JPH09298220A - Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置Info
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- JPH09298220A JPH09298220A JP8113622A JP11362296A JPH09298220A JP H09298220 A JPH09298220 A JP H09298220A JP 8113622 A JP8113622 A JP 8113622A JP 11362296 A JP11362296 A JP 11362296A JP H09298220 A JPH09298220 A JP H09298220A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト処理やメッキ処理後の接着性が高
く、優れた耐湿絶縁性を有するＴＡＢ用接着剤付きテー
プを得、これを用いた半導体装置の信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 可撓性を有する有機絶縁性フィルム上
に、接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から
構成されるＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、前記接
着剤層が熱可塑性樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）およ
びシリカ粉末（Ｃ）を必須成分として含有し、シリカ粉
末（Ｃ）が平均粒径１０μｍ以下、最大粒径が２０μｍ
以下であり、シリカ粉末（Ｃ）の配合割合が、全組成物
に対して５〜７０重量％であることを特徴とするＴＡＢ
用接着剤付きテープ。
く、優れた耐湿絶縁性を有するＴＡＢ用接着剤付きテー
プを得、これを用いた半導体装置の信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 可撓性を有する有機絶縁性フィルム上
に、接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から
構成されるＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、前記接
着剤層が熱可塑性樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）およ
びシリカ粉末（Ｃ）を必須成分として含有し、シリカ粉
末（Ｃ）が平均粒径１０μｍ以下、最大粒径が２０μｍ
以下であり、シリカ粉末（Ｃ）の配合割合が、全組成物
に対して５〜７０重量％であることを特徴とするＴＡＢ
用接着剤付きテープ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の実
装方法であるテープオートメーテッドボンディング（Ｔ
ＡＢ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡ
Ｂ用テープと称する）に関する。さらに詳しくは、高温
高湿下での絶縁性、レジスト剥離やメッキ処理後の接着
性に優れるだけでなく、高温での接着性も高くボンディ
ングなどの実装性に優れたＴＡＢ用テープおよびそれを
用いた半導体装置に関するものである。
装方法であるテープオートメーテッドボンディング（Ｔ
ＡＢ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡ
Ｂ用テープと称する）に関する。さらに詳しくは、高温
高湿下での絶縁性、レジスト剥離やメッキ処理後の接着
性に優れるだけでなく、高温での接着性も高くボンディ
ングなどの実装性に優れたＴＡＢ用テープおよびそれを
用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＴＡＢ用テープは、ポリイミド
フィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポ
リエステルフィルム等を積層した３層構造より構成され
ている。
フィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポ
リエステルフィルム等を積層した３層構造より構成され
ている。
【０００３】ＴＡＢ用テープは、スプロケットおよび
デバイス孔の穿孔、銅箔との熱ラミネート、パター
ン形成（レジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、
スズまたは金メッキ処理などの加工工程を経てＴＡＢ
テープ（パターンテープ）に加工される。図１にパター
ンテープの形状を示す。図２に半導体装置の一態様の断
面図を示す。パターンテープのインナーリード部６を、
半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着（インナーリ
ードボンディング）し、半導体集積回路を搭載する。次
いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経て半導体装置
が作成される。このような半導体装置をテープキャリア
パッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称する。ＴＣＰ型
半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウタ
ーリード７を介して接続（アウターリードボンディン
グ）され、電子機器への実装がなされる。最終的にＴＡ
Ｂ用テープの接着剤層は、パッケージ内部に残留するた
め、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。
デバイス孔の穿孔、銅箔との熱ラミネート、パター
ン形成（レジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、
スズまたは金メッキ処理などの加工工程を経てＴＡＢ
テープ（パターンテープ）に加工される。図１にパター
ンテープの形状を示す。図２に半導体装置の一態様の断
面図を示す。パターンテープのインナーリード部６を、
半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着（インナーリ
ードボンディング）し、半導体集積回路を搭載する。次
いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経て半導体装置
が作成される。このような半導体装置をテープキャリア
パッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称する。ＴＣＰ型
半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウタ
