JPH09243357A - 距離計測装置 - Google Patents
距離計測装置Info
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- JPH09243357A JPH09243357A JP8203096A JP8203096A JPH09243357A JP H09243357 A JPH09243357 A JP H09243357A JP 8203096 A JP8203096 A JP 8203096A JP 8203096 A JP8203096 A JP 8203096A JP H09243357 A JPH09243357 A JP H09243357A
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- light
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- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 遠近を問わず分解能を向上させた距離計測装
置とする。 【解決手段】 発光ダイオード1が信号処理装置2’か
らの指令により発光する。光は集光レンズ6によって単
一方向に広がりを持った光ビームとなって回転ミラー7
から送出される。標的3に当たって反射してきた光が集
光レンズ4を経てPSD5に到達する。PSDは受光部
位に応じた応答電流I1、I2を発生し、信号処理装置
2’はその応答電流により標的3の方角θ2を測定し、
その測定値と光ビームの送出角θ1とを用いて三角測量
により標的3の距離を算出するとともに、光ビーム送出
からPSDに受光するまでの時間差から標的3までの距
離を算出する。そしてその算出値から分解能の高い測定
値を選び出力する。これにより一回の光ビームの送出に
2通りの距離検出ができ、高分解能、かつ低コストの距
離計測装置を得ることができる。
置とする。 【解決手段】 発光ダイオード1が信号処理装置2’か
らの指令により発光する。光は集光レンズ6によって単
一方向に広がりを持った光ビームとなって回転ミラー7
から送出される。標的3に当たって反射してきた光が集
光レンズ4を経てPSD5に到達する。PSDは受光部
位に応じた応答電流I1、I2を発生し、信号処理装置
2’はその応答電流により標的3の方角θ2を測定し、
その測定値と光ビームの送出角θ1とを用いて三角測量
により標的3の距離を算出するとともに、光ビーム送出
からPSDに受光するまでの時間差から標的3までの距
離を算出する。そしてその算出値から分解能の高い測定
値を選び出力する。これにより一回の光ビームの送出に
2通りの距離検出ができ、高分解能、かつ低コストの距
離計測装置を得ることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ビームを発し、
その反射波を受信することによって距離測定を行なう距
離計測装置に関する。
その反射波を受信することによって距離測定を行なう距
離計測装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、距離計測装置として、例えば発光
ダイオードによる送光ビームを発し、標的に当たって反
射された反射波を受光し、その送光ビームが送出され、
反射波が受光されるまでの時間経過を測定することによ
って標的までの距離を算出するものが知られている。
ダイオードによる送光ビームを発し、標的に当たって反
射された反射波を受光し、その送光ビームが送出され、
反射波が受光されるまでの時間経過を測定することによ
って標的までの距離を算出するものが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この時間差に
よる距離測定は、とくに近距離の物標に対して時間差が
短くなる。この短い時間差を精度よく測定することが困
難なため、分解能が低くなることが避けられない。これ
に対し、発光点と受光点を異なる位置に設定し標的との
間に形成される三角関係に基づく距離計測は、近距離の
標的を精度よく測定できるが遠距離の標的に対しては三
角形の変化が少ないので、分解能が低下してしまう。
よる距離測定は、とくに近距離の物標に対して時間差が
短くなる。この短い時間差を精度よく測定することが困
難なため、分解能が低くなることが避けられない。これ
に対し、発光点と受光点を異なる位置に設定し標的との
間に形成される三角関係に基づく距離計測は、近距離の
標的を精度よく測定できるが遠距離の標的に対しては三
角形の変化が少ないので、分解能が低下してしまう。
【0004】近距離測定に有効な三角測量による距離測
定と遠距離測定に高分解能が期待できる時間差による距
離測定の各装置を併置し距離に応じて使い分けて広範囲
にわたって高分解能で測定することも考えられるが、コ
ストの上昇と装置の大型化を招くといった問題がある。
この発明は、上記のような従来の問題点に鑑み、1つの
送、受信装置で時間差よる距離測定および三角測量によ
る距離測定を同時に行なうことによって低コスト、かつ
広範囲にわたる分解能の高い距離測定装置を提供するこ
とを目的とする。
定と遠距離測定に高分解能が期待できる時間差による距
離測定の各装置を併置し距離に応じて使い分けて広範囲
にわたって高分解能で測定することも考えられるが、コ
ストの上昇と装置の大型化を招くといった問題がある。
この発明は、上記のような従来の問題点に鑑み、1つの
送、受信装置で時間差よる距離測定および三角測量によ
る距離測定を同時に行なうことによって低コスト、かつ
広範囲にわたる分解能の高い距離測定装置を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】このため、請求項1記載
の発明は、電磁波などのビームを送出する送信手段と、
送出されたビームが標的で反射された反射波を受信する
受信手段と、前記ビームの送出方向を変化させる走査手
段と、前記ビームの送出方向を検出する方向検出手段と
を備え、前記受信手段は複数に設けられ、各受信手段が
それぞれの指向が異なるようにアレイ状に配置されてい
る距離計測装置において、前記反射波を受信した受信手
段の位置に基づいて前記標的の方角を算出する方角算出
手段と、前記ビームの送出方向と前記算出した標的の方
角から三角測量に基づき前記標的までの距離を算出する
三角測量距離算出手段と、前記ビーム送出から反射波が
受信されるまでの時間差から前記標的までの距離を算出
する時間差距離算出手段と、前記三角測量による算出距
離または前記時間差による算出距離を選択して距離検出
値として出力する検出値出力手段とを設けたものとし
た。
の発明は、電磁波などのビームを送出する送信手段と、
送出されたビームが標的で反射された反射波を受信する
受信手段と、前記ビームの送出方向を変化させる走査手
段と、前記ビームの送出方向を検出する方向検出手段と
を備え、前記受信手段は複数に設けられ、各受信手段が
それぞれの指向が異なるようにアレイ状に配置されてい
る距離計測装置において、前記反射波を受信した受信手
段の位置に基づいて前記標的の方角を算出する方角算出
手段と、前記ビームの送出方向と前記算出した標的の方
角から三角測量に基づき前記標的までの距離を算出する
三角測量距離算出手段と、前記ビーム送出から反射波が
受信されるまでの時間差から前記標的までの距離を算出
する時間差距離算出手段と、前記三角測量による算出距
離または前記時間差による算出距離を選択して距離検出
値として出力する検出値出力手段とを設けたものとし
た。
【0006】前記送信手段は、所定のパルス幅でビーム
を送出し、所定の時間内に前記受信手段が反射波を受信
できなかった場合に、前記パルス幅を拡大して送信する
ことができる。また前記検出値出力手段は、前記三角測
量による算出距離または時間差による算出距離を所定値
と比較することによって、選択することもできる。前記
所定値を受信した反射波の強度の関数とする、または前
記所定値を前記送光方向の関数とすることもできる。
を送出し、所定の時間内に前記受信手段が反射波を受信
できなかった場合に、前記パルス幅を拡大して送信する
ことができる。また前記検出値出力手段は、前記三角測
量による算出距離または時間差による算出距離を所定値
と比較することによって、選択することもできる。前記
所定値を受信した反射波の強度の関数とする、または前
記所定値を前記送光方向の関数とすることもできる。
【0007】そして、前記三角測量距離算出手段は送光
