JPH09275060A - 位置決め方法および露光装置 - Google Patents

位置決め方法および露光装置

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JPH09275060A
JPH09275060A JP8102034A JP10203496A JPH09275060A JP H09275060 A JPH09275060 A JP H09275060A JP 8102034 A JP8102034 A JP 8102034A JP 10203496 A JP10203496 A JP 10203496A JP H09275060 A JPH09275060 A JP H09275060A
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Japan
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interferometer
stage
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mark
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JP8102034A
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Hiroshi Inada
博志 稲田
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 ウエハステージ装置1への高精度な位置決め
が可能で実装が容易な方式の提供。 【解決手段】 装置1は3軸方向に移動可能で、xy軸
への移動と位置決めを行うxyステージ11、Z軸周り
のθ方向の回転位置決めを行う微動ステージ12、及び
干渉計の照面となるバーミラ13から構成される。干渉
計2、3は夫々x、y方向の位置を測る。干渉計4はθ
方向の角度を測る。基準マーク14はステージ12上に
配置され、検出顕微鏡5、6により夫々第1、第2マー
クを検出し、これらの相対位置関係は(x、y)と
し、マーク14が顕微鏡5、6の検出基準と夫々一致す
るようにステージ12を移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、XY平面内の移動
と位置決めを行うXYステージと、Z軸周りの回転と位
置決めを行う微動ステージとからなるウエハステージの
位置決め方法ならびにそれを用いた半導体露光装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】XYθの3軸について、高精度な位置決
めが必要なウエハステージでは、XY平面内の移動と位
置決めを行うXYステージと、Z軸周りの回転位置決め
を行う微動ステージが構成され、また、位置決め対称を
保持する微動ステージには、X,Y方向に干渉計参照面
が設けられ、X軸上に設けられたX干渉計によりX方向
の移動量、Y軸上に設けられたY干渉計によりY方向の
移動量が計測される。また、Y干渉計から一定距離Lず
らしてθ干渉計を設け(以下、θ干渉計は、Y方向の計
測を行う場合について述べているが、X干渉計から一定
距離ずらして設け、X方向の計測を行ってもよい)、θ
方向の回転量Tn は、Y干渉計の計測値Yn とθ干渉計
の計測値Tn 、そしてY干渉計とθ干渉計の距離Lによ
【0003】
【数1】 となる。
【0004】X,Y方向の移動では、X参照面に対する
X干渉計の計測、Y参照面に対するY干渉計の計測によ
り、ウエハステージの位置決めが行われるが、θ方向の
回転がある場合には、微動ステージに設けられたX,Y
両方向の参照面の回転により、X,Y方向の移動量計測
に回転成分による補正を行う(図2参照)。θ方向の回
転量をθn としてX方向にXn 、Y方向にYn 移動する
場合のX,Y干渉計の計測値補正量dXn 、dYn は、
【0005】
【数2】 となる。
【0006】しかし、θ方向の回転量を求めるために用
いた、Y干渉計とθ干渉計の計測軸の間隔Lは、干渉計
の取付け精度に依ってしまい、誤差を含んでいる。よっ
て、ウエハステージのX,Y,θ移動量には、誤差が含
まれることとなる。この誤差を補正する方法として、従
来は、特願平6−316019のように、ステージに所
定の相対位置関係(x0 ,y0 )で配置された第1およ
