JPH09289330A - 受光モジュール - Google Patents
受光モジュールInfo
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- JPH09289330A JPH09289330A JP8101759A JP10175996A JPH09289330A JP H09289330 A JPH09289330 A JP H09289330A JP 8101759 A JP8101759 A JP 8101759A JP 10175996 A JP10175996 A JP 10175996A JP H09289330 A JPH09289330 A JP H09289330A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光軸調整を不要とし、寄生のインダクタンス
成分を低減する。 【解決手段】 受光素子１と光ファイバフェルール４と
は半田バンプ９ａ，９ｂによってセルフアライメント実
装されて結合されている。受光素子の電極は半田バンプ
９ａ，９ｂによって光ファイバフェルール４の電極８
ａ，８ｂに電気的に接続されている。受光素子１と光フ
ァイバフェルール４とを結合した後に、受光素子１はそ
の全体を覆うようにキャップ１０が取付けられて気密封
止され、キャップ１０は挿入する際にキャップ止め１１
で止められる。
成分を低減する。 【解決手段】 受光素子１と光ファイバフェルール４と
は半田バンプ９ａ，９ｂによってセルフアライメント実
装されて結合されている。受光素子の電極は半田バンプ
９ａ，９ｂによって光ファイバフェルール４の電極８
ａ，８ｂに電気的に接続されている。受光素子１と光フ
ァイバフェルール４とを結合した後に、受光素子１はそ
の全体を覆うようにキャップ１０が取付けられて気密封
止され、キャップ１０は挿入する際にキャップ止め１１
で止められる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は受光モジュールに関
し、特に光ファイバ通信に用いられる受光モジュールに
関する。
し、特に光ファイバ通信に用いられる受光モジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の受光モジュールにおいて
は、例えば光ファイバ通信で伝送される光信号の光電気
変換を行うために用いられており、受光モジュールと光
ファイバとの間の結合効率が最大となるように光ファイ
バとの結合に際して光軸調整が行われている。
は、例えば光ファイバ通信で伝送される光信号の光電気
変換を行うために用いられており、受光モジュールと光
ファイバとの間の結合効率が最大となるように光ファイ
バとの結合に際して光軸調整が行われている。
【０００３】この光軸調整については、受光素子側に光
ファイバの先端部を収容するための凹部を設け、光ファ
イバとの良好な光結合を容易に得ることができるようし
たものが提案されている。この技術については、特開平
５−３７００４号公報に詳述されている。
ファイバの先端部を収容するための凹部を設け、光ファ
イバとの良好な光結合を容易に得ることができるようし
たものが提案されている。この技術については、特開平
５−３７００４号公報に詳述されている。
【０００４】また、受光モジュールを構成する受光素子
では受光素子側の電極を外部電極にボンディングワイヤ
接続で電気的に接続し、受光素子で変換した電気信号を
受光素子側の電極から外部電極に引き出している。この
技術については、特開平４４−１５９５０４号公報に開
示された技術や特開平４−３３３８０６号公報に開示さ
れた技術等がある。
では受光素子側の電極を外部電極にボンディングワイヤ
接続で電気的に接続し、受光素子で変換した電気信号を
受光素子側の電極から外部電極に引き出している。この
技術については、特開平４４−１５９５０４号公報に開
示された技術や特開平４−３３３８０６号公報に開示さ
れた技術等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の受光モ
ジュールでは、受光素子と光ファイバとの間の結合効率
が最大となるように光軸調整を行う必要があり、受光素
子あるいは光ファイバを調整することで光軸調整を行っ
ている。
ジュールでは、受光素子と光ファイバとの間の結合効率
が最大となるように光軸調整を行う必要があり、受光素
子あるいは光ファイバを調整することで光軸調整を行っ
ている。
【０００６】そのため、光軸調整に多大な時間を要し、
受光素子あるいは光ファイバを固定するための装置を必
要としている。また、その光軸調整を簡易化するために
