JPH09305483A - Memory control circuit - Google Patents
Memory control circuitInfo
- Publication number
- JPH09305483A JPH09305483A JP8148592A JP14859296A JPH09305483A JP H09305483 A JPH09305483 A JP H09305483A JP 8148592 A JP8148592 A JP 8148592A JP 14859296 A JP14859296 A JP 14859296A JP H09305483 A JPH09305483 A JP H09305483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- microcomputer
- signal
- bit
- address
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はメモリ制御回路に係
り、例えば、マイコン(マイクロ・コントロール・ユニ
ット)の外部に接続するメモリに対して最適な制御信号
と、バックアップ用電源を与えるメモリ制御回路に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory control circuit and, for example, to a memory control circuit for supplying an optimum control signal and a backup power source to a memory connected to the outside of a microcomputer (micro control unit). .
【0002】[0002]
【従来の技術】マイコンに接続する外部メモリは、マイ
コンの中央演算処理装置(以下CPUと称する)が動作
するときに必要なデータを仮に記憶させておくスタック
メモリやワーキングメモリとして用いられたり、装置固
有の調整データや 稼動時間などの情報データを保存し
ておくバックアップメモリとして用いられている。デー
タを保存している外部メモリに対しては、バックアップ
電源用の電池と装置の電源との電源切替回路を接続し、
装置の電源が遮断されてもデータが失われないようにし
ている。また、データを保存している外部メモリと、バ
ックアップ電源用の電池と、装置の電源との電源切賛回
路とを一体化してバックアップメモリユニットを形成
し、接離可能なコネクタを介してマイコンが実装されて
いるプリント基板(以下マイコン基板と称す)と接続
し、マイコン基板上に実装されている他の部品の故障に
より、マイコン基板を交換するときには、バックアップ
RAMユニットは、故障したマイコン基板からはずし、
新しく交換するマイコン基板に接続して、装置固有の保
存していたデータが失われないようにしている。2. Description of the Related Art An external memory connected to a microcomputer is used as a stack memory or a working memory for temporarily storing data required when a central processing unit (hereinafter referred to as CPU) of the microcomputer operates, or an external memory. It is used as a backup memory to store unique adjustment data and information data such as operating time. For the external memory that stores the data, connect the power supply switching circuit between the battery for backup power supply and the power supply of the device,
Data is not lost even if the device is turned off. In addition, an external memory that stores data, a battery for backup power supply, and a power supply approval circuit for the power supply of the device are integrated to form a backup memory unit, and the microcomputer is connected via a connectable / separable connector. When connecting the printed circuit board (hereafter referred to as the microcomputer board) that is mounted and replacing the microcomputer board due to a failure of other components mounted on the microcomputer board, remove the backup RAM unit from the failed microcomputer board. ,
It is connected to a newly-replaced microcomputer board so that the stored data unique to the device will not be lost.
【0003】ところで、従来のあまり高性能を要求され
ない装置の場合は、外部メモリとして8ビットの入出力
端子を有するメモリを1個用い、8ビットデータの同時
書き込み、読み出しを行っている。したがって、16ビ
ットデータの書き込み、読み出しを行う場合は、8ビッ
トづつ2回に分けて行う必要が有り、処理時間がかかっ
ていた。一方、高性能を要求される装置においては、例
えば、特開平7‐84869号公報に記載されているよ
うに、外部メモリに対して16ビットのデータ入出力端
子を有するマイコンを用い、第1のメモリを上位8ビッ
トのデータ入出力端子に、第2のメモリを下位8ビット
のデータ入出力端子に、それぞれ接続する。そして、上
位書き込み許可信号(WRHB)を第1のメモリに、下
位書き込み許可信号(WRLB〕を第2のメモリに、そ
れぞれ接続することにより、マイコンは、第1のメモリ
と第2のメモリにバイト(8bit)単位でも、ワード
(16bit)単位でも データの書き込みができる用
にしている。By the way, in the case of a conventional device which is not required to have high performance, one memory having an 8-bit input / output terminal is used as an external memory to simultaneously write and read 8-bit data. Therefore, when writing and reading 16-bit data, it is necessary to divide the data into 8-bit data in two steps, which requires processing time. On the other hand, in a device requiring high performance, a microcomputer having a 16-bit data input / output terminal for an external memory is used as described in Japanese Patent Laid-Open No. 7-84869, for example. The memory is connected to the upper 8-bit data input / output terminal, and the second memory is connected to the lower 8-bit data input / output terminal. Then, by connecting the upper write enable signal (WRHB) to the first memory and the lower write enable signal (WRLB] to the second memory, the microcomputer stores bytes in the first memory and the second memory. Data can be written in units of (8 bits) or in units of words (16 bits).
