JPH09274308A - 荷電粒子線露光用分割マスクおよび露光方法 - Google Patents
荷電粒子線露光用分割マスクおよび露光方法Info
- Publication number
- JPH09274308A JPH09274308A JP8372496A JP8372496A JPH09274308A JP H09274308 A JPH09274308 A JP H09274308A JP 8372496 A JP8372496 A JP 8372496A JP 8372496 A JP8372496 A JP 8372496A JP H09274308 A JPH09274308 A JP H09274308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- mask
- alignment mark
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料上に形成されたアライメントマークの領
域の保護露光を、一回の露光で行うことができる荷電粒
子線用分割マスクおよび露光方法の提供。 【解決手段】 マスク１上の副視野５ａの少なくとも１
つには、ウエハ７上のアライメントマーク３が形成され
た領域３ａの全面を１回のショットで露光することがで
きるパターン２を設けた。その結果、副視野５ａに形成
されたパターン２をウエハ７上のアライメントマーク３
が形成された領域３ａに１回のショットで露光転写する
ことにより、レジスト現像後にアライメントマーク３が
形成された領域３ａ全面にレジストが残り、そのレジス
トによってアライメントマーク３が保護される。
域の保護露光を、一回の露光で行うことができる荷電粒
子線用分割マスクおよび露光方法の提供。 【解決手段】 マスク１上の副視野５ａの少なくとも１
つには、ウエハ７上のアライメントマーク３が形成され
た領域３ａの全面を１回のショットで露光することがで
きるパターン２を設けた。その結果、副視野５ａに形成
されたパターン２をウエハ７上のアライメントマーク３
が形成された領域３ａに１回のショットで露光転写する
ことにより、レジスト現像後にアライメントマーク３が
形成された領域３ａ全面にレジストが残り、そのレジス
トによってアライメントマーク３が保護される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線露光用
分割マスクおよび露光方法に関する。
分割マスクおよび露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線リソグラフィでは、レジスト
が塗布されたウエハ上に荷電粒子線を照射して、照射さ
れた部分のレジストを感光させる。その後、レジストが
現像処理され、ウエハのエッチング等の処理が行われ
る。ところで、ウエハ上にはアライメントマークが形成
されており、このアライメントマークを検出器で検出す
ることによってウエハの位置決めが行われる。そして、
上述したエッチング等の際にアライメントマークがエッ
チングされたりしないように、多くの場合、アライメン
トマークが形成された領域のレジストは現像の際に残す
ようにしている。すなわち、ネガレジストを使用した場
合、アライメントマークが形成された領域をレジスト現
像前に予め露光して感光させておく。従来、一般的に使
用されている可変成形ビームを用いた露光方法では、図
３に示すように可変成形ビーム７を走査してアライメン
トマーク３が形成された領域３ａの全面を塗り潰すよう
に露光する。
が塗布されたウエハ上に荷電粒子線を照射して、照射さ
れた部分のレジストを感光させる。その後、レジストが
現像処理され、ウエハのエッチング等の処理が行われ
る。ところで、ウエハ上にはアライメントマークが形成
されており、このアライメントマークを検出器で検出す
ることによってウエハの位置決めが行われる。そして、
上述したエッチング等の際にアライメントマークがエッ
チングされたりしないように、多くの場合、アライメン
トマークが形成された領域のレジストは現像の際に残す
ようにしている。すなわち、ネガレジストを使用した場
合、アライメントマークが形成された領域をレジスト現
像前に予め露光して感光させておく。従来、一般的に使
用されている可変成形ビームを用いた露光方法では、図
３に示すように可変成形ビーム７を走査してアライメン
トマーク３が形成された領域３ａの全面を塗り潰すよう
に露光する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、矩形状
の可変成形ビーム７の大きさは一辺が数μｍ程度であっ
て、アライメントマーク３の大きさ（すなわち領域３ａ
の大きさ）と比較して小さいため、上述したように領域
３ａを走査しなければならず、作業時間がかかるという
欠点がある。また、分割マスクを用いてパターンを転写
する方式では上述したようなアライメントマークを保護
