JPH09266150A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH09266150A JPH09266150A JP8073029A JP7302996A JPH09266150A JP H09266150 A JPH09266150 A JP H09266150A JP 8073029 A JP8073029 A JP 8073029A JP 7302996 A JP7302996 A JP 7302996A JP H09266150 A JPH09266150 A JP H09266150A
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- Japan
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- projection lens
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- reduction projection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、露光工程における作業効率の改善
と、費用の削減が可能な露光装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 紫外線光源１と、シャッター２と、縮小
投影レンズ５と、Ｘ−Ｙステージ６とを有しており、従
来のレチクルに代わって制御装置９が配線１１で接続さ
れた複数台の透過型表示装置８が設置されている。この
制御装置９からの駆動信号により透過型表示装置８上に
光を透過または遮蔽する領域が形成され、任意のマスク
パターン３を実現することができる。そして、各透過型
表示装置８にはセル単位毎に光ファイバー１０が設けら
れており、この光ファイバー１０によりマスクパターン
３が縮小投影レンズ５に導かれることで、より高密度な
マスクパターンが実現できる。
と、費用の削減が可能な露光装置を提供することにあ
る。 【解決手段】 紫外線光源１と、シャッター２と、縮小
投影レンズ５と、Ｘ−Ｙステージ６とを有しており、従
来のレチクルに代わって制御装置９が配線１１で接続さ
れた複数台の透過型表示装置８が設置されている。この
制御装置９からの駆動信号により透過型表示装置８上に
光を透過または遮蔽する領域が形成され、任意のマスク
パターン３を実現することができる。そして、各透過型
表示装置８にはセル単位毎に光ファイバー１０が設けら
れており、この光ファイバー１０によりマスクパターン
３が縮小投影レンズ５に導かれることで、より高密度な
マスクパターンが実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに塗
布されたレジストに所定のパターンを転写するために使
用される露光装置に関する。
布されたレジストに所定のパターンを転写するために使
用される露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レチクルに形成されたマスク
パターンを半導体ウエハの表面に塗布したレジストに転
写するために露光装置が使用されている。この露光装置
は、図２に示すように、紫外線光源１と、シャッター２
と、マスクパターン３が形成されたレチクル４と、縮小
投影レンズ５と、Ｘ−Ｙステージ６とで構成されてい
る。このＸ−Ｙステージ６上にはパターン転写の対象物
である、レジストが塗布された半導体ウエハ７が搭載さ
れている。
パターンを半導体ウエハの表面に塗布したレジストに転
写するために露光装置が使用されている。この露光装置
は、図２に示すように、紫外線光源１と、シャッター２
と、マスクパターン３が形成されたレチクル４と、縮小
投影レンズ５と、Ｘ−Ｙステージ６とで構成されてい
る。このＸ−Ｙステージ６上にはパターン転写の対象物
である、レジストが塗布された半導体ウエハ７が搭載さ
れている。
【０００３】この装置を使用して半導体ウエハ７にパタ
ーンを転写するには、まず紫外線光源１からシャッター
２を介してマスクパターン３が形成されたレチクル４に
紫外線を照射する。このとき、レチクル４に照射された
紫外線はマスクパターン３の遮光部により遮光されるこ
とになる。マスクパターン３の遮光領域以外の領域を透
過した紫外線は縮小投影レンズ５によりＸ−Ｙステージ
６上の半導体ウエハ７の表面に塗布したレジストに縮小
投影され、露光される。
ーンを転写するには、まず紫外線光源１からシャッター
２を介してマスクパターン３が形成されたレチクル４に
