JPH09283675A - 放熱フィン取付構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱膨張差が生じてもズレが吸収されてストレ
スを低減することができる等の効果を有する放熱フィン
取付構造を得ること。 【解決手段】 ＬＳＩ１とＬＳＩ１を支持する金属板２
と金属板２を支持するセラミックス４とセラミクス４の
上部に上面がセラミックス４の上面と同じ高さになるよ
うに埋設した磁石６とからパッケージ状の基部Ｂを構成
すると共に、放熱フィン１１と放熱フィン１１の下面に
取付けた磁性金属１２とからヒートシンク部Ａを構成
し、金属板２の上面と放熱フィン１１の下面及び磁石６
の上面と磁性金属１２の下面とをそれぞれ吸着させるよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等の放熱
フィン取付構造に係り、より詳しくは、ヒートシンク部
を基部に磁力などで取付けることによって接触部におけ
るストレスを低減させた電子機器等の放熱フィン取付構
造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、従来のＬＳＩパッケージの放熱
構造は、ＬＳＩを鉄系のリードフレームに搭載しこれら
をモールド樹脂によってパッケージングし、このパッケ
ージに放熱フィンを接着剤によって固定していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように構成した
放熱フィン取付構造では、放熱フィンとパッケージが接
着剤によって固定されているので、熱膨張差によって発
生する応力で接着部にストレスが発生したり、パッケー
ジよりも大きいサイズの放熱フィンを取付ける場合にお
けるパッケージの自動搭載上の問題等によって放熱フィ
ンサイズが制約されたり、リフロー炉使用の場合に放熱
フィンの高さが制約を受けたり、放熱フィンの脱着が不
可能であったり、接着部の経時変化によって接着強度や
放熱効率が低下してしまう等の問題があった。

【０００４】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、接着部にストレスがかかることがな
く、放熱フィンサイズが制約されることもなく、放熱フ
ィンの脱着が可能で、接着部の接着強度が低下したり放
熱効率が低下するおそれのない放熱フィン取付構造を得
ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる電子機器
等の放熱フィン取付構造は、次のように構成したもので
ある。 （１） ＬＳＩ等を有する基部に放熱フィン等を有する
ヒートシンク部を取付けるための放熱フィン取付構造で
あって、基部とヒートシンク部のいずれか一方に磁石を
設け他方に磁性金属を設けたものである。

【０００６】磁石と磁性金属とを磁力によって引き合う
ようにして、基部にヒートシンク部を取付け、放熱フィ
ン取付構造を形成する。こうしてＬＳＩが作動して熱が
発生すると、この熱はヒートシンク部の放熱フィンに伝
導して、放熱フィンから外部に放出される。

【０００７】（２） 上記（１）の放熱フィン取付構造
において、ＬＳＩとこのＬＳＩと接触する金属板とこの
金属板を支持する絶縁部とを有するパッケージ状の基部
と、放熱フィンを有するヒートシンク部とを備え、基部
とヒートシンク部のいずれか一方に磁石を設けると共に
他方に磁性金属を設けたものである。この場合に、基部
又はヒートシンク部のいずれか一方に係合凹部を設ける
と共に他方に係合凸部を設けるようにしてもよい。この
とき、係合凹部の幅を係合凸部の幅よりも広く形成す
る。

【０００８】基部の上面と放熱フィンの下面を接触させ
ると共に磁石と磁性金属を対向させて磁力によって引き
合うようにし、基部にヒートシンク部を取付けて放熱フ
ィン取付構造を形成する。こうしてＬＳＩが作動して熱
が発生すると、この熱はヒートシンク部の放熱フィンに
伝導して、放熱フィンから外部に放出される。このと
き、係合凹部と係合凸部を係合させると、重力に対して
垂直に実装されたときに垂直方向へのずれを防止し、ま
た、係合時や熱膨脹差が生じた際に係合位置のずれを吸
収する。

【０００９】（３） 上記（２）の放熱フィン取付構造
において、ＬＳＩとこのＬＳＩを支持する金属板とこの
金属板を支持するセラミックスとこのセラミクスの上部
に上面がセラミックスの上面と同じ高さになるように埋
設した磁石とからパッケージ状の基部を構成すると共
に、放熱フィンとこの放熱フィンの下面に取付けた磁性
金属とからヒートシンク部を構成したものである。この
場合において、金属板の上部に熱伝導材を設けてこの熱
伝導材を介して金属板上面と放熱フィン下面とを接触さ
せるようにしてもよい。また、基部又はヒートシンク部
のいずれか一方に係合凹部を設けると共に他方に係合凸
部を設けるようにしてもよい。このとき、係合凹部の幅
を係合凸部の幅よりも広く形成する。

【００１０】金属板の上面と放熱フィンの下面及び磁石
の上面と磁性金属の下面とをそれぞれ接触させて、基部
にヒートシンク部を取付け、放熱フィン取付構造を形成
する。こうしてＬＳＩが作動すると熱が発生するが、こ
の熱は金属板からヒートシンク部の放熱フィンに伝導し
て、放熱フィンから外部に放出される。この場合、金属
板の上部に熱伝導材を設けてこの熱伝導材を介して金属
板上面と放熱フィン下面とを接触させると、熱は金属板
から熱伝導材を通ってヒートシンク部の放熱フィンに伝
導して、放熱フィンから外部に放出する。このとき、係
合凹部と係合凸部を係合させると、重力に対して垂直に
実装されたときに垂直方向へのずれを防止し、また、係
合時や熱膨脹差が生じた際に係合位置のずれを吸収す
る。

【００１１】（４） 上記（２）の放熱フィン取付構造
において、ＬＳＩとこのＬＳＩを支持する金属板とこの
金属板を支持するセラミックスとこのセラミックスの下
方に位置しこのセラミックスを支持するプリント基板と
このプリント基板に取付けられた磁石により基部を構成
すると共に、放熱フィンとこの放熱フィンの下面に取付
けた磁性金属とからヒートシンク部を構成したものであ
る。この場合、金属板の上部に熱伝導材を設けてこの熱
伝導材を介して金属板上面と放熱フィン下面とを接触さ
せるようにしてもよい。また、基部又はヒートシンク部
のいずれか一方に係合凹部を設けると共に他方に係合凸
部を設けるようにしてもよく、このとき、係合凹部の幅
を係合凸部の幅よりも広く形成する。

