JPH09260098A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH09260098A JPH09260098A JP8063436A JP6343696A JPH09260098A JP H09260098 A JPH09260098 A JP H09260098A JP 8063436 A JP8063436 A JP 8063436A JP 6343696 A JP6343696 A JP 6343696A JP H09260098 A JPH09260098 A JP H09260098A
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- plasma
- coil
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロローディング効果の影響及びチャー
ジダメージの少ないプラズマ処理を可能とするプラズマ
処理装置を提供する。 【解決手段】 真空排気可能な処理容器と、処理容器内
に配置され、処理対象基板を保持するための保持面を有
し、該保持面に平行な表面を有する第１の電極と処理容
器内に磁界を発生させるためのコイルが取り付けられた
基板保持台と、第１の電極と共にキャパシタを構成する
第２の電極とを有する。
ジダメージの少ないプラズマ処理を可能とするプラズマ
処理装置を提供する。 【解決手段】 真空排気可能な処理容器と、処理容器内
に配置され、処理対象基板を保持するための保持面を有
し、該保持面に平行な表面を有する第１の電極と処理容
器内に磁界を発生させるためのコイルが取り付けられた
基板保持台と、第１の電極と共にキャパシタを構成する
第２の電極とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関し、特に、誘導結合プラズマと容量結合プラズマの
両方を発生することができるプラズマ処理装置に関す
る。
に関し、特に、誘導結合プラズマと容量結合プラズマの
両方を発生することができるプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路装置の高集積化、
微細化に伴い、プラズマ処理による微細加工技術が注目
されている。加工サイズの微細化が進むと、パターンの
間隔によってエッチング速度が異なるマイクロローディ
ング効果、及びプラズマ密度の不均一性によって生ずる
チャージダメージが大きな問題となる。
微細化に伴い、プラズマ処理による微細加工技術が注目
されている。加工サイズの微細化が進むと、パターンの
間隔によってエッチング速度が異なるマイクロローディ
ング効果、及びプラズマ密度の不均一性によって生ずる
チャージダメージが大きな問題となる。
【０００３】マイクロローディング効果を抑制するため
には、プラズマ処理時の圧力を低くすることが有効であ
る。しかし、圧力が低くなると、プラズマ密度が減少
し、処理速度の低下を生じる。従来、処理速度の低下を
防止するために、平行平板電極の間隔を狭めて両電極間
にプラズマを閉じ込めるナローギャップ型のプラズマ処
理装置が使用されていた。
には、プラズマ処理時の圧力を低くすることが有効であ
る。しかし、圧力が低くなると、プラズマ密度が減少
し、処理速度の低下を生じる。従来、処理速度の低下を
防止するために、平行平板電極の間隔を狭めて両電極間
にプラズマを閉じ込めるナローギャップ型のプラズマ処
理装置が使用されていた。
【０００４】しかし、平行平板電極を用いて容量結合プ
ラズマを発生させるには、数十ｍＴｏｒｒ程度の真空度
が必要であり、数ｍＴｏｒｒ程度まで真空度を高めると
安定してプラズマを発生させることが困難になる。ま
た、発生したプラズマも密度が低く、高速なプラズマ処
理には適さない。
ラズマを発生させるには、数十ｍＴｏｒｒ程度の真空度
が必要であり、数ｍＴｏｒｒ程度まで真空度を高めると
安定してプラズマを発生させることが困難になる。ま
た、発生したプラズマも密度が低く、高速なプラズマ処
理には適さない。
【０００５】一方、高真空中で高密度のプラズマを発生
させる装置として、基板保持台に対向する位置にうずま
き状のプラズマ発生電極を配置し、誘導結合プラズマを
発生させるＴＣＰ（トランスフォーマーカップルドプラ
ズマ）装置が知られている。
