JPH09304917A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH09304917A5
JPH09304917A5 JP1996143516A JP14351696A JPH09304917A5 JP H09304917 A5 JPH09304917 A5 JP H09304917A5 JP 1996143516 A JP1996143516 A JP 1996143516A JP 14351696 A JP14351696 A JP 14351696A JP H09304917 A5 JPH09304917 A5 JP H09304917A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
mask
exposure method
light
condenser lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1996143516A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH09304917A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14351696A priority Critical patent/JPH09304917A/ja
Priority claimed from JP14351696A external-priority patent/JPH09304917A/ja
Publication of JPH09304917A publication Critical patent/JPH09304917A/ja
Publication of JPH09304917A5 publication Critical patent/JPH09304917A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP14351696A 1996-05-14 1996-05-14 露光方法 Pending JPH09304917A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14351696A JPH09304917A (ja) 1996-05-14 1996-05-14 露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14351696A JPH09304917A (ja) 1996-05-14 1996-05-14 露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09304917A JPH09304917A (ja) 1997-11-28
JPH09304917A5 true JPH09304917A5 (enExample) 2004-08-26

Family

ID=15340565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14351696A Pending JPH09304917A (ja) 1996-05-14 1996-05-14 露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09304917A (enExample)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4685545B2 (ja) * 2005-08-17 2011-05-18 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスク及びレンズ
JP5217367B2 (ja) * 2007-11-09 2013-06-19 株式会社ブイ・テクノロジー フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法
JP5224341B2 (ja) * 2008-05-15 2013-07-03 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及びフォトマスク
CN109799673B (zh) * 2019-01-04 2022-09-23 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种掩膜板及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200813485A (en) Method for manufacturing microlens
US20060046204A1 (en) Directly patternable microlens
JPH0659436A (ja) ３又はそれ以上の位相シフトを有する位相シフトリソグラフィマスクの自己整合作製法
CN1079166C (zh) 用以形成半导体器件精细图形之方法
CA1194615A (en) Bilevel ultraviolet resist system for patterning substrates of high reflectivity
JPH09304917A5 (enExample)
JP3736900B2 (ja) 斜入射照明用アパーチャ及びこれを利用した投影露光装置
JP3321194B2 (ja) フォトマスク
TW257876B (en) Focusing method of photoengraving
JPH0756324A (ja) 拡散型フォトマスク及びそれを使用する光学部品の製造法
JPH0220971B2 (enExample)
JPS6283337A (ja) マイクロレンズアレ−の製造方法
KR100513440B1 (ko) 반도체소자 제조용 노광장비의 조명장치 및 이를 이용한 변형조명방법
TWI512390B (zh) 微影系統、微影遮罩、及微影方法
JPH11151758A (ja) マイクロレンズの製造方法
JP2003140314A5 (enExample)
KR100388490B1 (ko) 파리눈 렌즈를 구비하는 사입사 조명계 및 그 제조 방법
JPH09304917A (ja) 露光方法
JP3173100B2 (ja) 投影露光装置
JPS6041227A (ja) ホトレジストパタ−ンの変形防止方法
JPH10246808A (ja) 回折光学素子の製造方法
JPH081809A (ja) マイクロレンズの形成方法
JPH0562894A (ja) 微細パターン形成方法
JP2682430B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04179114A (ja) 投影露光装置