JPH09298162A - 真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法 - Google Patents
真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法Info
- Publication number
- JPH09298162A JPH09298162A JP13422196A JP13422196A JPH09298162A JP H09298162 A JPH09298162 A JP H09298162A JP 13422196 A JP13422196 A JP 13422196A JP 13422196 A JP13422196 A JP 13422196A JP H09298162 A JPH09298162 A JP H09298162A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空式半導体製造装置において、インナー及び
アウターの各チューブのメンテナンスを行う際に、本体
装置に設けられている真空排気装置により各チューブを
強制冷却して、そのメンテナンスに要する時間を短縮す
ることである。 【解決手段】ウェハの化学処理の終了後において、真空
排気装置を作動させて、インナーチューブ５の下端の開
口から冷却気体を流入させて、この冷却気体を化学処理
時における不活性ガスと同一経路を通過させて、ヒータ
４を強制冷却する。
アウターの各チューブのメンテナンスを行う際に、本体
装置に設けられている真空排気装置により各チューブを
強制冷却して、そのメンテナンスに要する時間を短縮す
ることである。 【解決手段】ウェハの化学処理の終了後において、真空
排気装置を作動させて、インナーチューブ５の下端の開
口から冷却気体を流入させて、この冷却気体を化学処理
時における不活性ガスと同一経路を通過させて、ヒータ
４を強制冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移載室の上部に配
設されたヒータ内を真空排気する構成の真空式半導体製
造装置において、このヒータの冷却方法に関するもので
ある。
設されたヒータ内を真空排気する構成の真空式半導体製
造装置において、このヒータの冷却方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】最初に、本発明に係る図面である図１を
参照にして、真空式半導体製造装置の概略構成について
説明する。この半導体製造装置は、移載室１の上方にヒ
ータ収納室２が設けられ、この移載室１には、多数枚の
ウェハを収納したウェハキャリアを保管するキャリアス
テージ（図示せず）、多数枚のウェハを多段状にして保
持するためのウェハボート３などが配設されている。一
方、ヒータ収納室２におけるウェハボート３の直上に
は、ヒータ４が垂直方向に配設されて、該ヒータ４内に
インナーチューブ５とアウターチューブ６とが二重とな
って配設され、ウェハの化学処理（化学的気相成長）を
行う場合には、ヒータ４の下端部に接続して設けられた
マニホールド７のキャップ８を取り外して、多数枚のウ
ェハを多段状にして保持したウェハボート３を前記イン
ナーチューブ５内に挿入して行っている。
参照にして、真空式半導体製造装置の概略構成について
説明する。この半導体製造装置は、移載室１の上方にヒ
ータ収納室２が設けられ、この移載室１には、多数枚の
ウェハを収納したウェハキャリアを保管するキャリアス
テージ（図示せず）、多数枚のウェハを多段状にして保
持するためのウェハボート３などが配設されている。一
方、ヒータ収納室２におけるウェハボート３の直上に
は、ヒータ４が垂直方向に配設されて、該ヒータ４内に
インナーチューブ５とアウターチューブ６とが二重とな
って配設され、ウェハの化学処理（化学的気相成長）を
行う場合には、ヒータ４の下端部に接続して設けられた
マニホールド７のキャップ８を取り外して、多数枚のウ
ェハを多段状にして保持したウェハボート３を前記イン
ナーチューブ５内に挿入して行っている。
【０００３】上記した各チューブ５，６内は、真空排気
装置によって、一定の真空状態で保持されており、この
真空状態において、上記したウェハの化学処理が行われ
る。この真空排気装置は、前記マニホールド７に排気管
９が接続され、ブースタポンプ１１とドライポンプ１２
とから成るポンプユニットＵを作動させて、各チューブ
５，６内を真空排気している。なお、排気管９の途中に
