JPH09283418A - Semiconductor aligner - Google Patents
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- JPH09283418A JPH09283418A JP11116796A JP11116796A JPH09283418A JP H09283418 A JPH09283418 A JP H09283418A JP 11116796 A JP11116796 A JP 11116796A JP 11116796 A JP11116796 A JP 11116796A JP H09283418 A JPH09283418 A JP H09283418A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板にレチク
ル等のマスクパターンを露光転写する工程に使用される
露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used in a process of exposing and transferring a mask pattern such as a reticle onto a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年半導体メモリの製造分野ではますま
す回路の微細化が進み、要求される回路線幅も０．４μ
ｍに達している。この要求を満たすにはリソグラフイー
工程で回路パターンを露光転写する露光装置の解像力を
向上させなければならない。これについては、投影レン
ズの開口数を大きくすることで解像力の向上を図ってき
たが、開口数の増加は焦点深度を減少させる。このため
投影レンズの焦点深度は非常に短くなった。この非常に
短い焦点深度に対応するためウエハに要求される平面度
が一層厳しくなるのは避けられない。ウエハとウエハチ
ャックとの間に微小な異物、例えばレジスト砕片が挟み
込まれたりすることがあるが、そのようなことが起こる
と、ウエハはその部分で局所的に盛り上がる。そのため
生じた局所的なデフォーカスに起因して、チップ不良を
生じさせ、ひいては露光工程における歩留りを低下させ
ることになる。このような異物をウエハチャック上から
除去するのに、従来は一定期間を置いて、またはチップ
不良の発生毎に露光工程を中断してウエハチャックを作
業者の手に届く位置に移動させ、例えば砥石や無塵布を
用いて手によって異物を除去していた。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor memory manufacturing, circuits are becoming finer and finer, and the required circuit line width is 0.4 μm.
has reached m. In order to meet this requirement, it is necessary to improve the resolving power of an exposure apparatus that exposes and transfers a circuit pattern in a lithographic process. Regarding this, the resolution has been improved by increasing the numerical aperture of the projection lens, but the increase of the numerical aperture decreases the depth of focus. As a result, the depth of focus of the projection lens has become extremely short. It is unavoidable that the flatness required for the wafer becomes more severe in order to cope with this very short depth of focus. A minute foreign matter, such as a resist fragment, may be sandwiched between the wafer and the wafer chuck. When such a thing occurs, the wafer locally rises at that portion. Due to the local defocus that occurs, a chip defect is caused, which in turn lowers the yield in the exposure process. In order to remove such foreign matters from the wafer chuck, conventionally, the exposure process is stopped after a certain period of time or whenever a chip defect occurs, and the wafer chuck is moved to a position where it can be reached by an operator. Foreign substances were removed by hand using a grindstone or a dust-free cloth.
【０００３】この手作業による異物除去は３０分から１
時間程度の時間を要し、それだけ装置の実稼働時間を減
少させ、スループットが低下するという不都合があっ
た。又、作業が空調された露光装置内部で行われるた
め、温度環境が攪乱されたり、作業者により新たなごみ
が搬入される可能性もある。更に、この手作業がＸＹス
テージや投影レンズ、ウエハ観察顕微鏡など、精密に組
まれたユニットの密集空間内で行われるため作業性が極
めて悪いのに加え、誤って周辺のユニットを破損する恐
れもある。This manual removal of foreign matter takes 30 minutes to 1
It takes about time, which reduces the actual operating time of the device and lowers the throughput. Moreover, since the work is performed inside the air-conditioned exposure apparatus, there is a possibility that the temperature environment will be disturbed and that new dust will be carried in by the worker. Further, since this manual work is performed in a dense space of units that are precisely assembled, such as an XY stage, a projection lens, and a wafer observation microscope, workability is extremely poor and there is a risk of accidentally damaging peripheral units. is there.