方向から、前記時間差距離算出手段はビームのパルス幅
からそれぞれ距離検出の分解能を算出し、前記検出値出
力手段は、前記分解能により算出距離を選択することも
できる。さらに、前記検出値出力手段は、前記三角測量
による算出距離と前記時間差による算出距離をそれぞれ
の分解能範囲内で比較し、一致しない場合に距離検出に
誤動作があったとして算出距離の出力を禁止するととも
に誤検出警報を発することもできる。
方向から、前記時間差距離算出手段はビームのパルス幅
からそれぞれ距離検出の分解能を算出し、前記検出値出
力手段は、前記分解能により算出距離を選択することも
できる。さらに、前記検出値出力手段は、前記三角測量
による算出距離と前記時間差による算出距離をそれぞれ
の分解能範囲内で比較し、一致しない場合に距離検出に
誤動作があったとして算出距離の出力を禁止するととも
に誤検出警報を発することもできる。
【0008】なお、前記複数の受信手段の出力にそれぞ
れスイッチが接続され、該スイッチを走査することによ
り受信した受信手段を検知することにより前記標的の方
角を得ることも可能である。また、各隣接している受信
手段の出力の間に増幅器が接続されるとともに両端から
増幅器を介して検出信号を出力し、該出力された検出信
号の大きさで前記標的の方角を得ることも可能である。
そして各隣接している受信手段の出力の間に抵抗が接続
されるとともに両端から抵抗を介して検出信号を出力
し、該出力された検出信号の大きさで前記標的の方角を
得ることも可能である。なお、前記送出手段は可視光ま
たは赤外光のビームを送出し、受信手段はフォトダイオ
ードで構成されることも可能である。
れスイッチが接続され、該スイッチを走査することによ
り受信した受信手段を検知することにより前記標的の方
角を得ることも可能である。また、各隣接している受信
手段の出力の間に増幅器が接続されるとともに両端から
増幅器を介して検出信号を出力し、該出力された検出信
号の大きさで前記標的の方角を得ることも可能である。
そして各隣接している受信手段の出力の間に抵抗が接続
されるとともに両端から抵抗を介して検出信号を出力
し、該出力された検出信号の大きさで前記標的の方角を
得ることも可能である。なお、前記送出手段は可視光ま
たは赤外光のビームを送出し、受信手段はフォトダイオ
ードで構成されることも可能である。
【0009】
【作用】本発明によれば、送出ビームを方向を変えなが
ら送出し、標的で反射された反射波はその反射角度に対
応した受信手段に受信される。三角測量距離算出手段は
ビームの送出方向と受信手段の位置から算出された標的
の方角を用いて三角測量に基づき標的までの距離を算出
する。一方時間差距離算出手段はビームの送出から反射
波が受信されるまでの時間差から前記標的までの距離を
算出する。検出値出力手段は前記三角測量による算出距
離または前記時間差による算出距離を選択して距離検出
値として出力する。これにより、一回のビームの送、受
信に、二通りの距離測定ができ、例えば分解能の大きい
方の測定値を出力することができる。
ら送出し、標的で反射された反射波はその反射角度に対
応した受信手段に受信される。三角測量距離算出手段は
ビームの送出方向と受信手段の位置から算出された標的
の方角を用いて三角測量に基づき標的までの距離を算出
する。一方時間差距離算出手段はビームの送出から反射
波が受信されるまでの時間差から前記標的までの距離を
算出する。検出値出力手段は前記三角測量による算出距
離または前記時間差による算出距離を選択して距離検出
値として出力する。これにより、一回のビームの送、受
信に、二通りの距離測定ができ、例えば分解能の大きい
方の測定値を出力することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面に
基づいて説明する。図1は、この発明の第1の実施例の
構成を示す。発光ダイオ−ド1はドライブ25を介した
信号処理装置2内のマイコン22からの送光指令を受け
て発光し、可視光または赤外光パルスを発する。光パル
スが集光レンズ6によって単一方向に広がりをもった光
ビームとなり、回転ミラー7に投射される。光ビームが
回転ミラー7の回転により角度を変えながら前方へ送出
される。回転ミラー7はマイコン22に制御されドライ
ブ26からの回転信号にしたがってステップモータ75
の駆動によって回転される。光ビームの送出角度がポテ
ンショメータ76によって検出されマイコン22にフィ
ードバックされる。
基づいて説明する。図1は、この発明の第1の実施例の
構成を示す。発光ダイオ−ド1はドライブ25を介した
信号処理装置2内のマイコン22からの送光指令を受け
て発光し、可視光または赤外光パルスを発する。光パル
スが集光レンズ6によって単一方向に広がりをもった光
ビームとなり、回転ミラー7に投射される。光ビームが
回転ミラー7の回転により角度を変えながら前方へ送出
される。回転ミラー7はマイコン22に制御されドライ
ブ26からの回転信号にしたがってステップモータ75
の駆動によって回転される。光ビームの送出角度がポテ
ンショメータ76によって検出されマイコン22にフィ
ードバックされる。
【0011】回転ミラー7の横所定距離の位置に回転ミ
ラー7の回転軸に直角にフォトダイオードアレイ8が設
置され、回転ミラー7から発せられた光ビームの、標的
3によって反射された反射波が集光レンズ4を介してフ
ォトダイオードアレイ8に投射される。集光レンズ4は
その焦点をフォトダイオードアレイに結び、フォトダイ
オードアレイ8の各セルにはそれぞれ異なる方向からの
反射光しか届かない。
ラー7の回転軸に直角にフォトダイオードアレイ8が設
置され、回転ミラー7から発せられた光ビームの、標的
3によって反射された反射波が集光レンズ4を介してフ
ォトダイオードアレイ8に投射される。集光レンズ4は
その焦点をフォトダイオードアレイに結び、フォトダイ
オードアレイ8の各セルにはそれぞれ異なる方向からの
反射光しか届かない。
【0012】反射光がフォトダイオードのどこに到達し
たかをスイッチアレイ9の走査によって信号処理装置2
内の演算部21が調べ、フォトダイオードアレイ8の受
光セルの位置から受光方向情報と受光時間情報をマイコ
ン22に出力する。マイコン22ではポテンショメータ
76の検出値から回転ミラー7によって送出された光ビ
ームの送出角度を算出し、その送出角度と演算部21か
らの受光方向情報とにより三角測量に基づき標的3の距
離を算出するとともに、光ビームの送出時刻と演算部2
1からの受光時刻から時間差による距離算出を行なう。
たかをスイッチアレイ9の走査によって信号処理装置2
内の演算部21が調べ、フォトダイオードアレイ8の受
光セルの位置から受光方向情報と受光時間情報をマイコ
ン22に出力する。マイコン22ではポテンショメータ
76の検出値から回転ミラー7によって送出された光ビ
ームの送出角度を算出し、その送出角度と演算部21か
らの受光方向情報とにより三角測量に基づき標的3の距
離を算出するとともに、光ビームの送出時刻と演算部2
1からの受光時刻から時間差による距離算出を行なう。
【0013】図2は、フォトダイオードアレイ8の構成
を示す断面図である。まずN+ 基板51上に低濃度N-
エピタキシャル層52が形成されている。エピタキシャ
ル層52を貫通して基板に届くように、エピタキシャル
層52よりも高濃度のN形分離領域53が複数形成され
ている。また分離領域53以外のエピタキシャル層52
上にフォトダイオードのアノード電極となるP+ 形拡散
層54が複数形成されている。N形分離領域53上には
例えばAlからなる遮光層55が形成され、P+ 形拡散
層54のみ受光できるようにしてある。P+ 形拡散層5
4は走査用スイッチアレイ9を介して信号処理装置2に
接続されている。N+ 基板51には電源Vccが供給さ
れている。
を示す断面図である。まずN+ 基板51上に低濃度N-
エピタキシャル層52が形成されている。エピタキシャ
ル層52を貫通して基板に届くように、エピタキシャル
層52よりも高濃度のN形分離領域53が複数形成され
ている。また分離領域53以外のエピタキシャル層52
上にフォトダイオードのアノード電極となるP+ 形拡散
層54が複数形成されている。N形分離領域53上には
例えばAlからなる遮光層55が形成され、P+ 形拡散
層54のみ受光できるようにしてある。P+ 形拡散層5
4は走査用スイッチアレイ9を介して信号処理装置2に
接続されている。N+ 基板51には電源Vccが供給さ
れている。
【0014】図3は図2のフォトダイオードアレイ8の
等価回路を示す。すなわち、形成された個々のダイオー