ーリード７を介して接続（アウターリードボンディン
グ）され、電子機器への実装がなされる。最終的にＴＡ
Ｂ用テープの接着剤層は、パッケージ内部に残留するた
め、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。
【０００４】近年、電子機器の小型化に伴う高密度化に
より、ＴＡＢテープ方式における導線幅、ピッチ間距離
は狭くなる傾向にある。そのため、接着剤にはより高い
絶縁性、接着性と耐薬品性が要求されるようになってき
た。耐薬品性は、前記した多数の工程において種々の薬
品にさらされるため求められる特性であり、特に導線幅
の減少にともない重要視されるようになってきた。前記
した多数の工程の中でも、レジスト剥離、金メッキ時の
アルカリやエッチング、スズメッキ時の酸に対する薬品
性が特に重要視される。また、導線幅、ピッチ間距離の
ファイン化はアウターリードボンディングなどの実装に
おいても大きな問題となってきた。液晶パネルへのアウ
タリードボンディングは、一般に異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）を介して、１００〜１７０℃の高温下で熱圧着によ
り接続される。この工程において、接着剤の高温接着力
が低いと、ファイン化されたアウターリードに剥がれが
発生し実装不良となる問題がでてきた。
より、ＴＡＢテープ方式における導線幅、ピッチ間距離
は狭くなる傾向にある。そのため、接着剤にはより高い
絶縁性、接着性と耐薬品性が要求されるようになってき
た。耐薬品性は、前記した多数の工程において種々の薬
品にさらされるため求められる特性であり、特に導線幅
の減少にともない重要視されるようになってきた。前記
した多数の工程の中でも、レジスト剥離、金メッキ時の
アルカリやエッチング、スズメッキ時の酸に対する薬品
性が特に重要視される。また、導線幅、ピッチ間距離の
ファイン化はアウターリードボンディングなどの実装に
おいても大きな問題となってきた。液晶パネルへのアウ
タリードボンディングは、一般に異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）を介して、１００〜１７０℃の高温下で熱圧着によ
り接続される。この工程において、接着剤の高温接着力
が低いと、ファイン化されたアウターリードに剥がれが
発生し実装不良となる問題がでてきた。
【０００５】接着剤の改良も種々検討されている。たと
えば、接着力を向上する目的で無機充填剤を添加する方
法（特開平５ー２９３９８号公報）、耐薬品性を改良す
る目的でビスＡ型エポキシ樹脂とアミン価３以上のポリ
アミド樹脂を用いる方法（特開平５−２９３９９号公
報）、シロキサン構造を有するエポキシ樹脂を添加する
方法（特開平５−２５９２２８号公報）、マレイミド樹
脂を添加する方法（特開平５−２９１３５６号公報）な
どが、また、絶縁性を向上する目的でエポキシ樹脂の塩
素イオン含有量を２００ｐｐｍ以下と高純度化する方法
（特開平７−７４２１３号公報）などが提案されてい
る。
えば、接着力を向上する目的で無機充填剤を添加する方
法（特開平５ー２９３９８号公報）、耐薬品性を改良す
る目的でビスＡ型エポキシ樹脂とアミン価３以上のポリ
アミド樹脂を用いる方法（特開平５−２９３９９号公
報）、シロキサン構造を有するエポキシ樹脂を添加する
方法（特開平５−２５９２２８号公報）、マレイミド樹
脂を添加する方法（特開平５−２９１３５６号公報）な
どが、また、絶縁性を向上する目的でエポキシ樹脂の塩
素イオン含有量を２００ｐｐｍ以下と高純度化する方法
（特開平７−７４２１３号公報）などが提案されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、種々の
方法で改良された接着剤も、それぞれ少しづづ効果をあ
げてきているが、配線幅の減少にともなうより過酷な要
請に答えるには十分ではなかった。
方法で改良された接着剤も、それぞれ少しづづ効果をあ
げてきているが、配線幅の減少にともなうより過酷な要
請に答えるには十分ではなかった。
【０００７】本発明の目的は、このような問題点を解決
し接着性特に高温での接着性、耐薬品性、絶縁性に優れ
たＴＡＢ用テープおよびそれを用いた半導体装置を提供
することにある。
し接着性特に高温での接着性、耐薬品性、絶縁性に優れ
たＴＡＢ用テープおよびそれを用いた半導体装置を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は可撓
性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保
護フィルム層を有する積層体から構成されるＴＡＢ用接
着剤付きテープにおいて、前記接着剤層が熱可塑性樹脂
（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）およびシリカ粉末
（Ｃ）を必須成分として含有し、シリカ粉末（Ｃ）が平
均粒径１０μｍ以下、最大粒径が２０μｍ以下であり、
シリカ粉末（Ｃ）の配合割合が全組成物に対して５〜７
０重量％であることを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテ
ープおよびそれを用いた半導体装置に関する。
性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保
護フィルム層を有する積層体から構成されるＴＡＢ用接
着剤付きテープにおいて、前記接着剤層が熱可塑性樹脂
（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）およびシリカ粉末
（Ｃ）を必須成分として含有し、シリカ粉末（Ｃ）が平
均粒径１０μｍ以下、最大粒径が２０μｍ以下であり、
シリカ粉末（Ｃ）の配合割合が全組成物に対して５〜７
０重量％であることを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテ
ープおよびそれを用いた半導体装置に関する。
【０００９】以下、本発明の構成を詳述する。
【００１０】本発明における熱可塑性樹脂（Ａ）は、接
着剤層に可撓性を与えるものであれば特に限定されない
が、その具体例としては、ポリエチレン、ポリエステ
ル、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリアミド樹脂、ＳＥＢＳ等が挙
げられる。中でも、低吸水で絶縁性の優れる炭素数が３
６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を含有す
るポリアミド樹脂（ａ）が好ましい。ダイマー酸を必須
構成成分として含有するポリアミド樹脂（ａ）は、常法
によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られる