【００１２】金属板の上面と加熱フィンの下面を接触さ
せると共に磁石と磁性金属を一定の間隙を隔てて対応さ
せるようにして、基部にヒートシンク部を取付け、放熱
フィン取付構造を形成する。ＬＳＩが作動して熱が発生
すると、この熱は金属板からヒートシンク部の放熱フィ
ンに伝導して、放熱フィンから外部に放出される。この
場合、金属板の上部に熱伝導材を設けてこの熱伝導材を
介して金属板上面と放熱フィン下面とを接触させると、
熱は金属板から熱伝導材を通ってヒートシンク部の放熱
フィンに伝導して、放熱フィンから外部に放出される。
このとき、係合凹部と係合凸部を係合させると、重力に
対して垂直に実装されたときに垂直方向へのずれを防止
し、また、係合時や熱膨脹差が生じた際に係合位置のず
れを吸収する。

【００１３】（５） 上記（２）の放熱フィン取付構造
において、ＬＳＩとこのＬＳＩが搭載された鉄系のリー
ドフレームとこのリードフレームの上方に設けた磁性金
属とをモールド樹脂によって一体にパッケージして基部
を構成すると共に、放熱フィンとこの放熱フィンの下部
に下面が放熱フィントの下面と同じ高さになるように埋
設した磁石とからヒートシンク部を構成したものであ
る。この場合において、基部又はヒートシンク部のいず
れか一方に係合凹部を設けると共に他方に係合凸部を設
けるようにしてもよく、このとき、係合凹部の幅を係合
凸部の幅よりも広く形成する。

【００１４】モールドパッケージの上面に放熱フィンの
下面及び磁石の下面とを接触させて、磁性金属と磁石と
を引き合うようにして、基部にヒートシンク部を取付
け、放熱フィン取付構造を形成する。こうしてＬＳＩが
作動して熱が発生すると、この熱はリードフレームから
磁性金属を通りヒートシンク部の放熱フィンに伝導し
て、放熱フィンから外部に放出される。このとき、係合
凹部と係合凸部を係合させると、重力に対して垂直に実
装されたときに垂直方向へのずれを防止し、また、係合
時や熱膨脹差が生じた際に係合位置のずれを吸収する。

【００１５】（６） 上記（２）の放熱フィン取付構造
において、ＬＳＩが搭載された鉄系のリードフレームを
モールド樹脂によって一体にパッケージして基部を構成
すると共に、放熱フィンとこの放熱フィンの下部に下面
が放熱フィントの下面と同じ高さになるように埋設した
磁石とからヒートシンク部を構成したものである。この
場合において、基部又はヒートシンク部のいずれか一方
に係合凹部を設けると共に他方に係合凸部を設けるよう
にしてもよく、このとき、係合凹部の幅を係合凸部の幅
よりも広く形成する。

【００１６】モールドパッケージの上面と放熱フィンの
下面及び磁石の下面とを接触させてモールドパッケージ
内のリードフレームと磁石とを引き合うようにして、基
部にヒートシンク部を取付け、放熱フィン取付構造を形
成する。ＬＳＩが作動して熱が発生すると、この熱はリ
ードフレームからヒートシンク部の放熱フィンに伝導し
て、放熱フィンから外部に放出される。このとき、係合
凹部と係合凸部を係合させ、重力に対して垂直に実装さ
れたときに垂直方向へのずれを防止し、また、係合時や
熱膨脹差が生じた際に係合位置のずれを吸収する。

【００１７】（７） 上記（１）の放熱フィン取付構造
において、ＬＳＩが搭載されたプリント基板により基部
を構成し、放熱フィンによりヒートシンク部を構成する
と共に、基部又はヒートシンク部のいずれか一方に磁石
を設け他方に磁性金属を設けるようにしたものである。
こうして、ＬＳＩの上面と加熱フィンの下面を接触させ
ると共に磁石と磁性金属を対向させて、磁力によって引
き合うようにして、基部にヒートシンク部を取付け、放
熱フィン取付構造を形成する。ＬＳＩが作動して熱が発
生すると、この熱はヒートシンク部の放熱フィンに伝導
して、放熱フィンから外部に放出される。

【００１８】（８） 上記（７）の放熱フィン取付構造
において、ＴＡＢリードを介してＬＳＩが搭載されたプ
リント基板とこのプリント基板に上面が基板の上面と同
じ高さになるように埋設した磁性金属とにより基部を構
成すると共に、放熱フィンとこの放熱フィンの下面に磁
性金属に対向して取付けた磁石とによりヒートシンク部
を構成したものである。この場合において、ＬＳＩの上
部に熱伝導材を設け、この熱伝導材を介してＬＳＩの上
面と放熱フィンの下面を接触させるようにしてもよい。

【００１９】ＬＳＩの上面と加熱フィンの下面を接触さ
せると共に磁性金属と磁石を一定の間隙を設けて引き合
うようにして、基部にヒートシンク部を取付け、放熱フ
ィン取付構造を形成する。こうしてＬＳＩが作動して熱
が発生すると、この熱はヒートシンク部の放熱フィンに
伝導して、放熱フィンから外部に放出される。このと
き、ＬＳＩの上部に熱伝導材を設けたときは、熱はこの
熱伝導材を介してヒートシンク部の放熱フィンに伝導す
る。

【００２０】（９） 上記（７）の放熱フィン取付構造
において、バンプを介してＬＳＩが搭載されたプリント
基板とこのプリント基板に上面がプリント基板の上面と
同じ高さになるように埋設した磁石とのより基部を構成
すると共に、放熱フィンとこの放熱フィンの下面に磁石
に対向して取付けた磁性金属とからヒートシンク部を構
成したものである。この場合において、ＬＳＩの上部に
熱伝導材を設け、この熱伝導材を介してＬＳＩの上面と
放熱フィンの下面を接触させるようにしてもよい。

【００２１】ＬＳＩの上面と加熱フィンの下面を接触さ
せると共に磁石と磁性金属を一定の間隙を隔てて対向さ
せるようにして、基部にヒートシンク部を取付け、放熱
フィン取付構造を形成する。こうしてＬＳＩが作動して
熱が発生すると、この熱はヒートシンク部の放熱フィン
に伝導して、放熱フィンから外部に放出される。このと
き、ＬＳＩの上部に熱伝導材を設けたときは、熱はこの
熱伝導材を介してヒートシンク部の放熱フィンに伝導す
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】