ドは、共通の電源Vccに接続され受光されたときの応
答電流をそれぞれのアノードに接続されているスイッチ
を通って信号処理装置2に入力する。スイッチは、例え
ばMOSFETやP形MOSFETとN形MOSFET
が並列接続したアナログスイッチなどをアレイ状にした
ものである。またここでは、簡単のため、N形分離領域
がN- エピタキシャル層を貫通し、N+ 基板に到達する
ように説明したがこれは本質的なものではなく、P+ 形
拡散層が複数に分離されて形成されていればよい。
等価回路を示す。すなわち、形成された個々のダイオー
ドは、共通の電源Vccに接続され受光されたときの応
答電流をそれぞれのアノードに接続されているスイッチ
を通って信号処理装置2に入力する。スイッチは、例え
ばMOSFETやP形MOSFETとN形MOSFET
が並列接続したアナログスイッチなどをアレイ状にした
ものである。またここでは、簡単のため、N形分離領域
がN- エピタキシャル層を貫通し、N+ 基板に到達する
ように説明したがこれは本質的なものではなく、P+ 形
拡散層が複数に分離されて形成されていればよい。
【0015】次に信号処理装置における距離検出を説明
する。図4は図1の構成を平面化し、距離の測定原理を
示す。すなわち回転ミラー7の回転による光ビームの送
出角がθ1のときその照射方向に例えば標的3があれ
ば、光ビームの一部がそれによって反射され、レンズ4
を経てフォトダイオードアレイ8に到達しその反射方向
に対応したセルに受光される。どのセルかはスイッチア
レイ9を走査することによって検出する。反射光を受光
したセルの位置から標的3の方角θ2を算出する。標的
3の距離はビームを発してから受光するまでの時間差を
測ることによって算出されるとともに、光ビームの送出
方向θ1と標的の方角θ2と回転ミラーからフォトダイ
オードアレイ8の受光セルまでの距離からも算出され
る。
する。図4は図1の構成を平面化し、距離の測定原理を
示す。すなわち回転ミラー7の回転による光ビームの送
出角がθ1のときその照射方向に例えば標的3があれ
ば、光ビームの一部がそれによって反射され、レンズ4
を経てフォトダイオードアレイ8に到達しその反射方向
に対応したセルに受光される。どのセルかはスイッチア
レイ9を走査することによって検出する。反射光を受光
したセルの位置から標的3の方角θ2を算出する。標的
3の距離はビームを発してから受光するまでの時間差を
測ることによって算出されるとともに、光ビームの送出
方向θ1と標的の方角θ2と回転ミラーからフォトダイ
オードアレイ8の受光セルまでの距離からも算出され
る。
【0016】方角θ2の検出を具体的に説明すると、例
えば図4のように標的3による反射光が当たったフォト
ダイオードセルbには光電流Iが流れ、信号処理装置2
では、スイッチの走査によって、光電流Iが流れている
セルの位置が検出される。そして光電流Iが流れている
セルと光軸の距離をx、フォトダイオードアレイとレン
ズの距離をyとすると、次式 θ2=90゜−tan-1(x/y) (1) を用いて標的の方角θ2を算出する。
えば図4のように標的3による反射光が当たったフォト
ダイオードセルbには光電流Iが流れ、信号処理装置2
では、スイッチの走査によって、光電流Iが流れている
セルの位置が検出される。そして光電流Iが流れている
セルと光軸の距離をx、フォトダイオードアレイとレン
ズの距離をyとすると、次式 θ2=90゜−tan-1(x/y) (1) を用いて標的の方角θ2を算出する。
【0017】次に上記二通りに算出された標的距離を用
いて分解能の高い検出値の出力要領について説明する。
図5は2つの測定方法による分解能と測定距離の関係を
示す。すなわちCのように三角測量による距離測定は測
定距離が遠くなるにしたがって分解能が小さくなる。こ
れに対し時間差によるレーダ測定はDのようにある範囲
内では分解能は測定距離と無関係である。したがってそ
の交点Eを境にそれより近距離は三角測量による距離測
定値を出力し、それより遠距離の場合はレーダ測定値を
出力するほうが分解能の高い測定が行なえる。
いて分解能の高い検出値の出力要領について説明する。
図5は2つの測定方法による分解能と測定距離の関係を
示す。すなわちCのように三角測量による距離測定は測
定距離が遠くなるにしたがって分解能が小さくなる。こ
れに対し時間差によるレーダ測定はDのようにある範囲
内では分解能は測定距離と無関係である。したがってそ
の交点Eを境にそれより近距離は三角測量による距離測
定値を出力し、それより遠距離の場合はレーダ測定値を
出力するほうが分解能の高い測定が行なえる。
【0018】図6は信号処理装置2における距離測定の
フローチャートである。まずステップ200において、
演算部21はスイッチアレイ9に走査信号を出力し、フ
ォトダイオードアレイ8の受光セルを特定し、その受光
方向情報と受光時刻を測定するとともにマイコン22に
出力する。ステップ201において、マイコン22はそ
の発光時刻と受光時刻との時間差からレーダ測定距離値
を得る。ステップ202では、レーダ測定距離値(距離
算出値)が所定値より大きいかどうかを調べる。レーダ
測定距離値が所定値より小さい場合はステップ203に
おいて、ポテンショメータ76の検出値を入力し、光ビ
ームの送出角度θ1と演算部からの受光方向情報である
方角θ2を三角演算して標的までの距離を算出し、ステ
ップ204において三角測定距離値を出力する。レーダ
測定距離値が所定値より大きい場合はステップ205に
おいて、レーダ測定距離値を分解能の高い検出値として
出力する。
フローチャートである。まずステップ200において、
演算部21はスイッチアレイ9に走査信号を出力し、フ
ォトダイオードアレイ8の受光セルを特定し、その受光
方向情報と受光時刻を測定するとともにマイコン22に
出力する。ステップ201において、マイコン22はそ
の発光時刻と受光時刻との時間差からレーダ測定距離値
を得る。ステップ202では、レーダ測定距離値(距離
算出値)が所定値より大きいかどうかを調べる。レーダ
測定距離値が所定値より小さい場合はステップ203に
おいて、ポテンショメータ76の検出値を入力し、光ビ
ームの送出角度θ1と演算部からの受光方向情報である
方角θ2を三角演算して標的までの距離を算出し、ステ
ップ204において三角測定距離値を出力する。レーダ
測定距離値が所定値より大きい場合はステップ205に
おいて、レーダ測定距離値を分解能の高い検出値として
出力する。
【0019】本実施例は以上のように構成され、一回の
ビーム送出によって時間差による距離算出を行なうとと
もに、その受信位置から三角測量も行ない、その測定値
をそれぞれ分解能の高い領域から出力するので、検出距
離の遠近を問わず常に分解能の高い検出出力が得られる
とともに、コスト上昇、装置の大型化が防がれる。
ビーム送出によって時間差による距離算出を行なうとと
もに、その受信位置から三角測量も行ない、その測定値
をそれぞれ分解能の高い領域から出力するので、検出距
離の遠近を問わず常に分解能の高い検出出力が得られる
とともに、コスト上昇、装置の大型化が防がれる。
【0020】なおここでは送光方向を検出するためにス
テップモ−タの軸にポテンショメータが設けられている
が、送光方向の検出にはこのほかに基準となる方向とス
テップモータの変位量の積算値を加算して送光方向の推
定値として用いることもできる。基準方向は例えば図7
のようにステップモ−タ75にスリットを有する円盤7
7を設け、円盤77の両側に発光ダイオ−ド78とフォ
トダイオード79を使って検出することができる。
テップモ−タの軸にポテンショメータが設けられている
が、送光方向の検出にはこのほかに基準となる方向とス
テップモータの変位量の積算値を加算して送光方向の推
定値として用いることもできる。基準方向は例えば図7
のようにステップモ−タ75にスリットを有する円盤7
7を設け、円盤77の両側に発光ダイオ−ド78とフォ
トダイオード79を使って検出することができる。
【0021】本実施例ではレーダ式の距離測定を先に行
ない、その測定値から分解能を上げることができると判
断した場合に三角測量による距離測定を行なう順番を説
明したが、これに限らず、順番を逆にして三角測量を先
に行なっても同様な効果が得られる。この場合は、比較
の対象となる所定値を予め決めておく以外、例えばフォ
トダイオードセル寸法、発光と受光部の距離、送光方向
に係わる検出分解能などにより三角測量原理に基づく距
離計測の分解能と距離の関数を求め、これらの値から上
