JPH09304343A - 顕微レーザ質量分析計 - Google Patents

顕微レーザ質量分析計

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JPH09304343A
JPH09304343A JP8123400A JP12340096A JPH09304343A JP H09304343 A JPH09304343 A JP H09304343A JP 8123400 A JP8123400 A JP 8123400A JP 12340096 A JP12340096 A JP 12340096A JP H09304343 A JPH09304343 A JP H09304343A
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裕功 山口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ光を小さく絞る事ができ、試料の測定
部を十分な解像度で観察できるようになり、また観察し
た特定の位置で発生した原子、分子イオン粒子を高感度
で質量分析できる装置を得ることにある。 【解決手段】 試料を搭載したステージと、試料の表面
にレーザ光を照射する光学系とを具備し、光学系により
照射され、試料表面から気化した原子、分子イオンを検
出して分析する。光学系は、原子、分子イオンが通過す
る孔が光学系の光軸を中心となるように開けた透過型レ
ンズまたは反射型レンズ系からなり、その光軸を中心軸
とした3種の異なる内径のパイプ群からなり、中間のパ
イプは電気絶縁体で、外側と内側のパイプは電気導電体
からなるイオン制御複合電極構造体を内蔵する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する利用分野】本発明は、試料上の特定箇所
の物質を分析する顕微レーザ質量分析計に関するもの
で、特に半導体、液晶デイスプレイ、メモリデイスク、
回路基板などの微小微小領域の高感度、高分解能で分析
する顕微レーザ質量分析計に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の顕微レーザ質量分析計は、特開昭
63−146339号公報に記載のように、図12に示
す系統図のようになっていた。図12にて、1は質量分
析部、2は試料、6はレーザ光源、14,16はダイク
ロイックミラー、22は集光レンズ、24はイオン引き
出し電極、34はイオン検出器である。レーザ光源6か
ら発生したレーザ光はダイクロイックミラー14,16
を経て集光レンズ22と反射レンズ24とにより、試料
2上に集光される。このレーザ光で励起された原子また
は分子イオンは、引き出し電極28により加速され、反
射ミラー24の中央に設けたイオン通過孔24aを通
り、質量分析部1で質量分析される。
【0003】従来の技術では、通常、レーザ光源6と集
光レンズ22とが質量分析計とは別に外設されており、
レーザ光源6から発生させたレーザ光6を集光レンズ2
2で集光し試料2に照射するためには、反射ミラー24
が必要となり、しかも、反射ミラー24の位置が集光レ
ンズ22との間にあるため、開口数(Numerical Apertu
re、以下N.A.という)の大なるレンズを用いるのに
制約があった。そのため、試料2を顕微鏡のように精度
よく観察することや試料上の特定の場所にレーザ光を小
さく絞ることが十分できなかった。
【0004】また、従来技術では、試料で生成した原
子、分子イオンは、引き出し電極28で加速されて反射
ミラー24のイオン通過孔24aを通過して検出器34
に入射するようになっているが、生成イオンが、通過孔
24aに収束して、ミラー24を通過させることに対し
て配慮が十分でなかった。
【0005】前記イオンが、反射ミラー24に衝突して
大部分が失われて感度が低下することに対する検討が不
十分であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の顕微レーザ
質量分析計では、上記で説明した如く、試料と集光レン
ズとの間に反射鏡が配置され、試料と集光レンズ間の光
路が長いため、集光レンズのN.A.はどうしても小さ
く、かつ焦点距離が長いレンズ系を用いなければならな
かった。レーザ光を小さく絞り観察像の解像度を上げる
にはN.A.が大きく、レンズの焦点距離が短いものを
用いる必要があり、このため、従来技術ではレーザ光を
小さく絞ることや、観察像の解像度を上げることができ
なかった。N.A.が大きく、焦点距離が短いレンズと
しては顕微鏡で使われる対物レンズがある。かかるレン
ズを用いることによりレーザ光を小さく絞る事ができ、
分解能の高い良好な観察像を得る事が出来る。ところ
が、レーザ光を照射して試料から生じた原子、分子イオ
ンは光と異なり対物レンズを透過することが出来ない。
このため、レンズの中央に孔を開けてイオンを通過させ
る用に工夫する必要がある。またレーザ質量分析計で分
析するに必要な速度で原子、分子イオン粒子を加速出来