は受光素子側または光ファイバ側に光ファイバまたは受
光素子を収容するための凹部等の収容専用の構造を施さ
なければならない。
受光素子あるいは光ファイバを固定するための装置を必
要としている。また、その光軸調整を簡易化するために
は受光素子側または光ファイバ側に光ファイバまたは受
光素子を収容するための凹部等の収容専用の構造を施さ
なければならない。
【０００７】一方、受光素子の電極から外部電極に電気
信号を取り出すためにはボンディングワイヤ接続等の電
気的接続を行う必要があり、ボンディングワイヤに起因
する寄生のインダクタンス成分が付加されてしまう。
信号を取り出すためにはボンディングワイヤ接続等の電
気的接続を行う必要があり、ボンディングワイヤに起因
する寄生のインダクタンス成分が付加されてしまう。
【０００８】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、光軸調整を不要とし、寄生のインダクタンス成分
を低減することができる受光モジュールを提供すること
にある。
消し、光軸調整を不要とし、寄生のインダクタンス成分
を低減することができる受光モジュールを提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による受光モジュ
ールは、受光素子と光ファイバとをフェルールを介して
結合した受光モジュールであって、前記受光素子の前記
フェルールとの結合面に設けられかつ前記光ファイバを
介して入力される光信号を電気信号として出力するため
の第１の電極と、前記フェルールの前記受光素子との結
合面に前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極
と、前記フェルールの側壁に設けられかつ前記第２の電
極に電気的に接続された第３の電極と、前記第１及び第
２の電極を電気的にかつ物理的に接続する半田バンプと
を備えている。
ールは、受光素子と光ファイバとをフェルールを介して
結合した受光モジュールであって、前記受光素子の前記
フェルールとの結合面に設けられかつ前記光ファイバを
介して入力される光信号を電気信号として出力するため
の第１の電極と、前記フェルールの前記受光素子との結
合面に前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極
と、前記フェルールの側壁に設けられかつ前記第２の電
極に電気的に接続された第３の電極と、前記第１及び第
２の電極を電気的にかつ物理的に接続する半田バンプと
を備えている。
【００１０】本発明による他の受光モジュールは、上記
の構成において、前記第２の電極上に前記半田バンプを
形成した後に当該半田バンプ上に前記第１の電極を仮搭
載して当該半田バンプを溶融することで前記半田バンプ
により前記第１及び第２の電極を電気的にかつ物理的に
接続し、前記受光素子と前記光ファイバとの位置合せを
行うようにしている。
の構成において、前記第２の電極上に前記半田バンプを
形成した後に当該半田バンプ上に前記第１の電極を仮搭
載して当該半田バンプを溶融することで前記半田バンプ
により前記第１及び第２の電極を電気的にかつ物理的に
接続し、前記受光素子と前記光ファイバとの位置合せを
行うようにしている。
【００１１】本発明による別の受光モジュールは、上記
の構成のほかに、前記フェルールの前記受光素子との結
合面に設けられかつ前記第２の電極上に形成された半田
バンプを溶融する際に当該半田バンプの前記第３の電極
への流れ込みを抑止する抑止膜を具備している。
の構成のほかに、前記フェルールの前記受光素子との結
合面に設けられかつ前記第２の電極上に形成された半田
バンプを溶融する際に当該半田バンプの前記第３の電極
への流れ込みを抑止する抑止膜を具備している。
【００１２】本発明によるさらに別の受光モジュール
は、上記の構成のほかに、前記半田バンプにより前記第
１及び第２の電極を電気的にかつ物理的に接続した後に
前記受光素子及び前記フェルールの結合面を気密封止す
るキャップ部材を具備している。
は、上記の構成のほかに、前記半田バンプにより前記第
１及び第２の電極を電気的にかつ物理的に接続した後に
前記受光素子及び前記フェルールの結合面を気密封止す
るキャップ部材を具備している。
【００１３】本発明によるさらにまた別の受光モジュー
ルは、上記の構成において、前記半田バンプの形成量を
可変することで前記受光素子と前記フェルールとの結合
距離を可変するようにしている。
ルは、上記の構成において、前記半田バンプの形成量を
可変することで前記受光素子と前記フェルールとの結合
距離を可変するようにしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。