記の所定値を決めるようにしてもよい。
ない、その測定値から分解能を上げることができると判
断した場合に三角測量による距離測定を行なう順番を説
明したが、これに限らず、順番を逆にして三角測量を先
に行なっても同様な効果が得られる。この場合は、比較
の対象となる所定値を予め決めておく以外、例えばフォ
トダイオードセル寸法、発光と受光部の距離、送光方向
に係わる検出分解能などにより三角測量原理に基づく距
離計測の分解能と距離の関数を求め、これらの値から上
記の所定値を決めるようにしてもよい。
【0022】さらにレーダ測定距離値の比較に用いられ
た所定値を、レーダ距離測定の分解能に係わる反射信号
の強さや信号処理回路の構成、送光パルス幅などによっ
て決め、例えば反射信号の強さの関数として決めること
もできる。反射信号の強さは晴れ、雨、霧などの天候に
よって変化するので、これを使って上記の切り換え点で
ある所定値を決めれば当然三角測量式とレーダ式それぞ
れの範囲が天候によって左右されることになる。
た所定値を、レーダ距離測定の分解能に係わる反射信号
の強さや信号処理回路の構成、送光パルス幅などによっ
て決め、例えば反射信号の強さの関数として決めること
もできる。反射信号の強さは晴れ、雨、霧などの天候に
よって変化するので、これを使って上記の切り換え点で
ある所定値を決めれば当然三角測量式とレーダ式それぞ
れの範囲が天候によって左右されることになる。
【0023】とくに雨や霧などの悪天候時には一般にレ
ーダによる距離計測が困難であるので、三角測量式の計
測のみに頼ればよい。三角測量式の場合には断続発光す
る必要がなく、パルス幅を大きくするかまたは連続発光
しても計測が可能である。このようにすれば、反射信号
の平均電力が向上し、その結果として検出可能な範囲が
延び悪天候条件下でも距離計測が可能である。
ーダによる距離計測が困難であるので、三角測量式の計
測のみに頼ればよい。三角測量式の場合には断続発光す
る必要がなく、パルス幅を大きくするかまたは連続発光
しても計測が可能である。このようにすれば、反射信号
の平均電力が向上し、その結果として検出可能な範囲が
延び悪天候条件下でも距離計測が可能である。
【0024】これによって距離が近い場合には、三角測
量による計測の分解能が高いことから、例えば渋滞時の
先行車自動追従制御に応用でき、逆に距離が遠くなると
レーダによる計測のほうが分解能が高くなるので、例え
ば高速道路での先行車自動追従にも適用され、天候条件
や渋滞、高速道路など幅広い外部環境条件において、分
解能の高い距離計測が可能である。
量による計測の分解能が高いことから、例えば渋滞時の
先行車自動追従制御に応用でき、逆に距離が遠くなると
レーダによる計測のほうが分解能が高くなるので、例え
ば高速道路での先行車自動追従にも適用され、天候条件
や渋滞、高速道路など幅広い外部環境条件において、分
解能の高い距離計測が可能である。
【0025】さらに2通りの検出が可能な場合には、2
つの距離測定値がそれぞれの分解能が示す範囲内では一
致するはずであるため、その両測定値を比較し、一致し
ない場合は、誤検出が行なわれたことになる。すなわ
ち、2つの検出値を用いて装置の自己診断を行なうこと
が可能である。図8はその自己診断を行ない、距離検出
を行なうフロ−チャ−トである。
つの距離測定値がそれぞれの分解能が示す範囲内では一
致するはずであるため、その両測定値を比較し、一致し
ない場合は、誤検出が行なわれたことになる。すなわ
ち、2つの検出値を用いて装置の自己診断を行なうこと
が可能である。図8はその自己診断を行ない、距離検出
を行なうフロ−チャ−トである。
【0026】すなわち、ステップ300において、送光
ビ−ムの送出と反射波の受光までの時間差を測定し、そ
の時間差から距離を算出する。ステップ301におい
て、送光ビ−ムの送出角度θ1と標的の方角θ2とによ
り三角測量に基づき距離を算出する。ステップ302に
おいて、2つの算出値を減算する。ステップ303で
は、減算値が所定範囲内かどうか調べる。所定範囲内の
場合はステップ304において、誤検出がないとして上
記のように分解能の高い距離算出値を出力する。減算値
が所定範囲外の場合はステップ305において、誤検出
があったとして警報を行なうこともできる。
ビ−ムの送出と反射波の受光までの時間差を測定し、そ
の時間差から距離を算出する。ステップ301におい
て、送光ビ−ムの送出角度θ1と標的の方角θ2とによ
り三角測量に基づき距離を算出する。ステップ302に
おいて、2つの算出値を減算する。ステップ303で
は、減算値が所定範囲内かどうか調べる。所定範囲内の
場合はステップ304において、誤検出がないとして上
記のように分解能の高い距離算出値を出力する。減算値
が所定範囲外の場合はステップ305において、誤検出
があったとして警報を行なうこともできる。
【0027】図9は、本発明の第2の実施例の構成を示
す。この実施例は、第1の実施例で用いたフォトダイオ
ードアレイ8と走査用のスイッチアレイ9の代わりに位
置検出センサ(PSD)5を用いたものである。そのほ
かの構成は第1の実施例と同様である。図10は図9の
構成を平面化して、距離検出原理を示す図である。PS
Dは電流で受光位置を検出する回路で、2つの出力端子
を有し、各端子の出力電流をI1、I2とすると、次式
を用いることで反射光が当たった位置を算出できる。 x=(I1−I2)L/〔2(I1+I2)〕 (2) 但し、xはPSDの中点から反射光が当たった位置まで
の距離、LはPSDの幅の大きさである。信号処理装置
2’ではスイッチ走査の替わりに演算部21’がバッフ
ァ23、24を介してPSD5の両端から流れ出る電流
I1、I2を入力し、式(2)に基づいて受光位置xを
算出する。その後は第1の実施例と同様に受光位置xか
ら標的3の方角θ2を求め、三角測量および送、受光の
時間差によるレーダ距離測定が行なわれる。このような
PSDを用いることによって第1実施例に必須な走査用
スイッチアレイを省略することができる。
す。この実施例は、第1の実施例で用いたフォトダイオ
ードアレイ8と走査用のスイッチアレイ9の代わりに位
置検出センサ(PSD)5を用いたものである。そのほ
かの構成は第1の実施例と同様である。図10は図9の
構成を平面化して、距離検出原理を示す図である。PS
Dは電流で受光位置を検出する回路で、2つの出力端子
を有し、各端子の出力電流をI1、I2とすると、次式
を用いることで反射光が当たった位置を算出できる。 x=(I1−I2)L/〔2(I1+I2)〕 (2) 但し、xはPSDの中点から反射光が当たった位置まで
の距離、LはPSDの幅の大きさである。信号処理装置
2’ではスイッチ走査の替わりに演算部21’がバッフ
ァ23、24を介してPSD5の両端から流れ出る電流
I1、I2を入力し、式(2)に基づいて受光位置xを
算出する。その後は第1の実施例と同様に受光位置xか
ら標的3の方角θ2を求め、三角測量および送、受光の
時間差によるレーダ距離測定が行なわれる。このような
PSDを用いることによって第1実施例に必須な走査用
スイッチアレイを省略することができる。
【0028】ここでPSDの原理について説明する。図
11は、従来のPSDの構成を示す断面図である。N+
基板71上にN- エピタキシャル層72が形成されてい
る。さらにN- エピタキシャル層72上に低濃度P形拡
散層73が形成され、その両端は高濃度のP+ 形コンタ
クト領域74を介して2つの出力端子A,Bに接続され
ている。P形拡散層はPiNフォトダイオードのアノー
ドとして働くと同時に抵抗としての働きをする。
11は、従来のPSDの構成を示す断面図である。N+
基板71上にN- エピタキシャル層72が形成されてい
る。さらにN- エピタキシャル層72上に低濃度P形拡
散層73が形成され、その両端は高濃度のP+ 形コンタ
クト領域74を介して2つの出力端子A,Bに接続され
ている。P形拡散層はPiNフォトダイオードのアノー
ドとして働くと同時に抵抗としての働きをする。
【0029】このPSDにおいては、まず光の当たった
ところに光電流Iが流れる。IはP形拡散層を通って2
つの出力端子から流れ出る。ここで、Iが流れている箇
所の左右それぞれのP形拡散層の抵抗をR2、R1と
し、端子A、Bから流れ出る電流をI2,I1とする。
R2は[(L/2)+x]、R1は[(L/2)−x]
に比例し、またI1はR1、I2はR2に反比例する。
その結果、I1が[(L/2)−x]、I2が[(L/
2+x]に反比例する。よって、先の式(2)で示した
光電流の発生位置xと電流値I1、I2の相関式が得ら