は主バルブ１３が設けられ、この主バルブ１３が設けら
れている排気経路と並列にバイパス経路１４が設けら
れ、該バイパス経路１４には、コック１５と補助バルブ
１６とが設けられて、これらの部分でガスボックスＢが
構成されており、主バルブ１３及び補助バルブ１６の調
整と、ガスボックスＢ内における排気経路の変更とによ
り、排気流量の調整を行っている。
装置によって、一定の真空状態で保持されており、この
真空状態において、上記したウェハの化学処理が行われ
る。この真空排気装置は、前記マニホールド７に排気管
９が接続され、ブースタポンプ１１とドライポンプ１２
とから成るポンプユニットＵを作動させて、各チューブ
５，６内を真空排気している。なお、排気管９の途中に
は主バルブ１３が設けられ、この主バルブ１３が設けら
れている排気経路と並列にバイパス経路１４が設けら
れ、該バイパス経路１４には、コック１５と補助バルブ
１６とが設けられて、これらの部分でガスボックスＢが
構成されており、主バルブ１３及び補助バルブ１６の調
整と、ガスボックスＢ内における排気経路の変更とによ
り、排気流量の調整を行っている。
【０００４】そして、ウェハの化学処理時においては、
インナーチューブ５の内外の周面とアウターチューブ６
の内周面は成膜され、この成膜された状態で急激にヒー
タ温度を下げると、この成膜部分と各チューブ５，６を
構成する石英管との熱膨張率の差により、この石英管が
破損されることもある。このために、各チューブ５，６
は、定期的に取り外して、成膜部分などを除去するメン
テナンスを行っている。ところが、このチューブ５，６
のメンテナンスを行うために、各チューブ５，６を取り
外すには、ヒータ４が一定温度に低下するまで、待つ必
要がある。従来においては、このヒータ４は自然冷却に
依存していたために、ヒータ４が一定温度にまで低下す
るには、長時間を要しており、各チューブ５，６のメン
テナンスに要する総時間が長く、能率が悪かった。
インナーチューブ５の内外の周面とアウターチューブ６
の内周面は成膜され、この成膜された状態で急激にヒー
タ温度を下げると、この成膜部分と各チューブ５，６を
構成する石英管との熱膨張率の差により、この石英管が
破損されることもある。このために、各チューブ５，６
は、定期的に取り外して、成膜部分などを除去するメン
テナンスを行っている。ところが、このチューブ５，６
のメンテナンスを行うために、各チューブ５，６を取り
外すには、ヒータ４が一定温度に低下するまで、待つ必
要がある。従来においては、このヒータ４は自然冷却に
依存していたために、ヒータ４が一定温度にまで低下す
るには、長時間を要しており、各チューブ５，６のメン
テナンスに要する総時間が長く、能率が悪かった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、真空式半導
体製造装置において、インナー及びアウターの各チュー
ブのメンテナンスを行う際に、本体装置に設けられてい
る真空排気装置により各チューブを強制冷却して、その
メンテナンスに要する時間を短縮することを課題として
いる。
体製造装置において、インナー及びアウターの各チュー
ブのメンテナンスを行う際に、本体装置に設けられてい
る真空排気装置により各チューブを強制冷却して、その
メンテナンスに要する時間を短縮することを課題として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の採用した手段は、上記構成の真空式半導体製
造装置において、ウェハの化学処理の終了後に真空排気
装置を作動させて、インナーチューブの下端の開口から
冷却気体を流入させて、該冷却気体を化学処理時におけ
る不活性ガスと同一経路を通過させることにより、ヒー
タを冷却させることである。
に本発明の採用した手段は、上記構成の真空式半導体製
造装置において、ウェハの化学処理の終了後に真空排気
装置を作動させて、インナーチューブの下端の開口から
冷却気体を流入させて、該冷却気体を化学処理時におけ
る不活性ガスと同一経路を通過させることにより、ヒー
タを冷却させることである。
【０００７】真空式の半導体製造装置に装着されている
既存の真空排気装置を用いることにより、ヒータを強制
冷却できるため、ヒータが一定温度に冷却されるまでの
時間が自然冷却に比較して著しく短くなると共に、既存
装置を利用しているために、ヒータの冷却のための専用
の装置が不要となる。
既存の真空排気装置を用いることにより、ヒータを強制
冷却できるため、ヒータが一定温度に冷却されるまでの
