JP2019090884A - Substrate treatment apparatus and article production method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置および物品製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and an article manufacturing method.
近年、半導体メモリの製造分野ではますます回路の微細化が進み、要求される回路線幅は0.01μm以下に達している。この要求を満たすにはリソグラフイー工程で回路パターンを露光によって基板に転写する露光装置の解像力を向上させなければならない。これについては、投影レンズの開口数を大きくすることで解像力の向上を図ってきたが、開口数の増加は焦点深度を減少させる。このため投影レンズの焦点深度は非常に短くなった。この非常に短い焦点深度に対応するために、基板に要求される平面度が厳しくなっている。基板とそれをチャックする基板チャックとの間に微小なパーティクル(異物)、例えばレジスト砕片が挟まることがある。そのようなことが起こると、基板は、パーティクルの上の部分が盛り上がる。そのために局所的なデフォーカスが生じ、これによってチップ不良を生じさせる。これは露光工程における歩留りを低下させる原因とする。 2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor memory manufacturing, circuit miniaturization has been further advanced, and the required circuit line width has reached 0.01 μm or less. In order to satisfy this requirement, it is necessary to improve the resolution of an exposure apparatus which transfers a circuit pattern to a substrate by exposure in a lithography process. In this regard, resolution has been improved by increasing the numerical aperture of the projection lens, but increasing the numerical aperture reduces the depth of focus. Because of this, the depth of focus of the projection lens has become very short. In order to cope with this very short depth of focus, the required flatness of the substrate is becoming severe. Fine particles (foreign matter), for example, resist fragments may be caught between the substrate and the substrate chuck that chucks the substrate. When such a thing happens, the substrate swells up the upper part of the particle. As a result, local defocusing occurs, which causes chip failure. This is a cause of lowering the yield in the exposure process.
特許文献1には、ウエハステージ上のチャックの表面とクリーニング用基板の下面とを接触させて、チャックをその表面に平行な面内で運動させることによってチャックの表面をクリーニングする機能を有する半導体製造装置が記載されている。特許文献2には、ウエハチャックをクリーニングするクリーニングプレートをウエハチャックの表面に接触させクリーニングプレートを回転させることによってウエハチャックの表面をクリーニングする機能を有する半導体露光装置が記載されている。
Patent Document 1 discloses a semiconductor manufacturing having a function of cleaning the surface of the chuck by bringing the surface of the chuck on the wafer stage into contact with the lower surface of the substrate for cleaning and moving the chuck in a plane parallel to the surface. The device is described.
基板チャックのチャック面のクリーニングの繰り返しによりクリーニングプレートのクリーニング面は、摩耗によって平坦度が低下しうる。また、クリーニングプレートを保持するための部材の構造によっても、クリーニングプレートのクリーニング面の平坦度が低下しうる。また、クリーニングプレートを保持するための部材の公差等によっても、クリーニングプレートのクリーニング面の平坦度が低下しうる。クリーニング面の平坦度が低いと、基板チャックのチャック面の要求精度を満たすようにクリーニングすることが難しい。 The repeated cleaning of the chuck surface of the substrate chuck can reduce the flatness of the cleaning surface of the cleaning plate due to wear. In addition, the flatness of the cleaning surface of the cleaning plate can also be reduced by the structure of the member for holding the cleaning plate. In addition, the flatness of the cleaning surface of the cleaning plate may also be reduced due to tolerances of members for holding the cleaning plate. If the flatness of the cleaning surface is low, it is difficult to clean so as to meet the required accuracy of the chuck surface of the substrate chuck.
本発明は、基板チャックのチャック面のクリーニングに有利な技術を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an advantageous technique for cleaning the chuck surface of a substrate chuck.