実施形態１ 図１は本発明の第１の実施形態の縦断面図で、上部には
ヒートシンク部Ａが、下部には基部Ｂが配設されてい
る。まず、パッケージ状に形成された基部Ｂ側から説明
すると、１はＬＳＩであり、２はＬＳＩ１を下面に取付
けた断面ほぼ逆凸字状の金属板である。３は金属板２の
上面に取付けられた熱伝導材で、この熱伝導材３を介し
て金属板２が放熱フィン（後述）の下面に接触してい
る。なお、この熱伝導材３は省略してもよく、この場合
は金属板２は放熱フィンの下面に直接に接触することに
なる。

【００２３】４は金属板２の両肩部２ａ，２ｂを下方か
ら支持するセラミックスで、その外周近傍の上部には磁
石取付穴５，５が設けられ、その中に上面がセラミック
ス４の表面４ａと同一の高さになるようにした磁石６，
６が埋設されて、接着剤７，７によって固定されてい
る。８，８はセラミックス４の上面にあって上方に突設
した係合凸部で、金属基板２の外周側であって磁石７，
７の内側に設けられ、放熱フィン（後述）側に設けた係
合凹部（後述）に嵌合する。９，９はセラミックス４の
下部に取付けられたＩ／Ｏピン、１０はセラミックス４
の下方開口部を下方から封止する封止キャップである。

【００２４】次に、ヒートシンク部Ａ側について説明す
ると、１１は放熱フィンで、ＬＳＩ１が作動して発生し
た熱を金属板２から熱伝導材３を通して外部に放出す
る。１２，１２は放熱フィン１１の下面において磁石
１，１と対向する位置に接着剤１３，１３によって取付
けた磁性金属で、磁石６，６と接触して、ヒートシンク
部Ａを磁力によって基部Ｂに接合する。１４，１４は放
熱フィン１１の下部に設けた係合凹部で、セラミックス
４の係合凸部８，８に対向する位置に設けられ、係合凸
部８，８と係合させることにより、放熱フィン１１が重
力に対して垂直に実装されたときのずれを防止する。な
お、係合凹部１４の幅は係合凸部８の幅よりの多少の広
がりを持って形成されているが、この広がりによって係
合時や熱膨張差が生じた際等に係合位置のずれを吸収す
る。

【００２５】ヒートシンク部Ａと基部Ｂは上記のように
して接合されるが、この接合状態において、磁性金属１
２と磁石６、係合凹部１４と係合凸部８、放熱フィン１
１の下面と熱伝導材３の上面（熱伝導材３を設けないと
きは金属板２の上面）とが相互に均一に接触するように
各構成要素の高さ位置を形成しておく。

【００２６】上記のように構成した本実施形態の作用を
説明する。まず、ヒートシンク部Ａと基部Ｂとを組み立
てるには、ヒートシンク部Ａの放熱フィン１１に設けら
れた係合凹部１４，１４と、基部Ｂのセラミックス４に
設けられた係合凸部８，８とを対峙させ、相互に係合す
る。こうすると、ヒートシンク部Ａの加熱フィン１１側
に設けられた磁性金属１２，１２と基部Ｂのセラミック
ス４側に設けた磁石６，６とが接触して磁力で引き合
い、また、放熱フィン１１の下面と金属板２の上面に取
り付けた熱伝導材料３の上面とが接触して、ヒートシン
ク部Ａと基部Ｂとが一体となって固定される。

【００２７】ＬＳＩ１が作動して熱が発生すると、この
熱は金属板２と熱伝導材３を介して、放熱フィン１１に
伝導され、ここから外部に放出されて、ＬＳＩ１の加熱
を防止する。なお、上記の説明では放熱フィン１１側に
係合凹部１４を設け、セラミックス４側に係合凸部８を
設けたが、放熱フィン１１側に係合凸部を設け、セラミ
ックス４側に係合凹部を設けてもよい（以下の実施形態
でも同様）。

【００２８】したがって、本実施形態によれば、ヒート
シンク部Ａと基部Ｂとの間に熱膨張差が生じても、両者
Ａ，Ｂの接触部において接触状態のままズレが生じるの
でズレが吸収されてストレスが低減され、また、基部Ｂ
の実装後においてもヒートシンク部Ａの放熱フィン１１
の着脱が可能となり、さらに、接着部の経時変化によっ
て接着強度または放熱効率が低下するということもな
い。

【００２９】また、放熱フィン１１の係合凹部１４とセ
ラミックス４の係合凸部８とは相互に嵌合するようにな
っているので、放熱フィン１１が重力に対して垂直に実
装されたときに垂直方向へのずれを防止することができ
る。さらに、放熱フィン１１の係合凹部１４の幅はセラ
ミクス４の係合凸部８の幅よりの多少の広がりを持って
形成されているので、係合時や熱膨張差が生じた際等に
係合位置のずれを吸収できる。

【００３０】実施形態２ 図２は本発明の第２の実施形態の縦断面図で、上部には
ヒートシンク部Ａが、下部には基部Ｂが配設されてい
る。まず、パッケージ状に形成された基部Ｂ側から説明
すると、１はＬＳＩであり、２はＬＳＩ１を下面に取付
けた断面ほぼ逆凸字状の金属板である。３は金属板２の
上面に取付けられた熱伝導材で、この熱伝導材３を介し
て金属板２が放熱フィン（後述）の下面に接触してい
る。なお、この熱伝導材３は省略してもよく、この場合
は金属板２が放熱フィンの下面に直接に接触することに
なる。

【００３１】４は金属板２の両肩部２ａ，２ａを両側下
方から支持するセラミックス、８，８はセラミックス４
の上面にあって上方に突設した係合凸部で、金属板２の
外側に設けられ、放熱フィン（後述）側に設けた係合凹
部（後述）に係合させる。９，９はセラミックス４の左
右下面に取付けられたＩ／Ｏピン、１０はセラミックス
４の下方開口部を下方から封止する封止キャップであ
る。１５は封止キャップ１０の下方に封止キャップ１０
とほぼ平行に配設されたプリント基板で、厚み方向に設
けたスルーホール１６にＩ／Ｏピン９を差し込んで半田
１７によって固定してある。

【００３２】６，６はセラミックス４，４の外側におい
てプリント基板１５の上面に取り付けた磁石で、下部を
プリント基板１５のスルーホール１６に差し込んで半田
１７で固定したピン８の上部に取り付けられている。な
お、Ｉ／Ｏピン９やピン１８はプリント基板１５に設け
たスルーホール１６に半田１７を用いて固定している
が、半田１７を使用せずにスルーホール１６に押し込む
ことによって固定したり、磁石６をプリント基板１５に
接着剤等によって直接固定するようにしてもよい。