時間が自然冷却に比較して著しく短くなると共に、既存
装置を利用しているために、ヒータの冷却のための専用
の装置が不要となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて本発明を更
に詳細に説明する。図１は、真空式の半導体製造装置の
模式図である。本発明のヒータの冷却方法の実施に際し
て、この半導体製造装置の改良部分は、ヒータ４の下端
に接続して設けられたマニホールド７とガスボックスＢ
の間の排気管９を水冷ジャケット１７で覆ったことのみ
であり、他の部分は、本来の装置のままである。このよ
うに、排気管９の上記部分を水冷ジャケット１７で覆っ
たのは、ヒータ４と熱交換を行って加熱された冷却気体
の通過によって、排気管９の気密接続部に設けられた気
密リングなどが加熱されて損傷されるのを防止するため
である。
に詳細に説明する。図１は、真空式の半導体製造装置の
模式図である。本発明のヒータの冷却方法の実施に際し
て、この半導体製造装置の改良部分は、ヒータ４の下端
に接続して設けられたマニホールド７とガスボックスＢ
の間の排気管９を水冷ジャケット１７で覆ったことのみ
であり、他の部分は、本来の装置のままである。このよ
うに、排気管９の上記部分を水冷ジャケット１７で覆っ
たのは、ヒータ４と熱交換を行って加熱された冷却気体
の通過によって、排気管９の気密接続部に設けられた気
密リングなどが加熱されて損傷されるのを防止するため
である。
【０００９】ヒータ４を冷却するには、ウェハの化学処
理を終えた後に、マニホールド７の下端の開口部を覆っ
ているキャップ８を取り外すか、或いはこのキャップ８
を取付けたままで、これに設けられている盲栓８ａを外
して、外部から移載室１内に流入した冷却気体（多くの
場合は空気）がインナーチューブ５内に流入可能とす
る。一方、ガスボックスＢの部分の排気管９に設けられ
た主バルブ１３を閉にし、バイパス経路１４のコック１
５を開くと共に、補助バルブ１６を開にして、冷却空気
がバイパス経路１４を通るようにしておく。このよう
に、バイパス経路１４に冷却空気を流すのは、冷却気体
の流量を少なくすることにより、インナー及びアウター
の各チューブ５，６を構成する石英管の急冷を避けて、
この石英管が急激な熱収縮に破損されるのを防止すると
共に、ヒータ４と熱交換して高温となった冷却空気が排
気管９を通過する際に、これの気密部分に設けられてい
る気密リングなどの熱損傷を防止するためである。この
ため、冷却気体の最大流量は、インナー及びアウターの
各チューブ５，６を構成する石英管が熱収縮により破損
されない程度を基準にして定められる。
理を終えた後に、マニホールド７の下端の開口部を覆っ
ているキャップ８を取り外すか、或いはこのキャップ８
を取付けたままで、これに設けられている盲栓８ａを外
して、外部から移載室１内に流入した冷却気体（多くの
場合は空気）がインナーチューブ５内に流入可能とす
る。一方、ガスボックスＢの部分の排気管９に設けられ
た主バルブ１３を閉にし、バイパス経路１４のコック１
５を開くと共に、補助バルブ１６を開にして、冷却空気
がバイパス経路１４を通るようにしておく。このよう
に、バイパス経路１４に冷却空気を流すのは、冷却気体
の流量を少なくすることにより、インナー及びアウター
の各チューブ５，６を構成する石英管の急冷を避けて、
この石英管が急激な熱収縮に破損されるのを防止すると
共に、ヒータ４と熱交換して高温となった冷却空気が排
気管９を通過する際に、これの気密部分に設けられてい
る気密リングなどの熱損傷を防止するためである。この
ため、冷却気体の最大流量は、インナー及びアウターの
各チューブ５，６を構成する石英管が熱収縮により破損
されない程度を基準にして定められる。
【００１０】上記したように、マニホールド７の下端の
開口部からインナーチューブ５内に冷却気体（多くの場
合は空気）が流入可能にすると共に、ガスボックスＢの
部分における冷却気体の通路がバイパス経路１４となる
ようにしておいて、ポンプユニットＵを作動させて、移
載室１内の冷却気体を吸引してインナーチューブ５に流
入させると、この冷却気体は、図１で矢印で示されるよ
うに、インナーチューブ５内において上方に向けて流れ
て、その頂部の開口からアウターチューブ６内に流入し
た後に、該アウターチューブ６内において下方に向けて
流れて、その下端部のマニホールド７の部分から排気管
９に排気されて、最終的には大気に放出される。ここ
で、冷却気体がインナー及びアウターの各チューブ５，
６を通過する際にヒータ４と熱交換が行われて、該冷却