本発明の1つの側面は、基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、基板をチャックするチャック面を有する基板チャックを保持する基板ステージと、前記基板ステージを駆動するステージ駆動機構と、前記チャック面をクリーニングするためのクリーニング面を有するクリーニングプレートを駆動するプレート駆動機構と、前記クリーニングプレートに対して前記基板チャックが相対的に移動することによって前記チャック面がクリーニングされるように、前記ステージ駆動機構および前記プレート駆動機構の少なくとも一方の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記チャック面の高さ分布を示すチャック面情報と前記クリーニング面の高さ分布を示すクリーニング面情報とに基づいて前記動作を制御する。 One aspect of the present invention relates to a substrate processing apparatus, and the substrate processing apparatus includes a substrate stage for holding a substrate chuck having a chuck surface for chucking a substrate, a stage drive mechanism for driving the substrate stage, and the chuck A plate drive mechanism for driving a cleaning plate having a cleaning surface for cleaning the surface; and the stage driving so that the chuck surface is cleaned by relative movement of the substrate chuck with respect to the cleaning plate A control unit configured to control at least one operation of the mechanism and the plate drive mechanism, the control unit including: chuck surface information indicating a height distribution of the chuck surface; and a cleaning surface indicating a height distribution of the cleaning surface The operation is controlled based on the information.
本発明によれば、基板チャックのチャック面のクリーニングに有利な技術が提供される。 The present invention provides an advantageous technique for cleaning the chucking surface of a substrate chuck.
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。以下では、本発明に係る基板処理装置をパターン形成装置としての露光装置に適用した例を説明するが、本発明は、例えば、プラズマ処理装置、イオン注入装置、研磨装置(CMP装置を含む)または検査装置等のような他の基板処理装置に適用することもできる。また、パターン形成装置の概念には、露光装置の他、インプリント装置が含まれうる。 The invention will now be described through its exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, an example in which the substrate processing apparatus according to the present invention is applied to an exposure apparatus as a pattern forming apparatus will be described, but the present invention relates to, for example, a plasma processing apparatus, an ion implantation apparatus, a polishing apparatus (including a CMP apparatus) or The present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses such as inspection apparatuses and the like. In addition to the exposure apparatus, an imprint apparatus can be included in the concept of the pattern forming apparatus.
図1には、本発明の基板処理装置の一実施形態の露光装置EXの構成が示されている。露光装置EXは、照明系1、原版ステージ3、計測器4、投影光学系5、基板チャック8、基板ステージ13、基板ステージ駆動機構14、計測器7、支持ベース、フォーカス計測器10、プレート駆動機構30および制御部18を備えうる。この明細書および添付図面では、投影光学系5の光軸AXに平行な方向をZ軸とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。
FIG. 1 shows the configuration of an exposure apparatus EX of an embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention. The exposure apparatus EX includes an illumination system 1, an