に述べる。
【００１５】受光素子を半田バンプで光ファイバフェル
ールの端面上にセルフアライメント実装する。これによ
って、受光素子は光ファイバフェルールの端面上の予め
定められた位置に自動的に実装されるので、受光素子の
受光面と光ファイバの先端部との光軸調整が不要とな
る。
ールの端面上にセルフアライメント実装する。これによ
って、受光素子は光ファイバフェルールの端面上の予め
定められた位置に自動的に実装されるので、受光素子の
受光面と光ファイバの先端部との光軸調整が不要とな
る。
【００１６】また、受光素子の電極と光ファイバフェル
ールの電極とが半田バンプによって電気的に接続される
ので、従来のようなボンディングワイヤ接続が不要とな
り、寄生のインダクタンス成分を低減することができ
る。
ールの電極とが半田バンプによって電気的に接続される
ので、従来のようなボンディングワイヤ接続が不要とな
り、寄生のインダクタンス成分を低減することができ
る。
【００１７】さらに、受光素子及び光ファイバフェルー
ルの電極の形成やセルフアライメント実装の工程は一括
処理が可能なので、量産性が高くなり、実装にかかるコ
ストを低減することができる。この場合、部品点数が従
来よりも少なくなるので、装置の小型化に適している。
ルの電極の形成やセルフアライメント実装の工程は一括
処理が可能なので、量産性が高くなり、実装にかかるコ
ストを低減することができる。この場合、部品点数が従
来よりも少なくなるので、装置の小型化に適している。
【００１８】次に、本発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は本発明の一実施例による受光素
子の斜視図であり、図２は本発明の一実施例による光フ
ァイバフェルールの斜視図であり、図３は本発明の一実
施例による光ファイバフェルールの断面図であり、図４
は本発明の一実施例による受光モジュールの断面図であ
る。
照して説明する。図１は本発明の一実施例による受光素
子の斜視図であり、図２は本発明の一実施例による光フ
ァイバフェルールの斜視図であり、図３は本発明の一実
施例による光ファイバフェルールの断面図であり、図４
は本発明の一実施例による受光モジュールの断面図であ
る。
【００１９】これらの図において、受光素子１には光フ
ァイバフェルール４との結合面上において、光電気変換
で得た電気信号を取り出すための電極３ａ〜３ｃが受光
面２の近傍に配設されている。
ァイバフェルール４との結合面上において、光電気変換
で得た電気信号を取り出すための電極３ａ〜３ｃが受光
面２の近傍に配設されている。
【００２０】光ファイバフェルール４には受光素子１と
の結合面上において、光ファイバ５の先端部５ａ近傍の
受光素子１の電極３ａ〜３ｃに対向する位置に電極６ａ
〜６ｃが配設されている。
の結合面上において、光ファイバ５の先端部５ａ近傍の
受光素子１の電極３ａ〜３ｃに対向する位置に電極６ａ
〜６ｃが配設されている。
【００２１】電極６ａ〜６ｃは光ファイバフェルール４
の側壁に設けられた電極８ａ〜８ｃ（電極８ｃは図示せ
ず）に電気的に接続されている。ここで、電極８ａ〜８
ｃは電極６ａ〜６ｃを通して受光素子１の電極３ａ〜３
ｃから電気信号を外部に取り出すためのものである。
の側壁に設けられた電極８ａ〜８ｃ（電極８ｃは図示せ
ず）に電気的に接続されている。ここで、電極８ａ〜８
ｃは電極６ａ〜６ｃを通して受光素子１の電極３ａ〜３
ｃから電気信号を外部に取り出すためのものである。
【００２２】また、電極６ａ〜６ｃと電極８ａ〜８ｃと
の間には半田バンプ９ａ〜９ｃ（半田バンプ９ｃは図示
せず）の溶融時に半田が電極８ａ〜８ｃ側に流れ込むの
を抑止するための半田抑止膜７ａ〜７ｃが形成されてい
る（図３参照）。
の間には半田バンプ９ａ〜９ｃ（半田バンプ９ｃは図示
せず）の溶融時に半田が電極８ａ〜８ｃ側に流れ込むの
を抑止するための半田抑止膜７ａ〜７ｃが形成されてい
る（図３参照）。
【００２３】上記の受光素子１と光ファイバフェルール
４とを結合する場合、まず光ファイバフェルール４の電
極６ａ〜６ｃ上に予め金錫の半田バンプ９ａ〜９ｃを形
成し、その半田バンプ９ａ〜９ｃ上に電極３ａ〜３ｃが
くるように受光素子１を仮搭載する。
４とを結合する場合、まず光ファイバフェルール４の電
極６ａ〜６ｃ上に予め金錫の半田バンプ９ａ〜９ｃを形
成し、その半田バンプ９ａ〜９ｃ上に電極３ａ〜３ｃが
くるように受光素子１を仮搭載する。
【００２４】この後に、半田バンプ９ａ〜９ｃ上に受光
素子１を仮搭載した光ファイバフェルール４を窒素雰囲
気中で金錫の融点（３２０℃）まで加熱して半田バンプ
９ａ〜９ｃを溶融させる。このとき、半田抑止膜７ａ〜