るように工夫する必要がある。またこのレンズ系に開け
た孔を通過する際に壁などに衝突してイオン粒子が失わ
れないように工夫する必要がある。
【0007】本発明はかかる課題を解決することによ
り、レーザ光を小さく絞る事ができ、試料の測定部を十
分な解像度で観察できるようになり、また観察した特定
の位置で発生した原子、分子イオン粒子を高感度で質量
分析できる装置を提供出来るようにすることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記を達成するために、
本発明の顕微レーザ質量分析計は試料を搭載したステー
ジと、試料の表面にレーザ光を照射する光学系とを具備
し、光学系により照射され、試料表面から気化した原
子、分子イオンを検出して分析するが、光学系は原子、
分子イオンが通過する孔が光学系の光軸を中心となるよ
うに開けた透過型レンズまたは反射型レンズ系からな
り、その光軸を中心軸とした3種の異なる内径のパイプ
群からなり、中間のパイプは電気絶縁体で、外側と内側
のパイプは電気導電体からなるイオン制御複合電極構造
体を内蔵する。
【0009】
【発明の実施の形態】N.A.が大きく焦点距離が短い
レンズとしては、顕微鏡で使われる対物レンズが従来か
らある。しかしレンズの口径は小さく中央にイオン粒子
を通す大きな孔を事は出来ない。孔を開けると像の解像
度を悪くし、また、レーザ光を小さく集光することがで
きないので、かかる影響がなく開けるには、孔は非常に
小さい孔となる。本発明では顕微鏡の対物レンズを解像
度、分解能を低下させることなく出来るだけ大きく作
り、このレンズの光軸の中心に原子、分子イオン粒子を
通す孔を出来るだけ小さく開けることにした。そして、
この孔の中を原子、分子イオンが通過出来る様にするた
めのイオン透過パイプ電極を形成することにした。
【0010】レーザ光の励起により生成した原子、分子
イオン粒子は、出来だけ短い時間で高電圧で高速に加速
する必要がある。また高速に加速された前記イオン粒子
を先のレンズの中央に開けた孔の壁に衝突して損失が出
ない様に通す必要がある。このためには粒子イオンが壁
に衝突しないような電圧を付加するか、好ましくは孔の
中央を通過出来るような電圧を付加しておくようにし
た。さらに好ましくはある特定の箇所にイオンを収束出
来る様な電極群からなる構造体である事が好ましい。こ
の構造体として、3群の電極からなるなるアインツェル
レンズが従来から使われている。本発明ではかかるアイ
ンツェルレンズを出来るだけ小さく作り顕微鏡対物レン
ズの中央に開けた孔に入れる事にした。
【0011】ところが、高低解像の対物レンズは複数牧
のレンズ構成からなっていて、試料側のレンズ程小さい
レンズでできており、大きな孔を開けることができない
ために、先端部は出来るだけ単純な構造体のパイプ構造
とし、対物レンズの中央部の先端より少し大きく孔が開
ける事が出来るレンズ部にアインツェルレンズ電極構造
体をセットすることにした。
【0012】このような光学系はレーザ光を顕微鏡の対
物レンズにより試料表面に絞り込み照射することにより
試料表面上に対物レンズの開口数N.A.と波長できま
る回折限界まで微小に絞り込む事ができる。
【0013】この結果試料表面上に特定の微小な箇所を
選択的に選んで試料から光学系の原子、分子イオンを発
生させることが容易にできる。顕微鏡用の対物レンズを
用いることにより大きな開口数で、しかも光学系の収差
を小さく保って、よりスポットサイズの小さな照射を可
能にし微細な領域を選択的に光学系の原子、分子イオン
を発生させることができる。しかも、レンズの先端に孔
を開けこの孔を通して原子、分子イオン粒子を分析計へ
と導く事により分析可能である。
【0014】 (集光径)=1.22×(波長)/(N.A.) …(1) 対物レンズの中心に開けた孔に、導電性のパイプを設
け、試料とこのパイプとの間に高電圧を加えることによ
りイオンを取り込む。
【0015】また、このパイプと試料との間に導電性の
光透過膜をコートしたカバーガラスを設け、このカバー
ガラスに電圧を加えてイオン引き出し電極とすることに
よって、試料と引き出し電極との間隔を短くでき、イオ
ン取り込み効率をよくする。
【0016】対物レンズの先端部は出来るだけ単純な構
造体のパイプ構造とし、対物レンズの中央部の先端より
少し大きく孔が開ける事が出来るレンズの後方部にアイ
ンツェルレンズを含む電極構造体をセットする。これに
よりイオンビームを収束させる。
【0017】この電極構造体は、もっとも内側に上、
中、下の3つの導電性パイプを互いに絶縁体を挟んで並
べたアインツェルレンズを組み、このアインツェルレン
ズの外側を絶縁性の中間パイプで囲い、さらにその外側
を導電性の外側パイプで覆う。この外側パイプにシール
ド電圧をかけることにより、アインツェルレンズ内部の
電場の乱れを防ぎ、イオン軌道が軸対象になるようにす
る。
【0018】また、絶縁体及び中間パイプは、ポリイミ
ドで製作することにより、電極間のスペースが狭くても