が、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン
酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含
有してもよく、ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメ
チレンジアミン、ピペラジン等公知のものが使用でき、
吸水性、溶解性の点から２種類以上の混合でもよい。さ
らには、エポキシ樹脂（Ｂ）との相溶性を向上し良好な
接着性を得る目的で、重縮合の際に、当量比でジアミン
成分を過剰に配合し、ポリアミド末端に未反応アミンを
残したポリアミド樹脂（ａ’）が好ましい。アミン価の
好ましい範囲は１以上３未満であり、アミン価１未満で
は接着性向上効果は発現しにくく、３以上では接着剤自
体の保存性が低下する。ここでいうアミン価とは、ポリ
アミド１ｇ中に含まれる塩基性チッソを中和する加塩素
酸と等量のＫＯＨのｍｇ数を示す。
着剤層に可撓性を与えるものであれば特に限定されない
が、その具体例としては、ポリエチレン、ポリエステ
ル、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリアミド樹脂、ＳＥＢＳ等が挙
げられる。中でも、低吸水で絶縁性の優れる炭素数が３
６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を含有す
るポリアミド樹脂（ａ）が好ましい。ダイマー酸を必須
構成成分として含有するポリアミド樹脂（ａ）は、常法
によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られる
が、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン
酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含
有してもよく、ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメ
チレンジアミン、ピペラジン等公知のものが使用でき、
吸水性、溶解性の点から２種類以上の混合でもよい。さ
らには、エポキシ樹脂（Ｂ）との相溶性を向上し良好な
接着性を得る目的で、重縮合の際に、当量比でジアミン
成分を過剰に配合し、ポリアミド末端に未反応アミンを
残したポリアミド樹脂（ａ’）が好ましい。アミン価の
好ましい範囲は１以上３未満であり、アミン価１未満で
は接着性向上効果は発現しにくく、３以上では接着剤自
体の保存性が低下する。ここでいうアミン価とは、ポリ
アミド１ｇ中に含まれる塩基性チッソを中和する加塩素
酸と等量のＫＯＨのｍｇ数を示す。
【００１１】本発明において、エポキシ樹脂（Ｂ）は、
１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものなら特に
限定されず、これらの具体例としては、例えばクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂、下記式（Ｉ）、（Ｉ
Ｉ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表されるエポキシ樹
脂、
１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものなら特に
限定されず、これらの具体例としては、例えばクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂、下記式（Ｉ）、（Ｉ
Ｉ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表されるエポキシ樹
脂、
【化５】 （ただし、Ｒ１〜Ｒ８は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
【化６】 （ただし、Ｒ９〜Ｒ16のうち２つは２，３ーエポキシプ
ロポキシ基であり、残りは各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
ロポキシ基であり、残りは各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
【化７】 （ただし、Ｒ17〜Ｒ20は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
【化８】 （ただし、Ｒ21〜Ｒ30は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロ
ゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロ
ゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００１２】これらのエポキシ樹脂（Ｂ）の中で特に本
発明において好ましく使用されるものは、耐薬品性、絶
縁性が優れる点で、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ
Ｉ）または（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂を必須成分
として含有するものである。そして、エポキシ樹脂
（Ｂ）は、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または
（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも１つを２
０重量％以上、特に５０重量％以上含有することが好ま
しい。
発明において好ましく使用されるものは、耐薬品性、絶
縁性が優れる点で、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ
Ｉ）または（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂を必須成分
として含有するものである。そして、エポキシ樹脂
（Ｂ）は、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または
（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂の少なくとも１つを２
０重量％以上、特に５０重量％以上含有することが好ま
しい。
【００１３】上記式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ８の好ま
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
sec-ブチル基、t-ブチル基、塩素原子、臭素原子などが
挙げられる。
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
sec-ブチル基、t-ブチル基、塩素原子、臭素原子などが