れる。
ところに光電流Iが流れる。IはP形拡散層を通って2
つの出力端子から流れ出る。ここで、Iが流れている箇
所の左右それぞれのP形拡散層の抵抗をR2、R1と
し、端子A、Bから流れ出る電流をI2,I1とする。
R2は[(L/2)+x]、R1は[(L/2)−x]
に比例し、またI1はR1、I2はR2に反比例する。
その結果、I1が[(L/2)−x]、I2が[(L/
2+x]に反比例する。よって、先の式(2)で示した
光電流の発生位置xと電流値I1、I2の相関式が得ら
れる。
【0030】しかし、PSDの応答時間はP形拡散層の
抵抗と各層間のPiNフォトダイオードの静電容量によ
って決まる。上記従来のPSDでは、P形拡散層73を
抵抗とPiNフォトダイオードのアノードの両方に使用
しているために設計の自由度が小さく、例えばP形拡散
層の抵抗を小さくして応答速度を速くするにはそれの厚
みtを大きくし、また不純物濃度を高くする必要があ
る。
抵抗と各層間のPiNフォトダイオードの静電容量によ
って決まる。上記従来のPSDでは、P形拡散層73を
抵抗とPiNフォトダイオードのアノードの両方に使用
しているために設計の自由度が小さく、例えばP形拡散
層の抵抗を小さくして応答速度を速くするにはそれの厚
みtを大きくし、また不純物濃度を高くする必要があ
る。
【0031】しかし不純物濃度を上げると光吸収率が大
きくなり、また厚みtを大きくすると光が通過しにくく
なる。その結果光電流Iが減少し感度が低下してしま
う。さらに上記従来のPSDでは、全チップがPiNダ
イオードを構成しているので、その接合容量が大きいた
め、光が照射されてから外部に信号電流が流れるまでの
時間が長く、応答速度が遅い。その結果、従来のPSD
をレーダの受光位置検出センサとして用いるときにはレ
ーダの検出速度および距離検出分解能の低下が避けられ
ない。
きくなり、また厚みtを大きくすると光が通過しにくく
なる。その結果光電流Iが減少し感度が低下してしま
う。さらに上記従来のPSDでは、全チップがPiNダ
イオードを構成しているので、その接合容量が大きいた
め、光が照射されてから外部に信号電流が流れるまでの
時間が長く、応答速度が遅い。その結果、従来のPSD
をレーダの受光位置検出センサとして用いるときにはレ
ーダの検出速度および距離検出分解能の低下が避けられ
ない。
【0032】そこで、本実施例では、受光位置を高速検
出できるPSDとして、チップ全面をフォトダイオード
とせず、分離領域を設けて、複数のフォトダイオードセ
ルをアレイ状に配置するようにし、また独立の抵抗領域
を設けて設計の自由度を増やし、抵抗値を十分小さくで
きるようにしたことにより検出速度を向上させた。
出できるPSDとして、チップ全面をフォトダイオード
とせず、分離領域を設けて、複数のフォトダイオードセ
ルをアレイ状に配置するようにし、また独立の抵抗領域
を設けて設計の自由度を増やし、抵抗値を十分小さくで
きるようにしたことにより検出速度を向上させた。
【0033】図12は、本実施例のPSDの回路図、図
13はその構成図である。図13の(a)は平面パター
ン図で、(b)は(a)のX−Y−Zにおける断面図で
ある。構成を説明すると、図12において、PSD5
は、図3に示した第1の実施例と同様に複数のフォトダ
イオードセル5’で構成されるが、各セルの出力が隣接
しているほかのフォトダイオードセルの出力と抵抗Rを
介して接続されている点が異なる。
13はその構成図である。図13の(a)は平面パター
ン図で、(b)は(a)のX−Y−Zにおける断面図で
ある。構成を説明すると、図12において、PSD5
は、図3に示した第1の実施例と同様に複数のフォトダ
イオードセル5’で構成されるが、各セルの出力が隣接
しているほかのフォトダイオードセルの出力と抵抗Rを
介して接続されている点が異なる。
【0034】各フォトダイオードセル5’は図13に示
すように上面から順に高濃度P+ 拡散層83、N- エピ
タキシャル層82、N+ 基板81によって構成され、高
濃度P+ 拡散層83、N- エピタキシャル層82はN形
分離領域85を介して互いに分離されている。高濃度P
+ 拡散層83の濃度を十分濃くすることでその抵抗成分
を無視できるようにしてある。またP+ 拡散層83の厚
みtを十分薄くすることで光が十分通過できるようにな
っている。分離されている各P+ 拡散層83はさらに導
線87で拡散抵抗84に接続されている。
すように上面から順に高濃度P+ 拡散層83、N- エピ
タキシャル層82、N+ 基板81によって構成され、高
濃度P+ 拡散層83、N- エピタキシャル層82はN形
分離領域85を介して互いに分離されている。高濃度P
+ 拡散層83の濃度を十分濃くすることでその抵抗成分
を無視できるようにしてある。またP+ 拡散層83の厚
みtを十分薄くすることで光が十分通過できるようにな
っている。分離されている各P+ 拡散層83はさらに導
線87で拡散抵抗84に接続されている。
【0035】ここで拡散抵抗84の抵抗率はP+ 拡散層
83のそれよりも十分高く設定される。拡散抵抗の抵抗
値はその幅、長さ、厚み及び不純物濃度によって決定さ
れ、拡散抵抗が形成されている領域で光を吸収させなく
てもよいので、拡散抵抗の厚みや不純物濃度を自由に選
ぶことができる。その結果抵抗値を十分小さく設定する
ことができ、応答速度を上げることができる。また高濃
度P+ 拡散層83真下のみにPiNフォトダイオードが
形成され、静電容量を持つが、分離領域では静電容量を
持たない。その結果、分離領域85の面積分に相当する
静電容量が小さくなり、さらに応答速度が向上する。ま
た(b)に示すように光が当たらなくてもよい分離領域
85と拡散抵抗84のところには、Alなどからなる遮
光層86を設けてある。
83のそれよりも十分高く設定される。拡散抵抗の抵抗
値はその幅、長さ、厚み及び不純物濃度によって決定さ
れ、拡散抵抗が形成されている領域で光を吸収させなく
てもよいので、拡散抵抗の厚みや不純物濃度を自由に選
ぶことができる。その結果抵抗値を十分小さく設定する
ことができ、応答速度を上げることができる。また高濃
度P+ 拡散層83真下のみにPiNフォトダイオードが
形成され、静電容量を持つが、分離領域では静電容量を
持たない。その結果、分離領域85の面積分に相当する
静電容量が小さくなり、さらに応答速度が向上する。ま
た(b)に示すように光が当たらなくてもよい分離領域
85と拡散抵抗84のところには、Alなどからなる遮
光層86を設けてある。
【0036】上記の構成を用いて位置を検出するには、
従来のPSDと同様に端子A、Bから流れ出る電流を測
定し、前記式(2)を用いて受光の位置を算出すればよ
い。但し、従来のPSDと違い、この場合の受光位置x
は離散的な値をとる。すなわち同一フォトダイオードセ
ルに当たった光は常に同じ出力を出し、同じ位置として
算出される。従って位置の精度を上げるには、各フォト
ダイオードセルを微細化すればよい。
従来のPSDと同様に端子A、Bから流れ出る電流を測
定し、前記式(2)を用いて受光の位置を算出すればよ
い。但し、従来のPSDと違い、この場合の受光位置x
は離散的な値をとる。すなわち同一フォトダイオードセ
ルに当たった光は常に同じ出力を出し、同じ位置として
算出される。従って位置の精度を上げるには、各フォト
ダイオードセルを微細化すればよい。
【0037】次に上記構成における距離計測の流れを図
14および図15のフローチャートにしたがって説明す
る。まず。ステップ100において、送光パルス幅を所
定の大きさに設定して初期化を行なう。続いてステップ
101において、送光ビームの方向を初期状態に設定す
る。ステップ102において、発光ダイオードを発光さ
せる。
14および図15のフローチャートにしたがって説明す
る。まず。ステップ100において、送光パルス幅を所
定の大きさに設定して初期化を行なう。続いてステップ
101において、送光ビームの方向を初期状態に設定す
る。ステップ102において、発光ダイオードを発光さ
せる。
【0038】ステップ103において、受光した信号を
前回分に加えて積分して増幅する。そして増幅された受
光レベルが所定値より大きいかどうかの判断を行なう。
所定値より小さい場合は、ステップ104において、送
光回数が所定回数に達したかどうかの判断を行なう。送
光回数が所定回数に達していない場合は、ステップ10
2に戻り、送光を続ける。送光回数が所定回数に達した
ならば、ステップ105において、送光ビームが全範囲
を走査したかどうかの判断を行なう。全範囲を走査して