７ｃは溶融した半田が電極８ａ〜８ｃ側に流れ込むのを
抑止している。
素子１を仮搭載した光ファイバフェルール４を窒素雰囲
気中で金錫の融点（３２０℃）まで加熱して半田バンプ
９ａ〜９ｃを溶融させる。このとき、半田抑止膜７ａ〜
７ｃは溶融した半田が電極８ａ〜８ｃ側に流れ込むのを
抑止している。
【００２５】すると、溶融した半田バンプ９ａ〜９ｃは
その表面張力によって受光素子１の電極３ａ〜３ｃを所
定位置まで、つまり仮搭載されている受光素子１を所定
位置まで引張る。
その表面張力によって受光素子１の電極３ａ〜３ｃを所
定位置まで、つまり仮搭載されている受光素子１を所定
位置まで引張る。
【００２６】半田バンプ９ａ〜９ｃが室温まで冷却され
て固定すると、半田バンプ９ａ〜９ｃによって電極３ａ
〜３ｃと電極６ａ〜６ｃとの間が電気的にかつ物理的に
接続される。これによって、受光素子１の受光面２と光
ファイバ５の先端部５ａとの位置合せが行われるので、
受光素子１は半田バンプ９ａ〜９ｃによって光ファイバ
フェルール４にセルフアライメント実装される。
て固定すると、半田バンプ９ａ〜９ｃによって電極３ａ
〜３ｃと電極６ａ〜６ｃとの間が電気的にかつ物理的に
接続される。これによって、受光素子１の受光面２と光
ファイバ５の先端部５ａとの位置合せが行われるので、
受光素子１は半田バンプ９ａ〜９ｃによって光ファイバ
フェルール４にセルフアライメント実装される。
【００２７】その場合、光ファイバフェルール４の光フ
ァイバ５の先端部５ａから受光素子１の受光面２までの
距離は受光素子１が固定された半田バンプ９ａ〜９ｃの
高さにほぼ等しくなるので、半田バンプ９ａ〜９ｃの半
田量を可変することで受光素子１と光ファイバフェルー
ル４との結合距離を自由に変えることが可能となる。
ァイバ５の先端部５ａから受光素子１の受光面２までの
距離は受光素子１が固定された半田バンプ９ａ〜９ｃの
高さにほぼ等しくなるので、半田バンプ９ａ〜９ｃの半
田量を可変することで受光素子１と光ファイバフェルー
ル４との結合距離を自由に変えることが可能となる。
【００２８】受光面２と光ファイバ５の先端部５ａとの
位置合せは予め受光素子１側及び光ファイバフェルール
４側に同じ配置に形成された電極３ａ〜３ｃ，６ａ〜６
ｃを半田バンプ９ａ〜９ｃでセルフアライメント実装す
ることで行われる。
位置合せは予め受光素子１側及び光ファイバフェルール
４側に同じ配置に形成された電極３ａ〜３ｃ，６ａ〜６
ｃを半田バンプ９ａ〜９ｃでセルフアライメント実装す
ることで行われる。
【００２９】また、受光素子１の陽極側及び陰極側の両
方（図示せず）が半田バンプ９ａ〜９ｃで光ファイバフ
ェルール４側の電極８ａ〜８ｃに引き出される。すなわ
ち、受光素子１で光電気変換された電気信号は光ファイ
バフェルール４に形成した電極８ａ〜８ｃから取り出さ
れる。
方（図示せず）が半田バンプ９ａ〜９ｃで光ファイバフ
ェルール４側の電極８ａ〜８ｃに引き出される。すなわ
ち、受光素子１で光電気変換された電気信号は光ファイ
バフェルール４に形成した電極８ａ〜８ｃから取り出さ
れる。
【００３０】受光素子１と光ファイバフェルール４とを
結合した後に、受光素子１はその全体を覆うようにキャ
ップ１０を取付けて気密封止される。光ファイバフェル
ール４にはキャップ１０を挿入する時に、キャップ１０
の底面が受光素子１に当たらないようにキャップ止め１
１が設けられている。
結合した後に、受光素子１はその全体を覆うようにキャ
ップ１０を取付けて気密封止される。光ファイバフェル
ール４にはキャップ１０を挿入する時に、キャップ１０
の底面が受光素子１に当たらないようにキャップ止め１
１が設けられている。
【００３１】図５は図２に示す光ファイバフェルール４
の端面に半田バンプ９ａ〜９ｃを形成した状態を示す図
であり、図６は図５の光ファイバフェルール４の端面上
に受光素子１を仮搭載する状態を示す図である。
の端面に半田バンプ９ａ〜９ｃを形成した状態を示す図
であり、図６は図５の光ファイバフェルール４の端面上
に受光素子１を仮搭載する状態を示す図である。
【００３２】また、図７は図６の半田バンプ９ａ〜９ｃ
による受光素子１と光ファイバフェルール４との結合を
示す図である。図７（ａ）は半田バンプ９ａ〜９ｃ上に
受光素子１の電極３ａ〜３ｃを仮搭載した状態を示し、
図７（ｂ）は半田バンプ９ａ〜９ｃの溶融状態を示し、
図７（ｃ）は半田バンプ９ａ〜９ｃを室温まで冷却して
固定した状態を示している。
による受光素子１と光ファイバフェルール４との結合を
示す図である。図７（ａ）は半田バンプ９ａ〜９ｃ上に
受光素子１の電極３ａ〜３ｃを仮搭載した状態を示し、
図７（ｂ）は半田バンプ９ａ〜９ｃの溶融状態を示し、