【００３３】次に、ヒートシンクＡ側について説明する
と、１１は放熱フィンで、ＬＳＩ１が作動して発生した
熱を金属板２から熱伝導材３を通して外部に放出する。
１２，１２は放熱フィン１１の下面で磁石６，６と対向
する位置に接着剤１３，１３によって固定した磁性金属
で、磁石６，６と一定の間隙１９を設けて対向させ、ヒ
ートシンク部Ａを磁力によって基部Ｂ側に引き付けて接
合する。１４，１４は放熱フィン１１の下面に設けた係
合凹部で、セラミックス４の係合凸部８，８に対向させ
てこれと係合させ、放熱フィン１１が重力に対して垂直
に実装されたときのずれを防止する。なお、係合凹部１
４の幅は係合凸部８の幅よりの多少の広がりを持って形
成しているが、この広がりによって係合時や熱膨張差が
生じた際等に係合位置のずれを吸収する。

【００３４】こうして、ヒートシンク部Ａと基部Ｂは接
合されるが、この接合状態において、磁性金属１２と磁
石６が一定の間隙１９を隔てて対向すると共に、係合凹
部１４と係合凸部８、加熱フィン１１の下面と熱伝導材
３（熱伝導材３を設けないときは金属板２）の上面とが
相互に均一に接触するように各構成要素の高さ位置を形
成しておく。

【００３５】上記のように構成した本実施形態の作用を
説明する。ヒートシンク部Ａと基部Ｂとを組み立てるに
は、ヒートシンク部Ａの放熱フィン１１に設けた係合凹
部１４，１４と、基部Ｂのセラミックス４に設けた係合
凸部８，８とを対峙させ、係合させる。こうすると、ヒ
ートシンク部Ａの放熱フィン１１側に設けられた磁性金
属１２，１２と基部Ｂのセラミックス４側に設けた磁石
６，６とが一定の間隙１９を隔てた状態で磁力で引き合
い、また、加熱フィン１１の下面と金属板２の上面に取
り付けた熱伝導材２の上面とが接触して、ヒートシンク
部Ａと基部Ｂとが一体となって固定される。ＬＳＩ１が
作動して熱が発生すると、この熱は金属板２から熱伝導
材３を介して放熱フィン１１に伝導され、ここから外部
に放出されて、ＬＳＩ１の加熱が防止される。

【００３６】したがって、本実施形態によれば、ヒート
シンク部Ａと基部Ｂとの間に熱膨脹差が生じても、両者
Ａ，Ｂの接触部において接触状態のままズレが生じるの
でズレが吸収されてストレスが低減され、また、基部Ｂ
の実装後にヒートシンク部Ａの放熱フィン１１の取り付
けが可能となり、さらに、接着部の経時変化によって接
着強度または放熱効果が低下するということもない。ま
た、一定の間隙１９を介して磁力により固定するので非
接触状態であっても固定できてパッケージの高さバラツ
キや傾斜等を吸収することができ、そのうえ、放熱フィ
ン１１の脱着が可能となる。

【００３７】また、放熱フィン１１の係合凹部１４とセ
ラミックス４の係合凸部８とは相互に係合するようにな
っているので、放熱フィン１１が重力に対して垂直に実
装されたときに垂直方向へのずれを防止することができ
る。さらに、放熱フィン１１の係合凹部１４の幅はセラ
ミクス４の係合凸部８の幅よりの多少の広がりを持って
形成されているので、係合時や熱膨張差が生じた際等に
係合位置のずれを吸収できる。

【００３８】実施形態３ 図３は本発明の第３の実施形態の縦断面図で、上部には
ヒートシンク部Ａが、下部には基部Ｂ（本実施形態では
半導体装置である）が配設されている。まず、パッケー
ジ状に形成された基部Ｂ側から説明すると、２０はＬＳ
Ｉ１とリードフレーム２１と磁性金属１２とを内部にモ
ールドパッケージした半導体装置である。ＬＳＩ１はリ
ードフレーム２１に搭載され、リードフレーム２１の上
部には僅かな距離を隔てて磁性金属１２が設けられてい
る。２２，２２はリードフレーム２１の複数のリード
で、その一部はモールドパッケージ２０ａでモールドさ
れている。８，８はモールドパッケージ２０ａの上面に
おいて上方に突設した係合凸部で、放熱フィン（後述）
側に設けた係合凹部（後述）に係合する。

【００３９】次に、ヒートシンク部Ａ側について説明す
ると、１１は放熱フィンで、ＬＳＩ１が作動して発生し
た熱をリードフレーム２１、磁性金属１２を通して外部
に放出する。２３は放熱フィン１１の下部中央部近傍に
設けた磁石取付穴で、その中に下面が放熱フィン１１の
下面と同一平面になるようにした磁石６が埋設されて、
接着剤７によって固定されている。

【００４０】１４，１４は放熱フィン１１の下面に設け
た係合凹部で、モールドパッケージ２０ａの係合凸部
８，８と対向した位置に設けられ、係合凸部８，８と係
合するようにして、放熱フィン１１が重力に対して垂直
に実装されたときのずれを防止する。なお、係合凹部１
４の幅は係合凸部８の幅よりの広がりを持って形成して
いるが、この広がりによって係合時や熱膨張差が生じた
際等に係合位置のずれを吸収する。このようにして、ヒ
ートシンク部Ａと基部Ｂは接合されるが、この接合状態
において、磁石６、放熱フィン１１の各下面とモールド
パッケージ２０ａの上面、及び係合凹部１４と係合凸部
８とが相互に均一に接触するように各構成要素の高さ位
置を形成しておく。

【００４１】上記のように構成した本実施形態の作用を
説明する。ヒートシンク部Ａと基部Ｂとを組み立てるに
は、放熱フィン１１に設けられた係合凹部１４，１４
と、モールドパッケージ２０ａに設けられた係合凸部
８，８とを対峙させて係合する。こうすると、放熱フィ
ン１１側に設けた磁石６と、モールドパッケージ２０ａ
内に設けた磁性金属１２とが磁力で引き合い、ヒートシ
ンク部Ａと基部Ｂとが一体となって固定される。そして
ＬＳＩ１が作動して熱が発生すると、この熱はリードフ
レーム２１から磁性金属１２を経て放熱フィン１１の磁
石６に伝導され、放熱フィン１１を経て外部に放出され
てＬＳＩ１の加熱が防止される。