いない場合は、ステップ106において、送光ビームを
Δθだけシフトさせる。全範囲を走査した場合は、ステ
ップ107において、送光パルス幅をΔt拡大してステ
ップ101に戻る。このように、光ビームは検知全範囲
を走査するとともに、送光パルス幅を拡大していき、検
知感度を上げながら標的を検出する。
前回分に加えて積分して増幅する。そして増幅された受
光レベルが所定値より大きいかどうかの判断を行なう。
所定値より小さい場合は、ステップ104において、送
光回数が所定回数に達したかどうかの判断を行なう。送
光回数が所定回数に達していない場合は、ステップ10
2に戻り、送光を続ける。送光回数が所定回数に達した
ならば、ステップ105において、送光ビームが全範囲
を走査したかどうかの判断を行なう。全範囲を走査して
いない場合は、ステップ106において、送光ビームを
Δθだけシフトさせる。全範囲を走査した場合は、ステ
ップ107において、送光パルス幅をΔt拡大してステ
ップ101に戻る。このように、光ビームは検知全範囲
を走査するとともに、送光パルス幅を拡大していき、検
知感度を上げながら標的を検出する。
【0039】ステップ103で受光レベルが所定値より
大きいと判定されると、ステップ108で、送光してか
ら受光するまでの時間経過を測定する。ステップ109
において、その時間差から標的までの距離を算出し、ス
テップ110において、送光パルス幅から分解能を算出
する。ステップ111においては、ポテンショメータ7
6から送光ビームの送光方向θ1を算出するステップ1
12において、前記式(2)に基づき標的の方角θ2を
算出する。ステップ113において、三角測量により標
的までの距離を算出し、ステップ114において三角測
量法の分解能を算出する。
大きいと判定されると、ステップ108で、送光してか
ら受光するまでの時間経過を測定する。ステップ109
において、その時間差から標的までの距離を算出し、ス
テップ110において、送光パルス幅から分解能を算出
する。ステップ111においては、ポテンショメータ7
6から送光ビームの送光方向θ1を算出するステップ1
12において、前記式(2)に基づき標的の方角θ2を
算出する。ステップ113において、三角測量により標
的までの距離を算出し、ステップ114において三角測
量法の分解能を算出する。
【0040】その後、ステップ115において、パルス
幅による分解能と三角測量による分解能とを比較し、時
間差によるレーダ測定の分解能が高い場合は、レーダ測
定距離を出力する。時間差によるレーダ測定の分解能が
低い場合は、三角測定距離を出力する。これによって、
分解能の高い距離測定値が出力される。
幅による分解能と三角測量による分解能とを比較し、時
間差によるレーダ測定の分解能が高い場合は、レーダ測
定距離を出力する。時間差によるレーダ測定の分解能が
低い場合は、三角測定距離を出力する。これによって、
分解能の高い距離測定値が出力される。
【0041】その後ステップ119において、所定回数
の送光をしたかどうかを調べる。NOの場合ステップ1
02に戻り、新たに送光を行なう。YESの場合は、ス
テップ120に進み、送光パルス幅をΔt縮小し、ステ
ップ121において所定回数の送受光を行なう。その結
果、受光レベルが所定値より大きい場合、ステップ12
0に戻り、送光パルス幅をさらに縮小する。このように
ステップ122において、受光レベルが所定値以下と判
定されると、ステップ123において、送光パルス幅を
Δtだけ拡大し、ステップ102に戻って、受光可能な
最小パルス幅で再度送、受光して距離検出を行なう。こ
のように、送光パルス幅を拡大しながら標的を検出し、
標的が検出されると送光パルス幅をΔtで減らしてい
く。受光不可能になったところで送光パルス幅をΔtだ
け拡大し、その受光可能な最小パルス幅で距離測定を行
なう。
の送光をしたかどうかを調べる。NOの場合ステップ1
02に戻り、新たに送光を行なう。YESの場合は、ス
テップ120に進み、送光パルス幅をΔt縮小し、ステ
ップ121において所定回数の送受光を行なう。その結
果、受光レベルが所定値より大きい場合、ステップ12
0に戻り、送光パルス幅をさらに縮小する。このように
ステップ122において、受光レベルが所定値以下と判
定されると、ステップ123において、送光パルス幅を
Δtだけ拡大し、ステップ102に戻って、受光可能な
最小パルス幅で再度送、受光して距離検出を行なう。こ
のように、送光パルス幅を拡大しながら標的を検出し、
標的が検出されると送光パルス幅をΔtで減らしてい
く。受光不可能になったところで送光パルス幅をΔtだ
け拡大し、その受光可能な最小パルス幅で距離測定を行
なう。
【0042】この実施例は、以上のように構成され、ス
イッチアレイを用いる第1の実施例に比べると構成が簡
単で、また走査制御をしなくてもよいので、信号処理装
置2’の構成が簡単になる。そしてI1、I2を同時に
検出できるので、スイッチ走査方式にかかる処理時間は
セル数に比例して増えるのに対し、PSD方式の処理時
間が一定であるため、セル数の多いときにはスイッチア
レイを用いた走査方式より速く検出することができる。
イッチアレイを用いる第1の実施例に比べると構成が簡
単で、また走査制御をしなくてもよいので、信号処理装
置2’の構成が簡単になる。そしてI1、I2を同時に
検出できるので、スイッチ走査方式にかかる処理時間は
セル数に比例して増えるのに対し、PSD方式の処理時
間が一定であるため、セル数の多いときにはスイッチア
レイを用いた走査方式より速く検出することができる。
【0043】また従来のPSDと比べ、受光位置検出用
の抵抗とPiNフォトダイオードのアノードの両方を別
々に設けたため、設計の自由度が大きく、拡散抵抗84
の抵抗値を十分に下げることができ、そして多数の小単
位となるPiNダイオードはその接合容量が小さいた
め、光が照射されてから外部に信号電流を出すまでの時
間が短く、応答速度が向上する。
の抵抗とPiNフォトダイオードのアノードの両方を別
々に設けたため、設計の自由度が大きく、拡散抵抗84
の抵抗値を十分に下げることができ、そして多数の小単
位となるPiNダイオードはその接合容量が小さいた
め、光が照射されてから外部に信号電流を出すまでの時
間が短く、応答速度が向上する。
【0044】図16は、本発明の第3の実施例としてP
SDのほかの構成を示す。この実施例は、図13で示し
た第2の実施例の拡散抵抗84の代わりに多結晶シリコ
ン抵抗84Aを用いたものである。そのほかの構成は第
3の実施例と同様である。図16の(a)は平面パター
ン、(b)は(a)のX−Y−Zにおける断面図であ
る。
SDのほかの構成を示す。この実施例は、図13で示し
た第2の実施例の拡散抵抗84の代わりに多結晶シリコ
ン抵抗84Aを用いたものである。そのほかの構成は第
3の実施例と同様である。図16の(a)は平面パター
ン、(b)は(a)のX−Y−Zにおける断面図であ
る。
【0045】多結晶シリコン抵抗84Aは、N+ 基板8
1上から生成されるのでなく、酸化膜88を介して蒸着
して形成されている。各抵抗84Aが導線87Aを介し
て隣接の抵抗と接続されるとともにP+ 拡散層83に接
続される。抵抗84Aの導電形はp形でもn形でも構わ
ない。また抵抗として先の図13の拡散抵抗84と同様
に導線87Aを用いず連続した一本の多結晶シリコンの
帯に複数のコンタクトを介して各フォトダイオードセル
と接続してもよい。本実施例は以上のように構成され、
多結晶抵抗を用いることで、抵抗における静電容量が減
少し、さらに応答速度を上げることができる。それによ
ってこれを用いるレーダは一層性能の向上が図れる。
1上から生成されるのでなく、酸化膜88を介して蒸着
して形成されている。各抵抗84Aが導線87Aを介し
て隣接の抵抗と接続されるとともにP+ 拡散層83に接
続される。抵抗84Aの導電形はp形でもn形でも構わ
ない。また抵抗として先の図13の拡散抵抗84と同様
に導線87Aを用いず連続した一本の多結晶シリコンの
帯に複数のコンタクトを介して各フォトダイオードセル
と接続してもよい。本実施例は以上のように構成され、
多結晶抵抗を用いることで、抵抗における静電容量が減
少し、さらに応答速度を上げることができる。それによ
ってこれを用いるレーダは一層性能の向上が図れる。
【0046】次に、本発明の第4の実施例としてさらに
検出速度を向上したPSDを説明する。図17は、その
構成を示す回路図である。PSDは各受光セルであるフ
ォトダイオードセル5’の出力がブロッキングダイオー
ド5”を介して抵抗Rの列に接続されている。ブロッキ