【０００４】このため露光装置にクリーニング機能を持
たせることが提案され、例えばウエハチャックの面に直
接接触して研磨するクリーニングプレートとＸＹステー
ジとの相互間の反復運動により異物を除去するものや、
無塵布を押しつけてＸＹステージを移動することにより
異物を除去するものがある。For this reason, it has been proposed to provide the exposure apparatus with a cleaning function, for example, to remove foreign matter by repetitive movement between a cleaning plate for directly contacting the surface of a wafer chuck and polishing and an XY stage,
There is one that removes foreign matter by pressing a dust-free cloth and moving the XY stage.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】例えば砥石を用いてウ
エハチャックの面を研磨するクリーニングプレートの場
合、クリーニングの繰り返しにより、ウエハチャック面
を磨耗させ、平面度を低下させるという不都合が生じ
た。またクリーニングプレートが只の平面プレートであ
ると、強固に付着した異物の除去は困難であった。それ
故、ウエハチャックを傷めることなく確実に異物を除去
するクリーニング手段が望まれていた。又、クリーニン
グ部材の駆動機構がＸＹステージの上方にあるためクリ
ーニング動作に起因した駆動機構からの二次的な発塵に
よる新たな異物付着の可能性があった。クリーニング部
材の駆動機構がＸＹステージの上方にあるということ
で、ステージ空間を一定温度かつ超クリーン状態に維持
する温調クリーンエアの流れを妨げてもいた。For example, in the case of a cleaning plate which polishes the surface of the wafer chuck using a grindstone, there is an inconvenience that the wafer chuck surface is abraded and the flatness is lowered by repeated cleaning. Further, if the cleaning plate is a flat plate, it is difficult to remove the foreign matter that is firmly attached. Therefore, there has been a demand for a cleaning unit that reliably removes foreign substances without damaging the wafer chuck. Further, since the drive mechanism of the cleaning member is above the XY stage, there is a possibility that new foreign matter may be attached due to secondary dust generation from the drive mechanism due to the cleaning operation. Since the drive mechanism of the cleaning member is above the XY stage, the flow of temperature-controlled clean air that maintains the stage space at a constant temperature and in an ultra-clean state has been hindered.
【０００６】更に、クリーニング手段によりウエハチャ
ックから除去した異物がクリーニング部材から剥離し
て、飛散したり、再付着を起こすという問題もある。
又、露光装置のスループットの観点から見れば、クリー
ニング作業による稼働中断を最小にしなければならず、
それにはクリーニングのためのＸＹステージの移動領域
もしくはクリーニング部材の移動領域を最小にすること
が肝要である。Further, there is a problem that the foreign matter removed from the wafer chuck by the cleaning means is peeled off from the cleaning member and scattered or redeposited.
Also, from the viewpoint of the throughput of the exposure apparatus, it is necessary to minimize the operation interruption due to the cleaning work,
For that purpose, it is important to minimize the movement area of the XY stage or the movement area of the cleaning member for cleaning.
【０００７】本発明の目的は以上の問題を解消する半導
体露光装置を提供することであり、具体的に言えば、温
調クリーンエアの流れを妨げることなく、異物をウエハ
チャックから効率良く除去するクリーニング手段を設け
た半導体露光装置を提供することである。An object of the present invention is to provide a semiconductor exposure apparatus which solves the above problems. Specifically, foreign matter can be efficiently removed from a wafer chuck without obstructing the flow of temperature controlled clean air. An object of the present invention is to provide a semiconductor exposure apparatus provided with cleaning means.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の第１の局面に係る半導体露光装置は、ＸＹス
テージ上にウエハを吸着するウエハチャックと、このウ
エハチャックのウエハ接触面に付着した異物を除去する
クリーニング手段とを有し、このクリーニング手段はク
リーニングプレートと、このクリーニングプレートを駆
動する機構部とを備え、この機構部はＸＹステージ空調
空間外部又はＸＹステージ空調用のクリーンエアーの風
下もしくは側方に配置され、その機構部の配置位置から
前記のウエハチャックのウエハ接触面へ前記のクリーニ
ングプレートを接近させ、そして機構部の配置位置へ前
記のクリーニングプレートを退去させるようになってい
る。この構成によりクリーニング手段による空調環境へ
の影響は排除されるようになった。In order to achieve the above object, a semiconductor exposure apparatus according to a first aspect of the present invention includes a wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage and a wafer contact surface of the wafer chuck. The cleaning means has a cleaning means for removing the adhering foreign matter, and the cleaning means includes a cleaning plate and a mechanism part for driving the cleaning plate. The mechanism part is outside the XY stage air-conditioned space or clean air for XY stage air conditioning. Is arranged on the leeward side or on the side, and the cleaning plate is brought close to the wafer contact surface of the wafer chuck from the arrangement position of the mechanism portion, and the cleaning plate is retracted to the arrangement position of the mechanism portion. ing. With this configuration, the influence of the cleaning means on the air conditioning environment has been eliminated.