気体は高温となって排気管９に達する。ここで、マニホ
ールド７の排気部ＡとポンプユニットＵの吸引口Ｃの部
分の各温度が一定以上とならないように、冷却気体の流
量を定めている。実施例においては、マニホールド７の
排気部Ａの温度は１５０°Ｃ以下に定め、ポンプユニッ
トＵの吸引口Ｃの温度は１４０°Ｃ以下に定めて、ヒー
タ４の冷却を行うことにより、排気管９の部分に設けら
れた気密リングなどの熱損傷の防止を図った。
開口部からインナーチューブ５内に冷却気体（多くの場
合は空気）が流入可能にすると共に、ガスボックスＢの
部分における冷却気体の通路がバイパス経路１４となる
ようにしておいて、ポンプユニットＵを作動させて、移
載室１内の冷却気体を吸引してインナーチューブ５に流
入させると、この冷却気体は、図１で矢印で示されるよ
うに、インナーチューブ５内において上方に向けて流れ
て、その頂部の開口からアウターチューブ６内に流入し
た後に、該アウターチューブ６内において下方に向けて
流れて、その下端部のマニホールド７の部分から排気管
９に排気されて、最終的には大気に放出される。ここ
で、冷却気体がインナー及びアウターの各チューブ５，
６を通過する際にヒータ４と熱交換が行われて、該冷却
気体は高温となって排気管９に達する。ここで、マニホ
ールド７の排気部ＡとポンプユニットＵの吸引口Ｃの部
分の各温度が一定以上とならないように、冷却気体の流
量を定めている。実施例においては、マニホールド７の
排気部Ａの温度は１５０°Ｃ以下に定め、ポンプユニッ
トＵの吸引口Ｃの温度は１４０°Ｃ以下に定めて、ヒー
タ４の冷却を行うことにより、排気管９の部分に設けら
れた気密リングなどの熱損傷の防止を図った。
【００１１】このようにして、ヒータ４を強制冷却した
場合と、自然冷却した場合とにおける冷却経過時間に対
するヒータ４の温度との実験結果が図２に示されてい
る。この実験結果から分かるように、ヒータ４の温度が
６５０°Ｃから１００°Ｃに達するのに要する時間は、
本発明の冷却方法によると、自然冷却に比較して、１／
５程度で済むことが分かる。
場合と、自然冷却した場合とにおける冷却経過時間に対
するヒータ４の温度との実験結果が図２に示されてい
る。この実験結果から分かるように、ヒータ４の温度が
６５０°Ｃから１００°Ｃに達するのに要する時間は、
本発明の冷却方法によると、自然冷却に比較して、１／
５程度で済むことが分かる。
【００１２】
【発明の効果】このように、本発明は、真空式の半導体
製造装置において、これに装着されている真空排気装置
をそのまま利用して、インナーチューブの下端の開口か
らインナー及びアウターの各チューブ内に冷却空気を流
入させることにより、ヒータを強制冷却しているため
に、各チューブのメンテナンスのためにヒータが一定温
度まで冷却する時間が著しく短くなる。この結果、各チ
ューブのメンテナンスに要する時間が著しく短縮される
と共に、半導体製造装置に備付けの真空排気装置を利用
しているために、ヒータの強制冷却のために上昇する設
備コストは、殆どない。
製造装置において、これに装着されている真空排気装置
をそのまま利用して、インナーチューブの下端の開口か
らインナー及びアウターの各チューブ内に冷却空気を流
入させることにより、ヒータを強制冷却しているため
に、各チューブのメンテナンスのためにヒータが一定温
度まで冷却する時間が著しく短くなる。この結果、各チ
ューブのメンテナンスに要する時間が著しく短縮される
と共に、半導体製造装置に備付けの真空排気装置を利用
しているために、ヒータの強制冷却のために上昇する設
備コストは、殆どない。
【図１】本発明のヒータの冷却方法を実施するための真
空式の半導体製造装置の模式図である。
空式の半導体製造装置の模式図である。
【図２】本発明の冷却方法と自然冷却とにおける冷却経
過時間に対するヒータの温度を示す図である。
過時間に対するヒータの温度を示す図である。
Ｕ：ポンプユニット １：移載室 ３：ウェハボート ４：ヒータ ５：インナーチューブ ６：アウターチューブ １７：水冷ジャケット
Claims (3)
- 【請求項１】 移載室の上部に設けられたヒータの内部
にアウターチューブとインナーチューブとが二重となっ
て配設され、各チューブ内を真空排気装置により吸引排
気することにより、各チューブ内の真空を保持して、多
数枚のウェハを多段状にして保持したウェハボートを前
記インナーチューブ内に挿入して、該ウェハの化学処理
を行う構成の真空式半導体製造装置のヒータを冷却させ