【００４２】したがって、本実施形態によれば、ヒート
シンク部Ａと基部Ｂとの間に熱膨張差が生じても、両者
Ａ，Ｂの接触部において接触状態のままズレが生じるの
でズレが吸収されてストレスが低減され、また、放熱フ
ィン１１の脱着が可能となり、さらに、接着部の経時変
化によって接着強度または放熱効率が低下するというこ
ともなく、また、基部Ｂの実装後に放熱フィン１１の取
り付けが可能となり、そのうえ金属をモールドパッケー
ジ２０ａ内にモールドしてあるので基部Ｂ自体の放熱性
が向上する。

【００４３】また、放熱フィン１１の係合凹部１４とモ
ールドパッケージ２０ａの係合凸部８とは相互に係合す
るようになっているので、放熱フィン１１が重力に対し
て垂直に実装されたときに垂直方向へのずれを防止する
ことができる。さらに、放熱フィン１１の係合凹部１４
の幅はモールド樹脂２０の係合凸部８の幅より多少の広
がりを持って形成されているので、係合時や熱膨張差が
生じた際等に係合位置のずれを吸収できる。

【００４４】実施形態４ 図４は本発明の第４の実施形態の縦断面図で、上部には
ヒートシンク部Ａが、下部には基部Ｂ（半導体装置２
０）が配設されている。まず、パッケージ状に形成され
た基部Ｂ側から説明すると、２０ａはＬＳＩ１と鉄系の
リードフレーム２１を内部に樹脂モールドしたモールド
パッケージで、ＬＳＩ１はリードフレーム２１の下面に
取付けられている。２２，２２はリードフレーム２１の
複数のリードで、その一部は樹脂モールドによりモール
ドパッケージ２０ａされている。８，８はモールドパッ
ケージ２０ａの左右上面にあって上方に突設した係合凸
部で、放熱フィン（後述）側に設けた係合凹部（後述）
に係合させる。

【００４５】次に、ヒートシンク部Ａ側について説明す
ると、１１は放熱フィンで、ＬＳＩ１が作動して発生し
た熱をリードフレーム２１を通して外部に放出する。２
３は放熱フィン１１の下部中央部近傍に設けた磁石取付
穴部で、その中に下面が放熱フィン１１の下面と同一平
面になるようした磁石６が埋設されて、接着剤６によっ
て固定されている。

【００４６】１４，１４は放熱フィン１１の下部に設け
た係合凹部で、モールドパッケージ２０ａの係合凸部
８，８と対向した位置に設けられ、係合凸部８，８と係
合するようにして、放熱フィン１１が重力に対して垂直
に実装されたときのずれを防止する。なお、係合凹部１
４の幅は係合凸部８の幅より広がりを持って形成してい
るが、この広がりによって係合時や熱膨張差が生じた際
等に係合位置のずれを吸収する。このようにして、ヒー
トシンク部Ａと基部Ｂは接合されるが、この接合状態に
おいて、磁石６あるいは放熱フィン１１の各下面とモー
ルド樹脂２０上面、係合凹部１４と係合凸部８が相互に
均一に接触するように各構成要素の高さ位置を形成して
おく。

【００４７】上記のように構成した本実施形態におい
て、ヒートシンク部Ａと基部Ｂを組み立てるには、ヒー
トシンク部Ａの放熱フィン１１に設けられた係合凹部１
４，１４と、基部Ｂのモールドパッケージ２０ａに設け
られた係合凸部８，８とを対峙させて係合させる。こう
すると、ヒートシンク部Ａの加熱フィン１１側に設けた
磁石６と、基部Ｂのモールドパッケージ２０ａ内に設け
たリードフレーム２１とが磁力で引き合い、ヒートシン
ク部Ａと基部Ｂとが一体となって固定される。このよう
にして形成されたＬＳＩ１が作動して熱が発生すると、
この熱は鉄系のリードフレーム２１から放熱フィン１１
の磁石６に伝導され、放熱フィン１１を経て外部に放出
されてＬＳＩ１の加熱が防止される。

【００４８】したがって、本実施形態によれば、ヒート
シンク部Ａと基部Ｂとの間に熱膨張差が生じても、両者
Ａ，Ｂの接触部において接触状態のままズレが生じるの
でズレが吸収されてストレスが低減され、また、接着部
の経時変化によって接着強度または放熱効率が低下する
ということもなく、さらに、基部Ｂの実装後にヒートシ
ンク部Ａの放熱フィン１１の取り付けが可能となり、そ
のうえ、放熱フィン１１の脱着が可能となる。

【００４９】また、放熱フィン１１の係合凹部１４とモ
ールドパッケージ２０ａの係合凸部８とは相互に係合す
るようになっているので、放熱フィン１１が重力に対し
て垂直に実装されたときに垂直方向へのずれを防止する
ことができる。さらに、放熱フィン１１の係合凹部１４
の幅はモールド樹脂２０の係合凸部８の幅より多少の広
がりを持って形成されているので、係合時や熱膨張差が
生じた際等に係合位置のずれを吸収できる。

【００５０】実施形態５ 図５は本発明の第５の実施形態の縦断面図で、上部には
ヒートシンク部Ａが、下部には基部Ｂが配設されてい
る。まず、基部Ｂ側から説明すると、１，１はＬＳＩで
あり、３，３はＬＳＩ１，１の上面に取り付けられた熱
伝導材で、この熱伝導材３，３を介して放熱フィン（後
述）の下面に接触している。なお、この熱伝導材３は省
略してもよく、この場合はＬＳＩ１の上面が放熱フィン
の下面に直接に接触することになる。２５，２５はＬＳ
Ｉ１，１の下部に設けたＴＡＢリードである。１５はプ
リント基板で、その上面にＴＡＢリード２５，２５を介
してＬＳＩ１，１が実装されている。２６，２６はＬＳ
Ｉ１，１を実装した位置の外側でプリント基板１５の厚
み方向に設けた金属取付穴２６，２６で、磁性金属１
２，１２が埋め込まれて固定されている。

【００５１】次に、ヒートシンク部Ａ側について説明す
ると、１１は放熱フィンで、ＬＳＩ１，１が作動して発
生した熱を熱伝導材３，３を通して外部に放出する。
６，６は放熱フィン１１の両端部の下面に取り付けた磁
石で、基部Ｂ側に設けた磁性金属１２，１２と一定の間
隙１９を隔てて対向させ、磁力によって放熱フィン１１
と引き合うようにしてある。なお、この磁石６，６は枠
部２７，２７の下方に設けられた穴部２７ａ，２７ａに
嵌め込まれて接着剤７，７によって枠部２７，２７内に
固定され、さらに枠部２７，２７の上面は放熱フィン１
１の下面に接着剤７，７によって固定してある。

