製リード線は、Ｎｉ：２８〜３０重量％、Ｃｏ：１
６〜１８．５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量％、
４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅおよび
不可避的不純物からなることを特徴とする。
合金製リード線は、Ｎｉ：２８〜３０重量％、Ｃｏ：１
６〜１８．５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量％、
４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅおよび
不可避的不純物からなることを特徴とする。
【０００８】上記本発明の好ましい態様においては、上
記の４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくと
も１種の元素を含む粒子がマトリックス中に分散粒子と
して存在し、該粒子の平均粒径が２０μｍ以下であり、
かつ、該粒子が１０００〜１０００００個／ｍｍ2 の密
度で存在している。
記の４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくと
も１種の元素を含む粒子がマトリックス中に分散粒子と
して存在し、該粒子の平均粒径が２０μｍ以下であり、
かつ、該粒子が１０００〜１０００００個／ｍｍ2 の密
度で存在している。
【０００９】さらに、好ましい態様においては、前記分
散粒子の少なくとも一部が、上記の４Ａ族元素および５
Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種の元素の炭化物か
らなる。
散粒子の少なくとも一部が、上記の４Ａ族元素および５
Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種の元素の炭化物か
らなる。
【００１０】さらに、本発明は、上記のＦｅ−Ｎｉ系お
よびＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製リード線およびおよびこ
れを用いたハーメチックシールとリードピンおよびこれ
らを用いたピングリッドアレイ（ＰＧＡ）、ボールグリ
ッドアレイ（ＢＧＡ）ならびにハーメチックシールを提
供するものである。
よびＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製リード線およびおよびこ
れを用いたハーメチックシールとリードピンおよびこれ
らを用いたピングリッドアレイ（ＰＧＡ）、ボールグリ
ッドアレイ（ＢＧＡ）ならびにハーメチックシールを提
供するものである。
【００１１】ここで、まず上記合金系における各合金成
分の含有量範囲の限定理由について説明する。
分の含有量範囲の限定理由について説明する。
【００１２】Ｆｅ−Ｎｉ系合金において、Ｎｉが２２重
量％未満または５５重量％を超えると所定の熱膨張係数
を得ることが困難となるので好ましくない。
量％未満または５５重量％を超えると所定の熱膨張係数
を得ることが困難となるので好ましくない。
【００１３】Ｃは、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選
ばれた少なくとも１種の元素と炭化物を形成し、機械的
強度および耐熱性を向上させる上で必要な成分である。
Ｃの量が０．００１重量％未満では十分な効果を得るこ
とができず、一方、０．１重量％を超えて添加すると加
工性が悪くなるので好ましくない。
ばれた少なくとも１種の元素と炭化物を形成し、機械的
強度および耐熱性を向上させる上で必要な成分である。
Ｃの量が０．００１重量％未満では十分な効果を得るこ
とができず、一方、０．１重量％を超えて添加すると加
工性が悪くなるので好ましくない。
【００１４】４Ａ族元素および５Ａ族元素は、単体、炭
化物、窒化物あるいは金属間化合物として合金組織内に
分散して存在し、これによって合金の機械的強度および
耐熱性を向上させる。４Ａ族および５Ａ族元素の量が
０．０１重量％未満では母相に固溶してしまい上述した
効果を十分に発現させることが困難であり、一方、２重
量％を超えて添加するとリード材をロー付けやガラス封
着する際の熱に起因する変色が生じ、また腐食や外観の
低下の問題が生じて、全体としてリード材の品質が低下
する現象が発生するので好ましくない。
化物、窒化物あるいは金属間化合物として合金組織内に
分散して存在し、これによって合金の機械的強度および
耐熱性を向上させる。４Ａ族および５Ａ族元素の量が
０．０１重量％未満では母相に固溶してしまい上述した
効果を十分に発現させることが困難であり、一方、２重
量％を超えて添加するとリード材をロー付けやガラス封
着する際の熱に起因する変色が生じ、また腐食や外観の
低下の問題が生じて、全体としてリード材の品質が低下
する現象が発生するので好ましくない。