挙げられる。
【００１４】上記式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂の好
ましい具体例としては、４，４’−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（２，３
−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチル−２
−クロロビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチル−
２−ブロモビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラエチル
ビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポ
キシ）−３，３’，５，５’−テトラブチルビフェニル
などが挙げられる。
ましい具体例としては、４，４’−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（２，３
−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチル−２
−クロロビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチル−
２−ブロモビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラエチル
ビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポ
キシ）−３，３’，５，５’−テトラブチルビフェニル
などが挙げられる。
【００１５】上記式（ＩＩ）で表されるエポキシ樹脂の
好ましい具体例としては、１，５−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）ナフタレン、１，５−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−７−メチルナフタレン、１，６
−（２，３−エポキシプロポキシ）−２−メチルナフタ
レン、１，６−（２，３−エポキシプロポキシ）−８−
メチルナフタレン、１，６−（２，３−エポキシプロポ
キシ）−４，８−ジメチルナフタレン、１，６−（２，
３−エポキシプロポキシ）−２−ブロモナフタレン、
１，６−（２，３−エポキシプロポキシ）−８−ブロモ
ナフタレンなどが挙げられる。
好ましい具体例としては、１，５−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）ナフタレン、１，５−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−７−メチルナフタレン、１，６
−（２，３−エポキシプロポキシ）−２−メチルナフタ
レン、１，６−（２，３−エポキシプロポキシ）−８−
メチルナフタレン、１，６−（２，３−エポキシプロポ
キシ）−４，８−ジメチルナフタレン、１，６−（２，
３−エポキシプロポキシ）−２−ブロモナフタレン、
１，６−（２，３−エポキシプロポキシ）−８−ブロモ
ナフタレンなどが挙げられる。
【００１６】上記式（ＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂
の好ましい具体例としては、ＥＸＡ−７２００（大日本
インキ化学工業（株）製）、ＺＸ−１２５７（東都化成
（株）製）などが挙げられる。
の好ましい具体例としては、ＥＸＡ−７２００（大日本
インキ化学工業（株）製）、ＺＸ−１２５７（東都化成
（株）製）などが挙げられる。
【００１７】上記式（ＩＶ）においてＲ21〜Ｒ30の好ま
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、塩素原子、臭素原子
などが挙げられる。上記式（ＶＩ）で表されるエポキシ
樹脂の好ましい具体例としては、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、臭素化
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、塩素原子、臭素原子
などが挙げられる。上記式（ＶＩ）で表されるエポキシ
樹脂の好ましい具体例としては、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、臭素化
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００１８】本発明におけるエポキシ樹脂（Ｂ）の配合
量は、ポリアミド樹脂１００重量部に対して２〜１００
重量部、好ましくは５〜７０重量部である。
量は、ポリアミド樹脂１００重量部に対して２〜１００
重量部、好ましくは５〜７０重量部である。
【００１９】本発明におけるシリカ粉末（Ｃ）は、平均
粒径１０μｍ以下、最大粒径２０μｍ以下であれば、結
晶性、形状等特に限定されないが、なかでも熱膨張係数
の低下効果が大きく、低応力化に有効な溶融シリカが好
ましく用いられる。
粒径１０μｍ以下、最大粒径２０μｍ以下であれば、結
晶性、形状等特に限定されないが、なかでも熱膨張係数
の低下効果が大きく、低応力化に有効な溶融シリカが好
ましく用いられる。
【００２０】ここでいう溶融シリカとは、真比重２．３
以下の非晶性シリカを意味し、この溶融シリカの製造は
必ずしも溶融状態を経る必要はなく、任意の製造方法を
用いることができる。例えば結晶性シリカを溶融する方
法および各種原料から合成する方法などが挙げられる。
以下の非晶性シリカを意味し、この溶融シリカの製造は
必ずしも溶融状態を経る必要はなく、任意の製造方法を
用いることができる。例えば結晶性シリカを溶融する方
法および各種原料から合成する方法などが挙げられる。
【００２１】さらには、溶融シリカが球状溶融シリカで
あり平均粒径２μｍ以下、最大粒径１０μｍが絶縁性、
接着性、加工性の点で好ましい。
あり平均粒径２μｍ以下、最大粒径１０μｍが絶縁性、
接着性、加工性の点で好ましい。
【００２２】シリカ粉末（Ｃ）の配合割合は、得られる
接着剤の絶縁性、低応力性を考慮して、組成物全体の５
〜７０重量％、さらには１０〜５０重量％が好ましい。
接着剤の絶縁性、低応力性を考慮して、組成物全体の５
〜７０重量％、さらには１０〜５０重量％が好ましい。
【００２３】本発明において、接着剤層にフェノール樹
脂（Ｃ）を添加することにより、一層の接着性および絶
縁性を向上させることができる。フェノール樹脂（Ｃ）
の具体例としては、たとえばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型樹
脂や各種レゾール樹脂などが挙げられる。フェノール樹
脂の配合割合は、通常エポキシ樹脂１当量に対してフェ