原版ステージ3は、原版(レチクル)2をチャック(保持)する。原版ステージ3は、不図示の原版ステージ駆動機構によって、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸に関して駆動される。計測器4は、原版ステージ3の位置(X軸、Y軸、Z軸)および姿勢(θX軸、θY軸、θZ軸)を計測する。投影光学系5は、原版2のパターンを基板9に投影する。基板チャック8は、基板9をチャック(保持)する。基板ステージ13は、基板チャック8を保持する。基板ステージ駆動機構14は、X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸、θZ軸に関して基板ステージ13を駆動する。計測器7は、基板ステージ13の位置(X軸、Y軸、Z軸)および姿勢(θX軸、θY軸、θZ軸)を計測する。支持ベース15は、基板ステージ13を支持する。フォーカス計測器10は、基板9の表面の高さおよび姿勢(θX軸、θY軸)を計測する。
The
プレート駆動機構30は、クリーニングプレート20を把持部31によって把持し駆動する。プレート駆動機構30は、例えば、クリーニングプレート20をZ軸およびθZ軸に関して駆動するように構成されうる。クリーニングプレート20は、基板チャック8のチャック面81(基板9をチャックする面)をクリーニングするためのクリーニング面21を有する。制御部18は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
The
図2には、クリーニングプレート20を使って基板チャック8のチャック面81をクリーニングするクリーニング処理が模式的に示されている。基板チャック8のチャック面81のクリーニング処理では、制御部18は、所定の作業領域においてチャック面81にクリーニングプレート20のクリーニング面21が接触するように、基板ステージ駆動機構14およびプレート駆動機構30を制御する。そして、制御部18は、クリーニングプレート20に対してチャック面81が相対的に移動するように基板ステージ駆動機構14の動作を制御する。これによって、基板チャック8のチャック面81のクリーニングがなされる。ここで、制御部18は、チャック面81のクリーニングがなされるように基板ステージ駆動機構14およびプレート駆動機構30の少なくとも一方の動作を制御するように構成されてもよい。制御部18は、チャック面81の高さ分布を示すチャック面情報とクリーニング面21の高さ分布を示すクリーニング面情報とに基づいて駆動制御情報を生成しうる。高さ分布は、2次元空間内の複数の位置における高さをマッピングした情報でありうる。
A cleaning process for cleaning the
図3(a)には、クリーニングプレート20と把持部31との位置関係が例示されている。図3(a)は、下方から見た図である。クリーニング面21は、有効領域61と、非有効領域40とを含み、非有効領域40は、有効領域61より窪んだ窪み領域41を含みうる。有効領域61は、平坦な領域であり、基板チャック8のチャック面81のクリーニング処理において、チャック面81に接触し、チャック面81のクリーニングに寄与する領域である。非有効領域40の窪み領域41は、有効領域61より窪んでいるために、基板チャック8のチャック面81のクリーニング処理において、チャック面81に接触しないか、チャック面81に対する接触圧が有効領域61よりも低い領域である。
The positional relationship between the cleaning
図3(b)には、クリーニング処理におけるクリーニングプレート20に対するチャック面81の相対的な移動が例示的に示されている。制御部18は、クリーニングプレート20に対する基板チャック8(チャック面81)の相対的な移動においてチャック面81の中心Cが、中心Cからずれた点Aの周りを公転するように、該相対的な移動を制御しうる。換言すると、制御部18は、基板チャック8が偏心運動をするように該相対的な移動を制御しうる。有効領域61は、クリーニングプレート20に対して基板チャック8が相対的に移動する期間の一部において窪み領域41がチャック面81に対して対面する対面領域42を含みうる。対面領域42によるチャック面81のクリーニング効果は、有効領域61によるチャック面81のクリーニング効果より低い。
The relative movement of the chucking
制御部18は、クリーニングプレート20に対する基板チャック8の相対的な移動においてクリーニングプレート20の中心が、該中心からずれた点の周りを公転するように、該相対的な移動を制御してもよい。換言すると、制御部18は、クリーニングプレート20が偏心運動をするように該相対的な移動を制御してもよい。
The
窪み領域41は、例えば、把持部31によって把持される領域(即ち、把持部31の構造に起因する領域)でありうる。あるいは、窪み領域41は、基板チャック8のチャック面81のクリーニング処理の繰り返しによってクリーニング面21(有効領域61)が摩耗することによって生じうる。あるいは、窪み領域41は、クリーニングプレート20を保持するための把持部31の公差によって生じうる。θZ軸に関するクリーニングプレート20(クリーニング面21)の姿勢は、方位角AZで示される。θZ軸に関するクリーニングプレート20(クリーニング面21)の姿勢(方位角AZ)は、例えば、プレート駆動機構30によって制御可能である。窪み領域41は、クリーニング面21の高さ分布を示すクリーニング面情報に基づいて特定されうる。
The recessed
図4には、基板チャック8のチャック面81の高さ分布(または、該高さ分布を示すチャック面情報)の一例が模式的に示されている。図4の例において、チャック面81の上にパーティクルPが付着していて、これによってチャック面81に凹凸が形成され、平坦度が低下している。チャック面81は、第1領域(平坦な領域、あるいは、パーティクルPが存在しない領域)と、第1領域より突出した第2領域(パーティクルPが存在する領域)とを含みうる。制御部18は、チャック面情報に基づいて第2領域を特定し、クリーニング面21の有効領域61によってチャック面81の第2領域がクリーニングされるように基板ステージ駆動機構14およびプレート駆動機構30の少なくとも一方の動作を制御しうる。
FIG. 4 schematically shows an example of the height distribution of the
