JPH09283069A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH09283069A JPH09283069A JP8091006A JP9100696A JPH09283069A JP H09283069 A JPH09283069 A JP H09283069A JP 8091006 A JP8091006 A JP 8091006A JP 9100696 A JP9100696 A JP 9100696A JP H09283069 A JPH09283069 A JP H09283069A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- ion
- extraction electrode
- slit
- extracting
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スリット幅が一定な引き出し電極では、最適
なイオンビ−ムが得られず、イオン密度の低下及びイオ
ン密度の不均一性を生ずる場合があり、異なるイオン種
に対して最適なスリット幅を設定できない。引き出し電
極２に吸着される僅かなイオンを除去のに定期的な研磨
工程が必要となる。したがって次第に摩耗してスリット
幅が拡大するために、交換せざるを得ず、生産性並びに
経済性を低下する難点があった。 【解決手段】 本発明のイオン注入装置は、加速系を構
成する引き出し電極２に左右及び上下に動ける可動電極
６、７を機械的に設置してスリット幅を可変とすること
を特徴とする。
なイオンビ−ムが得られず、イオン密度の低下及びイオ
ン密度の不均一性を生ずる場合があり、異なるイオン種
に対して最適なスリット幅を設定できない。引き出し電
極２に吸着される僅かなイオンを除去のに定期的な研磨
工程が必要となる。したがって次第に摩耗してスリット
幅が拡大するために、交換せざるを得ず、生産性並びに
経済性を低下する難点があった。 【解決手段】 本発明のイオン注入装置は、加速系を構
成する引き出し電極２に左右及び上下に動ける可動電極
６、７を機械的に設置してスリット幅を可変とすること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイオン注入装置の改
良に係り、特にその加速電極の改良に好適する。
良に係り、特にその加速電極の改良に好適する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置では、イオン源で発生し
たイオンを引き出し電極により引出すのが一般的であ
る。このイオン源及び加速系ａは、図３に明らかなよう
にア−クチャンバ−１に近接して配置された、引出し電
極２並びに接地電極３により構成され、引出し電極２に
はア−クチャンバ−１に対して負の大きな電圧が印加さ
れる。したがってア−クチャンバ−１に生じた正の電荷
を持ったイオンは、引出し電極２により、ア−クチャン
バ−１からイオンビ−ム４として引き出され、引き出し
電極２に設置されたスリット５を通過後、接地電極３に
よって収束後図示しない分析系に移動させる。なお、ア
−クチャンバ−１、引出し電極２並びに接地電極３には
イオンビ−ム４用の開口ａが設置されている。接地電極
３の接地には、図１に明らかなように、ア−クチャンバ
−１と引出し電極２を電気的に接続して行われ、引出し
電極２並びにア−クチャンバ−１にはコンデンサを接続
する。
たイオンを引き出し電極により引出すのが一般的であ
る。このイオン源及び加速系ａは、図３に明らかなよう
にア−クチャンバ−１に近接して配置された、引出し電
極２並びに接地電極３により構成され、引出し電極２に
はア−クチャンバ−１に対して負の大きな電圧が印加さ
れる。したがってア−クチャンバ−１に生じた正の電荷
を持ったイオンは、引出し電極２により、ア−クチャン
バ−１からイオンビ−ム４として引き出され、引き出し
電極２に設置されたスリット５を通過後、接地電極３に
よって収束後図示しない分析系に移動させる。なお、ア
−クチャンバ−１、引出し電極２並びに接地電極３には
イオンビ−ム４用の開口ａが設置されている。接地電極
３の接地には、図１に明らかなように、ア−クチャンバ
−１と引出し電極２を電気的に接続して行われ、引出し
電極２並びにア−クチャンバ−１にはコンデンサを接続
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在用いられている引
き出し電極２では、スリット５の幅が一定であるため
に、種類の違ったイオン種などの場合最適なイオンビ−
ム４が得られず、イオン密度の低下及びイオン密度の不
均一性を生ずる場合がある。
き出し電極２では、スリット５の幅が一定であるため
に、種類の違ったイオン種などの場合最適なイオンビ−
ム４が得られず、イオン密度の低下及びイオン密度の不
均一性を生ずる場合がある。
【０００４】このように異なるイオン種に対して最適な
スリット幅を設定することができないし、更に、引き出
し電極２にあっては、僅かながらイオンを吸着して汚染
される。この吸着物を除去するには、引き出し電極２を