ングダイオード5”は光電流Iが流れる方向に接続され
ている。ブロッキングダイオードは光を受ける必要がな
いので遮光されても構わない。
検出速度を向上したPSDを説明する。図17は、その
構成を示す回路図である。PSDは各受光セルであるフ
ォトダイオードセル5’の出力がブロッキングダイオー
ド5”を介して抵抗Rの列に接続されている。ブロッキ
ングダイオード5”は光電流Iが流れる方向に接続され
ている。ブロッキングダイオードは光を受ける必要がな
いので遮光されても構わない。
【0047】フォトダイオードセル5’が受光すると光
電流Iが流れ、抵抗上の電位が変動し、このときブロッ
キングダイオード5”が無ければ、その変動によって他
のフォトダイオードセルに変位電流が流れる。これはブ
ロッキングダイオードが無ければ全てのフォトダイオー
ドの接合静電容量が並列接続されているので静電容量が
大きくなるためである。
電流Iが流れ、抵抗上の電位が変動し、このときブロッ
キングダイオード5”が無ければ、その変動によって他
のフォトダイオードセルに変位電流が流れる。これはブ
ロッキングダイオードが無ければ全てのフォトダイオー
ドの接合静電容量が並列接続されているので静電容量が
大きくなるためである。
【0048】そこで、フォトダイオードセル5’にブロ
ッキングダイオード5”を挿入することによって、ブロ
ッキングダイオード5”は微小な光電流Iを順方向に流
すだけの大きさがあれば十分なので、そのPN接合面積
を十分に小さくすることができる。それによって静電容
量による変位電流が流れにくくなる。これは図18の等
価回路図に示すようにブロッキンギダイオード5”の小
さい静電容量Cj1を各フォトダイオードセル5’の静
電容量Cj2と直列接続して全体の容量を小さくしたか
らである。
ッキングダイオード5”を挿入することによって、ブロ
ッキングダイオード5”は微小な光電流Iを順方向に流
すだけの大きさがあれば十分なので、そのPN接合面積
を十分に小さくすることができる。それによって静電容
量による変位電流が流れにくくなる。これは図18の等
価回路図に示すようにブロッキンギダイオード5”の小
さい静電容量Cj1を各フォトダイオードセル5’の静
電容量Cj2と直列接続して全体の容量を小さくしたか
らである。
【0049】ブロッキングダイオード5”は小さなダイ
オードで十分なので例えば多結晶シリコンダイオードを
用いてもよい。またVccは正の電源でなく負の電源を
用いてもよく、この場合には図17で示すようなダイオ
ードを全て逆に接続すればよい。本実施例は、以上のよ
うに構成され、ブロッキングダイオードの挿入によって
PSD全体の静電容量を小さくすることができ、その結
果働いていないフォトダイオードセルが切り離され、P
SDの検出速度がさらに向上する。
オードで十分なので例えば多結晶シリコンダイオードを
用いてもよい。またVccは正の電源でなく負の電源を
用いてもよく、この場合には図17で示すようなダイオ
ードを全て逆に接続すればよい。本実施例は、以上のよ
うに構成され、ブロッキングダイオードの挿入によって
PSD全体の静電容量を小さくすることができ、その結
果働いていないフォトダイオードセルが切り離され、P
SDの検出速度がさらに向上する。
【0050】図19及び図20は、本発明の第5の実施
例の構成を示す。図20は図19の交流等価回路図であ
る。この実施例は第4の実施例のブロッキングダイオー
ド5”の代わりにバッファ9Aを用いたものである。そ
の他の構成は第4の実施例と同様である。バッファ9A
の構成として光電流Iを抵抗Rsで受けて電圧に変換
し、変換された電圧をソースフォロワ形式のMOSFE
T9Cのゲートに印加する。その結果Iに比例した電流
AlがMOSFET9Cのソースから流れ出て、端子
A,Bからは電流AI2及びAI1が流れ出る。このと
きバッファ9Aの持つ高インピダンスでAI1またはA
I2による変位電流が各フォトダイオードセルに流れ込
むことができなくなる。
例の構成を示す。図20は図19の交流等価回路図であ
る。この実施例は第4の実施例のブロッキングダイオー
ド5”の代わりにバッファ9Aを用いたものである。そ
の他の構成は第4の実施例と同様である。バッファ9A
の構成として光電流Iを抵抗Rsで受けて電圧に変換
し、変換された電圧をソースフォロワ形式のMOSFE
T9Cのゲートに印加する。その結果Iに比例した電流
AlがMOSFET9Cのソースから流れ出て、端子
A,Bからは電流AI2及びAI1が流れ出る。このと
きバッファ9Aの持つ高インピダンスでAI1またはA
I2による変位電流が各フォトダイオードセルに流れ込
むことができなくなる。
【0051】またバッファ9A自身の出力静電容量CA
は、その値が小さいので、バッファ9Aへ変位電流の流
入もしにくい。この結果、PSDの応答性が向上され
る。さらにバッファを設けることによって電流が増幅さ
れて大きくなるので検出が容易になるという効果も得ら
れる。
は、その値が小さいので、バッファ9Aへ変位電流の流
入もしにくい。この結果、PSDの応答性が向上され
る。さらにバッファを設けることによって電流が増幅さ
れて大きくなるので検出が容易になるという効果も得ら
れる。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、送出ビームを方向を変えながら送出し、標的で反射
された反射波をその反射角度に対応した受信手段に受信
するとともに、三角測量距離算出手段によりビームの送
出方向と受信手段の位置から算出された標的の方角とを
用い三角測量に基づき前記標的までの距離を算出する。
一方時間差距離算出手段がビームの送出から反射波が受
信されるまでの時間差に基づき前記標的までの距離を算
出して、検出値出力手段が三角測量による算出距離また
は前記時間差による算出距離を選択して距離検出値とし
て出力する。これにより、一回のビームの送、受信に、
二通りの距離測定を行ない、分解能の高い測定値を選び
出力するので、コストの上昇と装置の大型化といった問
題を招くことなく分解能の高い距離検出ができる。
ば、送出ビームを方向を変えながら送出し、標的で反射
された反射波をその反射角度に対応した受信手段に受信
するとともに、三角測量距離算出手段によりビームの送
出方向と受信手段の位置から算出された標的の方角とを
用い三角測量に基づき前記標的までの距離を算出する。
一方時間差距離算出手段がビームの送出から反射波が受
信されるまでの時間差に基づき前記標的までの距離を算
出して、検出値出力手段が三角測量による算出距離また
は前記時間差による算出距離を選択して距離検出値とし
て出力する。これにより、一回のビームの送、受信に、
二通りの距離測定を行ない、分解能の高い測定値を選び
出力するので、コストの上昇と装置の大型化といった問
題を招くことなく分解能の高い距離検出ができる。
【図1】本発明の第1の実施例の構成を示す図である。
【図2】実施例に用いられる位置検出装置の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図3】位置検出装置の等価回路図である。
【図4】距離検出原理を示す平面図である。
【図5】検出距離と分解能の関係を示す図である。
【図6】距離検出のためのフローチャートである。
【図7】誤検出判断のためのフローチャートである。
【図8】基準位置検出ための装置を示す図である。
【図9】本発明の第2の実施例の構成を示す図である。
【図10】距離検出原理を示す平面図である。
【図11】従来のPSDの構成を示す断面図である。
【図12】本実施例に用いられるPSDの電気回路図で
ある。
ある。
【図13】PSDの構成を示す断面図である。
【図14】距離検出ためのフローチャートである。
【図15】距離検出ためのフローチャートである。
【図16】他のPSDの構成を示す断面図である。
【図17】他のPSDの回路図である。
【図18】光電流が発生するときの交流等価回路図であ
る。
る。
【図19】ほかのPSDの回路図である。
【図20】光電流が発生するときの交流等価回路図であ
る。
る。
2、2’ 信号処理装置 1 発光ダイオード 3 標的 4、6 集光レンズ 5’ フォトダイオード 5” ブロッキングダイオード 8 フォドダイオードアレイ 9 スイッチアレイ 9A バッファ(増幅器) 5 PSD 7 ミラー 21、21’ 演算部 22 マイコン 23、24 バッファ 25、26 ドライブ 75 ステップモータ 76 ポテンショメータ 77 円盤 78 発光ダイオード 79 フォトダイオード