び第2の基準マークと、その第1および第2の基準マー
クを光学的に検出できる、ウエハステージとは独立して
配置されたマーク検出顕微鏡を用いる、以下の方法が考
案されている。
【0007】図3を参照して説明すると、前記ウエハス
テージ1で、前記Y干渉計3の計測値Yn とθ干渉計4
の計測値Tn との差Yn −Tn を一定に制御し、以降の
θ方向の回転量を一定にする。そして、微動ステージ1
2上の第1の基準マーク14が前記マーク検出顕微鏡5
の検出基準と一致するように前記ウエハステージ1の移
動を行う。この時の前記X干渉計2およびY干渉計3に
よる計測値をそれぞれX1 およびY1 とする。次に前記
ウエハステージ1を、そのウエハステージ上の第2の基
準マーク15が前記マーク検出顕微鏡5の検出基準と一
致するように移動させ、この時の前記X干渉計およびY
干渉計による計測値をそれぞれX2 およびY2 とする。
ここで、前記ウエハステージ上の第1の基準マークと第
2の基準マークの所定の相対位置関係をx0 ,y0 とす
ると、前記(2),(3)式よりウエハステージθ方向
の回転量θr
【0008】
【数3】 と、表すことができる。この移動回転量θr と前記一定
に保持されたY干渉計の計測値とθ干渉計の計測値の差
2 −T2 および(1)式よりY干渉計の光軸とθ干渉
計の光軸の実際の間隔Lr は、
【0009】
【数4】 と求めることができる。そして、以降Y干渉計3、θ干
渉計4の計測値と、求められた2つの計測軸の間隔Lr
によりθ方向の移動(回転)量を高精度に計測でき、そ
の高精度に計測されたθ方向の回転量によってX,Y方
向の移動量の計測値を補正することによりX,Y方向の
移動量も高精度に計測できる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記ウエハス
テージのθ方向の回転量の測定分解能を上げるために前
記Y干渉計の光軸とθ干渉計の光軸の間隔Lは、広く取
られていて、前記従来例において前記Y干渉計の光軸と
θ干渉計の光軸の間隔Lの測定分解能を上げるために
は、前記ウエハステージ上の第1の基準マークと第2の
基準マークの相対位置間隔を前記Y干渉計の光軸とθ干
渉計の光軸の間隔Lと同程度もしくはそれ以上に取る必
要があるが、実際のウエハステージ上には他の構成部品
もあり、広いスパンを持つ第1および第2のマークを配
置するのは難しい。本発明は、上述の従来例における問
題点に鑑みてなされたもので、ウエハステージ等の移動
ステージの高精度な位置決めが可能で移動ステージへの
実装が容易な位置決め方式を提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため本発明では、ウエハ等の平板状物体を保持し
てZ軸回りの回転位置決めを行う微動ステージおよび該
微動ステージを搭載してXY平面内を移動しかつ前記物
体の位置決めを行うXYステージからなる移動ステージ
と、前記XYステージのX方向の移動量を計測するため
のX干渉計およびY方向の移動量を計測するためのY干
渉計と、前記微動ステージのθ方向の移動量を計測する
ための前記XまたはY干渉計の計測軸と平行な関係にあ
る計測軸を持つθ干渉計と、前記微動ステージ上に配置
された前記各干渉計の参照面となるバーミラーと、前記
微動ステージ上に配置されたステージ調整用の基準マー
クと、前記移動ステージとは独立して配置され、前記微
動ステージ上の前記基準マークをそれぞれ検出可能な第
1および第2のマーク検出顕微鏡とを備えた移動ステー
ジ装置において、前記微動ステージにθ方向の任意の回
転量を与え、その回転量を保持したまま前記XYステー
ジを駆動して、前記第1のマーク検出顕微鏡および前記
第2のマーク検出顕微鏡により、前記基準マークと各マ
ーク検出顕微鏡の検出基準とをそれぞれ合致させ、次に
前記基準マークと各マーク検出顕微鏡の検出基準とが合
致したときの前記X干渉計、Y干渉計およびθ干渉計の
それぞれの計測値を検出し、これらの計測値および前記
第1のマーク検出顕微鏡と第2のマーク検出顕微鏡の相
対位置関係より前記微動ステージのθ方向の回転量を算
出し、この算出されたθ方向の回転量と、前記Xまたは
Y干渉計とθ干渉計による計測値より前記XまたはY干
渉計と前記θ干渉計の平行な計測軸の間隔を算出し記憶
した後、X,Y方向の移動量計測時には、その算出し記
憶した軸間隔と前記XまたはY干渉計と前記θ干渉計の
計測値とに基づいて前記移動ステージのθ方向の回転量