させる装置として、基板保持台に対向する位置にうずま
き状のプラズマ発生電極を配置し、誘導結合プラズマを
発生させるＴＣＰ（トランスフォーマーカップルドプラ
ズマ）装置が知られている。
【０００６】ＴＣＰ装置では、バイアス電極を兼ねた基
板保持台に対向する位置に、うずまき状のプラズマ発生
電極が配置されているため、バイアス電極に対向する平
板状の電極を配置することができない。従って、試料に
一様なバイアスを印加しにくいという問題がある。この
ため、均一なプラズマを発生させることが困難であり、
試料がチャージダメージを受けやすくなる。
板保持台に対向する位置に、うずまき状のプラズマ発生
電極が配置されているため、バイアス電極に対向する平
板状の電極を配置することができない。従って、試料に
一様なバイアスを印加しにくいという問題がある。この
ため、均一なプラズマを発生させることが困難であり、
試料がチャージダメージを受けやすくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、平行平
板電極を用いたプラズマ処理装置では、高真空度の下で
高密度のプラズマを発生させることが困難である。ま
た、ＴＣＰ装置では、比較的高真空度の下で高密度のプ
ラズマを発生させることができるが、チャージダメージ
を受けやすくなる。
板電極を用いたプラズマ処理装置では、高真空度の下で
高密度のプラズマを発生させることが困難である。ま
た、ＴＣＰ装置では、比較的高真空度の下で高密度のプ
ラズマを発生させることができるが、チャージダメージ
を受けやすくなる。
【０００８】本発明の目的は、マイクロローディング効
果の影響及びチャージダメージの少ないプラズマ処理を
可能とするプラズマ処理装置を提供することである。
果の影響及びチャージダメージの少ないプラズマ処理を
可能とするプラズマ処理装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に配置
され、処理対象基板を保持するための保持面を有する基
板保持台であって、該保持面に平行な表面を有する第１
の電極と、該第１の電極以外の領域に配置され前記処理
容器内に磁界を発生させるためのコイルを含む前記基板
保持台と、前記第１の電極と共にキャパシタを構成する
第２の電極とを有するプラズマ処理装置が提供される。
と、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に配置
され、処理対象基板を保持するための保持面を有する基
板保持台であって、該保持面に平行な表面を有する第１
の電極と、該第１の電極以外の領域に配置され前記処理
容器内に磁界を発生させるためのコイルを含む前記基板
保持台と、前記第１の電極と共にキャパシタを構成する
第２の電極とを有するプラズマ処理装置が提供される。
【００１０】基板保持台に取り付けられたコイルに電流
を流すことによって真空容器内に誘導結合プラズマを発
生させることができる。誘導結合プラズマを発生させる
ことにより、高真空度の下で比較的安定な高密度プラズ
マを得ることができる。
を流すことによって真空容器内に誘導結合プラズマを発
生させることができる。誘導結合プラズマを発生させる
ことにより、高真空度の下で比較的安定な高密度プラズ
マを得ることができる。
【００１１】第１の電極と第２の電極との間に高周波電
圧を印加することにより、容量結合プラズマを発生させ
ることができる。誘導結合に容量結合を組み合わせてプ
ラズマを発生させることにより、プラズマの均一性を高
めることができる。
圧を印加することにより、容量結合プラズマを発生させ
ることができる。誘導結合に容量結合を組み合わせてプ
ラズマを発生させることにより、プラズマの均一性を高
めることができる。
【００１２】プラズマエッチングを行う場合、真空容器
内を高真空に排気することにより、マイクロローディン
グ効果の影響を低減することができる。また、プラズマ
の均一性を高めることにより、チャージダメージを低減
することができる。
内を高真空に排気することにより、マイクロローディン
グ効果の影響を低減することができる。また、プラズマ
の均一性を高めることにより、チャージダメージを低減
することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は、本発明の実施例に
よるプラズマ処理装置の断面図を示す。円筒状の側壁部