絶縁耐圧を高くでき、対物レンズ内の狭いスペースにも
電極構造体を組み込むことを可能にする。
【0019】また、本複合電極構造体の製作にあたり、
上記の外側のパイプは上、下2つのパイプに分割してお
き、2つのパイプの間にアインツェルレンズへの配線を
通すことにより、アインツェルレンズ周辺から配線をな
くし、電場の乱れを防ぐ。
【0020】実施例1 図1に本発明の一実施例の系統図を示す。図1は質量分
析計の全体の構成図である。1は質量分析部、2は試
料、6a,6bはレーザ光源、7a,7bはレーザ光、
8は観察照明用光源、9は試料照明光、10はTVカメ
ラ、15はカメラレンズ、14、16は光反射ミラー、
17は光路、19は真空容器、21はイオンビーム、2
2は対物レンズ、26は試料台、28は引き出し電極、
29はイオン電極複合体、30はイオンリフレクタ、3
4はイオン検出器である。
【0021】質量分析時にはレーザ光源6aからのレー
ザ光7aを対物レンズ22により試料2の中央部に集光
させる。これにより励起されたイオンビーム21は質量
分析部1に入射する。イオンビーム21はイオンリフレ
クタ30で反射されてイオン検出器34に入射する。レ
ーザ光7を照射してからイオンがイオン検出器34に到
達するまでの時間を測定することによって、イオンの飛
行時間が判る。これにより、イオンの質量が分析でき
た。
【0022】また、試料観察時には観察照明用光源8か
らの光を対物レンズ22により試料上に入射させる。こ
れによる試料の像をTVカメラ10により観察する。
【0023】本実施例では、対物レンズ22はカセグレ
ン型の、倍率が36倍、N.A.が0.5のものを用い
た。これの中央に、孔を開けてイオン電極構造体を取り
付けた。レーザ光7aはYAGレーザの355nmを用
いたとき、数式(1)によりスポット径は0.8μmに
絞ることができた。このように本発明によれば、対物レ
ンズのN.A.を大きくでき、レーザ光を微小径に絞る
ことができた。
【0024】また、本実施例のイオン電極構造体を図4
に示した。2は試料、28は引き出し電極、29a,2
9b,29cはそれぞれ上電極、中電極、下電極、29
dは先端部電極である。各部の寸法は図中に示した。こ
のように先端部で細く、後方で太い電極構造体とするこ
とによって、先端部が入射光を遮る面積を小さくでき
た。また、この電極構造体と試料2との間に、中央に孔
を開けたカバーガラスに導電体膜を成膜して作成した引
き出し電極28を設けた。この導電体膜は、入射光が透
過するような厚さとした。これにより、入射光のN.
A.を制限することなく引き出し電極を試料の近傍に設
けることができ、試料からの出射イオンを大きな加速度
で引き出すことができた。
【0025】試料2、引き出し電極28、先端部電極2
9d、下電極29c、中電極29bおよび上電極29a
の電位は、それぞれ、0V,−3000V,−3000
V,−3000V,−8000V,−3000Vとし
た。試料2から出射したイオンは、試料2と引き出し電
極28との間の電場により、引き出し電極28の孔の中
に引き込まれる。引き出し電極28、先端部電極29d
及び下電極29cは等電位であるので、この間ではイオ
ンは加速されず、直進する。本実施例では、イオンを3
000eVの大きな加速度で引き出しておくことによ
り、中心軸に沿った速度成分に比べて、中心軸から遠ざ
かる速度成分を小さくできた。これにより、イオンが電
極の壁に衝突して感度が低下するのを防ぐことができ
た。先端部電極29dを通過した後のイオンは、下電極
29c,中電極29b及び上電極29aからなるアイン
ツェルレンズにより集束させた。
【0026】図4のアインツェルレンズの中電極29b
と上電極29a及び下電極29cとの絶縁はポリイミド
の中間パイプ101a及び101bで行った。絶縁材に
ポリイミドを用いることにより、対物レンズ中の狭い空
間で数千Vの電圧をかけたときの放電を防ぐことができ
た。このパイプ101a,101bの外側を導電性の外
側パイプ102a,102bで覆った。これらのパイプ
は上電極29a及び下電極29bと接続して同電位にし
た。これによりアインツェルレンズを外部の電場からシ
ールドした。また、パイプ101aと101b及び10
2aと102bはそれぞれ分割して製作しておき、接合
部から中電極29bへのリード線103を導いた。これ
によりリード線103がアインツェルレンズの内部の電
場を乱すことを防ぎ、イオンを効率よく質量分析部1に
送ることができた。
【0027】図7は実施例1におけるポリスチレンビー
ズのレーザマススペクトルである。直径0.3μmのポ
リスチレンビーズの測定ができ、図7のようにポリスチ
レンのスペクトルが得られた。このように、本発明では
入射光を微小領域に絞り、かつイオンの収集効率を高く
することで、微小な異物の分析を可能にした。
【0028】実施例2 本発明の実施例2のイオン励起部の拡大図を図2に示し
た。本実施例では対物レンズ22として実施例1のカセ
グレン型対物レンズの代わりに透過型のレンズを用いた
ものである。対物レンズの倍率は100倍で、N.A.