【０００９】又、本発明の第２の局面に係る半導体露光
装置は、ＸＹステージ上にウエハを吸着するウエハチャ
ックと、このウエハチャックのウエハ接触面に付着した
異物を除去するクリーニング手段とを有し、このクリー
ニング手段はクリーニングプレートと、このクリーニン
グプレートを駆動する機構部と、前記ウエハチャックか
ら除去された異物を負圧吸引により回収する手段とを備
えることを特徴としている。この構成によりウエハチャ
ック上から除去した異物の飛散または再付着が防止され
る。The semiconductor exposure apparatus according to the second aspect of the present invention has a wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage and a cleaning means for removing foreign matter adhering to the wafer contact surface of the wafer chuck. However, the cleaning means is characterized by including a cleaning plate, a mechanism portion for driving the cleaning plate, and means for collecting foreign matter removed from the wafer chuck by negative pressure suction. With this configuration, scattering or redeposition of foreign matter removed from the wafer chuck is prevented.
【００１０】本発明の第３の局面に係る半導体露光装置
は、ＸＹステージ上にウエハを吸着するウエハチャック
と、このウエハチャックのウエハ接触面に付着した異物
を除去するクリーニング手段とを有し、このクリーニン
グ手段はクリーニングプレートと、このクリーニングプ
レートを駆動する機構部とを備え、前記のクリーニング
プレートがウエハチャックのウエハ接触面に対面する面
に複数のエッジを有する平面プレートであることを特徴
としている。この構成によりウエハチャックに強固に付
着した異物をも掻き落とすことができる。A semiconductor exposure apparatus according to a third aspect of the present invention has a wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage, and a cleaning means for removing foreign matters adhering to the wafer contact surface of the wafer chuck. The cleaning means includes a cleaning plate and a mechanism portion for driving the cleaning plate, and the cleaning plate is a flat plate having a plurality of edges on the surface facing the wafer contact surface of the wafer chuck. . With this configuration, foreign matter firmly attached to the wafer chuck can be scraped off.
【００１１】上記の各構成において、平面プレートはウ
エハチャックと同一材料であるのが好ましい。平面プレ
ートとウエハチャックとの摺動による平面プレートの磨
耗とウエハチャックの磨耗を最小限に抑えるためであ
る。なお、クリーニングプレートは、ウエハチャックの
ウエハ接触面に対面する面に複数の弾性体突起を有する
平面プレートでもよい。In each of the above structures, the flat plate is preferably made of the same material as the wafer chuck. This is to minimize wear of the flat plate and wear of the wafer chuck due to sliding of the flat plate and the wafer chuck. The cleaning plate may be a flat plate having a plurality of elastic protrusions on the surface facing the wafer contact surface of the wafer chuck.
【００１２】前記機構部は、クリーニングプレートを機
構部の配置位置とウエハチャックのウエハ接触面との間
で往復動させる水平駆動機構と、クリーニングプレート
をウエハチャックのウエハ接触面に対して偏心回転させ
る回転機構とから構成されているのが好ましい。この前
記回転機構に、クリーニングプレートとして前記複数の
エッジを有する平面プレートを取り付けて使用する場
合、複数のエッジが偏心回転よりも小さいピッチの格子
状エッジとする。回転により効率よくエッジが異物を擦
るようにするためである。The mechanism section has a horizontal drive mechanism for reciprocating the cleaning plate between the arrangement position of the mechanism section and the wafer contact surface of the wafer chuck, and rotates the cleaning plate eccentrically with respect to the wafer contact surface of the wafer chuck. It is preferably composed of a rotating mechanism. When the flat plate having the plurality of edges is attached to the rotating mechanism and used as the cleaning plate, the plurality of edges are grid-like edges having a pitch smaller than the eccentric rotation. This is because the edge efficiently scrapes the foreign matter by the rotation.