【0004】このように高性能を要求される装置では、
図4に示されるように、16ビットのデータを並列に処
理できるCPUを持ち、外部メモリに対して16ビット
のデータ入出力端子を有するマイコンMCUを用い、外
部メモリとして8ビットの入出力端子を有するメモリを
2個(RAM1、RAM2)用いている。そして、第1
のメモリRAM1を上位8ビットを伝達する信号線(D
H)を介してマイコンの上位8ビットの入出力端子D8
−D15に接続し、第2のメモリRAM2を下位8ビッ
トを伝達する信号線(DL)を介してマイコンMCUの
下位8ビットの入出力端子D0−D7に接続して、マイ
コンMCUは、外部メモリに対して16ビットデータを
同時に書き込み、読み出しを可能にして、高速処理を行
っている。In such a device requiring high performance,
As shown in FIG. 4, a microcomputer MCU having a CPU capable of processing 16-bit data in parallel and having a 16-bit data input / output terminal for an external memory is used, and an 8-bit input / output terminal is used as an external memory. Two memories (RAM1 and RAM2) are used. And the first
Signal line (D
H) via the I / O terminal D8 of the upper 8 bits of the microcomputer
-D15, and the second memory RAM2 is connected to the lower 8-bit input / output terminals D0-D7 of the microcomputer MCU via the signal line (DL) for transmitting the lower 8-bit, and the microcomputer MCU is connected to the external memory. 16-bit data can be simultaneously written and read, and high-speed processing is performed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図4に示した
従来の装置では、8ビットデータ単位での書き込みも行
う為に、CPUからの書き込み許可信号(WRB)と上
位8ビットデータ識別信号(BHEB)とアドレス信号
の最下位ビット信号(AO)から、上位書き込み許可信
号(WRHB)と下位書き込み許可信号(WRLB)を
作り、それぞれ第1のメモリと第2のメモリに接続する
必要がある。また、この外部メモリの下位アドレス領域
をバックアップメモリとして用い、上位アドレス領域を
スタックメモリやワーキングメモリとして用るので、こ
の2個の外部メモリをバックアップ電源用の電池と 装
置の電源との電源切賛回路を接続し、装置の電源が遮的
されてもデータが失われないようにする必要がある。し
たがって、スタックメモリやワーキングメモリとして2
4Kバイト、バックアップメモリとして8Kバイトの合
計32Kバイトの記憶容量が必要な場合、バックアップ
メモリユニットには、2個の外部メモリと、16ビット
のデータを伝達する16本の信号線を含め、DH:8
本、、DL:8本、AN:14本、RD:1本、WRH
B:1本、WRLB:1本、CS:1本、図示していな
い装置の電源: 1本、グランド:1本、の計36本の
信号を接続する必要があるので、36ピンのコネクタが
必要になる。However, in the conventional device shown in FIG. 4, since writing is also performed in 8-bit data units, the write enable signal (WRB) from the CPU and the upper 8-bit data identification signal ( It is necessary to generate an upper write enable signal (WRHB) and a lower write enable signal (WRLB) from BHEB) and the least significant bit signal (AO) of the address signal and connect them to the first memory and the second memory, respectively. In addition, since the lower address area of this external memory is used as the backup memory and the upper address area is used as the stack memory and the working memory, these two external memories are used for backup power supply and the power supply of the device. Circuits must be connected to ensure that no data is lost if the device is interrupted in power. Therefore, 2 as stack memory or working memory
When a total storage capacity of 4 Kbytes and 8 Kbytes of backup memory, 32 Kbytes, is required, the backup memory unit includes two external memories and 16 signal lines for transmitting 16-bit data. 8
Book, DL: 8, AN: 14, RD: 1, WRH
B: 1 line, WRLB: 1 line, CS: 1 line, power supply of equipment not shown: 1 line, ground: 1 line, so 36 signals in total must be connected, so a 36-pin connector is required. You will need it.