【００１５】これらの４Ａ族元素および５Ａ族元素の中
でも、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＴｉが望ましい。
この内、特に効果ならびにコストの低減化の観点から、
Ｎｂが最も好ましい。
でも、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＴｉが望ましい。
この内、特に効果ならびにコストの低減化の観点から、
Ｎｂが最も好ましい。
【００１６】また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金において
は、Ｎｉの添加量が２８重量％未満または３０重量％を
超えると、所定の熱膨張係数を得ることが困難となるの
で好ましくない。
は、Ｎｉの添加量が２８重量％未満または３０重量％を
超えると、所定の熱膨張係数を得ることが困難となるの
で好ましくない。
【００１７】Ｃｏの添加量が１６重量％未満または１
８．５重量％を超えると所定の熱膨張係数を得ることが
困難となるので好ましくない。
８．５重量％を超えると所定の熱膨張係数を得ることが
困難となるので好ましくない。
【００１８】Ｃは４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ば
れた少なくとも１種の元素と炭化物を形成し、機械的強
度および耐熱性を向上させる。０．００１重量％未満で
は十分な効果を得ることができず、０．１重量％を超え
ると加工性が悪くなる。４Ａ族元素および５Ａ族元素
は、単体、炭化物、窒化物あるいは金属間化合物として
合金組織内に分散し、機械的強度および耐熱性を向上さ
せる。０．０１重量％未満では母相に固溶してしまい効
果を十分に得ることができない。また２重量％を超える
とロー付けやガラス封着の際に変色が発生する。これら
の４Ａ族元素および５Ａ族元素の中でもＮｂ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｔｉが望ましい。
れた少なくとも１種の元素と炭化物を形成し、機械的強
度および耐熱性を向上させる。０．００１重量％未満で
は十分な効果を得ることができず、０．１重量％を超え
ると加工性が悪くなる。４Ａ族元素および５Ａ族元素
は、単体、炭化物、窒化物あるいは金属間化合物として
合金組織内に分散し、機械的強度および耐熱性を向上さ
せる。０．０１重量％未満では母相に固溶してしまい効
果を十分に得ることができない。また２重量％を超える
とロー付けやガラス封着の際に変色が発生する。これら
の４Ａ族元素および５Ａ族元素の中でもＮｂ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｔｉが望ましい。
【００１９】上述したように、本願発明による合金にお
いては、４Ａ族元素および５Ａ族元素は、単体、炭化
物、窒化物あるいは金属間化合物として合金組織内に分
散して存在しているが、通常、主として炭化物粒子の形
態で存在している。このような分散粒子は、分散強化作
用ならびに結晶粒粗大化抑制作用により合金の機械的強
度および耐熱性を向上させるものと考えられる。
いては、４Ａ族元素および５Ａ族元素は、単体、炭化
物、窒化物あるいは金属間化合物として合金組織内に分
散して存在しているが、通常、主として炭化物粒子の形
態で存在している。このような分散粒子は、分散強化作
用ならびに結晶粒粗大化抑制作用により合金の機械的強
度および耐熱性を向上させるものと考えられる。
【００２０】この場合の分散粒子の大きさ（平均粒径）
２０μｍを超えると上記の効果の発現が不十分になるの
で２０μｍ以下であることが好ましい。平均粒径のさら
に好ましい範囲は、１０μｍ以下である。
２０μｍを超えると上記の効果の発現が不十分になるの
で２０μｍ以下であることが好ましい。平均粒径のさら
に好ましい範囲は、１０μｍ以下である。
【００２１】また、分散粒子の密度は、１０００〜１０
００００個／ｍｍ2 の範囲が好ましく、さらに好ましく
は、５０００〜１０００００個／ｍｍ2 である。分散粒
子の密度が１０００個／ｍｍ2 未満では上記の効果を得
ることが困難となり、一方、分散粒子の密度が１０００
００個／ｍｍ2 を超えると加工性が逆に低下する傾向が
見られるので好ましくない。
００００個／ｍｍ2 の範囲が好ましく、さらに好ましく
は、５０００〜１０００００個／ｍｍ2 である。分散粒
子の密度が１０００個／ｍｍ2 未満では上記の効果を得
ることが困難となり、一方、分散粒子の密度が１０００
００個／ｍｍ2 を超えると加工性が逆に低下する傾向が
見られるので好ましくない。
【００２２】次に、上記のＦｅ−Ｎｉ系およびＦｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ系合金製リード線をピングリッドアレイ（ＰＧ
Ａ）ならびにハーメチックシールに適用した実施態様に
ついて説明する。
ｉ−Ｃｏ系合金製リード線をピングリッドアレイ（ＰＧ
