JPH09293848A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH09293848A JPH09293848A JP8131034A JP13103496A JPH09293848A JP H09293848 A JPH09293848 A JP H09293848A JP 8131034 A JP8131034 A JP 8131034A JP 13103496 A JP13103496 A JP 13103496A JP H09293848 A JPH09293848 A JP H09293848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state image
- antireflection film
- light receiving
- receiving portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光部周辺における反射率を低減でき、フレ
ア、ゴーストなどの発生を低減することができる固体撮
像素子を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子８は、半導体基板１上に形
成されている。受光部２の周囲には、反射防止膜３が設
けられている。また、反射防止膜３を設けた領域４の上
部には、複数の凸部５が設けられている。上記凸部５
は、上方から入射した光および下方で反射した光を乱反
射させることにより、受光部２の周囲における領域４で
の反射率を低減し、反射防止効果を高める。
ア、ゴーストなどの発生を低減することができる固体撮
像素子を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子８は、半導体基板１上に形
成されている。受光部２の周囲には、反射防止膜３が設
けられている。また、反射防止膜３を設けた領域４の上
部には、複数の凸部５が設けられている。上記凸部５
は、上方から入射した光および下方で反射した光を乱反
射させることにより、受光部２の周囲における領域４で
の反射率を低減し、反射防止効果を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光部の周囲に入
射した光によるフレアやゴーストを防止する反射防止膜
が形成された固体撮像素子に関する。
射した光によるフレアやゴーストを防止する反射防止膜
が形成された固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子では、受光部周辺からの反
射によるフレアやゴーストなどを抑えるために、特開平
６−２９２２０６号公報、特開平６−３０２７９３号公
報、特開平４−２９４５８３号公報、特開平４−２５９
２５６号公報等に開示されているように、受光部上部あ
るいは受光部周辺に反射防止膜を形成することがある。
この反射防止膜は、金属をスパッタしたり、フィルタを
染色したりする方法で作成されている。ここで、図５
は、従来の固体撮像素子の一構造を示す断面図である。
図において、半導体基板１の上部には、中央部に受光部
２が形成され、その周囲に反射防止膜３が形成されてい
る。受光部２および反射防止膜３上の領域４には、平坦
化膜６が形成されており、該平坦化膜６によって受光部
２および反射防止膜３が平坦化されている。
射によるフレアやゴーストなどを抑えるために、特開平
６−２９２２０６号公報、特開平６−３０２７９３号公
報、特開平４−２９４５８３号公報、特開平４−２５９
２５６号公報等に開示されているように、受光部上部あ
るいは受光部周辺に反射防止膜を形成することがある。
この反射防止膜は、金属をスパッタしたり、フィルタを
染色したりする方法で作成されている。ここで、図５
は、従来の固体撮像素子の一構造を示す断面図である。
図において、半導体基板１の上部には、中央部に受光部
２が形成され、その周囲に反射防止膜３が形成されてい
る。受光部２および反射防止膜３上の領域４には、平坦
化膜６が形成されており、該平坦化膜６によって受光部
２および反射防止膜３が平坦化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体撮像素子では、受光部２の周辺に反射防止膜３を設
ける構造としただけでは、上方から入射する光および下
方で反射した光を反射防止膜３によって完全に吸収でき
ない。このため、反射防止膜３上の領域４からの光が受
光部に入射しまい、フレアやゴーストを完全になくすこ
とができないという問題があった。
固体撮像素子では、受光部２の周辺に反射防止膜３を設
ける構造としただけでは、上方から入射する光および下
方で反射した光を反射防止膜３によって完全に吸収でき
ない。このため、反射防止膜３上の領域４からの光が受
光部に入射しまい、フレアやゴーストを完全になくすこ
とができないという問題があった。
【０００４】そこで本発明は、受光部周辺における反射
率を低減でき、フレア、ゴーストなどの発生を低減する
ことができる固体撮像素子を提供することを目的として
いる。
率を低減でき、フレア、ゴーストなどの発生を低減する
ことができる固体撮像素子を提供することを目的として
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明による固体撮像素子は、受光部の周囲に設
けられた反射防止膜上に入射光および反射光を乱反射さ
せる乱反射層を形成したことを特徴とする。
め、この発明による固体撮像素子は、受光部の周囲に設
けられた反射防止膜上に入射光および反射光を乱反射さ
せる乱反射層を形成したことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００７】Ａ．実施の形態 Ａ−１．実施の形態の構成 図１は本発明の実施の形態による固体撮像素子の構造を
示す断面図であり、図２は、固体撮像素子の上面図であ
る。なお、図５に対応する部分には同一の符号を付けて
説明を省略する。図において、固体撮像素子８は、半導
体基板１上に形成されており、半導体基板１内に設けら
れた受光部２の周囲には、反射防止膜３が設けられてい
る。また、反射防止膜３を設けた領域４の上部には、複
数の凸部５，５，…，５が設けられている。
示す断面図であり、図２は、固体撮像素子の上面図であ
る。なお、図５に対応する部分には同一の符号を付けて
説明を省略する。図において、固体撮像素子８は、半導
体基板１上に形成されており、半導体基板１内に設けら
れた受光部２の周囲には、反射防止膜３が設けられてい
る。また、反射防止膜３を設けた領域４の上部には、複
数の凸部５，５，…，５が設けられている。
【０００８】上記凸部５，５，…，５は、上方から入射
した光および下方で反射した光を乱反射させることによ
り、受光部２の周囲における領域４での反射率を低減
し、反射防止効果を高めるためのものである。なお、図
２において、領域７は、凸部５，５，…，５が形成され
た領域である。また、変形例として、凸部５，５，…，
５は、フレアやゴーストの程度に応じて、図３に示すよ
うに、領域４の一部（領域７）のみに形成してもよい。
した光および下方で反射した光を乱反射させることによ
り、受光部２の周囲における領域４での反射率を低減
し、反射防止効果を高めるためのものである。なお、図
２において、領域７は、凸部５，５，…，５が形成され
た領域である。また、変形例として、凸部５，５，…，
５は、フレアやゴーストの程度に応じて、図３に示すよ
うに、領域４の一部（領域７）のみに形成してもよい。
【０００９】Ｂ．製造方法 次に、上述した固体撮像素子の製造工程について説明す
る。まず、半導体基板１に通常の方法で固体撮像素子を
作成する。次に、受光部２の周囲に、反射防止膜３を形