【0006】本発明は、簡単な回路で、16ビットデー
タ同時書き込み、読みだしと8ビット単位での書き込み
の双方を行うことが可能なメモリ制御回路を提供するこ
とを第1の目的とする。また、本発明は、小容書のバッ
クアップ電源で、データを保持することが可能なメモリ
制御回路を提供することを第2の目的とする。更に、少
ないピン数のコネクタで接続でき、少ない部品点教です
む、着脱可能なメモリ制御回路を提供することを第3の
目的とする。A first object of the present invention is to provide a memory control circuit capable of simultaneously writing and reading 16-bit data and writing in 8-bit units with a simple circuit. A second object of the present invention is to provide a memory control circuit capable of holding data with a backup power supply for small letters. Further, a third object is to provide a removable memory control circuit which can be connected with a connector having a small number of pins and requires less parts training.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載した発明
では、マイコンと、このマイコンのデータ入出力端子
に、上位のビットを伝達する信号線を介して接続された
第1のメモリと、前記マイコンのデータ入出力端子に、
下位のビットを伝達する信号線を介して接続された第2
のメモリと、前記マイコンと前記第1のメモリ及び前記
第2のメモリとの間に共通に接続された復数あるアドレ
スのうち最下位のビットを除くアドレス信号を伝達する
アドレス信号線と、前記マイコンと前記第1のメモリの
間に接続され、最下位のビットのアドレス信号を伝達す
るアドレス信号線と、前記マイコンが第1のアドレス空
間を選択したことを示す第1のチップセレクト信号と、
前記マイコンが第2のアドレス空間を選択したことを示
す第2のチップセレクト信号との論理和を取り、前記第
1のメモリへ入力するOR回路と、前記マイコンと前記
第2のメモリの間に接続され、前記第2のチップセレク
ト信号を伝達するチップセレクト信号線と、をメモリ制
御回路に具備させて前記第1の目的を達成する。請求項
2に記載した発明では、請求項1に記載したメモリ制御
回路において、外部からの電源供給が断たれたとき、前
記第1のメモリのデータを保持するバックアップ用電源
と、前記外部電源と前記バックアップ用電源とを切り替
えて前記第1のメモリに供給する電源切賛回路と、を備
えることで前記第2の目的を達成する。請求項3に記載
した発明では、請求項2に記載したメモリ制御回路にお
いて、前記第1のメモリ及び前記バックアップ用電源及
び前記電源切賛回路を配置する支持体と、この支持体と
前記マイコンとの接続を接離可能にするコネクタと、こ
れらを一体化する支持体と、を具備することで前記第3
の目的を達成する。According to a first aspect of the present invention, a microcomputer and a first memory connected to a data input / output terminal of the microcomputer via a signal line for transmitting a higher-order bit, To the data input / output terminal of the microcomputer,
Second connected through a signal line for transmitting lower bits
Memory, an address signal line for transmitting an address signal excluding the least significant bit among the addresses having a common number commonly connected between the microcomputer and the first memory and the second memory, and An address signal line connected between the microcomputer and the first memory, for transmitting an address signal of the least significant bit, and a first chip select signal indicating that the microcomputer has selected the first address space,
An OR circuit for obtaining a logical sum of a second chip select signal indicating that the microcomputer has selected the second address space and inputting the logical sum to the first memory, and between the microcomputer and the second memory The memory control circuit is provided with a chip select signal line which is connected and which transmits the second chip select signal, to achieve the first object. According to a second aspect of the present invention, in the memory control circuit according to the first aspect, when a power supply from the outside is cut off, a backup power source for holding data of the first memory, and an external power source are provided. The second object is achieved by including a power supply approval circuit that switches the backup power supply and supplies the power to the first memory. According to a third aspect of the present invention, in the memory control circuit according to the second aspect, a support body on which the first memory, the backup power supply, and the power support circuit are arranged, the support body, and the microcomputer. The connector that enables connection and disconnection of the above and a support body that integrates them are provided, and thus the third
Achieve the objectives.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明のメモリ制御回路に
おける実施形態を図1ないし図3を参照して詳細に説明
する。図1は、メモリ制御回路の回路構成を表したもの
である。この図1において、MCUは16ビットのデー
タ入出力端子を有するマイコンである。RAM1はラン
ダムアクセスメモリで、8ビットのデータ入出力端子を
有し32Kバイトの容量の第1のメモリである。RAM
2もランダムアクセスメモリで、8ビットのデータ入出
力端子を有し32Kバイトの容量の第2のメモリであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a memory control circuit according to the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 1 shows a circuit configuration of a memory control circuit. In FIG. 1, the MCU is a microcomputer having a 16-bit data input / output terminal. The RAM 1 is a random access memory, which is a first memory having an 8-bit data input / output terminal and a capacity of 32 Kbytes. RAM
2 is also a random access memory, which is a second memory having an 8-bit data input / output terminal and a capacity of 32 Kbytes.
【0009】BATTはバックアップ電源用のリチユウ
ム電池であり、CNTは電源切替回路である。リチュウ
ム電池(BATT)は電源切替回路をへて、RAM1の
電源入力端子に接続されている。電源切替回路CNT
は、図示していない装置の電源の電圧とリチュウム電池
BATTの電圧を比較し、電圧が高い方の電力をRAM
1に供給するようになっている。このため、装置の電源
が遮断されれば、リチュウム電池の電力がRAM1に供
給されるので、RAM1に保存されているデータが失わ
れる事はない。リチユウム電池BATTは、RAM1に
のみに電力を供給し、RAM2には供給しない。このた
め、RAM1、RAM2の両方に電力供給する場合に比
べ半分の容量の電池で同じ期間データを保持することが
できる。BATT is a lithium battery for a backup power source, and CNT is a power source switching circuit. The lithium battery (BATT) is connected to the power input terminal of the RAM 1 through the power switching circuit. Power switching circuit CNT
Compares the voltage of the power supply of the device (not shown) with the voltage of the lithium battery BATT, and the power with the higher voltage is stored in the RAM.