材１Ｂ、その上下の開口部を塞ぐ上蓋１Ａ、及び底蓋１
Ｃによって真空容器１が構成されている。
よるプラズマ処理装置の断面図を示す。円筒状の側壁部
材１Ｂ、その上下の開口部を塞ぐ上蓋１Ａ、及び底蓋１
Ｃによって真空容器１が構成されている。
【００１４】底蓋１Ｃの内面に、基板保持台１０が取り
付けられている。基板保持台１０の上面に処理対象基板
３０が載置される。処理対象基板３０は、静電チャック
により基板保持台１０に吸着される。基板保持台１０の
構成については、後に詳述する。
付けられている。基板保持台１０の上面に処理対象基板
３０が載置される。処理対象基板３０は、静電チャック
により基板保持台１０に吸着される。基板保持台１０の
構成については、後に詳述する。
【００１５】基板保持台１０の上方に、処理対象基板３
０とほぼ平行に対向電極３が配置されている。対向電極
３は、上蓋１Ａのほぼ中央を貫通するガス導入管２によ
って保持されている。対向電極３の内部には、ガス導入
管２のガス流路に連通する空洞４が設けられており、処
理対象基板３０に対向する面にガス噴出孔５が設けられ
ている。ガス導入管２を介して空洞４内に処理ガスが導
入され、空洞４内に導入された処理ガスがガス噴出孔５
から真空容器１内に噴出する。また、対向電極３はガス
導入管２を介して接地されている。
０とほぼ平行に対向電極３が配置されている。対向電極
３は、上蓋１Ａのほぼ中央を貫通するガス導入管２によ
って保持されている。対向電極３の内部には、ガス導入
管２のガス流路に連通する空洞４が設けられており、処
理対象基板３０に対向する面にガス噴出孔５が設けられ
ている。ガス導入管２を介して空洞４内に処理ガスが導
入され、空洞４内に導入された処理ガスがガス噴出孔５
から真空容器１内に噴出する。また、対向電極３はガス
導入管２を介して接地されている。
【００１６】側壁部材１Ｂにガス排出管６が取り付けら
れており、ガス排気管６を介して真空容器１内を真空排
気することができる。次に、図１（Ａ）及び（Ｂ）を参
照して、基板保持台１０の構成を説明する。図１（Ｂ）
は、基板保持台１０の平面図を示す。図１（Ａ）は、図
１（Ｂ）の一点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図である。
れており、ガス排気管６を介して真空容器１内を真空排
気することができる。次に、図１（Ａ）及び（Ｂ）を参
照して、基板保持台１０の構成を説明する。図１（Ｂ）
は、基板保持台１０の平面図を示す。図１（Ａ）は、図
１（Ｂ）の一点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図である。
【００１７】図１（Ａ）に示すように、アルミニウム製
の円板状の平板電極１１の上面に、静電チャック１２が
載置されている。平板電極１１には、高周波電源２１か
ら高周波電圧が印加される。静電チャック１２は、内部
に静電吸着用の電極が埋め込まれたセラミック板１２Ａ
と、セラミック板１２Ａに貼り付けられセラミック板１
２Ａを物理的に支持するアルミニウム板１２Ｂから構成
されている。
の円板状の平板電極１１の上面に、静電チャック１２が
載置されている。平板電極１１には、高周波電源２１か
ら高周波電圧が印加される。静電チャック１２は、内部
に静電吸着用の電極が埋め込まれたセラミック板１２Ａ
と、セラミック板１２Ａに貼り付けられセラミック板１
２Ａを物理的に支持するアルミニウム板１２Ｂから構成
されている。
【００１８】底蓋１Ｃの上に、テフロン製の円環状の支
持部材１３が載置されている。支持部材１３の内周面に
は段差が設けられており、この段差が平板電極１１の側
面に設けられた段差と係合して平板電極１１を支持して
いる。
持部材１３が載置されている。支持部材１３の内周面に
は段差が設けられており、この段差が平板電極１１の側
面に設けられた段差と係合して平板電極１１を支持して
いる。
【００１９】支持部材１３の周囲には、アルミニウム製
の円環状の固定部材１４が配置されている。固定部材１
４の内周面に形成された段差を支持部材１３の外周面に
形成された段差に係合させ、固定部材１４を底蓋１Ｃに
ボルトで固定することにより、支持部材１３を底蓋１Ｃ
に固定している。
の円環状の固定部材１４が配置されている。固定部材１
４の内周面に形成された段差を支持部材１３の外周面に