定期的に研磨する必要があるが、次第に摩耗してスリッ
ト幅が拡大するために、交換せざるを得ず、生産性並び
に経済性を低下する難点があった。
スリット幅を設定することができないし、更に、引き出
し電極２にあっては、僅かながらイオンを吸着して汚染
される。この吸着物を除去するには、引き出し電極２を
定期的に研磨する必要があるが、次第に摩耗してスリッ
ト幅が拡大するために、交換せざるを得ず、生産性並び
に経済性を低下する難点があった。
【０００５】本発明は、このような事情により成された
もので、異なる種類のイオンに対応して、最適なイオン
ビ−ムが容易に得られ、更に引出し電極の長寿命化を図
って、経済性並びに生産性を改良した新規なイオン注入
装置を提供する。
もので、異なる種類のイオンに対応して、最適なイオン
ビ−ムが容易に得られ、更に引出し電極の長寿命化を図
って、経済性並びに生産性を改良した新規なイオン注入
装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るイオン注
入装置は、イオンを発生するイオン源と，このイオンを
引き出す加速系と，加速したイオンを選別する分析系
と，選別したイオンを走査する走査系と，このイオンを
検出するファラデ−系と，被注入物を自動的に装填する
搬送系と，被注入物を固定する支持板とを具備し，前記
加速系を構成する引き出し電極のスリット幅を機械的に
可変とすることを特徴とする。
入装置は、イオンを発生するイオン源と，このイオンを
引き出す加速系と，加速したイオンを選別する分析系
と，選別したイオンを走査する走査系と，このイオンを
検出するファラデ−系と，被注入物を自動的に装填する
搬送系と，被注入物を固定する支持板とを具備し，前記
加速系を構成する引き出し電極のスリット幅を機械的に
可変とすることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１及び図２
を参照して説明するが、従来の技術と同一の部品には同
一番号を付す。
を参照して説明するが、従来の技術と同一の部品には同
一番号を付す。
【０００８】本実施例のイオン注入装置では、不可欠な
イオンを発生するイオン源，イオンをひ高電界のもとで
引出す加速系、加速したイオンを選別する分析系，選別
したイオンを走査する走査系，このイオンを検出するフ
ァラデ−系，被注入物を自動的に装填する搬送系と，装
填された被注入物を固定する支持板により構成される。
しかし、本発明にいて改良が施されるイオン源及び加
速系についてのみ説明し、その他は割愛する。
イオンを発生するイオン源，イオンをひ高電界のもとで
引出す加速系、加速したイオンを選別する分析系，選別
したイオンを走査する走査系，このイオンを検出するフ
ァラデ−系，被注入物を自動的に装填する搬送系と，装
填された被注入物を固定する支持板により構成される。
しかし、本発明にいて改良が施されるイオン源及び加
速系についてのみ説明し、その他は割愛する。
【０００９】すなわち本実施例のイオン注入装置におけ
るイオン源並びに加速系ａは、従来のそれと同様に、図
２に示すように、ア−クチャンバ−１、引出し電極２並
びに接地電極３の順に配置して構成される。
るイオン源並びに加速系ａは、従来のそれと同様に、図
２に示すように、ア−クチャンバ−１、引出し電極２並
びに接地電極３の順に配置して構成される。
【００１０】引き出し電極２は、イオン源で発生したイ
オンを引き出す役割りを持っているので、ア−クチャン
バ−１に生じた正の電荷を持ったイオンを、引出し電極
２により、ア−クチャンバ−１からイオンビ−ム４とし
て引き出し、引出し電極２のスリット５を通過後、接地
電極３によって収束後図示しない分析系に移動する。こ
のようなイオンビ−ム４の流れを形成するために、引き
出し電極２には、ア−クチャンバ−１に対して負の大き
な電圧が印加される。
オンを引き出す役割りを持っているので、ア−クチャン
バ−１に生じた正の電荷を持ったイオンを、引出し電極
２により、ア−クチャンバ−１からイオンビ−ム４とし
て引き出し、引出し電極２のスリット５を通過後、接地
電極３によって収束後図示しない分析系に移動する。こ
のようなイオンビ−ム４の流れを形成するために、引き
出し電極２には、ア−クチャンバ−１に対して負の大き
な電圧が印加される。
【００１１】本実施例における引き出し電極２は図１に
明らかにしたように、スリット５に可動電極６を機械的
に取付けてその寸法を可変にする。
明らかにしたように、スリット５に可動電極６を機械的
に取付けてその寸法を可変にする。
【００１２】すなわち、図２に明らかなように、引出し
電極２には、その中央部分に設置された凸部７にスリッ
ト５が形成されており、その間隔は、図１に示すように
可動電極６、７を機械的に取付ることにより可変にす
る。
電極２には、その中央部分に設置された凸部７にスリッ
ト５が形成されており、その間隔は、図１に示すように
可動電極６、７を機械的に取付ることにより可変にす
る。
【００１３】これには対称形の可動電極６、７を引き出
し電極２に左右又は上下に機械的に取付け、その一方を