【００１３】以下に、添付図を参照して本発明の実施例
を説明する。図２を参照して、本発明の露光装置の基本
構成を説明する。図中、１は超高圧水銀灯を持つ照明光
源、２は転写しようとするパターンを描画したレチク
ル、３は縮小投影のためのレンズ、４は被露光基板であ
るウエハである。ウエハ４はＸＹステージ６に載せられ
たウエハチャック５に真空吸着される。ＸＹステージ６
の歩進により所望位置へＸＹステージ６を移して、そこ
でパターン露光を行う。ウエハ４が露光されるＸＹステ
ージ空間は、ゴミ等に起因したパターン欠陥の発生を排
除するため、また温度変化によるＸＹステージの歩進量
の誤差要因を排除するためクリーン度クラス１以下およ
び０．０５℃の温度制御による環境コントロールをウル
パフイルタ７からのエアーフローにより行う。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The basic structure of the exposure apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is an illumination light source having an ultra-high pressure mercury lamp, 2 is a reticle on which a pattern to be transferred is drawn, 3 is a lens for reduction projection, and 4 is a wafer which is a substrate to be exposed. The wafer 4 is vacuum-sucked by the wafer chuck 5 mounted on the XY stage 6. XY stage 6
The XY stage 6 is moved to a desired position by stepping, and pattern exposure is performed there. In the XY stage space where the wafer 4 is exposed, cleanliness class 1 or less and 0. Environmental control by controlling the temperature of 05 ° C. is performed by the air flow from the ULPA filter 7.
【００１４】次に本発明の特徴であるチャッククリーニ
ングの一実施例につき図１を参照して説明する。図中、
８はウエハチャック５をクリーニングするクリーニング
プレートであり、９はクリーニングプレート８の支持部
材、１０はこの支持部材９を案内する直線ガイドであっ
て、これらが駆動系（図示せず）と共に水平駆動機構部
を構成する。チャッククリーニングは露光装置制御部の
指令により、または作業者の指令により機構部の駆動系
により、ステージ空調空間外部の待機位置からクリーニ
ングを行う位置にクリーニングプレート８を送り込む。
一方、ＸＹステージ６はあらかじめ決められたクリーニ
ング位置で静止し、待機している。支持部材９の上下方
向駆動機構（図示せず）によりクリーニングプレート８
をウエハチャック５に対して適正な予圧状態で接触させ
る。更に、支持部材９は平行リング機構によりクリーニ
ングプレート８を回転させる回転機構部を持つ。これに
よりクリーニングプレート８とウエハチャック５とは偏
心した回転により相対運動を行う。ここでは回転運動と
しているが、局所的な反復運動でもよいし、また高周波
振動を機構部で印加して運動させてもよい。このクリー
ニング動作の完了判定は、例えば駆動トルクをモニター
して規定トルク以下の場合に終了判定してもよい。Next, an embodiment of chuck cleaning which is a feature of the present invention will be described with reference to FIG. In the figure,
Reference numeral 8 is a cleaning plate for cleaning the wafer chuck 5, 9 is a supporting member for the cleaning plate 8, 10 is a linear guide for guiding the supporting member 9, and these are horizontal drive mechanisms together with a drive system (not shown). Make up the department. For chuck cleaning, the cleaning plate 8 is sent from a standby position outside the stage air-conditioned space to a position to be cleaned by a drive system of a mechanical unit according to a command from an exposure apparatus control unit or a command from an operator.
On the other hand, the XY stage 6 stands still and stands by at a predetermined cleaning position. The cleaning plate 8 is driven by a vertical drive mechanism (not shown) for the support member 9.
Are brought into contact with the wafer chuck 5 in an appropriate preload state. Further, the support member 9 has a rotation mechanism portion that rotates the cleaning plate 8 by a parallel ring mechanism. As a result, the cleaning plate 8 and the wafer chuck 5 perform relative movement due to eccentric rotation. Here, the rotational motion is used, but it may be a local repetitive motion, or a high-frequency vibration may be applied by the mechanical unit to move. The completion determination of the cleaning operation may be performed, for example, by monitoring the driving torque and determining the completion when the driving torque is equal to or less than the specified torque.
【００１５】クリーニングプレートの一実例を図３を参
照して説明する。図３（ａ）はクリーニングプレートの
クリーニングに使用する面を示す。図３（ｂ）の断面図
から明らかなように格子状の部分は溝となって接触面に
対して凹所を形成し、それにより平面上にエッジ８−ａ
を形成する。機構部の回転動作によりウエハチャック５
上の各点は、少なくとも一回はクリーニングプレートの
各エッジ８−ａを通過することになる。このエッジが強
固に付着したレジスト砕片等の異物を掻き落とす。クリ
ーニングプレートの接触面８−ｂの平面度はウエハチャ
ック５の平面度と同様に高精度に加工されている。図１
の実施例における平行リンクの機構によれば、一回転の
摺動距離が短い上に、複数回のエッジ通過が可能となる
ため、クリーニングプレートとウエハチャックとの摺動
による磨耗や平面度の劣化を起こし難い。An example of the cleaning plate will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows a surface used for cleaning the cleaning plate. As is apparent from the cross-sectional view of FIG. 3B, the lattice-like portion becomes a groove to form a recess with respect to the contact surface, whereby the edge 8-a is formed on the plane.