紫外線を照射する。このとき、レチクル４に照射された
紫外線はマスクパターン３の遮光部により遮光されるこ
とになる。マスクパターン３の遮光領域以外の領域を透
過した紫外線は縮小投影レンズ５によりＸ−Ｙステージ
６上の半導体ウエハ７の表面に塗布したレジストに縮小
投影され、露光される。
【０００４】この露光により半導体ウエハ７の表面に塗
布したレジストに硬化又は軟化領域が形成され、次工程
の現像プロセスでレジストの一部が除去される。その結
果、マスクパターン３がレジストに転写されることにな
る。
布したレジストに硬化又は軟化領域が形成され、次工程
の現像プロセスでレジストの一部が除去される。その結
果、マスクパターン３がレジストに転写されることにな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、転写するパ
ターンを変更するには、マスクパターン３がレチクル４
に形成されている関係からの、レチクル４と一体に交換
しなければならなかった。そのためレチクル４の交換作
業が必要であり、しかも交換後にはレチクル４の位置合
わせを正確に行わなければならず、転写するパターンを
変更する場合、レチクル４の交換から露光までに時間と
手間を要していた。
ターンを変更するには、マスクパターン３がレチクル４
に形成されている関係からの、レチクル４と一体に交換
しなければならなかった。そのためレチクル４の交換作
業が必要であり、しかも交換後にはレチクル４の位置合
わせを正確に行わなければならず、転写するパターンを
変更する場合、レチクル４の交換から露光までに時間と
手間を要していた。
【０００６】また、レチクル４は石英基板上に金属薄
膜、例えばクロムメッキでマスクパターン３を形成した
もので製作費用が高く、特に転写するパターンの種類が
多くなった現在では、そのコストと保管場所が問題にな
っている。本発明の目的は、上述した問題点に鑑み、露
光工程における作業効率の改善と、費用の削減が可能な
露光装置を提供することにある。
膜、例えばクロムメッキでマスクパターン３を形成した
もので製作費用が高く、特に転写するパターンの種類が
多くなった現在では、そのコストと保管場所が問題にな
っている。本発明の目的は、上述した問題点に鑑み、露
光工程における作業効率の改善と、費用の削減が可能な
露光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の露光装置は、紫外線光源から発生される光を縮小投影
レンズを通して半導体ウエハ上に塗布された感光性材料
に照射しマスクパターンを転写する露光装置において、
駆動信号に応じて任意のマスクパターンを形成できる複
数の透過型画像表示装置と前記複数の透過型画像表示装
置を透過した光を縮小投影レンズに導く光ファイバーと
を有することを特徴とするものである。
成するために次のような構成をとる。すなわち、本発明
の露光装置は、紫外線光源から発生される光を縮小投影
レンズを通して半導体ウエハ上に塗布された感光性材料
に照射しマスクパターンを転写する露光装置において、
駆動信号に応じて任意のマスクパターンを形成できる複
数の透過型画像表示装置と前記複数の透過型画像表示装
置を透過した光を縮小投影レンズに導く光ファイバーと
を有することを特徴とするものである。
【０００８】また本発明の露光装置は、透過型画像表示
装置が液晶表示装置であることを特徴とするものであ
る。本発明の露光装置によれば、半導体ウエハに塗布し
た感光性材料に転写するマスクパターンを、駆動信号に
より光を透過または遮蔽する領域を形成できる透過型画
像表示装置で実現することで、任意のマスクパターンを
自由に形成できるので、レチクルの交換や保管が不要に
なる。
装置が液晶表示装置であることを特徴とするものであ
る。本発明の露光装置によれば、半導体ウエハに塗布し
た感光性材料に転写するマスクパターンを、駆動信号に
より光を透過または遮蔽する領域を形成できる透過型画
像表示装置で実現することで、任意のマスクパターンを
自由に形成できるので、レチクルの交換や保管が不要に
なる。
【０００９】また、透過型画像表示装置を複数台使用
し、各透過型画像表示装置のセル毎に光ファイバーを設
置し、これを束ねて一つのマスクパターンを構成するこ
とで、光ファイバーの縮小投影レンズ側の断面積を透過
型画像表示装置側の断面積より小さくすることができる
ので、より高密度なマスクパターンの形成が可能にな
る。
し、各透過型画像表示装置のセル毎に光ファイバーを設
置し、これを束ねて一つのマスクパターンを構成するこ
とで、光ファイバーの縮小投影レンズ側の断面積を透過