例えば距離に対応してスライドできるような例えばスラ
イダ−又はねじを引出し電極２に取付けてスリット５を
所定の距離たけ左右に、又は上下に可変にする。なお、
図１には、点線ｂは、一方の可動電極７を動かした状態
を示し、図１の上面図に対応した断面図を図２に又、上
面図の右側には可動電極７を移動後の上面図を明らかに
した。
し電極２に左右又は上下に機械的に取付け、その一方を
例えば距離に対応してスライドできるような例えばスラ
イダ−又はねじを引出し電極２に取付けてスリット５を
所定の距離たけ左右に、又は上下に可変にする。なお、
図１には、点線ｂは、一方の可動電極７を動かした状態
を示し、図１の上面図に対応した断面図を図２に又、上
面図の右側には可動電極７を移動後の上面図を明らかに
した。
【００１４】接地電極３の接地には、図１に示した電気
回路を使用する。
回路を使用する。
【００１５】
【発明の効果】本発明のイオン注入装置では、異なる種
類のイオンに対応して、引出し電極２のスリット幅を設
定できるので最適なイオンビ−ムが得られ、この結果イ
オンビ−ムの密度並びにその均一性を向上できる。
類のイオンに対応して、引出し電極２のスリット幅を設
定できるので最適なイオンビ−ムが得られ、この結果イ
オンビ−ムの密度並びにその均一性を向上できる。
【図１】本発明の一実施例の要部上面図である。
【図２】図１における要部に対応する断面図である。
【図３】従来のイオン注入装置の加速系の要部を示す断
面図である。
面図である。
ａ：イオン源、 １：ア−クチャンバ−、 ２：引出し電極、 ３：接地電極、 ４：イオンビ−ム、 ５：スリット、 ６、７：可動電極、 ８：凸部。
Claims (1)
- 【請求項１】 イオンを発生するイオン源と，このイオ
ンを引き出す加速系と，加速したイオンを選別する分析
系と，選別したイオンを走査する走査系と，このイオン
を検出するファラデ−系と，被注入物を自動的に装填す
る搬送系と，被注入物を固定する支持板とを具備し，前
記加速系を構成する引出し電極のスリット幅を機械的に
可変にすることを特徴とするイオン注入装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8091006A JPH09283069A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8091006A JPH09283069A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283069A true JPH09283069A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14014430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8091006A Pending JPH09283069A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283069A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000182526A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Nec Kyushu Ltd | イオン源装置及びイオンビーム電流制御方法 |
| WO2003058671A3 (en) * | 2002-01-14 | 2004-01-22 | Univ Augsburg | Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation |
| WO2014062515A1 (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source having a shutter assembly |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP8091006A patent/JPH09283069A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000182526A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Nec Kyushu Ltd | イオン源装置及びイオンビーム電流制御方法 |
| WO2003058671A3 (en) * | 2002-01-14 | 2004-01-22 | Univ Augsburg | Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation |
| WO2014062515A1 (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source having a shutter assembly |
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