【００５２】このようにして、ヒートシンク部Ａと基部
Ｂは接合されるが、このとき、磁石６，６と磁性金属１
２，１２とが一定の間隙１９，１９を隔てて相対すると
共に、放熱フィン１１の下面と熱伝導材３，３（熱伝導
材３，３を設けないときはＬＳＩ１，１）の上面とが相
互に均一に接触するように各構成要素の高さ位置を形成
しておく。

【００５３】上記のように構成した本実施形態の作用を
説明する。ヒートシンク部Ａと基部Ｂを組み立てるに
は、ヒートシンク部Ａの放熱フィン１１下面と基部Ｂの
ＬＳＩ１，１上部の熱伝導材３，３とを相互に接触させ
る。こうすると、ヒートシンク部Ａの放熱フィン１１に
取り付けた磁石６，６と、基部Ｂのプリント基板１５に
取り付けた磁性金属１２，１２とが一定の間隙１９，１
９を介した状態のまま磁力で引き合い、ヒートシンク部
Ａと基部Ｂとが一体となって固定される。ＬＳＩ１，１
が作動して熱が発生すると、この熱は熱伝導材３，３か
ら放熱フィン１１に伝導され、ここから外部に放出され
てＬＳＩ１，１の加熱を防止する。

【００５４】したがって、本実施形態によれば、ヒート
シンク部Ａと基部Ｂとの間に熱膨張差が生じても、両者
Ａ，Ｂの接触部において接触状態のままズレが生じるの
でズレが吸収されてストレスが低減され、また、放熱フ
ィン１１の脱着が可能となり、さらに、接着部の経時変
化によって接着強度または放熱効率が低下するというこ
ともない。

【００５５】実施形態６ 図６は本発明の第６の実施形態の縦断面図で、図の上部
にはヒートシンク部Ａが、下部には基部Ｂが配設されて
いる。まず、基部Ｂ側から説明すると、１，１はＬＳＩ
であり、３，３はＬＳＩ１，１の上面に取り付けられた
熱伝導材で、この熱伝導材３，３を介して放熱フィン
（後述）の下面に接触している。なお、この熱伝導材３
は省略してもよく、この場合はＬＳＩ１の上面が放熱フ
ィン１１の下面に直接に接触することになる。なお、２
８，２８はＬＳＩ１，１の下部に設けたバンプである。
１５はプリント基板で、その上面にバンプ２８，２８を
介してＬＳＩ１，１が実装されている。２９，２９はＬ
ＳＩ１，１を取付けた位置の外側でプリント基板１５の
厚み方向に設けた磁石取付穴で、磁石６，６が埋め込ま
れて固定されている。

【００５６】次に、ヒートシンク部Ａ側について説明す
ると、１１は放熱フィンで、ＬＳＩ１，１が作動して発
生した熱を熱伝導材３，３を通して外部に放出する。１
２，１２は放熱フィン１１の両端部の下面に接着剤７，
７によって取り付けた磁性金属で、基部Ｂ側に設けた磁
石６，６と一定の間隙１９，１９を隔てて対向させ、磁
力によってヒートシンク部Ａと引き合うようにしてあ
る。

【００５７】こうして、ヒートシンク部Ａと基部Ｂとは
接合されるが、このとき、磁性体金属１２，１２と磁石
６，６とが一定の間隙１９，１９を隔てて相対すると共
に、放熱フィン１１の下面と熱伝導材３，３（熱伝導材
３，３を設けないときはＬＳＩ１，１）の上面とが相互
に均一に接触するように各構成要素の高さ位置を形成し
ておく。

【００５８】上記のように構成した本実施形態の作用を
説明する。ヒートシンク部Ａと基部Ｂとを組み立てるに
は、ヒートシンク部Ａの放熱フィン１１下面と基部Ｂの
ＬＳＩ１，１上部の熱伝導材３，３とを相互に接触させ
る。こうすると、ヒートシンク部Ａの放熱フィン１１側
に取り付けた磁性金属１２，１２と基部Ｂの基板１５側
に取り付けた磁石６，６とが一定の間隙１９，１９を隔
てた状態で磁力で引き合い、ヒートシンク部Ａと基部Ｂ
とが一体となって固定される。ＬＳＩ１，１が作動する
と熱が発生するが、この熱は熱伝導材３，３から放熱フ
ィン１１に伝導され、ここから外部に放出されてＬＳＩ
１，１の加熱を防止する。

【００５９】したがって、本実施形態によれば、ヒート
シンク部Ａと基部Ｂとの間に熱膨張差が生じても、両者
Ａ，Ｂの接触部において接触状態のままズレが生じるの
でズレが吸収されてストレスが低減され、また、放熱フ
ィン１１の脱着が可能となり、さらに、接着部の経時変
化によって接着強度または放熱効率が低下するというこ
ともない。

【００６０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、以下に示すような効果がある。 （１） ＬＳＩ等を有する基部に放熱フィン等を有する
ヒートシンク部を取付けるための放熱フィン取付構造で
あって、基部とヒートシンク部のいずれか一方に磁石を
設け他方に磁性金属を設けて磁石と磁性金属を磁力によ
って引き合うようにして基部にヒートシンク部を取付け
たので、ヒートシンク部と基部との間に熱膨張差が生じ
ても接着部にストレスがかかるということがなく、放熱
フィンサイズが制約されることもない。また、放熱フィ
ン脱着が可能で、接着部の接着強度が低下したり放熱効
率が低下するということもない。

【００６１】（２） ＬＳＩとこのＬＳＩと接触する金
属板とこの金属板を支持する絶縁部とを有するパッケー
ジ状の基部と、放熱フィンを有するヒートシンク部とを
備え、基部とヒートシンク部のいずれか一方に磁石を設
けると共に他方に磁性金属を設けたので、ヒートシンク
部と基部との間に熱膨張差が生じても接着部にストレス
がかかるということがなく、放熱フィンサイズが制約さ
れることもなく、放熱フィン脱着が可能で、接着部の接
着強度が低下したり放熱効率が低下するということもな
い。また、基部をＬＳＩとＬＳＩに接触する金属板と金
属板を支持する絶縁部とからパッケージ状に形成したの
で、ＬＳＩ等の保護も十分に行われる。