制御部18は、管理部181を含みうる。管理部181は、チャック面情報を該チャック面情報に係るチャック面81を有する基板チャック8と対応付けて管理しうる。あるいは、管理部181は、チャック面情報を基板チャック8と対応付けて管理するとともに、その基板チャック8のチャック面81のクリーニングに使用されるクリーニングプレート20のクリーニング面情報を管理しうる。管理部181は、例えば、新たなチャック面情報を取得する度に、登録されているチャック面情報をその新たなチャック面情報によって更新する。チャック面情報は、不図示の計測装置による計測によって生成されてもよいし、基板チャック8によって基板9がチャックされた状態でフォーカス計測器10によって基板9の全域にわたって基板9の表面の高さを計測することによって生成されてもよい。基板チャック8のチャック面81にパーティクルPが付着している場合、それは基板9の表面の高さ計測の結果に表れうる。基板9の表面が他の領域よりも高い領域を有する場合、チャック面81は、該高い領域の下方にパーティクルを有しうる。
The
図5には、基板チャック8のチャック面81をクリーニングするクリーニング処理の流れが例示的に示されている。このクリーニング処理は、制御部18によって制御される。工程S101では、制御部18は、クリーニングプレート20のクリーニング面21の高さ分布を示すクリーニング面情報を取得する。クリーニング面情報は、クリーニング面21のうち窪み領域41を特定する情報でありうる。あるいは、クリーニング面情報は、クリーニング面21のうち非有効領域40を特定する情報でありうる。あるいは、クリーニング面情報は、クリーニング面21のうち窪み領域41および対面領域42のそれぞれを特定する情報でありうる。クリーニングプレート20が最初に使用される場合には、クリーニング面情報は、クリーニング面21の全域が平坦であることを示す情報(即ち、全域が有効領域61であることを示す情報)であってもよい。以下では、工程S101において、制御部18が図3(a)に示される窪み領域41および対面領域42をそれぞれ特定するクリーニング面情報を取得するものとして説明する。
FIG. 5 exemplarily shows the flow of the cleaning process for cleaning the
工程S102では、制御部18は、基板チャック8のチャック面81の高さ分布を示すチャック面情報を取得する。チャック面情報は、不図示の計測装置による計測によって生成されてもよいし、基板チャック8によって基板9がチャックされた状態でフォーカス計測器10によって基板9の全域にわたって基板9の表面の高さを計測することによって生成されてもよい。あるいは、チャック面情報は、オペレータによって提供されてもよい。以下では、工程S102において、制御部18が図4に示される第2領域(パーティクルPが存在する領域)を特定するチャック面情報を取得するものとして説明する。
In step S <b> 102, the
工程S103では、制御部18は、クリーニングプレート20の複数の方位角AZのそれぞれに関して、窪み領域41と第2領域(パーティクルPが存在する領域)との重なり、および、対面領域42と第2領域との重なりを評価して評価値を求める。例えば、制御部18は、方位角AZを所定角(例えば、1度)ずつ変化させながら、各方位角AZにおいて、窪み領域41と第2領域(パーティクルPが存在する領域)との重なり、および、対面領域42と第2領域との重なりを評価する。この評価は、例えば、各方位角AZについて、窪み領域41と第2領域とが重なる領域の面積、および、対面領域42と第2領域とが重なる領域の面積を求めるものでありうる。また、評価値は、窪み領域41と第2領域とが重なる領域の面積、および、対面領域42と第2領域とが重なる領域の面積でありうる。この場合、評価値としての面積が小さいほど評価結果が優れている。
In step S103, the
工程S104では、制御部18は、工程S103における評価の結果に基づいて、クリーニングプレート20の方位角AZを決定する。方位角AZは、基板チャック8とクリーニングプレート20との相対的な方位角(方位角差)として理解することもできる。方位角AZは、クリーニング処理におけるクリーニングプレート20に対するチャック面81の相対的な移動を制御するパラメータである。一例において、制御部18は、窪み領域41と第2領域とが重なる領域の面積が最も小さいクリーニングプレート20の方位角AZを決定する。ここで、窪み領域41と第2領域とが重なる領域の面積が最も小さいクリーニングプレート20の方位角AZが複数存在する場合には、複数の方位角AZのうち対面領域42と第2領域とが重なる領域の面積が最も小さい方位角AZが選択されうる。あるいは、複数の方位角AZのうちクリーニングプレート20の回転駆動量が最も小さい方位角AZが選択されうる。
In step S104, the
図6には、方位角AZ=0における第2領域(パーティクルPが存在する領域)と窪み領域41との関係、および、第2領域と対面領域42との関係が例示されている。図6の例では、第2領域(パーティクルPが存在する領域)と窪み領域41とが重なった領域が存在する。したがって、AZ=0においてクリーニング処理を実行すると、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルPが除去されない領域が残ることが推定される。また、図6の例では、第2領域と対面領域42とが重なった領域が存在する。よって、第2領域と対面領域42との重なりが存在するという観点でも、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルPが除去されない領域が残ることが推定される。
FIG. 6 exemplifies the relationship between the second region (the region where the particle P is present) and the
図7には、AZ=az1における第2領域(パーティクルPが存在する領域)と窪み領域41との関係、および、第2領域と対面領域42との関係が例示されている。図7の例では、第2領域(パーティクルPが存在する領域)と窪み領域41とが重なった領域が存在しない。したがって、AZ=az1においてクリーニング処理を実行すると、良好なクリーニング結果が得られることが推定される。また、図7の例では、第2領域と対面領域42とが重なった領域も存在しない。よって、第2領域と対面領域42との重なりが存在しないという観点でも、良好なクリーニング結果が得られることが推定される。図7の例における評価結果は、図6の例における評価結果よりも優れている。