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/12 G01S 17/88 A
Claims (11)
- 【請求項1】 電磁波などのビームを送出する送信手段
と、送出されたビームが標的で反射された反射波を受信
する受信手段と、前記ビームの送出方向を変化させる走
査手段と、前記ビームの送出方向を検出する方向検出手
段とを備え、前記受信手段は複数設けられ、各受信手段
がそれぞれの受信方向が異なるようにアレイ状に配置さ
れている距離計測装置において、前記反射波を受信した
受信手段の位置に基づいて前記標的の方角を算出する方
角算出手段と、前記ビームの送出方向と前記算出した標
的の方角から三角測量に基づき前記標的までの距離を算
出する三角測量距離算出手段と、前記ビーム送出から反
射波が受信されるまでの時間差から前記標的までの距離
を算出する時間差距離算出手段と、前記三角測量による
算出距離または前記時間差による算出距離を選択して距
離検出値として出力する検出値出力手段とを設けたこと
を特徴とする距離計測装置。 - 【請求項2】 前記送信手段は、所定のパルス幅でビー
ムを送出し、所定の時間内に前記受信手段が反射波を受
信できなかった場合に、前記パルス幅を拡大して再送信
するようにしたことを特徴とする請求項1記載の距離計
測装置。 - 【請求項3】 前記検出値出力手段は、前記三角測量に
よる算出距離または時間差による算出距離を所定値と比
較することによって、選択することを特徴とする請求項
1または2記載の距離計測装置。 - 【請求項4】 前記所定値を受信した反射波の強度の関
数とすることを特徴とする請求項1、2または3記載の
距離計測装置。 - 【請求項5】 前記所定値を前記送光方向の関数とする
ことを特徴とすることを請求項1、2または3記載の距
離計測装置。 - 【請求項6】 前記三角測量距離算出手段は送光方向か
ら、前記時間差距離算出手段はビームのパルス幅からそ
れぞれ距離検出の分解能を算出し、前記検出値出力手段
は、分解能の高い算出距離を選択することを特徴とする
請求項1、2または3記載の距離計測装置。 - 【請求項7】 前記検出値出力手段は、前記三角測量に
よる算出距離と前記時間差による算出距離を分解能範囲
内で比較し、一致した距離算出値がない場合に距離検出
に誤動作があったとして算出距離の出力を禁止するとと
もに誤検出警報を発することを特徴とする請求項1、
2、3、4、5または6記載の距離計測装置。 - 【請求項8】 前記複数の受信手段の出力にそれぞれス
イッチが接続され、該スイッチを走査し受信した受信手
段を検知することにより前記標的の方角を得ることを特
徴とする請求項1、2、3、4、5、6または7記載の
距離計測装置。 - 【請求項9】 各隣接している受信手段の出力の間に増
幅器が接続されるとともに両端から増幅器を介して検出
信号を出力し、該出力された検出信号の大きさで前記標
的の方角を得ることを特徴とする請求項1、2、3、
4、5、6または7記載の距離計測装置。 - 【請求項10】 各隣接している受信手段の出力の間に
抵抗が接続されるとともに両端から抵抗を介して検出信
号を出力し、該出力された検出信号の大きさで前記標的
の方角を得ることを特徴とする請求項1、2、3、4、
5、6または7記載の距離計測装置。 - 【請求項11】 前記送出手段は可視光または赤外光の
ビームを送出し、受信手段はフォトダイオードで構成さ
れていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、
6、7、8、9または10記載の距離計測装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08203096A JP3384233B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 距離計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08203096A JP3384233B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 距離計測装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09243357A true JPH09243357A (ja) | 1997-09-19 |
JP3384233B2 JP3384233B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=13763140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08203096A Expired - Fee Related JP3384233B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 距離計測装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3384233B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2187275A1 (es) * | 2001-05-23 | 2003-05-16 | Univ Alcala Henares | Sistema detector de obstaculos basado en tecnologia laser. |
KR101289597B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-09-25 | 영남대학교 산학협력단 | 원형 pd 어레이를 이용하여 광원의 위치를 추정하기 위한 방법 및 장치 |
JP2017181279A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社ダイヘン | 測距装置および産業用ロボット |
WO2022252309A1 (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | 深圳市欢创科技有限公司 | 测距装置、激光雷达和移动机器人 |
WO2023053238A1 (ja) * | 2021-09-29 | 2023-04-06 | 日本電気株式会社 | 形状検出装置、形状検出システム及び形状検出方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102144539B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2020-08-18 | 주식회사 히타치엘지 데이터 스토리지 코리아 | 거리 측정 장치 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP08203096A patent/JP3384233B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2187275A1 (es) * | 2001-05-23 | 2003-05-16 | Univ Alcala Henares | Sistema detector de obstaculos basado en tecnologia laser. |
KR101289597B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-09-25 | 영남대학교 산학협력단 | 원형 pd 어레이를 이용하여 광원의 위치를 추정하기 위한 방법 및 장치 |
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WO2022252309A1 (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | 深圳市欢创科技有限公司 | 测距装置、激光雷达和移动机器人 |
WO2023053238A1 (ja) * | 2021-09-29 | 2023-04-06 | 日本電気株式会社 | 形状検出装置、形状検出システム及び形状検出方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3384233B2 (ja) | 2003-03-10 |
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