【００６２】（３） ＬＳＩとこのＬＳＩを支持する金
属板とこの金属板を支持するセラミックスとこのセラミ
クスの上部に上面がセラミックスの上面と同じ高さにな
るように埋設した磁石とからパッケージ状の基部を構成
すると共に、放熱フィンとこの放熱フィンの下面に取付
けた磁性金属とからヒートシンク部を構成したので、ヒ
ートシンク部と基部との間に熱膨張差が生じても接触部
において接触状態のままズレが生じるのでズレが吸収さ
れてストレスが低減される。また、基部の実装後にヒー
トシンク部の放熱フィンの取り付けが可能となり、さら
に、接着部の経時変化によって接着強度または放熱効率
が低下するということもなく、そのうえ基部の脱着が可
能となる。

【００６３】（４） ＬＳＩとこのＬＳＩを支持する金
属板とこの金属板を支持するセラミックスとこのセラミ
ックスの下方に位置しこのセラミックスを支持するプリ
ント基板とこのプリント基板に取付けられた磁石とによ
り基部を構成すると共に、放熱フィンとこの放熱フィン
の下面で磁石と対向する位置に取付けた磁性金属とから
ヒートシンク部を構成したので、ヒートシンク部と基部
との間に熱膨脹差が生じても接触部において接触状態の
ままズレが生じるのでズレが吸収されてストレスが低減
され、また、基部の実装後にヒートシンク部の放熱フィ
ンの取り付けが可能となり、さらに、接着部の経時変化
によって接着強度または放熱効果が低下するということ
もない。また、一定の間隙を隔てて磁力によって固定す
るので非接触状態であっても固定できてパッケージの高
さバラツキや傾斜等を吸収することができ、そのうえ、
基部の脱着が可能となる。

【００６４】（５） 上記（３）又は（４）において、
金属板の上部に熱伝導材を設けてこの熱伝導材を介して
金属板上面と放熱フィン下面とを接触させたので、金属
板と放熱フィンの接触が確実になって熱伝導が迅速容易
になる。

【００６５】（６） ＬＳＩとこのＬＳＩが搭載された
鉄系のリードフレームとこのリードフレームの上部に設
けた磁性金属とをモールド樹脂によって一体にパッケー
ジして基部を構成すると共に、放熱フィンとこの放熱フ
ィンの下部に表面が放熱フィントの表面と同じ高さにな
るように埋設した磁石とからヒートシンク部を構成した
ので、ヒートシンク部と基部との間に熱膨張差が生じて
も接触部において接触状態のままズレが生じるのでズレ
が吸収されてストレスが低減され、また、放熱フィンの
脱着が可能となり、さらに、接着部の経時変化によって
接着強度または放熱効率が低下するということもない。
また、基部の実装後にヒートシンク部の放熱フィンの取
り付けが可能となり、そのうえ金属をモールド樹脂内に
モールドしてあるので基部自体の放熱性が向上する。

【００６６】（７） ＬＳＩが搭載された鉄系のリード
フレームをモールド樹脂によって一体にパッケージして
基部を構成すると共に、放熱フィンとこの放熱フィン下
部に表面が放熱フィントの表面と同じ高さになるように
埋設した磁石とからヒートシンク部を構成したので、ヒ
ートシンク部と基部との間に熱膨張差が生じても接触部
において接触状態のままズレが生じるのでズレが吸収さ
れてストレスが低減され、また、接着部の経時変化によ
って接着強度または放熱効率が低下するということもな
く、さらに、基部の実装後にヒートシンク部の放熱フィ
ンの取り付けが可能となり、そのうえ、放熱フィンの脱
着が可能となる。

【００６７】（８） 基部又はヒートシンク部のいずれ
か一方に係合凹部を設けると共に他方に係合凸部を設け
て両者を係合させるようにしたので、重力に対して垂直
に実装されたときに垂直方向へのずれを防止することが
できる。 （９） 係合凹部の幅を係合凸部の幅よりも広く形成し
たので、係合時や熱膨脹差が生じた際に係合位置のずれ
を吸収することができる。

【００６８】（１０） ＬＳＩが搭載されたプリント基
板により基部を構成し、放熱フィンによりヒートシンク
部を構成すると共に、基部又はヒートシンク部のいずれ
か一方に磁石を設け他方に磁性金属を設けたので、ヒー
トシンク部と基部との間に熱膨張差が生じても接着部に
ストレスがかかるということがなく、放熱フィンサイズ
が制約されることもない。また、放熱フィンの脱着が可
能で、接着部の接着強度が低下したり放熱効率が低下す
るということもなく、その上基部をＬＳＩとＬＳＩを支
持する基板とから形成したので、構造が簡易である。

【００６９】（１１） ＴＡＢリードを介してＬＳＩが
搭載されたプリント基板とこのプリント基板に上面がプ
リント基板の上面と同じ高さになるように埋設した磁性
金属とにより基部を構成すると共に、放熱フィンとこの
放熱フィンの下面に磁性金属に対向して取付けた磁石と
によりヒートシンク部を構成したので、ヒートシンク部
と基部との間に熱膨張差が生じても接触部において接触
状態のままズレが生じるのでズレが吸収されてストレス
が低減され、また、放熱フィンの脱着が可能となり、さ
らに、接着部の経時変化によって接着強度または放熱効
率が低下するということもない。

【００７０】（１２） バンプを介してＬＳＩが搭載さ
れたプリント基板とこのプリント基板に上面がこのプリ
ント基板の上面と同じ高さになるように埋設した磁石と
により基部を構成すると共に、放熱フィンとこの放熱フ
ィンの両側下部に磁石に対向して取付けた磁性金属とか
らヒートシンク部を構成したので、ヒートシンク部と基
部との間に熱膨張差が生じても接触部において接触状態
のままズレが生じるのでズレが吸収されてストレスが低
減され、また、放熱フィンの脱着が可能となり、さら
に、接着部の経時変化によって接着強度または放熱効率
が低下するということもない。 （１３） 上記（１１）又は（１２）において、ＬＳＩ
の上部に熱伝導材を設け、この熱伝導材を介してＬＳＩ
の上面と加熱フィンの下面を接触させるようにしたの
で、金属板と加熱フィンの接触が確実になって熱伝導が
迅速容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の縦断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態の縦断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態の縦断面図である。

【図４】本発明の第４の実施形態の縦断面図である。

【図５】本発明の第５の実施形態の縦断面図である。

【図６】本発明の第６の実施形態の縦断面図である。

【符号の説明】

１ ＬＳＩ ２ 金属板 ３ 熱伝導材 ４ セラミックス ６ 磁石 ８ 係合凸部 １１ 放熱フィン １２ 磁性金属 １４ 係合凹部 １５ プリント基板 １９ 間隙 ２０ 半導体装置 ２０ａ モールドパッケージ ２１ リードフレーム ２５ ＴＡＢリード ２８ バンプ Ａ ヒートシンク部 Ｂ 基部