ノール性水酸基０．５〜１０．０当量、好ましくは０．
７〜７．０当量となる範囲であることが望ましい。
脂（Ｃ）を添加することにより、一層の接着性および絶
縁性を向上させることができる。フェノール樹脂（Ｃ）
の具体例としては、たとえばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型樹
脂や各種レゾール樹脂などが挙げられる。フェノール樹
脂の配合割合は、通常エポキシ樹脂１当量に対してフェ
ノール性水酸基０．５〜１０．０当量、好ましくは０．
７〜７．０当量となる範囲であることが望ましい。
【００２４】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂（Ｂ）の
単独反応、エポキシ樹脂（Ｂ）とポリアミド樹脂（Ａ）
やフェノール樹脂（Ｃ）との反応を促進させる硬化促進
剤を含有することができる。硬化促進剤は硬化反応を促
進するものならば特に限定されず、その具体例として
は、たとえば、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾールおよび２−ヘプタデシルイミダゾール
などのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールお
よび１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメト
キシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス
（アセチルアセトナト）ジルコニウムおよびトリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物、
およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、ト
リ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィンおよびトリ（ノニ
ルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が
挙げられる。なお、これらの硬化促進剤は、用途によっ
て２種類以上を併用してもよく、その添加量は、エポキ
シ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部
の範囲が好ましい。
単独反応、エポキシ樹脂（Ｂ）とポリアミド樹脂（Ａ）
やフェノール樹脂（Ｃ）との反応を促進させる硬化促進
剤を含有することができる。硬化促進剤は硬化反応を促
進するものならば特に限定されず、その具体例として
は、たとえば、２−メチルイミダゾール、２，４−ジメ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メ
チルイミダゾールおよび２−ヘプタデシルイミダゾール
などのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，
４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールお
よび１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメト
キシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス
（アセチルアセトナト）ジルコニウムおよびトリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物、
およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、ト
リ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィンおよびトリ（ノニ
ルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が
挙げられる。なお、これらの硬化促進剤は、用途によっ
て２種類以上を併用してもよく、その添加量は、エポキ
シ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部
の範囲が好ましい。
【００２５】本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィル
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート
等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロ
ス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィル
ムであり、これから選ばれる複数のフィルムを積層して
用いても良い。中でも、熱膨張係数の小さなポリイミド
フィルムが好ましく用いられる。また、これらのフィル
ムは必要に応じて加水分解、コロナ放電、低温プラズ
マ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処
理を施すことが望ましい。
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート
等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロ
ス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィル
ムであり、これから選ばれる複数のフィルムを積層して
用いても良い。中でも、熱膨張係数の小さなポリイミド
フィルムが好ましく用いられる。また、これらのフィル
ムは必要に応じて加水分解、コロナ放電、低温プラズ
マ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処
理を施すことが望ましい。
【００２６】本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を
ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形態
を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、た
とえばシリコーンあるいはフッ素化合物コーティング処
理したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム
およびこれらをラミネートした紙なとが挙げられる。
ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形態
を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、た
とえばシリコーンあるいはフッ素化合物コーティング処
理したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム
およびこれらをラミネートした紙なとが挙げられる。
【００２７】次に、ＴＡＢ用接着剤付きテープの製造方
法について説明する。可撓性を有する絶縁フィルムに、
接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。
接着剤層の膜圧は１０〜２５μｍとなるように塗布する
ことが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜
５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キ
シレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エ
タノール、プロパノール等のアルコール系の混合溶媒が
好適である。このようにして得られたフィルムに保護フ
ィルムをラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度に
スリットする。
法について説明する。可撓性を有する絶縁フィルムに、
接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。
接着剤層の膜圧は１０〜２５μｍとなるように塗布する
ことが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜
５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キ
シレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エ
タノール、プロパノール等のアルコール系の混合溶媒が
好適である。このようにして得られたフィルムに保護フ
ィルムをラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度に
スリットする。
【００２８】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００２９】実施例１〜３、比較例１ 下記熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シ
リカ粉末およびその他添加剤を、それぞれ表１に示した
組成比となるように配合し、濃度３０重量％となるよう
にメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に４０℃で
撹拌、溶解して接着剤溶液を作成した。
リカ粉末およびその他添加剤を、それぞれ表１に示した
組成比となるように配合し、濃度３０重量％となるよう
にメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に４０℃で
撹拌、溶解して接着剤溶液を作成した。
【００３０】Ａ．熱可塑性樹脂 Ｉ．ポリアミド樹脂（酸性分：ダイマー酸、アミン成
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
０） ＩＩ．ポリアミド樹脂（酸成分：ダイマー酸、アミン成
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
２．０）
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
０） ＩＩ．ポリアミド樹脂（酸成分：ダイマー酸、アミン成
分：ヘキサメチレンジアミン、酸価１．０、アミン価
２．０）
【００３１】Ｂ．エポキシ樹脂 Ｉ．ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：
１８６） ＩＩ．４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
ー３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル（エポ
キシ当量：１９５） ＩＩＩ．１，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
ナフタレン（エポキシ当量：１４９） ＩＶ．ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂“ＺＸー１
２５７”（東都化成（株）製、エポキシ当量：２５７）
１８６） ＩＩ．４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
ー３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル（エポ
キシ当量：１９５） ＩＩＩ．１，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
ナフタレン（エポキシ当量：１４９） ＩＶ．ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂“ＺＸー１
２５７”（東都化成（株）製、エポキシ当量：２５７）
【００３２】Ｃ．シリカ粉末 Ｉ．平均粒径：４μｍ、最大粒径：１０μｍの破砕溶融
シリカ ＩＩ．平均粒径：１μｍ、最大粒径：５μｍの球状溶融
シリカ ＩＩＩ．平均粒径：１２μｍ、最大粒径：４０μｍの球
状溶融シリカ
シリカ ＩＩ．平均粒径：１μｍ、最大粒径：５μｍの球状溶融
シリカ ＩＩＩ．平均粒径：１２μｍ、最大粒径：４０μｍの球
状溶融シリカ
【００３３】Ｄ．フェノール樹脂 レゾールフェノール“ＣＫＭ−１２８２”（昭和高分子
（株）製） Ｅ．添加剤 ２−ヘプタデシルイミダゾール
（株）製） Ｅ．添加剤 ２−ヘプタデシルイミダゾール
【００３４】これらの接着剤溶液をバーコータで、厚さ
７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユ
ーピレックス”７５Ｓ）に約２０μｍの乾燥厚さとなる
ように塗布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間
の乾燥を行いＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。次
に、これらのＴＡＢ用接着剤付きテープに１８μｍ厚の
電解銅箔を１４０℃、１ＭＰａの条件でラミネートした
後、エアオーブン中で、８０℃、３時間、１００℃、５
時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行い、銅箔付
きＴＡＢ用テープを得た。得られた銅箔付きＴＡＢ用テ
ープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッ
チング、レジスト剥離を行い、接着強度および耐スズメ
ッキ処理の評価用サンプルをそれぞれ作成し、次の測定
方法により各接着剤の特性を評価した。結果を表１に示
す。