Ａ）ならびにハーメチックシールに適用した実施態様に
ついて説明する。
【００２３】図１は本発明の実施態様に係るピングリッ
ドアレイ（ＰＧＡ）１の１例を示す断面図であり、この
例においては、ＰＧＡ１は、セラミック層２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄ、２ｅを一体化してなるセラミック多層基板
であり、各セラミック層上には所定の配線パターンを有
する内部配線７、８、９、１０、１６が設けられてい
る。セラミック層２ａ上にははんだ層５と外部配線６が
形成され、さらにリード線１９とともに半導体チップ３
が搭載されている。半導体チップはさらに封止部材２０
によって封止されている。外部配線６は内部配線、スル
ーホール（導体層）１３、１４、ランド１８を介してリ
ードピン４に接続されている。
ドアレイ（ＰＧＡ）１の１例を示す断面図であり、この
例においては、ＰＧＡ１は、セラミック層２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄ、２ｅを一体化してなるセラミック多層基板
であり、各セラミック層上には所定の配線パターンを有
する内部配線７、８、９、１０、１６が設けられてい
る。セラミック層２ａ上にははんだ層５と外部配線６が
形成され、さらにリード線１９とともに半導体チップ３
が搭載されている。半導体チップはさらに封止部材２０
によって封止されている。外部配線６は内部配線、スル
ーホール（導体層）１３、１４、ランド１８を介してリ
ードピン４に接続されている。
【００２４】次に、図２は本発明の実施態様に係るハー
メチックシール（水晶振動子）の１例を示す断面図であ
り、この例において、ハーメチックシールは、スプリン
グ２１を備えた水晶２２がベース２３とキャップ２４に
よって構成させるケーシング内に配置されており、上記
合金材料からなるリード部２５が水晶に接続されてい
る。リード部２５はベース２３の貫通部においてガラス
シールされている。
メチックシール（水晶振動子）の１例を示す断面図であ
り、この例において、ハーメチックシールは、スプリン
グ２１を備えた水晶２２がベース２３とキャップ２４に
よって構成させるケーシング内に配置されており、上記
合金材料からなるリード部２５が水晶に接続されてい
る。リード部２５はベース２３の貫通部においてガラス
シールされている。
【００２５】
【実施例】表１に示す化学成分の合金を溶解、鋳造し熱
間鍛造によりビレットを作製した。これらのビレットを
熱間圧延によって丸棒にし、冷間加工、焼鈍により直径
０．４ｍｍのワイヤーを作製した。
間鍛造によりビレットを作製した。これらのビレットを
熱間圧延によって丸棒にし、冷間加工、焼鈍により直径
０．４ｍｍのワイヤーを作製した。
【００２６】このようにして得たワイヤー中の分散粒子
の大きさおよび数を４００倍の光学顕微鏡を用いて測定
した。また、上記ワイヤーについて下記の特性を測定し
た。それらの結果を併せて表２および表３に示す。
の大きさおよび数を４００倍の光学顕微鏡を用いて測定
した。また、上記ワイヤーについて下記の特性を測定し
た。それらの結果を併せて表２および表３に示す。
【００２７】１．熱膨張係数 ２．１０００℃−３０分の熱処理前後の硬度変化 ３．１０００℃−３０分の熱処理前後のスティフネス変
化 ４．曲げ強度（室温） ５．メッキ性 ６．Ａｇロー付け性 また、比較のため表１に示す従来のＦｅ−４２重量％Ｎ
ｉ合金やＦｅ−２９重量％Ｎｉ−１７重量％Ｃｏ合金を
用いて同様のワイヤーを作製し、実施例と同様の測定を
行った。その結果も表２に示す。
化 ４．曲げ強度（室温） ５．メッキ性 ６．Ａｇロー付け性 また、比較のため表１に示す従来のＦｅ−４２重量％Ｎ
ｉ合金やＦｅ−２９重量％Ｎｉ−１７重量％Ｃｏ合金を
用いて同様のワイヤーを作製し、実施例と同様の測定を
行った。その結果も表２に示す。
【００２８】表２の結果からも明らかなように、本発明
によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リードピンおよびＦｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金製リードピンは低熱膨張でありながら曲げ
強度に優れ、１０００℃の熱処理による硬度、スティフ
ネスの低下も小さい。また、ロー付けの際にも変色がな
い。
によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リードピンおよびＦｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金製リードピンは低熱膨張でありながら曲げ
強度に優れ、１０００℃の熱処理による硬度、スティフ
ネスの低下も小さい。また、ロー付けの際にも変色がな
い。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】上記の実施例、比較例の結果から明らか