1 is supplied. For this reason, if the power of the device is cut off, the power of the lithium battery is supplied to the RAM 1, so that the data stored in the RAM 1 is not lost. The lithium battery BATT supplies electric power only to RAM1 and does not supply electric power to RAM2. Therefore, it is possible to hold data for the same period with a battery having a half capacity as compared with the case where power is supplied to both RAM1 and RAM2.
【0010】DHは、16ビットデータのうち、上位の
8ビットであるD8からD15を伝達する信号で、マイ
コンMCUとRAM1のデータ入出力端子D0−D7を
接続している。DLは、16ビットデータのうち、下位
の8ビットであるD0からD7を伝達する信号で、マイ
コンMCUとRAM2のデータ入出力端子D0−D7を
接続している。DH is a signal for transmitting the higher 8 bits D8 to D15 of the 16-bit data, and connects the microcomputer MCU and the data input / output terminals D0-D7 of the RAM1. DL is a signal for transmitting the lower 8 bits D0 to D7 of the 16-bit data, and connects the microcomputer MCU and the data input / output terminals D0-D7 of the RAM2.
【0011】ANは、マイコンMCUが出す複数あるア
ドレス信号のうちA1からA14ビットのアドレス信号
を伝達する信号線で、RAM1のアドレス入力端子A1
−A14と、RAM2のアドレス入力端子A0−A13
に共通に接続している。A0は、アドレス信号の最下位
のビットのアドレス信号を伝達する信号線で、RAM1
のアドレス入力端子A0に接続している。WRは、マイ
コンMCUが出す書き込み許可信号で、RAM1とRA
M2の書き込み制御信号入力端子WEに共通に接続して
いる。RDは、マイコンMCUが出す読み込み許可信号
で、RAM1とRAM2の出力制御信号入力端子OEに
共通に接続している。AN is a signal line for transmitting an address signal of A1 to A14 bits among a plurality of address signals output from the microcomputer MCU, and an address input terminal A1 of the RAM1.
-A14 and address input terminals A0-A13 of RAM2
Connected in common. A0 is a signal line for transmitting the address signal of the least significant bit of the address signal, and RAM1
Is connected to the address input terminal A0. WR is a write enable signal issued by the microcomputer MCU, and RAM1 and RA
The write control signal input terminals WE of M2 are commonly connected. RD is a read permission signal issued by the microcomputer MCU, and is commonly connected to the output control signal input terminals OE of the RAM1 and RAM2.
【0012】CS1は、マイコンMCUが出すバックア
ップメモリ選択信号で、CS2はマイコンMCUが出す
スタックメモリとワーキングメモリ選択信号である。選
択信号CS1、CS2の両者ともマイコンMCU内部の
図示していないメモリ選択信号生成回路が、CPUが持
つ24ビットあるアドレス信号の上位の3ビットである
A21からA23までを用いて、アクティブにする。例
えば、メモリ選択信号生成回路は、A23=0、A22
=0、A21=1の時に、バックアップメモリアドレス
空間が選択されていることを判別して選択信号CS1を
アクティブする。また、メモリ選択信号生成回路は、A
23=0、A22=0、A21=1の時に、スタックメ
モリアドレス空間又はワーキングメモリアドレス空間が
選択されていることを判別して選択信号CS2をアクテ
ィブにする。CS1 is a backup memory selection signal output from the microcomputer MCU, and CS2 is a stack memory and working memory selection signal output from the microcomputer MCU. Both of the selection signals CS1 and CS2 are activated by a memory selection signal generation circuit (not shown) in the microcomputer MCU by using the upper 3 bits A21 to A23 of the 24-bit address signal of the CPU. For example, the memory selection signal generation circuit is A23 = 0, A22
When = 0 and A21 = 1, it is determined that the backup memory address space is selected, and the selection signal CS1 is activated. Further, the memory selection signal generation circuit is
When 23 = 0, A22 = 0 and A21 = 1, it is determined that the stack memory address space or the working memory address space is selected, and the selection signal CS2 is activated.
【0013】ORはOR回路で、選択信号CS1と選択
信号CS2の論理和を取りメモリ1選択信号(CSRA
M1)を生成し、RAM1のチップセレクト入力端子C
Eに接続する。RAM2のチップセレクト入力端子CE
には、選択信号CS2が接続している。OR is an OR circuit, which takes the logical sum of the selection signals CS1 and CS2 and selects the memory 1 selection signal (CSRA).
M1), and the chip select input terminal C of RAM1
Connect to E. RAM2 chip select input terminal CE
The selection signal CS2 is connected to.