る方法であって、 上記ウェハの化学処理の終了後に真空排気装置を作動さ
せて、前記インナーチューブの下端の開口から冷却気体
を流入させて、該冷却気体を化学処理時における不活性
ガスと同一経路を通過させることにより、前記ヒータを
冷却させることを特徴とする真空式半導体製造装置にお
けるヒータの冷却方法。 - 【請求項２】 インナーチューブの下端の開口からの冷
却気体の流入量は、該インナーチューブ及びアウターチ
ューブを構成する石英管が熱収縮によって破損されない
程度の最大量であることを特徴とする請求項１に記載の
真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法。 - 【請求項３】 マニホールドに接続されている真空配管
部を水冷ジャケット構造にして、該真空配管部の過熱を
防止したことを特徴とする請求項１に記載の真空式半導
体製造装置におけるヒータの冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13422196A JPH09298162A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13422196A JPH09298162A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298162A true JPH09298162A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15123257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13422196A Pending JPH09298162A (ja) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | 真空式半導体製造装置におけるヒータの冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298162A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480575B1 (ko) * | 1997-12-03 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 바이패스라인장착형드라이펌프및이를이용한배관내부의가스배출방법 |
| US20100278999A1 (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus and plasma process method |
| CN110385006A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 宜兴市宜轻机械有限公司 | 一种新型冷凝废气去除机构 |
-
1996
- 1996-04-30 JP JP13422196A patent/JPH09298162A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480575B1 (ko) * | 1997-12-03 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 바이패스라인장착형드라이펌프및이를이용한배관내부의가스배출방법 |
| US20100278999A1 (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus and plasma process method |
| US8683943B2 (en) * | 2009-05-01 | 2014-04-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus and plasma process method |
| US9447926B2 (en) | 2009-05-01 | 2016-09-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma process method |
| CN110385006A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 宜兴市宜轻机械有限公司 | 一种新型冷凝废气去除机构 |
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