するための露光は提案されていない。
の可変成形ビーム７の大きさは一辺が数μｍ程度であっ
て、アライメントマーク３の大きさ（すなわち領域３ａ
の大きさ）と比較して小さいため、上述したように領域
３ａを走査しなければならず、作業時間がかかるという
欠点がある。また、分割マスクを用いてパターンを転写
する方式では上述したようなアライメントマークを保護
するための露光は提案されていない。
【０００４】本発明の目的は、試料上に形成されたアラ
イメントマークの領域の保護露光を、１回のショットで
露光することができる荷電粒子線用分割マスクおよび露
光方法を提供することにある。
イメントマークの領域の保護露光を、１回のショットで
露光することができる荷電粒子線用分割マスクおよび露
光方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、試料
７上に転写すべきパターンが分割されて複数の副視野５
に形成されている荷電粒子線用分割マスク１に適用さ
れ、副視野５ａの少なくとも１つには、試料７上のアラ
イメントマーク３が形成された領域３ａの全面を１回の
ショットで露光することができる保護露光用パターン２
が設けられて上述の目的を達成する。請求項２の発明
は、請求項１に記載の荷電粒子線露光用分割マスク１を
用いた試料７上のアライメントマーク３を保護するため
の露光方法であって、保護露光用パターン２が形成され
た副視野５ａに荷電粒子線４を照射して、アライメント
マーク３が形成された領域３ａの全面を１ショットで露
光するようにしたことによって上述の目的を達成する。
請求項３の発明は、請求項２に記載の露光方法におい
て、試料７上に転写すべきパターン６を転写露光する前
または後に、試料７上のアライメントマーク３が形成さ
れた複数の領域３ａの全てに保護露光用パターン２をま
とめて転写するようにした。なお、本明細書において
「まとめて転写する」とは、保護露光用パターン２の転
写プロセスにおいて保護露光用パターン２を複数の領域
３ａに順に転写することを意味する。
図１に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、試料
７上に転写すべきパターンが分割されて複数の副視野５
に形成されている荷電粒子線用分割マスク１に適用さ
れ、副視野５ａの少なくとも１つには、試料７上のアラ
イメントマーク３が形成された領域３ａの全面を１回の
ショットで露光することができる保護露光用パターン２
が設けられて上述の目的を達成する。請求項２の発明
は、請求項１に記載の荷電粒子線露光用分割マスク１を
用いた試料７上のアライメントマーク３を保護するため
の露光方法であって、保護露光用パターン２が形成され
た副視野５ａに荷電粒子線４を照射して、アライメント
マーク３が形成された領域３ａの全面を１ショットで露
光するようにしたことによって上述の目的を達成する。
請求項３の発明は、請求項２に記載の露光方法におい
て、試料７上に転写すべきパターン６を転写露光する前
または後に、試料７上のアライメントマーク３が形成さ
れた複数の領域３ａの全てに保護露光用パターン２をま
とめて転写するようにした。なお、本明細書において
「まとめて転写する」とは、保護露光用パターン２の転
写プロセスにおいて保護露光用パターン２を複数の領域
３ａに順に転写することを意味する。
【０００６】請求項１および２の発明では、ネガレジス
トの場合、副視野５ａに形成された保護露光用パターン
２を試料７上の領域３ａに１回のショットで転写露光す
ることによって、レジスト現像後に領域３ａ全面にレジ
ストが残る。請求項３の発明では、全てのパターン６を
転写露光する前または後に、全ての領域３ａに保護マー
ク２をまとめて転写する。
トの場合、副視野５ａに形成された保護露光用パターン
２を試料７上の領域３ａに１回のショットで転写露光す
ることによって、レジスト現像後に領域３ａ全面にレジ
ストが残る。請求項３の発明では、全てのパターン６を
転写露光する前または後に、全ての領域３ａに保護マー
ク２をまとめて転写する。
【０００７】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図１および図２を参照して
本発明の実施の形態を説明する。図２は本発明による荷
電粒子線露光用分割マスクの一実施の形態を示す図であ
る。分割マスク１は図のように複数の副視野５に分割さ
れており、各副視野５にはパターン６（詳細は省略）が
形成されている。マスク１の図示左下の５ａも副視野の
一つであり、この副視野５ａには後述する領域３ａに対
応する透過パターン２が形成されている。
本発明の実施の形態を説明する。図２は本発明による荷
電粒子線露光用分割マスクの一実施の形態を示す図であ
る。分割マスク１は図のように複数の副視野５に分割さ
れており、各副視野５にはパターン６（詳細は省略）が
形成されている。マスク１の図示左下の５ａも副視野の
一つであり、この副視野５ａには後述する領域３ａに対