７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユ
ーピレックス”７５Ｓ）に約２０μｍの乾燥厚さとなる
ように塗布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間
の乾燥を行いＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。次
に、これらのＴＡＢ用接着剤付きテープに１８μｍ厚の
電解銅箔を１４０℃、１ＭＰａの条件でラミネートした
後、エアオーブン中で、８０℃、３時間、１００℃、５
時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行い、銅箔付
きＴＡＢ用テープを得た。得られた銅箔付きＴＡＢ用テ
ープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッ
チング、レジスト剥離を行い、接着強度および耐スズメ
ッキ処理の評価用サンプルをそれぞれ作成し、次の測定
方法により各接着剤の特性を評価した。結果を表１に示
す。
【００３５】評価方法 （１）スズメッキ処理 評価用サンプルを、ホウフッ酸系の無電解スズメッキ液
に７０℃、５分浸漬処理し、０．５μｍ厚のメッキを施
した。
に７０℃、５分浸漬処理し、０．５μｍ厚のメッキを施
した。
【００３６】（２）剥離強度 導体幅５０μｍの評価用サンプルを用いて、導体を９０
°方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、常温と１５
０℃での剥離力を測定した。
°方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、常温と１５
０℃での剥離力を測定した。
【００３７】（３）高温高湿バイアス絶縁性 導体幅２００μｍ、導体間距離５０μｍの櫛型形状の測
定用パターンを用いて、１３０℃、８５％ＲＨの環境下
で１００Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗値が初期値の１／
１０以下に低下する時間を測定した。
定用パターンを用いて、１３０℃、８５％ＲＨの環境下
で１００Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗値が初期値の１／
１０以下に低下する時間を測定した。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１の結果から明らかなように、本発明に
より得られたＴＡＢテープは、耐薬品性に優れ高い接着
性と耐湿絶縁性を有することが分かる。一方、本発明の
シリカ粉末を用いていない比較例１、２は接着性が低い
ばかりか耐薬品性、耐湿絶縁性においても劣っている。
また、シリカ粉末の添加量が本発明の範囲を越える比較
例３は接着力が低いばかりか、耐薬品性も極端に劣るこ
とが分かる。
より得られたＴＡＢテープは、耐薬品性に優れ高い接着
性と耐湿絶縁性を有することが分かる。一方、本発明の
シリカ粉末を用いていない比較例１、２は接着性が低い
ばかりか耐薬品性、耐湿絶縁性においても劣っている。
また、シリカ粉末の添加量が本発明の範囲を越える比較
例３は接着力が低いばかりか、耐薬品性も極端に劣るこ
とが分かる。
【００４０】
【発明の効果】本発明は高温高湿下での絶縁性、レジス
ト剥離やメッキ処理後の接着性に優れた新規なＴＡＢ用
テープおよびそれを用いた半導体装置を工業的に提供す
るものであり、本発明のＴＡＢ用テープによって高密度
実装用の半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
ト剥離やメッキ処理後の接着性に優れた新規なＴＡＢ用
テープおよびそれを用いた半導体装置を工業的に提供す
るものであり、本発明のＴＡＢ用テープによって高密度
実装用の半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
【図１】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを加工して
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
【図２】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の一態様の断面図。
導体装置の一態様の断面図。
１．可撓性を有する絶縁性フィルム ２．接着剤 ３．スプロケット孔 ４．デバイス孔 ５．半導体集積回路接続用の導体 ６．インナーリード部 ７．アウターリード部 ８．半導体集積回路 ９．封止樹脂 １０．金バンプ １１．保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 161/04 ＪＥＱ Ｃ０９Ｊ 161/04 ＪＥＱ 163/00 ＪＦＫ 163/00 ＪＦＫ 177/00 ＪＦＸ 177/00 ＪＦＸ
Claims (11)
- 【請求項１】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から構成
されるＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、前記接着剤
層が熱可塑性樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）およびシ
リカ粉末（Ｃ）を必須成分として含有し、シリカ粉末
（Ｃ）が平均粒径１０μｍ以下、最大粒径が２０μｍ以
下であり、シリカ粉末（Ｃ）の配合割合が、全組成物に
対して５〜７０重量％であることを特徴とするＴＡＢ用
接着剤付きテープ。 - 【請求項２】シリカ粉末（Ｃ）の含有量が１０〜５０重
量％であることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接
着剤付きテープ。 - 【請求項３】シリカ粉末（Ｃ）の平均粒径が２μｍ以
下、最大粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする請
求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項４】シリカ粉末（Ｃ）が溶融シリカ粉末
（ｃ’）であることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ
用接着剤付きテープ。 - 【請求項５】シリカ粉末（Ｃ）が溶融シリカ粉末
（ｃ’）であって、かつ球状溶融シリカ粉末（ｃ”）で
あることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付
きテープ。 - 【請求項６】エポキシ樹脂（Ｂ）が下記式（Ｉ）、（Ｉ
Ｉ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で示されるエポキシ樹