成する。これは、フィルタを染色する方法を用いればよ
い。そして、受光部２およびそれ以外の部分に、平坦化
膜６を形成する。これは、上述した凸部５，５，…，５
となるオンチップレンズを作成するためのマスクであ
り、受光部２周辺にもパターンを形成しておくことによ
り、工程を増やすことなく実現できる。
る。まず、半導体基板１に通常の方法で固体撮像素子を
作成する。次に、受光部２の周囲に、反射防止膜３を形
成する。これは、フィルタを染色する方法を用いればよ
い。そして、受光部２およびそれ以外の部分に、平坦化
膜６を形成する。これは、上述した凸部５，５，…，５
となるオンチップレンズを作成するためのマスクであ
り、受光部２周辺にもパターンを形成しておくことによ
り、工程を増やすことなく実現できる。
【００１０】なお、上述した実施形態では、凸部５，
５，…，５として、オンチップレンズを用いたが、受光
部２周辺の平坦化膜６の表面の高さを場所によって変化
させ、乱反射させるような構造とすれば、凸部５，５，
…，５は、どのような形状であってもよい。
５，…，５として、オンチップレンズを用いたが、受光
部２周辺の平坦化膜６の表面の高さを場所によって変化
させ、乱反射させるような構造とすれば、凸部５，５，
…，５は、どのような形状であってもよい。
【００１１】Ｃ．表面反射率測定結果 ここで、図４は、反射防止膜上にオンチップレンズがあ
るときとないときの表面反射率測定結果を示す特性図で
ある。図示するように、オンチップレンズである凸部
５，５，…，５がないときの反射率が約１００％になる
ように正規化してある。上述した実施の形態によれば、
凸部（オンチップレンズ）５を反射防止膜４上に形成す
ることにより、反射率が約２０％、低下することが分か
る。
るときとないときの表面反射率測定結果を示す特性図で
ある。図示するように、オンチップレンズである凸部
５，５，…，５がないときの反射率が約１００％になる
ように正規化してある。上述した実施の形態によれば、
凸部（オンチップレンズ）５を反射防止膜４上に形成す
ることにより、反射率が約２０％、低下することが分か
る。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、受光部の周囲に設けられた反射防止膜上に入射光お
よび反射光を乱反射させる乱反射層を形成するようにし
たことにより、受光部周辺における反射率を低減でき、
フレア、ゴーストなどの発生を低減できるという利点が
得られる。
ば、受光部の周囲に設けられた反射防止膜上に入射光お
よび反射光を乱反射させる乱反射層を形成するようにし
たことにより、受光部周辺における反射率を低減でき、
フレア、ゴーストなどの発生を低減できるという利点が
得られる。
【図１】本発明の実施の形態による固体撮像素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】固体撮像素子の上面図である。
【図３】変形例による固体撮像素子の上面図である。
【図４】反射防止膜上にオンチップレンズがあるときと
ないときの表面反射率測定結果を示す特性図である。
ないときの表面反射率測定結果を示す特性図である。
【図５】従来の固体撮像素子の構造を示す断面図であ
る。
る。
１……半導体基板、２……受光部、３……反射防止膜、
４……領域、５……凸部（乱反射層）、６……平坦化
膜、７……凸部が形成された領域、８……固体撮像素
子。
４……領域、５……凸部（乱反射層）、６……平坦化
膜、７……凸部が形成された領域、８……固体撮像素
子。
Claims (4)
- 【請求項１】 受光部の周囲に設けられた反射防止膜上
に入射光および反射光を乱反射させる乱反射層を形成し
たことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記乱反射層は、光学的に光を屈折させ
る複数の凸部からなることを特徴とする請求項１記載の
固体撮像素子。 - 【請求項３】 前記複数の凸部は、少なくとも、前記反
射防止膜上の一部に形成されることを特徴とする請求項
２記載の固体撮像素子。 - 【請求項４】 前記複数の凸部は、反射防止膜上に形
成されたオンチップレンズであることを特徴とする請求
項２または４記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8131034A JPH09293848A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8131034A JPH09293848A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293848A true JPH09293848A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=15048482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8131034A Pending JPH09293848A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293848A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7078258B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method of image sensor |
| JP2012133398A (ja) * | 2012-03-26 | 2012-07-12 | Canon Electronics Inc | カメラ |
| WO2016143194A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| WO2021186909A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP8131034A patent/JPH09293848A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7078258B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method of image sensor |
| US7466001B2 (en) | 2003-05-30 | 2008-12-16 | Panasonic Corporation | Image sensor and manufacturing method of image sensor |
| CN100463194C (zh) * | 2003-05-30 | 2009-02-18 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置 |
| JP2012133398A (ja) * | 2012-03-26 | 2012-07-12 | Canon Electronics Inc | カメラ |
| WO2016143194A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| JPWO2016143194A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2017-04-27 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| WO2021186909A1 (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
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