【0014】次にこのように構成された、実施形態の動
作について説明する。まず、マイコンMCUが、スタッ
クメモリ又はワーキングメモリに、書き込み又は読みだ
しを行うときは、高速処理を行う為に、このアドレス空
間は、16ビット同時にデータの書き込み又は読みだし
を行うように、マイコンMCU内部にある図示していな
いバスコントローラを設定しておく。また、マイコンM
CUが、バックアップメモリに書き込み又は読みだしを
行うときは、このアドレス空間は8ビット同時にデータ
の書き込み又は読みだしを行うように、バスコントロー
ラを設定しておく。Next, the operation of the embodiment thus configured will be described. First, when the microcomputer MCU writes or reads data to or from the stack memory or the working memory, in order to perform high-speed processing, this address space writes or reads data at 16 bits at the same time. An internal bus controller (not shown) is set. Also, the microcomputer M
When the CU writes or reads data to or from the backup memory, the bus controller is set so that this address space simultaneously writes or reads data of 8 bits.
【0015】16ビットデータの同時書き込み、読み出
しにより 処理の高速化に効果があるのは、外部メモリ
のうち、書き込み、読みだし頻度が高く、データ長も8
ビットよりも長い場合がほとんどであるスタックメモリ
やワーキングメモリとして用いられているメモリであ
り、そうでない、バックアップメモリとして用いられる
メモリは、8ビットデータの同時書き込み、読み出しの
場合と装置全体の処理速度は同等である。Simultaneous writing and reading of 16-bit data has the effect of speeding up the processing. Of the external memories, the frequency of writing and reading is high and the data length is 8
It is a memory used as a stack memory or a working memory that is longer than a bit in most cases, and a memory used as a backup memory that is not so is a case of simultaneous writing and reading of 8-bit data and the processing speed of the entire device. Are equivalent.
【0016】マイコンMCUが、スタックメモリ又はワ
ーキングメモリに書き込み又は読み出しを行うときは、
まず、CPUが、スタックメモリアドレス空間又はワー
キングメモリアドレス空間の偶数アドレス信号(A0=
0)を発生し、マイコンMCUの図示しないメモリ選択
信号生成回路が選択信号CS2をアクティブにする。マ
イコンMCU内部にあるバスコントローラにより、この
アドレス空間は、16ビット単位で、データの読み込
み、書き込みを行うことがCPUに知らされる。When the microcomputer MCU writes to or reads from the stack memory or the working memory,
First, the CPU sends an even address signal (A0 = A0 =) in the stack memory address space or the working memory address space.
0) is generated, and a memory selection signal generation circuit (not shown) of the microcomputer MCU activates the selection signal CS2. The bus controller in the microcomputer MCU informs the CPU that data is read and written in 16-bit units in this address space.
【0017】選択信号CS2がアクティブになったの
で、選択信号CS1との論理和を取った出力である選択
信号CSRAM1もアクティブになる。RAM1は、選
択信号CSRAM1により選択状態になり、A0からA
14で示された番地のメモリが選択される。RAM2
も、選択信号CS2のアクティブにより選択状態にな
り、A1からA14で示された番地のメモリが選択され
る。Since the selection signal CS2 becomes active, the selection signal CSRAM1 which is the output of the logical sum of the selection signal CS1 also becomes active. The RAM1 is selected by the selection signal CSRAM1 and changes from A0 to A
The memory at the address indicated by 14 is selected. RAM2
Also, the selection signal CS2 becomes active to bring it into the selected state, and the memories at the addresses indicated by A1 to A14 are selected.
【0018】スタックメモリ又はワーキングメモリ書き
込みのときは、マイコンMCUから、DHに上位の8ビ
ットのデータ信号が出力され、DLに下位8ビットのデ
ータ信号が出力され、更に、WRがアクティブになり、
RAM1とRAM2の選択された番地のメモリに書き込
まれる。一方、読み出しのときは、RDがアクティブに
なり、RAM1からDHに上位の8ビットのデータ信号
が出力され、RAM2からDLに下位8ビットのデータ
信号が出力され、マイコンMCUが読み込む。When writing to the stack memory or the working memory, the microcomputer MCU outputs an upper 8-bit data signal to DH, a lower 8-bit data signal to DL, and WR becomes active.
It is written in the memory of the selected address of RAM1 and RAM2. On the other hand, at the time of reading, RD becomes active, the upper 8-bit data signal is output from RAM1 to DH, the lower 8-bit data signal is output from RAM2 to DL, and the microcomputer MCU reads it.
【0019】また、マイコンMCUが、バックアップメ
モリに、書き込み又は読みだしを行うときは、CPU
が、バックアップメモリアドレス空間のアドレス信号
(A23=0、A22=0、A21=1)を発生し、メ
モリ選択信号生成回路が選択信号CS1をアクティブに
する。マイコンMCU内部にあるバスコントローラによ
り、このアドレス空間は、8ビット単位でデータの読み
込み、書き込みを行うことがCPUに知らされる。選択
信号CS1がアクティブになったので、選択信号CS2
との論理和を取った出力である選択信号CSRAM1も
アクティブになる。RAM1はCSRAM1により選択
状態になり、A0からA14で示された番地のメモリが
選択される。このとき、RAM2は非選択状態である。When the microcomputer MCU writes to or reads from the backup memory, the CPU
Generates an address signal (A23 = 0, A22 = 0, A21 = 1) in the backup memory address space, and the memory selection signal generation circuit activates the selection signal CS1. The bus controller inside the microcomputer MCU informs the CPU that data is read and written in 8-bit units in this address space. Since the selection signal CS1 becomes active, the selection signal CS2
The selection signal CSRAM1 which is an output obtained by taking the logical sum of The RAM1 is selected by the CSRAM1 and the memories at addresses A0 to A14 are selected. At this time, the RAM 2 is in the non-selected state.