FIG. 7 exemplifies the relationship between the second region (the region where the particle P is present) and the
図8には、チャック面81の第2領域(パーティクルPが存在する領域)の配置に関する他の例が示されている。図9には、図8の例の第2領域(パーティクルPが存在する領域)と、AZ=0における窪み領域41および対面領域42との関係が例示されている。図9の例では、AZ=0において、第2領域と窪み領域41とが重なった領域が存在する。したがって、AZ=0においてクリーニング処理を実行すると、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルPが除去されない領域が残ることが推定される。また、図9の例では、第2領域と対面領域42とが重なった領域が存在する。よって、第2領域と対面領域42との重なりが存在するという観点でも、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルPが除去されない領域が残ることが推定される。
FIG. 8 shows another example regarding the arrangement of the second region (the region in which the particle P exists) of the
図10には、図8の例の第2領域(パーティクルPが存在する領域)と、AZ=az2における窪み領域41および対面領域42との関係が例示されている。図10の例では、第2領域(パーティクルPが存在する領域)と窪み領域41とが重なった領域が存在する。したがって、AZ=0においてクリーニング処理を実行すると、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルPが除去されない領域が残ることが推定される。
FIG. 10 illustrates the relationship between the second region (the region where the particle P is present) of the example of FIG. 8 and the
図11には、図8の例の第2領域(パーティクルPが存在する領域)と、AZ=az3における窪み領域41および対面領域42との関係が例示されている。図11の例では、第2領域(パーティクルPが存在する領域)と窪み領域41とが重なった領域が存在しない。したがって、AZ=az3においてクリーニング処理を実行すると、良好なクリーニング結果が得られることが推定される。ただし、図11の例では、第2領域と対面領域42とが重なった領域が存在する。一例では、図8の例のような第2領域の配置において、図9、図10、図11のようなクリーニングプレート20(クリーニング面21)の方位角AZにおける評価結果を比較すると、図11の方位角AZ=az3の評価結果が最も優れている。ここで、図11の方位角AZ=az3においては第2領域と対面領域42とが重なった領域が存在する。仮に第2領域と窪み領域41とが重ならず、かつ、第2領域と対面領域42とが重ならない方位角AZが存在する場合には、その方位角AZにおける評価結果が最も優れていることになる。
FIG. 11 illustrates the relationship between the second region (the region where the particle P is present) in the example of FIG. 8 and the
工程S105では、制御部18は、クリーニングプレート20の方位角AZが工程S104で決定した方位角AZになるようにプレート駆動機構30を制御する。また、工程S105では、制御部18は、基板チャック8のチャック面81にクリーニングプレート20のクリーニング面21が接触するようにプレート駆動機構30を制御する。工程S106では、クリーニングプレート20に対してチャック面81が相対的に移動するように基板ステージ駆動機構14を制御する。クリーニングプレート20に対するチャック面81の相対的な移動は、例えば、図3(b)の例に従いうる。これによって、基板チャック8のチャック面81のクリーニングがなされる。ここで、基板チャック8のチャック面81にクリーニングプレート20のクリーニング面21が接触する前に、基板ステージ駆動機構14による基板チャック8(基板ステージ13)の駆動が開始されてもよい。
In step S105, the
以上の例では、工程S103で求めた評価値に基づいて工程S104でクリーニングプレート20の方位角AZを決定するが、工程S103で求めた評価値に基づいて、クリーニングプレート20に対するチャック面81の相対的な移動の軌跡が決定されてもよい。
In the above example, the azimuth angle AZ of the
工程S107では、制御部18は、基板チャック8のチャック面81の高さ分布を示すチャック面情報を取得する。チャック面情報は、不図示の計測装置による計測によって生成されてもよいし、基板チャック8によって基板9がチャックされた状態でフォーカス計測器10によって基板9の全域にわたって基板9の表面の高さを計測することによって生成されてもよい。
In step S <b> 107, the
工程S108では、制御部18(の管理部181)は、工程S107で取得したチャック面情報に基づいてクリーニング面情報を更新する。例えば、工程S102で取得したチャック面情報が図8のチャック面情報であり、工程S104で決定した方位角AZが図11に示されるようにAZ=az3であり、工程S107で取得したチャック面情報が図12のチャック面情報であるものとする。図12のチャック面情報は、クリーニング処理の後にパーティクルP2が残った領域(クリーニング不良が発生した不良発生領域)があることを示している。これは、クリーニングプレート20のクリーニング面21のうちパーティクルP2が残った領域(不良発生領域)に対面させた領域が、他の領域より窪んだ領域であること意味する。したがって、制御部18は、図13に例示されるように、クリーニング処理の結果に基づいて不良発生領域を特定し、該不良発生領域に対面させた領域が他の領域より窪んだ領域であるものとしてクリーニング面情報を更新しうる。具体的には、制御部18は、窪み領域41、対面領域42をそれぞれ窪み領域41’、対面領域42’に更新しうる。窪み領域41’は、窪み領域41より大きく、対面領域42’は、対面領域42より大きい。