形成された段差に係合させ、固定部材１４を底蓋１Ｃに
ボルトで固定することにより、支持部材１３を底蓋１Ｃ
に固定している。
【００２０】支持部材１３の上面に、円周方向の溝が形
成され、この溝の中に巻数１のコイル１５が埋め込まれ
ている。コイル１５の両端には、それぞれ導電ピン１６
が接続されている。導電ピン１６は、支持部材１３及び
底蓋１Ｃを貫通して真空容器１の外部に導出されてい
る。
成され、この溝の中に巻数１のコイル１５が埋め込まれ
ている。コイル１５の両端には、それぞれ導電ピン１６
が接続されている。導電ピン１６は、支持部材１３及び
底蓋１Ｃを貫通して真空容器１の外部に導出されてい
る。
【００２１】石英製の絶縁板２０がセラミック板１２Ａ
の周囲に配置され、支持部材１３、コイル１５及び固定
部材１４の上面を覆っている。絶縁板２０は、支持部材
１３、コイル１５及び固定部材１４をプラズマから隔離
する作用をする。
の周囲に配置され、支持部材１３、コイル１５及び固定
部材１４の上面を覆っている。絶縁板２０は、支持部材
１３、コイル１５及び固定部材１４をプラズマから隔離
する作用をする。
【００２２】平板電極１１の下面に温度調節用流路１７
が、例えば溶接等により取り付けられている。温度調節
用流路１７に冷水を流すことにより、平板電極１１及び
処理対象基板３０を冷却し、温水を流すことにより、加
熱することができる。なお、水の代わりに、油、ガス等
のその他の流体を流してもよい。
が、例えば溶接等により取り付けられている。温度調節
用流路１７に冷水を流すことにより、平板電極１１及び
処理対象基板３０を冷却し、温水を流すことにより、加
熱することができる。なお、水の代わりに、油、ガス等
のその他の流体を流してもよい。
【００２３】図１（Ｂ）に示すように、コイル１５の両
端は導電性ピン１６を介して高周波電源２２に接続され
ている。図１（Ａ）に戻って、高周波電源２２によりコ
イル１５に高周波電流を流すことにより、真空容器１内
に誘導磁場が発生し、誘導結合プラズマを発生させるこ
とができる。また、高周波電源２１により平板電極１１
と対向電極３との間に高周波電圧を印加することによ
り、電極間に容量結合プラズマを発生させることができ
る。
端は導電性ピン１６を介して高周波電源２２に接続され
ている。図１（Ａ）に戻って、高周波電源２２によりコ
イル１５に高周波電流を流すことにより、真空容器１内
に誘導磁場が発生し、誘導結合プラズマを発生させるこ
とができる。また、高周波電源２１により平板電極１１
と対向電極３との間に高周波電圧を印加することによ
り、電極間に容量結合プラズマを発生させることができ
る。
【００２４】０．２５μｍ以下の微細加工を行うために
は、マイクロローディング効果を抑制するために、数ｍ
Ｔｏｒｒ程度の高真空中でプラズマを発生させることが
望ましい。しかし、数ｍＴｏｒｒ程度の高真空中で安定
して容量結合プラズマを発生させることは困難である。
は、マイクロローディング効果を抑制するために、数ｍ
Ｔｏｒｒ程度の高真空中でプラズマを発生させることが
望ましい。しかし、数ｍＴｏｒｒ程度の高真空中で安定
して容量結合プラズマを発生させることは困難である。
【００２５】コイルによる誘電結合プラズマを発生させ
ることにより、数ｍＴｏｒｒ程度の高真空中で安定して
高密度のプラズマを得ることができる。高真空中でプラ
ズマ処理することにより、マイクロローディング効果を
抑制することができる。相互に平行に配置された平板電
極と対向電極との間に、誘電結合によって発生したプラ
ズマを閉じ込め、その均一性を高めることにより、チャ
ージダメージの少ないプラズマ処理を行うことが可能に
なる。
ることにより、数ｍＴｏｒｒ程度の高真空中で安定して
高密度のプラズマを得ることができる。高真空中でプラ
ズマ処理することにより、マイクロローディング効果を
抑制することができる。相互に平行に配置された平板電
極と対向電極との間に、誘電結合によって発生したプラ
ズマを閉じ込め、その均一性を高めることにより、チャ
ージダメージの少ないプラズマ処理を行うことが可能に
なる。
【００２６】ＴＣＰ装置の場合には、基板保持面に対向
する位置にうずまき状電極が配置されるため、基板保持
面に平行に対向電極を配置することができない。このた
め、真空容器自体を接地側の電極として使用する。これ
に対し、図１に示す実施例の場合には、基板保持面に対