脂を少なくとも１種類含むことを特徴とする請求項１記
載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 【化１】 （ただし、Ｒ１〜Ｒ８は、各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 【化２】 （ただし、Ｒ９〜Ｒ16のうち２つは２，３−エポキシプ
ロポキシ基であり、残りは各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 【化３】 （ただし、Ｒ17〜Ｒ20は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 【化４】 （ただし、Ｒ21〜Ｒ30は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） - 【請求項７】熱可塑性樹脂（Ａ）が炭素数３６のジカル
ボン酸を必須構成成分として含有するポリアミド樹脂
（ａ）であることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用
接着剤付きテープ。 - 【請求項８】熱可塑性樹脂（Ａ）が炭素数３６のジカル
ボン酸を必須成分として含有するポリアミド樹脂（ａ）
であって、かつアミン価が１以上３未満のポリアミド樹
脂（ａ’）であることを特徴とする請求項１記載のＴＡ
Ｂ用接着剤付きテープ。 - 【請求項９】接着剤層がフェノール樹脂（Ｄ）を含有す
ることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付き
テープ。 - 【請求項１０】可撓性フィルムがポリイミドからなるフ
ィルムであることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用
接着剤付きテープ。 - 【請求項１１】請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテー
プを用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11362296A JP3700243B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11362296A JP3700243B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298220A true JPH09298220A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3700243B2 JP3700243B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=14616890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11362296A Expired - Lifetime JP3700243B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3700243B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001060938A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film made with the same, substrate for semiconductor mounting, and semiconductor device |
| JP2008038111A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 |
| JP2022054396A (ja) * | 2020-09-25 | 2022-04-06 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP11362296A patent/JP3700243B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001060938A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film made with the same, substrate for semiconductor mounting, and semiconductor device |
| JP2008187189A (ja) * | 2000-02-15 | 2008-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置 |
| JP2008193105A (ja) * | 2000-02-15 | 2008-08-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置 |
| KR100889101B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2009-03-17 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름,반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치 |
| US7947779B2 (en) | 2000-02-15 | 2011-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device by adhering circuit substrate with adhesive film of epoxy resin, phenolic resin and incompatible polymer |
| US8119737B2 (en) | 2000-02-15 | 2012-02-21 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film using the same, substrate for mounting semiconductor and semiconductor device |
| JP2008038111A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 |
| JP2022054396A (ja) * | 2020-09-25 | 2022-04-06 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3700243B2 (ja) | 2005-09-28 |
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