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＬＳＩ等を有する基部に放熱フィン等を
   有するヒートシンク部を取付けるための放熱フィン取付
   構造であって、 前記基部とヒートシンク部のいずれか一方に磁石を設け
   他方に磁性金属を設けて該磁石と磁性金属とを磁力によ
   って引き合うようにして前記基部に前記ヒートシンク部
   を取付けたことを特徴とする放熱フィン取付構造。
2. 【請求項２】 ＬＳＩと該ＬＳＩと接触する金属板と該
   金属板を支持する絶縁部とを有するパッケージ状の基部
   と、放熱フィンを有するヒートシンク部とを備え、前記
   基部と前記ヒートシンク部のいずれか一方に磁石を設け
   ると共に他方に磁性金属を設け、前記基部の上面と前記
   放熱フィンの下面を接触させると共に前記磁石と前記磁
   性金属を対向させたことを特徴とする請求項１記載の放
   熱フィン取付構造。
3. 【請求項３】 ＬＳＩと該ＬＳＩを支持する金属板と該
   金属板を支持するセラミックスと該セラミクスの上部に
   上面が該セラミックスの上面と同じ高さになるように埋
   設した磁石とからパッケージ状の基部を構成すると共
   に、放熱フィンと該放熱フィンの下面に取付けた磁性金
   属とからヒートシンク部を構成し、前記金属板の上面と
   前記放熱フィンの下面及び前記磁石の上面と前記磁性金
   属の下面とをそれぞれ接触させたことを特徴とする請求
   項２記載の放熱フィン取付構造。
4. 【請求項４】 ＬＳＩと該ＬＳＩを支持する金属板と該
   金属板を支持するセラミックスと該セラミックスの下方
   に位置し該セラミックスを支持するプリント基板と該プ
   リント基板に取付けられた磁石とにより基部を構成する
   と共に、放熱フィンと該放熱フィンの下面に取付けた磁
   性金属とからヒートシンク部を構成し、前記金属板の上
   面と前記加熱フィンの下面を接触させると共に前記磁石
   と前記磁性金属を一定の間隙を設けて対向させるように
   したことを特徴とする請求項２記載の放熱フィン取付構
   造。
5. 【請求項５】 金属板の上部に熱伝導材を設けて該熱伝
   導材を介して前記金属板上面と放熱フィン下面とを接触
   させたことを特徴とする請求項３又は４記載の放熱フィ
   ン取付構造。
6. 【請求項６】 ＬＳＩと該ＬＳＩが搭載された鉄系のリ
   ードフレームと該リードフレームの上方に設けた磁性金
   属とをモールド樹脂によって一体にパッケージして基部
   を構成すると共に、放熱フィンと該放熱フィンの下部に
   下面が該放熱フィントの下面と同じ高さになるように埋
   設した磁石とからヒートシンク部を構成し、前記モール
   ドパッケージの上面に前記加熱フィンの下面及び磁石の
   下面とを接触させて前記磁性金属と前記磁石とを引き合
   うようにしたことを特徴とする請求項２記載の放熱フィ
   ン取付構造。
7. 【請求項７】 ＬＳＩが搭載された鉄系のリードフレー
   ムをモールド樹脂によって一体にパッケージして基部を
   構成すると共に、放熱フィンと該放熱フィンの下部に下
   面が該放熱フィントの下面と同じ高さになるように埋設
   した磁石とからヒートシンク部を構成し、前記モールド
   パッケージの上面と前記加熱フィンの下面及び磁石の下
   面とを接触させて前記モールドパッケージ内のリードフ
   レームと前記磁石とを引き合うようにしたことを特徴と
   する請求項２記載の放熱フィン取付構造。
8. 【請求項８】 基部又はヒートシンク部のいずれか一方
   に係合凹部を設けると共に他方に係合凸部を設けて両者
   を係合させ、重力に対して垂直に実装されたときに垂直
   方向へのずれを防止するようにしたことを特徴とする請
   求項１，２，３，４，５，６又は７記載の放熱フィン取
   付構造。
9. 【請求項９】 係合凹部の幅を係合凸部の幅よりも広く
   形成して、係合時や熱膨脹差が生じた際に係合位置のず
   れを吸収するようにしたことを特徴とする請求項８記載
   の放熱フィン取付構造。
10. 【請求項１０】 ＬＳＩが搭載されたプリント基板によ
    り基部を構成し、放熱フィンによりヒートシンク部を構
    成すると共に、前記基部又はヒートシンク部のいずれか
    一方に磁石を設け他方に磁性金属を設けて、前記ＬＳＩ
    の上面と前記加熱フィンの下面を接触させると共に前記
    磁石と前記磁性金属を対向させたことを特徴とする請求
    項１記載の放熱フィン取付構造。
11. 【請求項１１】 ＴＡＢリードを介してＬＳＩが搭載さ
    れたプリント基板と該プリント基板に上面が該プリント
    基板の上面と同じ高さになるように埋設した磁性金属と
    により基部を構成すると共に、放熱フィンと該放熱フィ
    ンの下面に前記磁性金属に対向して取付けた磁石とによ
    りヒートシンク部を構成し、前記ＬＳＩの上面と加熱フ
    ィンの下面を接触させると共に前記磁性金属と磁石を一
    定の間隙を隔てて対向させるようにしたことを特徴とす
    る請求項１０記載の放熱フィン取付構造。
12. 【請求項１２】 バンプを介してＬＳＩが搭載されたプ
    リント基板と該プリント基板に上面が該プリント基板の
    上面と同じ高さになるように埋設した磁石とにより基部
    を構成すると共に、放熱フィンと該放熱フィンの下面に
    前記磁石に対向して取付けた磁性金属とからヒートシン
    ク部を構成し、前記ＬＳＩの上面と加熱フィンの下面を
    接触させると共に前記磁石と前記磁性金属を一定の間隙
    を隔てて対向させるようにしたことを特徴とする請求項
    １０記載の放熱フィン取付構造。
13. 【請求項１３】 ＬＳＩの上部に熱伝導材を設け、該熱
    伝導材を介して前記ＬＳＩの上面と加熱フィンの下面を
    接触させたことを特徴とする請求項１１又は１２記載の
    放熱フィン取付構造。