を高精度に計測し、その高精度に計測されたθ方向の回
転量をもとに、バーミラーの回転成分の補正を行うこと
を特徴とし、これにより前記移動ステージをX,Y,θ
方向に高精度に位置決めする。
【0012】なお、前記微動ステージにθ方向の任意の
回転量を与え、その回転量を保持したまま前記XYステ
ージを駆動する際には、前記第1のマーク検出顕微鏡お
よび前記第2のマーク検出顕微鏡により、前記基準マー
クと各マーク検出顕微鏡の検出基準とをそれぞれ概略合
致させ、そのときの前記基準マークと各マーク検出顕微
鏡の検出基準とのずれ量を検出し、それらの計測値、ず
れ量および前記第1のマーク検出顕微鏡と第2のマーク
検出顕微鏡の相対位置関係より前記微動ステージのθ方
向の回転量を算出し記憶するようにしてもよい。
【0013】本発明の移動ステージ装置およびその位置
決め方法は、特に半導体露光装置に好適に適用される。
【0014】
【発明の実施の形態】上記目的を達成するため本発明の
実施の一形態では、前記ウエハステージ上に1つの基準
マークを形成する。そして、前記ウエハステージとは独
立して任意の位置に配置され、前記基準マークを光学的
に検出する第1のマーク検出顕微鏡と、Y干渉計とθ干
渉計の光軸の間隔と同程度もしくはそれ以上の第1のマ
ーク検出顕微鏡との相対距離をもって配置された第2の
マーク検出顕微鏡を設け、まず、ウエハステージがθ方
向の回転量を一定に保持するため、前記Y干渉計の計測
値とθ干渉計の計測値との差が一定となるようにステー
ジの位置制御を行い、前記第1および第2のマーク検出
顕微鏡それぞれが前記基準マークを検出するようウエハ
ステージの移動を行う。この時の第1および第2のマー
ク検出顕微鏡がそれぞれ基準マークを検出した時のウエ
ハステージのX,Y方向の移動量と第1のマーク検出顕
微鏡と第2のマーク検出顕微鏡の相対位置関係より、ウ
エハステージに与えられたθ方向の回転量(実測移動
量)を求める。そして、Y干渉計とθ干渉計の計測値の
差と、求められたθ方向の実測移動量によりY干渉計の
光軸とθ干渉計の光軸の間隔が演算により求められる。
そして、以後はY干渉計とθ干渉計の計測値の差と求め
られたY干渉計とθ干渉計の光軸の間隔により、θ方向
の移動回転量を高精度に計測でき、その高精度に計測さ
れたθ方向の回転量によってX,Y方向の移動量の計測
値を補正することによりX,Y方向に移動量も高精度に
計測できる。そして、基準マークが一カ所で済むため、
ウエハステージへの実装が容易になる。
【0015】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明の一実施例に係るウエハステージ装置
の構成を示す斜視図である。同図において、ウエハステ
ージ1はX,Y,θ方向に移動可能で、XY方向の移動
と位置決めを行うXYステージ11、Z軸周りのθ方向
の回転位置決めを行う微動ステージ12、および干渉計
の参照面となるバーミラー13から構成される。X干渉
計2はウエハステージ1のX方向の位置を計測し、Y干
渉計3はウエハステージ1のY方向の位置を計測する。
θ干渉計4はウエハステージ1のθ方向の位置をY干渉
計3と共に計測する。基準マーク14は微動ステージ1
2上に配置される。5はウエハステージ1とは独立して
配置されウエハステージ1上のマーク14を検出可能な
第1のマーク検出顕微鏡、6はウエハステージ1とは独
立して配置されウエハステージ1上のマーク14を検出
可能な第2のマーク検出顕微鏡で、第1のマーク検出顕
微鏡5と第2のマーク検出顕微鏡6は相対位置関係(x
0 ,y0 )で配置されている。
【0016】次に、上記構成において、Y干渉計3とθ
干渉計4の光軸の間隔を高精度に計測し補正を行う方法
について図4を参照して説明する。まず、微動ステージ
12に任意の回転量を与える。以降、微動ステージ12
は回転量を保持する。
【0017】次に、基準マーク14が第1のマーク検出
顕微鏡5の検出基準と一致するように、XYステージ1
1により微動ステージ12を移動させる。そして、一致
した時のX干渉計2の計測値をX1 、Y干渉計3の計測
値をY1 、θ干渉計4の計測値をT1 とする。次に、基
準マーク14が第2のマーク検出顕微鏡6の検出基準と
一致するように、XYステージ11により微動ステージ
12を移動させる。そして、一致した時のX干渉計2の
計測値をX2 、Y干渉計3の計測値をY2 、θ干渉計4
の計測値をT2 とする。