To form The wafer chuck 5 is rotated by the rotating operation of the mechanical section.
Each of the points above will pass through each edge 8-a of the cleaning plate at least once. This edge scrapes off foreign matter such as resist fragments that are firmly attached. The flatness of the contact surface 8-b of the cleaning plate is processed with high precision like the flatness of the wafer chuck 5. FIG.
According to the parallel link mechanism in the above embodiment, since the sliding distance of one rotation is short and the edge can pass a plurality of times, abrasion and flatness deterioration due to sliding between the cleaning plate and the wafer chuck are caused. Hard to cause.
【００１６】クリーニング動作によりウエハチャック上
より除去した異物を飛散させたり、再付着させないため
クリーニングプレートに負圧吸引用の溝または孔８−ｃ
を設け、異物を吸引除去できるようにしている。Since the foreign matter removed from the wafer chuck by the cleaning operation is not scattered or redeposited, a groove or hole 8-c for sucking a negative pressure is formed in the cleaning plate.
Is provided so that foreign matter can be removed by suction.
【００１７】格子付きのクリーニングプレートの他に、
図４に示すプレートの下面にナイロン等の樹脂突起を多
数埋め込んだブラシ状プレートを用いてもよい。In addition to the cleaning plate with a grid,
You may use the brush-shaped plate which embedded many resin protrusions, such as nylon, in the lower surface of the plate shown in FIG.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明により露光装置のウエハチャック
のクリーニングを短時間で確実に実施でき、半導体露光
装置の非稼働時間を短縮できる。また、クリーニング手
段の存在が半導体露光装置に対して温度環境を擾乱させ
たり、汚染を導入するなどの恐れはない。According to the present invention, the wafer chuck of the exposure apparatus can be reliably cleaned in a short time, and the non-operation time of the semiconductor exposure apparatus can be shortened. Also, there is no fear that the presence of the cleaning means disturbs the temperature environment of the semiconductor exposure apparatus or introduces contamination.
【図１】 半導体露光装置のステージ空間の平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of a stage space of a semiconductor exposure apparatus.
【図２】 半導体露光装置の全体構成図である。FIG. 2 is an overall configuration diagram of a semiconductor exposure apparatus.
【図３】 クリーニングプレートの接触面（ａ）とクリ
ーニングプレートの破断部分の断面図（ｂ）である。FIG. 3 is a sectional view (b) of a contact surface (a) of the cleaning plate and a broken portion of the cleaning plate.
【図４】 クリーニングブラシの破断部分の側面図であ
る。FIG. 4 is a side view of a broken portion of the cleaning brush.
１：照明系、２：レチクル、３：縮小投影レンズ、４：
ウエハ、５：ウエハチャック、６：ＸＹステージ、７：
ウルパフイルター、８：クリーニングプレート、８ａ：
エッジ、８ｂ：チャック接触面、８ｃ：負圧吸引孔、
９：支持部材、１０：直線ガイド、１１：ナイロンブラ
シ。1: Illumination system, 2: Reticle, 3: Reduction projection lens, 4:
Wafer, 5: Wafer chuck, 6: XY stage, 7:
Urpa filter, 8: Cleaning plate, 8a:
Edge, 8b: chuck contact surface, 8c: negative pressure suction hole,
9: Support member, 10: Linear guide, 11: Nylon brush.