In step S108, (the
このようにして更新されたクリーニング面情報は、次に実行されるクリーニング処理の工程S101において制御部18によって取得される。よって、次に実行されるクリーニング処理では、工程S104において、制御部18は、図14に例示されるようにクリーニングプレート20の方位角AZを方位角AZ=az4に決定することができる。
The cleaning surface information thus updated is acquired by the
上記の例では、工程S108において、1回のクリーニング(工程S106)の結果に基づいてクリーニング面情報を更新するが、複数回のクリーニング(工程S106)の結果に基づいてクリーニング面情報を更新してもよい。また、複数回のクリーニング(工程S106)の結果に基づいて機械学習によってクリーニング面情報を更新してもよい。 In the above example, in step S108, the cleaning surface information is updated based on the result of one cleaning (step S106), but the cleaning surface information is updated based on the result of multiple cleanings (step S106). It is also good. Alternatively, the cleaning surface information may be updated by machine learning based on the results of the plurality of cleanings (step S106).
以上のように、本実施形態によれば、クリーニングプレートのクリーニング面および基板チャックのチャック面の状態に応じてクリーニングを効率的に行うことができる。 As described above, according to the present embodiment, the cleaning can be efficiently performed in accordance with the state of the cleaning surface of the cleaning plate and the chuck surface of the substrate chuck.
以下、本発明の一実施形態の物品製造方法について説明する。物品製造方法は、露光装置EX等のパターン形成装置によって基板にパターンを形成する工程と、パターンが形成された基板の処理を行う工程とを含み、処理が行われた基板から物品を製造する。パターン形成装置が露光装置である場合、基板は、フォトレジスト膜を有する基材であり、パターンを形成する工程において、フォトレジスト膜に原版に対応するパターン(潜像)が形成されうる。パターン(潜像)が形成されたフォトレジスト膜を有する基材が現像処理を受けることによってフォトレジストパターンが形成されうる。フォトレジストパターンは、例えば、基材にパターンを形成したり、基材にイオンを注入したりするために使用されうる。パターン形成装置がインプリント装置である場合、基板の上にインプリント材の硬化物によってパターンが形成される。インプリント材の硬化物によってパターンは、該パターンの下地層をパターニングしたり、基板にイオンを注入したりするために使用されうる。 Hereinafter, an article manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described. The article manufacturing method includes the steps of forming a pattern on a substrate by a pattern forming apparatus such as the exposure apparatus EX, and processing the substrate on which the pattern is formed, and manufacturing an article from the substrate on which the processing has been performed. When the patterning device is an exposure device, the substrate is a base material having a photoresist film, and in the process of forming a pattern, a pattern (latent image) corresponding to an original plate can be formed on the photoresist film. A substrate having a photoresist film on which a pattern (latent image) is formed may be subjected to a development process to form a photoresist pattern. The photoresist pattern can be used, for example, to form a pattern on a substrate or implant ions into a substrate. When the patterning device is an imprint device, a pattern is formed on the substrate by the cured product of the imprint material. Depending on the cured product of the imprint material, the pattern can be used to pattern the underlayer of the pattern or to implant ions into the substrate.