応する透過パターン２が形成されている。
【０００９】図１は、図２に示したマスク１を用いてウ
エハ７上のアライメントマーク３の領域３ａを露光する
方法を説明する図である。パターン２がウエハ７の領域
３ａに露光できるように副視野５ａを所定の位置に移動
し、副視野５ａに荷電粒子線４を１ショットだけ照射し
ウエハ７を露光する。パターン２部分に照射された荷電
粒子線４はマスク１を透過し、ウエハ７の領域３ａに照
射されて領域３ａ上に塗布されたネガレジストを感光さ
せる。その結果、このウエハ７を現像したときに領域３
ａ上のレジストが残るため、その後のエッチング等の処
理においてアライメントマーク３はレジストによって保
護される。ウエハ７に複数のアライメントマーク３が有
る場合には、各々の領域３ａに副視野５ａのパターン２
を順に転写するようにすればよい。その場合、各副視野
５のパターン６を露光する前、または露光後にまとめて
パターン２を転写するようにすれば、マスク１の露光作
業時間を短縮することができる。
エハ７上のアライメントマーク３の領域３ａを露光する
方法を説明する図である。パターン２がウエハ７の領域
３ａに露光できるように副視野５ａを所定の位置に移動
し、副視野５ａに荷電粒子線４を１ショットだけ照射し
ウエハ７を露光する。パターン２部分に照射された荷電
粒子線４はマスク１を透過し、ウエハ７の領域３ａに照
射されて領域３ａ上に塗布されたネガレジストを感光さ
せる。その結果、このウエハ７を現像したときに領域３
ａ上のレジストが残るため、その後のエッチング等の処
理においてアライメントマーク３はレジストによって保
護される。ウエハ７に複数のアライメントマーク３が有
る場合には、各々の領域３ａに副視野５ａのパターン２
を順に転写するようにすればよい。その場合、各副視野
５のパターン６を露光する前、または露光後にまとめて
パターン２を転写するようにすれば、マスク１の露光作
業時間を短縮することができる。
【００１０】上述した実施の形態では、マスク１にパタ
ーン２が形成された副視野５ａが一つだけ設けられてい
たが、複数設けてもよい。この場合、アライメントマー
クに近い位置に設けられた副視野を用いてパターン２を
転写露光することより、アライメントマークの保護露光
を効率良く行うことができる。さらに、パターン２の形
状を矩形としたが、アライメントマーク３が保護できる
パターンであれば他の形状でもよい。また、上述した実
施の形態では、ウエハ上に形成されたアライメントマー
クについて説明したが、例えば、液晶表示素子のガラス
基板上に設けられたアライメントマークについても適用
することができる。
ーン２が形成された副視野５ａが一つだけ設けられてい
たが、複数設けてもよい。この場合、アライメントマー
クに近い位置に設けられた副視野を用いてパターン２を
転写露光することより、アライメントマークの保護露光
を効率良く行うことができる。さらに、パターン２の形
状を矩形としたが、アライメントマーク３が保護できる
パターンであれば他の形状でもよい。また、上述した実
施の形態では、ウエハ上に形成されたアライメントマー
クについて説明したが、例えば、液晶表示素子のガラス
基板上に設けられたアライメントマークについても適用
することができる。
【００１１】以上説明した発明の実施の形態と特許請求
の範囲の事項との対応において、パターン２は保護露光
用パターンを、ウエハ７は試料をそれぞれ構成する。
の範囲の事項との対応において、パターン２は保護露光
用パターンを、ウエハ７は試料をそれぞれ構成する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
副視野に形成された保護露光用パターンを試料上のアラ
イメントマークが形成された領域に１回のショットで露
光転写することによって、レジスト現像後にアライメン
トマークが形成された領域全面にレジストが残り、その
レジストによってアライメントマークが保護される。そ
のため、アライメントマーク保護のための露光時間を短
縮することができる。請求項３の発明によれば、試料上
に形成された複数のアライメントマークの領域の全てに
保護露光用パターンを転写する際、試料に転写すべきパ
ターンを転写露光する前または後にまとめて転写するた
め、試料の露光作業時間を短縮することができる。
副視野に形成された保護露光用パターンを試料上のアラ
イメントマークが形成された領域に１回のショットで露
光転写することによって、レジスト現像後にアライメン
トマークが形成された領域全面にレジストが残り、その
レジストによってアライメントマークが保護される。そ
のため、アライメントマーク保護のための露光時間を短
縮することができる。請求項３の発明によれば、試料上
に形成された複数のアライメントマークの領域の全てに
保護露光用パターンを転写する際、試料に転写すべきパ
ターンを転写露光する前または後にまとめて転写するた
め、試料の露光作業時間を短縮することができる。
【図１】露光方法を説明する図。