【0018】前記のウエハステージ1の操作により、実
際の微動ステージ12の回転量θrは、第1のマーク検
出顕微鏡5で基準マーク14を検出した時から、第2の
マーク検出顕微鏡6で基準マーク14を検出した時まで
の微動ステージ12のX方向の移動量と第1のマーク検
出顕微鏡5と第2のマーク検出顕微鏡6の相対位置(x
0 ,y0 )より、
【0019】
【数5】 となる。
【0020】また、実際のY干渉計3とθ干渉計4の光
軸の間隔Lr は、Y干渉計3とθ干渉計4の計測値差と
回転量θr より、
【0021】
【数6】 と表せる。
【0022】以降、実際の光軸間隔Lr と、Y干渉計3
の計測値とθ干渉計4の計測値の差より、微動ステージ
12のθ方向の回転量を
【0023】
【数7】 として、求め、この回転量によりX方向の駆動量、Y方
向の駆動量の回転成分の補正を行うことによりX,Y,
θの位置決めを高精度に行うことができる。
【0024】なお、上述においては、微動ステージ12
上の基準マーク14をマーク検出顕微鏡5,6にて検出
する際にマーク検出顕微鏡5,6の検出基準と微動ステ
ージ12上の基準マーク14が一致するようにウエハス
テージ1を移動しているが、図5に示すように、マーク
検出顕微鏡5,6を観察視野内にある微動ステージ12
上の基準マーク14とマーク検出顕微鏡5,6自身の検
出基準とのオフセット量を計測可能とすることで、マー
ク検出顕微鏡5,6の観察視野内に入るようウエハステ
ージ1を移動させ、マーク観察顕微鏡5,6の検出基準
と微動ステージ12上の基準マーク14とのオフセット
量を計測することによっても、同様の補正動作を行うこ
とができる。
【0025】すなわち、図5を参照して、オフセット計
測を行うために、基準マーク14が第1のマーク検出顕
微鏡5の観察視野に入るように、XYステージ11によ
り微動ステージ12を移動させる。そして、この時のX
干渉計2の計測値をX1 、Y干渉計3の計測値をY1
θ干渉計4の計測値をT1 とする。そして第1のマーク
検出顕微鏡5で計測される検出基準と基準マーク14と
のオフセットを(dx1 ,dy1 )とする。次に、基準
マーク14が第2のマーク検出顕微鏡6の観察視野に入
るように、XYステージ11により微動ステージ12を
移動させる。そして、この時のX干渉計2の計測値をX
2 、Y干渉計3の計測値をY2 、θ干渉計4の計測値を
2 とする。そして、第2のマーク検出顕微鏡6で計測
される検出基準と基準マーク14とのオフセットを(d
2 ,dy2 )とする。
【0026】前記のXYステージ11の操作により、実
際の微動ステージ12の回転量θrは、第1のマーク検
出顕微鏡5で、検出基準と基準マーク14のオフセット
を計測した時から、第2のマーク検出顕微鏡6で、検出
基準と基準マーク14のオフセットを計測した時のXY
ステージ11の移動量と第1のマーク検出顕微鏡5と第
2のマーク検出顕微鏡6の相対位置(x0 ,y0 )よ
り、
【0027】
【数8】 となる。
【0028】以下、この実際の微動ステージ12の回転
量θr を用いて同様に補正動作を行える。
【0029】また、半導体露光装置上での第1および第
2のマーク検出顕微鏡は、基準マーク検出用に特別に設
ける必要はなく、ウエハアライメント用の顕微鏡を用い
ることができる。そして、第1および第2のマーク検出
顕微鏡は、相対距離をY干渉計とθ干渉計の光軸の間隔
と同程度もしくはそれ以上に取るために1/5倍の縮小
投影露光装置では、少なくとも一方は、投影光学系を介
さず観察するnon−TTL方式の顕微鏡である必要が
あるが、1/2.5倍から等倍の縮小・等倍露光装置で
は、両顕微鏡ともTTL方式の顕微鏡でも可能である。
【0030】
【発明の効果】本発明によって、微動ステージ上に構成
される基準マークを従来の広いスパンを持つ2つのマー
クから単独の1つのマークにできるので、従来同様高精
度の位置決めが可能で、なおかつ微動ステージ上のマー
クの配置を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係るウエハステージ装置
の斜視図である。
【図2】 ウエハステージの微動ステージ回転時のX,
Y干渉計のθ回転成分補正方法を示す上面図である。
【図3】 従来のY干渉計とθ干渉計の光軸の間隔の補
正方法を示す上面図である。
【図4】 図1のウエハステージ装置におけるY干渉計
とθ干渉計の光軸の間隔の補正方法を示す上面図であ
る。