図７（ｃ）は半田バンプ９ａ〜９ｃを室温まで冷却して
固定した状態を示している。
【００３３】これら図５〜図７を用いて受光素子１を光
ファイバフェルール４の端面上にセルフアライメント実
装する動作について説明する。
ファイバフェルール４の端面上にセルフアライメント実
装する動作について説明する。
【００３４】受光素子１と光ファイバフェルール４とを
結合する場合、まず光ファイバフェルール４の電極６ａ
〜６ｃ上に予め金錫の半田バンプ９ａ〜９ｃを形成し
（図５参照）、その半田バンプ９ａ〜９ｃ上に電極３ａ
〜３ｃがくるように受光素子１を仮搭載する（図６参
照）。
結合する場合、まず光ファイバフェルール４の電極６ａ
〜６ｃ上に予め金錫の半田バンプ９ａ〜９ｃを形成し
（図５参照）、その半田バンプ９ａ〜９ｃ上に電極３ａ
〜３ｃがくるように受光素子１を仮搭載する（図６参
照）。
【００３５】この後に、半田バンプ９ａ〜９ｃ上に受光
素子１を仮搭載した光ファイバフェルール４を窒素雰囲
気中で金錫の融点（３２０℃）まで加熱して半田バンプ
９ａ〜９ｃを溶融させる［図７（ａ）参照］。このと
き、溶融した半田は半田抑止膜７ａ〜７ｃによって電極
８ａ〜８ｃ側に流れ込むのが抑止される。
素子１を仮搭載した光ファイバフェルール４を窒素雰囲
気中で金錫の融点（３２０℃）まで加熱して半田バンプ
９ａ〜９ｃを溶融させる［図７（ａ）参照］。このと
き、溶融した半田は半田抑止膜７ａ〜７ｃによって電極
８ａ〜８ｃ側に流れ込むのが抑止される。
【００３６】すると、溶融した半田バンプ９ａ〜９ｃは
その表面張力によって受光素子１の電極３ａ〜３ｃを所
定位置まで、つまり仮搭載されている受光素子１を所定
位置まで引張る［図７（ｂ）参照］。言換えると、受光
素子１の受光面２の光軸Ａと光ファイバ５の先端部５ａ
の光軸Ｂとが重なり、同一の光軸Ｃとなる。
その表面張力によって受光素子１の電極３ａ〜３ｃを所
定位置まで、つまり仮搭載されている受光素子１を所定
位置まで引張る［図７（ｂ）参照］。言換えると、受光
素子１の受光面２の光軸Ａと光ファイバ５の先端部５ａ
の光軸Ｂとが重なり、同一の光軸Ｃとなる。
【００３７】半田バンプ９ａ〜９ｃが室温まで冷却され
て固定すると、半田バンプ９ａ〜９ｃによって電極３ａ
〜３ｃと電極６ａ〜６ｃとの間が電気的にかつ物理的に
接続される［図７（ｃ）参照］。これによって、受光素
子１の受光面２と光ファイバ５の先端部５ａとの位置合
せが行われるので、受光素子１は半田バンプ９ａ〜９ｃ
によって光ファイバフェルール４にセルフアライメント
実装される。
て固定すると、半田バンプ９ａ〜９ｃによって電極３ａ
〜３ｃと電極６ａ〜６ｃとの間が電気的にかつ物理的に
接続される［図７（ｃ）参照］。これによって、受光素
子１の受光面２と光ファイバ５の先端部５ａとの位置合
せが行われるので、受光素子１は半田バンプ９ａ〜９ｃ
によって光ファイバフェルール４にセルフアライメント
実装される。
【００３８】このように、受光素子１を半田バンプ９ａ
〜９ｃで光ファイバフェルール４の端面上にセルフアラ
イメント実装することによって、受光素子１は光ファイ
バフェルール４の端面上の予め定められた位置に自動的
に実装されるので、受光素子１の受光面２と光ファイバ
５の先端部５ａとの光軸調整が不要となる。
〜９ｃで光ファイバフェルール４の端面上にセルフアラ
イメント実装することによって、受光素子１は光ファイ
バフェルール４の端面上の予め定められた位置に自動的
に実装されるので、受光素子１の受光面２と光ファイバ
５の先端部５ａとの光軸調整が不要となる。
【００３９】また、受光素子１の電極３ａ〜３ｃと光フ
ァイバフェルール４の電極６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃとが
半田バンプ９ａ〜９ｃによって電気的に接続されるの
で、従来のようなボンディングワイヤ接続が不要とな
り、寄生のインダクタンス成分を低減することができ
る。
ァイバフェルール４の電極６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃとが
半田バンプ９ａ〜９ｃによって電気的に接続されるの
で、従来のようなボンディングワイヤ接続が不要とな
り、寄生のインダクタンス成分を低減することができ
る。
【００４０】さらに、受光素子及び光ファイバフェルー
ルの電極３ａ〜３ｃ，６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃの形成や
セルフアライメント実装の工程は一括処理が可能なの
で、量産性が高くなり、実装にかかるコストを低減する
ことができる。この場合、部品点数が従来よりも少なく