は0.8のものを用いた。レーザ光7aは355nmを
用いた。数式(1)からレーザ光のスポット径は0.5
μmに絞ることができた。このように透過型の対物レン
ズを用いてもN.A.を大きくでき、レーザ光を微小径
に絞ることができ、実施例1と同じ効果が得られた。
【0029】実施例3 実施例3を図5に示した。これは図4の先端電極部29
dの部分をなくし、アインツェルレンズを対物レンズ先
端に設けたものである。これは実施例1と同様に試料2
からのイオンを−3000eVの高加速度で引き出すこ
とができ、イオンを高い効率で収集できた。
【0030】実施例4 実施例4を図6に示した。これは実施例1〜3における
外側パイプ101a,101bを上電極29a及び下電
極29cから切り放し、−3000Vを印加すること
で、中電極29bを省いても、アインツェルレンズとし
て作用するようにしたものである。これは実施例1及び
2と同様外側パイプ101がシールドとなりアインツェ
ルレンズ内部の電場の乱れを防ぐことが出来た。これに
よりイオンを効率よく収集できた なお、イオン励起部
は、図8〜図11に示すように、他の構成を採用するこ
ともできる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光を小さく絞
り、試料の特定部位に集光して照射し生成させた微量イ
オン粒子を収束し高感度で分析し、微細に異物像を高い
分解能にて分析できる顕微レーザ飛行時間型質量分析計
を得ることができる。
【0032】より詳しく説明すると、対物レンズと試料
との間に物理的、光学的に障害となる配設部材がなく、
焦点距離が小さく、N.A.が大きい対物レンズを用い
たので、試料上の特定部位にレーザ光を照射することが
でき、イオン粒子を生成させる。
【0033】また、対物レンズ中央部に通過孔を設けた
ので、前記イオン粒子を、押し出し電極と引き出し電極
とアインツェルレンズとにより集束させて前記中央部の
通過孔へ導くことができ、かつ効率よく質量分析部に導
入させる。
【0034】また、対物レンズ内にアインツェルレンズ
を設けたので、前記対物レンズと試料との間に間隔があ
っても、前記イオン粒子を、集束させて前記中央部の通
過孔へ導くことができ、かつ効率よく質量分析部に導入
させる。
【0035】このようにして、S/Nがよい極微小箇所
のマススペクトルが得られる顕微レーザ飛行時間型質量
分析計を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るイオン制御組合電極構
造体を内蔵した顕微鏡対物レンズを用いた顕微レーザ質
量分析計の概略構成図。
【図2】本発明の実施例2に係るレーザ質量分析計のイ
オン励起部の拡大図。
【図3】実施例2の対物レンズの拡大図。
【図4】実施例1の複合電極構造体の拡大図。
【図5】実施例3のアインツェルレンズの拡大図。
【図6】実施例4の電極の拡大図。
【図7】マススペクトルの測定例。
【図8】複合電極構造体の他の構成を示す拡大図であ
る。
【図9】複合電極構造体のさらに他の構成を示す拡大図
である。
【図10】複合電極構造体のさらに他の構成を示す拡大
図である。
【図11】複合電極構造体のさらに他の構成を示す拡大
図である。
【図12】従来の顕微レーザ質量分析計の要部略示説明
図。
【符号の説明】
1…質量分析部 2…試料 6…レーザ光源 7…レーザ光 8…試料照明用光源 9…試料照明光 10…TVカメラ 11…ハーフミラー 13…ビーム拡大器 14…反射ミラー 14a…反射ミラーのイオン粒子通過孔 17…光路 18…イオン粒子 19…真空容器 21…イオンビーム 22…対物レンズ 22a,22b,22c…孔あきレンズ 23…孔あきガラス板 25a…x軸偏向電極 25b…y軸偏向電極 26…試料台 27…シールド板 28…イオン引き出し電極(カバーガラス) 29…イオン押しだし電極 30…複合電極構造体 30a,30b,30c…アインツェルレンズ 31…イオンリフレクタ 32、33…イオン軌道曲線 34…イオン検出器 35…静電位分布曲線
フロントページの続き (72)発明者 杉本 有俊 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 水野 文夫 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器事業部内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料を搭載したステージと、試料の表面
    にレーザ光を照射する光学系とを具備し、光学系により
    照射され、試料表面から気化した原子、分子イオンを検
    出して分析する顕微レーザ質量分析計において、光学系
    は原子、分子イオンが通過する孔が光学系の光軸を中心
    となるように開けた透過型レンズまたは反射型レンズ系
    からなり、その光軸を中心軸とした3種の異なる内径の