型画像表示装置側の断面積より小さくすることができる
ので、より高密度なマスクパターンの形成が可能にな
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面を
参照しつつ具体的に説明する。尚、従来と同一部分や相
当部分には同一の符号を付している。本発明の露光装置
は、図１に示すように、紫外線光源１と、シャッター２
と、縮小投影レンズ５と、Ｘ−Ｙステージ６とを有して
おり、従来のレチクルに代わって制御装置９が配線１１
で接続された複数台の透過型表示装置８が設置されてい
る。この制御装置９からの駆動信号により透過型表示装
置８上に光を透過または遮蔽する領域が形成され、任意
のマスクパターン３を実現することができる。
参照しつつ具体的に説明する。尚、従来と同一部分や相
当部分には同一の符号を付している。本発明の露光装置
は、図１に示すように、紫外線光源１と、シャッター２
と、縮小投影レンズ５と、Ｘ−Ｙステージ６とを有して
おり、従来のレチクルに代わって制御装置９が配線１１
で接続された複数台の透過型表示装置８が設置されてい
る。この制御装置９からの駆動信号により透過型表示装
置８上に光を透過または遮蔽する領域が形成され、任意
のマスクパターン３を実現することができる。
【００１１】また、各透過型表示装置８にはセル単位毎
に光ファイバー１０が設けられており、これが縮小投影
レンズ５上方で寄り集められて光ファイバー１０の束を
構成している。この光ファイバー１０の束により各透過
型表示装置８で表示されたマスクパターン３が一つのマ
スクパターンとして形成される。本発明の露光装置を使
用して半導体ウエハ７に塗布されたレジストにパターン
を転写するには次の手順で行われる。まず、半導体ウエ
ハ７上に有機高分子感光性材料であるレジストを滴下さ
せた後、半導体ウエハ７を高速回転（数千ｒｐｍ）させ
て、遠心力によりレジストを厚さ約１μｍ程度に塗布
し、Ｘ−Ｙステージ６上の所定の位置に半導体ウエハ７
をセットする。
に光ファイバー１０が設けられており、これが縮小投影
レンズ５上方で寄り集められて光ファイバー１０の束を
構成している。この光ファイバー１０の束により各透過
型表示装置８で表示されたマスクパターン３が一つのマ
スクパターンとして形成される。本発明の露光装置を使
用して半導体ウエハ７に塗布されたレジストにパターン
を転写するには次の手順で行われる。まず、半導体ウエ
ハ７上に有機高分子感光性材料であるレジストを滴下さ
せた後、半導体ウエハ７を高速回転（数千ｒｐｍ）させ
て、遠心力によりレジストを厚さ約１μｍ程度に塗布
し、Ｘ−Ｙステージ６上の所定の位置に半導体ウエハ７
をセットする。
【００１２】次いで、フロッピーディスク等の記憶媒体
に保存されているマスクパターンデータ（画像データ）
を制御装置９に読み込み、複数のマスクパターンデータ
から任意のマスクパターンを選択する。制御装置９で
は、選択されたマスクパターンデータに応じて、透過型
表示装置８をセル単位で制御できる駆動信号が発生され
る。
に保存されているマスクパターンデータ（画像データ）
を制御装置９に読み込み、複数のマスクパターンデータ
から任意のマスクパターンを選択する。制御装置９で
は、選択されたマスクパターンデータに応じて、透過型
表示装置８をセル単位で制御できる駆動信号が発生され
る。
【００１３】透過型表示装置８は液晶表示装置から成
り、互いに直交する透明電極が形成された透明基板間に
液晶が注入がされており、マトリクス状のセルを形成し
ている。制御装置９で発生された駆動信号は配線１１を
介して透過型表示装置８に送られ、この駆動信号に応じ
てセル単位で分子の配向が変わり、光の透過パターンが
変化する。光の透過パターンを変化させることで、透過
型表示装置８上に光を透過または遮蔽する領域を形成で
き、任意のマスクパターン３を実現することができる。
り、互いに直交する透明電極が形成された透明基板間に
液晶が注入がされており、マトリクス状のセルを形成し
ている。制御装置９で発生された駆動信号は配線１１を
介して透過型表示装置８に送られ、この駆動信号に応じ
てセル単位で分子の配向が変わり、光の透過パターンが
変化する。光の透過パターンを変化させることで、透過
型表示装置８上に光を透過または遮蔽する領域を形成で
き、任意のマスクパターン３を実現することができる。
【００１４】そして、紫外線光源１から発光される紫外
線はシャッター２を介してマスクパターン３が形成され
た透過型表示装置８に照射される。このときシャッター
２は露光時間の制御のために使用される。例えば、紫外
線光源１は電源をＯＮしてから一定時間経過するまで波