【0020】バックアップメモリに書き込みのときは、
マイコンMCUからDHに8ビットのデータ信号が出力
され、更に、WRがアクティブになり、RAM1の選択
された番地のメモリに書き込まれる。読み出しのとき
は、RDがアクティブになり、RAM1からDHに8ビ
ットのデータ信号が出力され、マイコンMCUが読み込
む。When writing to the backup memory,
An 8-bit data signal is output from the microcomputer MCU to DH, the WR is activated, and the data is written in the memory of the selected address of the RAM1. At the time of reading, RD becomes active, an 8-bit data signal is output from RAM1 to DH, and the microcomputer MCU reads it.
【0021】なお、A23、A22、A21が0、0、
1の時に選択信号CS1が、A23、A22、A21が
0、1、0の時に選択信号CS2がアクティブになり、
RAM1の下位番地の8Kバイトをバックアップメモリ
として用い、上位番地の24Kバイトをスタックメモリ
やワーキングメモリとして用るので、図3に示すよう
に、バックアップメモリとして使えるCPUのアドレス
値は、200000hから201FFFhまでで、スタ
ックメモリやワーキングメモリとして使えるCPUのア
ドレス値は、402000hから407FFEhまでで
ある。また、RAM2の上位16Kバイトは使用してい
なく、16Kバイトの容量のRAMで十分だが、一般に
16Kバイトのメモリは市販されてなく、これより大き
い市販されている32Kバイトの容量のメモリを使用し
ている。A23, A22 and A21 are 0, 0,
When the selection signal CS1 is 1, the selection signals CS2 are active when A23, A22, A21 are 0, 1, 0,
8K bytes of the lower address of RAM1 is used as a backup memory and 24K bytes of the higher address is used as a stack memory or a working memory. Therefore, as shown in FIG. The address value of the CPU that can be used as the stack memory or the working memory is 402000h to 407FFEh. Also, the upper 16 Kbytes of RAM2 are not used, and a 16 Kbyte capacity RAM is sufficient, but in general 16 Kbyte memory is not commercially available, and a larger commercially available 32 Kbyte capacity memory is used. ing.
【0022】次に図2の説明を行う。RAM1は前記の
第1のメモリであり、BATTは前記のバックアップ電
源用のリチユウム電池であり、CNTは前記の電源切替
回路であり、CN1はマイコンMCUとの接続を行う接
離可能なコネクタであり、これらは、支持体により一体
化され、バックアップメモリユニットを形成し、マイコ
ンMCU基板に一体で着脱可能となっている。CN2は
マイコンMCUの基板上に設置されていて、コネクタC
N1と接続するコネクタである。マイコンMCUの基板
には、図1に示したマイコンMCUと、RAM2と、O
R回路と、が設置されている。コネクタCN1とコネク
タCN2を通る信号線の数は、DH:8本、AN:15
本、RD:1本、WR:1本、CSRAM1:1本、図
示していない装置の電源:1本、グランド:1本、の計
28本になる。したがって、CN1とCN2は、28ピ
ンの小さいコネクタを使用することができる。また、バ
ックアップメモリユニットには、メモリはRAM1のみ
なので、ユニットを小さくすることができる。Next, FIG. 2 will be described. RAM1 is the above-mentioned first memory, BATT is the above-mentioned lithium battery for backup power supply, CNT is the above-mentioned power supply switching circuit, and CN1 is a connectable / separable connector for connecting to the microcomputer MCU. These are integrated by a support body to form a backup memory unit, which can be integrally attached to and detached from the microcomputer MCU board. CN2 is installed on the board of the microcomputer MCU and has a connector C
It is a connector connected to N1. The board of the microcomputer MCU has the microcomputer MCU shown in FIG.
R circuit is installed. The number of signal lines passing through the connectors CN1 and CN2 is DH: 8 and AN: 15
Book, RD: 1, WR: 1, CSRAM 1: 1, power supply for device (not shown): 1 and ground: 1 for a total of 28. Therefore, CN1 and CN2 can use a small connector of 28 pins. Moreover, since the backup memory unit has only the RAM 1 as the memory, the unit can be made small.