【図２】本発明による荷電粒子線露光用分割マスクの一
実施の形態を示す図。
実施の形態を示す図。
【図３】従来の露光法方を説明する図。
１ マスク ２，６ パターン ３ アライメントマーク ３ａ 領域 ４ 荷電粒子線 ５，５ａ 副視野 ７ ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 試料上に転写すべきパターンが分割され
て複数の副視野に形成されている荷電粒子線用分割マス
クにおいて、 前記副視野の少なくとも１つには、前記試料上のアライ
メントマークが形成された領域の全面を１回のショット
で露光することができる保護露光用パターンが設けられ
ていることを特徴とする荷電粒子線露光用分割マスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の荷電粒子線露光用分割
マスクを用いた前記試料上のアライメントマークを保護
するための露光方法であって、 前記保護露光用パターンが形成された副視野に荷電粒子
線を照射して、前記アライメントマークが形成された領
域の全面を１ショットで露光するようにしたことを特徴
とする露光方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の露光方法において、 前記試料上に転写すべきパターンを転写露光する前また
は後に、前記試料上のアライメントマークが形成された
複数の領域の全てに前記保護露光用パターンをまとめて
転写するようにしたことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8372496A JPH09274308A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 荷電粒子線露光用分割マスクおよび露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8372496A JPH09274308A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 荷電粒子線露光用分割マスクおよび露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09274308A true JPH09274308A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13810474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8372496A Pending JPH09274308A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 荷電粒子線露光用分割マスクおよび露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09274308A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046845A1 (fr) * | 1999-02-02 | 2000-08-10 | Nikon Corporation | Procede pour detecter une marque d'alignement dans un appareil d'exposition aux faisceaux de particules chargees |
| KR100529575B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2006-02-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 기판 제조 방법 |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP8372496A patent/JPH09274308A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529575B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2006-02-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 기판 제조 방법 |
| WO2000046845A1 (fr) * | 1999-02-02 | 2000-08-10 | Nikon Corporation | Procede pour detecter une marque d'alignement dans un appareil d'exposition aux faisceaux de particules chargees |
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