長が不安定になるので、その間はシャッター２を閉じて
おき、波長が安定してからシャッター２を開く。以後は
紫外線光源１の電源をＯＦＦすることなくシャッター２
の開閉で露光時間を調整する。
線はシャッター２を介してマスクパターン３が形成され
た透過型表示装置８に照射される。このときシャッター
２は露光時間の制御のために使用される。例えば、紫外
線光源１は電源をＯＮしてから一定時間経過するまで波
長が不安定になるので、その間はシャッター２を閉じて
おき、波長が安定してからシャッター２を開く。以後は
紫外線光源１の電源をＯＦＦすることなくシャッター２
の開閉で露光時間を調整する。
【００１５】透過型表示装置８に照射された紫外線はマ
スクパターン３により部分的に遮光されることになり、
マスクパターン３の遮光領域以外に照射された紫外線は
透過型表示装置８を透過し光ファイバー１０に導かれ
る。光ファイバー１０は透過型表示装置８のセル単位毎
に設けられているので、マスクパターン３により透過ま
たは遮蔽された光が忠実に光ファイバー１０に導かれこ
とになる。
スクパターン３により部分的に遮光されることになり、
マスクパターン３の遮光領域以外に照射された紫外線は
透過型表示装置８を透過し光ファイバー１０に導かれ
る。光ファイバー１０は透過型表示装置８のセル単位毎
に設けられているので、マスクパターン３により透過ま
たは遮蔽された光が忠実に光ファイバー１０に導かれこ
とになる。
【００１６】複数台の透過型表示装置８に設けられた光
ファイバー１０は縮小投影レンズ５の上方で一つに束ね
られ、複数の透過型表示装置８を透過した紫外線はここ
で一つのマスクパターンとして縮小投影レンズ５に導か
れる。縮小投影レンズ５に導かれた紫外線は縮小投影さ
れ、Ｘ−Ｙステージ６上の半導体ウエハ７の表面に塗布
したレジストに縮小投影され、露光される。半導体ウエ
ハ７はＸ−Ｙステージ６に搭載されているので平行移動
させることにより、半導体ウエハ７の任意の位置を露光
することができる。この露光により半導体ウエハ７の表
面に塗布したレジストにより硬化又は軟化領域が形成さ
れ、次工程の現像プロセスでレジストの一部が除去さ
れ、結果、マスクパターン３がレジストに転写されるこ
とになる。
ファイバー１０は縮小投影レンズ５の上方で一つに束ね
られ、複数の透過型表示装置８を透過した紫外線はここ
で一つのマスクパターンとして縮小投影レンズ５に導か
れる。縮小投影レンズ５に導かれた紫外線は縮小投影さ
れ、Ｘ−Ｙステージ６上の半導体ウエハ７の表面に塗布
したレジストに縮小投影され、露光される。半導体ウエ
ハ７はＸ−Ｙステージ６に搭載されているので平行移動
させることにより、半導体ウエハ７の任意の位置を露光
することができる。この露光により半導体ウエハ７の表
面に塗布したレジストにより硬化又は軟化領域が形成さ
れ、次工程の現像プロセスでレジストの一部が除去さ
れ、結果、マスクパターン３がレジストに転写されるこ
とになる。
【００１７】本発明の露光装置では、特に、光ファイバ
ー１０で縮小投影レンズ５に紫外線を導くことで、光フ
ァイバー１０の縮小投影レンズ５側の断面積を透過型画
像表示装置６側の断面積より小さくすることができ、よ
り高密度なマスクパターンの形成が可能になる。
ー１０で縮小投影レンズ５に紫外線を導くことで、光フ
ァイバー１０の縮小投影レンズ５側の断面積を透過型画
像表示装置６側の断面積より小さくすることができ、よ
り高密度なマスクパターンの形成が可能になる。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による露光
装置によれば、半導体ウエハに塗布した感光性材料に転
写するマスクパターンを、駆動信号により光を透過また
は遮蔽する領域を形成できる透過型画像表示装置で実現
することで、任意のマスクパターンを自由に形成できる
ので、レチクルの交換や保管が不要になる。
装置によれば、半導体ウエハに塗布した感光性材料に転
写するマスクパターンを、駆動信号により光を透過また
は遮蔽する領域を形成できる透過型画像表示装置で実現
することで、任意のマスクパターンを自由に形成できる
ので、レチクルの交換や保管が不要になる。
【００１９】また、透過型画像表示装置を複数台使用
し、各透過型画像表示装置に対応するように光ファイバ
ーを設置し、これを束ねて一つのマスクパターンを構成
することで、光ファイバーの縮小投影レンズ側の断面積
を透過型画像表示装置側の断面積より小さくすることが
できるので、より高密度なマスクパターンの形成が可能
になる。
し、各透過型画像表示装置に対応するように光ファイバ
ーを設置し、これを束ねて一つのマスクパターンを構成