【図5】 本発明の他の実施例に係る図4と同様の上面
図である。
【符号の説明】
1:ウエハステージ、2:X干渉計、3:Y干渉計、
4:θ干渉計、5:第1のマーク検出顕微鏡、6:第2
のマーク検出顕微鏡、11:XYステージ、12:微動
ステージ、13:バーミラー、14:基準マーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 525X

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平板状物体を保持してZ軸回りの回転位
    置決めを行う微動ステージおよび該微動ステージを搭載
    してXY平面内を移動しかつ前記物体の位置決めを行う
    XYステージからなる移動ステージと、前記XYステー
    ジのX方向の移動量を計測するためのX干渉計およびY
    方向の移動量を計測するためのY干渉計と、前記微動ス
    テージのθ方向の移動量を計測するための前記Xまたは
    Y干渉計の計測軸と平行な関係にある計測軸を持つθ干
    渉計と、前記微動ステージ上に配置された前記各干渉計
    の参照面となるバーミラーと、前記微動ステージ上に配
    置されたステージ調整用の基準マークと、前記移動ステ
    ージとは独立して配置され、前記微動ステージ上の前記
    基準マークをそれぞれ検出可能な第1および第2のマー
    ク検出顕微鏡とを備えた移動ステージ装置において前記
    移動ステージをX,Y,θ方向に高精度に位置決めする
    方法であって、 前記微動ステージにθ方向の任意の回転量を与え、その
    回転量を保持したまま前記XYステージを駆動して、前
    記第1のマーク検出顕微鏡および前記第2のマーク検出
    顕微鏡により、前記基準マークと各マーク検出顕微鏡の
    検出基準とをそれぞれ合致させるステップと、 前記基準マークと各マーク検出顕微鏡の検出基準とが合
    致したときの前記X干渉計、Y干渉計およびθ干渉計の
    それぞれの計測値を検出するステップと、 これらの計測値および前記第1のマーク検出顕微鏡と第
    2のマーク検出顕微鏡の相対位置関係より前記微動ステ
    ージのθ方向の回転量を算出するステップと、 この算出されたθ方向の回転量と、前記XまたはY干渉
    計とθ干渉計による計測値より前記XまたはY干渉計と
    前記θ干渉計の平行な計測軸の間隔を算出し記憶するス
    テップとを具備し、 その算出した軸間隔を記憶した後は、その軸間隔と前記
    XまたはY干渉計と前記θ干渉計の計測値とに基づいて
    前記移動ステージのθ方向の回転量を高精度に計測し、
    その高精度に計測されたθ方向の回転量をもとに、X,
    Y方向の移動量計測時にバーミラーの回転成分の補正を
    行うことを特徴とする位置決め方法。
  2. 【請求項2】 平板状物体を保持してZ軸回りの回転位
    置決めを行う微動ステージおよび該微動ステージを搭載
    してXY平面内を移動しかつ前記物体の位置決めを行う
    XYステージからなる移動ステージと、前記XYステー
    ジのX方向の移動量を計測するためのX干渉計およびY
    方向の移動量を計測するためのY干渉計と、前記微動ス
    テージのθ方向の移動量を計測するための前記Xまたは
    Y干渉計の計測軸と平行な関係にある計測軸を持つθ干
    渉計と、前記微動ステージ上に配置された前記各干渉計
    の参照面となるバーミラーと、前記微動ステージ上に配
    置されたステージ調整用の基準マークと、前記移動ステ
    ージとは独立して配置され、前記微動ステージ上の前記
    基準マークをそれぞれ検出可能な第1および第2のマー
    ク検出顕微鏡とを備えた移動ステージ装置において前記
    移動ステージをX,Y,θ方向に高精度に位置決めする
    方法であって、 前記微動ステージにθ方向の任意の回転量を与え、その
    回転量を保持したまま前記XYステージを駆動して、前
    記第1のマーク検出顕微鏡および前記第2のマーク検出
    顕微鏡により、前記基準マークと各マーク検出顕微鏡の
    検出基準とをそれぞれ概略合致させるステップと、 前記基準マークと各マーク検出顕微鏡の検出基準とが概
    略合致したときの前記X干渉計、Y干渉計およびθ干渉
    計のそれぞれの計測値、および前記基準マークと各マー