なように、本発明によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リード線お
よびＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製リード線は低熱膨張であ
りながら曲げ強度にもすぐれ、１０００℃の熱処理によ
る硬度、スティフネスの低下も小さい。また、ロー付け
の際にも変色が生じないというすぐれた効果を奏する。
なように、本発明によるＦｅ−Ｎｉ系合金製リード線お
よびＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金製リード線は低熱膨張であ
りながら曲げ強度にもすぐれ、１０００℃の熱処理によ
る硬度、スティフネスの低下も小さい。また、ロー付け
の際にも変色が生じないというすぐれた効果を奏する。
【図１】本発明によるピングリッドアレイ（ＰＧＡ）を
例示的に説明する断面図。
例示的に説明する断面図。
【図２】本発明によるハーメチックシールを例示的に説
明する断面図。
明する断面図。
【符号の説明】 １ ＰＧＡ ２ セラミック多層基板 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ セラミック層 ３ 半導体チップ ４ リードピン ５ はんだ層 ６ 外部配線 ７、８、９、１０、１６ 内部配線 １２ ガラス封止層 １３、１４ スルーホール（導体層） １８ ランド １９ リード線 ２０ 封止部材 ２１ スプリング ２２ 水晶 ２３ ベース ２４ キャップ ２５ リード部
Claims (22)
- 【請求項１】Ｎｉ：２２〜５５重量％、Ｃ：０．００１
〜０．１重量％、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ば
れた少なくとも１種の元素を０．０１〜２重量％含み、
残部がＦｅおよび不可避的不純物からなることを特徴と
する、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製リード線。 - 【請求項２】４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた
少なくとも１種の元素を含む粒子がマトリックス中に分
散粒子として存在し、該粒子の平均粒径が２０μｍ以下
であり、かつ、該粒子が１０００〜１０００００個／ｍ
ｍ2 の密度で存在している、請求項１に記載のリード
線。 - 【請求項３】前記分散粒子の少なくとも一部が、前記４
Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種
の元素の炭化物からなる、請求項２に記載のリード線。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載のリー
ド線を用いてなることを特徴とする、ハーメチックシー
ル。 - 【請求項５】請求項１〜３のいずれか１項に記載のリー
ド線を用いてなることを特徴とする、ピングリッドアレ
イ。 - 【請求項６】請求項１〜３のいずれか１項に記載のリー
ド線を用いてなることを特徴とする、ボールグリッドア
レイ。 - 【請求項７】Ｎｉ：２２〜５５重量％、Ｃ：０．００１
〜０．１重量％、４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ば
れた少なくとも１種の元素を０．０１〜２重量％含み、
残部がＦｅおよび不可避的不純物からなることを特徴と
する、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製リードピン。 - 【請求項８】４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた
少なくとも１種の元素を含む粒子がマトリックス中に分
散粒子として存在し、該粒子の平均粒径が２０μｍ以下
であり、かつ、該粒子が１０００〜１０００００個／ｍ
ｍ2 の密度で存在している、請求項７に記載のリードピ
ン。 - 【請求項９】前記分散粒子の少なくとも一部が、前記４
Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種
の元素の炭化物からなる、請求項７に記載のリードピ
ン。 - 【請求項１０】請求項７ないし９のいずれか１項に記載
のリードピンを用いてなることを特徴とする、ピングリ
ッドアレイ。 - 【請求項１１】請求項７ないし９のいずれか１項に記載
のリードピンを用いてなることを特徴とする、ハーメチ
ックシール。 - 【請求項１２】Ｎｉ：２８〜３０重量％、Ｃｏ：１６〜
１８．５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量％、４Ａ
族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種の