することで、光ファイバーの縮小投影レンズ側の断面積
を透過型画像表示装置側の断面積より小さくすることが
できるので、より高密度なマスクパターンの形成が可能
になる。
【図１】本発明の露光装置を示す説明図。
【図２】従来の露光装置を示す説明図。
１ 紫外線光源 ２ シャッター ３ マスクパターン ５ 縮小投影レンズ ６ Ｘ−Ｙテーブル ７ 半導体ウエハ ８ 透過型表示装置 ９ 制御装置 １０ 光ファイバー
Claims (2)
- 【請求項１】紫外線光源から発生される光を縮小投影レ
ンズを通して半導体ウエハ上に塗布された感光性材料に
照射しマスクパターンを転写する露光装置において、駆
動信号に応じて任意のマスクパターンを形成できる複数
の透過型画像表示装置と前記複数の透過型画像表示装置
を透過した光を縮小投影レンズに導く光ファイバーとを
有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】透過型画像表示装置が液晶表示装置である
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07302996A JP3894979B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07302996A JP3894979B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266150A true JPH09266150A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3894979B2 JP3894979B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=13506522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07302996A Expired - Fee Related JP3894979B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3894979B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001313251A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Tokyo Denki Univ | 光ファイバーマトリックス投影露光装置 |
| JP2002231618A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置 |
| JP2003149740A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光投影装置 |
| WO2007108414A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP07302996A patent/JP3894979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001313251A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Tokyo Denki Univ | 光ファイバーマトリックス投影露光装置 |
| JP2002231618A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置 |
| JP2003149740A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光投影装置 |
| WO2007108414A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8982322B2 (en) | 2006-03-17 | 2015-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3894979B2 (ja) | 2007-03-22 |
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|---|---|---|---|
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|
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