してコイルが基板側の平板電極と同じ側に配置されてい
る。このため、基板保持面に対向する位置に対向電極を
配置することができる。
する位置にうずまき状電極が配置されるため、基板保持
面に平行に対向電極を配置することができない。このた
め、真空容器自体を接地側の電極として使用する。これ
に対し、図１に示す実施例の場合には、基板保持面に対
してコイルが基板側の平板電極と同じ側に配置されてい
る。このため、基板保持面に対向する位置に対向電極を
配置することができる。
【００２７】対向電極を基板保持面に近づけ、電極間の
ギャップ長を短くすることにより、プラズマを電極間の
狭い空間に閉じ込め、効率の高いプラズマ処理を行うこ
とが可能になる。
ギャップ長を短くすることにより、プラズマを電極間の
狭い空間に閉じ込め、効率の高いプラズマ処理を行うこ
とが可能になる。
【００２８】図２は、上記実施例の変形例による電源接
続系統図を示す。図１（Ａ）に示すプラズマ処理装置と
比べて電源接続方法が異なるのみであり、その他の構成
は同様である。コイル１５の一端が平板電極に接続され
ている。コイル１５の他端が高周波電源２３に接続さ
れ、対向電極３は接地されている。すなわち、平板電極
１１と対向電極３で構成されたコンデンサとコイル１５
とが相互に直列に接続され、この直列回路が高周波電源
２３に接続されている。
続系統図を示す。図１（Ａ）に示すプラズマ処理装置と
比べて電源接続方法が異なるのみであり、その他の構成
は同様である。コイル１５の一端が平板電極に接続され
ている。コイル１５の他端が高周波電源２３に接続さ
れ、対向電極３は接地されている。すなわち、平板電極
１１と対向電極３で構成されたコンデンサとコイル１５
とが相互に直列に接続され、この直列回路が高周波電源
２３に接続されている。
【００２９】図１に示したプラズマ処理装置では、コン
デンサとコイルにそれぞれ独立した高周波電源から電力
を供給するため、コンデンサとコイルへの供給電力を独
立に制御することができる。これにより、プラズマの制
御性が向上する。
デンサとコイルにそれぞれ独立した高周波電源から電力
を供給するため、コンデンサとコイルへの供給電力を独
立に制御することができる。これにより、プラズマの制
御性が向上する。
【００３０】図２に示す変形例の場合は、コンデンサと
コイルへの供給電力を独立して制御することはできない
が、高周波電源が１台でよいため、コスト面で有利であ
る。また、２台の高周波電源の位相を合わせる等の制御
が不要になる。
コイルへの供給電力を独立して制御することはできない
が、高周波電源が１台でよいため、コスト面で有利であ
る。また、２台の高周波電源の位相を合わせる等の制御
が不要になる。
【００３１】また、上記実施例では、基板保持台にコイ
ルを取り付けている。このため、真空容器の外側にコイ
ルを巻く場合に比べて、コイルの直径を小さくすること
ができる。コイルの直径を小さくするとインダクタンス
が小さくなるため、インピーダンスマッチングをとりや
すくなる。また、より大きな高周波電流を流すことがで
きるため、より高密度のプラズマを発生させることが可
能になる。また、真空容器をアルミニウム等の導電性材
料で作製することができるようになるため、容器の形状
の自由度が高まる。
ルを取り付けている。このため、真空容器の外側にコイ
ルを巻く場合に比べて、コイルの直径を小さくすること
ができる。コイルの直径を小さくするとインダクタンス
が小さくなるため、インピーダンスマッチングをとりや
すくなる。また、より大きな高周波電流を流すことがで
きるため、より高密度のプラズマを発生させることが可
能になる。また、真空容器をアルミニウム等の導電性材
料で作製することができるようになるため、容器の形状
の自由度が高まる。
【００３２】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の実施例に
よると、高真空度の下で高密度のプラズマを安定して発
生させることができる。高真空中でプラズマ処理を行う
ことにより、マイクロローディング効果を抑制し、微細
加工を行うことが可能になる。また、コンデンサを構成
する一対の電極間にプラズマを閉じ込めることにより、
プラズマの均一性を高めることができる。プラズマの均
一性を高めることにより、チャージダメージを抑制する
ことができる。