なるので、装置の小型化に適している。
ルの電極３ａ〜３ｃ，６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃの形成や
セルフアライメント実装の工程は一括処理が可能なの
で、量産性が高くなり、実装にかかるコストを低減する
ことができる。この場合、部品点数が従来よりも少なく
なるので、装置の小型化に適している。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、受
光素子と光ファイバとをフェルールを介して結合した受
光モジュールにおいて、受光素子のフェルールとの結合
面に光ファイバを介して入力される光信号を電気信号と
して出力するための第１の電極を設けるとともに、フェ
ルールの受光素子との結合面に第１の電極に対向してか
つフェルールの側壁に設けられた第３の電極に電気的に
接続する第２の電極を設け、第１及び第２の電極を半田
バンプで電気的にかつ物理的に接続することによって、
光軸調整を不要とし、寄生のインダクタンス成分を低減
することができるという効果がある。
光素子と光ファイバとをフェルールを介して結合した受
光モジュールにおいて、受光素子のフェルールとの結合
面に光ファイバを介して入力される光信号を電気信号と
して出力するための第１の電極を設けるとともに、フェ
ルールの受光素子との結合面に第１の電極に対向してか
つフェルールの側壁に設けられた第３の電極に電気的に
接続する第２の電極を設け、第１及び第２の電極を半田
バンプで電気的にかつ物理的に接続することによって、
光軸調整を不要とし、寄生のインダクタンス成分を低減
することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例による受光素子の斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例による光ファイバフェルール
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】本発明の一実施例による光ファイバフェルール
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の一実施例による受光モジュールの断面
図である。
図である。
【図５】図２に示す光ファイバフェルールの端面に半田
バンプを形成した状態を示す図である。
バンプを形成した状態を示す図である。
【図６】図５の光ファイバフェルールの端面上に受光素
子を仮搭載する状態を示す図である。
子を仮搭載する状態を示す図である。
【図７】（ａ）は図６の半田バンプ上に受光素子の電極
を仮搭載した状態を示す図、（ｂ）は（ａ）の半田バン
プの溶融状態を示す図、（ｃ）は（ｂ）の半田バンプを
室温まで冷却して固定した状態を示す図である。
を仮搭載した状態を示す図、（ｂ）は（ａ）の半田バン
プの溶融状態を示す図、（ｃ）は（ｂ）の半田バンプを
室温まで冷却して固定した状態を示す図である。
１ 受光素子 ２ 受光面 ３ａ〜３ｃ，６ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃ 電極 ４ 光ファイバフェルール ５ 光ファイバ ５ａ 先端部 ７ａ〜７ｃ 半田抑止膜 ９ａ〜９ｃ 半田バンプ １０ キャップ １１ キャップ止め
Claims (5)
- 【請求項１】 受光素子と光ファイバとをフェルールを
介して結合した受光モジュールであって、前記受光素子
の前記フェルールとの結合面に設けられかつ前記光ファ
イバを介して入力される光信号を電気信号として出力す
るための第１の電極と、前記フェルールの前記受光素子
との結合面に前記第１の電極に対向して設けられた第２
の電極と、前記フェルールの側壁に設けられかつ前記第
２の電極に電気的に接続された第３の電極と、前記第１
及び第２の電極を電気的にかつ物理的に接続する半田バ
ンプとを有することを特徴とする受光モジュール。 - 【請求項２】 前記第２の電極上に前記半田バンプを形
成した後に当該半田バンプ上に前記第１の電極を仮搭載
して当該半田バンプを溶融することで前記半田バンプに
より前記第１及び第２の電極を電気的にかつ物理的に接
続し、前記受光素子と前記光ファイバとの位置合せを行
うようにしたことを特徴とする請求項１記載の受光モジ
ュール。 - 【請求項３】 前記フェルールの前記受光素子との結合
面に設けられかつ前記第２の電極上に形成された半田バ
ンプを溶融する際に当該半田バンプの前記第３の電極へ
の流れ込みを抑止する抑止膜を含むことを特徴とする請
求項１または請求項２記載の受光モジュール。 - 【請求項４】 前記半田バンプにより前記第１及び第２