    パイプ群からなり、中間のパイプは電気絶縁体で、外側
    と内側のパイプは電気導電体からなるイオン制御複合電
    極構造体を内蔵することを特徴とした顕微レーザ質量分
    析計。
  2. 【請求項2】 上記イオン制御電極において、最も内側
    の電極は上、中、下の3段電気導電体からなり、そのそ
    れぞれの電極の間に電気絶縁体を挟んだ構造体であり、
    かつ絶縁体の外側には電気導電体である外側のパイプで
    覆われている事を特徴とする請求項1記載のイオン制御
    複合電極構造体を内蔵した顕微レーザ質量分析計。
  3. 【請求項3】 上記イオン制御電極において、最も内側
    の電極は上、下の2段の電気導電体の電極とその間に電
    気絶縁体を挟んだ構造体からなる請求項1記載のイオン
    制御複合電極構造体を内蔵した顕微レーザ質量分析計。
  4. 【請求項4】 上記イオン制御電極において、請求項2
    または請求項3のイオン制御電極の下部に電気導電体で
    きたパイプを取り付けたことを特徴とする請求項1記載
    のイオン制御複合電極構造体を内蔵した顕微レーザ質量
    分析計。
  5. 【請求項5】 上記イオン制御電極において、請求項2
    または請求項3または請求項4のイオン制御電極の下部
    に導電性の光透過膜をコートしたカバーガラスを取り付
    けたことを特徴としする請求項1記載のイオン制御複合
    電極構造体を内蔵した顕微レーザ質量分析計。
  6. 【請求項6】 上記イオン制御電極において、絶縁体は
    ポリイミド樹脂からなることを特徴とするイオン制御複
    合電極構造体を内蔵した顕微レーザ質量分析計。
  7. 【請求項7】 上記イオン制御電極において、請求項2
    の外側の電極は電気導電体でききた上、下2つのパイプ
    からなることを特徴とする請求項2記載のイオン制御複
    合電極構造体を内蔵した顕微レーザ質量分析計。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141016A (ja) * 2000-09-06 2002-05-17 Kratos Analytical Ltd Tof質量分析計用のイオン光学システム
WO2007020862A1 (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Shimadzu Corporation 質量分析装置
WO2007094525A1 (en) * 2006-02-16 2007-08-23 Korea Research Institute Of Standards And Science Apparatus for high spatial resolution laser desorption ionization mass analysis
KR20200102279A (ko) * 2019-02-21 2020-08-31 주식회사 아스타 레이저 비젼 동축 ldi 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141016A (ja) * 2000-09-06 2002-05-17 Kratos Analytical Ltd Tof質量分析計用のイオン光学システム
WO2007020862A1 (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Shimadzu Corporation 質量分析装置
JPWO2007020862A1 (ja) * 2005-08-12 2009-03-26 株式会社島津製作所 質量分析装置
US7759640B2 (en) 2005-08-12 2010-07-20 Shimadzu Corporation Mass spectrometer
JP4775821B2 (ja) * 2005-08-12 2011-09-21 株式会社島津製作所 質量分析装置
WO2007094525A1 (en) * 2006-02-16 2007-08-23 Korea Research Institute Of Standards And Science Apparatus for high spatial resolution laser desorption ionization mass analysis
KR100816482B1 (ko) * 2006-02-16 2008-03-24 한국표준과학연구원 높은 공간분해능 레이저 광탈착 이온화 이미징 질량분석을 위한 장치
KR20200102279A (ko) * 2019-02-21 2020-08-31 주식회사 아스타 레이저 비젼 동축 ldi 장치

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