    ク検出顕微鏡の検出基準とのずれ量を検出するステップ
    と、 これらの計測値、ずれ量および前記第1のマーク検出顕
    微鏡と第2のマーク検出顕微鏡の相対位置関係より前記
    微動ステージのθ方向の回転量を算出するステップと、 この算出されたθ方向の回転量と、前記XまたはY干渉
    計とθ干渉計による計測値より前記XまたはY干渉計と
    前記θ干渉計の平行な計測軸の間隔を算出し記憶するス
    テップとを具備し、 その算出した軸間隔を記憶した後は、その軸間隔と前記
    XまたはY干渉計と前記θ干渉計の計測値とに基づいて
    前記移動ステージのθ方向の回転量を高精度に計測し、
    その高精度に計測されたθ方向の回転量をもとに、X,
    Y方向の移動量計測時にバーミラーの回転成分の補正を
    行うことを特徴とする位置決め方法。
  3. 【請求項3】 レチクルのパターンをウエハ上に結像投
    影するための投影光学系と、前記レチクルをその投影光
    学系の光軸とほぼ垂直に保持するレチクルステージと、
    XY平面内の移動と位置決めを行うXYステージおよび
    前記ウエハを保持しZ軸回りの回転位置決めを行う微動
    ステージからなるウエハステージと、前記XYステージ
    のX方向の移動量を計測するためのX干渉計およびY方
    向の移動量を計測するためのY干渉計と、前記微動ステ
    ージのθ方向の移動量を計測するための前記X方向また
    はY方向の干渉計の計測軸と平行な関係にある計測軸を
    持つθ干渉計と、前記微動ステージ上に配置された前記
    各干渉計の参照面となるバーミラーと、前記微動ステー
    ジ上に配置されたステージ調整用の基準マークと、前記
    ウエハステージとは独立して配置された顕微鏡で、前記
    微動ステージ上の前記基準マークと顕微鏡自身が持つ検
    出基準との合致を検出可能な第1のマーク検出顕微鏡
    と、前記第1のマーク検出顕微鏡と所定の相対位置関係
    で、前記ウエハステージとは独立して配置された顕微鏡
    で、前記微動ステージ上の前記基準マークと顕微鏡自身
    が持つ検出基準との合致を検出可能な第2のマーク検出
    顕微鏡とを備えた半導体露光装置において、 前記微動ステージをθ方向に任意の回転量を与え、その
    回転量を保持したまま、前記第1のマーク検出顕微鏡お
    よび前記第2のマーク検出顕微鏡により、前記基準マー
    クと各マーク検出顕微鏡の検出基準とをそれぞれ合致さ
    せる手段と、 前記基準マークと各マーク検出顕微鏡の検出基準が合致
    したときの前記X干渉計、Y干渉計およびθ干渉計それ
    ぞれの計測値とおよび前記第1および第2のマーク検出
    顕微鏡の相対位置関係より前記微動ステージのθ方向の
    回転量を算出する手段と、 この算出されたθ方向の回転量と、前記XまたはY干渉
    計とθ干渉計による計測値より前記XまたはY干渉計と
    前記θ干渉計の平行な計測軸の間隔を算出し記憶する手
    段と、 その算出し記憶した軸間隔と前記XまたはY干渉計と前
    記θ干渉計の計測値とに基づいて前記ウエハステージの
    θ方向の回転量を高精度に計測し、その高精度に計測さ
    れたθ方向の回転量をもとに、X,Y方向の移動量計測
    時にバーミラーの回転成分の補正を行う手段とを具備す
    ることを特徴とする露光装置。
JP8102034A 1996-04-02 1996-04-02 位置決め方法および露光装置 Pending JPH09275060A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054732A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Nikon Corp マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009054732A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Nikon Corp マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

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