【0023】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、マイコン(MCU)と、上位のビットを伝達する信
号線(DH)を介して、マイコン(MCU)のデータ入
出力端子に接続された第1のメモリ(RAM1)を、マ
イコン(MCU)が第1のアドレス空間を選択したこと
を示す第1のチップセレクト信号(CS1)と、マイコ
ン(MCU)が第2のアドレス空間を選択したことを示
す第2のチップセレクト信号(CS2)をOR回路によ
り論理和を取り生成した第1のメモリ選択信号により選
択し、下位のビットを伝達する信号線(DL)を介して
マイコン(MCU)のデータ入出力端子に接続された第
2のメモリ(RAM2)を、第2のチップセレクト信号
(CS2)により選択し、第1のメモリの番地を複数あ
るアドレスのうち最下位ビットを含むアドレス信号によ
り選択することにより、OR回路だけの簡単な回路によ
り、第1のメモリと第2のメモリを用いた、16ビット
データの同時書き込み、読み出しと、第1のメモリを用
いた、8ビットデータの同時書き込み、読み出しを行う
ことができ、高速処理ができるマイコンのメモリ制御回
路を低コストで得ることができる。また、第1のメモリ
(RAM1)のみ、外部からの電源供給が断たれたとき
バックアップ用電源(BATT)の電力を供給すること
により、少ない容量の電池で同じ期間データを保持する
ことができ、バックアップメモリ装置を小型、低コスト
で得ることができる。さらに、第1のメモリ(RAM
1)と、バックアップ用電源(BATT)と、電源切替
回路(CNT)と、コネクタ(CN1)と、を支持体と
を用いて一体化しバックアップメモリユニットを形成す
ることにより、小型化を図ることができる。As described above, according to this embodiment, the microcomputer (MCU) and the data input / output terminal of the microcomputer (MCU) are connected via the signal line (DH) for transmitting the higher-order bits. The first memory (RAM1), the first chip select signal (CS1) indicating that the microcomputer (MCU) has selected the first address space, and that the microcomputer (MCU) has selected the second address space. Of the second chip select signal (CS2) indicating the logical OR by the OR circuit and selected by the first memory select signal generated, and the microcomputer (MCU) via the signal line (DL) transmitting lower bits. The second memory (RAM2) connected to the data input / output terminal is selected by the second chip select signal (CS2), and the address of the first memory is selected from the plurality of addresses. By selecting with an address signal including a significant bit, simultaneous writing and reading of 16-bit data using the first memory and the second memory and the use of the first memory can be performed by a simple circuit including only the OR circuit. In addition, a memory control circuit of a microcomputer capable of simultaneously writing and reading 8-bit data and performing high-speed processing can be obtained at low cost. Further, by supplying the power of the backup power supply (BATT) to the first memory (RAM1) only when the power supply from the outside is cut off, it is possible to retain the data for the same period with a battery having a small capacity, The backup memory device can be obtained at a small size and at low cost. In addition, the first memory (RAM
1), a backup power supply (BATT), a power supply switching circuit (CNT), and a connector (CN1) are integrated by using a support body to form a backup memory unit, thereby achieving miniaturization. it can.
【0024】[0024]
【発明の効果】請求項1に記載した発明によれば、簡単
な回路で、16ビットデータ同時書き込み、読みだしと
8ビット単位での書き込みの双方を行うことができる。
請求項2に記載した発明によれば、小容書のバックアッ
プ電源で、データを保持することができる。請求項3に
記載した発明によれば、少ないピン数のコネクタで接続
でき、少ない部品点教ですむ、着脱可能なメモリ制御回
路とすることができる。According to the invention described in claim 1, it is possible to perform simultaneous 16-bit data write, read and write in 8-bit units with a simple circuit.
According to the invention described in claim 2, data can be held by the backup power supply for small letters. According to the invention described in claim 3, it is possible to provide a removable memory control circuit which can be connected with a connector having a small number of pins, and which requires less parts training.
【図1】本発明の1実施形態におけるメモリ制御回路の
回路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a memory control circuit according to an embodiment of the present invention.
【図2】同上、メモリ制御回路の外観構成を表した説明
図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an external configuration of a memory control circuit of the above.
【図3】メモリマップを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a memory map.
【図4】従来のメモリ制御回路の回路構成図である。FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a conventional memory control circuit.