元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅおよび不可
避的不純物からなることを特徴とする、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ系合金製リード線。 - 【請求項１３】４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれ
た少なくとも１種の元素を含む粒子がマトリックス中に
分散粒子として存在し、該粒子の平均粒径が２０μｍ以
下であり、かつ、該粒子が１０００〜１０００００個／
ｍｍ2 の密度で存在している、請求項１２に記載のリー
ド線。 - 【請求項１４】前記分散粒子の少なくとも一部が、前記
４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素の炭化物からなる、請求項１３に記載のリード
線。 - 【請求項１５】請求項１２ないし１４のいずれか１項に
記載のリード線を用いてなることを特徴とする、ハーメ
チックシール。 - 【請求項１６】請求項１２ないし１４のいずれか１項に
記載のリードピンを用いてなることを特徴とする、ピン
グリッドアレイ。 - 【請求項１７】請求項１２ないし１４のいずれか１項に
記載のリードピンを用いてなることを特徴とする、ハー
メチックシール。 - 【請求項１８】Ｎｉ：２８〜３０重量％、Ｃｏ：１６〜
１８．５重量％、Ｃ：０．００１〜０．１重量％、４Ａ
族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１種の
元素を０．０１〜２重量％含み、残部がＦｅおよび不可
避的不純物からなることを特徴とする、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ系合金製リードピン。 - 【請求項１９】４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれ
た少なくとも１種の元素を含む粒子がマトリックス中に
分散粒子として存在し、該粒子の平均粒径が２０μｍ以
下であり、かつ、該粒子が１０００〜１０００００個／
ｍｍ2 の密度で存在している、請求項１８に記載のリー
ドピン。 - 【請求項２０】前記分散粒子の少なくとも一部が、前記
４Ａ族元素および５Ａ族元素から選ばれた少なくとも１
種の元素の炭化物からなる、請求項１９に記載のリード
ピン。 - 【請求項２１】請求項１８ないし２０のいずれか１項に
記載のリードピンを用いてなることを特徴とする、ピン
グリッドアレイ。 - 【請求項２２】請求項１８ないし２０のいずれか１項に
記載のリードピンを用いてなることを特徴とする、ハー
メチックシール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11900096A JPH09306233A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | リード線、リードピンおよびその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11900096A JPH09306233A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | リード線、リードピンおよびその用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306233A true JPH09306233A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14750525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11900096A Pending JPH09306233A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | リード線、リードピンおよびその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101396670B1 (ko) * | 2010-01-27 | 2014-05-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 모듈 |
-
1996
- 1996-05-14 JP JP11900096A patent/JPH09306233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101396670B1 (ko) * | 2010-01-27 | 2014-05-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 모듈 |
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