よると、高真空度の下で高密度のプラズマを安定して発
生させることができる。高真空中でプラズマ処理を行う
ことにより、マイクロローディング効果を抑制し、微細
加工を行うことが可能になる。また、コンデンサを構成
する一対の電極間にプラズマを閉じ込めることにより、
プラズマの均一性を高めることができる。プラズマの均
一性を高めることにより、チャージダメージを抑制する
ことができる。
【図１】本発明の実施例によるプラズマ処理装置の断面
図及び基板保持台の平面図である。
図及び基板保持台の平面図である。
【図２】本発明の実施例の変形例による電源系統図を示
す概略図である。
す概略図である。
１ 真空容器 ２ ガス導入管 ３ 対向電極 ４ 空洞 ５ ガス噴出孔 ６ ガス排気管 １０ 基板保持台 １１ 平板電極 １２ 静電チャック １３ 支持部材 １４ 固定部材 １５ コイル １６ 導電ピン １７ 温度調節用流路 ２０ 絶縁板 ２１、２２、２３ 高周波電源 ３０ 基板
Claims (6)
- 【請求項１】 真空排気可能な処理容器と、 前記処理容器内に配置され、処理対象基板を保持するた
めの保持面、該保持面に平行な表面を有する第１の電
極、及び該第１の電極以外の領域に配置され前記処理容
器内に磁界を発生させるためのコイルを含む前記基板保
持台と、 前記第１の電極と共にキャパシタを構成する第２の電極
とを有するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記第２の電極が、前記保持面に対向
し、該保持面とほぼ平行に配置された対向面を有する請
求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記コイルが、前記保持面に関して前記
第１の電極と同一の側に配置されている請求項１または
２に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記コイルが、前記保持面と直交する中
心軸を有し、前記第１の電極の周囲を取り囲むように配
置されている請求項１〜３に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 さらに、前記基板保持台に取り付けら
れ、前記保持面に保持された処理対象基板の温度を調節
するための温度調節手段を有する請求項１〜４のいずれ
かに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 さらに、前記第１の電極と前記第２の電
極とからなるコンデンサと前記コイルとを接続して直列
回路を構成するための配線と、 前記直列回路に高周波電圧を印加するための電源とを有
する請求項１〜４に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8063436A JPH09260098A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8063436A JPH09260098A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260098A true JPH09260098A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13229230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8063436A Pending JPH09260098A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260098A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009527128A (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数の容量および誘導プラズマ源を備えたプラズマ処理リアクタ |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP8063436A patent/JPH09260098A/ja active Pending
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