の電極を電気的にかつ物理的に接続した後に前記受光素
子及び前記フェルールの結合面を気密封止するキャップ
部材を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のい
ずれか記載の受光モジュール。 - 【請求項５】 前記半田バンプの形成量を可変すること
で前記受光素子と前記フェルールとの結合距離を可変す
るようにしたことを特徴とする請求項１から請求項４の
いずれか記載の受光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8101759A JPH09289330A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 受光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8101759A JPH09289330A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 受光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289330A true JPH09289330A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14309170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8101759A Pending JPH09289330A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 受光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289330A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001497A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Honeywell Inc. | Hermetic chip-scale package for photonic devices |
| JP2005195699A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Toshiba Corp | 光伝送路保持部材 |
| JP2005338308A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Kyosemi Corp | 半導体光学部品及びその製造方法 |
| JP2007017808A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光素子付き光伝送媒体およびその製造方法 |
| JP2007067288A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光電変換機能付き光ファイバ端末およびその実装方法 |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP8101759A patent/JPH09289330A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001497A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Honeywell Inc. | Hermetic chip-scale package for photonic devices |
| JP2005195699A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Toshiba Corp | 光伝送路保持部材 |
| JP2005338308A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Kyosemi Corp | 半導体光学部品及びその製造方法 |
| JP2007017808A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光素子付き光伝送媒体およびその製造方法 |
| JP2007067288A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光電変換機能付き光ファイバ端末およびその実装方法 |
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