MCU マイコン OR OR回路 RAM1 メモリ RAM2 メモリ BATT バックアップ電源用のリチユウム電池 CNT 電源切替回路 DH 上位の8ビットであるD8からD15を伝達する
信号 DL 下位の8ビットであるD0からD7を伝達する信
号 AN アドレス信号のうちA1からA14ビットを伝達
する信号線 A0 アドレス信号の最下位のビットのアドレス信号を
伝達する信号線 WR マイコンMCUが出す書き込み許可信号 RD マイコンMCUが出す読み込み許可信号 CS1 マイコンMCUが出すバックアップメモリ選択
信号で CS2 マイコンMCUが出すスタックメモリとワーキ
ングメモリ選択信号MCU Microcomputer OR OR circuit RAM1 memory RAM2 memory BATT Lithium battery for backup power supply CNT Power supply switching circuit DH Signal for transmitting higher 8 bits D8 to D15 DL Signal for transmitting lower 8 bits D0 to D7 AN address Signal line that transmits A1 to A14 bits of the signal A0 Signal line that transmits the address signal of the least significant bit of the address signal WR Write permission signal issued by microcomputer MCU RD Read permission signal issued by microcomputer MCU CS1 Backup issued by microcomputer MCU Memory selection signal CS2 microcomputer MCU outputs stack memory and working memory selection signal
Claims (3)
達する信号線を介して接続された第1のメモリと、 前記マイコンのデータ入出力端子に、下位のビットを伝
達する信号線を介して接続された第2のメモリと、 前記マイコンと前記第1のメモリ及び前記第2のメモリ
との間に共通に接続された復数あるアドレスのうち最下
位のビットを除くアドレス信号を伝達するアドレス信号
線と、 前記マイコンと前記第1のメモリの間に接続され、最下
位のビットのアドレス信号を伝達するアドレス信号線
と、 前記マイコンが第1のアドレス空間を選択したことを示
す第1のチップセレクト信号と、前記マイコンが第2の
アドレス空間を選択したことを示す第2のチップセレク
ト信号との論理和を取り、前記第1のメモリへ入力する
OR回路と、 前記マイコンと前記第2のメモリの間に接続され、前記
第2のチップセレクト信号を伝達するチップセレクト信
号線と、を備えたことを特徴とするメモリ制御回路。1. A microcomputer, a first memory connected to a data input / output terminal of the microcomputer via a signal line for transmitting an upper bit, and a lower bit to a data input / output terminal of the microcomputer. A second memory connected via a signal line for transmitting, and a least significant bit of the multiple addresses which are commonly connected between the microcomputer and the first memory and the second memory. An address signal line for transmitting an address signal other than the above; an address signal line for transmitting an address signal of the least significant bit connected between the microcomputer and the first memory; and the microcomputer selecting the first address space. And a first chip select signal indicating that the microcomputer has selected the second address space is ORed to obtain the first memory. An OR circuit for input to said microcomputer and connected between said second memory, said memory control circuit, characterized in that it and a chip select signal line for transmitting a second chip select signal.
記第1のメモリのデータを保持するバックアップ用電源
と、 前記外部電源と前記バックアップ用電源とを切り替えて
前記第1のメモリに供給する電源切賛回路と、を備えた
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御回路。2. When the power supply from the outside is cut off, the backup power supply for holding the data in the first memory, and the external power supply and the backup power supply are switched to be supplied to the first memory. The memory control circuit according to claim 1, further comprising:
用電源及び前記電源切賛回路を配置する支持体と、 この支持体と前記マイコンとの接続を接離可能にするコ
ネクタと、 これらを一体化する支持体と、 を備えたことを特徴とする請求項2に記載のメモリ制御
回路。3. A support for arranging the first memory, the backup power supply, and the power support circuit, a connector for connecting and disconnecting the support and the microcomputer, and these are integrated. The memory control circuit according to claim 2, further comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8148592A JPH09305483A (en) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | Memory control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8148592A JPH09305483A (en) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | Memory control circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09305483A true JPH09305483A (en) | 1997-11-28 |
Family
ID=15456208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8148592A Pending JPH09305483A (en) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | Memory control circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09305483A (en) |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP8148592A patent/JPH09305483A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3030342B2 (en) | card | |
KR960011959B1 (en) | Semiconductor memory device | |
CA1209714A (en) | Memory identification apparatus and method | |
JPS63285650A (en) | System and method for controlling memory address signal | |
JPH0887876A (en) | Nand-type flash-memory ic card | |
US5243701A (en) | Method of and system for processing data having bit length variable with modes of operation | |
US5373467A (en) | Solid state memory device capable of providing data signals on 2N data lines or N data lines | |
JP2870523B2 (en) | Memory module | |
JPH09305483A (en) | Memory control circuit | |
JP2618864B2 (en) | Memory card | |
JPH0279294A (en) | Data length variable memory | |
JP2974071B2 (en) | Memory IC | |
JPS5842545B2 (en) | Memory card block selection method | |
JPS5842544B2 (en) | Memory card block selection device | |
JP2687679B2 (en) | Program development equipment | |
JPH0612601B2 (en) | Accessible memory pack holder | |
JPS6211749B2 (en) | ||
KR940011044B1 (en) | 16/18 bit memory module | |
JPH0782467B2 (en) | Electronic device with integrated circuit cartridge | |
JPS63103395A (en) | Integrated circuit cartridge | |
JPS6315673B2 (en) | ||
KR100542339B1 (en) | Apparatus for expanding a memory | |
JP3075213B2 (en) | Memory control circuit | |
JPH04262433A (en) | Memory card | |
JP2718846B2 (en) | Memory circuit |