Claims (7)
ハチャックと、このウエハチャックのウエハ接触面に付
着した異物を除去するクリーニング手段とを有し、この
クリーニング手段はクリーニングプレートと、このクリ
ーニングプレートを駆動する機構部とを備え、この機構
部はＸＹステージ空調空間外部又はＸＹステージ空調用
のクリーンエアーの風下もしくは側方に配置され、その
機構部の配置位置から前記のウエハチャックのウエハ接
触面へ前記のクリーニングプレートを接近させ、そして
機構部の配置位置へ前記のクリーニングプレートを退去
させることを特徴とする半導体露光装置。1. A wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage, and a cleaning unit for removing foreign matter adhering to a wafer contact surface of the wafer chuck, the cleaning unit including a cleaning plate and the cleaning plate. And a mechanical section for driving the mechanical section. The mechanical section is arranged outside the XY stage air-conditioned space or on the lee side or side of clean air for XY stage air conditioning. From the arrangement position of the mechanical section to the wafer contact surface of the wafer chuck. A semiconductor exposure apparatus, wherein the cleaning plate is moved closer to the mechanical position, and the cleaning plate is retracted to a position where a mechanical portion is arranged.
ハチャックと、このウエハチャックのウエハ接触面に付
着した異物を除去するクリーニング手段とを有し、この
クリーニング手段はクリーニングプレートと、このクリ
ーニングプレートを駆動する機構部と、ウエハチャック
から除去された異物を負圧吸引により回収する手段とを
備えたことを特徴とする半導体露光装置。2. A wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage, and a cleaning means for removing foreign matter adhering to the wafer contact surface of the wafer chuck. The cleaning means includes a cleaning plate and the cleaning plate. A semiconductor exposure apparatus, comprising: a driving mechanism section; and means for collecting foreign matter removed from a wafer chuck by negative pressure suction.
ハチャックと、このウエハチャックのウエハ接触面に付
着した異物を除去するクリーニング手段とを有し、この
クリーニング手段はクリーニングプレートと、このクリ
ーニングプレートを駆動する機構部とを備え、前記のク
リーニングプレートがウエハチャックのウエハ接触面に
対面する面に複数のエッジを有する平面プレートである
ことを特徴とする半導体露光装置。3. A wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage, and a cleaning unit for removing foreign matter adhering to a wafer contact surface of the wafer chuck, the cleaning unit including a cleaning plate and the cleaning plate. A semiconductor exposure apparatus, comprising a driving mechanism section, wherein the cleaning plate is a flat plate having a plurality of edges on a surface facing a wafer contact surface of a wafer chuck.
一材料である請求項１、２または３に記載の半導体露光
装置。4. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the flat plate is made of the same material as the wafer chuck.
ハチャックと、このウエハチャックのウエハ接触面に付
着した異物を除去するクリーニング手段とを有し、この
クリーニング手段はクリーニングプレートと、このクリ
ーニングプレートを駆動する機構部とを備え、前記のク
リーニングプレートがウエハチャックのウエハ接触面に
対面する面に複数の弾性体突起を有する平面プレートで
あることを特徴とする半導体露光装置。5. A wafer chuck for adsorbing a wafer on an XY stage, and a cleaning unit for removing foreign matter adhering to a wafer contact surface of the wafer chuck, the cleaning unit including a cleaning plate and the cleaning plate. A semiconductor exposure apparatus, comprising a driving mechanism section, wherein the cleaning plate is a flat plate having a plurality of elastic protrusions on a surface facing a wafer contact surface of a wafer chuck.
機構部の配置位置とウエハチャックのウエハ接触面との
間で往復動させる水平駆動機構と、クリーニングプレー
トをウエハチャックのウエハ接触面に対して偏心回転さ
せる回転機構とを備えている請求項１、２、３または５
に記載の半導体露光装置。6. The mechanism unit includes a horizontal drive mechanism that reciprocates the cleaning plate between the arrangement position of the mechanism unit and the wafer contact surface of the wafer chuck, and the cleaning plate is eccentric with respect to the wafer contact surface of the wafer chuck. A rotating mechanism for rotating the rotating member.
The semiconductor exposure apparatus according to.
さいピッチの格子状エッジである請求項６に記載の半導
体露光装置。7. The semiconductor exposure apparatus according to claim 6, wherein the plurality of edges are lattice-shaped edges having a pitch smaller than eccentric rotation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116796A JP3450584B2 (en) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Semiconductor exposure equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116796A JP3450584B2 (en) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Semiconductor exposure equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283418A true JPH09283418A (en) | 1997-10-31 |
| JP3450584B2 JP3450584B2 (en) | 2003-09-29 |
Family
ID=14554185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11116796A Expired - Lifetime JP3450584B2 (en) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Semiconductor exposure equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450584B2 (en) |
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