EX:露光装置(基板処理装置)、8:基板チャック、81:チャック面、13:基板ステージ、14:ステージ駆動機構、20:クリーニングプレート、21:クリーニング面、30:プレート駆動機構、40:非有効領域、41:窪み領域、42:対面領域、61:有効領域、AZ:方位角、P:パーティクル EX: exposure apparatus (substrate processing apparatus), 8: substrate chuck, 81: chuck surface, 13: substrate stage, 14: stage drive mechanism, 20: cleaning plate, 21: cleaning surface, 30: plate drive mechanism, 40: non Effective area, 41: hollow area, 42: facing area, 61: effective area, AZ: azimuth angle, P: particle
Claims (13)
前記基板ステージを駆動するステージ駆動機構と、
前記チャック面をクリーニングするためのクリーニング面を有するクリーニングプレートを駆動するプレート駆動機構と、
前記クリーニングプレートに対して前記基板チャックが相対的に移動することによって前記チャック面がクリーニングされるように、前記ステージ駆動機構および前記プレート駆動機構の少なくとも一方の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記チャック面の高さ分布を示すチャック面情報と前記クリーニング面の高さ分布を示すクリーニング面情報とに基づいて前記動作を制御する、
ことを特徴とする基板処理装置。 A substrate stage for holding a substrate chuck having a chucking surface for chucking the substrate;
A stage drive mechanism for driving the substrate stage;
A plate drive mechanism for driving a cleaning plate having a cleaning surface for cleaning the chuck surface;
A control unit configured to control at least one operation of the stage drive mechanism and the plate drive mechanism such that the chuck surface is cleaned by moving the substrate chuck relative to the cleaning plate; ,
The control unit controls the operation based on chuck surface information indicating a height distribution of the chuck surface and cleaning surface information indicating a height distribution of the cleaning surface.
Substrate processing apparatus characterized in that.
前記チャック面は、第1領域と、前記第1領域より突出した第2領域とを含み、
前記制御部は、前記チャック面情報に基づいて前記第2領域を特定し、前記有効領域によって前記第2領域がクリーニングされるように前記動作を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The cleaning surface includes an effective area and an ineffective area, and the ineffective area includes a depressed area recessed from the effective area,
The chucking surface includes a first area and a second area protruding from the first area,
The control unit specifies the second area based on the chuck surface information, and controls the operation such that the second area is cleaned by the effective area.
The substrate processing apparatus according to claim 1,
ことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 The non-effective area includes a facing area in which the recessed area faces the chuck surface in a part of a period in which the substrate chuck moves relative to the cleaning plate.
The substrate processing apparatus according to claim 2, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The control unit controls the operation of the stage drive mechanism such that the center of the chuck surface revolves around a point deviated from the center in relative movement of the substrate chuck with respect to the cleaning plate.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The control unit controls the operation of the plate drive mechanism such that the center of the cleaning surface revolves around a point deviated from the center in the relative movement of the substrate chuck with respect to the cleaning plate.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The control unit determines a relative azimuth angle of the cleaning surface with respect to the chuck surface based on the chuck surface information and the cleaning surface information.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The apparatus further comprises a measuring device that generates the chuck surface information by measurement.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that:
ことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 The measuring device generates the chuck surface information based on a result of measuring a height distribution of the surface of the substrate held by the chuck surface.
The substrate processing apparatus according to claim 7, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The control unit updates the cleaning surface information based on the chuck surface information after cleaning of the chuck surface.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, characterized in that:
ことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 The control unit identifies a failure occurring area in which a cleaning failure has occurred based on the chuck surface information after the cleaning, and an area of the cleaning surface which faces the failure occurring area in the cleaning is another area. Update the cleaning surface information as being a more recessed area,
The substrate processing apparatus according to claim 9, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The control unit includes a management unit that manages the chuck surface information in association with the substrate chuck.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, characterized in that:
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。 It is comprised as a pattern formation apparatus which forms a pattern in the said board | substrate,
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 11, characterized in that:
前記パターンが形成された前記基板の処理を行う工程と、
を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。 Forming a pattern on the substrate by the substrate processing apparatus according to claim 12;
Processing the substrate having the pattern formed thereon;
A method of manufacturing an article from the substrate on which the treatment has been performed.
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